JP2008503423A - 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム - Google Patents
粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008503423A JP2008503423A JP2007516496A JP2007516496A JP2008503423A JP 2008503423 A JP2008503423 A JP 2008503423A JP 2007516496 A JP2007516496 A JP 2007516496A JP 2007516496 A JP2007516496 A JP 2007516496A JP 2008503423 A JP2008503423 A JP 2008503423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- granular polycrystalline
- dust component
- dust
- granular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
- B07B4/00—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents
- B07B4/02—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents while the mixtures fall
- B07B4/04—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents while the mixtures fall in cascades
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials
- C30B21/06—Unidirectional solidification of eutectic materials by pulling from a melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
Abstract
Description
もう1つの要旨において、プロセス容器は、粒状多結晶シリコンを受け入れることに適応するように構成されており、対向する第1の端部および第2の端部、粒状多結晶シリコンを通過させるための該第1の端部における多結晶シリコン通路、前記減圧ソースに連絡する減圧ポートを有している。減圧ポートのためのクロージャが存在しており、プロセス容器から粒状多結晶シリコンを注いで導入するために直立した状態からプロセス容器を回転させる際に、粒状多結晶シリコンが減圧ポートを塞ぐことがないように、プロセス容器の第2の端部に隣接して減圧ポートが配置されている。
添付の図面を参照しながらこの出願の発明について説明するが、図面全体について、同じ参照符号は対応する部材を示している。
図1〜2Aを参照すると、粒状多結晶シリコンから粉塵成分を除去するためのシステムが、全体として符号11で示されている。このシステム11は、一般に、粒状多結晶シリコンGPを収容するためのソース容器S、その粒状多結晶シリコンの中に混入している粉塵成分D、粒状多結晶シリコンから粉塵成分を引き離す(または吸引する)ための減圧ソースV、およびプロセス容器Pを有している。この明細書の説明に関して、多結晶シリコン材料が処理される際に、空気中に容易に浮遊し得る程小さい多結晶シリコンの粒状物によって粉塵成分Dが形成されている。一般にこれらの粒状物は、10ミクロンまたはそれ以下の寸法を有している。
(1)結晶収率への粉塵成分Dの影響を定量化する際の補助的手段(assist)として、
(2)コンテナ内の粉塵成分に基づいて、コンテナ(容器)に供給される粒状多結晶シリコンを受け入れるかまたは拒否すること、
(3)粉塵成分に対して感受性の高い(または敏感な(dust-sensitive))結晶成長プロセスに用いられる結晶引上げ装置に、所定の特性値以下の粉塵成分を有するものだけが供給されるように受け入れコンテナを分類すること
に用いることができる相対的な粉塵成分測定を提供する。
2つの300キログラムのソース容器(または、出荷用ドラム)が、結晶成長設備に到着した。AORバルブの下側に図4の粉塵成分測定システムの付加が取り付けられている、図1に示す構成のプロセス容器の中に、ソース容器の内容物を入れた。各容器における粉塵成分のレベルを上記の方法を用いて測定した。第1の容器についての粉塵成分のレベルは4.9mg/10kgであり、第2の容器についての粉塵成分のレベルは7.5mg/10kgであった(すなわち、特性値の範囲外である)と測定された。
Claims (10)
- 流動床プロセスにおいて化学気相蒸着によって粒状多結晶シリコンを形成する工程;
前記粒状多結晶シリコンを寸法によって分級する工程;
前記粒状多結晶シリコン中の粉塵成分が、多結晶シリコン100kgあたり3mg未満の質量を有するように、前記粒状多結晶シリコンから粉塵成分を除去する工程;
粉塵成分を除去した後で、粒状多結晶シリコンをパッケージングする工程
を含んでなる、粒状多結晶シリコンを連続的に製造する方法。 - 粉塵成分除去工程が、粒状多結晶シリコン及び粉塵成分を含む多結晶シリコン材料をバッフルチューブへ送ることを含んでなる請求項1に記載の方法。
- 粉塵成分除去工程が、バッフルチューブに減圧を適用して、多結晶シリコン材料から粉塵成分を吸引することを含んでなる請求項2記載の方法。
- 粉塵成分を除去する前に多結晶シリコン材料をホッパーへ移す工程を更に含んでなり、前記粉塵成分除去工程は、ホッパー内において多結晶シリコン材料に減圧を適用してそこから粉塵成分を除去することを含んでなる請求項2に記載の方法。
- 粒状多結晶シリコン材料を脱水素化する工程を更に含んでなる請求項4に記載の方法。
- 粒状多結晶シリコンから粉塵成分を引き離すための減圧ソース;
粒状多結晶シリコンを受け入れることに適合化されているプロセス容器であって、対向する第1の端部および第2の端部、粒状多結晶シリコンを通過させるための前記第1の端部における多結晶シリコン通路、および前記減圧ソースに連絡する減圧ポートを有してなるプロセス容器;ならびに
前記プロセス容器からの粒状多結晶シリコンを受け入れるためのコンテナ
を有してなる粒状多結晶シリコンから粉塵成分を除去するためのシステムであって、
前記プロセス容器から粒状多結晶シリコンを注ぐために前記プロセス容器を直立した状態から回転させる際に、粒状多結晶シリコンが前記減圧ポートを塞ぐことがないように、前記減圧ポートは前記プロセス容器における第2の端部に隣接して配置されているシステム。 - 前記減圧ポートが前記プロセス容器の側壁に配置されている請求項6に記載のシステム。
- 前記コンテナ内に受け入れた粒状多結晶シリコン10kgあたり3mg未満で粉塵成分が存在する粒状多結晶シリコンと組み合わせられた請求項6に記載のシステム。
- 多結晶シリコン通路を通る粒状多結晶シリコンの流れを選択的に停止させるために、多結晶シリコン通路に連絡するバルブを更に有してなる請求項6に記載のシステム。
- バルブが安息角バルブである請求項9に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US58130904P | 2004-06-18 | 2004-06-18 | |
US60/581,309 | 2004-06-18 | ||
US10/930,654 | 2004-08-31 | ||
US10/930,654 US7291222B2 (en) | 2004-06-18 | 2004-08-31 | Systems and methods for measuring and reducing dust in granular material |
PCT/US2005/016527 WO2006007082A2 (en) | 2004-06-18 | 2005-05-11 | Systems and methods for manufacturing granular material, and for measuring and reducing dust in granular material |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086178A Division JP2012162453A (ja) | 2004-06-18 | 2012-04-05 | 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008503423A true JP2008503423A (ja) | 2008-02-07 |
JP5032308B2 JP5032308B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=35479252
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007516496A Active JP5032308B2 (ja) | 2004-06-18 | 2005-05-11 | 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム |
JP2012086178A Pending JP2012162453A (ja) | 2004-06-18 | 2012-04-05 | 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086178A Pending JP2012162453A (ja) | 2004-06-18 | 2012-04-05 | 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7291222B2 (ja) |
EP (2) | EP1768927A2 (ja) |
JP (2) | JP5032308B2 (ja) |
KR (1) | KR20070040791A (ja) |
CN (1) | CN101006008B (ja) |
TW (1) | TWI361231B (ja) |
WO (1) | WO2006007082A2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290950A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg | マイクロリソグラフィーに使用する光学素子に特に適した材料、およびこの材料からブランクを製造する方法 |
JP2011162367A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Siltronic Japan Corp | チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法 |
JP2013241330A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Wacker Chemie Ag | 多結晶シリコン |
KR20150130407A (ko) * | 2013-03-13 | 2015-11-23 | 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드 | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
WO2016060076A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン破砕物、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコン塊破砕装置 |
JP2016079053A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン破砕物、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコン塊破砕装置 |
JP2016101549A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊破砕装置、多結晶シリコン破砕物の製造方法及び多結晶シリコン破砕物 |
JP2017509571A (ja) * | 2014-01-08 | 2017-04-06 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | 粒状ポリシリコンの製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007027110A1 (de) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verpacken von polykristallinem Siliciumbruch |
EP2310317A1 (en) * | 2008-06-27 | 2011-04-20 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Methods for increasing polycrystalline silicon reactor productivity by recycle of silicon fines |
DE102010039754B4 (de) | 2010-08-25 | 2013-06-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Bestimmung der Konzentration an Feinstaub in Silicium-Schüttgütern |
KR20150106204A (ko) * | 2014-03-11 | 2015-09-21 | (주)기술과가치 | 잉곳 제조 장치 |
US9440262B2 (en) * | 2014-11-07 | 2016-09-13 | Rec Silicon Inc | Apparatus and method for silicon powder management |
DE102015206849A1 (de) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Klassierung und Entstaubung von Polysiliciumgranulat |
JP6867388B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2021-04-28 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. | チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム |
CN105174264B (zh) * | 2015-09-01 | 2018-09-04 | 内蒙古兴洋科技有限公司 | 颗粒状多晶硅生产工艺及硅晶种制造系统 |
US10287171B2 (en) | 2016-05-05 | 2019-05-14 | Rec Silicon Inc | Tumbling device for the separation of granular polysilicon and polysilicon powder |
US9682404B1 (en) | 2016-05-05 | 2017-06-20 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus for separating fine particulate material from a mixture of coarse particulate material and fine particulate material |
CN108318392A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-07-24 | 合肥云峰信息科技有限公司 | 一种矿井粉尘颗粒测量器皿 |
KR102670968B1 (ko) * | 2019-04-24 | 2024-05-30 | 에스케이실트론 주식회사 | 분진 제거장치 및 그를 구비한 단결정 성장장치 |
KR102618384B1 (ko) * | 2019-07-16 | 2023-12-27 | 와커 헤미 아게 | 다결정 실리콘의 제조 방법 |
US11866845B2 (en) | 2022-01-06 | 2024-01-09 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control |
US20230212779A1 (en) * | 2022-01-06 | 2023-07-06 | Globalwafers Co., Ltd. | Ingot puller apparatus having a flange that extends from the funnel or from the silicon feed tube |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02153814A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-06-13 | Ethyl Corp | 水素含量の減少したポリシリコン |
WO2002094714A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Solarworld Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung von hochreinem, granularem silizium in einer wirbelschicht |
US20030077128A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-04-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Granular semiconductor material transport system and process |
JP2004138253A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Nippon Steel Corp | 廃棄物溶融炉への可燃性ダスト吹き込み方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3818822A (en) * | 1972-06-15 | 1974-06-25 | M Rehder | Seed abrading device |
US3948764A (en) * | 1974-09-23 | 1976-04-06 | Browning-Ferris Industries, Inc. | Catalyst screening unit |
US3998686A (en) * | 1975-03-10 | 1976-12-21 | Corning Glass Works | Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material |
US4710260A (en) * | 1982-12-22 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
US5059410A (en) * | 1985-08-01 | 1991-10-22 | Ethyl Corporation | Production of silicon |
USRE34242E (en) * | 1986-04-29 | 1993-05-04 | Akzo N.V. | Amino-oxazole compounds having dopaminergic activity |
DE3643378C2 (de) | 1986-12-18 | 1995-04-20 | Bosch Siemens Hausgeraete | Verfahren und Vorrichtung zur Anzeige von Funktionsstörungen eines Staubsaugers |
JPS6465010A (en) | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Osaka Titanium | Device for producing high-purity granular metallic silicon |
EP0316622B1 (en) * | 1987-11-20 | 1993-08-04 | General Electric Company | Method and apparatus for elutriation of shaped particles of polymeric resin |
US5037503A (en) * | 1988-05-31 | 1991-08-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Method for growing silicon single crystal |
US5035331A (en) * | 1989-08-14 | 1991-07-30 | Paulson Jerome I | Method and apparatus for removing dust and debris from particulate product |
DE4106589C2 (de) * | 1991-03-01 | 1997-04-24 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski |
US5259510A (en) * | 1992-03-31 | 1993-11-09 | Edward Lowe Industries, Inc. | Apparatus for separating and removing fine particulates from a particle flow |
JPH06191817A (ja) | 1992-12-22 | 1994-07-12 | Tonen Chem Corp | 粒状多結晶シリコンの製造方法 |
US5588993A (en) | 1995-07-25 | 1996-12-31 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
JP3555309B2 (ja) | 1996-02-27 | 2004-08-18 | 信越半導体株式会社 | 粒状物の自動計量供給装置 |
US5919303A (en) | 1997-10-16 | 1999-07-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a silicon melt from a polysilicon charge |
DE19813452A1 (de) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Leybold Systems Gmbh | Kristall-Ziehanlage |
GB9813858D0 (en) | 1998-06-27 | 1998-08-26 | Codel International Limited | Dust/particle monitor |
US6062094A (en) | 1999-06-04 | 2000-05-16 | Arr-Maz Products, L.P. | Dust measurement system for granular matter |
DE10121620B4 (de) | 2000-05-02 | 2008-08-21 | Dr. Födisch Umweltmeßtechnik GmbH | Verfahren und Einrichtung zur extraktiven triboelektrischen Staub- und Aerosolmessung in strömenden Gasen |
-
2004
- 2004-08-31 US US10/930,654 patent/US7291222B2/en active Active
-
2005
- 2005-05-11 KR KR1020077001155A patent/KR20070040791A/ko active Search and Examination
- 2005-05-11 EP EP05747497A patent/EP1768927A2/en not_active Withdrawn
- 2005-05-11 JP JP2007516496A patent/JP5032308B2/ja active Active
- 2005-05-11 CN CN2005800276504A patent/CN101006008B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-11 WO PCT/US2005/016527 patent/WO2006007082A2/en active Application Filing
- 2005-05-11 EP EP10178951.9A patent/EP2266923A3/en not_active Withdrawn
- 2005-06-17 TW TW094120351A patent/TWI361231B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-04-05 JP JP2012086178A patent/JP2012162453A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02153814A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-06-13 | Ethyl Corp | 水素含量の減少したポリシリコン |
WO2002094714A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Solarworld Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung von hochreinem, granularem silizium in einer wirbelschicht |
US20030077128A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-04-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Granular semiconductor material transport system and process |
