JP2008521015A - 高周波信号検出センサー - Google Patents
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Abstract
入射RF信号を感知するセンサーが提供される。このセンサーは、ギガヘルツ(GHz)領域及びテラヘルツ(THz)領域における信号を感知することができる。このセンサーは、1つ以上のカンチレバー、干渉計を利用することができ、又はこのセンサーは箱型構造に形成することができる。
Description
発明の分野
本発明は、RF(無線周波数)信号を感知するように設計された装置又は装置群、より詳しくは、ギガヘルツ領域及びテラヘルツ領域におけるRF信号を感知するように設計された装置又は装置群である。
本発明は、RF(無線周波数)信号を感知するように設計された装置又は装置群、より詳しくは、ギガヘルツ領域及びテラヘルツ領域におけるRF信号を感知するように設計された装置又は装置群である。
発明の背景
マイクロ波スペクトルのギガヘルツ(GHz)領域及びテラヘルツ(THz)領域は、オリジナルの分子の破壊的なイオン化を伴わずに高分子共鳴を検出することができる領域として認識されてきた。特に興味深いのは、医療用センシングから生物兵器テロ警告センサーまでにわたる用途において、巨大分子の分子振動を測定する能力である。これらの領域を感知するための検出スキームは、主として、極めて高感度なボロメータにおける熱変化(温度変化)の誘導に依存してきた。このような装置は、RFエネルギーをボロメータ素子における熱変化に変換することによって受信信号に応答し、次にこの熱変化が圧力(応力)を発生する。この圧力は、その素子が検出電極に対して移動する時の電気容量シフトにおける静的変化を検出することによって測定することができる。高度なボロメータは、天文学、及び、超電導材料における高温電子(ホットエレクトロン)を例えば装置にその機能性を与える電子が残りの電子よりも高いエネルギーを有している場合などに利用するその他の用途、において用いられる。このようなシステムは、極めて高感度である一方で、極めて高価でもあり、又それを作動させるためには大幅な設備基盤を必要とする。これらのアプローチは、素子ごとに狭い周波数応答を提供し、又わずかに異なる応答領域を有する各素子のアレイ(配列)による狭い応答(群)のアレイを必要とするか、又は、それらの受信帯域内のマグニチュード(振幅)データ(但し、周波数測定値ではない)を提供する。
マイクロ波スペクトルのギガヘルツ(GHz)領域及びテラヘルツ(THz)領域は、オリジナルの分子の破壊的なイオン化を伴わずに高分子共鳴を検出することができる領域として認識されてきた。特に興味深いのは、医療用センシングから生物兵器テロ警告センサーまでにわたる用途において、巨大分子の分子振動を測定する能力である。これらの領域を感知するための検出スキームは、主として、極めて高感度なボロメータにおける熱変化(温度変化)の誘導に依存してきた。このような装置は、RFエネルギーをボロメータ素子における熱変化に変換することによって受信信号に応答し、次にこの熱変化が圧力(応力)を発生する。この圧力は、その素子が検出電極に対して移動する時の電気容量シフトにおける静的変化を検出することによって測定することができる。高度なボロメータは、天文学、及び、超電導材料における高温電子(ホットエレクトロン)を例えば装置にその機能性を与える電子が残りの電子よりも高いエネルギーを有している場合などに利用するその他の用途、において用いられる。このようなシステムは、極めて高感度である一方で、極めて高価でもあり、又それを作動させるためには大幅な設備基盤を必要とする。これらのアプローチは、素子ごとに狭い周波数応答を提供し、又わずかに異なる応答領域を有する各素子のアレイ(配列)による狭い応答(群)のアレイを必要とするか、又は、それらの受信帯域内のマグニチュード(振幅)データ(但し、周波数測定値ではない)を提供する。
従って、広帯域エミッター(放出装置)と連動することができ、又受信信号の周波数マッピングを提供することができ、これによってスペクトル分析のために必要な電子機器を簡略化することができるセンサーが必要とされている。更に、多種多様な環境及び用途において用いるための種々の感度又はゲイン(利得)を有するように設計された装置もまた必要とされている。
発明の概要
入射RF放射を感知するセンサーは、前記入射RF放射を受信するのに適したアンテナと、前記アンテナに電気的に結合され、前記受信された入射RF放射の影響を受けるカンチレバー(片持ち梁構造)と、前記カンチレバーへの前記効果を、前記受信された入射RF放射を示す測定可能な信号に変換するための変換器と、前記測定可能な信号を感知するための検出器と、を有し、前記検出器で感知された測定可能な信号は前記受信された入射RF放射を示すことを特徴とする。或いは、前記カンチレバーの代わりに、箱型構造又は干渉計を採用することができる。このセンサーは、GHz及びTHz領域内のRF信号を感知することができる。
入射RF放射を感知するセンサーは、前記入射RF放射を受信するのに適したアンテナと、前記アンテナに電気的に結合され、前記受信された入射RF放射の影響を受けるカンチレバー(片持ち梁構造)と、前記カンチレバーへの前記効果を、前記受信された入射RF放射を示す測定可能な信号に変換するための変換器と、前記測定可能な信号を感知するための検出器と、を有し、前記検出器で感知された測定可能な信号は前記受信された入射RF放射を示すことを特徴とする。或いは、前記カンチレバーの代わりに、箱型構造又は干渉計を採用することができる。このセンサーは、GHz及びTHz領域内のRF信号を感知することができる。
本発明の理解は、添付の図面と共に以下の本発明の好ましい実施形態の詳細な説明を検討することにより容易となるだろう。添付の図面において、同様の参照番号は同様の要素を指す。
発明の詳細な説明
