JP2008517782A - 有機ナノファイバーのソフトリフトオフ - Google Patents

Abstract

本発明は、誘電体基板からナノファイバーの集合体を放出する方法とともに、この方法の適用に関する。有機ナノファイバーは基板上に成長し、まず極性液体を基板の表面に供給した後にナノファイバーと液体の複合系にエネルギーを供給することによって、放出させることができる。放出の後、好ましくは放出されたナノファイバーは、ナノファイバーの整列および／または構造化を含むナノファイバーの応用のために、他の基板へ移送される。応用としては、発光、導光、および感光の応用例がある。
【選択図】図１

Description

本発明は、テンプレート基板からナノファイバーの集合体を放出する方法とともに、この方法の適用、および特に、誘電体基板から有機ナノファイバーを放出することに関する。

オプトエレクトロニクスの小型化が急速に進行したことで、サブミクロンまたはナノメートル長スケール領域において特徴的次元を有するオプトエレクトロニクス要素の生成、特徴付け、および相互接続に大きな関心が集まるようになった。サブミクロンまたはナノスケールのオプトエレクトロニクスコンポーネント内の（複数の）光学活性要素の要件は、光同調のしやすさ、高いルミネッセンス効率、分子基礎要素の柔軟性、および光は予め定められている方法で生成または伝搬されなければならないことなどの特徴を含む。有機光学活性要素は、このような要件を満たすと考えられる。

難しいのは、通常であれば、有機サブミクロンまたはナノスケール光学活性要素およびコンポーネントを直接、所望の基板上に形成することが不可能であるか、または不便であるか、または経済的に実現不可能であるという点である。

この解決策は、光学活性要素を異なる基板−形成基板またはテンプレート−上に形成し、その後、要素を所望の基板に移すことである。サブミクロンまたはナノスケール要素を放出し、移送する知られている技術は、アブレーション、接着リフトオフ技術、イオンミリングなどのミリングによる裏面からの形成基板の取り外し、形成基板の化学溶解を含む。しかし、これらの方法は、複数の工程を必要とする場合があり、過剰な廃棄材料を作り出すか、または例えば、光学活性要素が無変更のまま移送されないため単純に機能しない場合がある。

ＷＯ０１／９２１５０では、カーボンナノチューブを基板に移送する方法について説明している。この方法は、図２から６を見ると以下のように理解することができる。

・図２＋３：カーボンナノチューブの塊１ａに超音波５をかけて溶媒４中に溶解させ、カーボンナノチューブ溶液６を作る。超音波は、以下のとおりである。
・周波数［２０〜２００ｋＨｚ］
・振幅［０．５〜５０μｍ］
・持続時間［０．１〜１０時間］

・図４：カーボンナノチューブ溶液６は、濾過器７で濾過され、これにより、カーボンナノチューブ薄膜１が濾過器７上に形成される。

・図５＋６：薄膜１上にバインダ層３が形成され、基板２上で構造がひっくり返される。次に、濾過器７は、剥ぎ取られ、バインダ層３は、熱処理により溶解させることができ、その結果、カーボンナノチューブ薄膜１が基板２上に形成される。

したがって、ＷＯ０１／９２１５０は、カーボンナノチューブの塊を基板に移送することに関する。

本発明の発明者らは、基板からサブミクロンまたはナノスケール要素を放出し、それによりサブミクロンおよびナノスケール要素を移送しやすくする改善された方法は、役立つものであると評価しており、その結果本発明を考案した。

（発明の概要）
本発明は、テンプレート基板から有機ナノファイバーの集合体を放出し、有機ナノファイバーの集合体を標的基板に移送する改善されたリフトオフ法を実現しようとするものである。一目的は、リフトオフが、形態面、光学面、電子面、および／または機械面の有機ナノファイバーの特性のうちの少なくとも１つが実質的に変更されない形で維持されるように実行されることである。

