JP2008500726A - 垂直カラーフィルターセンサー群 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 201
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 106
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 202
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 30
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 28
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 308
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 71
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 71
- 230000006870 function Effects 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 33
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 13
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Abstract
【解決手段】半導体基板上に少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを含む垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群は、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線が少なくとも1つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置した少なくとも1つのフィルターを含む。フィルターは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された層を含む。また、センサー群はマイクロレンズを含む。本発明の他の観点は、垂直カラーフィルターセンサー群のアレイであり、それらの1部又はすべては少なくとも1つのフィルターまたはマイクロレンズ、および垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法を含む。さらにセンサー群を集積化したウエハ同士の結合構造も含む。
【選択図】なし。
Description
実施形態のある段階において、本発明は、半導体基板上に形成された垂直カラーフィルターセンサー群であり、2つのセンサー群の間に配置された少なくとも1つのフィルターを含み、これによってフィルターを通して又はフィルターから伝播した放射線が少なくとも1つのセンサーへ伝播する。好適な実施形態において、本発明は半導体基板上に形成された垂直カラーフィルターセンサー群であり、フィルターを含み、フィルターは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含む。このフィルターは透過性または反射性であることも可能である。幾つかの実施形態において、フィルターは、第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドを選択的に透過する。幾つかの実施形態において、フィルターは干渉フィルターである。幾つかの実施形態において、フィルターは、空洞を有するために半導体構造の少なくとも1つの要素から材料を除去し、流動体で空洞を少なくとも部分的に満たし、流動体を処理(たとえば、熱またはUV処理によって)することによって形成される。
Claims (92)
- 半導体基板上に形成されたセンサー群であって、
少なくとも2つの垂直積層センサーであって、各々は、異なるスペクトル応答を持ち、第1の極性の光励起キャリアを収集するように作られていることを特徴とする垂直積層センサー、および
前記センサー間に位置した少なくとも1つのフィルターであって、それによって、フィルターを通して又はフィルターから伝播した放射線は少なくとも1つのセンサーへ伝播することを特徴とするフィルター、
を含むセンサー群。 - 上記フィルターは、フィルターを通して伝播したフィルターされた放射線が少なくとも1つのセンサー上に入射するように、構造およびセンサーに対する位置を有していることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 上記フィルターは、上記フィルターから反射したフィルターされた放射線が少なくとも1つのセンサー上に入射するように、構造およびセンサーに対する位置を有していることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 上記フィルターは、第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドを選択的に透過し、さらに、上記センサーの1つへ第1の波長バンドの放射線を反射し、上記センサーの少なくとも1つの他のセンサーへ第2の波長バンドの放射線を透過するように配置されていることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 上記フィルターは、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 上記センサーは、第1の極性の光励起キャリアを収集するために作られた少なくとも2つのキャリア収集層、および反対の極性の光励起キャリアを収集し伝導するために作られた付加的な干渉基準層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含み、フィルターは2つのセンサーの間に配置された材料の層であることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- フィルターは干渉フィルターであることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 干渉フィルターは少なくとも2種類の材料の層を含み、各々の種類の材料は異なる屈折率を持つことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 干渉フィルターはSiO2およびSiNの層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- フィルターは少なくとも1つの染料または色素の層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- フィルターは本質的にポリシリコンから成る少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- センサー群は空洞を有する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項13記載のセンサー群。
- フィルターは変換フィルターであることを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 各々のセンサーは半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらにセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載のセンサー群。
- 半導体基板上に形成されたセンサー群であって、前記センサー群は
少なくとも2つの垂直積層センサーであって、各々は異なるスペクトル応答を持つことを特徴とするセンサー、および
第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドを選択的に透過する少なくとも1つのフィルターであって、第1の波長バンドの放射線を少なくとも1つのセンサーへ反射し、第2の波長バンドの放射線を少なくとも1つの他の1つのセンサーへ透過するように配置されたフィルター、
を含むことを特徴とするセンサー群。 - センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含むことを特徴とする、請求項18記載のセンサー群。
- センサー群は空洞を有する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項19記載のセンサー群。
- 各々のセンサーは半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらにセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項18記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項18記載のセンサー群。
- 半導体基板上に形成されたセンサー群であって、
前記センサー群は、
少なくとも2つの垂直積層センサーで、各々は異なるスペクトル応答を持つことを特徴とするセンサー、および
第1の波長バンドに対して選択的に透過する少なくとも1つのフィルターであって、センサーの1つに入射する第1の波長バンドの放射線を少なくとも1つの他の1つのセンサーに対して透過するように2つのセンサーの間に配置されたフィルター、
を含むことを特徴とするセンサー群。 - センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含むことを特徴とする、請求項23記載のセンサー群。
- センサー群は空洞を定義する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項23記載のセンサー群。
- 各々のセンサーは半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらにセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項23記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項23記載のセンサー群。
- 少なくとも2つの垂直積層センサーおよび少なくとも1つのフィルターを含む半導体基板上に形成されたセンサー群であって、
各々のセンサーは異なるスペクトル成分を持ち、
フィルターは、フィルターを通して又はフィルターから伝播した放射線が少なくとも1つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置され、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含む、
ことを特徴とする、センサー群。 - フィルターは干渉フィルターであることを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- 干渉フィルターは少なくとも2種類の材料の層を含み、各々の種類の材料は異なる屈折率を持つことを特徴とする、請求項29記載のセンサー群。
- 干渉フィルターはSiO2およびSiNの層を含むことを特徴とする、請求項30記載のセンサー群。
- フィルターは少なくとも1つの染料または色素の層を含むことを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- フィルターは本質的にポリシリコンから成る少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含むことを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- センサー群は空洞を有する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項34記載のセンサー群。
- フィルターは変換フィルターであることを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- 各々のセンサーは半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらにセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項28記載のセンサー群。
- 半導体基板上に形成されたセンサー群のアレイであって、前記センサー群の各々は、少なくとも2つの垂直積層センサーおよび2つのセンサーの間に配置した少なくとも1つのフィルターを含み、垂直積層センサーの各々は異なるスペクトル応答を持つことを特徴とし、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線は少なくとも1つのセンサーへ伝播することを特徴とするセンサー群アレイ。
- フィルターは、前記フィルターを通して伝播したフィルターされた放射線が少なくとも1つのセンサーに入射するように、構造およびセンサーに対する位置を有していることを特徴とする請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは、前記フィルターから反射したフィルターされた放射線が少なくとも1つのセンサーに入射するように、構造およびセンサーに対する位置を有していることを特徴とする請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは、第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドに対して選択的に透過し、さらに第1の波長バンドの放射線をセンサーの1つに反射し、少なくとも1つの他の1つのセンサーに対して第2の波長バンドの放射線を透過するように配置されていることを特徴とする請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- センサーは、第1の極性の光励起キャリアを収集するように作られた少なくとも2つのキャリア収集層、および反対極性の光励起キャリアを収集し伝導するように作られた付加的な干渉基準層を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含み、フィルターは2つのセンサーの間に配置した材料の層であることを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは干渉フィルターであることを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは少なくとも1つの染料または色素の層を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは本質的にポリシリコンから成る少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含み、各々のセンサー群は空洞を有する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは変換フィルターであることを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- 各々のセンサーは、半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらに各々のセンサー群のセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項39記載のセンサー群アレイ。
- 半導体基板上に形成されたセンサー群のアレイであって、前記センサー群の各々は、少なくとも2つの垂直積層センサーおよび少なくとも1つのフィルターを含み、垂直積層センサーの各々は異なるスペクトル応答を持ち、フィルターは、第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドに対して選択的に透過し、さらに第1の波長バンドの放射線をセンサーの1つへ反射し、少なくとも1つの他の1つのセンサーに対して第2の波長バンドの放射線を透過するように配置されていることを特徴とするセンサー群アレイ。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含むことを特徴とする、請求項53記載のセンサー群アレイ。
- 各々のセンサーは半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらに各々のセンサー群のセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項53記載のセンサー群アレイ。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項53記載のセンサー群。
- 半導体基板上に形成されたセンサー群アレイであって、
各々の前記センサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーおよび少なくとも1つのフィルターを含み、
各々のセンサーは異なるスペクトル成分を持ち、
フィルターは、フィルターを通して又はフィルターから伝播した放射線が少なくとも1つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置され、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含む、
ことを特徴とする、センサー群アレイ。 - フィルターは干渉フィルターであることを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは少なくとも1つの染料または色素の層を含むことを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは本質的にポリシリコンから成る少なくとも1つの層を含むことを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- センサーはフォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られた半導体材料の層を含み、各々のセンサー群は空洞を定義する材料から成り、フィルターは空洞へ満たされた材料を含むことを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- フィルターは変換フィルターであることを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- 各々のセンサーは、半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされるように作られ、
さらに各々のセンサー群のセンサーは、
最上部に青色感光性センサー、
底部に赤色感光性センサー、および
青色感光性センサーと赤色感光性センサーとの間に緑色感光性センサー、
を含むことを特徴とする、請求項57記載のセンサー群。 - センサーへ連結し、前記光励起キャリアを少なくとも1つの電気信号へ変換するために形成した回路をさらに含むことを特徴とする、請求項57記載のセンサー群アレイ。
- 少なくとも第1のセンサー、第2のセンサー、および第3のセンサーを含む半導体基板上に形成されたセンサー群であって、第1のセンサー、第2のセンサー、および第3のセンサーは垂直に積層され、各々の前記センサーは異なるスペクトル応答を持ち、さらに
第1の波長バンドを選択的に反射し、第2の波長バンドに対して選択的に透過し、第1の波長バンドの放射線を第1のセンサーへ反射し、第2の波長バンドの放射線を第2のセンサーへ透過するように、フィルターが第1のセンサーと第2のセンサーとの間に配置されていることを特徴とするセンサー群。 - 第3の波長バンドを選択的に反射し、第4の波長バンドに対して選択的に透過する第2のフィルターであって、第3の波長バンドの放射線を第2のセンサーへ反射し、第4の波長バンドの放射線を第3のセンサーへ透過するように、第2のセンサーと第3のセンサーとの間に配置されている第2のフィルターをさらに含むことを特徴とする、請求項65記載のセンサー群。
- 第1の波長バンドは少なくとも1つの青色光波長を含み、第3の波長バンドは少なくとも1つの緑色光波長を含み、第4の波長バンドは少なくとも1つの赤色光波長を含むことを特徴とする、請求項66記載のセンサー群。
- 第1のフィルターおよび第2のフィルターの各々は干渉フィルターであることを特徴とする、請求項66記載のセンサー群。
- 各々の前記センサーは、半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスするように形成され、第1のフィルターおよび第2のフィルターは、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された層を含むことを特徴とする、請求項66記載のセンサー群。
- 各々の前記センサーは、半導体材料を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスするように形成されていることを特徴とする、請求項65記載のセンサー群。
- (a)半導体基板を提供する工程、および
(b)基板上に少なくとも2つの垂直積層センサーおよび少なくとも1つのフィルターを含む構造を形成する工程、
を含む垂直カラーフィルターセンサー群の製造方法であって、
センサーの各々は異なるスペクトル応答を持ち、すべてのセンサーは第1の極性の光励起したキャリアを収集するように形成され、センサーの各々は第1の導電型の少なくとも1つのキャリア収集半導体層を含み、フィルターは2つのセンサーの間に少なくとも1つの半導体層を含むことを特徴とする製造方法。 - 工程(b)は、
(c)前記構造の第1の部分を形成する工程、
(d)第1の部分から材料を除去し、第1の部分の残余部分に空洞を形成する工程、
(e)空洞を流動体で少なくとも部分的に満たす工程、および
(f)流動体を処理しフィルターを形成する工程
を含むことを特徴とする、請求項71記載の製造方法。 - 工程(f)は流動体を熱処理しフィルターを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項72記載の製造方法。
- 工程(f)は流動体をUV処理しフィルターを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項72記載の製造方法。
- センサーの各々はキャリア収集層を含み、工程(b)は少なくとも1つのセンサーのキャリア収集層に対してトレンチコンタクトを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項72記載の製造方法。
- (a)第1の半導体ウエハおよび第2の半導体ウエハを提供する工程、
(b)第1の半導体ウエハ上に第1の最上部層を含む構造を形成する工程、
(c)第2の半導体ウエハ上に第2の最上部層を含む第2の構造を形成する工程、
(d)第1の最上部層および第2の最上部層を共に結合し、結合構造を形成する工程、および
(e)結合構造上に少なくとも1つの他の作業を行い、垂直カラーフィルターセンサー群を形成する工程、
を含むことを特徴とする、垂直カラーフィルターセンサー群の製造方法。 - 第1の最上部層は干渉フィルターの露出層であることを特徴とする、請求項76記載の製造方法。
- 第1の最上部層および第2の最上部層の各々は二酸化シリコンであることを特徴とする、請求項76記載の製造方法。
- 工程(d)において形成した結合構造は干渉フィルターを含み、干渉フィルターは第1の最上部層および第2の最上部層を含むことを特徴とする、請求項76記載の製造方法。
- 垂直カラーフィルターセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、センサーの各々はキャリア収集層を含み、異なるスペクトル応答を持ち、すべてのセンサーは第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、(b)、(c)および(d)は少なくとも1つのセンサーのキャリア収集層までトレンチコンタクトを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項76記載の製造方法。
- 第1のセンサー群および第2のセンサー群を含む半導体基板上に形成されたセンサー群アレイであって、
第1のセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、各々は、異なるスペクトル応答を持ち、第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、第1のセンサー群の2つのセンサーの間に配置された第1の種類の少なくとも1つのフィルターを含み、フィルターを通して又はフィルターから伝播した放射線は第1のセンサー群の少なくとも1つのセンサーへ伝播することを特徴とし、
第2のセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、各々は、異なるスペクトル応答を持ち、第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、第2のセンサー群は第1の種類のフィルターを含まないことを特徴とするセンサー群アレイ。 - 第2のセンサー群は第2のセンサー群のセンサーに対して配置した第2の種類の少なくとも1つのフィルターを含み、その結果、前記第2の種類のフィルター通して又はフィルターから伝播した放射線は第2のセンサー群の少なくとも1つのセンサーへ伝播することを特徴とする、請求項81記載のセンサー群アレイ。
- 第1のセンサー群および第2のセンサー群を含む半導体基板上に形成されたセンサー群アレイであって、
第1のセンサー群は、異なるスペクトル応答を持つ少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、第1の波長バンドに対して選択的に透過し、かつ2つのセンサーの間に配置された少なくとも1つのフィルターをさらに含み、その結果、センサーの1つに入射する第1の波長バンドの放射線を少なくとも1つの他の1つのセンサーへ透過することを特徴とし、
第2のセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、各々は、異なるスペクトル応答を持ち、第2のセンサー群は、第1の波長バンドに対して選択的に透過し、かつ第2のセンサー群の2つのセンサーの間に配置されたフィルターを含まないことを特徴とする、
センサー群アレイ。 - 第1のセンサー群および第2のセンサー群を含む半導体基板上に形成されたセンサー群アレイであって、
第1のセンサー群は、異なるスペクトル応答を持つ少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、第1のセンサー群のセンサーに対して、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線は少なくとも1つのセンサーへ伝播するように配置された少なくとも1つのフィルターを含み、フィルターは、半導体集積回路製造プロセスによって第1のセンサー群のセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含むことを特徴とし、
第2のセンサー群は、異なるスペクトル応答を持つ少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、第2のセンサー群は第1の種類のフィルターを含まないことを特徴とする、
センサー群アレイ。 - 第2のセンサー群は、第2のセンサー群の2つのセンサーの間に配置された第2の種類の少なくとも1つのフィルターを含むことを特徴とする、請求項84記載のセンサー群アレイ。
- 少なくとも2つの垂直積層センサーおよび少なくとも1つのマイクロレンズを含む半導体基板上に形成されたセンサー群であって、
各々のセンサーは、異なるスペクトル応答を持ち、第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、センサーは最上部センサーおよび底部センサーを含むことを特徴とし、
マイクロレンズは最上部センサーへ放射線を屈折するようにセンサーに対して配置され、その結果、少なくとも1部の放射線は最上部センサーを通って底部センサーへ伝播し、マイクロレンズは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された材料を含むことを特徴とするセンサー群。 - フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線は少なくとも1つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置された少なくとも1つのフィルターであって、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含むフィルターをさらに含むことを特徴とする、請求項86記載のセンサー群。
- マイクロレンズを通って伝播し、その後で底部センサーに到達した少なくとも1部の放射線は底部センサー以外のすべてのセンサーを通って伝播するように、マイクロレンズがセンサーに対して配置されていることを特徴とする、請求項86記載のセンサー群。
- マイクロレンズは複合レンズであることを特徴とする、請求項86記載のセンサー群。
- 第1のセンサー群および第2のセンサー群を含む半導体基板上に形成されたセンサー群アレイであって、
第1のセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、各々は第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、
第2のセンサー群は少なくとも2つの垂直積層センサーを含み、各々は第1の極性の光励起キャリアを収集するように形成され、
各々の前記センサー群は最上部センサーおよび底部センサーを含み、少なくとも1つの前記センサー群は少なくとも1つのマイクロレンズを含み、最上部センサーへ放射線を屈折するように前記センサー群のセンサーに対して配置され、その結果少なくとも1部の放射線は最上部センサーを通って底部センサーへ伝播し、マイクロレンズは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された材料を含むことを特徴とする、センサー群アレイ。 - 少なくとも1つの第1のセンサー群および第2のセンサー群は、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線は前記センサー群の少なくとも1つのセンサーへ伝播するように前記センサー群のセンサーに対して配置された少なくとも1つのフィルターであって、半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された少なくとも1つの層を含むフィルターを含むことを特徴とする、請求項90記載のセンサー群アレイ。
- 第1のセンサー群は前記の少なくとも1つのマイクロレンズを含み、第2のセンサー群はマイクロレンズを何も含まないことを特徴とする、請求項90記載のセンサー群アレイ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2004/016786 WO2005119792A1 (en) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | Vertical color filter sensor group |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008500726A true JP2008500726A (ja) | 2008-01-10 |
Family
ID=35463142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007515012A Pending JP2008500726A (ja) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | 垂直カラーフィルターセンサー群 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008500726A (ja) |
CN (1) | CN1943041B (ja) |
WO (1) | WO2005119792A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110401 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111220 |