本発明に関する図面及び説明は、本発明を明確に理解するのに適切な要素を説明するために簡略化してあり、一方、明確さを期すために、典型的な検出装置に見られる他の多くの要素を省略してあることを理解されたい。当業者は、本発明を実施するためには、他の要素及び/又は工程が望ましい且つ/或いは必要であると認識するかもしれない。しかしながら、そのような要素及び工程は斯界において周知であり、又本発明のより良い理解を促進することはないので、本明細書においては、そのような要素及び工程についての議論は省略する。本明細書の開示は、当業者に知られているそのような要素及び方法に対する変形及び修飾の全てを対象とする。
本発明に関する図面及び説明は、本発明を明確に理解するのに適切な要素を説明するために簡略化してあり、一方、明確さを期すために、典型的な検出装置に見られる他の多くの要素を省略してあることを理解されたい。当業者は、本発明を実施するためには、他の要素及び/又は工程が望ましい且つ/或いは必要であると認識するかもしれない。しかしながら、そのような要素及び工程は斯界において周知であり、又本発明のより良い理解を促進することはないので、本明細書においては、そのような要素及び工程についての議論は省略する。本明細書の開示は、当業者に知られているそのような要素及び方法に対する変形及び修飾の全てを対象とする。
本発明は、広帯域エミッター(放出装置)と連動することができ、又受信信号の周波数マッピングを提供することができ、これによってスペクトル分析に必要な電子機器を簡略化することができるセンサーを提供することができる。更に、本発明の装置は、多種多様な環境及び用途において用いるための種々の感度又はゲインを有するように設計することができる。
例えば微小電気機械システム(MEMS:microelectromechanical system)などの機械的に制御可能な膜を用いることができる。MEMSは、典型的には、電気的構成要素と機械的構成要素とを組み合わせた統合された微小装置又はシステムであり、集積回路加工技術を用いて作製され、又そのサイズはナノメートルからミリメートルの範囲に及ぶことがある。このようなシステムは、マイクロスケールで感知、制御及び発動することができ、そして個別に又は配列(アレイ)において機能してマクロスケールでの効果を生起することができる。MEMSを使用することは、当業者に知られている。
概略、MEMSは、ベース及びデフレクター(偏向器)を有していてよい。ベース及びデフレクターは、例えばInP、GaAs、SiN、Si、又はSiO2などの、当業者に知られている材料から作製することができる。MEMSは、このMEMSにエネルギーを適用することによってベースに対するデフレクターの長手方向の偏位(たわみ)を生じさせるようにして、作動することができる。ベースからのデフレクターの長手方向の移動(変位)は、MEMSに適用されるエネルギーに比例する。この検知技術には、多種多様なMEMS構造を適用することができる。ほんのわずかの選ばれた種類の構造のみが本明細書において詳しく説明されるが、例えば揺動アーム及び可撓性ダイヤフラムなどの、当業者に知られているその他の構造を、受信RF信号によって導電素子に与えられる電荷差に基づいて振動を変化させるように設計することができる。MEMSは、メカニカルアドバンテージ(機械的拡大率)を有する装置内に組み込むことができ、その結果、信号の検出を増大させることができる。更に、MEMS内で振動を発生させることなく、MEMSと基準(リファレンス)比較とを利用することができる。しかしながら、このようなアプローチは、長期のスケールで見たときの熱変化(温度変化)又はその他の環境変化に対してより敏感である場合があり、正確且つ高感度の測定を提供するためには定期的に再較正を必要とする場合がある。静的構成においては、電場(電界)の代わりに磁場(磁界)を用いることができ、駆動電界発生器又は基準電界発生器の必要性をなくすことができる。
本発明の装置は、シリコンなどの種々の材料の上に作製することができる。このタイプの検出器を、特定の中心周波数を有する広い周波数範囲において使用するために作製することができるように、素子のサイズは可変であってよい。基準を組み込むことによって、又振動(発振)周波数を用いることによって、本発明は、信号を検出すること、及び、その周波数を測定することの両方を可能とすることができる。更に、本明細書に記載されるセンサーの感度は、MEMSの位置を識別するための従来の検出技術に影響を及ぼすことがある周囲のノイズ(雑音)発生元の除去によって、高めることができる。センサー内にベースライン(基準)振動をつくり、又基準素子を利用することによって、受信機の感度に影響を及ぼすことのある温度の影響、湿度の影響、振動の影響、及びその他の環境の影響を除去することができる。更に、このMEMSのゲイン(増幅率)は、そのMEMS構造の長さ又は共振周波数を変えることによって増大させることができる。又、MEMSを特定のRF周波数において共振するように設計することで、特にその周波数において、受信機の感度を高めることができる。このセンサーの感度は、従来のインダクタンス検出器又はキャパシタンス検出器に影響を及ぼすことのある周囲のノイズ発生元の除去によって、高めることができる。例えば2個の素子を有するセンサー内にベースライン(基準)振動をつくり、又それらの素子のうちの1つを基準として利用することによって、温度、湿度、振動、及びその他の環境の影響などの周囲の影響を除去又は低減することができる。
本発明の一態様によれば、2個の実質的に同一のMEMSを用いることができる。各MEMSはカンチレバーとして構成することができ、これによって例えばGHz及びTHz領域などにおける受信RF信号のマグニチュード(振幅)及び周波数を感知することができる。このような構成においては、第1のMEMSは基準素子であってよく、第2のMEMSは信号受信素子であってよい。駆動された振動を、MEMS内に既知の周波数を発生させるために用いることができる。入射信号を受信すると、第2のMEMSは電荷の変化及び対応する振動の変化の影響を受けることができ、一方第1のMEMSはこの入射(入力)信号から分離された状態を維持する。第2のMEMSの振動の変化は、例えば、誘導、電気容量、電子トンネル、圧電応力、及び干渉などによってMEMSの位置を感知する検出電極との電界相互作用を変化させることができる。そして、第2のMEMSに対応する電極からの信号を、安定した振動の状態を維持していてよい基準MEMS電極からの信号と比較することができる。そのような比較器は、これらの信号を減算して、入射信号に対応する出力信号を与えることができる。
