KR20070120592A - Electrolyte and method for depositing tin bismuth alloy layers - Google Patents

Electrolyte and method for depositing tin bismuth alloy layers Download PDF

Info

Publication number
KR20070120592A
KR20070120592A KR1020077026116A KR20077026116A KR20070120592A KR 20070120592 A KR20070120592 A KR 20070120592A KR 1020077026116 A KR1020077026116 A KR 1020077026116A KR 20077026116 A KR20077026116 A KR 20077026116A KR 20070120592 A KR20070120592 A KR 20070120592A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrolyte
tin
thiadiazole
bismuth
coating
Prior art date
Application number
KR1020077026116A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
만프레드 요르단
Original Assignee
독토르.-인제니오르 막스 슐뢰터 게엠베하 운트 코.카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 독토르.-인제니오르 막스 슐뢰터 게엠베하 운트 코.카게 filed Critical 독토르.-인제니오르 막스 슐뢰터 게엠베하 운트 코.카게
Publication of KR20070120592A publication Critical patent/KR20070120592A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/60Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
    • C22C13/02Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent

Abstract

The invention relates to an acidic electrolyte for depositing tin bismuth alloys, which comprises one or several alkylsulfonic acids and/or alkanolsulfonic acids, one or several soluble tin (II) salts, one or several soluble bismuth (III) salts, one or several non-ionogenic surfactants and one or several thiazol and/or thiadiazol compounds. The invention also relates to a method which uses said electrolyte, and the layer which can be obtained according to said method, in addition to the use of said electrolyte for coating electronic components.

Description

전해질 및 주석-비스무트 합금층의 도금 방법 {ELECTROLYTE AND METHOD FOR DEPOSITING TIN BISMUTH ALLOY LAYERS}Plating method of electrolyte and tin-bismuth alloy layer {ELECTROLYTE AND METHOD FOR DEPOSITING TIN BISMUTH ALLOY LAYERS}

본 발명은, 주석-비스무트 합금을 도금하기 위한 산 전해질, 상기 전해질을 이용하는 방법, 상기 방법에 의해 얻어지는 코팅, 및 전자 부품을 코팅하기 위한, 상기 전해질의 용도에 관한 것이다.The present invention relates to an acid electrolyte for plating a tin-bismuth alloy, a method of using the electrolyte, a coating obtained by the method, and a use of the electrolyte for coating an electronic component.

주석-납층을 가지는 코팅은 여러 기능적 특성을 가지기 때문에, 전기 및 전자 어셈블리의 제조에는 전착된 주석-납층을 가지는 코팅을 포함하는 부품을 사용하는 경우가 있다. 이들 코팅을 사용한 경우에는, 부품을 장기간 저장하여도, 상기 부품에 대해 연납 솔더링(soft-soldering)을 용이하게 수행할 수 있다.Since coatings having a tin-lead layer have various functional properties, there are cases where parts including a coating having an electrodeposited tin-lead layer are used in the manufacture of electrical and electronic assemblies. When these coatings are used, soft-soldering can be easily performed on the parts even if the parts are stored for a long time.

그러나, 전기 및 전자 기기의 제조에 납이 사용되는 경우에는 이러한 기기를 폐기물 처리장에 저장한다 해도, 납으로 인한 환경 오염의 우려가 있다. 또한, 솔더링된 접합부(joint)의 납은 부식 프로세스에 의해 수용성 형태로 전환되어, 결과적으로 지하수의 오염을 초래한다. 이러한 문제점을 감안하여, 유럽 연합 지침에 따르면, 몇 가지 예외적인 경우를 제외하고, 2006년 7월 1일부터 유연(有鉛) 솔더 및 전착(electrodeposition)된 주석-납층의 사용이 금지된다 (전기 및 전자 장치에서의 소정 유해성 물질의 사용 제한에 관한 유럽 의회와 이사회의 2003년 1월 27일 자 지침 DIRECTIVE 2002/95/EC).However, when lead is used in the manufacture of electrical and electronic devices, there is a risk of environmental pollution due to lead even if such devices are stored in a waste treatment plant. In addition, the lead in the soldered joints is converted into a water soluble form by the corrosion process, resulting in contamination of the groundwater. In view of these problems, the European Union Directive prohibits the use of lead solder and electrodeposited tin-lead layers from 1 July 2006, with a few exceptions. And Directive 27 January 2003 of the European Parliament and of the Council on the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electronic Devices (DIRECTIVE 2002/95 / EC).

전술한 코팅 외에도, 전착된 순수 주석층, 또는 전착된 주석 합금층, 예컨대, 주석-구리(Cu 1∼2 중량%), 주석-은(Ag 2∼5 중량%) 또는 주석-비스무트(Bi 2∼4 중량%)와 같은 주석 합금층에 대한 연구가 진행되고 있다. 공정적인 측면에서 볼 때, 순수 주석 코팅은 간단한 기법이며, 이 점을 감안하면, 상기 주석-납층을 가지는 코팅을 대신할 수 있는 경제적인 기법으로서 여겨진다. 그러나, 상기 순수 주석 코팅을 이용하는 경우에는 위스커(whisker)가 생성될 수 있다는 문제가 있다. 위스커는, 주석의 침(needle)형 단결정으로서 정의된다. 위스커는 통상적으로 수 ㎛의 직경을 가지지만, 그 직경이 수 ㎜에 달할 수도 있다. 전자 부품이 소형화됨에 따라, 위스커가 생성되는 경우에는 인접한 전기 전도성 부품들 간의 단락이 유발될 수 있다. 이로 인해, 전기 및 전자 기기의 오작동을 비롯하여, 상당한 경제적 손실이 초래될 수 있다.In addition to the coatings described above, a pure electrodeposited tin layer, or an electrodeposited tin alloy layer, such as tin-copper (1 to 2% by weight Cu), tin-silver (Ag 2 to 5% by weight) or tin-bismuth (Bi 2) (4 to 4% by weight), such as research on the tin alloy layer is in progress. In terms of process, pure tin coating is a simple technique, and in view of this, it is regarded as an economical technique that can replace the coating having the tin-lead layer. However, there is a problem that whiskers can be produced when using the pure tin coating. Whiskers are defined as needle single crystals of tin. Whiskers typically have a diameter of several micrometers, but their diameter may reach several millimeters. As electronic components become smaller, short circuits between adjacent electrically conductive components can be caused when whiskers are produced. This can lead to significant economic losses, including malfunctions of electrical and electronic devices.

주석층에 위스커의 생성을 억제하는 방법으로서, 소량의 제2 금속을 공동 도금(codeposition)하는 방법이 있다. 전술한 공동 도금에 있어서는 소량(적어도 3 중량%)의 납을 공동 도금하는 것이 효과적이라고 밝혀진 바 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 이러한 공동 도금은 불과 몇 가지 용도에 대해서만 허용된다.As a method of suppressing the generation of whiskers in the tin layer, there is a method of co-plating a small amount of the second metal. In the above-mentioned co-plating, it has been found that co-plating a small amount (at least 3 wt%) of lead is effective. However, as mentioned above, such co-plating is only allowed for a few uses.

아울러, 다른 방법으로서, 약 2∼4 중량%의 비스무트를 포함하는 주석-비스무트 합금의 도금은 위스커의 생성을 억제하기에 보다 바람직한 방법임이 입증된 바 있다. 그러나, 다량의 비스무트를 사용하는 경우에는 도금층의 연성이 저하되기 때문에, 전자 부품의 핀이 기계적으로 작동하는 경우, 코팅에 크랙(crack)이 나 타날 우려가 있어 바람직하지 않다. 그리고 그 결과, 상기 도금층의 용이한 솔더링성 및 방식성(corrosion resistacne)과 같은 특성이 저하된다. 한편, 2 중량% 미만의 Bi를 공동 도금하는 경우에는 위스커가 생성될 수 있다는 우려가 있다.In addition, as another method, the plating of tin-bismuth alloys containing about 2 to 4% by weight of bismuth has proved to be a more preferred method for inhibiting whisker formation. However, when a large amount of bismuth is used, the ductility of the plating layer is lowered. Therefore, when the pins of the electronic component are mechanically operated, cracks may appear in the coating, which is not preferable. As a result, properties such as easy solderability and corrosion resistance of the plating layer are degraded. On the other hand, there is a concern that whiskers may be generated when co-plating Bi of less than 2% by weight.

주석-비스무트 합금의 도금 방법으로서 상업적으로 적절한 방법들은 이미 전자 부품의 제조 이용되고 있으며, 이러한 기존의 도금 방법들을 예시하면, 유럽특허 0 255 558호, 유럽특허 0 715 003호, 일본특허 2983548호 및 일본특허 2132894호에 기재된 방법을 들 수 있다.Commercially suitable methods for the plating of tin-bismuth alloys have already been used for the manufacture of electronic components, and examples of such existing plating methods include European Patent 0 255 558, European Patent 0 715 003, Japanese Patent 2983548 and The method of Unexamined-Japanese-Patent 2132894 is mentioned.

그러나, 주석의 전기화학 전위(-0.12 V)와 비스무트의 전기화학 전위(+0.35 V)의 차가 크기 때문에, 전해질 중에 용해된 Bi3+ 이온 형태로 존재하는 비스무트는 전하 교환 도중, 전기 음성이 큰 주석 애노드 상에 석출된다.However, since the difference between tin electrochemical potential (-0.12 V) and bismuth electrochemical potential (+0.35 V) is large, bismuth in the form of Bi 3+ ions dissolved in the electrolyte has a large electronegativity during charge exchange. Precipitates on the tin anode.

이 반응은 하기 식에 따라 진행된다:This reaction proceeds according to the following formula:

Figure 112007080524291-PCT00001
.
Figure 112007080524291-PCT00001
.

이러한 전하 교환 반응 시 석출된 비스무트는 시간이 경과함에 따라 애노드로부터 떨어져 나와, 다공질의 스폰지상 코팅 형태로 도금되고, 이로써, 전해질, 그 다음에는 다시 코팅될 성분들을 통과한다. 전술한 경우, 비스무트 입자들은 상기 전착층 내로 배합될 수도 있으며, 이렇게 배합됨으로써, 기술적으로 효용 가치가 없는 수지상 층(dendritic layer)이 형성된다. 이로 인해 제조가 중단될 수 있다.The bismuth precipitated during this charge exchange reaction is released from the anode over time, plated in the form of a porous sponge coating, and then passed through the electrolyte, followed by the components to be coated again. In the case described above, bismuth particles may be blended into the electrodeposited layer, thereby forming a dendritic layer which is technically ineffective. This may interrupt manufacturing.

아울러, 결과적으로는 비스무트로 충전되어야 하지만, 전술한 전하 교환 반 응에 의해, 전해질 중에 용해된 비스무트가 전해질로부터 지속적으로 제거되므로, 제조 비용이 상승하게 된다. 비스무트가 2∼4 중량%의 양으로 공동 도금될 수 있도록 하기 위해서는 전해질 내 비스무트의 함량을 지속적으로 분석해야 하고, 이러한 분석을 통해, 손실된 비스무트의 양이 보충되도록 할 수 있다. 그러나, 전술한 방법은 많은 시간과 노력을 요한다.In addition, as a result, the bismuth dissolved in the electrolyte is continuously removed from the electrolyte by the above-described charge exchange reaction, thereby increasing the manufacturing cost. In order to allow the bismuth to be co-plated in an amount of 2 to 4% by weight, it is necessary to continuously analyze the content of bismuth in the electrolyte, and through this analysis, the amount of bismuth lost can be replenished. However, the above method requires a lot of time and effort.

전하 교환 반응에 의해 유발되는 비스무트의 손실을 억제하는 것이 가능하다면, 암페어(A)-시간(h) 측정계와 함께 자동식 미터링 펌프를 사용하여, 통전(通電) 전류량에 따라서 필요한 양의 비스무트 화합물을 충전할 수 있을 것이다. 따라서, 전술한 방법은 손실된 비스무트를 보충하기에 보다 용이하고도 경제적인 방법일 수 있다. 전술한 보충 방법의 경우, 전해질 중의 비스무트 분석을 보다 정확하게 하기 위해서는 긴 시간 간격을 두고 전해질 중의 비스무트를 보다 정확하게 분석해야 할 필요가 있다.If it is possible to suppress the loss of bismuth caused by the charge exchange reaction, use an automatic metering pump with an amperage (A) -hour (h) meter to charge the required amount of bismuth compound according to the amount of current carrying You can do it. Thus, the method described above may be an easier and more economical way to make up for lost bismuth. In the replenishment method described above, in order to more accurately analyze the bismuth in the electrolyte, it is necessary to analyze the bismuth in the electrolyte more accurately at long time intervals.

