JP2008503719A - マイクロストリップ電力センサ - Google Patents
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Abstract
Description
消散電力を求めるために、MomentumやHFSS等の電磁気シミュレーションが使用されて、挿入損失が周波数の関数として求められ、次いで、消散電力が次のように計算される。たとえば、以下の方程式に従って、2Wの入力電力が0.5dBの挿入損失を有する線路に印加されると、消散電力レベルは0.22Wとなる。
Pout=Pin/(10(挿入損失/10))
Pdissipated=Pin−Pout
Pdissipated=Pin−Pin/(10(挿入損失/10))
参照論文として次のようなものがある。すなわち、Dehe, A.、Fricke-Neuderth, K.、Krozer, V.著「Broadband thermoelectric microwave power sensors using GaAs foundry process」(Microwave Symposium Digest, 2002 IEEE "MTT-S International, Volume: 3, 2002 Page(s): 1829-1832)、Dehe, A.、Hartnagel, H.L.著「Free-standing Al0.30Ga0.70As thermopile infrared sensor」(Device Research Conference, 1995. Digest. 1995 53rd Annual, 19-21 Jun 1995 Page(s): 120-12)、及びDehe, A.;Krozer, V.;Chen, B.;Hartnagel, H.L.著「High-sensitivity microwave power sensor for GaAs-MMIC implementation」(Electronics Letters, Volume: 32 Issue: 23, 7 Nov 1996 Page(s): 2149-215)が参照される。
一実施の形態では、基板はGaAsから成る。
一実施の形態では、熱電対はIII−V族物質から成る。
一実施の形態では、熱電対は、基板上のメサである。
一実施の形態では、複数の熱電対は、ストリップ導体から垂直に延びる。
一実施の形態では、熱電対の近位端部は、ストリップ導体の上に配置され、ストリップ導体に熱的に結合されている。
Claims (25)
- 電力センサであって、
誘電体基板と、
前記基板の一方の面に配置されるストリップ導体と、
前記基板の反対側の面に配置される接地面導体と、
を備えるマイクロストリップ伝送線路と、
前記ストリップ導体から延びる複数の熱電対であって、該熱電対の近位端部が前記ス
トリップ導体と熱的に結合されている、複数の熱電対と、
から構成される電力センサ。 - 複数の電気導体を含み、各電気導体は、前記熱電対の対応するものの遠位端に電気的に接続される第1の端部と、前記熱電対の対応するものに隣接して配置される前記複数の熱電対の1つの前記近位端に電気的に接続される第2の端部とを有する、請求項1に記載の電力センサ。
- 前記熱電対の前記近位端は互いに電気的に絶縁されている、請求項2に記載の電力センサ。
- 前記基板はIII−V族物質から成る、請求項3に記載の電力センサ。
- 前記基板はGaAsから成る、請求項4に記載の電力センサ。
- 前記熱電対はIII−V族物質から成る、請求項5に記載の電力センサ。
- 前記熱電対はGaAsから成る、請求項6に記載の電力センサ。
- 前記熱電対は前記基板上のメサである、請求項7に記載の電力センサ。
- 前記複数の熱電対は、前記ストリップ導体から垂直に延びる、請求項8に記載の電力センサ。
- 電力センサであって、
誘電体基板、
前記基板の一方の面に配置されるストリップ導体、
前記基板の反対側の面に配置される接地面導体、
を備えるマイクロストリップ伝送線路と、
前記ストリップ導体のエッジ部から延びる複数の熱電対であって、該熱電対の近位端部が前記ストリップ導体の前記エッジ部と重なる関係で配置されている、複数の熱電対と、
から構成される電力センサ。 - 複数の電気導体を含み、各電気導体は、前記熱電対の対応するものの遠位端に電気的に接続される第1の端部と、前記熱電対の対応するものに隣接して配置される前記複数の熱電対の1つの前記近位端に電気的に接続される第2の端部とを有する、請求項10に記載の電力センサ。
- 前記熱電対の前記近位端は互いに電気的に絶縁されている、請求項11に記載の電力センサ。
- 前記基板はIII−V族物質から成る、請求項12に記載の電力センサ。
- 前記基板はGaAsから成る、請求項13に記載の電力センサ。
- 前記熱電対はIII−V族物質から成る、請求項14に記載の電力センサ。
- 前記熱電対はGaAsから成る、請求項15に記載の電力センサ。
- 前記熱電対は前記基板上のメサである、請求項16に記載の電力センサ。
- 前記複数の熱電対は、前記ストリップ導体の前記エッジ部から垂直に延びる、請求項17に記載の電力センサ。
- 電力センサであって、
誘電体基板と、
前記基板の一方の面に配置されるストリップ導体と、
前記基板の反対側の面に配置される接地面導体と、
を備えるマイクロストリップ伝送線路と、
前記ストリップ導体から延びる複数の熱電対であって、該熱電対の近位端部が前記ストリップ導体上に配置されて、前記ストリップ導体に熱的に結合されている、複数の熱電対と、
から構成される電力センサ。 - 複数の電気導体を含み、各電気導体は、前記熱電対の対応するものの遠位端に電気的に接続される第1の端部と、前記熱電対の対応するものに隣接して配置される前記複数の熱電対の1つの前記近位端に電気的に接続される第2の端部とを有する、請求項19に記載の電力センサ。
- 前記熱電対の前記近位端は互いに電気的に絶縁されている、請求項20に記載の電力センサ。
- 前記熱電対の前記近位端部は、前記ストリップ導体のエッジ部の上に配置され、該ストリップ導体の該エッジ部に熱的に結合されている、請求項21に記載の電力センサ。
- 前記熱電対は前記基板上のメサである、請求項22に記載の電力センサ。
- 前記複数の熱電対は、前記ストリップ導体の前記エッジ部から垂直に延びる、請求項23に記載の電力センサ。
- 電力センサを形成する方法であって、
半絶縁性の単結晶基板を設け、
前記基板の面に複数のメサ熱電対を形成し、該メサは単結晶物質であり、
前記熱電対の近位端部にストリップ導体のエッジ部を有して、ストリップ導体を形成し、前記熱電対は前記ストリップ導体から外部に延び、
前記ストリップ導体上に絶縁層を形成し、
複数の電気導体を形成し、各電気導体は、前記熱電対の対応するものの遠位端に配置されて電気的に接続される第1の端部と、前記熱電対の対応するものに隣接して配置される前記複数の熱電対の1つの前記近位端に配置されて電気的に接続される第2の端部とを有し、前記複数の電気導体は、前記絶縁層によって互いに電気的に絶縁され、且つ、前記ストリップ導体から電気的に絶縁され、並びに
前記基板の反対側の面に接地導体を設ける、
ことを含み、前記ストリップ導体、前記基板、及び前記接地面導体は、マイクロストリップ伝送線路を形成する、電力センサを形成する方法。
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