JP2008521245A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008521245A5
JP2008521245A5 JP2007542960A JP2007542960A JP2008521245A5 JP 2008521245 A5 JP2008521245 A5 JP 2008521245A5 JP 2007542960 A JP2007542960 A JP 2007542960A JP 2007542960 A JP2007542960 A JP 2007542960A JP 2008521245 A5 JP2008521245 A5 JP 2008521245A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
heterostructure
leak
refractive index
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007542960A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008521245A (ja
JP5412036B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from RU2004133420/28A external-priority patent/RU2278455C1/ru
Application filed filed Critical
Publication of JP2008521245A publication Critical patent/JP2008521245A/ja
Publication of JP2008521245A5 publication Critical patent/JP2008521245A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5412036B2 publication Critical patent/JP5412036B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2007542960A 2004-11-17 2005-11-15 ヘテロ構造、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器 Expired - Fee Related JP5412036B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004133420/28A RU2278455C1 (ru) 2004-11-17 2004-11-17 Гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель
RU2004133420 2004-11-17
PCT/RU2005/000566 WO2006054920A1 (fr) 2004-11-17 2005-11-15 Heterostructure, laser a injection, element amplificateur semi-conducteur et amplificateur optique semi-conducteur

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008521245A JP2008521245A (ja) 2008-06-19
JP2008521245A5 true JP2008521245A5 (enExample) 2012-03-01
JP5412036B2 JP5412036B2 (ja) 2014-02-12

Family

ID=36407404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007542960A Expired - Fee Related JP5412036B2 (ja) 2004-11-17 2005-11-15 ヘテロ構造、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7839909B2 (enExample)
EP (1) EP1826880A4 (enExample)
JP (1) JP5412036B2 (enExample)
KR (1) KR101021726B1 (enExample)
CN (1) CN101133530B (enExample)
CA (1) CA2588076A1 (enExample)
IL (1) IL183135A (enExample)
RU (1) RU2278455C1 (enExample)
WO (1) WO2006054920A1 (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2300826C2 (ru) * 2005-08-05 2007-06-10 Василий Иванович Швейкин Инжекционный излучатель
RU2351047C2 (ru) * 2006-12-26 2009-03-27 Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" Тонкопленочный полупроводниковый инжекционный лазер на основе многопроходной полупроводниковой гетероструктуры (варианты)
RU2391756C2 (ru) * 2008-06-06 2010-06-10 Василий Иванович Швейкин Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
RU2398325C2 (ru) * 2008-11-06 2010-08-27 Василий Иванович Швейкин Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения
RU2396655C1 (ru) * 2009-05-06 2010-08-10 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура
US8409888B2 (en) * 2009-06-30 2013-04-02 Joseph John Rumpler Highly integrable edge emitting active optical device and a process for manufacture of the same
RU2419934C2 (ru) * 2009-07-17 2011-05-27 Василий Иванович Швейкин Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
DE102020118405A1 (de) * 2020-07-13 2022-01-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
US20220236417A1 (en) * 2021-01-27 2022-07-28 Luminar, Llc Lidar System with Multi-Junction Light Source

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063189A (en) * 1976-04-08 1977-12-13 Xerox Corporation Leaky wave diode laser
US5383214A (en) * 1992-07-16 1995-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser and a method for producing the same
JPH08125281A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Nippondenso Co Ltd 半導体レーザ
US5727012A (en) * 1996-03-07 1998-03-10 Lucent Technologies Inc. Heterostructure laser
JPH11354884A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
RU2142665C1 (ru) 1998-08-10 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
JP2000196194A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
RU2197049C1 (ru) * 2002-02-18 2003-01-20 Швейкин Василий Иванович Гетероструктура
RU2197048C1 (ru) * 2002-02-18 2003-01-20 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
RU2197047C1 (ru) * 2002-02-18 2003-01-20 Швейкин Василий Иванович Полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель
JP2004140083A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Sharp Corp 半導体発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102132466B (zh) 基于半导体二极管激光器的场耦合阵列、线阵和堆栈提供高功率高亮度激光的光电系统
JP7137556B2 (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール、溶接用レーザ光源システム、及び、半導体レーザ装置の製造方法
JP4805887B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP5679117B2 (ja) 発光装置、照射装置、およびプロジェクター
JP2005502207A5 (enExample)
JP2009130030A (ja) 半導体レーザ
US8022389B2 (en) Light source, and device
CN112514183B (zh) 具有量子阱偏移和沿着快轴的有效单模激光发射的大光学腔（loc）激光二极管
US8355419B2 (en) Semiconductor optoelectronic device with improved beam quality
JP2008521245A5 (enExample)
RU2391756C2 (ru) Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
JP5412036B2 (ja) ヘテロ構造、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器
JP2022501815A (ja) 利得導波型半導体レーザおよびその製造方法
CN101841123A (zh) 带有倒v型耦合光波导小发散角半导体激光器结构
US20120113998A1 (en) Multibeam coherent laser diode source (embodiments)
JP2004266095A (ja) 半導体光増幅器
RU2443044C1 (ru) Инжекционный лазер
CN100409512C (zh) 具有变折射率的放大部分的激光二极管
US20060140236A1 (en) Semiconductor laser device and optical pick-up device using the same
JP4911957B2 (ja) 半導体レーザ素子および応用システム
JP2020017681A (ja) 半導体レーザ素子
US20230396040A1 (en) Semiconductor laser epitaxial structure
JP3408247B2 (ja) 半導体レーザ素子
WO2025258311A1 (ja) 半導体レーザ素子
US20040218644A1 (en) High-power semiconductor laser