入射信号がMEMSの振動の周波数とマッチ(調和)する場合には、出力信号は受信素子のマグニチュードの変化となり得る。入射信号が振動周波数とは異なる周波数である場合には、結合信号は振動周波数と入射信号周波数との間のうなり周波数(ビート周波数)となり得る。振動周波数は既知であるので、このうなり周波数は、入射信号の周波数に変換することができる。このうなり周波数は、受信周波数から発生周波数を引いた値に等しい。振動周波数が使用されない場合には、付加的な環境の影響があっても、入射信号は直接読み取ることができる。当業者には理解されるように、信号の値を計算する場合には、計算において複数の測定値を用いることによって、計算の精度の向上をもたらすことができる。この点に関し、このような測定値の精度を高めるために、別のMEMSの組を、別のデータポイントのセットを与えるために用いることができ、そしてこの別のMEMSの組をオフセット(ずらされた)振動周波数にて駆動することができる。得られた信号は、入射信号の周波数に変換することのできる2つの異なるうなり周波数パターンを表すことができ、そして各出力信号は、入射信号の周波数への変換を精緻化するために用いることができる。又、上述の測定値を更に精緻化するために、更なるMEMSの組を用いることができる。
本発明は、生物脅威(bio-threat)センサー及び化学センサーなどの、GHz及びTHz領域のセンサー製品において用いるために、大量に、且つ、低コストで作製することができる高感度検出器を提供することもできる。本発明は、アレイ上に入射するRF信号を、例えばCCDなどの光センサー又は撮像(結像)アレイ上で捕らえることのできる光学的画像へと変換(アップコンバート)する能力を提供することができる。
図1を参照すると、本発明の一態様に従うRF信号を感知するためのセンサーが示されている。センサー100は、MEMS110、アンテナ120、ビーム130の放出源、検出器140、及び開口(絞り)150を有していてよい。図1に示すように、MEMS110はアンテナ120に結合されていてよく、これによりアンテナ120上に入射する信号はMEMS110に結合されて、MEMS110のカンチレバーの位置に影響を与える。MEMSは、アンテナが共振する時にMEMS上の電荷が変化するように、アンテナ構造に組み込むことができる。或いは、MEMS装置は、アンテナに接続して、アンテナ構造の下方に配置することができる(即ち、アンテナ自体の固有の部分ではない。後に説明する図14を参照。)。この構成においては、MEMSは、アンテナが共振する時に自身の電荷を変化させ、又電荷を回路内に送る。従って、MEMSはアンテナシステムの容量値の一部であるが、双極子部材の一部ではない。更に別の技術は、MEMS装置を導波路の一部として有することである。MEMSはTHz周波数にて振動することはない。むしろ、共振電荷は実際にはMEMS上に蓄積された電荷であり、従って、MEMSは時間をかけて調和する。基準信号を加えることによって、うなり周波数が得られ、これは調和を行うための別の方法である。従って、スイッチと同様に、一旦MEMS装置の端部上に電子が蓄積されると、それが正しい電界強度に向けて偏位(偏向)し、そしてその偏位が測定される。
MEMS110が入射信号の影響を受けた時にビーム130がそれに応答して偏向する(逸れる)ように、ビーム130をMEMS110の表面上に指向させることができる。より詳細には、MEMS110が入射信号の影響を受けた時に、MEMS110の電気的特性が変化するようにすることができる。図示するように、電気的特性が変化すると、第1の端部において固定されているMEMS110は、カンチレバーとして自由に移動することができる第2の端部において角度を変える。MEMSのこの第2の端部は、ベース111に対して移動することができる。MEMS110の電気的特性は、MEMS110の自由端の偏位の程度又は振動の周波数に影響を及ぼす。この影響が生ずると、MEMS110の第2の端部とベース111との間の距離が変化する。この距離の変化は、入射ビーム130の入射角及び出射角に対して、それぞれのシフトを引き起こすことによって影響を及ぼす。このシフトは、結果としてビーム130の下流側への移動(変位)をもたらすことができる。検出器140を、ビーム130の偏向をその検出器140にてモニターできるように配置することができる。更に、開口150を、当業者には明らかなように、ビーム130を制限する位置において検出器140の近傍に配置することができる。簡単に言えば、例えばガウスビームは、MEMS110の第2の端部の角度に基づいて検出器を横切って移動するビームプロファイルを有していてよい。このビームは検出器を横切るので、検出可能なビームの利用可能な入射角を制御するために、ビームストップ(絞り)を用いることができる。入射信号がアンテナ120に到達すると、その信号の影響(作用)がMEMS110に結合され、次にMEMS110がビーム130の入射角及び出射角に影響を及ぼし、これが検出器140にて検出される。この検出器140における検出結果は、MEMS110の第2の端部の各位置について異なる信号が検出されるようにすることによって、入射信号に対応し、これはMEMS110上での信号の電気的特性と関連している。当業者には明らかであるように、例えばビーム130がガウスビームである場合、開口150上でのビーム130のシフトは、公知のスリット/ガウス特性に従って検出器140上での信号の減少を引き起こし得る。
MEMS110の電位が変化すると、MEMS110と共通電極111との間の電荷差が変化して、MEMS110に自身の共通電極に対する間隔又は位置を変化させることができる。素子が既知の周波数にて振動させられる場合には、受信RF信号からの入力電荷は、MEMS110の振動周波数を変化させることができる。
本発明の一態様によれば、反射型MEMS110を移動するように設計することができ、これによりその移動が入射ビーム130の角度を変化させるようにすることができる。MEMS110におけるこのような変化は、適切な波長領域の電磁波の受信に起因する、適用された外部電界に対応するものであってよい。MEMS110は、静的な、即ち、既知の振動電界を素子上に供給する共通電極に対する自身の接近に起因して、偏位され得る。MEMSの電位が変化すると、素子と共通電極との間の電荷差が変化して、それがMEMSに自身の共通電極に対する間隔又は位置を変えさせることができる。本発明の一態様によれば、MEMS110は、受信RF信号からの入力電荷がMEMS110の振動周波数を変化させることができるように、既知の周波数にて振動させることができる。
MEMS110を照射するために、平行ビーム光線、ガウスビーム、又はその他の公知のビーム直径方向の可変強度エネルギーパターンなどの、レーザー又はその他の光源からの光ビーム130を用いることができる。ビーム130は角度において発散(逸れる)するように設計することができ、これにより、光センサー140において、より大きな直径のスポットサイズをつくることができる。センサー140は、明確なビーム直径を有する一点におけるビーム130の強度を測定するように設計することができる。静止系の場合は、入射RF信号は、MEMS110が変位された時に、測定されるビーム強度を変えることができる。振動している系の場合は、入射RF信号によって与えられる電荷がMEMS110の振動パターンを変化させる時に、センサー140によって測定されるビーム強度の周波数は変化することができる。
当業者には明らかなように、このような構成の感度又はゲインは、光センサーにおけるビームの直径又はビームの強度パターンなどのビームのパラメータの変更、MEMSの偏位感度の変更、MEMSと光センサーとの間の距離を変えることなどによるシステムの構造(形状)の変更、又は、用いられる光の周波数及びその周波数に対する光センサーの感度を変えることなどによるシステムの応答特性の変更、によって操作することができる。
本発明に従うシステムの感度又はゲインの変更は、例えば、光センサーにおける干渉モードの変更、MEMSの電気機械的偏位感度の変更、MEMSと光センサーとの間の経路長差の変更、及び、用いられる光の周波数及びその周波数における光センサーの感度の変更、などの多くの方法で達成することができる。
この設計の変形例は、MEMSの磁気バージョンを含んでいてよい。そして、MEMS上の電荷が変化すると、磁界における偏位は、上述の電界バージョンにおけるものと同じ機能を実行することができる。このような磁気バージョンが有利な場合がある。このような構成が、作動するために電力を必要としなくてよく、又電力が利用できないか又は望ましくない遠隔区域におけるTHz感知を提供することができるためである。
図2を参照すると、本発明の一実施形態が示されており、この実施形態では、図1の装置に対して、複製を形成する基準として第2の検出装置が加えられている。図2に示されるように、本発明は、2個、即ち、複数のMEMS210、210’を使用することを含んでいてよい。このような構成においては、第1のMEMS210’は基準として機能することができ、又環境ノイズの除去方法を提供するために両方のMEMS210を振動させることができる。
図1に関連して述べたように、MEMS210は信号220と相互作用することができる。MEMS210の第2の端部は、信号220に応答して、ベース211に対して偏位することができる。更に、入射信号から分離されている第2のMEMSは、周囲の、即ち、環境の条件に反応することができる。信号に対するMEMS210の反応は、そのような周囲の、即ち、環境の条件に対する反応を含んでいてよい。MEMS210’との反応を測定することによって、これらのノイズ信号を明らかにすることができる。このノイズは、MEMS210’を反応させ、そしてMEMS210’の第2の端部を上述したようにしてベース211’に対して偏向させることができる。この検出結果は、測定することができ、又ノイズと同等と見なすことができる。ベース211とベース211’とは同等と見なされるので、各チャンネル210、210’上のノイズは同等と見なすことができる。チャンネル210上のノイズを明らかにすることによって、信号220の測定をより正確に行うことができる。
本発明は、上述の電界とは対照的に、磁界において作動するMEMS210を含んでいてよい。これにより、MEMS210上の電荷が変化すると、上述したようにしてMEMS210は磁界において偏位することができる。基本的には電界装置と同様に作動するが、磁気バーションは、電力を必要としなくてよく、又、電力供給が課題である区域、即ち、電力の伝送が困難なことがある区域、又は遠隔の区域にある又は電力が否定的に検出されることがあるなどの電源が望まれないことのある区域における感知を提供することができる。
本明細書に記載されるように、MEMS210上の電荷差の誘導が検出されると、次いでMEMS210は共通電極211、211’に対して偏位することができる。MEMS210の運動は、MEMS210によって偏向されるビーム130を受光光センサー140に導入することによって測定することができる。ビーム130の偏向は、MEMS210の位置の非常に正確な測定を提供することができ、これによりRF誘導信号の検出を提供することができる。この信号を識別及び定量するために、検出素子の運動を、その信号から分離されて基準として機能する別の同一の素子と比較することができる。このアプローチは、検出器の感度を大幅に高め、又周囲の発生源からのノイズの影響を減少させる。振動のうなり周波数の分析は、受信信号の周波数を識別する能力を提供する。
外部ビーム130を用いることによるMEMS210、210’の偏位の測定に依存する代わりに、プローブ260を用いて電気的測定を行うことができる。プローブ260上の電気信号は、MEMS210の第2の端部の位置の影響を受け、又プローブ260’上の信号は、MEMS210’の第2の端部の位置の影響を受ける。
図3を参照すると、本発明の一態様に従うセンサーが示されている。センサー300は、ソース(光源)310、ビームスプリッタ320、集束器(集光器)330、センサーMEMS340、基準MEMS350及び検出器360を有していてよい。図3に示されるように、ソース310は、ビームスプリッタ320によって、複数のビーム経路に分割することができる。複数のビーム経路は、集束器330によって集束することができる。複数のビーム経路のうちの第1のビーム経路はセンサーMEMS340上に入射させることができ、第2のビーム経路は基準MEMS上に入射させることができる。複数のビーム経路のそれぞれは、検出器360上に入射させることができ、これにより複数のビーム経路間の経路長の変化が検出器360上での干渉を生起することができる。
又、図4を参照すると、本発明の一態様に従うセンサー300の原理を利用した干渉計型センサーが示されている。本発明は、MEMS450のアレイ及び共通電極440を利用することができる。これらは反射型であり、又、例えば、MEMS450とファブリ−ペロ型干渉スタック(積層体)470(もちろん、ファブリ−ペロ構造などの光学干渉計も)との間の光経路長を変化させるように設計される。適切な波長領域の電磁波の受信などにより外部電界がMEMS450に適用された時に、この信号を受信するMEMS450は、固定位置の電荷電界を提供する共通電極に対する自身の接近に起因して、偏位され得る。MEMS450の電位が変化すると、素子と共通電極との間の電荷差が変化して、素子に自身の共通電極に対する間隔又は位置を変えさせることができる。ソース(光源)410からのビームは、センサーMEMS450と任意に付加的な基準MEMSとを有するMEMS受信アレイを一様に照射するために、拡大及びコリメート(平行化)することができる。ビームは、入射ビームをMEMSアレイから戻された反射ビームから分離するためのビームスプリッタ420を通過することができる。本発明の一態様によれば、ビームは、ビームスプリッタを通過し、次いで二重通過干渉計として設計されていてよいファブリ−ペロ型干渉計スタックを通過することができる。例えば、MEMSから反射された光の位相は、増加的干渉又は減殺的干渉を引き起こすことができ、これにより反射型MEMS素子450の位置を表す戻りビームの強度変化を引き起こすことができる。MEMS素子450は受け取った電荷(電気量)の変化で移動するので、その位置の変化は干渉計における光位相に影響を及ぼすことができ、これにより戻りビームにおける光の強度を変化させることができる。一旦入射信号なしで較正されると、センサーは受信素子のその基準位置に対する偏位を示すことができる。受信信号からの強度変化情報を伴う戻りビームは、ビームスプリッタによって、光センサー又は光学的撮像アレイ460のいずれかに向けて偏向させることができる。各MEMS素子は、受信信号に基づいてその位置を変化させるので、単一光センサーバージョンは、アレイの値における平均の変化を記録することができる。CCDなどの光学的撮像アレイは、そのアレイからの出力の画像を提供することができ、又適正なRF収集設計の使用を伴うことで、MEMSアレイによって受信されたマイクロ波画像の可視画像を提供することができる。この方法において、MEMSは、GHz及びTHz放射のための撮像アップコンバータ(変換器)として機能することができる。
任意に設けられる基準MEMSは、入射RF信号から遮断されていてよく、これにより基準として機能することができる。このような構成においては、撮像MEMS素子と、基準素子として機能するMEMS素子との両方を駆動する付加的な駆動部を、アレイ素子に加えることができる。基準MEMSを使用することで、温度又は湿度の変化などのセンサーの周囲の条件の変化から起きることのある感知上の障害(アーチファクト)を最小化することを可能とすることができる。基準振動を加えることで、入射信号と基準振動との間の周波数の変化を決定して、それによって受信信号の周波数を与えるために、付加的な測定を行うことができる。
図5を参照すると、本発明の一態様に従う装置において使用するための反射型電極500が示されている。図5に示されるように、MEMS510は反射型であってよく、又、適切な波長領域の電磁波の受信によって外部電界がそれに適用された時に線形的な方法で移動するように設計することができる。MEMS510は、素子上に静的な電界を提供する共通電極に対する自身の接近に起因して、偏位され得る。MEMSの電位が変化すると、素子と共通電極520との間の電荷差が変化して、素子に自身の共通電極に対する間隔又は位置を変えさせることができる。MEMS510は、反射型であってよく、例えば、光学干渉計内の能動素子となるように線形的な方法で移動することができる。又、図6を参照すると、光ファイバー型ファブリ−ペロ干渉計を利用した本発明の一実施形態が示されている。ファブリ−ペロ干渉計は、用いることのできる1つのタイプの干渉計となり得るものであり、光ファーバーの開口内にて光が通過し、次いでMEMSから反射し戻されるための線形(直線状)の経路を提供することができる。このような構造は、光ファイバーを通して進行する光源からの光がMEMSに反射されること可能とし、又それがファイバー内に戻されて通過する時に増加的干渉又は減殺的干渉のいずれかが起こることを可能とすることができる。ファイバーの反対側の端部では、戻ってくる光を分離することができ、又その強度を測定してRF信号が受信されたかを決定することができる。図6は、光検出器及び集光系660、ビームスプリッタ620、光源610、光ファーバー666、及び誘電体フィルター667のスタック(これはファブリ−ペロ干渉計をつくるために用いられる)を示している。アンテナ670は、MEMS膜ミラー671に直接接続される。これにより、ミラーが前後に振動する時に、それがスタックとミラーとの間で波長を変化させることになる。従って、ミラーがどのように移動するか、又、干渉計がどのように曲げられるかによって、干渉計は明るい反射と黒色との間で変化することになる。グラウンド層(接地平面)672は、アンテナ及びMEMSが電荷の観点で共鳴するためのものである。
本発明の一態様によれば、百代のGHz及びTHz周波数における非常に高い周波数のパルスの検出を達成することができる。このような信号を検出するための斯界におけるその他の試みは、熱応力、又は、レーザービームにおける偏り(偏光)変化を引き起こす光学的な相互作用、のいずれかへの信号の変換を含む。本明細書に記載される技術は、受信信号を検出するためにMEMS素子を利用する。
図7を参照すると、本発明の一態様に従うMEMS共振ボックスセンサーが示されている。このアプローチでは、MEMSは均衡(平衡)状態の電界中に配置することができ、この電界はMEMSの一方の側面上に与えられる受信信号によって均衡を失わされる。この不均衡化は、MEMSを、最初の電界を供給する駆動源の振動によって引き起こされるものとは異なる方法で振動させることができる。この不均衡化された振動は、電気的手段又は光学的手段のいずれかで検出することができる。図7は、箱型(ボックスタイプ)のMEMS共振器710と、電気的に接地(接地電位に接続)されたアンカー(固定部)780とを含む。検出電極760は、MEMS共振器710の位置を感知し、駆動電極711は、その1つがアンテナ770に接続されている。駆動信号発生器778は、MEMSを既知の振動モードで駆動するための位相シフト遅延777を生成する。アンテナが信号を受信した時に、位相は変化することになり、又MEMS共振ボックスにトルク(回転力)を与えることになる。
より詳細には、共振ボックスは、1GHz周波数範囲において作動し、THz周波数の平行信号がボックスの両側面に適用されることによってTHzを感知する。これらのパルスは、所望の検出波長の近傍の周波数における単純な矩形波である。ボックスは、入射信号のための、接地への経路である。第1のアプローチでは、ボックスの両側面が同じ駆動信号を受信するので、ボックスは動かない。次いで、受信信号は、ボックスの一方の側面上の信号と相互作用することができる。この相互作用は、2つのパルスの位相が一致している場合の信号のマグニチュードの増加、2つのパルスの位相がずれている場合の信号のマグニチュードの減少、又は、2つの信号のいずれよりも低い周波数の振動をもたらすうなり周波数相互作用、のいずれかになることになる。これらいずれの場合においても、入射信号が適用される側のボックス上のポテンシャル場が、基準信号のみが適用される側と比較して変化させられる。次いで、この変化はボックスを振動させ、又次いでこの動きは例えば光学的技術又は電気的技術によって検出することができる。S/N比(信号対ノイズ)を最大化するために、センサーが第2のボックス共振器をも必要として、比較器として機能し、従って寄生容量、熱的問題、振動などに対処することがある。
図8は、アンテナ870、MEMS共振器810及び電気的に接地されたアンカー880を示している。検出電極860は、MEMS共振器810の位置を感知する。図8は、図7の装置と同様であるが、更に2個の駆動電極811が追加されている。この構成は、MEMS共振器の一端部のみ(即ち、図7の場合の一側面ではなく)にトルクを与えることによって、アンカーポイント(固定点)880の周りにより高い回転共振(回転共鳴)を生成する。図8〜10の実施形態においても位相シフト遅延は含まれているが、簡略化のために図示されていない。
図9を参照すると、2個の双極子アンテナ(ダイポールアンテナ)素子970と、図7のセンサーのための接点(例えば、金接触パッドの形態のもの)990とが示されている。特に、接点990は、アンテナとセンサーとの間に存在している。特に、各双極子素子は、共振器の異なる部分に接続されている。一方の双極子素子は1つの駆動電極911に接続されおり、他方の双極子素子はMEMS共振器910の中央に接続されている。従って、振動がMEMS装置に伝達されることになる。
図10においては、トルクを与えるポイントを変えることによって、受信信号の機械的なゲインを提供するために、図8のセンサーに対してオフセット(偏心)アンカー1080を任意で設けることができる。
例えば、1.6GHzまでの周波数で振動するように、共振ボックスカンチレバー構造又は共振コーム(櫛型)構造などのMEMS構造を用いることができる。
高周波振動は、MEMSに適用される電荷のどのような不均衡も高速に検出することを可能にする。本発明のセンサー設計は、共振構造のいずれの側にも電極を有するMEMSを組み込むことができる。更に、このセンサーは、MEMSの両方の側に駆動信号を供給するためのGHz又はTHz信号発生器を有していてよい。両方の側に適用される位相及び出力(電力)が実質的に一定であれば、MEMSは平衡状態、又は、安定した振動状態であることができる。駆動周波数と同様の周波数の受信信号がMEMSの一方の側に導入されると、駆動周波数との相互作用は、各信号の位相が一致している場合の一方の側の電位の増大、各信号の位相がずれている場合の一方の側の電位の減少、又は、各信号が同一の周波数のものでない場合のうなり周波数相互作用、のいずれかを引き起こすことができる。いずれにしても、MEMSの受信側の電位が変化することができ、MEMSの位置の変化又は検出に適した振動特性の変化をもたらすことができる。検出のために応力又は重さなど機械的性質の変化を利用する典型的なMEMSセンサーとは違って、本発明は、MEMSを、フィールド強度(電界強度)センサーとして駆動することができる。入射信号とMEMSとの間の相互作用は、MEMS又は関連した電極のいずれかにおける電荷(電気量)の変化に基づいていてよい。
受信信号の機械的なゲインは、受信信号を、ボックスMEMSの1つの角(コーナー)に投入することによって、又は別の非対称的な方法で投入することによって達成することができ、これによりそのボックスの反対側の端部をより大きく動かすような動揺振動を生起することができる。このような作用は、反対側の端部により少ない駆動エネルギーを適用するか若しくは該駆動エネルギーを適用しないで達成することができるか、又は、その機械的なてこの作用が反対側の端部をより大きく動かすように設計してMEMSを形成することによって達成することができる。
MEMSは、MEMS内の電荷シフトを生成するアンテナ構造又は検出材料を組み込むことができる。MEMS上のこの電荷の放電は、MEMSを接地(アース)に接続する電気回路によるか、又は指示(読み取り)の合間に放電経路を提供する接点又はMEMSスイッチによることができる。
入射信号とMEMSとの間の相互作用は、MEMSを共振器の構成要素として組み込むことによって増強することができ、その場合、受信信号の選択された周波数は、定常波共振を確立することができるか、又はその構造内で反射することができる。MEMS構造を用いて可変波長共振器を設計することが可能であり、その場合、MEMS素子は、受信信号を感知すること及びセンサーの共振周波数を変化させることの両方のために用いることができる。このような構成においては、検出素子は、選択された周波数範囲にわたって走査するために用いることができる。
電極及びMSMSの櫛形構造は、これら2つの間の相互作用を増強することができ、又容量変化による感知を提供することができる。光検出は、MEMSの動きを感知するために用いることができ、又受信信号のゲインを提供することができる。
ヘテロダイン受信機を作製するために2個のMEMS構造(アーキテクチャ)を組み込むことで、システムが検出結果のノイズレベルを検出すること、及び検出結果のノイズレベルを最小化することの両方を可能とすることができる。事実、このセンサーは、周囲環境中で作動でき、広帯域又はソリッドステート(固体)であってよく、又、例えばポータブルセンサー、走査アレイ及び撮像スターリングアレイなどの小型化が重要な用途において使用することを可能とすることができる。
図11は、光学的な窓として機能するピクセル(画素)アレイ基板1101を有する典型的な光電子MEMSアレイセンサー1100を示している。光電子ピクセルアレイ1103は、基板1101に接続された複数の光電子ピクセル1102(即ち、電気を発生するために使用される)を有する。接点1180(例えば、金ビーズで作製される。図13参照。)は、光電子素子内で発生された電荷を2個のMEMS素子1110、1112のうちの1つに伝達する。2個のMEMS素子1110、1112はそれぞれ、MEMSベース1109の上面の上に載っている一端部を有している。検出MEMS素子1110は、MEMS素子を検出電極1160に向けて曲げる電荷を蓄積し、又基準MEMS素子1112が設けられており、これは同様にして基準電極1162に接続されている。図11はまた、駆動電極1111と、ベース1199(例えば、シリコンで作製される)とを含んでいる。上述の光電子ピクセルの代わりに、圧電性ピクセル又は磁歪ピクセルを代替型検出素子として用いることができる。
図12は、図11において用いられる光電子ピクセルアレイ1103の平面図を示す。
図13は、図11中の選択部分13の拡大平面図を示す(即ち、ピクセルアレイ基板及び光電子ピクセルは簡略化のため省略されている)。
図14は、典型的なRF−MEMSアレイセンサー1400を示している。この独特のセンサーは、上述の光電子ピクセルアレイ1103の代わりにRFピクセルアレイ1403が利用されている点で、図11のセンサーとは異なっている。RFアレイ1403は、例えば、図14及び15に示されるようなH型アンテナピクセル/双極子1402などの、複数のRF装置を有する。図14では、受信信号をRFアレイ1403内の個々のRFアンテナピクセル1402に指向させるために、基板1401内の複数の導波路開口を利用している。
図15は、図14において用いられるRFアンテナピクセルアレイ1403の平面図を示す。
図16は、図14中の選択部分16の拡大平面図を示す(即ち、ピクセルアレイ基板及びRFアンテナピクセルは簡略化のため省略されている)。
スターリングRFアレイは、異なる周波数にて作動するように設計されたアレイの素子(群)を備える、本明細書に記載されるセンサーを伴って形成することができる。このような構成は、アレイが、対象となる帯域幅にわたって分配された周波数特異的素子(群)を備えた広帯域幅受信機の機能を実行することを可能とすることができる。このような構成においては、アレイは、撮像アレイであるように最適化されている必要はなく、その代わりに、その視野内にあるシーン(場面)のスペクトル分析を提供することができる。
上述の光電子ピクセルの実施形態を用いて、該光電子ピクセルを、放射(線)と相互作用して検出MEMSの電荷を変化させる電子を生成するように設計することによって、種々のタイプの放射(線)を検出することができる。例えば、IR(赤外線)、可視光線、UV(紫外線)、X線、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、及び中性子などの放射(線)タイプをこの方法において検出することができる。
このセンサー構造は、外部の信号又は刺激に反応する素子と、相互作用素子(例えば、光電子ピクセル)の反応を測定するために用いられるMEMS素子との間の設計を分離する能力を提供する。このことは、これらの構成要素のそれぞれの性能を最大化する能力を提供する。例えば、光電子ピクセルは、所望の感度及び開口(口径)を提供するように任意のサイズ又は形状にて作製することができ、一方でMEMS素子は、光電子素子によって生成される電気信号に対する最大の感度を提供するように独立して設計することができる。もしもMEMSが光電子ピクセルと同じサイズであることが求められるのであれば、それは光電子ピクセルからの電気信号に対する高レベルの感度を提供する能力を維持できないだろう。
GHz及びTHz撮像アレイは、例えば衣服の下又はパッケージ(包装)の内部に隠されたものなどの、隠された対象の画像を提供することを可能とすることができる。特定の周波数での撮像を用いること又はスペクトル走査を用いることで、スターリングアレイが視野内にある対象の化学分析を提供することを可能とすることができる。適切に設計された誘電体表面を用いることによって、スターリングアレイがRFカメラとなることを可能とし、それにより本発明によってつくられた光学的画像がそのセンサー設計のRF周波数におけるシーンの真像となること可能とするように、RFレンズを形成することができる。従って、アレイの各部分が異なる所望の検出領域に対して感応するように設計及び/又は最適化することにより、多帯域(マルチバンド)検出装置が提供される。例えば、連続的なスペクトルの広帯域分光計を提供するように、アレイの各素子は、前の素子からわずかにずらしてチューニングされる。その他のアレイ構造を採用してもよい。例えば、アレイの個々の素子を既知の化学物質又は化合物の特定の放射(発光)周波数に合わせてチューニングすることができ、これによりその既知の化学物質又は化合物に関連付けられたピクセルが活性化した時に、アレイがその既知の化学物質又は化合物の存在を知らせることができる。ミリメートル波及びTHzアンテナなどの複数タイプのセンサー材料を、種々の周波数における光電子ピクセルと一緒に用いることで、化学物質又は化合物を識別するために、広いスペクトル域を用いることができる。このような装置は、ハイパースペクトルのものとみなすことができるだろう。
上述のいずれの実施形態に関しても、THz基準信号の発生はいくつかの方法で行うことができ、そのうちの2つの例を以下に説明する。
1. 高速クロック回路を利用することで、周波数が10GHzまでのパルスを発生することができる。これらのクロック信号のうちの2つを取り、それらを位相がずれるように設計し、そしてそれらの信号を取り出して、固定の又は場合により調整可能な遅延線を通過させることによって、それらの位相のわずかなシフトを達成することができる。この2つの信号が組み合わされると、遅延線によって設定された遅延に起因して、パルスが一致(調和)する部分を除いて、信号のキャンセル(取り消し)がもたらされる。このことによって、THz領域内に設定され得る一連のパルスが提供される。この種の複数のクロックの組み合わせ(合成,結合)によって、持続波信号を発生することができる。別法では、共振MEMS装置を同様の方法において利用し、パルスを発生し、そしてそれを組み合わせて、又位相シフトを介して、より高い周波数のパルスをもたらすことができる。
2. THzパルスは、レーザーダイオードを利用して2つの異なる周波数における2つの光ビームを発生させ、次いでこの2つのビームをZnTe、GaPのような結晶又は特別に設計されたポリマースタックの内部で結合(融合,調和)させることによって、発生させることができる。2つのビーム間のうなり周波数は、THz領域内になるように設定することができ、そして結晶又はポリマー材料は、光信号をTHz出力に変換する。
本発明は、バイオハザード(例えば、核の放射線又は磁気放射)などの放射源を感知するために用いることができる。本発明のセンサーは、分光学的検出器(例えば、放射、吸収、又は発信などにおけるもの)の部分として機能することができる。このセンサーは、所望の波長に対する選択的な露出によって発動されるスイッチとして機能することもできる。
当業者は、本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、本発明の多くの修飾及び変更を行うことが可能であることを認識するだろう。従って、本発明の修飾及び変更は、添付の請求項及びその均等の範囲内にある場合には、本発明の範囲内に含まれるものであることを意図する。
Claims (4)
- 入射RF放射を感知するセンサーにおいて、
前記入射RF放射を受信するのに適したアンテナと、
前記アンテナに電気的に結合され、前記受信された入射RF放射の影響を受けるカンチレバーと、
前記カンチレバーへの前記影響を、前記受信された入射RF放射を示す測定可能な信号に変換するための変換器と、
前記測定可能な信号を感知するための検出器と、
を有し、
前記検出器で感知された測定可能な信号は前記受信された入射RF放射を示すことを特徴とするセンサー。 - 入射RF放射を感知するセンサーにおいて、
前記入射RF放射を受信するのに適したアンテナと、
前記アンテナに電気的に結合され、前記受信された入射RF放射の影響を受ける干渉計と、
前記干渉計への前記影響を、前記受信された入射RF放射を示す測定可能な信号に変換するための変換器と、
前記測定可能な信号を感知するための検出器と、
を有し、
前記検出器で感知された測定可能な信号は前記受信された入射RF放射を示すことを特徴とするセンサー。 - 入射RF放射を感知するセンサーにおいて、
前記入射RF放射を受信するのに適したアンテナと、
前記アンテナに電気的に接続され、前記受信された入射RF放射の影響を受ける構造と、
前記構造への前記影響を、前記受信された入射RF放射を示す測定可能な信号に変換するための変換器と、
前記測定可能な信号を感知するための検出器と、
を有し、
前記検出器で感知された測定可能な信号は前記受信された入射RF放射を示すことを特徴とするセンサー。 - 入射RF放射を感知する方法において、
前記入射RF放射を受信する工程と、
前記受信された放射を変換器に結合する工程と、
前記結合された受信された放射を検出可能な信号に変換する工程と、
前記検出可能な信号を測定する工程と、
を有することを特徴とする方法。
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