好ましくは、本発明は、上記の欠点または他の欠点のうちの１つまたは複数を単独で、または組み合わせて、軽減または緩和する。したがって、第１の態様において、有機ナノファイバーの集合体をテンプレート基板から放出する方法が提示され、この方法は、
ａ）誘電体テンプレート基板を用意する工程と、
ｂ）有機分子の細長いまたは湾曲した凝集体である有機ナノファイバーをテンプレート基板上に成長させる工程と、
ｃ）まずテンプレート基板の表面に極性液体を供給し、この液体が表面およびナノファイバーと液体接触するようにして、その後ナノファイバーと液体の複合系にエネルギーを供給することによりテンプレート基板からナノファイバーを放出する工程
を含む。

誘電体基板は、有機ナノファイバーの集合体を成長させるのに好適な基板であればどのような種類のものでもよい。基板は、極性表面、つまり電場を保持する表面を有することができる。このような基板は、周囲条件の下では不安定な場合があり、その結果テンプレート基板の製作に必要な工程およびその後のナノファイバーの成長のうちの少なくとも１つは、１０^−７ｔｏｒｒ未満、またはそれ以上低い圧力などの１０^−５ｔｏｒｒ未満の圧力など、真空条件の下で行うことができる。テンプレート基板は、白雲母タイプの雲母基板などの、雲母基板であってよい。しかし、テンプレート基板は、非ゼロ電荷および非ゼロ表面双極子モーメントを保持する表面など、例えば｛１１１｝−末端岩塩結晶、｛０００１｝−末端ウルツ鉱結晶、｛１１０｝−末端ホタル石結晶などの表面などの極性基板であればどのような種類のものでもよい。

有機ナノファイバーは、結果として得られる成長プロセスの構造であってよく、ナノファイバーは、個々の有機分子から組み立てられる。個々の有機分子は、π電子配置を有する分子であってよい。有機分子は、パラフェニレンオリゴマーまたは官能化されたパラフェニレンオリゴマーの型とすることができる。

有機ナノファイバーは、１０から１００ミクロンの範囲内の平均長、またはさらにそれ以上の長さを有することがある。断面幅は、数百ナノメートル、断面高さは、約１００ナノメートルとすることができる。断面領域の形状は、一般的に長方形または四角形とすることができる。しかし、断面形状はどのようなものでも考えられる。

基板の表面に供給される極性液体は、表面全体を濡らすか、または少なくともナノファイバーに接する領域を濡らすことができる。液体は、個々のナノファイバーを覆ってもよいが、必要というわけではない。極性液体は、水またはメタノールなどの極性液体、または１デバイよりも大きいか、１．５デバイよりも大きいか、１．７５デバイよりも大きいか、２デバイよりも大きいか、またはそれ以上大きい双極子モーメントなどの、有限な双極子モーメントを有する任意の液体であってよい。

エネルギーは、ナノファイバー、液体、およびテンプレート基板表面からなる複合系に供給される。エネルギーは、個々のナノファイバーとテンプレート基板との間の接触領域内にエネルギーが少なくとも溜まるような形で供給することができる。エネルギーは、紫外（ＵＶ）線の形態などの電磁放射線を使って、例えば放射照度が０．１〜３Ｗ／ｃｍ^２、０．１〜１Ｗ／ｃｍ^２など、０．１〜５Ｗ／ｃｍ^２のＵＶ光源を使って供給することができる。放射光は、３００〜５００ｎｍの範囲などの、ＵＶまたは近ＵＶ波長範囲内の波長の光とすることができる。エネルギーは、数秒から数百秒の間にサンプルに供給することができる。また、エネルギーは、超音波などの音波により供給することもできる。

リフトオフ法に続いて、好ましくは、ナノファイバーの標的基板への移送および配列が行われる。移送および配列は、以下の節で説明されているように異なるアプローチにより実行できる。

この方法は、さらに、後続の工程として、
・標的基板をテンプレート基板に密着させる工程と、
・これら２つの基板を分離し、これによりナノファイバーを標的基板に移送する工程
を含むことができる。

密着は、テンプレートと標的基板との間に短距離原子または分子引力が生じるような接触とすることができる。これら２つの基板を分離した後、有機ナノファイバーをテンプレートから標的基板に移送することができる。標的基板は、標的基板およびテンプレート基板を接触させる前に極性液体により濡らすことができる。

標的基板は、半導体基板、例えばシリコン基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板などの所望の基板であってよい。しかし、標的基板は、さらに、アルミナ基板、シリカ基板、ガラス基板などの絶縁体基板であってもよい。標的基板は、さらに、金属基板、ＩＴＯ基板などの酸化物基板とすることもできる。

この方法は、また上記後続工程の代替として、
・エネルギーを供給する前に標的基板をテンプレート基板に密着させる工程と、
・エネルギーを供給した後にこれら２つの基板を分離し、これによりナノファイバーを標的基板に移送する工程
を含むことができる。

そのため、ナノファイバーは、テンプレート基板および標的基板が接触する前にエネルギーを供給することにより、または基板が接触した後、基板が分離される前にエネルギーを供給することにより、標的基板に移送することができる。エネルギーは、供給される種類のエネルギーに対し少なくとも部分的に透過的である、テンプレート、標的、またはその両方のいずれかの基板を使用することにより基板の間の接触領域内に供給することができる。

この方法は、上記後続工程の他の代替として、さらに、
・追加の液体をテンプレート基板に加えてナノファイバーを溶液に移送する工程
を含むことができる。

液流をテンプレート基板に供給することにより追加の液体を送り、例えば液体ジェットを使ってナノファイバーを「洗い落とす」ことができる。ナノファイバーは、溶液中に蓄積され、これによりナノファイバーの非劣化蓄積手段が実現される。

ナノファイバーの幾何学的配向は、洗い落とすプロセスにおいて変わる場合がある。しかし、ナノファイバーは、溶液中で再構成されることができる。再構成は、相互分離距離を変えることができる２つの物体の間にナノファイバーを置き、これらの物体を、所定の分離距離になるまで近付けることにより得られる。これらの物体は、自動化された、または機械的操作可能な、例えば、並べて移動可能な薄板またはシートなどの物体とすることができる。同じ方法を適用することにより、テンプレート基板上の放出されたナノファイバー、または標的基板上の移送されたファイバーのいずれかの分布を変えることができる。物体は、代わりに、基板の表面上に配置され、一緒に移動させることができる。

所定の距離は、２つの物体間の液体表面積または体積中の液体圧力を観測することにより決定することができ、また液体圧力増大が生じる距離として決定することができる。液体圧力は、溶液中の有機ナノファイバーの密度が、隣接するナノファイバーが互いに反発し始めるような密度であるときに上昇しうる。所定の距離は、それとは別に、ナノファイバーの間の平均分離距離を、例えば顕微鏡を使って観測することにより決定することができ、また特定の平均距離が得られる距離として決定することができる。所定の距離は、さらに、移動可能な物体の分離距離と、ナノファイバーの所望の密度、分離距離などとの間の知られている関係から決定することもできる。

溶液中のナノファイバーは、標的基板に移送することができる。移送は、標的基板を溶液に接触させることにより、例えば標的基板を溶液中に浸漬することにより実行できる。

標的基板上の個々のナノファイバーまたはナノファイバーの集合体を１つまたは複数のセクションのところで電極パッドに接触させることができる。１つまたは複数のセクションは、ナノファイバーの終端セクションなどのセクションとすることができる。接触は、リソグラフィプロセスとともに、またはリソグラフィプロセスの結果として得られる。電極パッドは、導体または半導体材料などの好適な材料で作ることができる。

この方法は、さらに、後続の工程として、
・カプセル化層をナノファイバー上に蒸着する工程と、
・ナノファイバーを保持しているカプセル化層をテンプレート基板から取り除く工程
を含むことができる。

カプセル化層は、有機または無機分子の層であってよく、ナノファイバーをリフトオフするために使用される。次いで、カプセル化層は、標的基板に施し、溶解させることができ、これにより移送が完了する。

この方法は、さらに、溶液中にある間、つまりリフトオフ手順と配列手順の実行中またはその間に、ナノファイバーを整列させる工程を含むことができる。

ナノファイバーを整列させる工程は、
・電極間に電磁場を発生させることができる２本の電極の間にナノファイバーを置く下位工程と、
・電極と電極の間にＡＣ電場を印加する工程
を含むことができる。

ナノファイバーの整列は、ナノファイバーがテンプレート基板上で放出された後、またはナノファイバーが標的基板に移送された後に、実行することができる。整列は、ナノファイバーのパターンを最終製品に合わせて調節するために、または最終製品を加工する中間工程と関連して実行することができる。

整列は、数１０^５ Ｖ／ｍなどの１０^４Ｖ／ｍから１０^６Ｖ／ｍの間の電場強度、および数百ｋＨｚから最大数ＭＨｚまでの周波数を有するＡＣ電場を使用して得ることができる。

有機ナノファイバーは、光学活性要素とすることができるが、それは例えば、ファイバーによって電流を通すことにより、またはナノファイバーの光または電子照射の後の蛍光発光プロセスにより光を放射することができるからである。有機ナノファイバーは、実質的に青色光に対応する、３００〜６００ｎｍの波長範囲、またはより詳細には、３７０〜５００ｎｍの範囲内などの可視光線または近可視光線波長範囲において光学活性であるものとすることができる。しかし、有機ナノファイバーは、ナノファイバーの分子構成要素の電子構造により決定されるように、可視光線または近可視光線波長範囲において光学活性を有することができる。

開示されているようにテンプレート基板から標的基板にナノファイバーを放出し、移送する方法により、個々のナノファイバーまたはナノファイバーの集合体の少なくとも１つの、場合によってはさらに多くの、またはさらにはすべての、物理的特性が、放出および／または移送プロセスにおいて実質的に変更されないようにできる。例えば、個々のナノファイバーまたはナノファイバーの集合体の光学的および形態学的特性は、移送時に保存することができる。しかし、電子的および機械的特性も、移送プロセスにおいて保存されることができる。

本発明の方法は、標的基板にナノファイバーの複数の層を施すために何回も適用することができる。追加のプロセス工程は、リソグラフィ工程、蒸着工程など、本発明の複数の移送工程間で実行することができる。好ましい一実施形態では、テンプレート基板上のナノファイバーの成長は、例えば、一部の領域がナノファイバーを含み、他の領域は空であるようにパターン形成することができる。パターン形成を標的基板に移送して、結果として得られるデバイス内に機能を付与することができる。上で説明されている移送法は一部のみがパターン形成を保存することは明らかである。

他の態様によれば、本発明は、配列されたナノファイバーを利用する発光デバイス、感光デバイス、導光デバイスなどのデバイスを実現することができる。これらのデバイスは、発光要素、感光要素、または導光要素を形成するナノファイバーが本発明の第１の態様による方法により他の基板に移送されている加工プロセスにより実現されうる。

本発明によるこの方法は、光電気コンポーネントまたはデバイスの生産で使用するのに役立つが、それは、ナノスケール要素の成長または生産を可能する活性要素が第１の基板上に設けられ、その後、生産基板に移送されるようにできるからである。これにより、この方法は、理想化されたモデルシステム上の専門研究と商品との間に多くの場合に見られるギャップを埋めることができる。さらに、ウェハサイズ生産を単純で信頼性の高い方法により簡単に行えるため、大規模生産を安価なものとすることができる。

本発明のこれらおよび他の態様、特徴、および／または利点は、以下で説明される実施形態を参照することで明らかになり、また理解できるようになるであろう。

本発明のいくつかの実施形態は、例としてのみ、図面を参照しつつ説明される。

（好ましい実施形態の説明）
図１は、テンプレート基板１上の有機ナノファイバー２、３の成長、またはより具体的には、白雲母基板上のフェニレンナノファイバーの成長の概略を例示している。

雲母は、例えば、空気中での切断および例えば５時間の間４１０Ｋでガス抜きできる真空装置内への即時移送により電場が表面に存在するように作製できる。

この節で示されているナノファイバーは、ｎ個のベンゼン環からなる細長い分子であるｐ−フェニレンオリゴマー（ｐ−ｎＰ）で作られる。しかし、本発明の範囲内のいかなる種類の分子も使用できることは理解されるであろう。これらの分子は、自己組織化で有機ナノファイバーに成長することができ、分子は、分子軸に垂直な方向に成長する、つまり、分子は、参照番号４を付けられている矢印で示されているように、表面に平行な方向に成長する。これらのファイバーは、長さ最大数ミリメートルで、数百ナノメートルの断面を有することができる。ナノファイバーのサイズは、成長プロセスにおいて適切な条件を示すことにより制御することができる。

フェニレンオリゴマーは、３５０から４５０Ｋまでの温度などの、さまざまな表面温度で、さまざまな蒸着速度により、例えば、蒸着速度〜０．０２〜０．５Å／秒のノズルを有する抵抗加熱オーブンを使って、雲母表面上に施すことができる。その結果得られるナノファイバーのサイズは、表面温度に大きく依存する。表面温度は、さらに、集束低出力レーザーを成長領域の表面に照射する方法で制御することができる。

図２Ａおよび２Ｂは、雲母基板上に成長された整列ナノファイバー２０、２１の２つの顕微鏡画像を示している。ナノファイバーは、０．５Ｗのレーザーからのレーザー照射に関して３５６Ｋの表面温度で成長させた。ナノファイバーの幅は、２００ｎｍ程度であり、密度は、１０^５ｃｍ^−２から１０^６ ｃｍ^−２の範囲である。ナノファイバーの典型的な長さは、図に示されている目盛棒により示されている。

図３Ａ〜３Ｃは、テンプレート基板３０からナノファイバー３１を放出するプロセスの概略および断面を例示している。例示は、純粋に例示目的のために取りあげられており、必ずしも界面での物理的真実を表すものではない。図３Ａおよび３Ｂは、異なる量の液体が供給されている２つの異なる実施形態を例示している。図３Ａでは、ごくわずかの量の液体が用意され、個々のナノファイバーと基板との間の接触領域付近の少なくとも領域３５はこの液体で濡らされている。図３Ｂでは、さらに大量の液体が用意され、これは、ナノファイバーを含む複合系全体として例示され、テンプレート基板が濡らされているが、これは必ずしもそうであるわけではない。エネルギーは、その後、図３Ｃに例示されているように複合系に供給される。エネルギーは、例えば、波長３００〜４００ｎｍ、放射照度０．１〜１Ｗ／ｃｍ^２のＵＶ光源３６を使い、数秒から数百秒の間にサンプルに照射する（３７）ことで供給することができる。供給されるエネルギーの一部は、ナノファイバーとテンプレート基板との間の接触領域に吸収され、それにより、場合によってはナノファイバーの内部運動の励起のせいで、ナノファイバーの結合力が弱まり、その後、液体からの分子がナノファイバーとテンプレート面との間の接触領域３４内に導入される。これは、ナノファイバーの持ち上げ３４により図３Ｃに概略が例示されている。しかし、これは、例示することのみを目的としており、重要な特徴は、ナノファイバーとテンプレート基板との間の結合力が、本発明のプロセス工程を実施することにより弱められることである。

図４Ａ〜４Ｃは、テンプレート基板３０から標的基板４０へ放出されたナノファイバーを移送するプロセス工程の一実施形態の概略を例示している。テンプレート基板は、図４Ａに例示されているように放出されたナノファイバー４１を支えている。標的面４０は、標的基板の表面が、図４Ｂに例示されているようにナノファイバーおよび液体に接触させられるように密着させられる。２つの基板を接触させてくっつけることにより、ナノファイバーは、標的基板との表面結合を形成し、それに固着する。これら２つの基板を分離した後、ナノファイバーは、標的基板に移送される。これらのナノファイバーは、テンプレート基板上のナノファイバーの幾何学的配向が標的基板上で保持されるとともに、さらにナノファイバーの物理的特性が移送プロセスにおいて維持されるような形で移送される。標的基板は、任意の種類の基板とすることができ、これにより、ナノファイバーは、所望のナノファイバーの成長が可能でない場合がある基板上に施すことができる。

ナノファイバーを標的基板に移送する他のシナリオも考えられる。標的基板４０をテンプレート基板および溶液と接触させる前にナノファイバーを放出する代わりに、エネルギーが供給される前に標的基板を接触させることができる。これは、図３Ｃではなく図３Ａまたは図３Ｂのいずれかにおいて標的基板４０を接触させることに対応する。これは、図４Ａと４Ｂとの間の工程における接触領域にエネルギーが供給されることを意味する。これら２つの基板が分離した後、ナノファイバーは、図４Ｃのように、標的基板に移送される。

図５は、移送プロセスの他の実施形態の概略を例示している。図３に関して説明されているようにナノファイバーが放出された後、追加の液体を基板に供給することができる。追加の液体は、液流で供給することができ、この液流から生じる摩擦力は、ナノファイバーを洗い落とせる十分な力である場合がある。ナノファイバーを含む液体５１は、容器５２内に回収することができる。標的基板４０は、液体の中に引きずり入れる、浸漬するなどにより、ナノファイバーを標的基板の表面に接着することができる。

しかし、ナノファイバーは、溶液中で２つの物体、例えば、容器５２の壁と矢印で示されているように移動することができるシート５３などの間にナノファイバーを入れることにより、溶液中で再構成することもできる。２つの物体の間の領域内のナノファイバーの濃度は、高めることができる。個々の細長いナノファイバーの間の分子間相互作用により、ナノファイバーは、液体中のナノファイバーの濃度に応じて相互平均分離距離と揃う。標的基板を液体中にゆっくり通すことにより、ナノファイバーをきちんと整列した形で基板表面に施すことができる。

シート５３の移動中に、液体圧力を測定する５４ことができる。ナノファイバー含有液体は、非圧縮性液体であってよいので、液体圧力は、表面におけるナノファイバーの最小相互分離距離に到達するまで一定のままであり、到達した時点で、液体圧力が上昇し始める。標的基板を液体中にゆっくり通すことにより、ナノファイバーの膜を標的基板の表面上に形成することができる。

雲母テンプレート基板上に成長させ、その後、溶液中に移送されたナノファイバーの画像は、図６Ａおよび６Ｂに示されている。図６Ａは、ナノファイバーを再配列することなくナノファイバーが溶液中に移送された状況を示しているが、図６Ｂに示されているナノファイバーについては、ナノファイバーの密度は、図５に関して説明されているような方法で、つまり、シート５３を容器壁の近くに移動させることによりナノファイバーを圧縮することで、高められている。

図７Ａおよび７Ｂは、溶液から標的基板に移送されたナノファイバーの厚さ５０ｎｍの薄膜の画像を示している。ここでは、標的基板は、顕微鏡のガラスプレートであるが、どのような種類の基板でもよい。ナノファイバーは、図７Ａおよび７Ｂに例示されているように、ナノファイバーから放射された光の偏光測定から見られるように高く配向されている。図７Ａでは、ナノファイバーから放射されたｓ偏光が測定されているが、ナノファイバーから放射されたｐ偏光は、７Ｂで測定された。実質的にｐ偏光が測定されていないため、この放射光は、高いｓ偏光であることは明らかであり、移送された層中の分子は、十分に配向されていることを示している。測定結果から、移送された層内の分子の９５％超は、十分に配向されていることがわかる。このような十分に配向された光学活性薄膜は、他の方法では、得ることが、不可能でないとしても、非常に難しいと思われる。また、非常に重要なことであるが、高く配向された薄膜は、任意の種類の基板−単結晶基板と非晶質基板の両方−に施すことができる。高い配向の薄膜をどのような種類の基板にも施すことができることは大きな利点である。

細長いナノファイバーは、自己組織化で整列する傾向があるが、この整列は、角度についても、相互分離距離についても分布が広いという欠点を有することがある。標的基板への移送前および移送後のいずれかに、放出されたナノファイバーをＡＣ電気的双極子場に置くことで、ナノファイバーをさらに均一に整列しやすくなることがある。これは、図８に例示されているように、基板を、したがってナノファイバーを、ＡＣ発生器に接続されている２本の電極８０の間の極性液体と接触させることにより実装することができる。

標的基板へのナノファイバーの移送は、デバイスを加工するプロセスにおける第１の工程であってよい。標的基板は、例えば、リソグラフィ工程を実行することができる、半導体基板とすることができる。図９は、基板上のナノファイバーの配列から得られるデバイスを例示しているが、ナノファイバーは、導体パッド９０に接続することができ、これもまた、例えば、電線などの導電性トラックにより制御回路にさらに接続することができる。ナノファイバーは、例えば、選択されたナノファイバーに電流を流すことができる電流発生器に接続することができ、これは光を放射することができる。

他の態様によれば、ナノファイバーを利用する発光デバイス、感光デバイス、導光デバイスなどは、本発明によるリフトオフ法を使用して加工することができる。

発光または感光デバイスに関して、ナノファイバーは、一般的な導波路プラットフォーム上に移送することができる発光分子特異的要素とすることができる。発光要素の励起は、導波路の表面上の配列によりエバネッセント波により生じやすくできる。図７Ａおよび７Ｂの顕微鏡のガラスプレート上のナノファイバー薄膜は、発光デバイスまたは感光デバイスを構成することができ、ガラスプレートは導波路として使用される。発光の応用例では、図９のデバイスは、ナノファイバーを流れる電流による励起の一例である。センサの応用例については、誘起発光の検出は、遠距離場において、または伝搬波を介して実行することができる。このようなデバイスは、全光学的センサを代表する。

導光要素については、ナノファイバーは、テンプレート基板上に成長のパターンを形成し、ナノファイバーを埋め込み集積フォトニック構造上に移送することによりいくつかのパターンで配置することができる。光とナノファイバーとの結合は、エバネッセント波励起、専用二次元フォトニックバンドギャップ構造のマッチング、または他の知られている結合技術を介して発生する可能性がある。ナノファイバーにより導かれる光は、例えば、エバネッセント結合を介して有機リング共振器（適切な寸法の環状に曲げられたナノファイバー）に結合することが可能である。光は、さらに、導光の色を変えるために、発光ナノファイバー（上を参照）から他の有機分子でできているナノファイバーに誘導することも可能である。ナノファイバーの寸法（特にその横方向寸法または「平坦さ」）により、また基板結合により、ナノファイバー間の結合効率は、一般的に非常に高い。

本発明は、好ましいいくつかの実施形態に関して説明されているが、本明細書で述べられている特定の形態に制限することを意図されていない。むしろ、本発明の範囲は、付属の請求項によってのみ限定される。

ナノファイバーが参照されており、この参照は、制限することを意図されておらず、任意の種類の細長いまたは実質的に細長く湾曲した物体など、少なくとも棒のような形状、針のような形状を含むものと解釈すべきである。さらに、ナノという接頭語は、広い意味で解釈すべきであり、少なくとも、ナノテクノロジーの分野において一般的なようにサブミクロンサイズの物体を含むものと解釈すべきである。

この節では、特定の基板、液体、分子、調製条件、さらには方法工程の数および順序など、開示されている実施形態のいくつかの具体的詳細は、制限するためではなく、説明するために述べられており、これにより、本発明を明確に、完全に理解することができる。しかし、当業者であれば、本発明が、本開示の精神および範囲から著しく逸脱することなく、本明細書で述べられている詳細に正確には適合しない他の実施形態においても実施できることを容易に理解するであろう。さらに、この文脈において、また簡潔に、分かりやすく説明するために、よく知られている装置、回路、および方法の詳しい説明は、不要な詳細および混乱の可能性を避けるために省かれている。

テンプレート基板上での有機ナノファイバーの成長の概略を示す図である。 整列されたナノファイバーの２つの顕微鏡画像を示す図である。 テンプレート基板からナノファイバーを放出するプロセスの概略を示す図である。 テンプレート基板から標的基板へ放出されたナノファイバーを移送するプロセス工程の一実施形態の概略を示す図である。 溶液への放出されたナノファイバーの移送プロセスの一実施形態の概略を示す図である。 溶液中のナノファイバーの画像を示す図である。 溶液から標的基板に移送されたナノファイバーの薄膜の画像を示す図である。 ＡＣ発生器を使ったナノファイバーの整列の概略を示す図である。 導体パッドに接続されたナノファイバーを示す図である。

Claims (22)

1. 有機ナノファイバーの集合体をテンプレート基板から放出する方法であって、
   ａ）誘電体テンプレート基板を用意する工程と、
   ｂ）有機分子の細長いまたは湾曲した凝集体である有機ナノファイバーを前記テンプレート基板上に成長させる工程と、
   ｃ）まず前記テンプレート基板の表面に極性液体を供給し、前記液体が前記表面および前記ナノファイバーと液体接触するようにして、その後ナノファイバーと液体の複合系にエネルギーを供給することにより、前記テンプレート基板から前記ナノファイバーを放出する工程
   を含む方法。
2. ・標的基板を前記テンプレート基板に密着させる後続工程と、
   ・前記２つの基板を分離し、これにより前記ナノファイバーを前記標的基板に移送する後続工程
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 工程ｃ）が、
   ・前記エネルギーを供給する前に標的基板を前記テンプレート基板に密着させる工程と、
   ・前記エネルギーを供給した後に前記２つの基板を分離し、これにより前記ナノファイバーを前記標的基板に移送する工程
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. ・追加の液体を前記テンプレート基板に加えて前記ナノファイバーを溶液に移送する後続工程
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記ナノファイバーが、相互分離距離を変えることができる２つの物体の間に前記ナノファイバーを置き、前記物体を所定の分離距離が得られるまで近付けることにより、前記溶液中に再構成される、請求項４に記載の方法。
6. 液体圧力が、前記２つの物体間の液体体積で観測され、前記所定の距離が液体圧力増大が生じる距離である、請求項５に記載の方法。
7. 前記ナノファイバーを標的基板に移送する工程をさらに含む、請求項４から６のいずれかに記載の方法。
8. 個々のナノファイバーまたはナノファイバーの集合体が、電極パッドの１つまたは複数のセクションのところで接触する、請求項２、３、または７のいずれかに記載の方法。
9. ・カプセル化層を前記ナノファイバー上に蒸着する後続工程と、
   ・前記ナノファイバーを保持している前記カプセル化層を前記テンプレート基板から取り除く後続工程
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記ナノファイバーを整列する工程をさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
11. 前記ナノファイバーを整列する前記工程が、
    ・電極間に電磁場を発生させることができる２本の電極の間に前記ナノファイバーを置く工程と、
    ・前記電極と電極の間にＡＣ電場を印加する工程
    を含む請求項１０に記載の方法。
12. 個々のナノファイバーまたはナノファイバーの集合体の光学的および形態学的特性が、移送時に保存される、請求項２から１１のいずれかに記載の方法。
13. 前記テンプレート基板が、極性表面を有する基板である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
14. 前記テンプレート基板が、雲母基板である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
15. 前記有機ナノファイバーが、光学活性である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
16. 前記有機ナノファイバーは、３００ｎｍから６００ｎｍまでの波長範囲において光学活性である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
17. 前記ナノファイバーの前記有機分子が、パラフェニレンオリゴマーである、前記請求項のいずれかに記載の方法。
18. 前記極性液体が、水およびメタノールの群から選択された液体である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
19. 前記エネルギーが、紫外線の形態で供給される、前記請求項のいずれかに記載の方法。
20. １つまたは複数の発光要素が請求項１から１９のいずれかに記載の方法により支持基板に付与されている発光デバイス。
21. １つまたは複数の感光要素が請求項１から１９のいずれかに記載の方法により支持基板に付与されている感光デバイス。
22. １つまたは複数の導光要素が請求項１から１９のいずれかに記載の方法により支持基板に付与されている導光デバイス。

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