JP2008520066A - 集束イオンビームのデータ解析システムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title description 15
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 title description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 157
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 13
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 abstract description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 41
- 238000002406 microsurgery Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000012942 design verification Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical group Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010859 live-cell imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000033772 system development Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本発明は、FIB加工エンドポインティングオペレーションを向上させるシステムおよび方法に関する。この方法は、加工されているエリアのリアルタイム画像と、ピクセル強度のリアルタイム図形プロットとを生成することを含み、既存のFIBシステムによって生成された画像およびプロットに対して検出感度を向上させるものである。画像およびプロットは既存のFIBシステムから得られた生の信号データを用いて生成される。より具体的には、生の信号データは、画像を生成するための特別なアルゴリズムに従って処理される。このアルゴリズムは、画像と、対応する強度グラフを生成するためのものであり、これら画像およびグラフは信頼性の高い正確なエンドポイント検出に使用される。
Description
本発明は、一般に荷電粒子ビームシステムに関するものである。特に、本発明は、集束イオンビームFIBシステムからの信号データを処理するための装置およびシステムに関するものである。
集束イオンビーム(FIB)顕微鏡システムは、1980年代半ばから商業的に生産されており、今では半導体デバイスを市場に速やかに送るために欠かせない一部となっている。FIBシステムは、細く、集束された荷電粒子のビームを生成し、このビームをブラウン管のようにラスタ方式で試料に走査させる。荷電粒子が負に帯電した電子からなる走査電子顕微鏡とは違って、FIBシステムは荷電した原子を用いてビームを生成する。以下、荷電した原子をイオンという。これらのイオンは、一般に、正に帯電している。
これらのイオンビームは、半導体サンプルに当たったときに、サンプルの露出した表面から、二次電子、二次イオン(i+またはi−)、中性分子、および原子を放出する。ビームを試料を横切るように移動させ、いくつかのビームパラメータ、例えばビーム電流、スポットサイズ、ピクセル間隔、ドゥエル時間などを制御することにより、材料のビームが当たった箇所を選択的に除去することができる「原子スケールのフライス盤」としてFIBシステムを機能させることができる。線量、すなわちサンプルの表面に当たるイオンの量は、一般に、ビーム電流、走査期間、および走査面積の役割を持つ。放射された粒子は、検出器により検知することができる。そして、検知されたデータを、入射ビームがサンプルと相互に影響しあうときの既知のビームポジションに関連付けることにより、画像を生成し、オペレータに表示することができる。
図1は典型的なFIBシステムを示す模式図である。FIBシステム10は、真空排気された容器11を具備している。この容器11は上首部12を有する。この上首部12の中には、液体金属イオンソース14と集束カラム16を有している。集束カラム16は、引き出し電極と静電光学システムを具備している。イオンビーム18はソース14からカラム16を通り、符号20で模式的に示す静電偏向手段の間を通ってサンプル22に向かう。サンプル22は、例えば、下チャンバ26内の可動X−Yステージ24上の半導体デバイスである。イオンポンプ28は首部12を真空排気するために使用される。チャンバ26は、真空コントローラ32のコントロールのもと、ターボ分子ポンプおよびメカニカルポンプシステム30により真空排気される。真空システムはチャンバ26内を約1×10−7Torrから5×10−4Torrの間で真空を形成する。エッチング促進ガス、エッチング抑制ガス、成膜先駆ガス、または他の反応性または非反応性ガスが用いられる場合は、チャンバのバックグランド圧力は、通常約1×10−5Torrに上げられる。
高圧電源34は、液体金属イオンソース14と、集束カラム16内の適切な電極とに接続されており、イオンビームを方向付ける。偏向コントローラおよび増幅器36は、パターン生成器38により予め定められたパターンに従って操作され、偏向プレート20に連結されている。荷電粒子増倍管検出器40は、画像化のために二次イオンまたは電子の放出を検知する。この検出器40はビデオ回路および増幅器42に接続されている。増幅器42はビデオモニタ44に駆動力を供給し、またコントローラ36からの偏向信号を受信する。ドア48はサンプル22を挿入してステージ24上に置くために設けられている。ステージ24は加熱または冷却されていてもよい。集束イオンビームシステムは、さまざまなメーカーから購入可能であるが、図1に示すシステムがFIBシステムの1つの典型的な形態である。
FIBシステム10によって実行されるビームラスタ動作には、画像化、破砕、ガスにアシストされたエッチングまたは成膜が含まれる。このビームラスタ動作の間、FIBビーム偏向ソフトウェアおよびハードウェアは、表面を横切るように所定のパターンに沿ってビームを偏向させる。これは一般にラスタリングと呼ばれる。各プリセット位置では、ビームは、ラスタの次のポイントに移る前に、所定の時間その場に停滞する。最もシンプルには、ラスタのパスはスタートポイントからエンドポイントまで第1の軸に沿って、定められたインクレメントでビームを偏向させ、固定されたドゥエル時間だけ各ポイントで停滞させることから構成される。ラインの端部では、あるインクレメントだけ第2の軸を移動する前に、ビームは定められた逆戻り時間だけ待機する。ビームは第1の軸のスタートポイントに戻って再度スタートしてもよく、ちょうど到着したポイントから第1の軸を「カウントダウン」してもよい(これは、ラスタタイプがラスタ(前者)であるかS字型(後者)であるかに依存する)。このプロセスは、両方の軸のすべてのインクレメントが起こるまで続けられ、ビームは走査の際、すべてのポイントで停滞する。
設計検証のためのマイクロサージェリーオペレーションにFIBシステムが用いられること、または不具合のある設計を修正するために用いられることは、この技術分野に属する通常の知識を有する者にとって十分理解されることである。これは、物理的に金属線を「切る」こと、または導電体を短絡させるために金属線を選択的に堆積させることを含むことができる。従って、FIBシステムテクノロジーは、プロトタイピングや設計検証を、再製作に要する数週間または数ヶ月間というより、数日または数時間で可能とする。このFIB「ラピッドプロトタイピング」は、しばしば「FIBデバイスモディフィケーション」、「サーキットエディティング」、または「マイクロサージェリー」と呼ばれている。そのスピードおよび実用性から、FIBマイクロサージェリーは、競争が激しい半導体産業において、製品化に要する時間を短くするために不可欠なものとなりつつある。
FIBマイクロサージェリーが半導体回路の設計検証に有益である一方、この装置の有効な使い方は、加工プロセスの正確なコントロールにある。現在の集積回路は、導電性金属と層間絶縁膜とが交互に積層される多層構造を有しており、パターンが形成されたエリアを有する多くの層を有する。従って、加工レートおよびイオンビーム加工の効果は、デバイスの領域ごとに大きく異なる。
残念ながら、FIBオペレータは、対象となる金属線が十分に露出したか、または完全に切断されたときに、加工プロセスを停止させる責任を負う。このプロセスは「エンドポインティング」として知られている。エンドポインティングは、FIBシステムのユーザーインターフェースディスプレイに表示される画像または図形情報をオペレータが調べることより行われる。多くのデバイスモディフィケーション作業では、ある特定の層が露出したときにできるだけ速やかに加工プロセスを停止させることが好ましい。エンドポインティングが不正確であると、加工されたデバイスの誤った分析を招いてしまう。古いFIBシステムを用いて最先端の半導体デバイスの製造すると、オペレータが識別することができる画像や図形情報を提供することができない。この理由の一つは、古いFIBシステムは、古い世代の半導体デバイスに最適化されたイメージングシステムを持っているからである。
特に、半導体デバイスの構成がサブミクロンから100nmを下回るサイズに微細化されるにつれて、より少ないイオンビーム電流を用いて、より小さい孔を高いアスペクト比で形成することが必要となっている。少ないイオンビーム電流は、エンドポイント検出およびイメージングに使用可能な二次電子およびイオンの数を大幅に減じる。これに加え、FIBガスにアシストされたエッチングは、導電性材料から構成されるガス供給ノズルを導入する。この部品は、イオンビームイメージングまたはイオンビーム加工中に荷電されてしまうことを防ぐために接地される。ノズルとサンプル表面との近さはシールド効果を生み、これが二次電子検出レベルを低下させる。
FIBオペレータは、典型的には、加工されているエリアのリアルタイム画像、およびリアルタイムの図形データプロットを頼りに正しいエンドポイントを判断する。通常、FIBオペレータは、加工されたエリアの明るさの変化を視覚的に探ってエンドポイントを判断する。このような変化は、金属/酸化物の境界などの、異なる材料間を加工が移行していることを示している場合もある。
図2は、現在のFIBシステムによるリアルタイムイメージングの問題点の一例について説明する。FIBシステムは、各ドゥエルポイントでデータを生成するが、既存のマイクロサージェリーソフトウェアがこのデータを表示するかどうかは、多くのファクターに依存する。このファクターには、FIBが動作する特定の視角(FOV,顕微鏡の選択された倍率に直接関係する)、各軸に沿った望ましいインクレメントの間隔、ポイントごとのドゥエル時間などが含まれる。ここで、0.1μm×0.1μmの寸法を有する正方形の加工ボックス60を10μmFOV(符号62で示す)で加工する例を挙げる。ボックス62は、FIBシステム10のモニター上の見えるエリアを表す。ただし、エリア60,62は縮尺通りではない。オペレータは、サンプルの表面上の加工ボックス60の位置を正しく判断するために、典型的には、そのような視角を用いることを選択する。ユーザーインターフェースモニターに表示されたイメージングエリアは、1024ピクセル×1024ピクセルをやや下回るが、FOVは、x軸およびy軸では正確に1024ピクセルに分割される。このFOVでは、各スクリーンピクセルは10nm×10nm未満であり、スクリーン上の10ピクセル×10ピクセルを占める0.1μmの正方形のボックス(100nm×100nm)は、ユーザーに見える総数100ピクセルの「データポイント」となる。加工用のボックスのパラメータが0.005μm×0.005μm(5nm)の間隔に設定されている場合には、1本のパスでは、FIBは各ボックスの軸の(100nm/5nm)+1=21ポイントに正確に停滞し、441個のドゥエルポイントの情報を生成する。この条件下では、FIBは、そのディスプレイエリア(0.1μmボックス幅/10μmFOV)の幅のわずか1%の領域において、前記生成した情報を表示する。
イメージエリアが小さいこと、および電子検出のレベルが低いことから、リアルタイム画像は、FIBオペレータにとってエンドポイント検出のためには有効ではない。なぜならば、イメージの変化が視覚的に極めて検知しづらいからである。さらに、ディザリングなどのデータ前処理を実行するFIBシステムもあるが、この前処理のために、最先端の半導体デバイスの正しいエンドポイントを判断する際に、実際にオペレータが確信を持って判断することができなくなってしまう。
リアルタイムイメージングを補うために、線量/深さに対するピクセルの強度のグラフは、加工操作中にリアルタイムでプロットされる。加工された画像とグラフは、いずれも同時にユーザーモニターに表示される。図3はFIBオペレータによる正しいエンドポイント検出に用いられる典型的な図形的なプロットである。この例では、図形的なプロットは、図2に示す小さな加工ボックス62から生成される。最先端の半導体デバイスをマイクロサージェリーする間、グラフは8ビットのピクセル強度(0−255)を線量/深さに対してプロットする。プロットはエンドポイント検出の経験的な指標をオペレータに提示することを意図している。オペレータが正確にエンドポイントを判断するためには、典型的には、金属と酸化物との間の移行は鮮明にプロットに表されていなければならない。このような現在の手法にある問題点の1つは、多くの機器で見られる8ビット(0−255)スケールなどの固定スケールでデータをプロットすることから生じている。このような機器では、より微妙な変化を示すために大きくリスケーリングすることは行われていない。より大きな問題は、実際のドゥエルポイントが21×21=441であるにもかかわらず、現在のシステムは、10ピクセル×10ピクセルエリア上に表示されたデータから得られた上述の100ピクセルデータポイントに基づいて分析を行っていることから生じる。このため、現在のシステムでは、使用可能なデータの4分の1未満のものが処理され、強度の小さい移行をさらに小さくしてしまう。これら2つのファクターが組み合わさって現在のシステムの検出感度を低下させる。