전술한 전하 교환 반응과 관련된 다른 문제점은, 코팅 공정이, 예컨대, 시스템 오작동으로 인해 중단되고, 상기 부품들이 전류의 부하가 없는 상태에서 단시간 동안 전해질 중에 침지되더라도, 이 반응은 주석 애노드 상에서만이 아니라, 이미 코팅되어 있는 성분들에서도 일어난다는 점이다. 이로 인해, 전해질과 접촉한 표면이 흑색으로 변색된다. 그런 다음, 전기 도금을 계속 수행하면, 이른바 샌드위치 코팅이 얻어진다. 전착된 2개의 주석-비스무트층 사이에, 전하 교환에 의해 생성된 주석-비스무트층이 형성될 수 있다. 핀이 기계적으로 작동하는 경우에는, 전술한 층의 순서로 인해 크랙이 생성될 수 있고, 이로써, 상기 층이 박리되어, 불량 한 솔더링성(solderability)이 얻어질 수 있다.Another problem associated with the aforementioned charge exchange reaction is that even if the coating process is interrupted, for example due to a system malfunction, and the parts are immersed in the electrolyte for a short time in the absence of a load of current, the reaction is not only on the tin anode. This also occurs in components that are already coated. For this reason, the surface which contacted electrolyte is discolored black. Then, if electroplating is continued, a so-called sandwich coating is obtained. Between the two electrodeposited tin-bismuth layers, a tin-bismuth layer produced by charge exchange can be formed. If the pin is mechanically operated, cracks may be generated due to the order of the layers described above, whereby the layers may be peeled off, resulting in poor solderability.

상기 전하 교환 반응의 결과로 나타나는 비스무트의 석출을 억제하기 위하여, 메탄설폰산 및 상기 산의 주석염과 비스무트염으로 이루어진 전해질을 사용하는 것이 제안된 바 있으며, 상기 전해질은, 유기 첨가제로서 불포화 카르복시산; 및 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 비이온성 계면활성제를 포함한다(미국특허 2003/0132122 A1). 상기 미국특허에 따른 전해질의 경우, 전하 교환이 수행되는 동안 비스무트의 석출은 실질적으로 감소하였으나, 코팅에 2 중량%의 양으로 Bi를 공동 도금시킬 수는 없었다. 또한, 상기 전해질 중에, 전체 금속 함량에 대하여 10 중량%의 Bi가 존재하는 경우라도, 도금층 중의 비스무트의 함량은 약 1.5∼2 중량%에 불과하다.In order to suppress the precipitation of bismuth resulting from the charge exchange reaction, it has been proposed to use an electrolyte consisting of methanesulfonic acid and tin and bismuth salts of the acid, the electrolyte comprising: unsaturated carboxylic acid as an organic additive; And nonionic surfactants selected from the group consisting of polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymers (US Pat. No. 2003/0132122 A1). In the case of the electrolyte according to the above US patent, the precipitation of bismuth was substantially reduced during the charge exchange, but it was not possible to co-plat Bi in an amount of 2% by weight in the coating. In addition, even in the case where 10% by weight of Bi is present in the electrolyte, the content of bismuth in the plating layer is only about 1.5 to 2% by weight.

본 발명은, 합금의 함량이 2∼4 중량% 이상인 주석-비스무트 합금을 도금시키기 위한 전해질을 제공하는 것을 목적으로 하며, 본 발명의 전해질을 사용하는 경우에는 무통전 시에도, 전하 교환이 수행되는 동안, 이미 코팅된 표면에 비스무트가 석출되지 않는다.An object of the present invention is to provide an electrolyte for plating a tin-bismuth alloy having an alloy content of 2 to 4% by weight or more. In the case of using the electrolyte of the present invention, charge exchange is performed even when no electricity is supplied. In the meantime, bismuth does not precipitate on the already coated surface.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 하나 이상의 알킬설폰산 및/또는 알칸올설폰산, 하나 이상의 가용성 주석(II)염, 하나 이상의 가용성 비스무트(III)염, 하나 이상의 비(非)이온성 계면활성제, 및 하나 이상의 티아졸 및/또는 티아디아졸 화합물을 포함하는, 주석-비스무트 합금을 도금하기 위한 수성 산 전해질(aqueous acid electrolyte)을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is also to provide at least one alkylsulfonic acid and / or alkanolsulfonic acid, at least one soluble tin (II) salt, at least one soluble bismuth (III) salt, at least one nonionic surfactant, And an aqueous acid electrolyte for plating tin-bismuth alloy, comprising at least one thiazole and / or thiadiazole compound.

본 발명에 따르면, 본 발명의 전해질 중에 포함된 각각의 화합물들은 비스무트의 전극 전위를 음의 방향(negative direction)으로 이동시키지 않으며, 이러한 특성은, 전기 음성이 큰 금속에 귀금속이 석출되는 것을 억제하기 위한 필요 조건으로서 여겨지기 때문에, 당업자에게는 놀라운 결과이다. 상기 전해질 중에 포함된 성분들을 조합하여 사용하는 경우라도, 이들 성분은 평형 전위를 캐소드 방향으로 이동시키지 않는다. 따라서, 새로 도금된 주석-비스무트 표면에 비스무트의 석출이 억제되는 것에 대해서는 전기화학적 측면에서 설명할 수 없다. 억제 효과가 나타날 수는 있지만, 즉, 사용중인 성분들의 조합에 의해 무전해 시멘테이션(electroless cementation)이 억제될 수는 있지만, 비스무트의 전착은 억제되지 않는다.According to the present invention, the respective compounds contained in the electrolyte of the present invention do not shift the electrode potential of bismuth in the negative direction, and this characteristic prevents the precipitation of precious metals in metals having a large electronegativity. It is a surprising result for a person skilled in the art because it is regarded as a necessary condition. Even when the components included in the electrolyte are used in combination, these components do not move the equilibrium potential in the cathode direction. Therefore, the suppression of the deposition of bismuth on the newly plated tin-bismuth surface cannot be explained from an electrochemical point of view. Although inhibitory effects may be seen, ie, electroless cementation can be inhibited by the combination of components in use, electrodeposition of bismuth is not suppressed.