JP2004138253A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Nippon Steel Corp | 廃棄物溶融炉への可燃性ダスト吹き込み方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290950A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg | マイクロリソグラフィーに使用する光学素子に特に適した材料、およびこの材料からブランクを製造する方法 |
JP2011162367A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Siltronic Japan Corp | チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法 |
JP2013241330A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Wacker Chemie Ag | 多結晶シリコン |
KR102105989B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2020-05-06 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
KR20150130407A (ko) * | 2013-03-13 | 2015-11-23 | 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드 | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
KR102379521B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2022-03-25 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
KR20210031772A (ko) * | 2013-03-13 | 2021-03-22 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
KR102228844B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2021-03-18 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
JP2016516566A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-06-09 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | 粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法 |
KR20190040019A (ko) * | 2013-03-13 | 2019-04-16 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 과립상 재료 내의 먼지를 저감시키기 위한 시스템 및 방법 |
JP2019059666A (ja) * | 2013-03-13 | 2019-04-18 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | 粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法 |
JP2017509571A (ja) * | 2014-01-08 | 2017-04-06 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | 粒状ポリシリコンの製造方法 |
US10307763B2 (en) | 2014-10-14 | 2019-06-04 | Tokuyama Corporation | Polycrystalline silicon fragment, method for manufacturing polycrystalline silicon fragment, and polycrystalline silicon block fracture device |
JP2016079053A (ja) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン破砕物、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコン塊破砕装置 |
WO2016060076A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン破砕物、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコン塊破砕装置 |
US11590509B2 (en) | 2014-10-14 | 2023-02-28 | Tokuyama Corporation | Method for manufacturing polycrystalline silicon fragment and polycrystalline silicon block fracture device |
JP2016101549A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊破砕装置、多結晶シリコン破砕物の製造方法及び多結晶シリコン破砕物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2266923A3 (en) | 2013-04-17 |
US20050279277A1 (en) | 2005-12-22 |
US7291222B2 (en) | 2007-11-06 |
KR20070040791A (ko) | 2007-04-17 |
CN101006008B (zh) | 2010-11-10 |
WO2006007082A3 (en) | 2006-09-08 |
TW200615405A (en) | 2006-05-16 |
CN101006008A (zh) | 2007-07-25 |
EP2266923A2 (en) | 2010-12-29 |
TWI361231B (en) | 2012-04-01 |
JP5032308B2 (ja) | 2012-09-26 |
WO2006007082A2 (en) | 2006-01-19 |
EP1768927A2 (en) | 2007-04-04 |
JP2012162453A (ja) | 2012-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5032308B2 (ja) | 粒状材料を製造するための方法およびシステムならびに粒状材料中の粉塵成分を減少させるためおよび測定するための方法およびシステム | |
US8833564B1 (en) | Systems and methods for reducing dust in granular material | |
CA2815252C (en) | Polycrystalline silicon | |
JP6462144B2 (ja) | 顆粒ポリシリコンの分級および除塵のための装置および方法 | |
WO1996041036B1 (en) | Method and apparatus for silicon deposition in a fluidized-bed reactor | |
JPH0337183A (ja) | 粒状シリコン原料供給装置 | |
FI70871C (fi) | Anordning foer medtagning av partikelmaterial | |
CA2935274C (en) | Method for producing granular polysilicon | |
JPH06205960A (ja) | 粒状物質の供給装置 | |
CN110412234A (zh) | 一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法 | |
EP3636633B1 (en) | Pneumatic conveyance method for methionine | |
CN215159138U (zh) | 一种米料负压送料系统 | |
CN116348446A (zh) | 具有优化粒径分布的d,l-甲硫氨酸 | |
KR20160032890A (ko) | 입자형 실리콘 정량 계량 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111025 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120405 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5032308 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |