JP2008536011A - Electrolyte and method for tin-bismuth alloy layer deposition - Google Patents

Electrolyte and method for tin-bismuth alloy layer deposition Download PDF

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Abstract

【課題】スズ−ビスマス合金層沈着(析出)のための電解質及び方法
【解決手段】本発明は、一種以上のアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ(II)塩、一種以上の可溶性ビスマス(III)塩、一種以上の非イオン性界面活性剤及び一種以上のチアゾール及び/又はチアヂアゾール化合物を含む、スズ−ビスアス合金の沈着のための酸性電解質を記述する。加えて、前記電解質を用いた方法、該方法を用いて得られたコーティング、並びに電子部品コーティングのための前記電解質の使用も可能にする。
【選択図】なし
Electrolyte and method for deposition (precipitation) of tin-bismuth alloy layer United States Patent Application 20070227735 Kind Code: A1 The present invention relates to one or more alkyl sulfonic acids and / or alkanol sulfonic acids, one or more soluble tin (II) salts, one type. An acidic electrolyte for the deposition of tin-bisas alloys is described, comprising the above soluble bismuth (III) salt, one or more nonionic surfactants and one or more thiazole and / or thiadiazole compounds. In addition, the method using the electrolyte, the coating obtained using the method, as well as the use of the electrolyte for electronic component coating are also made possible.
[Selection figure] None

Description

本発明は、スズ−ビスマス合金沈着のための酸性電解質、この電解質を用いた方法、該方法を用いて得られるコーティング、及び電子部品のコーティングのための該電解質の使用に関する。   The present invention relates to an acidic electrolyte for tin-bismuth alloy deposition, a method using the electrolyte, a coating obtained using the method, and the use of the electrolyte for coating electronic components.

電気及び電子アセンブリの製造は、しばしば、機能的な理由から、電解沈着されたスズ−鉛層を有するコーティングを有する部品の使用を必要とする。極めて長い貯蔵期間の後でさえも、これらコーティングは、部品が簡単にはんだ付けできることを確実にする。   The manufacture of electrical and electronic assemblies often requires the use of components having a coating with an electrolytically deposited tin-lead layer for functional reasons. Even after very long storage periods, these coatings ensure that the parts can be easily soldered.

電気機器及び電子機器の製造における鉛の使用は、それにもかかわらず、そのような機器がゴミ捨て場に保管されるときはいつでも、鉛による環境汚染のリスクをもたらす。腐食プロセスは、はんだ付け接合部からの鉛を水溶性形態に変換させる原因となり、長期的には地下水汚染をもたらすこととなる。2006年7月1日より、欧州連合指令は、わずかな例外を除いて、もはや鉛含有はんだ及び電着スズ−鉛層の使用を認めていない(欧州議会及び欧州理事会による、電気及び電子機器における特定有害物質の使用の制限に関する、2003年1月27日の指令 2002/95/EC)。   The use of lead in the manufacture of electrical and electronic equipment nevertheless poses a risk of environmental contamination with lead whenever such equipment is stored in a garbage dump. The corrosion process causes the lead from the solder joint to be converted to a water-soluble form, which in the long term results in groundwater contamination. From 1 July 2006, the European Union Directive no longer allows the use of lead-containing solder and electrodeposited tin-lead layers with few exceptions (Electrical and electronic equipment by the European Parliament and the European Council). January 27, 2003 Directive 2002/95 / EC on restrictions on the use of certain hazardous substances in Japan.

電着された純スズ層、又は、スズ銅(銅:1−2質量%)、スズ銀(銀:2−5質量%、スズビスマス(ビスマス:2−4質量%)などのスズ合金層が、代替コーティングとして試験されている。プロセス上、純スズコーティングは簡単な技術であり、一見したところではスズ−鉛層の経済的な代替物でもある。ウィスカー形成のリスクは、完全に排除できず、なおも欠点である。ウィスカーは針状のスズの単結晶として定義される。これらは通常、数マイクロメーターの直径を有しているが、数ミリメーターの長さにも到達し得る。電子部品が小型化されるペースが進む結果、ウィスカー形成が近接する導電部品の短絡化を引き起こし得るようになった。これは、電気及び電子機器に、相当量の経済的損失と共に、機能不良を引き起こし得る。   An electrodeposited pure tin layer or a tin alloy layer such as tin copper (copper: 1-2% by mass), tin silver (silver: 2-5% by mass, tin bismuth (bismuth: 2-4% by mass), In the process, pure tin coating is a simple technology and at first glance it is also an economical alternative to the tin-lead layer, the risk of whisker formation cannot be completely eliminated, Whisker is defined as a single crystal of acicular tin, which usually has a diameter of a few micrometers, but can reach a length of a few millimeters. As a result of the increasing pace of miniaturization, whisker formation can cause shorting of nearby conductive components, which can cause malfunctions in electrical and electronic equipment, with considerable economic losses. .

スズ層におけるウィスカー形成は、微量のさらなる金属の共沈着によって防止可能である。微量の鉛(少なくとも3質量%)の共沈着は、ここで効果的なプロセスであることが立証されている。上述に説明したように、しかしながら、この共沈着は僅かな用途にのみ許されている。   Whisker formation in the tin layer can be prevented by co-deposition of trace amounts of further metal. Co-deposition of trace amounts of lead (at least 3% by weight) has proven to be an effective process here. As explained above, however, this co-deposition is only allowed for a few applications.

約2−4質量%のビスマスを含有するスズ−ビスマス合金の沈着は、さらに、ウィスカーを防止するための信頼できる措置であることが判明している。より多量のビスマスは不都合となるが、なぜなら、結果として沈着層の靭性が落ちるためであり、従って電子部品のピンが機械的に加工される場合にクラックがコーティングに現れるというリスクがあるためである。その結果、該層のはんだの容易さ及び耐食性などの特性は悪化する。2質量%未満のビスマスが共沈着される場合、ウィスカー形成は完全には除外されない。   The deposition of a tin-bismuth alloy containing about 2-4% by weight bismuth has also been found to be a reliable measure to prevent whiskers. Larger amounts of bismuth are inconvenient because the resulting toughness of the deposited layer is reduced, so there is a risk that cracks will appear in the coating when the pins of an electronic component are mechanically processed. . As a result, characteristics such as solder ease and corrosion resistance of the layer deteriorate. When less than 2% by weight of bismuth is co-deposited, whisker formation is not completely excluded.

スズビスマス沈着の適当な工業実施可能な方法が、既に電子製品の製造に使用されており、例えば欧州特許第0255558号明細書、欧州特許第0715003号明細書、日本国特許第2983548号公報及び日本国特許第2132894号公報の明細書などに記載される。   Appropriate industrially feasible methods of tin bismuth deposition have already been used in the manufacture of electronic products, for example EP 0255558, EP 0715003, JP 2983548 and JP It is described in the specification of Japanese Patent No. 2132894.

スズ(−0.12ボルト)とビスマス(+0.35ボルト)の電気化学ポテンシャルにおける著しい差のために、電解質中Bi3+として溶解形態で存在するビスマスは、電荷交
換の間、より電気陰性のスズ陽極上に沈着する。
Due to the significant difference in the electrochemical potential of tin (−0.12 volts) and bismuth (+0.35 volts), bismuth present in dissolved form as Bi 3+ in the electrolyte is more electronegative during charge exchange. Deposit on tin anode.

この反応は以下の式によって起こる:
3Sn0+2Bi3+ → 3Sn2++2Bi0
この電荷交換反応中に沈着するビスマスは、自然に陽極から剥がれ落ちる多孔性のスポンジ状のコーティングの形態で沈着し、それにより、電解質が浸透し、それゆえ部品もコートされる。この場合には、これらビスマス粒子も電着層中に取り込まれ、それゆえさらに技術的には無用な極めて樹枝状の層を生じさせる。これは同様に生産中止に帰着し得る。
This reaction occurs according to the following formula:
3Sn 0 + 2Bi 3+ → 3Sn 2+ + 2Bi 0
The bismuth deposited during this charge exchange reaction is deposited in the form of a porous sponge-like coating that spontaneously peels off from the anode, so that the electrolyte penetrates and hence the part is also coated. In this case, these bismuth particles are also incorporated into the electrodeposition layer, thus giving rise to a highly dendritic layer which is technically useless. This can result in production discontinuation as well.

加えて、上記電荷交換反応は、絶えず電解質から溶解されたビスマスを奪うこととなり、従ってビスマスは十分に補給されねばならず、ゆえにプロセスコストを増大させる。ビスマスの共沈着が2−4質量%の要求された範囲を確保するために、電解質中のビスマス含量を不断の分析に付し、それに従ってビスマス量を補うことが必要とされる。これは相当量の時間と努力を要する。   In addition, the charge exchange reaction continually deprives the electrolyte of dissolved bismuth, so bismuth must be fully replenished, thus increasing process costs. In order to ensure the required range of bismuth co-deposition of 2-4% by weight, it is necessary to subject the bismuth content in the electrolyte to constant analysis and to compensate for the amount of bismuth accordingly. This requires a significant amount of time and effort.

電荷交換反応によるビスマスの損失を防止できた場合、自動定量ポンプとアンペア時計の組み合わせをによって、流れる電流量に従って必要量のビスマス化合物の補給が可能となり得るかもしれない。該方法は、実行することが簡単であり、結果的により経済的となる。この場合、電解質中のより正確なビスマス分析は、単にそれほど頻繁でない間隔で必要とされる。   If loss of bismuth due to the charge exchange reaction can be prevented, a combination of an automatic metering pump and an ampere clock may be able to replenish the required amount of bismuth compound according to the amount of current flowing. The method is simple to implement and consequently becomes more economical. In this case, more accurate bismuth analysis in the electrolyte is simply required at less frequent intervals.

上記電荷交換反応に付随するさらなる欠点は、例えばシステム異常の結果として、コーティング操作が中断され、また部品が電流負荷なしで短時間、電解質中に浸されているときはいつでも、この反応はスズ陽極だけでなく既にコートされた部品上でも起こる。これは、表面に黒色汚れを引き起こし得る。電気めっきがその後続けられた場合、所謂サンドイッチコーティングが生ずる。電荷交換反応によって製造されるスズビスマス層は、電解沈着された二層のスズ−ビスマス層の間に形成されてしまう。ピンが機械的に加工される場合、この層配列はクラック形成につながり得、該層を剥げ落ちさせ得、貧弱なはんだぬれ性になり得る。   A further drawback associated with the above charge exchange reaction is that this reaction can be performed whenever the coating operation is interrupted, for example as a result of a system malfunction, and whenever the part is immersed in the electrolyte for a short time without a current load. As well as on parts already coated. This can cause black stains on the surface. If electroplating is subsequently continued, a so-called sandwich coating occurs. The tin bismuth layer produced by the charge exchange reaction is formed between two electrolytically deposited tin-bismuth layers. When the pins are mechanically processed, this layer arrangement can lead to crack formation, can cause the layers to flake off and can be poor solder wettability.

電荷交換反応の結果とするビスマスの沈着を防止するために、メタンスルホン酸及び該酸のスズ及びビスマス塩からなる電解質の使用が提案されており、該電解質は、有機添加剤として不飽和カルボン酸及びポリエチレンオキサイド/ポリプロピレオキサイドコポリマーの群からの非イオン性界面活性剤を含む(米国特許出願公開第2003/0132122号明細書)。この電解質の場合、ビスマスの沈着は、電荷交換の間、確かに相当減少するが、コーティング内に必要な2質量%のBiの共沈着を達成することは不可能である。電解質中に、総金属含量に対して10質量%ものBiが存在していたとしても、沈着層におけるビスマス含量は約1.5−2質量%にすぎない。
欧州特許第0255558号明細書 欧州特許第0715003号明細書 日本国特許第2983548号公報 日本国特許第2132894号公報 米国特許出願公開第2003/0132122号明細書
In order to prevent the deposition of bismuth as a result of the charge exchange reaction, it has been proposed to use an electrolyte consisting of methanesulfonic acid and tin and bismuth salts of the acid, the electrolyte being an unsaturated carboxylic acid as an organic additive. And nonionic surfactants from the group of polyethylene oxide / polypropyloxide copolymers (US 2003/0132122). In the case of this electrolyte, bismuth deposition certainly decreases considerably during charge exchange, but it is impossible to achieve the required 2% Bi co-deposition in the coating. Even if as much as 10% by weight Bi is present in the electrolyte relative to the total metal content, the bismuth content in the deposited layer is only about 1.5-2% by weight.
European Patent No. 0255558 European Patent No. 0715003 Japanese Patent No. 2983548 Japanese Patent No. 2132894 US Patent Application Publication No. 2003/0132122

本発明が基づく目的は、それゆえ、少なくとも2−4質量%の合金含量を有するスズ−ビスマス合金を沈着するための、利用可能な電解質を製造することであり、該電解質中では、電流が中断される場合、電荷交換の間に既にコートされた表面上にビスマスが沈着さ
れない。
The object on which the present invention is based is therefore to produce an available electrolyte for depositing a tin-bismuth alloy having an alloy content of at least 2-4% by weight, in which the current is interrupted. If done, bismuth is not deposited on the already coated surface during charge exchange.

該目的は、一種以上のアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ(II)塩、一種以上の可溶性ビスマス(III)塩、一種以上の非イオン性界面活性剤、及び、一種以上のチアゾール化合物及び/又はチアジアゾール化合物からなる、スズ−ビスマス合金を沈着するための水性酸性電解質によって達成される。   The purpose is to provide one or more alkyl sulfonic acids and / or alkanol sulfonic acids, one or more soluble tin (II) salts, one or more soluble bismuth (III) salts, one or more nonionic surfactants, and one This is achieved by an aqueous acidic electrolyte for depositing a tin-bismuth alloy comprising the above thiazole compound and / or thiadiazole compound.

より電気陰性の金属上への貴金属の沈着を防ぐための前提条件として当業者が予期するであろう、ビスマスの電極電位の負の方向へのシフトを、電解質に含まれている化合物のいずれもがさせないことから、本発明の電解質を用いた上記目的のための解決法は、それゆえ、当業者に関する限りでは驚くべきことである。組み合わせられた時でさえ、電解質に含まれている成分は、平衡電位を陰極にシフトさせない。新たに沈着されたスズ−ビスマス表面上へのビスマスの沈着を避けることは、それゆえ、電気化学条件では説明不可能である。使用時の物質の組合せは無電解浸透法を妨害するが、ビスマスの電解質沈着は妨害しないなどの、抑制効果が存在し得る。   Any of the compounds contained in the electrolyte will cause a shift of the bismuth electrode potential in the negative direction, as would be expected by one skilled in the art as a precondition to prevent the deposition of noble metals on more electronegative metals. Therefore, the solution for the above purpose using the electrolytes of the present invention is therefore surprising as far as the person skilled in the art is concerned. Even when combined, the components contained in the electrolyte do not shift the equilibrium potential to the cathode. Avoiding the deposition of bismuth on the newly deposited tin-bismuth surface is therefore not accountable for electrochemical conditions. The combination of materials at the time of use may interfere with the electroless permeation process, but there may be an inhibitory effect such as not interfering with bismuth electrolyte deposition.

チアゾール又はチアジアゾール化合物に、何ら特定の制限は加えられない。用語“チアゾール化合物”は、置換された又は非置換の、飽和の又は不飽和のチアゾール化合物のいずれをも定義するためのものである。チアゾール化合物の可能な例は:ベンゾチアゾール、2−アミノベンゾチアゾール、6−アミノベンゾチアゾール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベンゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、6−メトキシ−2−アミノベンゾチアゾール及び2−チアゾリン
チオール−2が挙げられる。前記のうち、特に好ましいのは、2−メルカプトベンゾチアゾールである。用語“チアジアゾール化合物”は、置換された又は非置換の、飽和の又は不飽和のチアジアゾール化合物のいずれをも定義するためのものである。チアジアゾール化合物の可能な例は:2−アミノ−5−メチル−1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−メルカプト−5−メチル−1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−1,3,4−チアジアゾール及び2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾールが挙げられる。チアゾール及びチアジアゾール化合物はそれ自身で又は互いに組合せて使用することができる。
No particular restrictions are placed on the thiazole or thiadiazole compound. The term “thiazole compound” is intended to define any substituted or unsubstituted, saturated or unsaturated thiazole compound. Possible examples of thiazole compounds are: benzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 6-aminobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 6-methoxy -2-aminobenzothiazole and 2-thiazoline thiol-2. Of these, 2-mercaptobenzothiazole is particularly preferred. The term “thiadiazole compound” is intended to define any substituted or unsubstituted, saturated or unsaturated thiadiazole compound. Possible examples of thiadiazole compounds are: 2-amino-5-methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-mercapto-5-methyl-1, Examples include 3,4-thiadiazole, 2-amino-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole. The thiazole and thiadiazole compounds can be used by themselves or in combination with each other.

チアゾール及び/チアジアゾール化合物の電解質中の濃度は、好ましくは5乃至1,000mg/l電解質、特に好ましくは50乃至500mg/l電解質である。   The concentration of the thiazole and / thiadiazole compound in the electrolyte is preferably 5 to 1,000 mg / l electrolyte, particularly preferably 50 to 500 mg / l electrolyte.

既知のいずれの非イオン性界面活性剤も非イオン性界面活性剤として使用可能である。そのうち、具体的な言及は、エチレン及びプロピレンオキサイドのブロックコポリマー及びコポリマーである。特に好ましいのは、質量平均分子量2,000乃至10,000を有する、一般式H−(OCH2−CH2)m−(OCH(CH3)−CH2)n−OH(式中、m及びnは5乃至60の整数を表す)で表されるポリエチレンオキサイド/ポリプレピレンオキサイドコポリマーである。さらにより好ましい実施態様において、非イオン性界面活性剤は、>30℃の曇点を有する。 Any known nonionic surfactant can be used as the nonionic surfactant. Of these, specific references are block copolymers and copolymers of ethylene and propylene oxide. Particular preference is given to the general formula H— (OCH 2 —CH 2 ) m — (OCH (CH 3 ) —CH 2 ) n —OH having the weight average molecular weight of 2,000 to 10,000, n represents an integer of 5 to 60), and is a polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer. In an even more preferred embodiment, the nonionic surfactant has a cloud point of> 30 ° C.

本発明による電解質中の非イオン性界面活性剤の濃度は、好ましくは、1−50g/lの範囲であり、より好ましくは2−20g/lであり、特に好ましくは5−10g/lである。   The concentration of the nonionic surfactant in the electrolyte according to the invention is preferably in the range 1-50 g / l, more preferably 2-20 g / l, particularly preferably 5-10 g / l. .

スズ(II)は鉱酸、アルキルスルホン酸またはアルカノールスルホン酸の塩として電
解質内に存在し得る。鉱酸の塩の例は、スルフェート及びテトラフルオロボレートが挙げられる。好ましいアルキルスルホン酸塩は、例えば、メタンスルホネート、エタンスルホネート、n−及びイソ−プロパンスルホネート、メタンジスルホネート、エタンジスルホネート、2,3−プロパンジスルホネート及び1,3−プロパンジスルホネートが挙げられる。適当なアルカノールスルホネートは、2−ヒドロキシエタンスルホネート、2−ヒドロキシプロパンスルホネート及び3−ヒドロキシプロパンスルホネート等が挙げられる。特に好ましいものは、スズ(II)メタンスルホネートである。
Tin (II) may be present in the electrolyte as a salt of mineral acid, alkyl sulfonic acid or alkanol sulfonic acid. Examples of mineral acid salts include sulfate and tetrafluoroborate. Preferred alkyl sulfonates include, for example, methane sulfonate, ethane sulfonate, n- and iso-propane sulfonate, methane disulfonate, ethane disulfonate, 2,3-propane disulfonate, and 1,3-propane disulfonate. Suitable alkanol sulfonates include 2-hydroxyethane sulfonate, 2-hydroxypropane sulfonate, 3-hydroxypropane sulfonate, and the like. Particularly preferred is tin (II) methanesulfonate.

スズ(II)塩類は、スズ(II)として計算して、電解質中、好ましくは5乃至200g/l電解質の量で存在し、特に好ましくは10乃至100g/l電解質である。   Tin (II) salts, calculated as tin (II), are present in the electrolyte in an amount of preferably 5 to 200 g / l electrolyte, particularly preferably 10 to 100 g / l electrolyte.

ビスマス(III)塩は、電解質内でBi(III)イオンへの十分な溶解性を可能にする、任意の形態で電解質へ添加できる。添加は、溶解されたBi(III)塩の形態、又は、遊離酸の存在下で電解質中で溶解性Bi(III)化合物に変換される固体化合物の形態で実施され得る。適当なBi(III)塩の例は、塩化物、テトラフルオロホウ酸塩、硝酸塩などの鉱酸の塩、メタンスルホネート、エタンスルホネート、メタンジスルホネート、エタンジスルホネート、2,3−プロパンジスルホネート及び1,3−プロパンジスルホネートなどのアルキルスルホン酸の塩、2−ヒドロキシエタンスルホネート及び3−ヒドロキシプロパンスルホネートなどのアルカノールスルホン酸の塩である。特に好ましいのは、ビスマス(III)メタンスルホネートである。Bi(III)が固体形態で添加される場合、ビスマス(III)カーボネート又はビスマス(III)オキシドが好ましく用いられる。これら化合物はアルカリ及び/又はアルカノールスルホン酸の存在下で電解質中に溶解して、溶解性Bi(III)化合物を形成する。   The bismuth (III) salt can be added to the electrolyte in any form that allows for sufficient solubility in Bi (III) ions within the electrolyte. The addition can be carried out in the form of a dissolved Bi (III) salt or in the form of a solid compound that is converted into a soluble Bi (III) compound in the electrolyte in the presence of the free acid. Examples of suitable Bi (III) salts are salts of mineral acids such as chloride, tetrafluoroborate, nitrate, methanesulfonate, ethanesulfonate, methanedisulfonate, ethanedisulfonate, 2,3-propanedisulfonate and Alkyl sulfonic acid salts such as 1,3-propanedisulfonate, and alkanol sulfonic acid salts such as 2-hydroxyethane sulfonate and 3-hydroxypropane sulfonate. Particularly preferred is bismuth (III) methanesulfonate. When Bi (III) is added in solid form, bismuth (III) carbonate or bismuth (III) oxide is preferably used. These compounds dissolve in the electrolyte in the presence of alkali and / or alkanol sulfonic acids to form soluble Bi (III) compounds.

ビスマスの濃度は、得られるスズ−ビスマス合金において要求されるBi量と選択されたスズ(II)塩濃度による。電解質は好ましくはビスマス(III)塩を、2−4%Biの合金組成を有するスズ−ビスマス合金の沈着を可能にする濃度で含む。この場合、Biイオンの濃度は、選択されたスズ(II)濃度に対して、好ましくは3−6%、特に好ましくは5%である。   The concentration of bismuth depends on the amount of Bi required in the resulting tin-bismuth alloy and the selected tin (II) salt concentration. The electrolyte preferably comprises bismuth (III) salt at a concentration that allows deposition of a tin-bismuth alloy having an alloy composition of 2-4% Bi. In this case, the concentration of Bi ions is preferably 3-6%, particularly preferably 5%, with respect to the selected tin (II) concentration.

アルキルスルホン酸及びアルカノールスルホン酸は好ましくは1乃至10の炭素原子数、特に好ましくは1乃至5の炭素原子数を有している。一例として、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、n−プロパンスルホン酸、イソ−プロパンスルホン酸、メタンジスルホン酸、エタンジスルホン酸、2,3−プロパンジスルホン酸及び1,3−プロパンジスルホン酸が、アルキルスルホン酸として存在する。適するアルカノールスルホン酸の例としては、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、2−ヒドロキシプロパンスルホン酸及び3−ヒドロキシプロパンスルホン酸が挙げられる。   Alkyl sulfonic acids and alkanol sulfonic acids preferably have 1 to 10 carbon atoms, particularly preferably 1 to 5 carbon atoms. As an example, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, n-propanesulfonic acid, iso-propanesulfonic acid, methanedisulfonic acid, ethanedisulfonic acid, 2,3-propanedisulfonic acid and 1,3-propanedisulfonic acid are alkylsulfones. Present as an acid. Examples of suitable alkanol sulfonic acids include 2-hydroxyethane sulfonic acid, 2-hydroxypropane sulfonic acid and 3-hydroxypropane sulfonic acid.

アルキル及び/又はアルカノールスルホン酸は、好ましくは50乃至300g/l電解質の範囲の濃度で存在し、好ましくは100乃至200g/l電解質の濃度である。   The alkyl and / or alkanol sulfonic acid is preferably present at a concentration in the range of 50 to 300 g / l electrolyte, preferably 100 to 200 g / l electrolyte.

さらに、スズの酸化を避けるために、電解質は、例えば、カテコール、ヒドロキノン及びフェノールスルホン酸などのモノ−または多価フェノール化合物などの慣用の酸化防止剤を含み得る。カテコールの使用が好ましい。これら酸化防止剤の濃度は、50乃至2,000mg/l電解質であり得、好ましくは500乃至1,000mg/lである。   In addition, to avoid tin oxidation, the electrolyte may contain conventional antioxidants such as mono- or polyphenolic compounds such as catechol, hydroquinone and phenolsulfonic acid. The use of catechol is preferred. The concentration of these antioxidants can be 50 to 2,000 mg / l electrolyte, preferably 500 to 1,000 mg / l.

電解質は、スズ合金の沈着のための酸性電解質で一般的に使用される、結晶粒微細化剤、湿潤剤、増白剤などの様々な添加剤もまた含み得る。   The electrolyte may also include various additives commonly used in acidic electrolytes for the deposition of tin alloys, such as grain refiners, wetting agents, brighteners and the like.

結晶粒微細化剤の量は、好ましくは0.1乃至50g/l電解質の量で存在し、好まし
くは1乃至10g/l電解質である。
The amount of grain refiner is preferably present in an amount of 0.1 to 50 g / l electrolyte, preferably 1 to 10 g / l electrolyte.

湿潤剤は0.1乃至50g/l電解質の量でに存在し得、好ましくは0.5乃至10g/l電解質である。   The wetting agent may be present in an amount of 0.1 to 50 g / l electrolyte, preferably 0.5 to 10 g / l electrolyte.

酸性電解質のpHは、好ましくは0乃至<1である。   The pH of the acidic electrolyte is preferably 0 to <1.

加えて、本発明は、基板をスズ−ビスマス合金で電解コーティングするための方法を提供するための基礎であって、該方法は新規な電解質、金属陽極及びコートされる基板でできた陰極をコーティングを沈着するために使用し、その方法の間、直流を流すものである;本発明はまた、この方法の使用によって得られるコーティングの提供の基礎である。   In addition, the present invention is the basis for providing a method for electrolytic coating of a substrate with a tin-bismuth alloy, the method coating a novel electrolyte, a metal anode and a cathode made of a substrate to be coated. The present invention is also the basis for providing a coating obtained by use of this method.

電流密度は0.1A/dm2(バレル又はラックめっき法)最高100A/dm2(高速システム)であり得る。 The current density can be 0.1 A / dm 2 (barrel or rack plating) up to 100 A / dm 2 (high speed system).

電解質の温度は好ましくは0乃至70℃の範囲であり、特に好ましくは20乃至50℃の範囲である。   The temperature of the electrolyte is preferably in the range of 0 to 70 ° C., particularly preferably in the range of 20 to 50 ° C.

銅、銅含有合金、ニッケル−鉄合金(例えば合金42)又はニッケルめっき材料などの、一般に電子部品の製造に用いられる任意の材料が、コートされる基板として存在し得る。   Any material commonly used in the manufacture of electronic components such as copper, copper-containing alloys, nickel-iron alloys (e.g., alloy 42) or nickel plating materials may be present as the substrate to be coated.

本発明の電解質は、電子部品のコートに使用可能である。   The electrolyte of the present invention can be used for coating electronic parts.

本発明は以下の実施例及び比較例に基づいてここに説明される。   The invention will now be described on the basis of the following examples and comparative examples.

実施例
以下のものを含む電解質を調製した:
150g/l メタンスルホン酸、70質量%
80g/l スズ[Sn(CH3SO32として]
3.5g/l ビスマス[Bi(CH3SO33として]
1g/l カテコール
4g/l EO/POブロックコポリマー(BASF社のプルロニック(Pluronic)PE6400、分子量約2,900)
1g/l メタクリル酸
200mg/l 2−メルカプトベンゾチアゾール
Examples An electrolyte was prepared containing:
150 g / l methanesulfonic acid, 70% by weight
80 g / l tin [as Sn (CH 3 SO 3 ) 2 ]
3.5 g / l bismuth [as Bi (CH 3 SO 3 ) 3 ]
1 g / l catechol 4 g / l EO / PO block copolymer (BASF Pluronic PE6400, molecular weight about 2,900)
1 g / l methacrylic acid 200 mg / l 2-mercaptobenzothiazole

この電解質中、銅シートのコーティングは以下の条件下で実施した。
温度: 40℃
電流密度: 10A/dm2
運動: 磁気撹拌、700rpm
継続時間: 2分間
In this electrolyte, the copper sheet was coated under the following conditions.
Temperature: 40 ° C
Current density: 10 A / dm 2
Movement: Magnetic stirring, 700rpm
Duration: 2 minutes

この方法で得られるスズ−ビスマスコーティングは、2.8%のBi(残りはSn)合金含量を有する10μmの層厚さを有していた。   The tin-bismuth coating obtained in this way had a layer thickness of 10 μm with a Bi (remaining Sn) alloy content of 2.8%.

電荷交換中のビスマスの沈着を試験するために、同一の条件下で、さらに試験シートをコートした。2分間の沈着後、電流を止め、シートを夫々30、60、120及び180秒間、電解質中に保持した。合金組成を、X線蛍光分析の手法によって測定した。

Figure 2008536011
In order to test the deposition of bismuth during charge exchange, further test sheets were coated under the same conditions. After 2 minutes deposition, the current was turned off and the sheet was held in the electrolyte for 30, 60, 120 and 180 seconds, respectively. The alloy composition was measured by X-ray fluorescence analysis.
Figure 2008536011

全ての表面が均一な半光沢の金属性外観であった。   All surfaces had a uniform semi-glossy metallic appearance.

比較例
実施例1と同様の条件下で、以下の組成を有する電解質からの沈着を実施した。
150g/l メタンスルホン酸、70質量%
80g/l スズ[Sn(CH3SO32として]
3.5g/l ビスマス[Bi(CH3SO33として]
1g/l カテコール
5g/l 12EO基を有する2−ナフトールエトキシレート(BASF社のルガルバン(Lugalvan)BNO−12)
0.5g/l ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物(BASF社のタモール(Tamol)NN4501)

Figure 2008536011
Comparative Example Deposition from an electrolyte having the following composition was carried out under the same conditions as in Example 1.
150 g / l methanesulfonic acid, 70% by weight
80 g / l tin [as Sn (CH 3 SO 3 ) 2 ]
3.5 g / l bismuth [as Bi (CH 3 SO 3 ) 3 ]
2-naphthol ethoxylate having 1 g / l catechol 5 g / l 12EO group (Lugaluban BNO-12 from BASF)
0.5 g / l naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate (BASF's Tamol NN4501)
Figure 2008536011

この方法によって沈着されたこれら試料表面は、デッド露出後、継続時間に応じて、かなりの濃い変色を示した。180秒の持続的な露出後、表面は深みのある黒色であった。
These sample surfaces deposited by this method showed a significant dark discoloration depending on the duration after dead exposure. After 180 seconds of continuous exposure, the surface was deep black.

Claims (12)

一種以上のアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、
一種以上の可溶性スズ(II)塩、
一種以上の可溶性ビスマス(III)塩、
一種以上の非イオン性界面活性剤、及び
一種以上のチアゾール化合物及び/又はチアジアゾール化合物
を含む、スズ−ビスマス合金の沈着のための水性酸性電解質。
One or more alkyl sulfonic acids and / or alkanol sulfonic acids,
One or more soluble tin (II) salts;
One or more soluble bismuth (III) salts,
An aqueous acidic electrolyte for the deposition of tin-bismuth alloys comprising one or more nonionic surfactants and one or more thiazole compounds and / or thiadiazole compounds.
前記チアゾール化合物が、ベンゾチアゾール、2−アミノベンゾチアゾール、6−アミノベンゾチアゾール、2−ヒドロキシベンゾチアゾール、6−ヒドロキシベンゾチアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、6−メトキシ−2−アミノベンゾチアゾール及び2−チアゾリンチオール−2から選択される、請求項1記載の電解質。 The thiazole compound is benzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 6-aminobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 6-methoxy-2- The electrolyte of claim 1 selected from aminobenzothiazole and 2-thiazolinethiol-2. 前記チアジアゾール化合物が、2−アミノ−5−メチル−1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2−メルカプト−5−メチル−1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−1,3,4−チアジアゾール及び2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾールから選択される、請求項1記載の電解質。 The thiadiazole compound is 2-amino-5-methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-mercapto-5-methyl-1,3,4. The electrolyte according to claim 1, wherein the electrolyte is selected from thiadiazole, 2-amino-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole. 前記チアゾール化合物及び/又はチアジアゾール化合物が、前記電解質中、5乃至1,000mg/lの濃度で存在している、請求項1乃至3のうち何れか一項に記載の電解質。 The electrolyte according to any one of claims 1 to 3, wherein the thiazole compound and / or thiadiazole compound is present in the electrolyte at a concentration of 5 to 1,000 mg / l. 前記非イオン性界面活性剤が、ポリエチレンオキサイド/ポリプロピレンオキサイドコポリマーである、請求項1乃至4のうち何れか一項に記載の電解質。 The electrolyte according to any one of claims 1 to 4, wherein the nonionic surfactant is a polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer. 前記ポリエチレンオキサイド/ポリプロピレンオキサイドコポリマーが、質量平均2,000乃至10,000の分子量を有する、一般式 H−(OCH2−CH2)m−(OCH(CH3)−CH2)n−OH(式中、m及びnは5乃至60の整数を表す。)で表されるポリエチレンオキサイド/ポリプロピレンオキサイドコポリマーである、請求項5記載の電解質。 The polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer has the general formula H— (OCH 2 —CH 2 ) m— (OCH (CH 3 ) —CH 2 ) n—OH, having a molecular weight of 2,000 to 10,000. 6. The electrolyte according to claim 5, wherein m and n are polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymers represented by the formula: 前記ポリエチレンオキサイド/ポリプロピレンオキサイドコポリマーが>30℃の曇点を有する、請求項6記載の電解質。   The electrolyte of claim 6, wherein the polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer has a cloud point of> 30 ° C. 一種以上の多価フェノール化合物がさらに存在する、請求項1乃至7のうち何れか一項に記載の電解質。 The electrolyte according to any one of claims 1 to 7, wherein one or more polyphenol compounds are further present. 前記多価フェノール化合物がカテコールである、請求項8記載の電解質。 The electrolyte according to claim 8, wherein the polyhydric phenol compound is catechol. スズ−ビスマス合金を基板に電解コーティングする方法であって、前記コーティングが、請求項1乃至9のうち何れか一項に記載の前記電解質を通じて直流を通過させることによって、さらに金属スズ陽極を用いることによりかつコートされるべき基板でできた陰極を用いることによって実施される、方法。 10. A method of electrolytically coating a substrate with a tin-bismuth alloy, wherein the coating further uses a metallic tin anode by passing direct current through the electrolyte according to any one of claims 1-9. And by using a cathode made of a substrate to be coated. 請求項10記載の方法によって得られるコーティング。 A coating obtainable by the method of claim 10. 電子部品のコーティングのための、請求項1乃至9のうち何れか一項に記載の前記電解質の使用。
Use of the electrolyte according to any one of claims 1 to 9 for coating electronic components.
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