従って、FIBオペレータによるエンドポイント検出の成功の可能性は低く、正常な設計検証の可能性も低くい。このため、新しい設計の好ましいデータが得られなく、より間違った結果を招き、これが最終デバイスに誤った設計変更を伝播させる原因となる。最先端の半導体デバイス用に調整された新たなFIBシステムを導入することもできる。しかし、古いFIBシステムを交換するコストは極めて高い。FIBシステムのファームウェハまたはハードウェアを改造することは、一般に禁止されている。これは、FIBシステムの改造は、システム検証および製造メーカーの保障を無効とするからである。
半導体材料に含まれる化学物質を分析または検出するためのSIMS(二次イオン質量分析)システムにおいては、ソフトウェハはある特定の化学物質が検出されるエリアを強調表示することで画像を強化する開発が進められている。しかしながら、SIMS操作はエンドポインティングを必要としない。実際に、SIMSオペレータは、イオンビームがどの材料の層を破壊するかを気にすることなく、プロセスをストップするタイミングを任意に決定することができる。マイクロサージェリーでは、サーキットエディティングが行われた後、デバイスが電気的に動作することが一般に必要とされている。SIMSでは、そのような要請はなく、実際には、完全でない(典型的には、導電層が形成されていないむき出しのシリコンだけの)デバイスであって動作しないものに対してSIMSを行うことがしばしば要請される。事実、半導体デバイスにとって、破壊された構造からのパーティクルの放出は、その化学成分を判断するために必要とされることである。これに対し、例えば、FIBエンドポイント操作では、ある特定の構造を破壊しないようにいつ加工を止めるべきかを正確にコントロールすることが必要である。
これに加えて、デバイスがより複雑になるに従い、マイクロサージェリーを正しく実行するために必要な操作数は、通常増加し、これらの操作も複雑となる。マイクロサージェリーのすべての要素(すなわち、ある配線の切断や他の配線間の接続)が正しく機能することが通常要求される。マイクロサージェリーが行われた後は、マイクロサージェリーによって実行された設計変更が所望の結果をもたらしているかどうかを判断するために、デバイスのテストをする必要がある。このテストプログラムおよびテストシステムの開発方法はその技術分野では広く知られている。もし、デバイスが期待通りに機能しない場合には、どの部分が正しく機能していないかを分析して判断するためのデータを生成することは、このテストシステムにとって共通することである。
サーキットエディティングのタスクがより複雑になると、予期していた機能が得られえなかった原因が設計の欠陥にあるのか、またはマイクロサージェリーを通じて実行された設計のエラーによるものなのかが判断できないという問題が生じる。現在では、マイクロサージェリーのオペレータは、サーキットエディティング過程の間に取得された少数のデジタルイメージに頼らなければならず、何がうまくいかなかったために観察された結果が得られたのかはオペレータの記憶に頼らなければならない。時間が経過し、他のマイクロサージェリータスクが行われていくに従い、オペレータがある特定のサージェリーのすべての要素を思い出すことは難しい。サージェリー終了後に、テスト結果が極めて早く得られたとしても、すべてのオペレータがタスクのすべての点を思い出すことは不可能である。
従って、FIBシステムにおいては、エンドポイント検出を向上させる方法を提供することが望まれている。
本発明は、従来のエンドポイント検出手法の少なくとも1つの欠点を取り除く、または軽減することを目的とする。特に、本発明は、変化に対する検出感度を向上させる画像およびエンドポイント図形を生成することを目的とする。
第1の態様では、本発明は、材料の加工などの荷電粒子ビームシステム操作におけるエンドポイント検出を向上させる方法を提供する。この方法は、ドゥエルポイントの強度値を受け取り、ドゥエルポイントの強度値を処理し、ドゥエルポイントの強度値の合計をプロットする。より具体的には、前記受け取るステップは、CPBシステムにより生成された各フレームからのドゥエルポイント情報を受けることを含む。この場合、前記情報には、ドゥエルポイントの強度値が含まれる。前記処理のステップは、フレームの第1の番号の第1の対象領域のドゥエルポイントの強度値を処理してラスタデータを取り出すことを含み、さらに前記第1の領域が定義されるときに、ラスタデータをイメージパレットにマッピングし、得られたラスタ画像を表示することを含む。前記プロットするステップは、フレームの第2の番号の第2の対象領域が定義されたときに、この第2の領域のドゥエルポイントの強度値の合計を、荷電粒子線量またはラスタリング時間に対するエンドポイントグラフ上にプロットすることを含む。
この態様の実施形態によれば、所定の時間間隔、または所定の線量増加、またはフレームの所定の番号のいずれかの後にマッピングされ、表示される。ドゥエルポイントの強度値の合計は、所定の時間間隔、または所定の線量増加、またはフレームの所定の番号のいずれかの後にマッピングされる。第1の番号は自動的に計算され、ラスタ画像が得られる。このラスタ画像は、変化に対するリアルタイム反応の外観を有し、またライブラスタ画像全体のノイズ比に対して改善された信号を有する。各ラスタデータは、フレームの第1の番号のドゥエルポイントの強度値を合計し、選択された最小値から選択された最大値までのラスタデータを所定のスケールでリスケーリングすることによって処理できる。選択された最小値以下のラスタデータの値は新たな最小値となり、選択された最大値以上の値は新たな最大値となり、新たな最小値から新たな最大値まで及ぶ他のイメージパレットがマッピングされる。好ましくは、所定の時間間隔が経過するか、または所定の線量増加を受けるか、またはフレームの所定の番号が経過するまでは、イメージパレットにマッピングされたラスタデータは変化しないままである。
更なる実施形態では、前記方法は、現在のラスタデータと所定の数だけ前のラスタデータとの差異から差異表示イメージを生成するステップを含む。前記所定の数だけ前のラスタデータは、それぞれパーセンテージを減少させることによって重み付けられる。イメージパレットは、複数の色を含む。これにより、グレースケールのパレットに比べて、得られたラスタ画像の変化をより効果的に認識することができる。
さらに他の実施形態によれば、前記方法は、荷電粒子ビームシステムがイメージモードにあるか否かを判断し、視角またはサブセット視角をイメージングするためのイメージングモードオペレーションに対応するものとしてフレーム情報を分類するステップを含む。イメージングモードオペレーションのためのフレーム情報に対応するイメージは、イメージングモードウインドウに表示され、ラスタ画像はラスタモードウインドウに表示される。本実施形態の好ましい態様は、イメージングモードウインドウは、フレーム情報がイメージングモードオペレーションとして分類された場合には、最前面にくるようになっており、ラスタモードウインドウは、フレーム情報がラスタオペレーションとして分類された場合には、最前面にくるようになっている。または、前記ラスタ画像はスケーリングされ、イメージモードウインドウ上の正しい位置に置かれる。
更なる実施形態によれば、前記処理およびプロットするステップは、複数の対象領域およびフレームの可変番号用に2回以上繰り返される。または、前記処理およびプロットするステップは、第1の対象領域およびフレームの可変番号およびイメージパレット用に2回以上繰り返される。または、前記プロットするステップは、最も小さい面積を持つ対象領域のみについて実施されてもよい。
この態様の他の実施形態では、前記方法は、次の保存のために、ラスタデータからサムネイルデータを生成することを含む。このサムネイルデータの生成は、所定の時間間隔、または所定の線量増加、またはフレームの所定の番号のいずれかの後にラスタデータをスケーリングすることによって行われる。前記方法は、1以上のイメージパレット、荷電粒子ビーム電流、移送された荷電粒子線量、ラスタリング時間、およびサムネイルデータに対応するエンドポイントグラフデータの1つ以上を保存することができる。エンドポイントグラフおよび少なくとも1つのサムネイルイメージは、イメージパレットを少なくとも1つのサムネイルデータに適用することで構築され、表示可能となる。各サムネイルイメージは、エンドポイントグラフ上の1つの対応する強度値と相互参照される。この相互参照は、エンドポイントグラフ上の値を選択することで最も近い相互参照されたサムネイルを表示させるように行われる。前記方法は、サムネイルデータの平面内の線分を定義することで、断面イメージを構築し、そして断面イメージの列を生成するステップを含むことができる。この列の生成は、各サムネイルデータの線分に沿った強度値を分析し、各列を上から下まで連続的に積み重ね、断面イメージの水平軸がスペースに対応し、垂直軸が時間又は線分に対応するようにする。好ましい態様では、前記分析するステップは、線分のいずれかの端部上のベクトルであって、所定長さを持ち、該線分に垂直なベクトルに沿って強度値を平均化するか、または積分することを含む。前記方法は、エンドポイントグラフと、所定のイメージパレットを少なくとも1つのサムネイルデータに適用することによって構築される少なくとも1つのサムネイルイメージと、断面イメージとを表示するステップを含むことができる。この場合、各サムネイルイメージは、エンドポイントグラフ上の対応する1つの強度値、および断面イメージの1つの列と相互参照される。エンドポイントグラフ上のポイントを選択することで、最も近い相互参照されたサムネイルイメージを表示させ、断面イメージの相互参照された列を示させる。または、断面イメージ上の列を選択することで、相互参照されたサムネイルイメージを表示させ、エンドポイントグラフ上の相互参照されたポイントを示させる。
更なる態様では、前記第1の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアに設定される。または、前記第1の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアのサブセットに設定される。サブセットは、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントを排除するように選択されることができる。前記少なくとも1つのラスタ形状は、少なくとも1つの内部境界線を持つことができ、この場合、サブセットは、少なくとも1つのラスタ形状の内部境界線から他の所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることができる。前記第1の対象領域は、フレーム内でオーバーラップする少なくとも2つのラスタ形状によって占められるエリアの結合に設定されることができる。または、前記第1の対象領域は、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることができる。
さらに他の態様では、前記第2の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアに設定される。または、前記第2の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアのサブセットに設定される。サブセットは、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントを排除するように選択されることができる。前記少なくとも1つのラスタ形状は、少なくとも1つの内部境界線を持つことができ、この場合、サブセットは、少なくとも1つのラスタ形状の内部境界線から他の所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることができる。前記第2の対象領域は、フレーム内でオーバーラップする少なくとも2つのラスタ形状によって占められるエリアの結合に設定されることができる。または、前記第2の対象領域は、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることができる。
本態様の他の実施形態では、CPBシステムにより生成された各フレームからの情報、およびCPBシステム操作パラメータは、処理およびプロットのステップに従い、次の復旧および処理のために保存することができる。プロットステップは、y軸を新たな範囲にリスケーリングすることを含んでもよい。この新たな範囲はエンドポイントグラフ上に表示されるx軸の範囲に亘って合計されたドゥエルポイントの強度値の全てを含むものである。前記リスケーリングは、合計されたドゥエルポイントの強度値が変化したことを判断するための識別を容易にするためである。
第2の態様は、本発明は、材料の加工などの荷電粒子ビームシステム操作におけるイメージング方法を提供する。この方法は、ドゥエルポイントの強度値を受け取り、ドゥエルポイントの強度値を処理する。より具体的には、前記受け取るステップは、CPBシステムにより生成された各フレームからのドゥエルポイント情報を受けることを含む。前記情報には、ドゥエルポイントの強度値が含まれる。前記処理のステップは、フレームの番号の対象領域のドゥエルポイントの強度値を処理してラスタデータを取り出し、前記ラスタデータをイメージパレットにマッピングし、そして得られたラスタ画像を引き伸ばして表示することを含む。前記ラスタ画像の引き伸ばしは、第1の軸においては、ゼロよりも大きい第1の所定の因数だけ、第2の軸においては、ゼロよりも大きい第2の所定の因数だけ引き伸ばすことで行われる。
本態様の実施形態では、前記第1の所定の因数および第2の所定の因数は等しくてもよく、または第2の所定の因数は第1の所定の因数よりも大きくてもよい。
本発明の他の態様および特徴は、添付する図面を参照して以下に説明する本発明の具体的な実施形態の記載から、本技術分野における通常の知識を有する者にとって明らかになるであろう。
本発明は、一般に、FIB加工エンドポイント検出オペレーションを向上させるための方法を提供する。この方法は、加工されているエリアのリアルタイム画像と、ピクセル強度のリアルタイム図形プロットとを生成することを含み、既存のFIBシステムによって生成された画像およびプロットに対して検出感度を向上させるものである。画像およびプロットは既存のFIBシステムから得られた生の信号データを用いて生成される。より具体的には、生の信号データは、画像を生成するための特別なアルゴリズムに従って処理される。このアルゴリズムは、画像と、対応する強度グラフを生成するためのものであり、これら画像およびグラフは信頼性の高い正確なエンドポイント検出に使用される。特に、表示される画像は、加工された材料の変化に関するより視覚的な情報を含み、一方で、強度グラフはピクセル強度データを、動的に調整するスケールにプロットし、加工された材料の相対変化を動的に強調する。同様に、現在のシステムと同じように、サブセットではなく、システムによって生成されたすべてのドゥエルポイントデータを解釈する。この補完的な情報は、既存のFIBシステムに連結されたFIB分析ステーションのモニタに表示される。
次に、明細書に用いられる特別な用語および表現の定義を示す。
ラスタ形状とは、荷電粒子ビームによってラスタ処理された形状であり、典型的には、ただし限定されないが、矩形状のエリアであって幅Wおよび高さHを有し、始点(u0,v0)と、ラスタステップサイズduおよびdvとを有する(u,v)座標内に定義される。ラスタ形状は、各ドゥエルポイント用のドゥエル時間の固定された、または可変のコレクションを含み、さらにドゥエルポイントがラスタ処理されたか否かを判断するのに用いられる「マスク」を含むことができる。ラスタ形状は、また、例えば、多角形および線分から構成され、これらは始点(u0,v0)とラスタステップサイズduおよびdvとを有する(u,v)座標内に、対応するドゥエルおよびマスク情報とともに定義される。最も一般的には、ラスタ形状は、各離間位置においてビームがどれだけの時間停滞したかを示す情報を伴う、単にラスタ処理された座標のリストである。より高いレベルでは、ラスタ形状は、W,H,u0,v0,du,dvのようなパラメータ化された情報や、ドゥエルマスクおよびドゥエル時間の情報から構成される。これら情報は、強度値の数列の中のある強度値のインデックスが既知であるときに、ビームの予想される位置を再構築するのに必要である。
フレームは、既知の始点および終点を伴うドゥエルポイントデータの集合である。この始点および終点は、強度値およびビーム位置の情報を1以上のラスタ形状の形式で有する。1つのフレームの終了と他のフレームの開始は、次の3つの観点が引き金となって起こる。すなわち、形状、時間、線量である。形状の観点からは、ビームがラスタ形状の集合の最初のn番目のパスのラスタ処理を開始したときにフレームは開始され、ビームがラスタ形状の集合の最後のn番目のパスのラスタ処理を終了したときにフレームは終了する。時間の観点からは、1つのフレームが終わって、所定の時間が経過した後に新たなフレームが始まる。線量の観点からは、1つのフレームが終わって、所定の数の荷電粒子がターゲットのあるエリアに導かれた後に、新たなフレームが始まる。
対象領域(ROI)は、エリアまたは形状ベースで定義可能なフレーム内のデータの選択されたサブセットである。ROIは任意に構築されてもよく、またはフレーム内のラスタ形状の一部またはすべてに選択基準を適用することによって構築されてもよい。選択基準の一例は、「ラスタ形状内にあるすべてのドゥエルポイント。ただし、ラスタ形状の境界線上にあるものを除く。」である。対象領域の内部にあるドゥエルポイントは処理され、対象領域の外部にあるドゥエルポイントは無視される。対象領域が定義されていない場合は、すべてのドゥエルポイントが無視され、ゼロのデータがその操作のために処理される結果となる。初期設定では、対象領域はフレーム内の全てのラスタ形状によって占められるエリアである。
図4は、図1に示すFIBシステム10と本発明の実施形態に係るFIB分析ステーション100との一般的な関係を示すブロックダイアグラムである。FIB分析ステーション100は、FIBシステム10とは独立した処理アルゴリズムで画像およびデータを処理する独立のシステムとしてもよく、またはホストFIBシステムに統合されたシステムであってもよい。FIB分析ステーション100は、古いFIBシステムを「改良」するのに用いることができ、さらにFIB分析ステーション100の機能は新しいFIBシステムの組み立て/設計の間に統合することができる。多くのFIBシステムは、FIBシステム10の特定の機能をコントロールするためのアクセス可能なコンソールと、該コンソールに挿入される着脱可能なボードとを有する。1つ以上のこれらのボードを通じてピクセルデータの流れが送られる。一旦、適切な信号ラインが特定されると、適切なハードウェアインターフェースがボードと結合され、信号を「傍受」する。これら信号は、動作の間、FIBシステム10の他の部分に送られる一方で、FIB分析ステーション100にも受信される。FIB分析ステーション100に取得された信号データは、偏向値、処理されていないx−y座標およびピクセル強度データを含み、これらは既存のFIBコンピュータに送られる。FIBコンピュータは、AIX(Advanced Interactive eXecutive by IBM)操作システムおよびFIB供給メーカーから供給されるマイクロサージェリーソフトウェアを実行するシステムである。FIB操作パラメータはFIBシステムAIXコンピュータからビームコントロール回路に送られる。
好ましくは、FIB分析ステーション100は、マイクロプロセッサ、メモリ、大容量記憶装置を含む。典型的には、これらはモニタとFIBシステムハードウェアインターフェース102を有するコンピュータワークステーションとして具現化される。図4に示す実施形態では、ケーブルはワークステーションにデータを送る手段である。しかしながら、いかなる送信手段を用いてもよい。FIBシステムの既存のイメージ処理およびFIB分析ステーション100は並列にかつ独立に運転される。FIB分析ステーション100は受動的であり、FIBシステムの操作機能をコントロールしない。従って、必要な信号が特定され補足しさえすれば、あらゆるFIBシステムを改良することができる。FIB分析ステーションはFIBシステムと交流しあって操作機能を提供することが好ましいが、必須ではない。
FIB分析ステーション100は、多くのFIBシステムがほとんどすべての加工モードでは「連続的なピクセル生成器」として動作することを利用する。これは、FIBシステム10などのFIBシステムは行列データの矩形状のストリームを各ラスタパス用に生成ことを意味する。この場合、列または行に隣接するドゥエルポイントは互いに「近所」関係を有することができる。この「近所」関係はユーザーによって知覚される画像を向上させるために、有効利用することができる。すなわち、画像を拡大する(つまり、加工ボックス内のドゥエルポイントよりも多くのピクセルをディスプレイ内に生成する)ために、隣接するドゥエルポイントの間に挿入する、または境界線のドゥエルポイントを削除して、深い孔を加工するときに誤ったエッジ効果を低減することにより有効利用する。
より具体的には、FIBシステム10は、加工ボックスが(u,v)スペース内に定義されているモードで運転され、ビームはdu,dvずつ進む。ここで、(u,v)は直交するベクトルであり、現実世界(試料)のスペース(x,y)に対してある角度を有する。典型的な加工は矩形状または多角形状であり、ビームはdu及び/又はdvずつ進み、各ポイントで所定の時間留まる。あるドゥエルポイントだけ「スキップ」するようにFIBに指示することもできる。例えば、FIBは(u0,v0)、(u1,v0)、(u2,v0)をスキャンし、次に1つのドゥエルポイントをスキップして(u4,v0)に飛ぶこともできる。従って、ほとんどの時間、FIBは、(u0,v0)から(W*du,H*dv)で定義される矩形状のスペース内をdu及び/又はdvずつラスタ処理し、いくつかのドゥエルポイントを指示に従ってスキップする。デジタルスキャンシステムにより生成される実際のビーム位置は整数の近似値であってもよい。
ビームのスキャニングの他の手法は、ポイントの(x,y)位置とそのポイント(または一続きの(x,y)ポイントであって、それぞれが均一のドゥエル時間を有する)で停滞する時間とからなるポイントの「偏向リスト」を特定する。このリストは、一続きの線分であってもよく、または完全に自由曲線のポイントであってもよい。このような状況下では、リストの要素がスペース内の連続ポイントにマッピングされることを想定することはできない。この種のデータの問題は、ユーザーに対していかにこれを表示するかである。
1つの手法としては、FIBのすべてのスキャン可能なエリアをマッピングする要素の配列(例えば4096×4096)を定義し、ビームの「スポットサイズ」を決定し、そしてFIB(または他の荷電粒子顕微鏡)のある視角でのスポットの径に対応する要素がどのくらいあるかという観点からそのスポットサイズを補正する。従って、ビームが10nmのサイズであり、視角が4096nm×4096nmであるとすると、配列の各要素は試料のスペースでは1×1nmに対応し、スポットサイズは10要素分の直径である。さらに、10要素分の直径の円(または四角形、または適当な形状)であって、要素配列中の各ドゥエルポイント(x,y)の位置の中心の円を、信号を生成する検出器からの強度値で満たすことを選択することもできる。この手法下でのフレームは、既知の状態(ブランク、または何らかのデータが既に取得された状態)で始まり、どんなに多くのドゥエルポイントからどんなに多くのデータの円が所定のフレーム間隔で起こったかについて付加および操作によって修正される。このフレームが組み立てられると、その(またはそのいくつかのサブセット)がFIB分析ステーション100に操作のために移り、あたかも典型的な(u0,v0)から(W*du,H*dv)のフレームであるかのようにふるまう。
「偏向リスト」が連続するものと想定できないとき、得られる画像はスケーリングされたときに視覚的に見えない「ギャップ」を持つことがある。同じデータをビームとほぼ同じ径(またはその直径の機能、例えばビームの周りの相互作用の量を考慮に入れる)の円形の領域に導入するように各ドゥエルポイントを扱っても、なお視覚的に画像に表れるものを生成しない。しかしながら、それはサンプル上で何が起こっているかを示す少なくとも現実的な描写であり、データが通常の間隔(du,dv)に当てはまると想定できないときにはベストの選択である。
通常のオペレーションでは、FIB分析ステーション100は、ドゥエル時間やラスタごとの時間にかかわらず、各ドゥエルポイントにおいて各ラスタパス用に強度を取得する。これは、毎秒1000を超えるFIBラスタ処理(または加工ボックスフレーム)が起こることを意味する。一般に、24fps(1秒あたりのフレーム数)のレートは、人間の眼にとってスムーズな動きを示すのに十分なレートと考えられている。20fpsでも、各連続するフレームがかなりスムーズに変化する細部を含んでいるときにはスムーズに見え、これはFIB加工中によくあるケースである。従って、FIBラスタレートの毎秒1000ラスタ処理では、表示のために、50FIBラスタ処理を1つのフレームにまとめ、なお20fpsの表示レートを実現することが可能である。各ドゥエルポイントが8ビットの強度値を生成するに従い、各ドゥエルポイントは0−255の範囲の強度値を持つことができる。もちろん、異なるシステムでは8ビットを上回る強度値であってもよい。平均化された画像はこのデータの範囲を保存する。しかし、積分された画像はドゥエルポイントあたり何千もの総数に達し、これによりユーザーはFIB分析ステーション100から提供された画像を調整することができる。従って、平均化された画像やFIBシステム10のスクリーン上でも解像できない、信号強度のある特定のサブセットを向上することができる。既知のグラフィック処理アルゴリズムは画像を最適化することに用いることができ、例えば、FIBコントラスト(二次粒子検出器のゲインに効果的)や明るさベースのセッティングを含む。これはどのようにFIB分析ステーション100がこのデータを表示するかを調整するのと同様である。
FIBシステム10により提供された本来の画像より優れた、ライブの、または平均化された、または積分された画像を表示することに加え、FIB分析ステーション100は、ラスタパスからの強度データを計算し、平均強度(0−255)および積分された強度の両方のエンドポイントグラフプロットを、従前の間隔の間に受け取った全てのラスタから250msのデフォルト間隔で表示する。
図5は本発明の実施形態に係るFIB分析ステーション100のモニタ上に表示される拡大された加工エリアの例を示す。矩形状のエリア200はFIB分析ステーション100のモニタの可視スクリーンエリアを示す。FIB分析ステーション100のモニタは図2に示すものと同じに見える。しかしながら、図2の加工ボックスエリア62を表示するために用いられるデータを画像処理した後、ユーザーはその可視加工エリアをボックス202に拡張することができる。この付加的なピクセル情報の表示により、加工ボックスエリア62では知覚できないわずかな視覚的な変化を加工ボックスエリア202では容易に視認することができ、より多くのイオンビームドゥエルポイント情報がより多くのピクセルを通じて表示される。この実施形態では、「加工ボックス」との用語は、矩形状のボックスまたはエリアのことをいうが、いかなる任意の形状でもよい。後述するように、ボックス202内の視認可能な加工エリアを生成するのに用いられるデータは処理され、オペレータによる視覚的なエンドポインティングを向上させる。
図6は本発明の実施形態に係るFIB分析ステーション100のモニタ上に表示されるエンドポイントグラフの例を示す。示されているプロットは、既存のFIBシステム10が図3に示すプロットを生成するのに使用される同一のデータから生成されている。図6のエンドポイントグラフは各軸に対して2つのプロットを含む。左側の縦軸は積分された強度値であり、右側の縦軸は平均化された強度値を表す。線204は積分された強度値の軸に対してプロットされたものであり、線206は平均化された強度値の軸に対してプロットされたものである。この技術分野における通常の知識を有する者にとって明白であるように、図6のプロットは、既存の画像またはFIBシステム10によって提供される図3のエンドポイントグラフよりもエンドポイントをよく表している。積分された強度プロット204の略垂直なスロープと、平均化された強度プロット206の略垂直なスロープは、図3のエリア70に対応する材料の移行を示唆しているものである。
以下の記載は、本発明の実施形態に係るFIB分析ステーション100の機能ブロックである。