본 발명에 사용 가능한 티아졸 또는 티아디아졸 화합물로서는 특별한 제한이 있는 것은 아니다. "티아졸 화합물"이란, 치환 또는 비(非)치환된, 포화 또는 불포화 티아졸 화합물로서 정의된다. 본 발명에 사용 가능한 티아졸 화합물을 예시하면, 벤조티아졸, 2-아미노벤조티아졸, 6-아미노벤조티아졸, 2-하이드록시벤조티아졸, 6-하이드록시벤조티아졸, 2-메틸벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 6-메톡시-2-아미노벤조티아졸 및 2-티아졸린 티올-2를 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 티아졸 화합물로서는 2-메르캅토벤조티아졸을 사용하는 것이 바람직하다. "티아디아졸 화합물"이란, 치환 또는 비(非)치환된, 포화 또는 불포화 티아디아졸 화합물로서 정의된다. 본 발명에 사용 가능한 티아디아졸 화합물을 예시하면, 2-아미노-5-메틸-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-메르캅토-5-메틸-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-1,3,4-티아디아졸 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸을 들 수 있다. 상기 티아졸 화합물 및 티아디아졸 화합물은 각각 단독으로 사용될 수도 있고, 다른 화합물과 병용될 수도 있다.There is no particular limitation on the thiazole or thiadiazole compound which can be used in the present invention. A "thiazole compound" is defined as a saturated or unsaturated thiazole compound which is substituted or unsubstituted. Examples of thiazole compounds usable in the present invention include benzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 6-aminobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 2-methylbenzo Thiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 6-methoxy-2-aminobenzothiazole and 2-thiazoline thiol-2. Especially, it is preferable to use 2-mercaptobenzothiazole as said thiazole compound. A "thiadiazole compound" is defined as a saturated or unsaturated thiadiazole compound which is substituted or unsubstituted. Examples of thiadiazole compounds usable in the present invention include 2-amino-5-methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-mercapto-5-methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole Can be mentioned. The thiazole compound and thiadiazole compound may be used alone or in combination with other compounds.

본 발명의 전해질 중의 상기 티아졸 및/또는 티아디아졸 화합물의 농도는 5 내지 1,000 ㎎/ℓ인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하기로는 50 내지 500 ㎎/ℓ이다.The concentration of the thiazole and / or thiadiazole compound in the electrolyte of the present invention is preferably 5 to 1,000 mg / l, more preferably 50 to 500 mg / l.

상기 비이온성 계면활성제로서는 공지된 비이온성 계면활성제를 사용할 수 있다. 특히, 상기 비이온성 계면활성제는, 에틸렌 옥사이드와 프로필렌 옥사이드의 코폴리머 및 블록 코폴리머여야 한다. 상기 비이온성 계면활성제로서는, 중량 평균 분자량이 2,000 내지 10,000이고, 일반식 H-(OCH2-CH2)m-(OCH(CH3)-CH2)n-OH (단, m 및 n은 5 내지 60의 정수임)로 표시되는 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 더욱 바람직한 구현예에 따르면, 상기 비이온성 계면활성제는 흐림점(cloud point)이 >30℃이다.As said nonionic surfactant, a well-known nonionic surfactant can be used. In particular, the nonionic surfactant should be a copolymer and a block copolymer of ethylene oxide and propylene oxide. Examples of the nonionic surfactant, and 2,000 to 10,000 weight average molecular weight of the general formula H- (OCH 2 -CH 2) m - (OCH (CH 3) -CH 2) n -OH ( where, m and n are 5 Preference is given to using polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymers. According to a more preferred embodiment of the present invention, the nonionic surfactant has a cloud point of> 30 ° C.

본 발명의 전해질 중의 상기 비이온성 계면활성제의 농도는 1∼50 g/ℓ인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하기로는 2∼20 g/ℓ이며, 특히 바람직하기로는 5∼10 g/ℓ이다.It is preferable that the density | concentration of the said nonionic surfactant in the electrolyte of this invention is 1-50 g / L, More preferably, it is 2-20 g / L, Especially preferably, it is 5-10 g / L.

상기 주석(II)는, 본 발명의 전해질 중에 무기산(mineral acid)의 염, 알킬설폰산의 염 또는 알칸올설폰산의 염의 형태로 존재할 수 있다. 상기 무기산의 염을 예시하면, 설페이트 및 테트라플루오로보레이트를 들 수 있다. 상기 알킬설폰산의 염으로서 바람직한 것을 예시하면, 메탄설포네이트, 에탄설포네이트, n-프로판설포네이트, iso-프로판설포네이트, 메탄 디설포네이트, 에탄 디설포네이트, 2,3-프로판 디설포네이트, 및 1,3-프로판 디설포네이트를 들 수 있다. 본 발명에 바람직한 알칸올 설포네이트를 예시하면, 2-하이드록시에탄설포네이트, 2-하이드록시프로판설포네이트 및 3-하이드록시프로판설포네이트를 들 수 있다. 특히, 주석(II) 메탄설포네이트가 바람직하다.The tin (II) may be present in the form of a salt of mineral acid, a salt of alkylsulfonic acid or a salt of alkanolsulfonic acid in the electrolyte of the present invention. Examples of the salt of the inorganic acid include sulfate and tetrafluoroborate. Preferred examples of the salt of the alkyl sulfonic acid include methanesulfonate, ethanesulfonate, n-propanesulfonate, iso-propanesulfonate, methane disulfonate, ethane disulfonate, and 2,3-propane disulfonate. And 1,3-propane disulfonate. Preferred alkanol sulfonates for the present invention include 2-hydroxyethanesulfonate, 2-hydroxypropanesulfonate and 3-hydroxypropanesulfonate. In particular, tin (II) methanesulfonate is preferable.

상기 주석(II)염을 주석(II)의 양으로 계산하는 경우, 상기 주석(II)염은 본 발명의 전해질 중에 5 내지 200 g/ℓ의 양으로 존재하며, 바람직하게는 10 내지 100 g/ℓ의 양으로 존재한다.When the tin (II) salt is calculated in the amount of tin (II), the tin (II) salt is present in the electrolyte of the present invention in an amount of 5 to 200 g / l, preferably 10 to 100 g / present in an amount of l.

상기 비스무트(III)염은, 본 발명의 전해질 중에서 Bi(III) 이온으로 충분히 용해되어 있도록 할 수 있는 임의의 형태로 상기 전해질에 첨가될 수 있다. 상기 비스무트(III)염은, 유리 산(free acid)의 존재 하에, 상기 전해질 중에서 가용성 Bi(III) 화합물로 전환되는 고체 화합물의 형태, 또는 용해된 Bi(III)염의 형태로 본 발명의 전해질 중에 첨가될 수 있다. 적절한 Bi(III)염을 예시하면, 무기산의 염, 예컨대, 클로라이드, 테트라플루오로보레이트 또는 나이트레이트; 알킬설폰산의 염, 예컨대, 메탄설포네이트, 에탄설포네이트, 메탄디설포네이트, 에탄디설포네이트, 2,3-프로판 디설포네이트 및 1,3-프로판디설포네이트; 알칸설폰산의 염, 예컨대, 2-하이드록시에탄설포네이트 및 3-하이드록시프로판설포네이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 Bi(III)염으로서는 비스무트(III) 메탄설포네이트가 바람직하다. 상기 Bi(III)염을 고체 형태로 첨가하는 경우에는, 비스무트(III) 카르보네이트 또는 비스무트(III) 옥사이드를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 화합물은 알킬설폰산 및/또는 알칸올설폰산의 존재 하에 본 발명의 전해질에 용해되어, 가용성 Bi(III) 화합물을 형성한다.The bismuth (III) salt may be added to the electrolyte in any form capable of being sufficiently dissolved as Bi (III) ions in the electrolyte of the present invention. The bismuth (III) salt is in the form of a solid compound which is converted into a soluble Bi (III) compound in the electrolyte in the presence of free acid, or in the form of a dissolved Bi (III) salt in the electrolyte of the present invention. Can be added. Examples of suitable Bi (III) salts include salts of inorganic acids, such as chlorides, tetrafluoroborates or nitrates; Salts of alkylsulphonic acids such as methanesulfonate, ethanesulfonate, methanedisulfonate, ethanedisulfonate, 2,3-propane disulfonate and 1,3-propanedisulfonate; Salts of alkanesulfonic acids, such as 2-hydroxyethanesulfonate and 3-hydroxypropanesulfonate. Especially, bismuth (III) methanesulfonate is preferable as said Bi (III) salt. When the Bi (III) salt is added in solid form, it is preferable to use bismuth (III) carbonate or bismuth (III) oxide. These compounds are dissolved in the electrolyte of the present invention in the presence of alkylsulfonic acid and / or alkanolsulfonic acid to form soluble Bi (III) compounds.

본 발명에서 비스무트의 농도는, 얻어진 주석-비스무트 합금 중의 원하는 Bi 함량, 및 주석(II)염의 농도에 따라 좌우된다. 상기 전해질은 상기 비스무트(III)염을, 2∼4% Bi의 합금 조성을 가지는 주석-비스무트 합금을 도금할 수 있도록 하는 농도로 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, Bi 이온의 농도는 선택된 주석(II) 농도에 대하여 3∼6%인 것이 바람직하고, 5%인 것이 더욱 바람직하다.The concentration of bismuth in the present invention depends on the desired Bi content in the obtained tin-bismuth alloy and the concentration of tin (II) salt. The electrolyte preferably contains the bismuth (III) salt in a concentration such that the tin-bismuth alloy having an alloy composition of 2 to 4% Bi can be plated. In this case, the concentration of Bi ions is preferably 3 to 6%, more preferably 5% to the selected tin (II) concentration.

상기 알킬설폰산 및 알칸올설폰산은 1개 내지 10개의 탄소 원자를 가지는 것이 바람직하며, 1개 내지 5개의 탄소 원자를 가지는 것이 특히 바람직하다. 상기 알킬설폰산으로서 사용 가능한 것을 예시하면, 메탄설폰산, 에탄설폰산, n-프로판설폰산, iso-프로판설폰산, 메탄디설폰산, 에탄디설폰산, 2,3-프로판디설폰산 및 1,3-프로판디설폰산을 들 수 있다. 본 발명에 적절한 알칸올설폰산을 예시하면, 2-하이드록시에탄설폰산, 2-하이드록시프로판설폰산 및 3-하이드록시프로판설폰산을 들 수 있다.The alkylsulfonic acid and alkanolsulfonic acid preferably have from 1 to 10 carbon atoms, particularly preferably from 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkyl sulfonic acid that can be used include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, n-propanesulfonic acid, iso-propanesulfonic acid, methanedisulfonic acid, ethanedisulfonic acid, 2,3-propanedisulfonic acid, and 1,3. -Propane disulfonic acid. Illustrative alkanolsulfonic acids suitable for the present invention include 2-hydroxyethanesulfonic acid, 2-hydroxypropanesulfonic acid and 3-hydroxypropanesulfonic acid.

상기 알킬설폰산 및/또는 알칸올설폰산은 본 발명의 전해질 중에 50 내지 300 g/ℓ의 농도로 존재하는 것이 바람직하며, 100 내지 200 g/ℓ의 농도로 존재하는 것이 더욱 바람직하다.The alkylsulfonic acid and / or alkanolsulfonic acid is preferably present in the electrolyte of the present invention at a concentration of 50 to 300 g / l, more preferably at a concentration of 100 to 200 g / l.

또한, 본 발명의 전해질은, 주석의 산화를 억제하기 위하여, 1가 또는 다가 페닐 화합물, 예컨대, 카테콜, 하이드로퀴논 및 페놀설폰산과 같은 통상적인 항산화제를 더 포함할 수 있다. 상기 항산화제로서는 카테콜을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 전해질 중에 포함되는 상기 항산화제의 농도는 50 내지 2,000 ㎎/ℓ일 수 있고, 바람직하게는 500 내지 1,000 ㎎/ℓ이다.In addition, the electrolyte of the present invention may further include conventional antioxidants such as monovalent or polyvalent phenyl compounds such as catechol, hydroquinone and phenolsulfonic acid in order to inhibit oxidation of tin. It is preferable to use catechol as said antioxidant. The concentration of the antioxidant included in the electrolyte of the present invention may be 50 to 2,000 mg / l, preferably 500 to 1,000 mg / l.

또한, 본 발명의 전해질은, 주석 합금 도금용 산 전해질에 통상적으로 사용되는 각종 첨가제, 예컨대, 결정 미세화용 첨가제(grain-refining additive), 습윤화제(wetting agent), 및/또는 광택제(brightener)를 더 포함할 수 있다.The electrolyte of the present invention may also contain various additives conventionally used in acid electrolytes for tin alloy plating, such as grain-refining additives, wetting agents, and / or brighteners. It may further include.

상기 결정 미세화용 첨가제는 본 발명의 전해질 중에 0.1 내지 50 g/ℓ의 양으로 존재하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 g/ℓ의 양으로 존재한다.The additive for crystal refinement is preferably present in the amount of 0.1 to 50 g / l, more preferably in the amount of 1 to 10 g / l in the electrolyte of the present invention.

상기 습윤화제는 본 발명의 전해질 중에 0.1 내지 50 g/ℓ의 양으로 존재하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10 g/ℓ의 양으로 존재한다.The wetting agent is preferably present in the electrolyte of the present invention in an amount of 0.1 to 50 g / l, more preferably in an amount of 0.5 to 10 g / l.

본 발명의 산 전해질의 pH는 0 내지 <1인 것이 바람직하다.It is preferable that pH of the acid electrolyte of this invention is 0-1.

아울러, 본 발명은, 기재를 주석-비스무트 합금으로 전해 코팅하는 방법, 및 상기 코팅 방법에 의해 얻어지는 코팅을 제공하며, 본 발명의 코팅 방법에 따르면, 상기 기재에 코팅을 도금하기 위해, 본 발명의 전해질, 금속 주석 애노드, 및 코팅될 상기 기재로 제조된 캐소드를 사용하고, 본 발명의 방법을 수행하는 동안 직류를 통과시킨다.In addition, the present invention provides a method of electrolytically coating a substrate with a tin-bismuth alloy, and a coating obtained by the coating method, and according to the coating method of the present invention, in order to plate the coating on the substrate, An electrolyte, a metal tin anode, and a cathode made of the substrate to be coated are used and a direct current is passed during the process of the present invention.

본 발명의 코팅 방법에서, 전류 밀도는 0.1 A/dm2 [배럴 도금법 또는 랙 도금법(rack plating method)을 이용하는 경우] 내지 100 A/dm2 (고속 시스템을 이용하는 경우)일 수 있다.In the coating method of the present invention, the current density may be 0.1 A / dm 2 (when using a barrel plating method or rack plating method) to 100 A / dm 2 (when using a high speed system).

본 발명의 전해질의 온도는 0 내지 70℃인 것이 바람직하고, 20 내지 50℃인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that it is 0-70 degreeC, and, as for the temperature of the electrolyte of this invention, it is especially preferable that it is 20-50 degreeC.

상기 코팅될 기재로서는, 전자 부품에 통용되는 재료, 예컨대, 구리, 구리 함유 합금, 니켈-철 합금(예: Alloy 42) 또는 니켈 도금된 재료를 사용할 수 있다.As the substrate to be coated, materials commonly used in electronic components, such as copper, copper-containing alloys, nickel-iron alloys (such as Alloy 42), or nickel plated materials may be used.

본 발명의 전해질은 전자 부품의 코팅에 이용될 수 있다.The electrolyte of the present invention can be used for coating electronic components.

이하, 실시예를 들어, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명하나, 본 발명은 하기 실시예로 제한되지는 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

실시예Example

하기 성분을 포함하는 전해질을 제조하였다:An electrolyte comprising the following components was prepared:

150 g/ℓ 메탄설폰산, 70 중량%150 g / l methanesulfonic acid, 70 wt%

80 g/ℓ 주석[Sn(CH3SO3)2 형태로서 사용]80 g / l tin [used as Sn (CH 3 SO 3 ) 2 form]

3.5 g/ℓ 비스무트[Bi(CH3SO3)3 형태로서 사용]3.5 g / l bismuth [used as Bi (CH 3 SO 3 ) 3 form]

1 g/ℓ 카테콜1 g / l catechol

4 g/ℓ EO/PO 블록 코폴리머 (Pluronic PE 6400, BASF에서 제조,4 g / l EO / PO block copolymer (Pluronic PE 6400, manufactured by BASF,

분자량: 약 2,900)Molecular weight: about 2,900

1 g/ℓ 메타크릴산1 g / l methacrylic acid

200 ㎎/ℓ 2-메르캅토벤조티아졸200 mg / l 2-mercaptobenzothiazole

하기 조건 하에, 제조된 전해질 중에서 구리 시트를 코팅하였다:The copper sheet was coated in the prepared electrolyte under the following conditions:

온도: 40℃Temperature: 40 ℃

전류 밀도: 10 A/dm2 Current Density: 10 A / dm 2

교반: 자기 교반, 700 rpmAgitation: magnetic stirring, 700 rpm

시간: 2분Time: 2 minutes

이러한 방식으로 얻어진 주석-비스무트 코팅은 비스무트(Bi)의 함량이 2.8%인 합금 함량(잔량의 Sn)을 가지며, 층 두께가 10 ㎛이었다.The tin-bismuth coating obtained in this way had an alloy content (residual Sn) with a content of bismuth (Bi) of 2.8% and a layer thickness of 10 μm.

전하가 교환되는 동안의 비스무트 석출을 조사하기 위하여, 위에서와 동일한 조건에서 다시 테스트 시트를 코팅하였다. 도금 2분 후, 전류를 공급하지 않은 상태에서, 상기 시트를 전해질 중에 각각 30초, 60초, 120초 및 180초 동안 방치하였다. 그런 다음, X선 형광 분석에 의해 상기 합금의 조성을 확인하였다.In order to investigate bismuth precipitation during charge exchange, the test sheet was coated again under the same conditions as above. Two minutes after plating, the sheet was left in the electrolyte for 30 seconds, 60 seconds, 120 seconds, and 180 seconds, respectively, with no current supplied. Then, the composition of the alloy was confirmed by X-ray fluorescence analysis.

무통전 상태에서 전해질에 노출된 시간 (duration of dead exposure) (초)Duration of dead exposure (seconds) in electrolyte 합금 조성 [중량% Bi]*Alloy Composition [wt% Bi] * 00 2.82.8 3030 2.92.9 6060 2.92.9 120120 3.03.0 180180 3.03.0

* 잔량의 Sn* Residual amount of Sn

본 실시예에서는 모든 표면이 균일하게 반광택성 금속의 외관을 나타내었다.In this example, all surfaces uniformly exhibited the appearance of semi-gloss metals.

비교예Comparative example

하기 조성을 가지는 전해질로부터 실시예 1과 동일한 조건 하에 도금을 수행 하였다:Plating was carried out under the same conditions as in Example 1 from an electrolyte having the following composition:

150 g/ℓ 메탄설폰산, 70 중량%150 g / l methanesulfonic acid, 70 wt%

80 g/ℓ 주석[Sn(CH3SO3)2 형태로서 사용]80 g / l tin [used as Sn (CH 3 SO 3 ) 2 form]

3.5 g/ℓ 비스무트[Bi(CH3SO3)3 형태로서 사용]3.5 g / l bismuth [used as Bi (CH 3 SO 3 ) 3 form]

1 g/ℓ 카테콜1 g / l catechol

5 g/ℓ 12 EO기를 가지는 2-나프톨 에톡실레이트2-naphthol ethoxylate with 5 g / l 12 EO groups

(Lugalvan BNO-12, BASF에서 제조)(Lugalvan BNO-12, manufactured by BASF)

0.5 g/ℓ 나프탈렌설폰산 포름알데하이드 축합물0.5 g / l naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate

(Tamol NN 4501, BASF에서 제조)(Tamol NN 4501, manufactured by BASF)

무통전 상태에서 전해질에 노출된 시간 (초)Time exposed to electrolyte (seconds) without electricity 합금 조성 [중량% Bi]*Alloy Composition [wt% Bi] * 00 2.082.08 3030 2.212.21 6060 2.732.73 120120 4.004.00 180180 6.156.15

* 잔량의 Sn* Residual amount of Sn

본 비교예에서 전술한 방식에 따라 전착된 샘플의 표면은 전해질에 노출된 시간의 함수로서, 무통전 상태에서 전해질에 노출된 후, 상당히 어두운 색으로 변색되었다. 180초간 전해질에 노출된 후의 상기 샘플의 표면 색상은 벨벳 흑색이었다.The surface of the electrodeposited sample according to the manner described above in this comparative example was discolored to a significantly darker color after exposure to the electrolyte in a non-conductive state as a function of time exposed to the electrolyte. The surface color of the sample after exposure to electrolyte for 180 seconds was velvet black.

Claims (12)

하나 이상의 알킬설폰산 및/또는 알칸올설폰산,One or more alkylsulfonic acids and / or alkanolsulfonic acids, 하나 이상의 가용성 주석(II)염,One or more soluble tin (II) salts, 하나 이상의 가용성 비스무트(III)염,One or more soluble bismuth (III) salts, 하나 이상의 비(非)이온성 계면활성제, 및One or more nonionic surfactants, and 하나 이상의 티아졸 및/또는 티아디아졸 화합물을 포함하는, 주석-비스무트 합금을 도금하기 위한 수성 산 전해질(aqueous acid electrolyte).Aqueous acid electrolyte for plating tin-bismuth alloy, comprising at least one thiazole and / or thiadiazole compound. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 티아졸 화합물이, 벤조티아졸, 2-아미노벤조티아졸, 6-아미노벤조티아졸, 2-하이드록시벤조티아졸, 6-하이드록시벤조티아졸, 2-메틸벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 6-메톡시-2-아미노벤조티아졸 및 2-티아졸린 티올-2 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전해질.The thiazole compound is benzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 6-aminobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 6-hydroxybenzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-mer An electrolyte, characterized in that it is selected from captobenzothiazole, 6-methoxy-2-aminobenzothiazole and 2-thiazoline thiol-2. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 티아디아졸 화합물이, 2-아미노-5-메틸-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-5-메르캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-메르캅토-5-메틸-1,3,4-티아디아졸, 2-아미노-1,3,4-티아디아졸 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-티아디아졸 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전해질.The thiadiazole compound is 2-amino-5-methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-mercapto-5 -Methyl-1,3,4-thiadiazole, 2-amino-1,3,4-thiadiazole and 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole Electrolyte. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 티아졸 및/또는 티아디아졸 화합물이 상기 전해질 중에 5 내지 1,000 ㎎/ℓ의 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 전해질.And the thiazole and / or thiadiazole compounds are contained in the electrolyte at a concentration of 5 to 1,000 mg / l. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 비이온성 계면활성제가 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머인 것을 특징으로 하는 전해질.Wherein said nonionic surfactant is a polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머는, 중량 평균 분자량이 2,000 내지 10,000이고, 일반식 H-(OCH2-CH2)m-(OCH(CH3)-CH2)n-OH (단, m 및 n은 5 내지 60의 정수임)로 표시되는 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머인 것을 특징으로 하는 전해질.The polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer has a weight average molecular weight of 2,000 to 10,000, and general formula H- (OCH 2 -CH 2 ) m- (OCH (CH 3 ) -CH 2 ) n -OH (m And n is an integer of 5 to 60). 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 폴리에틸렌 옥사이드/폴리프로필렌 옥사이드 코폴리머는 흐림점(cloud point)이 >30℃인 것을 특징으로 하는 전해질.The polyethylene oxide / polypropylene oxide copolymer is characterized in that the cloud point (cloud point) is> 30 ℃. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 하나 이상의 다가 페놀(polyhydric phenol) 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질.An electrolyte further comprising one or more polyhydric phenol compounds. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 다가 페놀 화합물이 카테콜인 것을 특징으로 하는 전해질.The polyhydric phenol compound is catechol, characterized in that the electrolyte. 기재를 주석-비스무트 합금으로 전해 코팅하는 방법으로서,A method of electrolytically coating a substrate with a tin-bismuth alloy, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 전해질, 금속 주석 애노드, 및 코팅될 상기 기재로 제조된 캐소드를 사용하고, 직류를 통과시킴으로써, 코팅을 수행하는 것을 특징으로 하는 전해 코팅 방법.The electrolytic coating method according to any one of claims 1 to 9, wherein the coating is carried out by using a electrolyte prepared from the electrolyte, the metal tin anode, and the cathode prepared to be coated, and passing through a direct current. 제10항의 방법에 의해 얻어진 코팅.A coating obtained by the method of claim 10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 전해질의, 전자 부품을 코팅하기 위한 용도.Use of the electrolyte of claim 1 for coating an electronic component.
KR1020077026116A 2005-04-12 2006-03-09 Electrolyte and method for depositing tin bismuth alloy layers KR20070120592A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510016819 DE102005016819B4 (en) 2005-04-12 2005-04-12 Electrolyte, process for the deposition of tin-bismuth alloy layers and use of the electrolyte
DE102005016819.1 2005-04-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070120592A true KR20070120592A (en) 2007-12-24

Family

ID=36527525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077026116A KR20070120592A (en) 2005-04-12 2006-03-09 Electrolyte and method for depositing tin bismuth alloy layers

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5278675B2 (en)
KR (1) KR20070120592A (en)
DE (1) DE102005016819B4 (en)
TW (1) TWI328052B (en)
WO (1) WO2006108476A2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120006688A1 (en) * 2009-03-18 2012-01-12 Basf Se Electrolyte and surface-active additives for the electrochemical deposition of smooth, dense aluminum layers from ionic liquids
US8940433B2 (en) * 2009-12-15 2015-01-27 Basf Se Thiazole compounds as additives in electrolyte solutions in electrochemical cells and batteries
CN112701351B (en) * 2020-12-29 2022-08-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 Non-aqueous electrolyte, preparation method thereof and lithium ion battery
CN113293409B (en) * 2021-05-28 2022-06-24 中南大学 Method for preparing compact and flat bismuth metal through electrolysis
CN115029745A (en) * 2022-07-08 2022-09-09 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 Method capable of reducing element plating process steps and improving welding spot reliability

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0781196B2 (en) * 1986-07-04 1995-08-30 株式会社大和化成研究所 Bismuth and bismuth alloy plating baths from organic sulfonates
US5174887A (en) * 1987-12-10 1992-12-29 Learonal, Inc. High speed electroplating of tinplate
EP0397663B1 (en) * 1988-10-14 1994-05-18 Atochem North America, Inc. Electrodeposition of tin-bismuth alloys
JP3274232B2 (en) * 1993-06-01 2002-04-15 ディップソール株式会社 Tin-bismuth alloy plating bath and plating method using the same
JPH1025595A (en) * 1996-07-12 1998-01-27 Ishihara Chem Co Ltd Tin and tin alloy plating bath
JP3292055B2 (en) * 1996-09-03 2002-06-17 上村工業株式会社 Tin-bismuth alloy electroplating bath and plating method using the same
JP2000100850A (en) * 1998-09-24 2000-04-07 Ebara Udylite Kk Formation of low-melting point metal bump
JP4077119B2 (en) * 1999-06-30 2008-04-16 エヌ・イーケムキャット株式会社 Tin-bismuth alloy electroplating bath and plating method
JP2001040497A (en) * 1999-07-27 2001-02-13 Ne Chemcat Corp Electronic parts coated with tin-bismuth alloy plated film
EP1167582B1 (en) * 2000-07-01 2005-09-14 Shipley Company LLC Metal alloy compositions and plating method related thereto
US6726827B2 (en) * 2002-01-17 2004-04-27 Lucent Technologies Inc. Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder
JP4441726B2 (en) * 2003-01-24 2010-03-31 石原薬品株式会社 Method for producing tin or tin alloy aliphatic sulfonic acid plating bath
JP4441725B2 (en) * 2003-11-04 2010-03-31 石原薬品株式会社 Electric tin alloy plating method
JP4524483B2 (en) * 2004-04-28 2010-08-18 石原薬品株式会社 Tin or tin alloy plating method
JP4389083B2 (en) * 2004-08-10 2009-12-24 石原薬品株式会社 Lead-free tin-bismuth alloy electroplating bath
JP4605359B2 (en) * 2004-10-20 2011-01-05 石原薬品株式会社 Lead-free acid tin-bismuth alloy electroplating bath
JP4273266B2 (en) * 2005-03-23 2009-06-03 石原薬品株式会社 Dissolving current suppression type tin alloy electroplating method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006108476A3 (en) 2007-05-31
TW200643231A (en) 2006-12-16
DE102005016819B4 (en) 2009-10-01
JP5278675B2 (en) 2013-09-04
JP2008536011A (en) 2008-09-04
TWI328052B (en) 2010-08-01
WO2006108476A2 (en) 2006-10-19
DE102005016819A1 (en) 2006-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Goh et al. Effects of hydroquinone and gelatin on the electrodeposition of Sn–Bi low temperature Pb-free solder
CA2275214C (en) Process to electrolytically deposit copper layers
KR101992844B1 (en) High temperature resistant silver coated substrates
JP6111241B2 (en) Aqueous acid bath for electrolytic deposition of copper, use of the bath, use of ruthenium ions in the bath, and method for electrolytic deposition of copper on a workpiece using the bath
US20050016858A1 (en) Reverse pulse plating composition and method
CN1190523C (en) Electrolyte and method for depositing tin-silver alloy layers
US7179362B2 (en) Electrolyte and method for depositing tin-copper alloy layers
CN101243210A (en) Tin electrodeposits having properties or characteristics that minimize tin whisker growth
JP2005517814A (en) Electroplating solution containing organic acid complexing agent
JP4588185B2 (en) Electroplating of copper from alkane sulfonate electrolyte
KR20110039460A (en) Cyanide free electrolyte composition for the galvanic deposition of a copper layer
KR20070120592A (en) Electrolyte and method for depositing tin bismuth alloy layers
KR102174876B1 (en) Tin alloy plating solution
KR20070086724A (en) Near neutral ph tin electroplating solution
KR20010042102A (en) Ductility agents for nickel-tungsten alloys
JP2008536011A5 (en)
US6458264B1 (en) Sn-Cu alloy plating bath
JP2000328286A (en) Tin-silver-base alloy electroplating bath
JP2983548B2 (en) Electroplating of tin-bismuth alloy
JP3920983B2 (en) Silver or silver alloy acidic electroplating bath
US6726827B2 (en) Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder
US20070037005A1 (en) Tin-silver electrolyte
CZ20011633A3 (en) Aqueous solution for electroplating with tin and zinc alloys
JP2002339095A (en) Method of depositing tin-bismuth-copper alloy
JPH10204676A (en) Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination