JP2008543594A - パッケージレベルでキャップ付きのmems用の基板接点を構築する方法 - Google Patents
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Abstract
ハンドル層(108)とハンドル層(108)の上に載っているキャップを備えている基板(500)から微小電子機械システム(「MEMS」)装置(100)を形成するための方法が提供されている。或る代表的な実施形態では、本方法は、基板(500)を貫いて切断して基板(500)を第1ダイ(148)と第2ダイ(150)に分離する段階であって、第1ダイ(148)が第1側壁(138)を有している、段階と、導電材料(182)を第1側壁(138)の上に堆積させてキャップ(132)をハンドル層(108)と電気的に連結する段階を含んでいる。
【選択図】 図1
【選択図】 図1
Description
本発明は、概括的には、超小型電子機械システム(「MEMS」)に関し、より具体的には、MEMSで使用される接点を構築することに関する。
多くの装置及びシステムは、様々な監視及び/又は制御機能を遂行する多くの異なる型式のセンサーを備えている。微細機械加工及び/又は他の微細加工工程における進歩は、多種多様な超小型電子機械システム(「MEMS」)装置の製造を可能にした。近年、監視及び/又は制御機能を遂行するために使用される多くのセンサーが、MEMS装置に実相されてきている。
或る特定の型式のMEMSセンサーは、加速度計である。通常、MEMS加速度計は、各種構成部品の中でとりわけ、シリコン・オン・インシュレータウェーハ上に構築される保証質量を含んでいる。保証質量は、1つ又はそれ以上の懸架ばねでウェーハの或る区域へ弾性的に懸垂されている。MEMS加速度計に加速が掛かると、保証質量は動き、動きは、加速度に比例するパラメータ等級(例えば、電圧、電流、周波数など)を有する電気信号に変換される。
MEMS加速度計は、通常、多くの電子装置を有するシステムに実装されている。各装置は電磁干渉波を発することがあり、MEMS加速度計を別の装置に接近させ過ぎて設置してしまうと、作動中に、その装置からの寄生電気容量を受ける場合がある。この現象を最小化するために、通常、キャップを使って保証質量を被包し、結合ワイヤを介してキャップをウェーハに接地させている。
MEMS加速度計は、益々小型化し、而して、微細及び極微細ピッチと小さくなった直径を有する結合ワイヤが、通常使用されている。しかしながら、その様な結合ワイヤの使用には、或る欠点がある。例えば、ピッチと直径が小さくなったため、結合ワイヤの取扱及び結合作業が困難になっている。具体的には、結合ワイヤは、MEMS加速度計の他の導電構造に、不用意に短絡する場合がある。その上、結合ワイヤの構成部品への取り付けは、相対的に費用の掛かる工程である。
従って、相対的に安価且つ簡単に実施可能であり、他の導電構造に不用意に短絡することのないMEMS加速度計を製造するための工程を提供することが、望まれている。加えて、追加の製造設備を使用しない工程が望まれている。本発明の他の望ましい特徴及び特性は、以下の詳細な説明と特許請求の範囲を、添付図面及び先に述べた技術分野及び背景と併せて読めば、明白になるであろう。
以下、本発明を添付図面と関連付けながら説明するが、各図を通して、類似の数字は類似の要素を示している。
以下の詳細な説明は、事実上、単に代表例を示すものであり、本発明又は本発明の適用や使用に制限を課す意図はない。更に、前述の技術分野、背景、要約、又は以下の詳細な説明の中で、表現され、又は暗示されている如何なる理論によっても、境界を定める意図はない。この点に関して、本発明を加速度計に関連付けて表示及び説明しているが、本発明は、少なくとも、基板面の上方に可動的に懸垂されている保証質量を含んでいる数多くの装置の何れか、又は電磁干渉から保護する必要のあるあらゆる超小型電子機械システム(「MEMS」)装置に使用することができるものと理解されたい。
次に説明に移るが、図1は、代表的なMEMS装置100の断面図である。MEMS装置100は、加速度計の様な慣性センサーであり、ウェーハ106上に形成されているフィールド領域102と104センサー領域104を含んでいる。ウェーハ106は、多数の従来から使用されているウェーハの中の何れでもよい。例えば、図1に示すように、ウェーハ106は、SOI(「シリコン・オン・インシュレータ」)ウェーハでもよい。その場合、ウェーハ106は、一般的に、ハンドル層108、アクティブ層112、及びハンドル層108とアクティブ層112との間に配置された犠牲層114を含んでいる。フィールド領域102とセンサー領域104は、共に、アクティブ層112の中に形成されている。フィールド領域102は、犠牲層114を介して、ハンドル層108に取り付けられたままになっているアクティブ層112の領域である。逆に、センサー領域104は、フィールド領域102に連結されてはいるが、部分的にはハンドル層108から解放されている。具体的には、センサー領域104は、センサー領域104の下の犠牲層114の部分を除去することによって部分的にアンダーカットされている。このアンダーカットによって、センサー領域104の部分をハンドル層108から解放している解放溝116が形成されている。而して、センサー領域104の解放部は、ウェーハ106の上方に懸垂されている。
センサー領域104は、複数のセンサー要素を含んでおり、これらは、例えば、実装されている具体的なMEMS装置100によって、様々である。しかしながら、ここに示している実施形態では、MEMS装置100は加速度計であり、センサー要素は、懸架ばね122と、この場合は震動マスである構造体124と、可動電極126と、固定電極128を含んでいる。懸架ばね122は、ハンドル層108の上方で震動マス124と可動電極126を弾性的に懸垂しており、弾性的に可撓性を有するように構成されていることが望ましい。懸架ばね122、震動マス124、及び可動電極126は、各々が解放溝116の上にあるので、全てウェーハ106から解放されており、その上方に懸垂されている。しかしながら、固定電極128は、例えば、犠牲層114を介してウェーハ106に取り付けられたままである。
図解を明瞭且つ容易にするため、センサー領域104は、図1では、単一の懸架ばね122、単一の可動電極126、及び単一の固定電極128のみを含んでいるように図示している旨理解されたい。しかしながら、図2でより明瞭に示し、以後詳細に説明する特定の物理的な実施形態では、センサー領域104は、一対の懸架ばね122、複数の可動電極126、及び複数の固定電極128を含んでいる。各懸架ばね122は、それぞれ、フィールド領域102と震動マス124の間に連結されており、先に述べたように、解放時には、ウェーハ106の上部に震動マス124を弾性的に懸垂している。各可動電極126は、それぞれ、震動マス124に連結されているので、解放時には、これもウェーハ106の上部に懸架されている。これも図2に示すように、各可動電極126は、それぞれ、2つの固定電極128の間に配置されている。固定電極128は、先に述べたように、解放されはいない。そうではなく、固定電極128は、複数のアンカー202を介してウェーハ106に固定されたままである。
図1に戻るが、MEMS装置100が作動している間の寄生電気容量を低減するため、保護キャップ132と相互接続部材136が設けられている。保護キャップ132は、ウェーハ106に連結されており、少なくともセンサー領域104の上を伸長し、その物理的防護を提供している。保護キャップ132は、センサー領域104とは部分的に間隙を空けて設けられ、センサー領域104の少なくとも一部分が動けるようになっているのが望ましい。保護キャップ132とウェーハ106は、多くの中の何れの様式で相互に連結されていてもよい。例えば、図示の実施形態では、保護キャップ132は、キャップアンカー134を介してフィールド領域102に連結されている。キャップアンカー134は、例えば、フリットシールの様な、保護キャップ132をウェーハ106に密封連結するのに適した多くの装置の中の何れであってもよい。或いは、保護キャップ132は、1つ又はそれ以上の固定電極128の様な、センサー領域104の1つ又はそれ以上の非可動部分に連結されている。
作動中に、MEMS装置100に加速度が掛かると、震動マス124は、掛かっている加速度の大きさに比例する距離だけ動く。可動電極126は、震動マス124に接続されているので、震動マス124と同じ距離だけ動く。可動電極126と固定電極128は、一体となって可変差動コンデンサを形成している。而して、MEMS装置100に加速度が掛かると、可動電極126は、固定電極128に近づくか又は離れる方向に動く。可動電極126が動く距離は、固定電極126と可動電極128の間の電気容量に比例的変化を生じる。この電気容量の変化は、測定され、加速度の大きさを求めるのに使用される。
相互接続部材136は、寄生電気容量が上記電気容量測定を妨害しないように、保護キャップ132をハンドル層108に接地している。相互接続部材136は、アクティブ層112、犠牲層114、保護キャップ132、及びキャップアンカー134の縁部で画定されている側壁138に連結されている。側壁138は、図1に示すように、斜めになっていてもよいし、実質的に直線状又は垂直に切断されていてもよい。図3に示す実施形態の様な、直線的な形状では、側壁138は、相互接続部材136を側壁138上に保持するように構成されている、側壁138と第2壁部172の間に形成されている棚部174を介して、第2壁部172に接続されている。相互接続部材136は、少なくとも保護キャップ132とハンドル層108が電気的に連結されるように、側壁138に接着されている。或いは、相互接続部材136は、側壁138を越えて伸長し、上面部の様な、保護キャップ132の他の部分を覆っていてもよい。
相互接続部材136は、多くの導電材料の何れで作られていてもよい。例えば、相互接続部材136は、金属で構成されていてもよいし、アルミニウムの様な単層金属でもよいし、チタン又はクロムとアルミニウムの様な二層金属でもよい。他の適切な金属を使用してもよいと理解されたい。別の例では、相互接続部材136は、導電性エポキシである。
図4は、MEMS装置100を製造するための代表的な方法400のフローチャートを示している。先ず、少なくともハンドル層を覆う保護キャップを有する基板が調達される(段階402)。次に、基板が切断されて第1ダイと第2ダイに分離されるが、第1ダイは側壁を有している(段階404)。その後、第1ダイは、リードフレームに連結される(段階406)。次に、導電材料が、側壁上に堆積される(段階408)。
段階402は、多くの従来技法の何れか1つを用いて行われる。例えば、適した基板は、在庫品から入手してもよいし、新たに製造してもよい。図5は、代表的な適した基板500の断面図を示す。基板500は、ハンドル層108、ハンドル層108を覆って配置されている犠牲層114、犠牲層114を覆って配置されているアクティブ層112、アクティブ層112内に形成されているセンサー領域157と159、及び保護キャップ132を含んでいる。キャップアンカー134は、保護キャップ132とアクティブ層112の間に配置されている。基板500は、更に、破線142で画定されている第1ダイ区画141と第2ダイ区画143も含んでおり、各区画は、センサー領域157と159の内の1つを含んでいる。図5には2つのダイ区画141と143を示しているが、通常は、もっと多くの区画が基板内に形成されるものと理解されたい。例えば、図6に提供されている基板500の上面図に示すように、基板500は、複数のダイ区画141、143、145、147、149、151、153、155を含んでおり、それらの区画は、センサー領域157、159、161、163、165、167、169、171と、その上に形成されている結合パッド173、175、177、179、181、183、185、187を含んでいる。各ダイ区画141、143、145、147、149、151、153、155は、図6では、直交する破線、例えば、線144と146によって画定されている。各ダイ区画141、143、145、147、149、151、153、155は、長方形であるように示しているが、ダイ区画は、例えば、円形、卵型、五角形、六角形、七角形等の様な、任意の他の適した形状でもよいものと理解されたい。
次に、保護キャップ132とハンドル層108を貫いて切断が施され、基板500は第1ダイ148と第2ダイ150に分離され、第1ダイ148が側壁138を有している(段階404)。或る代表的な実施形態では、図6に示す破線の少なくとも1つに沿って、例えば、破線144又は破線146に沿って、切断が施される。或いは、ダイ区画141、143、145、147、149、151、153、155が長方形以外の形状を有している場合、ダイ区画141、143、145、147、149、151、153、155の任意の非アクティブ領域で切断が施される。第1ダイ148を第2ダイ150から分離させるのに、基板500を貫いてどの様な切断を施してもよく、例えば、直線的切断でも傾斜した切断でもよいものと理解されたい。
段階404の或る代表的な実施形態では、V字型のブレードを使用して、単一の傾斜切断が、第1ダイ区画141と第2ダイ区画143の間に施される。ブレードは、60度の傾斜角を有している。別の代表的な実施形態では、複数の切断が施される。例えば、第1切断が先ず施され、次に第2切断が、第1切断に対して或る角度で施され、V字型の谷部が形成される。第1切断と第2切断の間の角度は、約60度が望ましいが、任意の他の角度が代わりに適している場合もある。次に、直線的切断を用いて、第2ダイ150から第1ダイ148が分離される。
図7は、第1ダイ区画141と第2ダイ区画143の間にV字型ブレードによって施された傾斜切断を含んでいる基板500の或る代表的な実施形態を示している。この実施形態では、切断は、保護キャップ132、キャップアンカー134、アクティブ層112、犠牲層114、及びハンドル層108を貫いて伸長している。図6に示すように、ハンドル層108は一部分のみが切断されているので、第1ダイ区画141と第2ダイ区画143は、互いに繋がったままである。保護キャップ132、キャップアンカー134、アクティブ層112、犠牲層114、及びハンドル層108は、それぞれ、一体となって第1側壁138と第2側壁152を画定している露出した縁部を有している。第1側壁138と第2側壁152は、谷部154を形成している。
次に、第1ダイ区画141は、第2ダイ区画143から単独化される。単独化は、多くの従来型の技法の何れか1つ、例えば鋸引きを用いて行われ、任意の切断型式、例えば、直線的切断を用いて達成される。何れにしても、基板500は切断され、ダイ区画141と143を第1ダイ148と第2ダイ150に分離する。切断は、谷部154の区画を貫いて施されるのが望ましい。例えば、切断は、第1側壁138と第2側壁152の間で行われる。
段階404の別の代表的実施形態では、直線的切断が、第1ダイ区画141と第2ダイ区画143の間に施される。或る実施形態では、単一の切断が、ハンドル層108を貫いて施され、第1ダイ区画141を第2ダイ区画143から分離させる。段階404の別の代表的な実施形態では、複数の切断が、第1ダイ区画141と第2ダイ区画143の間で施される。ここでは、図8に示すように、先ず、実質的に垂直な切断が保護キャップ132とハンドル層108の第1部分を貫いて施され、第1側壁138が形成される。次に、第2切断が、ハンドル層108の第2部分を貫いて横方向に施され、棚部174が形成される。次に、第3切断が、ハンドル層108の残っている第3部分を実質的に垂直方向に貫いて施され、第1ダイ区画141を第2ダイ区画143から分離させて、第1ダイ区画141上に、第2壁172を形成する。ダイ区画141と143を単独化させ、壁部138と172を構成する多くの他の様式の何れか1つを、代わりに組み込んでもよいものと理解されたい。
ダイ区画141と143が単独化された後、第1ダイ148は、図9で示すように、リードフレーム158に取り付けられる(段階406)。ダイを従来様式で取り付けるリードフレームには、どの様なものを使用してもよいものと理解されたい。また、第1ダイ148は、リードフレーム158に、多くの方法の内の何れで、例えば、はんだ、エポキシ、又は接着剤などで、取り付けてもよい。追加して、第1ダイ148は更に加工される。例えば、第1ダイ148は、リードフレーム158に、ワイヤボンディングされる。或いは、リードフレーム158が、制御ダイ160の様な別のダイを含んでいる場合、第1ダイ148は、図9に示すように、ワイヤ180を介してダイ160にワイヤボンディングされる。
次に、導電材料182が第1ダイ148の側壁138の上に堆積され、相互接続部材136が形成される(段階408)。導電材料182は、例えば、導電性エポキシ、金属、又は何らかの他の材料の様な、導電特性を有するどの様な材料でもよい。導電材料182は、保護キャップ132をハンドル層108に接地できることが望ましい。
導電材料182は、どの様な従来方式で側壁138上に堆積させてもよい。或る代表的な実施形態では、図10に示すように、分注針の様なディスペンサー162が、図示していない導電材料供給源に接続されている。ディスペンサー162は、導電材料182を側壁138の上に堆積させる。ディスペンサー162は、十分な量の導電材料182を側壁138の上に堆積させて、保護キャップ132をハンドル層108に電気的に連結させることができるように構成されているのが望ましい。
段階408の後、第1ダイ148とリードフレーム158は、更に処理される。例えば、第1ダイ148とリードフレーム158には、第1ダイ148をリードフレーム158へ確実に連結させるため、リフロー処理が施される。或いは、第1ダイ148に、適切な成形材料が第1ダイ148上に堆積される、封入処理を施してもよい。
ハンドル層とハンドル層の上に載っているキャップとを備えている基板から微小電子機械システム(MEMS)装置を形成するための方法が、提供されている。或る代表的な実施形態では、本方法は、基板を貫いて切断して基板を第1ダイと第2ダイに分割する段階であって、第1ダイが第1側壁を有している、段階と、導電材料を第1側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に接続する段階と、を含んでいる。切断の段階は、キャップとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて傾斜切断を施して第1側壁を形成する段階を含んでいる。或いは、切断の段階は、キャップとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて、第1側壁に対して或る角度で、第2傾斜切断を施して第2側壁を形成する段階を、更に含んでいる。別の代替形態では、切断の段階は、第1と第2の側壁の間に直線的切断を施して基板を第1及び第2ダイに分離する段階を、更に含んでいる。更に別の代替形態では、切断の段階は、キャップとハンドル層の第1部分を貫いて直線的切断を施して第1側壁を形成する段階を、更に含んでいる。更に別の代替実施形態では、切断の段階は、ハンドル層の第2部分を切断して第2側壁と第1及び第2側壁の間の棚部を形成する段階を、更に備えている。或いは、切断の段階は、ハンドル層の第3部分を切断して第1ダイを第2ダイから分離する段階を、更に含んでいる。
別の代表的な実施形態では、導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第1側壁の上に分注する段階を含んでいる。或る代表的な実施形態では、導電材料は導電性エポキシである。更に別の実施形態では、本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる。別の実施形態では、本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる。
別の代表的な実施形態では、本方法は、キャプとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて第1傾斜切断を施して第1側壁を形成する段階と、キャプとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて、第1側壁に対して或る角度で、第2傾斜切断を施して第2側壁を形成する段階と、第1と第2の側壁の間に直線的切断を施して基板を第1及び第2ダイに分割する段階であって、第1ダイが第1側壁を含んでおり、第2ダイが第2側壁を含んでいる、段階と、導電材料を第1側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に連結する段階と、を備えている。導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第1側壁の上に分注する段階を含んでいる。導電材料は、導電性エポキシでもよい。本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいてもよい。本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいてもよい。
更に別の代表的な実施形態では、本方法は、キャプとハンドル層の第1部分を貫いて直線的切断を施して第1側壁を形成する段階と、ハンドル層の第2部分を切断して第2側壁と第1及び第2側壁の間の棚部とを形成する段階と、ハンドル層の第3部分を切断して第1ダイを第2ダイから分離する段階と、導電材料を第1側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に連結する段階と、を含んでいる。導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第1側壁の上に分注する段階を含んでいる。本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいてもよい。或いは、本方法は、堆積の段階の前に、第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいてもよい。
以上の本発明の詳細な説明では、少なくとも1つの代表的な実施形態を示してきたが、膨大な数の変形例が存在するものと理解頂きたい。また、この1つ又は複数の代表的な実施形態は、実施例に過ぎず、本発明の範囲、適用性、又は構成をなんら制限する意図はないものと理解頂きたい。そうではなく、以上の詳細な説明は、当業者に、本発明の代表的な実施形態を実施するための好都合な道筋を提供するものであり、代表的な実施形態において説明している要素の機能及び配置には、特許請求の範囲及びその法的等価物で述べている本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更が施せるものと理解されたい。
Claims (20)
- ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム(「MEMS」)装置を形成する方法において、
前記基板を貫いて切断して前記基板を第1ダイと第2ダイに分離する段階であって、前記第1ダイは第1側壁を有している、切断する段階と、
導電材料を前記第1側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。 - 前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて第1傾斜切断を施して前記第1側壁を形成する段階を含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて、前記第1側壁に対して或る角度で、第2傾斜切断を施して第2側壁を形成する段階を更に含んでいる、請求項2に記載の方法。
- 前記切断する段階は、前記第1及び第2側壁の間に直線的切断を施して前記基板を前記第1及び第2ダイに分離する段階を更に含んでいる、請求項3に記載の方法。
- 前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて直線的切断を施して前記第1側壁を形成する段階を含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記切断する段階は、前記ハンドル層の第2部分を切断して第2側壁と前記第1及び前記第2側壁の間の棚部とを形成する段階を更に含んでいる、請求項5に記載の方法。
- 前記切断する段階は、前記ハンドル層の第3部分を切断して前記第1ダイを前記第2ダイから分離する段階を更に含んでいる、請求項6に記載の方法。
- 前記導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第1側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料は、導電性エポキシである、請求項8に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項1に記載の方法。
- ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム(「MEMS」)装置を形成する方法において、
前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて第1傾斜切断を施して第1側壁を形成する段階と、
前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて、前記第1側壁に対して或る角度で、第2傾斜切断を施して前記第2側壁を形成する段階と、
前記第1と第2の側壁の間に直線的切断を施して前記基板を第1ダイと第2ダイに分離する段階であって、前記第1ダイは前記第1側壁を含んでおり、前記第2側壁は前記第2側壁を含んでいる、直線的切断を施す段階と、
導電材料を前記第1側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。 - 前記導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第1側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項12に記載の方法。
- 前記導電材料は、導電性エポキシである、請求項13に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項12に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項12に記載の方法。
- ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム(「MEMS」)装置を形成する方法において、
前記キャップと前記ハンドル層の第1部分とを貫く直線的切断を施して第1側壁を形成する段階と、
前記ハンドル層の第2部分を切断して第2側壁と前記第1及び前記第2側壁の間の棚部とを形成する段階と、
前記ハンドル層の第3部分を切断して第1ダイを第2ダイから分離する段階と、
導電材料を前記第1側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。 - 導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第1側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項17に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項17に記載の方法。
- 前記堆積させる段階の前に、前記第1ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項17に記載の方法。
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KR100416174B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2004-01-24 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US6271060B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-08-07 | Vishay Intertechnology, Inc. | Process of fabricating a chip scale surface mount package for semiconductor device |
DE60335554D1 (de) * | 2002-05-20 | 2011-02-10 | Imagerlabs Inc | Bilden einer integrierten mehrsegmentschaltung mit isolierten substraten |
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US7030469B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-04-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor package and structure thereof |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008546553A (ja) * | 2005-06-21 | 2008-12-25 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | キャップを備えたmems用基板コンタクト及び同基板コンタクトをウェハレベルにて形成する方法 |
JP2011104767A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-06-02 | Honeywell Internatl Inc | ウェーハ・レベル・パッケージに関するシリコン・タブ・エッジ・マウント |
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