図7は、本発明の実施形態に係るFIB分析ステーション100によって実行されるデータ分析エンジン300の機能ブロックである。本実施形態では、データ分析エンジン300は、コンピュータワークステーションのハードドライブ上のアプリケーションプログラムとして格納可能なものである。データ分析エンジン300は、ハードウェアインターフェース102を介してFIBシステム10からデータを受け取るデータ取得ブロック302と、データ処理ブロック304と、ラインバッファリスト306と、画像処理ブロック308と、ディスプレイエンジン310とを含んでいる。
データ取得ブロック302は、FIBシステム10から2つのタイプのデータを集める。第1のタイプのデータは、FIBシステムパラメータデータであり、AIXコンピュータからハードウェアに送られるものである。このハードウェハは、サンプルに対するイオンビームを操作するものである。このデータは、加工ボックスの予定位置、加工ボックスの形状およびサイズ、ドゥエル時間、ピクセル間の変位などに関する情報を含む。イメージングおよび加工オペレーション(破砕、堆積、またはガスにアシストされたエッチングなど)は、多くの異なるラスタアルゴリズムを用いて行われ、これらを総称して「加工」という。この「加工」はデータ取得ブロック302により検出され、またはFIBシステム10のAIXコンピュータ上のサーバープログラムによって提供される。
情報の第2のタイプは、ドゥエルポイントのx−y座標情報と各ドゥエルポイントの強度値に関するデータである。通常、AIXコンピュータから移送されたデータは、データ分析エンジン300に必要とされない情報を含んでいる。従って、データ取得ブロック302は、データ分析エンジン300の機能を有効にするのに必要と考えられるデータを選択的に取得するように構成される。
データ処理ブロック304は、2つのタイプのデータをデータ取得ブロック302から受け取り、それに応答して異なる機能を実行する。例えば、加工オペレーションが始まることを示すラスタデータを受け取ると、データ処理ブロック304は、画像処理ブロック308にメッセージを送り、フレーム/秒の数をブロック308に連絡する。ブロック308はそれを受け取り、毎秒20フレーム(fps)のビューモードが得られるようにする。加工ボックスの寸法(加工される面積を決定するための)やその位置などの付加的な情報も提供され、これにより、受け取ったドゥエル強度データが正しく整理され、正しい画像が生成される。
一方、強度データが受け取られた場合には、画像ライン処理が実行される。本実施形態では、画像処理ブロック308はx−yドゥエルデータと強度を受け取り、データからなる1つの水平ラインを一回ごとに組み立てる。各水平ラインが組み立てられた後は、ラインはラインのバッファードリストに加えられる。各ラインは各ドゥエルポイントの強度やラインが対応すべき加工ボックスなどの付加的な情報を含んでもよい。この技術分野に属する通常の知識を有する者であれば、複数の加工ボックスを並列加工オペレーション用にセットすることは可能であること、および加工データが矩形状に限定される必要がないことは理解されよう。
データ処理ブロック304は、ユーザーインターフェース310に、FIBシステム10のAIXコンピュータにより指示されたスクリーンディスプレイ中に変化に関する情報を提供する。例えば、データ処理ブロック304が受け取ったFOV指示の変化は、ユーザーインターフェース310のスクリーンを必要に応じてアップデートする。好ましくは、FIBシステム10のモニタ上のいかなる変化は、それらがユーザーまたはAIXコンピュータが起こしたものかどうかにかかわらず、FIB分析ステーション100のモニタに反映される。
画像処理ブロック308は、ラインバッファ306内に存在するラインを取り出し、画像に挿入するための対応するビジュアルラインを生成する。ラインの強度の平均化、明るさの計算、およびその他の好ましい図形上の変形はラインのピクセルに対して実施される。画像処理ブロック110は画像データに対して変形アルゴリズムを実行するためのものであり、特定の用途に合わせて画像を向上させるための画像処理を実行する。画像や図形を処理するさまざまな技術は従来から知られている。次に、実施可能な画像処理機能について簡単に説明する。
画像のコントラストは、加工中に僅かなコントラスト変化が検知されるように調整される。ビームの焦点、画像コントラストレベルは、最適な二次電子画像を得る上で重要である。画像コントラストレベルは、さらなる最適化のためのヒストグラムを参照することによって調整可能である。例えば、図8(a)はFIB分析ステーション100のモニタ上に表示可能な低コントラストの画像のヒストグラムを示す。このヒストグラムは強度範囲が0から164であり、ほとんどのピクセルの強度は100以下である。図8(b)は同じエリアを示し、FIB明るさとコントラストの最適化を行い、0から254までのすべてのダイナミックレンジをカバーした例である。この範囲に亘って、あらゆる強度に適度な数のピクセルが存在する。
画像はスケーリングされ、「賢い」補間を用いて、または用いないでウインドウにフィットすることができる。補間を用いない場合は、各ドゥエルポイントは、画像上の均一な強度を持つ特徴のある矩形となる。「賢い」補間が有効となると、よりスムーズな画像が得られる。この補間は、ディスプレイ上のピクセルに値を挿入することによって行われる。挿入される値は表示された画像の中のドゥエルポイントの正確な位置の間にあるものである。挿入は補間ステップが最大値になるまで行われ、その後画像は均一にスケーリングされる。この「賢い」補間は滑らかな画像をもたらし、どこに実際のドゥエルポイントがあるかについてユーザーはなお知覚することができる。
ユーザーは、加工されているエリアまたは画像として単に現れているエリアの画像を拡大することを選択することができる。あらゆる所定の倍率、例えば2倍、3倍、4倍、または10倍などの倍率が選択できる。画像を拡大するときは、拡大された画像はマウスのカーソルに追随する。必要であれば、画像を特定の位置にロックすることができる。
表示された画像は加工の短軸の方向に伸張することができる。加工エッジに垂直にピクセルを伸張することは有益である。特に、高偏心ボックス(例えば極めて幅広であるが高さは低い)を加工するときに有益である。このような加工は、試料の準備や不具合の分析などで透過型電子顕微鏡(TEM)を用いてFIBで切断するときに起こる。図8(a)は、FIB分析ステーション100のモニタ上のビューエリア200内の高偏心比のイメージングボックス400を示す。オペレータが丸い接点構造体402の端部を正確に加工しようとするとき、図8(a)では正確に切断をストップするポイントを判断することは難しい。なぜならば、最新のデバイス上の頂部から観察される細部は、正確な断面切断のための十分な情報を与えないからである。
切断をストップさせるポイントを正確に判断するための1つの手法は、切断ビームから逸れた位置に二次荷電粒子ビームを設け、リアルタイムで断面を観察することである。しかしながら、そのようなカラムを単一ビーム機器に後付けすることは通常不可能であり、そのような「二重ビーム」装置は、付加された二次カラムの複雑さのために単一ビーム装置に比べて高価である。
イメージングボックス400はFIBのディスプレイスクリーン上のわずか数ピクセルの高さしかないことがあるが、そのスペースには情報が活用されていない多くのドゥエルポイントがある。従って、イメージングボックス400を異方性的に伸張して、図8(b)に示すように拡大したイメージングボックス402を得ることにより、より多くのドゥエルポイント情報を用いて、イメージングボックス400では見ることが難しかった形状を表示することができる。加工プロセスで得られた断面は、対象物の表面に対して正確に垂直でなく、断面には僅かな角度、通常は数度の角度の傾きがある。例えば、傾斜が2.86°である場合、断面が20:1の傾斜を持つことになる。ドゥエルポイントの間隔は比較的小さく、例えば短軸については2nmである。加工ボックスからのデータの表示は、本例のように、加工ボックスの短軸のディスプレイ内において、因数20で異方性的に伸張される。伸張された表示画像は、20:1の断面傾斜の補正がされ、ディスプレイを大体1:1のアスペクト比にする。イメージングボックス404のエッジ内のコンタクト402の部分は、対応して伸張される。これにより、軸から逸れた二次ビームを用いて断面を調べることで得られる効果と大きく違わない効果が得られる。従って、オペレータはより正確にイメージングボックス404のエッジを位置決めすることができ、切断を停止する最適なポイントと位置を判断することができる。実際には、オペレータは、FIBシステム10上のイメージングボックス402を位置決めし、FIB分析ステーション100のモニタ上の伸張されたイメージングボックス402を対応して位置決めする。または、加工画像の異方性的に伸張された表示を調べることにより、加工中に極めて細かい調整をボックスの位置に対して行う。
反対に、表示された画像を縮小させてもよい。すなわち、1未満の因数を用いて伸張することにより、そのフルサイズの一部分にまでスケールダウンさせてもよい。このことは、補間をやめ、ごく少数のドゥエルポイントのボックスを加工するときに、ピクセル化を減らすのに有効である。これにより、人間の眼は、表示された情報の中の変化をより速やかに識別することができる。
上述したように、画像処理ブロック308はイメージングまたは加工データを表示するための計算を実行することができる。これは、画像の、ライブモード、TVモード、積分モード、平均化モード、スナップショットモード、および差異モードを含む。これらの各イメージングモードについて以下簡単に説明する。
ライブイメージングモードは、ある固定されたレンジ内のデータの個々のフレームを表示する。固定されたレンジは、検出器によって提供された強度データのビット数に対応し、典型的には、8ビットで、0−255のレンジである。
TVモードは、データの平均化されたフレームを表示する。ここで、平均化されたフレームの数は、平均化されたフレームのレートが20fps(スムーズな「TV」のような画像を生成するのに必要なfps)となるように計算される。この数値は、ラスタリング情報から自動的に計算され、変更することはできない。通常、このモードは、良好な信号/ノイズ比を提供しつつ、イメージデータ内の素早い変化に対しても良好な応答性を保持するベストなイメージングを提供する。
積分モードは、データの積分されたフレームを表示する。どの時間においても、表示された画像は、前のN個のフレームの合計に相当する。ここで、Nはユーザーが選択可能である。
平均化モードは、積分モードに似ているが、ヒストグラム機能を用いてその限界を0−255スケールにする。なお、検査中の信号を提供する検出器のフルレンジに基づいたものであれば、いかなるスケールであってもよい。これにより、チャンネル選択の正確性を限定しつつ、ライブまたはTVモードと同じレンジで表示することができる。
スナップショットモードは、4分の1秒の間隔でデータの積分されたフレームを表示する。エンドポイント強度グラフ内に表示されたデータは、これらの画像から取得される。それらは、ラスタリング時間とは独立に、4分の1秒ごとに更新されるのみである。これはなだらかな平均ではないため、各画像は32フレームを上回る合計となることもある。ヒストグラムのリミットは、適切なレンジにスケールダウンされる。
差異モードは、1/4秒の積分画像として得られたスナップショット画像に基づいた合成画像を表示する。差異画像は、直近のスナップショットと前の4つのスナップショットとの間の差異として計算されることができる。前記前の4つのスナップショットは、それぞれ0.50,0.25,0.15,および0.10の因数を用いて、直近のものから最も古いスナップショット画像まで、重み付けされる。この技術分野における通常の知識を有する者であれば、これらの比率は、検査対象物の持続性と、持続から減衰までの減衰時間の両方の尺度を提供することは理解されよう。しかしながら、他の比率を用いて、持続性と減衰性を表現してもよく、CRTレーダーディスプレイのリン光体の振る舞いのように似せてもよい。4つのスナップショットが用いられているが、いかなる数およびそれに対応する重み付けを用いることができる。
この手法を用いて、すべてのスナップショットデータを8ビット強度に標準化したとき、計算された差異データは、−255から+255までに伸びる。そこで、それを再び2で割り、127だけオフセットして、0−255レンジを作る。このレンジには、通常のパレットを表示のために使用することができる。前の画像の成分の重み付けは、約1秒を超える持続性を生成する。これはCRTレーダーディスプレイのリン光体の持続性効果に似ている。これにより、イメージングにおけるジッターを低減させ、さらに、単に2つのスナップショット間での単純な相違が起こったときよりも、よりなだらかに変化が起こったときでも、ユーザーはその変化を視覚的に捉えることができる。加工画像の中のより明るくなった領域は、差異画像で明るく見え、加工画像の中のより暗くなった領域は、差異画像で暗く見える。変化がない場合は、データは中央に寄り、0−255レンジの127チャンネルの周りに集まる。このビューは、特に、最近現れた、または消えた加工ボックスの領域を判断するのに役立つ。
図9は、連続するスナップショット画像と、それから得られた対応する差異画像を示す図である。4分の1秒ごと(左から右へ)に撮られた加工エリアのスナップショット画像420,422,424,426では、正方形が現れる様子が連続的に示され、各スナップショット画像の底部において水平に延びる金属線構造が表されている。各スナップショットの背景は薄いグレー色であり、加工されたエリアは、最初は薄い円として画像422に現れる。加工が進むに従い、円は画像424に示すように暗くなり、ついには画像426に示すように、完全に暗い四角形が現れる。差異モードのオペレーションでは、画像420(およびその前の予め選択された数の画像)は画像422から差し引かれ、差異画像428が生成される。また、画像424は画像426から差し引かれ、差異画像430が生成される。グレーの背景は変化せず、これにより黒の背景が得られるが、画像422に現れる黒い円は差異画像428には明るい円として現れる。同様に、画像424と426との間の変化は四角形のボックスのみであるので、差異画像430では明るい四角形のボックスのみが現れる。水平の金属線はどのスナップショットでも変化しないのであるから、差異画像には現れない。本実施形態では、4つの遡る画像を対象画像から差し引いているが、いかなる数を選択してもよく、遡る画像のそれぞれに重み付けをしてもよい。
本発明の実施形態によれば、ユーザーが選択できるカラーパレットは差異画像に適用することができ、これにより変化のタイプを示すことができる。例えば、黒は変化が現れないことを示すことができる。従って、ユーザーは、加工中にどのような変化が起こっているのかを速やかに識別することができる。選択可能なカラーパレットのさらなる説明は後述する。
ユーザーインターフェース310は、画像を表示させるためのものであり、FIB分析ステーション100のモニタ上にエンドポイントグラフをプロットするためのものである。さらに、前記モニタは、ユーザーがさまざまな機能を選択する、またはビューを切り替えることを可能とする。
このユーザーインターフェース310は、一般に、FIB分析ステーション100のモニタ上に表示させるための、図形データおよび画像データの視覚的なレイアウト/プレゼンテーションを担う。この図形データは図6に示すようなエンドポイントグラフ、画像、サムネイル、FIBパラメータ情報、および表示のための情報のタイプをコントロールするためにユーザーが選択可能な機能などを含むことができる。例えば、ユーザーは、必要であれば、差異イメージングモードを選択することができ、または複数のモードで画像を見るために複数の窓枠を選択することができる。さらに、異なる加工ボックスからの複数の画像を見るために複数の窓枠を選択することができる。この場合は、それぞれの加工ボックスは個別のモードで個別のカラーパレットを適用することができる。
上述したように、ユーザーは、カラーパレットを選択することで、測定された強度にどの色を割り当てるかを特定することができる。デフォルトのグレースケールパレットは、強度0を示す黒と最大強度を示す白との間のグレーのリニアスケールを提供する。いくつかの他のパレットは、加工画像の疑似色レンダリングのために使用することができる。この疑似色レンダリングは強度の小さな変化をより識別しやすいようにすることができる。いくつかの特定のパレットは、黒から白までの範囲を赤から黄色の範囲を通じて表示させる温度パレットであってもよく、また、赤−緑−シアンブルーのパレットであってもよい。この赤−緑−シアンブルーのパレットでは、低い信号は深い赤、中程度の信号は緑、そして高い信号は明るいシアンブルーで表される。パレットの順序は逆にしてもよい。例えば、白が強度0を示し、黒が最大強度を示すようにしてもよい。ユーザーインターフェース310はユーザーによって選択されたカラーパレットを強度に割り当てることができ、それに対応して強度をモニタ上に選択されたカラーパレットとともに表示することができる。
人間の眼は、64と256の間の不連続なグレーレベルのみを識別することができるので、ほとんどのパレットは256の入力に制限されている。しかしながら、256を超える異なるレベルを表示することは有益である。この場合、異なる色を含む、より大きなパレットを用いることができる。この場合の異なる色は、温度パレットの場合のようにトーンが連続的に変化するものであってもよく、または不連続な色の選択であってもよい。不連続な色についていえば、1つのパレットの入力と次のパレットの入力との差、または入力されたパレットのある領域とそれに隣接する領域との差は、かなり大きいものである。このような疑似色パレットは、現在の技術分野におけるグレースケールパレットに比較して、表示される加工画像内の変化の識別のしやすさを向上させるのに効果的であることが分かっている。疑似色パレットは、また、256またはそれ未満の入力に制限されている場合であっても有効である。
ガンマ補正は、選択されたパレットに適用することができる。ガンマ補正は、実際の信号強度とそれを表示させる方法との関係を非直線的にするために使用され、信号範囲の低い側または高い側の強度端部での小さな変化を画像上でより強調することができる。ガンマ0.0では直線的な関係となる。正のγは低い強度を速やかにより明るくし、一方で高い強度は比較的変化しないままである。負のγは高い強度を速やかにより明るくし、一方で低い強度は比較的変化しないままである。
ユーザーインターフェース310の独自の特徴は、図6に示すように、感度の高いエンドポイントグラフを生成することである。図6に示すエンドポイントグラフは、FIB分析ステーション100のモニタ上にリアルタイムでプロットされ、そのスケーリングは画像処理ブロックから受け取った強度値に従ってエンドポイントグラフを動的に調整できるものである。本実施形態では、ユーザーインターフェース310は画像処理ブロック308に4分の1秒ごとに指示を出して、強度値を最後のフレームの平均化されたまたは積分された値にする。4分の1秒は単に好ましい間隔であり、発明の範囲から逸れることなく所定の間隔を使用することができる。明るさの値は、フレームの終点で計算することができる。または、ラスタ処理が遅い場合には、所定の時間が経過した後に計算することができる。例えば、ラスタフレームが完了までに比較的長い時間を要する場合には、画像処理ブロック308は、フレームのラスタリングが始まってから所定の時間が経過した後に、集められたデータを用いて明るさの値を生成するようにしてもよい。従って、フレームは、FIBがサンプルをラスタリングしている間の特定の時間の間に集められたドゥエルポイント強度データを含むものとして定義することができる。この特定の時間は、1つのフルフレームをラスタリングするのに要する時間に対応させることができる。
特に、0−255の強度値を持つ平均化された画像データ、ドゥエルポイントごとに数千の数を持つ積分された画像データは、ユーザーインターフェース310によりリアルタイムでエンドポイントグラフをプロットするのに使われる。エンドポイントグラフは、「y」軸を最小値から最大値まで、「x」軸上にディスプレイされたデータをリスケーリングすることによって動的に自動的にスケーリングされる。フルスケーリングオペレーションは、積分されたデータを最小値から最大値まで、現在加工している領域の全てのデータポイントの「y」軸の値を、それらが表示されているか否かにかかわらず再プロットする。一方、リスケーリングオペレーションは、同じ再プロットを実施するが、表示されている「y」軸の値の範囲に対してのみ行われる。すべての場合において、積分された強度グラフが「y」軸の上限または下限を超えようとすると、グラフはリスケーリングされる。グラフに表示されている「x」軸の範囲に対して「y」軸のデータの変化が小さいときは、「y」軸のデータをリスケーリングすることを選択することによって、いつ強度値の変化が起こったかを識別しやすいようにすることができる。このアクションがマウスクリックなどのユーザーの1つの動作で実行できるのであれば、有益である。このリスケーリングの後、「y」軸のデータの小さな変化は直ちにはっきりと現れる。これは、現在の技術に比べてエンドポイント条件を判断する際に有利である。この技術分野における通常の知識を有する者であれば、グラフィカルリスケーリングは簡単な数学の機能であることが理解されよう。
さらに、既存のFIBシステム10に対して、ユーザーインターフェース310から提供されたエンドポイントグラフは、FIBシステム10で設定された視界とは独立な感度を有している。
画像処理ブロック308からのデータを用い、ユーザーインターフェース310はサンプルの加工されたエリアの断面画像をリアルタイムで生成することができ、提供されるエンドポイントグラフと平面画像を補完することができる。この特徴のさらなる説明については、図10を参照して後述する。
従って、FIB分析ステーション100によって生成された上述したイメージングおよびエンドポイントグラフはFIBシステムのエンドポインティングオペレーションに有効に使用される。これは、第1に、すべてのドゥエルポイント強度情報が画像および高感度のエンドポイントグラフの生成に用いられるからである。このエンドポイントグラフは、画像フレームの平均化および積分された明るさの値をプロットするものである。このFIB分析ステーション100により生成された画像およびエンドポイントグラフは、明らかに既存のFIBシステム10により生成された画像およびエンドポイントグラフよりも優れている。このため、オペレータは、正しいエンドポイントをより確実に判断することができる。従って、本発明の実施形態に係るFIBによりアシストされたマイクロサージェリーは高い成功率を達成することができる。
上述したように、オペレータの記憶に頼って次のエンドポインティング分析を行うことは実用的でなく、また信頼性がない。必要とされるのは、得られた全ての画像や、生成された全てのエンドポイントグラフ、および全ての加工操作の簡潔な視覚的な記録を保存する包括的なジョブ記録システムである。このジョブ記録システムは、後で見直すために、過去に行われたマイクロサージェリーから得られた情報を全て提供することができる。このように、FIBサーキットエディティングが正しく行われたことの信頼性を大きく向上させることができる。例えば、テストシステムが生成した結果を分析することにより、マイクロサージェリーの際に、不注意で隣接する信号線と短絡させてしまったことが原因で予期しない結果が得られたと判断することができる。このような短絡はその時はオペレータは観察することはできないが、後で調べることができる包括的なジョブ記録システムによれば、短絡を特定することができ、これにより間違った結果がFIBエラーに起因することを検証することができる。このようなジョブを後で調べる機能は、分解して短絡の起こった箇所を探す破壊的な不具合分析のような時間のかかる作業の必要性を減らすことができる点で有利である。これに加えて、このシステムがこの技術分野において通常の知識を有するマイクロサージェリーオペレータに使用されれば、「欠点のない」ように見えるジョブを見直し、マイクロサージェリーが成功したことや提案された設計変更では問題が起こりそうであることについて確信をもってコメントすることができる。
データ分析エンジン300は好ましくはコンピュータワークステーション上で実行されることから、加工の履歴、エンドポイントグラフ、および全ての得られた画像はハードディスクに保存することができる。これにより、将来的な参照やトレーニングのためのプレイバックや加工の「検視」に用いることができる。データはネットワークを通じてあらゆるコンピュータシステムに移送してプレイバックすることができる。事実上、データ分析エンジン300によって集められ、または生成されたあらゆるタイプの情報が保存可能である。例えば、各画像パスを順序通りに記録することができ、同様に、各加工オペレーション(粉砕、ガスにアシストされたエッチング、堆積)を、加工およびエンドポイントグラフ信号(強度および、取得可能であればステージ電流の両方)のために生成された全てのサムネイルとともに記録することができる。加工を通じての絞り設定、ビーム電流、累積線量や、xy間隔、ドゥエル時間、ボックスサイズ、位置およびラスタスタイル(ラスタ、曲線、多角形など)、ステージ位置、その他の機器パラメータなどを記録してもよい。スクリーンインターフェースを、FIB分析ステーション100のモニタに設けてもよく、これによりユーザーは記録された加工を見直すことができる。加工情報が記録されるに従い、このスクリーンを用いて加工をリアルタイムで追うこともできる。一つの実施形態として、これら情報を密封してネットワークを通じて他の場所に送信し、離れたところでそれを見ることも可能である。
図10はプロジェクトの見直しをするためのユーザーインターフェーススクリーンの例を示す。ユーザーインターフェーススクリーンは、加工のサムネイル画像を時系列的に表示するための加工履歴リスト500、エンドポイントグラフ502、および断面パネル504を示す。エンドポイントグラフ502は対話式である。つまり、グラフの任意の点をクリックすると、関連するサムネイルが立ち上がり、断面パネル504では対応した深さが示される。このような強化機能は、エンドポイントグラフ502上のプロットされたデータポイントを、サムネイル画像と、断面画像の水平ラインとに相互に結合することで実現可能である。従って、ユーザーはある特定のサムネイル上をクリックすることで、それに対応するエンドポイントグラフ上および断面画像内の位置を見ることができる。また、ユーザーは、エンドポイントグラフ上のある特定のポイントを選択することにより、対応するサムネイル画像と断面画像上の深さ情報を見ることができる。もちろん、断面画像上のある特定の深さを選択すると、対応するサムネイルが立ち上がり、エンドポイントグラフ上の対応するポイントが立ち上がる。エンドポイントグラフ502のどのポイントからも、加工を順方向および逆方向に見直す(「再生する」)ことができる。
パネル504内の断面画像は、図11に示す連続する画像を組み立てることにより生成される。図11は画像と断面画像との相互関係を図形的に示す。最上部のサムネイル画像550は加工中に最初に生成される画像であり、次に、サムネイル画像552,554,556が連続して続く。断面スタック558はサムネイル画像が生成されるに従って構築されてもよい。断面ビュー558の頂部で始まる線は、サムネイルが生成されるごとに追加され、典型的には、サムネイルの垂直または水平のスライスに対応する。ただし、いかなる角度のスライスとしてもよい。図11に示すように、断面線560,562,564,566は、それぞれサムネイル550,552,554,556に対応する。
このように、断面の水平軸(図示のx軸)は空間に対応し、垂直軸(図示のz軸)は時間(または均等的に線量、従ってある程度深さに関係する)に対応する。ユーザーは断面がサムネイル画像の水平、垂直、または任意のスライスから生成されるかを選択することができる。線および幅のパラメータは、サムネイルのどのエリアが断面を形成するのに使用されるかを指示するために、ユーザーが選択可能なものである。例えば、サムネイルが200×200であると、線のパラメータを100に設定することは、断面はサムネイルの中央部から形成されることを意味する。幅のパラメータは、どれだけの数のサムネイルの線(断面ラインの周りに寄った線)が平均化されて各断面ラインを生成するのかを指示するものである。強度は、断面ラインに垂直なベクトルに沿って積分され、または平均化される。この断面ラインの長さは幅のパラメータによって特定される。ユーザーは、「線」のパラメータを特定する代わりに、グラフィカルユーザーインターフェースを用い断面ラインの位置を選択することもできる。
上述した断面画像の生成の優れた利点は、デバイスの再構築をアシストすることである。より具体的には、不具合が予想されるチップ上のある箇所は加工されて、立方形の容積(x×y×z)が除去される。そして、上述のようにして生成された断面画像を用いて分析され、2つの素子の間で電気的接触が欠如しているかどうかが判断される。加工オペレーションが保存されているので、不具合のあった特定の領域を、立方形に金属を堆積することにより再構築することができる。特に、保存されている断面画像は、2つの素子の相対空間位置を示すことができる。そして、正しい機能が得られているかどうかチップを電気的にテストすることができる。
加工のサムネイル、画像、およびエンドポイントグラフを記録することに加えて、または代えて、データ処理ブロック304は生成されたラインを持つことができる。このラインはラインバッファ306に供給されると保存される。この保存されたデータは、後で実行または再実行することができ、これによりオペレータは実験的に最適な画像セッティングをプリセットし、その後の同様な加工に用いることができる。データ分析エンジン300を実行するスタンドアローンのコンピュータまたはラップトップコンピュータに大量伝達媒体からデータをロードすることができるので、このような特徴はFIBシステム10なしで実行できるトレーニングツールとして機能する。
FIB加工の物理的な事実として、異なる材料は異なるレートで加工されるということである。これは、加工される材料の成分および結晶性質が異なるので、加工レートはしばしば異なるからである。従って、加工対象物の周囲の材料よりも加工レートが遅い材料に当たった場合には、その構造(例えば、基板)の下の材料のデータは、オフセットされ、周囲の材料に対して時間的に遅れて現れる。図12は均一な酸化絶縁材料574の中に埋め込まれた金属構造572と、基板の生成された描写線576とを示す断面図570である。金属構造572では加工レートが遅いため、金属構造572の下の加工が実際に基板に到達する時間は、金属構造572の周囲の加工が基板に到達した時間よりも遅くなる。従って、金属構造572の下の基板の描写線576には「U」字型のくぼみが形成される。
「U」字型のくぼみは、線の他の部分に対して不正確な「深さ」または線分として知られているので、修正アルゴリズムを実施することが好ましい。例えば、単純なアルゴリズムとして挙げられるのは、サンプルの表面から正しい参照ポイントまで「U」字型くぼみのデータポイントを再標準化することである。ここで正しい参照ポイントとは、基板の描写線の他の部分である。より具体的には、より正確な断面を再構築するための一手段は、既知の表面(例えば、集積回路やICが形成されたシリコン基板上の配線層と絶縁層との界面)の計測された変化を投影し、この表面の既知の位置と観察された位置との偏差を数学的に修正し、そしてこの修正を前記層に適用する。より複雑なアルゴリズムの例として挙げられるのは、加工中に信号の強度を分析し、加工が遅いエリアを検出するものである。従って、修正キャリブレーションを動的に適用して、加工レートの違いを較正することができる。
その他の手法を、加工の遅いレートの検出に用いることもできる。例えば、電子とイオンをと組み合わせた信号を正にバイアスした検出器と負にバイアスした検出器を用いて検出し、これによりスパッタされた材料を分類し、計算されたまたは予め設定されたスパッタレートを適用する。一旦スパッタレートが決定されれば、計算により画像を修正することができる。
例えば、二次電子およびイオン信号(おそらく一方または両方の信号をフィルタリングしてより多くの情報を取得する、例えば、後方散乱した電子などの二次的に放出された電子(これらを総称して本明細書では「二次粒子」という)の異なるエネルギーレンジを調べる、及び/又は二次イオンをまとめてフィルタリングする)を観察し、これらの信号に基づいて異なる材料の相対的なスパッタレートを見積もるための式を構築し、それを用いて、各加工パスで除去された材料の深さを較正してもよい。例えば、式は、放出される二次イオンの総量および二次電子の総量を各ポイントで観察することに基づいて構築される(これらの信号は代替の主ビームスキャンまたはスキャンのライン/ピクセルに対する検出器の特性を変化させることによって順次集められ、または複数の検出器を用いることによって同時に集められる)。前記式は、材料内の結晶のばらつきから生じるあいまいさをある程度取り除くことができ、既知のまたは予想される材料(既知の集積回路にはどのような材料が存在するかが基本的な予想となる)のリストから材料を判断することの助けとなる。このデータから、どの材料がどの位置にあるかを分類し、材料の結晶特性にあるばらつきから生じるスパッタレートのばらつきを標準化することにより、前に決定されたスパッタレートを三次元データに適用することができ、これにより観察されたばらつきの較正および修正することができる。従って、既知の表面から外挿法に頼ることなく、表示されたデータ内の本当の対象位置を正確に示すことができる。
上述した本発明の実施形態に示すように、データ分析エンジン300に用いることができるドゥエルポイント情報を全て持つことは、FIBエンドポインティングオペレーションを向上させることになる。これは、特に、図形的および数学的な標準的な計算を実行して画像およびエンドポイントグラフの感度を向上することができるからである。
ドゥエルポイント情報は既知の問題、すなわちFIBエンドポイントオペレーションの特定のタイプの困難さを克服するのに使用できる。
例えば、マッハバンド効果は人間の眼の知覚の現象として知られている。この現象は、低強度(より暗い)ストライプの近くにある高強度の(より明るい)ストライプの端部は、そのストライプ全体が物理的に均一の明るさを持っているにもかかわらず、他の部分よりも明るく見える現象である。同じように、より明るいストライプに隣接する、全体に均一な明るさを持つ暗いストライプの端部はより暗く見える。このような鋭い明るさと暗さの変移は、FIB加工オペレーションにおいて共通に起こることである。図13はこの効果を説明するための加工されているサンプルを示す断面画像である。また、材料602をラスタリングしている荷電粒子600のビームは、溝構造を加工する際に傾斜する側壁を形成し、これが他の効果が生じる。残念なことに、形成される側壁の角度は比較的大きな信号強度を周辺のビーム604,606から引き起こす。これは、加工ビームが当たる表面が、入射ビームに垂直なときよりも、平行に近いときのほうが二次粒子がより多く放出されることに起因する。イメージングするとき、これらのドゥエルポイントからの大きな信号強度は、加工中に線に衝突したと誤ってオペレータに示すか、または少なくともこの領域からの高い信号が、対象となる信号が最も起こる場所であると予想される加工の中央領域からの信号を圧倒してしまう。得られた画像は明るい端部によって支配され、コントラストや明るさの調整はかろうじて画像を改善させるに過ぎない。
本発明の実施形態によれば、データ分析エンジン300は、周辺のドゥエルポイントからの、すなわち周辺のビーム604,606からのデータを選択的に無視することができ、その他のドゥエルポイントからのデータのみを使用することができる。加工ボックスの位置やサイズなど、ラスタ環境のすべてのパラメータが既知であるため、画像処理ブロック308は加工ボックスの端部に近いドゥエルポイントデータを選択的に無視することができる。加工ボックスの境界線に近いドゥエルポイントのいかなる数も無視することができる。従って、画像コントラストおよび明るさのレベルは、最も感度のよいドゥエルポイントエリアに基づいているので、コントラスト及び明るさをより広い範囲で調整することができる。たとえ、エンドポイントグラフに使用できる数が少なくなったとしても、検出感度は実際に向上する。
パッケージ内の半導体チップの「フリップチップ」マウントの出現は、ある課題を提供する。FIBマイクロサージェリーは、デバイスの裏側から行わなければならなく、最初の探索的な加工は、通常、デバイスの広いエリアに亘って行われ、これにより基板とデバイスの動的機器との間の距離、すなわち加工時間が判断される。図14(a)は、チップ700の基板と、ネスト化された加工ボックス702,704を示す平面図である。加工ボックス704はボックス702内にあるので、ボックス704内のエリアはボックス702内のエリアの2倍の線量を受け、より高いレートで加工される。図14(b)は図14(a)のA−A’線断面図である。目的は、加工ボックス704を通じて既知の構造に到達するまで加工することであり、したがって、プロセスを停止するための正確なエンドポイント検出が必要となる。しかしながら、ボックス704から受ける信号は、加工ボックス702のエリアからの信号に対して事実上減少している。例えば、加工ボックス704の面積をAとすると、対象構造の存在を示す明るさのレベルは、加工ボックス702の面積を10Aとすれば、その信号の総計の10%である。このように、加工ボックス702からの信号は加工ボックス704からの信号を洗い流すノイズのようにふるまうために、加工ボックス704のエリアでの小さな変化は、人間の眼にとってより識別しにくい。
両方の加工ボックスのドゥエルポイント情報はデータ分析エンジン300には既知であるので、ユーザーは対象の加工ボックスである加工ボックス704のエンドポイントおよび画像データのみを選択的に見ることができる。従って、加工ボックス704のエンドポインティングのために、加工ボックス702からのドゥエルポイント情報は無視される。これに代えて、システムは、例えば、加工ボックス704のすべてのエリアと、該加工ボックス704に重複する加工ボックス702の一部とを含むデバイスの対象領域を選択し、この選択された領域からの信号のみを処理および表示することを選択することもできる。この処理の後、分析された領域の境界線に近い加工ポイントの廃棄またはマスキングなどの処理を行ってもよい。同様に、ユーザーは、同一の分析された領域からの情報を複数のやり方で同時に表示するように選択することができる。この場合、例えば、複数の画像パレットを使用し、及び/又は、積分パラメータの変更や、TV、スナップショット、差異モードを同時に選択してイメージングすること選択することなどの複数の条件を使用することができる。このような異なる分析条件のもとで同じデータを比較し、対比する機能は、現在の技術に比べてエンドポイント条件を正しく判断するのにとても有効である。
1以上の加工ボックスをスクリーン上に置く場合、アンカーポイント、すなわち参照マーカーが通常はスクリーンに付加され、加工ボックスの正しい配置や方向を確保する。例えば、加工ボックスを、サンプル上に見える構造物に対して特定の位置に置くことができる。しかしながら、ドリフトにより加工ボックスがわずかに移動することがあり、加工ボックスの元の位置が得られない場合がある。既存のFIBシステム10では、可視構造物の輪郭を描くためにダミー加工ボックスが用いられている。しかしながら、サンプルはダミー加工ボックス内で最小線量で加工されてもよい。本発明の他の実施形態によれば、ユーザーはFIB分析ステーション100のモニタ上に真の参照マーカーを描くことができる。この参照マーカーはFIBシステム10の加工ボックスにロックされることができる(これらの加工ボックスはFIB分析ステーション100のモニタ上に再描写される)。ドリフトが起こったときは、オペレータは、FIBシステム10の制御を介して加工ボックスを移動させることにより、参照マーカーをその本来あるべき位置に戻すことができる。
上述した本発明の実施形態は、ドゥエルポイント強度データを用いてエンドポイントグラフおよび画像を生成しているが、他のデータであって、サンプル上のドゥエルポイント位置と相互参照できるデータを用いることもできる。例えば、吸収された電流の計測値、超音波アコースティック信号、サンプルからの光の放射などをドゥエルポイントごとに取得し、それらを単独で、または強度値と組み合わせて使用して、エンドポイントグラフおよび画像をさらに向上させてオペレータに提示することができる。これらの他のタイプのデータは、ビームの各ドゥエルポイントに対応した強度値を有していてもよい。
上述した本発明の実施形態はFIBシステムに限定されるものではなく、他の荷電粒子ビーム(CPB)顕微鏡のような、検査されている材料を改造する装置にも適用することができる。そのような荷電粒子ビームシステムの例としては、反応ガスを供給するガス供給システムを有する走査電子顕微鏡(SEM)が挙げられる。この技術分野に属する通常の知識を有する者であれば、上述した実施形態をある特定の荷電粒子ビームシステムとともに機能するように適合させることは容易に理解できよう。
上述した本発明の実施形態は例示を目的として説明されたものである。この技術分野に属する通常の知識を有する者が、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から離間することなく、これらの実施形態について種々の変更を加えることができる。
Claims (42)
- 材料の加工を含む荷電粒子ビームシステム操作におけるエンドポイント検出を向上させる方法であって、
a)CPBシステムにより生成された各フレームからのドゥエルポイント情報を受け取り、前記情報はドゥエルポイントの強度値を含み、
b)フレームの第1の番号の第1の対象領域のドゥエルポイントの強度値を処理してラスタデータを取り出し、さらに前記第1の領域が定義されるときに、前記ラスタデータをイメージパレットにマッピングし、得られたラスタ画像を表示し、
c)フレームの第2の番号の第2の対象領域が定義されたときに、この第2の領域のドゥエルポイントの強度値の合計を、荷電粒子線量またはラスタリング時間に対するエンドポイントグラフ上にプロットすることを特徴とする方法。 - 所定の時間間隔が経過するか、または所定の線量増加を受けるか、またはフレームの所定の番号が経過した後に、ラスタ画像はマッピングされ表示されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 所定の時間間隔が経過するか、または所定の線量増加を受けるか、またはフレームの所定の番号が経過した後に、前記合計されたドゥエルポイントの強度値がプロットされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の番号は自動的に計算されてラスタ画像を取得し、前記ラスタ画像は、変化に対するリアルタイム反応の外観を有し、かつライブラスタ画像全体のノイズ比に対して改善された信号を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- フレームの前記第1の番号のドゥエルポイントの強度値を合計し、選択された最小値から選択された最大値までのラスタデータを所定のスケールでリスケーリングし、前記選択された最小値以下のラスタデータの値は新たな最小値となり、前記選択された最大値以上の値は新たな最大値となり、前記新たな最小値から前記新たな最大値までの範囲をマッピングした他のイメージパレットを使用し、スケーリングされたラスタ画像を表示することによって、各ラスタデータが処理されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 所定の時間間隔が経過するか、または所定の線量増加を受けるか、またはフレームの所定の番号が経過するまでは、前記イメージパレットにマッピングされたラスタデータは変化しないままであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 現在のラスタデータと所定の数だけ前のラスタデータとの差異から差異表示イメージを生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記所定の数だけ前のラスタデータは、それぞれパーセンテージを減少させることによって重み付けられることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- イメージパレットは、複数の色を含み、グレースケールのパレットに比べて、得られたラスタ画像の変化をより効果的に認識させることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 荷電粒子ビームシステムがイメージモードにあるか否かを判断し、視角またはサブセット視角をイメージングするためのイメージングモードオペレーションに対応するものとしてフレーム情報を分類するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- イメージングモードオペレーションのためのフレーム情報に対応する画像は、イメージングモードウインドウに表示されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- ラスタ画像はラスタモードウインドウに表示されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記イメージングモードウインドウは、前記フレーム情報がイメージングモードオペレーションとして分類された場合には、最前面にくるようになっており、前記ラスタモードウインドウは、前記フレーム情報がラスタオペレーションとして分類された場合には、最前面にくるようになっていることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記ラスタ画像はスケーリングされ、前記イメージモードウインドウ上の正しい位置に置かれることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- ステップb)およびc)は、複数の対象領域およびフレームの可変番号用に2回以上繰り返されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ステップb)は、前記第1の対象領域およびフレームの可変番号およびイメージパレット用に2回以上繰り返されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ステップc)は、最も小さい面積を持つ対象領域のみについて実施されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 次の保存のために、ラスタデータからサムネイルデータを生成することをさらに含み、前記サムネイルデータの生成は、所定の時間間隔、または所定の線量増加、またはフレームの所定の番号のいずれかの後にラスタデータをスケーリングすることによって行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 1以上のイメージパレット、荷電粒子ビーム電流、移送された荷電粒子線量、ラスタリング時間、およびサムネイルデータに対応するエンドポイントグラフデータの1つ以上を保存することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- エンドポイントグラフおよび少なくとも1つのサムネイルイメージを表示することをさらに含み、前記サムネイルイメージは、前記イメージパレットを少なくとも1つのサムネイルデータに適用することで構築され、各サムネイルイメージは、エンドポイントグラフ上の1つの対応する強度値と相互参照され、この相互参照は、エンドポイントグラフ上の値を選択することで最も近い相互参照されたサムネイルを表示させるように行われることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記サムネイルデータの平面内の線分を定義することで、断面イメージを構築し、そして前記断面イメージの列を生成するステップをさらに含み、前記列の生成は、各サムネイルデータの線分に沿った強度値を分析し、各列を上から下まで連続的に積み重ね、前記断面イメージの水平軸が空間に対応し、垂直軸が時間又は線分に対応するようにすることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記分析するステップは、線分のいずれかの端部上のベクトルであって、所定長さを持ち、該線分に垂直なベクトルに沿って強度値を平均化するか、または積分することを含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記エンドポイントグラフと、所定のイメージパレットを少なくとも1つのサムネイルデータに適用することによって構築される少なくとも1つのサムネイルイメージと、前記断面イメージとを表示するステップを含み、各サムネイルイメージは、エンドポイントグラフ上の対応する1つの強度値、および前記断面イメージの1つの列と相互参照されることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記エンドポイントグラフ上のポイントを選択することで、最も近い相互参照されたサムネイルイメージを表示させ、前記断面イメージの相互参照された列を示させることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記断面イメージ上の列を選択することで、相互参照されたサムネイルイメージを表示させ、前記エンドポイントグラフ上の相互参照されたポイントを示させることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記第1の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアに設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアのサブセットに設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記サブセットは、前記少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントを排除するように選択されることを特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのラスタ形状は、少なくとも1つの内部境界線を持ち、前記サブセットは、前記少なくとも1つのラスタ形状の前記内部境界線から他の所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記第1の対象領域は、前記フレーム内でオーバーラップする少なくとも2つのラスタ形状によって占められるエリアの結合として設定されることを特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記第1の対象領域は、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることを特徴とする請求項30に記載の方法。
- 前記第2の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアに設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の対象領域は、フレーム内の少なくとも1つのラスタ形状によって占められるエリアのサブセットに設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記サブセットは、前記少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントを排除するように選択されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのラスタ形状は、少なくとも1つの内部境界線を持ち、前記サブセットは、前記少なくとも1つのラスタ形状の前記内部境界線から他の所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることを特徴とする請求項34に記載の方法。
- 前記第2の対象領域は、前記フレーム内でオーバーラップする少なくとも2つのラスタ形状によって占められるエリアの結合として設定されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記第2の対象領域は、少なくとも1つのラスタ形状の境界線から所定の距離内にあるすべてのドゥエルポイントをさらに排除するように選択されることを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 前記CPBシステムにより生成された各フレームからの情報、およびCPBシステム操作パラメータは、ステップb)およびc)に従い、次の復旧および処理のために保存されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記プロットするステップは、y軸を新たな範囲にリスケーリングすることを含み、前記新たな範囲はエンドポイントグラフ上に表示されるx軸の範囲に亘って合計されたドゥエルポイントの強度値の全てを含み、これにより前記合計されたドゥエルポイントの強度値が変化したことを判断するための識別を容易にすることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 材料の加工を含む荷電粒子ビームシステム操作におけるエンドポイント検出を向上させる方法であって、
a)CPBシステムにより生成された各フレームからのドゥエルポイント情報を受け取り、前記情報はドゥエルポイントの強度値を含み、
b)フレームの番号の対象領域のドゥエルポイントの強度値を処理してラスタデータを取り出し、前記ラスタデータをイメージパレットにマッピングし、得られたラスタ画像を引き伸ばして表示し、前記ラスタ画像の引き伸ばしは、第1の軸においては、ゼロよりも大きい第1の所定の因数だけ、第2の軸においては、ゼロよりも大きい第2の所定の因数だけ引き伸ばすことで行われる特徴とする方法。 - 前記第1の所定の因数および前記第2の所定の因数は等しいことを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記第2の所定の因数は前記第1の所定の因数よりも大きいことを特徴とする請求項40に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62717304P | 2004-11-15 | 2004-11-15 | |
PCT/CA2005/001733 WO2006050613A1 (en) | 2004-11-15 | 2005-11-15 | System and method for focused ion beam data analysis |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008520066A true JP2008520066A (ja) | 2008-06-12 |
Family
ID=36336186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007540469A Pending JP2008520066A (ja) | 2004-11-15 | 2005-11-15 | 集束イオンビームのデータ解析システムおよび方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7897918B2 (ja) |
EP (1) | EP1812946A1 (ja) |
JP (1) | JP2008520066A (ja) |
KR (1) | KR20070093053A (ja) |
CA (1) | CA2587747C (ja) |
WO (1) | WO2006050613A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7872230B2 (en) | 2007-05-18 | 2011-01-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micro-sample processing method, observation method and apparatus |
JP2014048285A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Fei Co | TEM試料調製における低kVFIBミリングのドーズ量ベースの終点決定 |
JP2015111108A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-06-18 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 断面形成用途のプロセス自動化のためのパターン認識を伴う差分画像化 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4851804B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム加工観察装置、集束イオンビーム加工観察システム及び加工観察方法 |
US7535000B2 (en) | 2006-05-23 | 2009-05-19 | Dcg Systems, Inc. | Method and system for identifying events in FIB |
JP5101845B2 (ja) | 2006-08-21 | 2012-12-19 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法 |
JP4691529B2 (ja) | 2007-07-20 | 2011-06-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び試料加工観察方法 |
DE102008008138A1 (de) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Rhode & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Konfigurierbares Messgerät und entsprechendes Messverfahren |
DE102008011531B4 (de) | 2008-02-28 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen |
DE102008011530B4 (de) | 2008-02-28 | 2012-05-03 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen |
KR101640264B1 (ko) | 2008-02-28 | 2016-07-15 | 칼 짜이스 에스엠에스 게엠베하 | 소형 구조물을 갖는 오브젝트를 처리하는 방법 |
EP2149897A1 (en) | 2008-07-31 | 2010-02-03 | FEI Company | Method for milling and end-pointing a sample |
US8111903B2 (en) * | 2008-09-26 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Inline low-damage automated failure analysis |
GB0905571D0 (en) * | 2009-03-31 | 2009-05-13 | Sec Dep For Innovation Univers | Method and apparatus for producing three dimensional nano and micro scale structures |
US8227781B2 (en) * | 2009-07-24 | 2012-07-24 | Lyudmila Zaykova-Feldman | Variable-tilt specimen holder and method and for monitoring milling in a charged-particle instrument |
WO2011016208A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
DE102009055271A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 | Verfahren zur Erzeugung einer Darstellung eines Objekts mittels eines Teilchenstrahls sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
EP3528276A3 (en) * | 2011-05-13 | 2019-09-04 | Fibics Incorporated | Microscopy imaging method |
US8933414B2 (en) * | 2013-02-27 | 2015-01-13 | Fei Company | Focused ion beam low kV enhancement |
US10082417B2 (en) | 2013-12-30 | 2018-09-25 | Nordson Corporation | Calibration methods for a viscous fluid dispensing system |
US10347018B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-07-09 | Tableau Software, Inc. | Interactive data visualization user interface with hierarchical filtering based on gesture location on a chart |
US10347027B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-07-09 | Tableau Software, Inc. | Animated transition between data visualization versions at different levels of detail |
US10380770B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-08-13 | Tableau Software, Inc. | Interactive data visualization user interface with multiple interaction profiles |
US10635262B2 (en) | 2014-09-08 | 2020-04-28 | Tableau Software, Inc. | Interactive data visualization user interface with gesture-based data field selection |
US10521092B2 (en) * | 2014-09-08 | 2019-12-31 | Tableau Software, Inc. | Methods and devices for adjusting chart magnification asymmetrically |
KR102301793B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 이미징 시스템 |
KR102410666B1 (ko) | 2015-01-09 | 2022-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 계측 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR20170019081A (ko) * | 2015-08-11 | 2017-02-21 | 삼성전자주식회사 | 휴대 장치 및 휴대 장치의 화면 표시방법 |
US10896532B2 (en) | 2015-09-08 | 2021-01-19 | Tableau Software, Inc. | Interactive data visualization user interface with multiple interaction profiles |
KR102677678B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2024-06-21 | 셀라 - 솔루션스 인에이블링 나노 어낼리시스 엘티디. | 깊이 제어 가능한 이온 밀링 |
DE102018120630B3 (de) * | 2018-08-23 | 2019-10-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts und Programm zur Steuerung eines Partikelstrahlsystems |
US10923318B2 (en) * | 2018-12-20 | 2021-02-16 | Fei Company | Optical alignment correction using convolutional neural network evaluation of a beam image |
JP7407772B2 (ja) * | 2021-07-16 | 2024-01-04 | 日本電子株式会社 | 試料加工装置および試料加工方法 |
CN115785841A (zh) * | 2023-02-10 | 2023-03-14 | 苏州市奥贝新材料科技有限公司 | 用于全息成像的多层复合胶带制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5306907A (en) * | 1991-07-11 | 1994-04-26 | The University Of Connecticut | X-ray and gamma ray electron beam imaging tube having a sensor-target layer composed of a lead mixture |
DE4433733A1 (de) | 1993-09-21 | 1995-03-23 | Advantest Corp | IC-Analysesystem mit einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung |
US6649919B2 (en) * | 2000-09-20 | 2003-11-18 | Fei Company | Real time monitoring simultaneous imaging and exposure in charged particle beam systems |
US6355494B1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-03-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for controlling material removal from a semiconductor substrate using induced current endpointing |
US6955930B2 (en) | 2002-05-30 | 2005-10-18 | Credence Systems Corporation | Method for determining thickness of a semiconductor substrate at the floor of a trench |
-
2005
- 2005-11-15 US US11/667,789 patent/US7897918B2/en active Active
- 2005-11-15 EP EP05807873A patent/EP1812946A1/en not_active Withdrawn
- 2005-11-15 WO PCT/CA2005/001733 patent/WO2006050613A1/en active Application Filing
- 2005-11-15 CA CA2587747A patent/CA2587747C/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-15 KR KR1020077011068A patent/KR20070093053A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-11-15 JP JP2007540469A patent/JP2008520066A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7872230B2 (en) | 2007-05-18 | 2011-01-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micro-sample processing method, observation method and apparatus |
US8686360B2 (en) | 2007-05-18 | 2014-04-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micro-sample processing method, observation method and apparatus |
JP2014048285A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Fei Co | TEM試料調製における低kVFIBミリングのドーズ量ベースの終点決定 |
JP2015111108A (ja) * | 2013-10-29 | 2015-06-18 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 断面形成用途のプロセス自動化のためのパターン認識を伴う差分画像化 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7897918B2 (en) | 2011-03-01 |
EP1812946A1 (en) | 2007-08-01 |
US20090135240A1 (en) | 2009-05-28 |
KR20070093053A (ko) | 2007-09-17 |
CA2587747A1 (en) | 2006-05-18 |
CA2587747C (en) | 2013-01-08 |
WO2006050613A1 (en) | 2006-05-18 |
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