JPH0337183A - 粒状シリコン原料供給装置 - Google Patents

粒状シリコン原料供給装置

Info

Publication number
JPH0337183A
JPH0337183A JP1173676A JP17367689A JPH0337183A JP H0337183 A JPH0337183 A JP H0337183A JP 1173676 A JP1173676 A JP 1173676A JP 17367689 A JP17367689 A JP 17367689A JP H0337183 A JPH0337183 A JP H0337183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate valve
silicon
raw material
single crystal
box unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1173676A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2525246B2 (ja
Inventor
Yoshio Mori
毛利 吉男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NKK Corp, Nippon Kokan Ltd filed Critical NKK Corp
Priority to JP1173676A priority Critical patent/JP2525246B2/ja
Priority to KR1019900010011A priority patent/KR930007851B1/ko
Priority to FI903368A priority patent/FI903368A0/fi
Priority to EP90112760A priority patent/EP0406824A1/en
Priority to CN90103348A priority patent/CN1016160B/zh
Publication of JPH0337183A publication Critical patent/JPH0337183A/ja
Priority to US07/746,075 priority patent/US5152433A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2525246B2 publication Critical patent/JP2525246B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発、明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶
の製造装置に関する。特に、シリコン粒子をるつぼ内に
供給する粒状シリコン原料供給装置に関する。
[従来の技術] チョクラルスキー法によるシリコン単結晶のじ1き上げ
装置において粒状シリコン原料を供給しながらシリコン
単結晶の連続引き上げを行う方法が良く知られている。
この場合、シリコン単結晶の育成は不純物の混入を避け
るために減圧不活性ガス雰囲気で行うのが一般的であり
、原料粒子の供給方法としては引き上げチャンバーの直
上に該チャンバーと連通ずる箱体を設け、原料貯蔵ポツ
パーの下部開口より排出されたシリコン粒子を該箱体内
の原料供給フィーダーにより定量供給し、案内管を経て
るつぼに粒状シリコン原°料を供給するものである。
一例として、特公昭61−17537がある。
[発明が解決しようとする課B] 粒状シリコン原料を供給しながら単結晶の育成を行うシ
リコン単結晶の引き上げ装置では、原料である原料貯蔵
ホッパー内のシリコン粒子を使い終わった際に、該ホッ
パー内にシリコン粒子が補給される。このシリコン粒子
の補給は、原料貯蔵ホッパーを内蔵する箱体の一箇所に
引き上げチャンバーとの連通を遮断でき、真空シール可
能な仕切り弁を設け、該仕切り弁を閉じた後、原料貯蔵
ホッパーを内蔵する箱体を常圧に戻して行われるのが一
般的である。
しかし、箱体の一箇所に仕切り弁を設けた場合には、る
つぼにシリコン粒子を導く案内管は該仕切り弁を貫通さ
せて設けることが出来ず、該仕切り弁の前後で2分割さ
れることになる。従って、シリコン粒子をるつぼに供給
する際は、シリコン粒子が該仕切り弁前の案内管より仕
切り弁後の案内管に重力によって自由落下し、落下する
際にシリコン粒子が仕切り弁後の案内管に当たってはね
返ったり、飛散したりして該仕切り弁の弁座面にシリコ
ン粒子が付着したり、堆積したりする。この様に仕切り
弁の弁座面にシリコン粒子が付着した状態では、原料ホ
ッパーに新たにシリコン粒子を補給する際、仕切り弁を
閉じても仕切り弁の弁座面と弁体の間にシリコン粒子が
噛み込み、仕切り弁の真空封じ能力が低下する。この為
に、引き上げチャンバーに空気が混入し、その後のシリ
コン単結晶の引き上げが出来なくなるという問題点があ
る。
[課題を解決するための手段] 本発明は、前記の問題点を解決し目的を達成するために
なされたものであり、本発明に係わる粒状シリコン原料
供給装置は、シリコン粒子をるつぼ中に供給しながらシ
リコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造装置に
おいて、原料貯蔵ホッパーおよび原料供給フィーダーを
内蔵し、引き上げ装置の引き上げチャンバーと連通ずる
箱体に、該チャンバーとの連通を遮断でき、且つ真空シ
ール可能な仕切り弁を設けると共に、該仕切り弁が開の
時、該仕切り弁を貫通し、且つ該仕切り弁が閉の時、該
仕切り弁がら抜き出されるような昇降自在なシリコン粒
子供給管を備えたものである。
[作用] この発明においては、1本のシリコン単結晶を引き上げ
る毎に原料貯蔵ホッパーを内蔵する箱体に設けられた少
なくとも1箇所の真空シール可能な仕切り弁を閉じ、原
料貯蔵ホッパ一部分のみを常圧に戻してこの原料貯蔵ホ
ッパーにシリコン粒子が補給される。また、シリコン単
結晶を引き上げる際には、該仕切り弁を開け、シリコン
粒子供給管を該仕切り弁を貫通させて設けることにより
原料貯蔵ホッパー内の粒状原料が原料フィーダーにより
該シリコン粒子供給管を経てるつぼ内に定量供給される
[実施例コ 第1図は、本発明の一実施例である粒状シリコン原料供
給装置の断面図である。シリコン単結晶の引き上げ装置
の引き上げチャンバー10の開口部の上部に下端に仕切
り弁18を有し、原料貯蔵ホッパー13及び原料供給フ
ィーダー15を内蔵し、チャンバー10と連通可能な箱
体11が設けられる。W料貯蔵ホッパー13はホッパー
受は台14で保持されている。仕切り弁18の上部には
ロート状案内管16およびシリコン粒子供給管19が設
けられる。ロート状案内管16は案内管受は台17で支
持されている。引き上げチャンバー10の開口部には、
はね返り防止板2oおよびシリコン粒子22をるつぼに
導くロート状案内管21が設けられている。
次に、動作について説明する。
1本のシリコン単結晶を引き上げる毎に、シリコン粒子
供給管1つを図示していない供給管昇降機構により仕切
り弁18内がら上昇させ、箱体11の下端にある仕切り
弁18を閉じ、箱体内を常圧に戻して箱体の上部にボル
ト締められている箱体蓋12を開けて、引き上げ用原料
であるシリコン粒子22が原料貯蔵ホッパー13に補給
される。この際、仕切り弁18の弁座部分にシリコン粒
子22が付着し、仕切り弁18による真空封じ能力が不
十分であると、引き上げチャンバー10内に大気が混入
し、その後のシリコン単結晶のづき上げが出来なくなる
原料貯蔵ホッパー13にシリコン粒子22を補給した後
攻のシリコン単結晶を引き上げる場合には、箱体蓋12
を箱体上部にボルト締めし、箱体11内部を減圧不活性
ガス雰囲気に置換し、仕切り弁18が開けられる。
引き上げ作業は箱体11内の原料貯蔵ホッパー13に貯
蔵されているシリコン粒子22を原料供給フィーダー1
5により、単結晶の引き上げ量に相当する量だけ定量供
給しながら行われる。このシリコン粒子供給に際しては
、仕切り弁18が閉の時に仕切り弁18より抜きだされ
、ロート状案内管16の外側に引き上げられていたシリ
コン粒子供給管19を、図示していない供給管昇降機構
により仕切り弁18を貫通して下降させ、引き上げチャ
ンバー10の開口部に設けたはね返り防止板20の開口
部に挿入する。第2図にシリコン粒子供給管19を引き
上げチャンバー10の開口部に設けたはね返り防止板2
0の開口部に挿入した状態を示す。
原料供給フィーダー15により定量供給されたシリコン
粒子22は、原料供給フィーダー15よりロート状案内
管16を経てロート状案内管21に重力落下するが、一
部のシリコン粒子はロート状案内管21の円錐形状部分
に当たってはね返る。前述のようにシリコン粒子供給管
19を仕切り弁18を貫通させて設けることにより、は
ね返ったシリコン粒子が仕切り弁18の弁座部分に付着
し、仕切り弁による真空封じ能力が低下するといった問
題を解決することが出来る。
また、ロート状案内管16、ロート状案内管21、シリ
コン粒子供給管19、はね返り防止板20等のシリコン
粒子と接する部分の材質を石英、シリコン、またはテフ
ロンとすることにより、シリコン粒子をるつぼ内に供給
する際に粒子内への不純物の混入を防止できる。
[発明の効果] 以上のように本発明によれば、粒状シリコン原料をるつ
ぼ中に供給しながらシリコン単結晶を引き上げるシリコ
ン単結晶の製造装置において、原料貯蔵ホッパーおよび
原料供給フィーダーを内蔵し、引き上げ装置の引き上げ
チャンバーと連通ずる紐体に、該チャンバーとの連通を
遮断でき且つ真空シール可能な仕切り弁を設けると共に
、該仕切り弁が開の時、該仕切り弁を貫通し、且つ該仕
切り弁が閉の時、該仕切り弁から抜き出されるような昇
降自在なシリコン粒子供給管を備えているので、原料供
給チャンバーの容量が育成する単結晶1本分程度でも、
1本の単結晶を育成するごとに原料貯蔵ホッパーにシリ
コン粒子を補給できるので長時間の連続操業が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である粒状シリコン原料供給
装置を示す断面図、第2図は本発明に係わるシリコン粒
子供給管を引き上げチャンバーの開口部に設けた6よね
返り防止板の開口部に挿入した状態を示す断面図である
。 10・・・引き上げチャンバー 1]・・箱体、 3・・・原料貯蔵ホッパー、1 8・・・仕切り弁、 9・・・シリコン粒子供給管、 22・・・シリコン粒子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン粒子をるつぼ中に供給しながらシリコン単結晶
    を引き上げるシリコン単結晶の製造装置において、原料
    貯蔵ホッパーおよび原料供給フィーダーを内蔵し、引き
    上げ装置の引き上げチャンバーと連通する箱体に、該チ
    ャンバーとの連通を遮断でき且つ真空シール可能な仕切
    り弁を設けると共に、該仕切り弁が開の時、該仕切り弁
    を貫通し、且つ該仕切り弁が閉の時、該仕切り弁から抜
    き出されるような昇降自在なシリコン粒子供給管を備え
    たことを特徴とする粒状シリコン原料供給装置。
JP1173676A 1989-07-05 1989-07-05 粒状シリコン原料供給装置 Expired - Fee Related JP2525246B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1173676A JP2525246B2 (ja) 1989-07-05 1989-07-05 粒状シリコン原料供給装置
KR1019900010011A KR930007851B1 (ko) 1989-07-05 1990-07-03 입상실리콘 재료 급송장치
FI903368A FI903368A0 (fi) 1989-07-05 1990-07-04 Anordning foer matning av kornigt silikonmaterial.
EP90112760A EP0406824A1 (en) 1989-07-05 1990-07-04 Apparatus for feeding granular silicon material
CN90103348A CN1016160B (zh) 1989-07-05 1990-07-05 粒状硅原料供给装置
US07/746,075 US5152433A (en) 1989-07-05 1991-08-12 Apparatus for feeding granular silicon material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1173676A JP2525246B2 (ja) 1989-07-05 1989-07-05 粒状シリコン原料供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0337183A true JPH0337183A (ja) 1991-02-18
JP2525246B2 JP2525246B2 (ja) 1996-08-14

Family

ID=15965034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1173676A Expired - Fee Related JP2525246B2 (ja) 1989-07-05 1989-07-05 粒状シリコン原料供給装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5152433A (ja)
EP (1) EP0406824A1 (ja)
JP (1) JP2525246B2 (ja)
KR (1) KR930007851B1 (ja)
CN (1) CN1016160B (ja)
FI (1) FI903368A0 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239449A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法
JP2012189244A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置用のパイプユニット及びこのパイプユニットに用いるパイプ
JP2012189243A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4968380A (en) * 1989-05-24 1990-11-06 Mobil Solar Energy Corporation System for continuously replenishing melt
JP3478406B2 (ja) * 1992-09-09 2003-12-15 アルベマール・コーポレーシヨン 粒状物質の供給装置
US5535920A (en) * 1995-01-17 1996-07-16 Nordson Corporation Adhesive curing abatement system
US5996855A (en) * 1998-02-27 1999-12-07 Material Sciences Corporation Cross-feed auger and method
US6435474B1 (en) 2000-06-30 2002-08-20 Memc Electronic Materials, Inc. Non-contaminating gas-tight valve for semiconductor applications
US20030101924A1 (en) * 2001-11-15 2003-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon
US6915811B2 (en) * 2001-12-04 2005-07-12 Arch Chemicals, Inc. Chemical feeder
US7228990B2 (en) * 2003-12-15 2007-06-12 Polymer Group, Inc. Unitized fibrous construct dispensing system
CN102677156B (zh) * 2012-06-11 2015-07-15 曾泽斌 用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置
US20140252024A1 (en) * 2013-03-05 2014-09-11 Rec Silicon Inc High Vessel Outlet
WO2018045287A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-08 Wake Forest University Health Sciences Solid particulate measuring devices, systems, and methods
US11866845B2 (en) 2022-01-06 2024-01-09 Globalwafers Co., Ltd. Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control
US12037698B2 (en) * 2022-01-06 2024-07-16 Globalwafers Co., Ltd Ingot puller apparatus having a flange that extends from the funnel or from the silicon feed tube

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01148780A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 粉粒体供給装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123107A (en) * 1964-03-03 Particulate material transfer
US909654A (en) * 1907-11-23 1909-01-12 John F Oliver Detachable cellar-spray.
US2354197A (en) * 1942-08-03 1944-07-25 Alvin A Campbell Measuring device
US3820687A (en) * 1973-03-05 1974-06-28 Astec Ind Apparatus for providing a non-reacting atmosphere within a storage bin
US4002274A (en) * 1974-12-27 1977-01-11 Corning Glass Works Particulate material feeder for high temperature vacuum
US3998686A (en) * 1975-03-10 1976-12-21 Corning Glass Works Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material
US4299338A (en) * 1979-09-27 1981-11-10 Wyman-Gordon Company Valve system
US4505407A (en) * 1983-03-07 1985-03-19 Francis Tool Company Volumetric measure for granular material
GB8410901D0 (en) * 1984-04-27 1984-06-06 Ici Plc Phenol derivatives
US4816227A (en) * 1984-07-02 1989-03-28 General Signal Corporation Vertically positioned transfer system for controlling and initiating the flow of metered amounts of solid materials
DE3737051A1 (de) * 1987-10-31 1989-05-11 Leybold Ag Vorrichtung fuer die kontinuierliche zufuhr von schmelzgut
US4863065A (en) * 1988-09-26 1989-09-05 Decrane Charles E Bulk bag discharge unit and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01148780A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 粉粒体供給装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239449A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法
JP2012189244A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置用のパイプユニット及びこのパイプユニットに用いるパイプ
JP2012189243A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1016160B (zh) 1992-04-08
KR930007851B1 (ko) 1993-08-20
KR910003158A (ko) 1991-02-27
US5152433A (en) 1992-10-06
JP2525246B2 (ja) 1996-08-14
EP0406824A1 (en) 1991-01-09
CN1048526A (zh) 1991-01-16
FI903368A0 (fi) 1990-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0337183A (ja) 粒状シリコン原料供給装置
CN112680786B (zh) 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统
TWI361231B (en) Systems and methods for manufacturing granular material, and for measuring and reducing dust in granular material
EP2471978B1 (en) Method for recharging silicon feedstock
KR100441357B1 (ko) 단결정인상방법및그실행장치
US6896732B2 (en) Source material feeder apparatus for industrial crystal growth systems
JP2002500158A (ja) メルトドーピング設備を備えた結晶成長装置
CA2229384C (en) Silicon feed system
JP2642452B2 (ja) 真空窯内で単結晶を引き上げる際に溶融るつぼに溶融材料を連続的に供給するための装置
JPH01148780A (ja) 粉粒体供給装置
KR20180013584A (ko) 단결정 성장장치 및 이에 적용된 단결정 성장용 원료공급장치
US5876496A (en) Method for feeding a granular raw material and feeding apparatus
JP4403902B2 (ja) 原料供給装置
JP4148049B2 (ja) 原料供給装置
JPH06205960A (ja) 粒状物質の供給装置
TW245824B (en) Hopper and method for use in charging semiconductor source material
JPH05203368A (ja) 密閉炉用原料投入装置
US5667588A (en) Single crystal pulling apparatus
JP4933324B2 (ja) 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法
JP4358033B2 (ja) 結晶育成装置
JP2732750B2 (ja) Cz単結晶のドープ装置
JPS6071426A (ja) 粉体供給装置
JPH029790A (ja) 単結晶製造方法
JP2008266017A (ja) 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法
MXPA98001695A (en) Sili feed system

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531

Year of fee payment: 12

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531

Year of fee payment: 12

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees