JP2008300436A - バリヤ層の形成方法及び処理システム - Google Patents
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Abstract
【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層6が露出している被処理体Wの表面に、Ti膜とTiN膜よりなるバリヤ層14を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。
【選択図】図5
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層6が露出している被処理体Wの表面に、Ti膜とTiN膜よりなるバリヤ層14を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対してバリヤ層を形成する形成方法及びこの形成方法を実施する処理システムに関する。
一般に、半導体集積回路等の半導体装置を製造するためには、シリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、アニール処理、拡散処理等の各種の処理が繰り返し行われる。
そして、高密度化及び高集積化の要請に応じて複数の回路構成を、間に絶縁層を介在させて多層化する積層構造が採用されてきている。この場合、下層の半導体デバイスを含む配線構造と上層の配線構造とを電気的に接続するためにコンタクトホールやビアホールなどのホールを形成して、これを導体金属で埋め込むことが行われるが、この接続部は電気抵抗が小さいことが求められる。
そして、高密度化及び高集積化の要請に応じて複数の回路構成を、間に絶縁層を介在させて多層化する積層構造が採用されてきている。この場合、下層の半導体デバイスを含む配線構造と上層の配線構造とを電気的に接続するためにコンタクトホールやビアホールなどのホールを形成して、これを導体金属で埋め込むことが行われるが、この接続部は電気抵抗が小さいことが求められる。
従来、このようなホールの埋め込み材料としては、アルミニウムが使用されていたが、最近では、半導体装置の更なる微細化及び高集積化に伴い、更なる良好な段差被覆性が要求されていることから、タングステン(W)等の高融点金属材料が用いられる傾向にあり、この種の高融点金属材料を埋め込み材料として用いる場合には、下地からのシリコンや不純物の吸い上げ防止や下地との密着性の向上を考慮して、間に例えばTi膜及びTiN膜よりなるバリヤ層を介在させることが行われている(例えば特許文献1、2等)。
ここで、上記バリヤ層の一般的な形成方法について、図7を参照して概略的に説明する。図7はバリヤ層の従来の一般的な形成方法の一例を示す図である。図7(A)において、被処理体としてシリコン基板等よりなる半導体ウエハWの表面には、例えばSiO2 膜等よりなる絶縁層2が形成されており、この絶縁層2には、前述したビアホールやコンタクトホールのような埋め込み用の微細な接続穴4が形成されている。この接続穴4の底部には、シリコン層6が露出している。このように、ウエハWの表面の少なくとも一部にシリコン層6が露出した状態となっている。
このシリコン層6は、不純物がドープされた下層のポリシリコン膜であったり、下層回路のトランジスタの電極であって不純物がドープされたシリコン基板表面の不純物拡散領域であったりするが、そのシリコン層6の種類は特に限定されるものではない。
まず、上述したようなウエハWの表面に対して、図7(B)に示すように、PVD(Physical Vapor Deposition)、すなわちスパッタ処理によって室温程度の温度にてTi膜8を成膜する。この場合、スパッタ処理は指向性が高いことから、ウエハWの上面や接続穴4の底部にはTi膜8は付着するが、接続穴4内の側壁にはほとんど形成されない。そして、接続穴4の底部のTi膜8の膜厚は、この接続穴4内へのスパッタ粒子の侵入が抑制されることから、ウエハ上面のTi膜8の膜厚よりもかなり小さくなる。また接続穴4の開口部には、Ti膜8が少し競り出してオーバハング部8aが形成されてしまっている。
次に、図7(C)に示すように、Ti膜がシリサイド化する温度以上の温度にウエハWを加熱するアニール処理を行うことにより、上記接続穴4の底部に堆積していたTi膜8とシリコン層6との境界部分のTi膜をシリコンと反応させてTiSi2 膜10を形成する。この時のアニール温度は、例えば550〜700℃程度の範囲内である。
次に、図7(D)に示すように、原料ガスとして、例えばTi含有の有機金属材料ガス等を用いて上記ウエハWの表面にTiN膜12を形成する。これにより、Ti膜8とTiN膜12とよりなるバリヤ層14が形成されることになる。この時の形成方法としては、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用い、その処理温度は例えば350℃程度の低温である。この時のMOCVD法のステップカバレジは、十分ではないが、上記PVD法と比較して良好なので、上記接続穴4の側壁にもある程度の厚さでTiN膜12が堆積することになる。
このように、上記バリヤ層14が形成されたならば、次に図7(E)に示すように、原料ガスとしてWF6 等を用いてCVDによりウエハWの表面にW(タングステン)膜16を形成し、上記接続穴4内をタングステンで埋め込むことになる。
またバリヤ層の他の形成方法としては、図8に示す従来の他のバリヤ層の形成方法のように、Ti膜8の成膜時にプラズマを用いた熱CVD処理によりTi膜8を形成すると同時に、接続穴4の底部においてTi膜をシリサイド化してTiSi2 膜10を形成するようにし(図8(A)参照)、次に、図8(B)に示すように、原料ガスとして例えばTiClガスを用いて熱CVD処理によりTiN膜12を形成するようにした形成方法も知られている。この場合、図8(A)に示すプラズマを用いた熱CVD処理の温度は例えば600〜620℃程度であり、また、図8(B)に示す熱CVD処理の温度は例えば620〜650℃程度であり、共に高温になされている。
ところで、図7に示した従来の形成方法にあっては、図7(B)及び図7(C)に示すように、Ti膜8の成膜ステップとシリサイド化によるTiSi2 膜10の形成ステップとを別工程で行っているため、全体の工程数が増加する、という問題があった。また、高集積化及び高微細化がより推進されて、例えば線幅が90nm以下の世代になると、上記した図7(D)に示すMOCVD法では接続穴4内の側面におけるTiN膜12の成膜量が少なくなって十分なステップカバレジが得られないことから、図7(E)に示すように、W膜16の埋め込みに際してボイド18が発生してしまう、という問題があった。
また、図8に示した従来の形成方法にあっては、Ti膜8の成膜とシリサイド化によるTiSi2 膜10の形成とを同時に行うことから、工程数を削減することができるが、図8(A)及び図8(B)に示す各工程は、共に600℃以上の高温であること及び低抵抗化を目的とするシリコン層6の薄膜化に起因して、シリサイド化によって形成されるTiSi2 膜10中にてTiSi2 のグレイン10aがシリコン層6からシリコンを吸い上げて成長してグレインサイズが大きくなって一様にならないばかりか、シリコン層6中から例えばB(ボロン)等の不純物を吹い上げてしまい、この結果、この界面部分の抵抗値を増加させてしまう、といった問題もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制すると共に、表面凹凸(表面モフォロジー)を制御することが可能なバリヤ層の形成方法及び処理システムを提供することにある。
本発明者等は、バリヤ層の形成方法について鋭意研究した結果、Ti膜をシリサイド化しないような温度で成膜する工程と、Ti膜がシリサイド化するような温度でTiN膜を成膜する工程と、Ti膜がシリサイド化するような温度でTiN膜を成膜する工程とを組み合わせることにより、ステップカバレジを良好にでき、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値を抑制することができる、という知見を得ることにより、本発明に至ったものである。
請求項1に係る発明は、表面の少なくとも一部にシリコン層が露出している被処理体の表面に、Ti膜とTiN膜よりなるバリヤ層を形成するバリヤ層の形成方法において、前記被処理体の表面に、前記シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度で前記Ti膜を形成するTi膜形成工程と、前記Ti膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程と、を有することを特徴とするバリヤ層の形成方法である。
このように、表面の少なくとも一部にシリコン層が露出している被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上にシリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを行うようにしたので、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制すると共に、表面凹凸(表面モフォロジー)を制御することができる。
この場合、例えば請求項2に記載したように、前記Ti膜形成工程の温度は400〜550℃未満の範囲である。
また例えば請求項3に記載したように、前記TiN膜形成工程の温度は550〜750℃の範囲である。
また例えば請求項4に記載したように、前記Ti膜は、プラズマを用いたCVD成膜処理により形成される。
また例えば請求項3に記載したように、前記TiN膜形成工程の温度は550〜750℃の範囲である。
また例えば請求項4に記載したように、前記Ti膜は、プラズマを用いたCVD成膜処理により形成される。
また例えば請求項5に記載したように、前記TiN膜は、プラズマを用いたCVD成膜処理により、或いはプラズマを用いないCVD成膜処理により形成される。
また例えば請求項6に記載したように、前記TiN膜は、Tiを含む原料ガスと窒化ガスとを互いに供給することにより成膜される。
また例えば請求項7に記載したように、前記被処理体の表面には、予め絶縁層が形成されると共に、該絶縁層にはその底部に前記シリコン層が露出しているホールが形成されている。
また例えば請求項8に記載したように、前記ホールは、上層と下層とを電気的に接続するための埋め込み用の接続穴である。
また例えば請求項6に記載したように、前記TiN膜は、Tiを含む原料ガスと窒化ガスとを互いに供給することにより成膜される。
また例えば請求項7に記載したように、前記被処理体の表面には、予め絶縁層が形成されると共に、該絶縁層にはその底部に前記シリコン層が露出しているホールが形成されている。
また例えば請求項8に記載したように、前記ホールは、上層と下層とを電気的に接続するための埋め込み用の接続穴である。
請求項9に係る発明は、被処理体の表面に薄膜を形成するための処理システムにおいて、前記被処理体の表面にTi膜を形成するためのTi膜成膜装置と、前記被処理体の表面にTiN膜を形成するためのTiN膜成膜装置と、前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置とに連結されて真空引き可能になされた共通搬送室と、前記共通搬送室内に設けられて前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置との間で前記被処理体を搬送する搬送機構と、請求項1乃至8のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法を実行するように制御する制御部と、を備えたことを特徴とする処理システムである。
請求項10に係る発明は、被処理体の表面にTi膜を形成するためのTi膜成膜装置と、前記被処理体の表面にTiN膜を形成するためのTiN膜成膜装置と、前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置とに連結されて真空引き可能になされた共通搬送室と、前記共通搬送室内に設けられて前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置との間で前記被処理体を搬送する搬送機構と、全体の動作を制御する制御部と、を有する処理システムを用いて被処理体の表面に薄膜を形成するに際して、請求項1乃至8のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法を実行するように前記処理システムを制御するコンピュータ読み取り可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体である。
本発明に係るバリヤ層の形成方法及び処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
表面の少なくとも一部にシリコン層が露出している被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上にシリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを行うようにしたので、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制することができる。
表面の少なくとも一部にシリコン層が露出している被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上にシリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを行うようにしたので、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制することができる。
以下に、本発明に係るバリヤ層の形成方法及び処理システムの好適な一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る処理システムの一例を示す概略構成図、図2はTi膜形成装置を示す概略構成図、図3はTiN膜形成装置を示す概略構成図である。
図1は本発明に係る処理システムの一例を示す概略構成図、図2はTi膜形成装置を示す概略構成図、図3はTiN膜形成装置を示す概略構成図である。
<処理システムの説明>
まず、上記処理システムについて説明する。
図1に示すように、この処理システム22は、複数、例えば3つの成膜装置24a、24b、24cと、略六角形状の共通搬送室26と、ロードロック機能を有する第1及び第2ロードロック室28a、28bと、細長い導入側搬送室30とを主に有している。
まず、上記処理システムについて説明する。
図1に示すように、この処理システム22は、複数、例えば3つの成膜装置24a、24b、24cと、略六角形状の共通搬送室26と、ロードロック機能を有する第1及び第2ロードロック室28a、28bと、細長い導入側搬送室30とを主に有している。
具体的には、略六角形状の上記共通搬送室26の3辺に上記各成膜装置24a〜24cが接合され、他側の2つの辺に、上記第1及び第2ロードロック室28a、28bがそれぞれ接合される。そして、この第1及び第2ロードロック室28a、28bに、上記導入側搬送室30が共通に接続される。ここでは上記成膜装置24aではTi膜が形成され、成膜装置24bではTiN膜が形成され、成膜装置24cではW(タングステン)膜が形成されるものとする。尚、上記共通搬送室26の残りの一辺には、例えばTi膜形成の前処理としてコンタクト層6に発生した自然酸化膜を除去する処理装置等が必要に応じて連結される。
上記共通搬送室26と上記3つの各成膜装置24a、24b、24cとの間及び上記共通搬送室26と上記第1及び第2ロードロック室28a、28bとの間は、それぞれ気密に開閉可能になされたゲートバルブGが介在して接合されて、クラスタツール化されており、必要に応じて共通搬送室26内と連通可能になされている。ここで、この共通搬送室26内は真空引きされている。また、上記第1及び第2各ロードロック室28a、28bと上記導入側搬送室30との間にも、それぞれ気密に開閉可能になされたゲートバルブGが介在されている。この第1及び第2のロードロック室28a、28bは真空引き、及び大気圧復帰がウエハの搬出入に伴って繰り返される。
そして、この共通搬送室26内においては、上記2つの各ロードロック室28a、28b及び3つの各成膜装置24a〜24cにアクセスできる位置に、屈伸、昇降及び旋回可能になされた多関節アームよりなる第1の搬送機構32が設けられており、これは、互いに反対方向へ独立して屈伸できる2つのピック34a、34bを有しており、一度に2枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。尚、上記第1の搬送機構32として1つのみのピックを有しているものも用いることができる。
上記導入側搬送室30は、横長の箱体により形成されており、この横長の一側には、被処理体である半導体ウエハを導入するための1つ乃至複数の、図示例では3つの搬入口が設けられ、各搬入口には、開閉可能になされた開閉ドア36が設けられる。そして、この各搬入口に対応させて、導入ポート38がそれぞれ設けられ、ここにそれぞれ1つずつカセット容器40を載置できるようになっている。各カセット容器40には、複数枚、例えば25枚のウエハWを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっている。
この導入側搬送室30内には、ウエハWをその長手方向に沿って搬送するための導入側搬送機構である第2の搬送機構42が設けられる。この第2の搬送機構42は、屈伸及び旋回可能になされた2つのピック46a、46bを有しており、一度に2枚のウエハWを取り扱い得るようになっている。この第2の搬送機構42は、導入側搬送室30内の導入ポート側に長さ方向に沿って延びるように設けた案内レール44上にスライド移動可能に支持されている。
また、導入側搬送室30の一方の端部には、ウエハの位置合わせを行なうオリエンタ48が設けられる。上記オリエンタ48は、駆動モータによって回転される回転台48aを有しており、この上にウエハWを載置した状態で回転するようになっている。この回転台48aの外周には、ウエハWの周縁部を検出するための光学センサ48bが設けられ、これによりウエハWの位置決め切り欠き、例えばノッチやオリエンテーションフラットの位置方向やウエハWの中心の位置ずれ量を検出できるようになっている。
この処理システム全体の動作を制御するために、例えばコンピュータ等よりなる制御部50を有している。そして、この処理システム全体の動作制御に必要なプログラムはフロッピやCD(Compact Disc)やハードディスクやフラッシュメモリ等の記憶媒体52に記憶されている。具体的には、この制御部50からの指令により、各ガスの供給の開始、停止や流量制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。
このように、構成された処理システム22における概略的な動作について説明する。まず、導入ポート38に設置されたカセット容器40からは、未処理の半導体ウエハWが第2の搬送機構42により導入側搬送室30内に取り込まれ、この取り込まれたウエハWは導入側搬送室30の一端に設けたオリエンタ48へ搬送されて、ここで位置決めがなされる。
位置決めがなされたウエハWは、上記第2の搬送機構42により再度搬送され、第1或いは第2のロードロック室28a、28bの内のいずれか一方のロードロック室内へ搬入される。このロードロック室内が真空引きされた後に、予め真空引きされた共通搬送室26内の第1の搬送機構32を用いて、上記ロードロック室内のウエハWが共通搬送室26内に取り込まれる。
そして、この共通搬送室26内へ取り込まれた未処理のウエハは、次にTi膜成膜装置24a内へ搬入されてTi膜を形成し、このTi膜の成膜が完了したならば、次にTiN膜成膜装置24b内へ搬入されてTiN膜を形成し、このTiN膜の成膜が完了したならば、次にW膜成膜装置24c内へ搬入されてW膜を形成する。このように、上記各成膜装置24a〜24c内にて、順次Ti膜、TiN膜及びW膜の成膜が完了したならば、この処理済みのウエハWは、いずれか一方のロードロック室28a又は28b、導入側搬送室30を経由して導入ポート38の処理済みウエハ用のカセット容器40内へ収容されることになる。
<Ti膜成膜装置の説明>
次に、上記Ti膜成膜装置24aについて図2を参照して説明する。図2はTi膜成膜装置24aを示す概略構成図である。図2に示すように、このTi膜成膜装置24aは、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器56を有しており、この処理容器56は接地されている。この処理容器56内には、容器底部より支柱57により起立させて支持された例えば窒化アルミ等のセラミックよりなる載置台58が設けられており、この上面側にウエハWを載置できるようになっている。
次に、上記Ti膜成膜装置24aについて図2を参照して説明する。図2はTi膜成膜装置24aを示す概略構成図である。図2に示すように、このTi膜成膜装置24aは、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器56を有しており、この処理容器56は接地されている。この処理容器56内には、容器底部より支柱57により起立させて支持された例えば窒化アルミ等のセラミックよりなる載置台58が設けられており、この上面側にウエハWを載置できるようになっている。
この載置台58内には、例えばカーボンワイヤヒータよりなる加熱手段60が埋め込んで設けられており、上記ウエハWを所定の温度に加熱できるようになっている。また、この載置台58内には、上記カーボンワイヤヒータ60の上方に位置させて、例えばメッシュ状の導電部材62が埋め込まれると共に、この導電部材62は図示しない配線により接地されており、この載置台58がプラズマ発生用の下部電極となるように構成されている。尚、この下部電極にバイアス用の高周波電圧を印加するようにしてもよいし、またこの載置台58の下方には、ウエハWを搬出入する際に昇降してウエハWを下側より突き上げて支持するリフタピン(図示せず)が設けられる。
また、この処理容器56の底部には排気口64が形成されると共に、この排気口64には真空ポンプや圧力調整弁等を含む排気系66が接続されており、上記処理容器56内を真空引きして所定の圧力に維持できるようになっている。
また処理容器56の側壁には、ウエハWを搬出入できる大きさの開口68が形成されており、この開口68に前述したゲートバルブGが設けられている。更に、処理容器56の天井部は開口されており、この開口部分に絶縁部材70を介してガス導入手段として例えばシャワーヘッド72が気密に設けられている。このシャワーヘッド72は、例えばアルミニウム合金等よりなって上部電極を兼ねるものである。このシャワーヘッド72内には、上下配置した2つの拡散室74a、74bが区画形成されると共に、2つの拡散室74a、74bは多数の拡散孔76により連通されている。
またシャワーヘッド72の下面には、下側の拡散室74bに連通された多数のガス噴射孔78が形成されており、処理容器56内へ所望のガスを導入できるようになっている。またシャワーヘッド72の上部にはガス導入口80が形成されており、このガス導入口80から所望のガス、ここでは例えばTiCl4 、H2 、Arガス等をそれぞれ流量制御しつつ導入できるようになっている。従って、これらのガスは、このシャワーヘッド72内の上側の拡散室74a及び下側の拡散室74b内を順次拡散されて、ガス噴射孔78からウエハWの上方の空間に面内方向に均一な状態で噴射供給されることになる。また、このシャワーヘッド72の側壁には、この表面に不要な付着膜が堆積するのを防止するヘッド加熱ヒータ81が設けられており、成膜時にシャワーヘッド72を加熱するようになっている。
また、このシャワーヘッド72には、途中にマッチング回路82やプラズマ用の例えば13.56MHzの高周波電源84等が介設された給電ライン86が接続されており、下部電極である載置台58との間にプラズマを立てるようになっている。従って、この処理容器56内の処理空間で原料ガスであるTiCl4 とH2 とArとを用いて高周波によりプラズマを立てると共に、ウエハWを加熱手段60により所定の温度に加熱し、これによりプラズマアシストによるCVDによりウエハWの表面にTi膜を成膜できるようになっている。
<TiN膜成膜装置の説明>
次に、上記TiN膜成膜装置24bについて図3を参照して説明する。図3はTiN膜成膜装置24bを示す概略構成図である。図3に示すように、このTiN膜成膜装置24bは、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器90を有している。この処理容器90内には、容器底部より支柱92により起立させて支持された例えば窒化アルミ等のセラミックよりなる載置台94が設けられており、この上面側にウエハWを載置できるようになっている。
次に、上記TiN膜成膜装置24bについて図3を参照して説明する。図3はTiN膜成膜装置24bを示す概略構成図である。図3に示すように、このTiN膜成膜装置24bは、例えばアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器90を有している。この処理容器90内には、容器底部より支柱92により起立させて支持された例えば窒化アルミ等のセラミックよりなる載置台94が設けられており、この上面側にウエハWを載置できるようになっている。
この載置台94内には、例えばカーボンワイヤヒータよりなる加熱手段96が埋め込んで設けられており、上記ウエハWを所定の温度に加熱できるようになっている。またこの載置台94の下方には、ウエハWを搬出入する際に昇降してウエハWを下側より突き上げて支持するリフタピン(図示せず)が設けられる。
この処理容器90の底部には排気口98が形成されると共に、この排気口98には真空ポンプや圧力調整弁等を含む排気系100が接続されており、上記処理容器90内を真空引きして所定の圧力に維持できるようになっている。
また処理容器90の側壁には、ウエハWを搬出入できる大きさの開口102が形成されており、この開口102に前述したゲートバルブGが設けられている。更に、処理容器90の天井部は開口されており、この開口部分にガス導入手段として例えばシャワーヘッド104が気密に設けられている。このシャワーヘッド104は、例えばアルミニウム合金等により形成されている。
具体的には、このシャワーヘッド104の上部には、第1のガス導入口106と第2のガス導入口108が設けられると共に、このシャワーヘッド104内には、上記第1のガス導入口106に連通される第1の拡散室110と上記第2のガス導入口108に連通される第2の拡散室112とがそれぞれ区画分離されて設けられている。そして、上記シャワーヘッド104の下面のガス噴射面には、上記第1の拡散室110に連通された複数の第1のガス噴射孔114と、上記第2の拡散室112に連通された複数の第2のガス噴射孔116とがそれぞれ設けられており、上記第1及び第2のガス噴射孔114、116から噴射された各ガスを、処理容器90内で初めて混合できるようになっている。
このようなガスの混合方式を、いわゆるポストミックスと称す。ここで上記第1のガス導入口106には窒化ガスとしてNH3 とN2 ガスとをそれぞれ流量制御しつつ供給できるようになっており、また第2のガス導入口108には原料ガスとして例えばTiCl4 ガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。尚、窒化ガスとしてNH3 ガスとN2 ガスのいずれか一方を供給するようにしてもよい。
従って、この処理容器90内の処理空間では、原料ガスであるTiCl4 とNH3 及びN2 とが面内方向に均一に供給されて、ウエハWを加熱手段96により所定の温度に加熱し、これにより熱CVDによりウエハWの表面にTiN膜を成膜できるようになっている。
<W膜成膜装置の説明>
またW膜成膜装置24cの構造は、使用するガス種を除いて、図3に示すTiN膜成膜装置24bと同様に形成されているので、ここではその構造の説明は省略する。上記W膜成膜装置24cでは、原料ガスとして例えばWF6 ガスが用いられ、還元ガスとして例えばH2 、SiH4 、B2 H6 の内のいずれか1つ、或いは1以上のガスが用いられ、熱CVD処理によりW膜が形成されることになる。尚、上記各成膜装置24a〜24cには、図示されないが、パージガスとして例えばN2 等の不活性ガスをそれぞれ供給できるようになっている。
またW膜成膜装置24cの構造は、使用するガス種を除いて、図3に示すTiN膜成膜装置24bと同様に形成されているので、ここではその構造の説明は省略する。上記W膜成膜装置24cでは、原料ガスとして例えばWF6 ガスが用いられ、還元ガスとして例えばH2 、SiH4 、B2 H6 の内のいずれか1つ、或いは1以上のガスが用いられ、熱CVD処理によりW膜が形成されることになる。尚、上記各成膜装置24a〜24cには、図示されないが、パージガスとして例えばN2 等の不活性ガスをそれぞれ供給できるようになっている。
<バリヤ層の形成方法>
次に、前述のように構成された処理システム22を用いて行われる本発明に係るバリヤ層の形成方法について説明する。図4は本発明に係るバリヤ層の形成方法を説明するための工程図、図5は本発明に係るバリヤ層の形成方法を説明するためのフローチャート、図6はシリコン上とシリコン酸化膜上に堆積するTiの成膜レートの温度依存性を示すグラフである。
次に、前述のように構成された処理システム22を用いて行われる本発明に係るバリヤ層の形成方法について説明する。図4は本発明に係るバリヤ層の形成方法を説明するための工程図、図5は本発明に係るバリヤ層の形成方法を説明するためのフローチャート、図6はシリコン上とシリコン酸化膜上に堆積するTiの成膜レートの温度依存性を示すグラフである。
まず、本発明方法は、被処理体である半導体ウエハWの表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、上記Ti膜上に上記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とよりなるものである。
具体的には、まず、前記処理システム22のTi膜成膜装置24aにて図7(A)に示す半導体ウエハWに対してTi膜の成膜処理を施し、これにより図4(A)に示すようにTi膜8をウエハWに形成した接続穴4内の底面及び側面を含めてウエハWの表面全体に形成する(S1)。ここでは原料ガスはTiCl4 を用い、還元ガスはH2 ガスを用い、プラズマ発生用の希ガスとしてArガスを用いており、プラズマによるアシストを行いつつCVDによりTi膜8を堆積させる。
尚、還元ガスは上記したガスに限定されず、例えばBH3 、B2 H6 、B3 H9 等を用いることができる。プロセス圧力は、プラズマが発生し得るような圧力、例えば133〜1330Pa程度の範囲内である。また、ウエハサイズが300mmの場合にはTiCl4 ガスの流量は例えば2〜20sccmの範囲、H2 ガスの流量は例えば500〜2000sccmの範囲である。
ここで重要な点は、プロセス温度であるウエハWの温度を、シリコンと接して成膜されるTiがシリサイド化しないような温度(シリサイド化温度未満)で成膜する点である。このようなTi膜がシリサイド化しないような温度は400〜550℃未満の範囲内である。上記温度が400℃よりも小さいと、Ti膜が効率的に堆積しなくなって実用的でなくなる。実際の処理ではウエハ温度を450℃程度に設定している。
また上記温度が550℃以上になると、本発明の背景技術の欄で説明したように、Ti膜の成膜とシリサイド化によるTiSi2 膜の形成とが同時に行われることから、低抵抗化を目的とするシリコン層の薄膜化に起因して、シリサイド化によって形成されるTiSi2 膜中にてTiSi2 のグレインがシリコン層からシリコンを吸い上げて成長してグレインサイズが大きくなって一様にならないばかりか、シリコン層中から例えばB(ボロン)等の不純物を吹い上げてしまい、この結果、この界面部分の抵抗値を増加させてしまう。
ここで上記Ti膜の成膜レートの温度依存性について説明する。図6に示すように、ここでは表面にSiO2 膜とシリコン(Si)とが共に露出しているウエハ表面にTi膜を堆積した時の各膜上の成膜レートの温度依存性を示している。この時のウエハ温度は500〜600℃程度の範囲で変えている。図6に示すように、SiO2 膜上に堆積するTi膜の成膜レートは、500〜600℃の温度範囲内で略20nm/minを示しており、略一定である。
ここで上記Ti膜の成膜レートの温度依存性について説明する。図6に示すように、ここでは表面にSiO2 膜とシリコン(Si)とが共に露出しているウエハ表面にTi膜を堆積した時の各膜上の成膜レートの温度依存性を示している。この時のウエハ温度は500〜600℃程度の範囲で変えている。図6に示すように、SiO2 膜上に堆積するTi膜の成膜レートは、500〜600℃の温度範囲内で略20nm/minを示しており、略一定である。
これに対して、Si上に堆積するTi膜の成膜レートは、500〜550℃までは上記SiO2 膜上のTi膜と同じように略20nm/minを示して略一定であるが、550℃を境界にして温度が上がると成膜レートは急激に増加している。ここでこのSi上のTi膜について分析したところ、Ti膜の多くはシリサイド化してTiSi2 膜となってTiSi2 のグレインが大きく成長していることが判明した。このTiSi2 化合物のサイズはTi単独の2.5倍程度であり、シリサイド化によるこの堆積の増加が、図6中において550℃以上で成膜レートが急激に大きくなった理由である。従って、前述したように、Ti膜がシリサイド化しないようにするためには、Ti膜の成膜時にウエハ温度を550℃未満に設定する必要があることが判る。
上述したように550℃を境界にして反応形態が変化する理由は、550℃未満ではH2 還元が支配的であるのに対して、550℃以上ではH2 還元よりも、下層から吸い上げられたSiによるSi還元が支配的になって、TiSi2 のグレインが成長するものと考えられる。
また、このTi膜の成膜時にウエハ温度は、図8(A)を参照して説明した従来方法よりも低いので、その分、成膜レートは若干低下するが、ステップカバレジが良好になるので、ウエハWの上面のみならず、微細な接続穴4内の底面や側面などの内面に十分に厚くTi膜8を形成することができる。
また、このTi膜の成膜時にウエハ温度は、図8(A)を参照して説明した従来方法よりも低いので、その分、成膜レートは若干低下するが、ステップカバレジが良好になるので、ウエハWの上面のみならず、微細な接続穴4内の底面や側面などの内面に十分に厚くTi膜8を形成することができる。
このように、Ti膜の成膜が完了したならば、このウエハWを大気に晒すことなくTiN膜成膜装置24b(図1参照)へ移載し、ここでTiN膜成膜処理を施して図4(B)に示すようにTiN膜12をウエハ表面全体に形成する(S2)。ここでの原料ガスは例えばTiCl4 ガスを用い、窒化ガスとしてNH3 及び/又はN2 ガスを用い、熱CVDによりTiN膜12を堆積させる。尚、窒化ガスは上述したガスに限定されず、NX Hy (x,yは自然数)等を用いることができる。具体的にはN2 H4 等を用いることができる。プロセス圧力は、13〜1330Paの範囲内である。
ここで重要な点は、プロセス温度であるウエハWの温度を、先の工程でシリコンと接して成膜されたTi膜8がシリサイド化するような温度(シリサイド化温度以上)で成膜する点である。このような温度は、上述した図6によれば550〜750℃の範囲内であり、好ましくは600〜650℃の範囲内である。上記温度750℃はTiN成膜装置24bの耐熱性限界である。
上述したような温度でTiN膜12を成膜すると、接続穴4の底面及び側面を含むウエハWの表面全体にTiN膜12が堆積されると同時に、シリコン層6と接している接続穴4の底部のTi膜8とが反応してTi膜8がシリサイド化され、ここでTiSi2 膜10が形成されることになる。
上述したような温度でTiN膜12を成膜すると、接続穴4の底面及び側面を含むウエハWの表面全体にTiN膜12が堆積されると同時に、シリコン層6と接している接続穴4の底部のTi膜8とが反応してTi膜8がシリサイド化され、ここでTiSi2 膜10が形成されることになる。
この時形成されるTiSi2 膜10自体を薄くできるのみならず、TiSi2 膜10中のグレインのサイズは小さくて、凹凸が非常に少なくて比較的に平坦になっており、しかも下層のシリコン層6から不純物を吸い上げることもないので、境界部分の抵抗の上昇を抑制することができ、この抵抗値を低い値に維持することができる。
また、上述のようにTiSi2 膜10を薄くし、且つTiSi2 膜10中のグレインサイズを抑制して小さくすることができるので、シリコン層6の薄膜化又はシリコン層6の厚さに対するマージン量を増加させることができる。
また、上述のようにTiSi2 膜10を薄くし、且つTiSi2 膜10中のグレインサイズを抑制して小さくすることができるので、シリコン層6の薄膜化又はシリコン層6の厚さに対するマージン量を増加させることができる。
このようにTiN膜の成膜が完了したならば、このウエハWを大気に晒すことなくW膜成膜装置26c(図1参照)へ移載し、ここでW膜成膜処理を施して図4(C)に示すようにW膜16をウエハ表面全体に形成し、接続穴4内を埋め込む(S3)。この場合、原料ガスは例えばWF6 ガスを用い、還元ガスとしてH2 ガス及び又はSiH4 ガスを用い、熱CVDによりW膜16を堆積させる。上記WF6 ガスの流量は例えば1〜500sccmの範囲、H2 ガスの流量は例えば10〜5000sccmの範囲、SiHガス4の流量は例えば1〜700sccmの範囲ある。尚、原料ガスや還元ガスは上記したガスに限定されず、例えば原料ガスとしてはW(CO)6等を用いることができ、還元ガスとしてはB2 H6 等を用いることができる。
このようにして、W膜を成膜して接続穴4の埋め込みが完了することになる。この場合、先の図4(A)に示すTi膜成膜工程で接続穴4内の内壁面に十分な厚さのTi膜8を形成していたので、ボイドを発生させることなく、埋め込みを行うことができる。
このように、本発明によれば、表面の少なくとも一部にシリコン層6が露出している被処理体である半導体ウエハWの表面に、シリコン層6と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上にシリコン層6と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを行うようにしたので、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制することができる。
このように、本発明によれば、表面の少なくとも一部にシリコン層6が露出している被処理体である半導体ウエハWの表面に、シリコン層6と接する部分がシリサイド化しないような温度でTi膜を形成するTi膜形成工程と、Ti膜上にシリコン層6と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程とを行うようにしたので、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ti膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制することができる。
尚、上記実施例においては、図3に示すTiN膜成膜装置24bとしてプラズマを用いないCVD成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、プラズマを用いたCVD成膜装置を用いてプラズマCVD処理によりTiN膜を成膜するようにしてもよい。
また上記プラズマ処理装置やプラズマを用いたTi膜成膜装置24aとしては、高周波を用いた平行平板型のプラズマ処理装置に限定されず、ICP(Inductively Coupled Plasma)処理装置やマイクロ波を用いたプラズマ処理装置等も用いることができる。
また上記プラズマ処理装置やプラズマを用いたTi膜成膜装置24aとしては、高周波を用いた平行平板型のプラズマ処理装置に限定されず、ICP(Inductively Coupled Plasma)処理装置やマイクロ波を用いたプラズマ処理装置等も用いることができる。
また、前述したTiN膜成膜工程では、原料ガスであるTiCl4 ガスと窒化ガスであるNH3 ガス(N2 ガス)等とを同時に供給してTiN膜を成膜するようにしたが、これに限定されず、原料ガスと窒化ガスとを交互に供給して成膜する、いわゆるALD(Atomic Layered Deposition)法によりTiN膜を成膜するようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
2 絶縁層
4 接続穴
6 シリコン層
8 Ti膜
10 TiSi2 膜
12 TiN膜
14 バリヤ層
16 W(タングステン)膜
22 処理システム
24a Ti膜成膜装置
24b TiN膜成膜装置
24c W膜成膜装置
26 共通搬送室
30 導入側搬送室
32 第1の搬送機構
50 制御部
52 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
4 接続穴
6 シリコン層
8 Ti膜
10 TiSi2 膜
12 TiN膜
14 バリヤ層
16 W(タングステン)膜
22 処理システム
24a Ti膜成膜装置
24b TiN膜成膜装置
24c W膜成膜装置
26 共通搬送室
30 導入側搬送室
32 第1の搬送機構
50 制御部
52 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 表面の少なくとも一部にシリコン層が露出している被処理体の表面に、Ti膜とTiN膜よりなるバリヤ層を形成するバリヤ層の形成方法において、
前記被処理体の表面に、前記シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度で前記Ti膜を形成するTi膜形成工程と、
前記Ti膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でTiN膜を形成するTiN膜形成工程と、
を有することを特徴とするバリヤ層の形成方法。 - 前記Ti膜形成工程の温度は400〜550℃未満の範囲であることを特徴とする請求項1記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記TiN膜形成工程の温度は550〜750℃の範囲であることを特徴とする請求項1又は2記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記Ti膜は、プラズマを用いたCVD成膜処理により形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記TiN膜は、プラズマを用いたCVD成膜処理により、或いはプラズマを用いないCVD成膜処理により形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記TiN膜は、Tiを含む原料ガスと窒化ガスとを互いに供給することにより成膜されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記被処理体の表面には、予め絶縁層が形成されると共に、該絶縁層にはその底部に前記シリコン層が露出しているホールが形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法。
- 前記ホールは、上層と下層とを電気的に接続するための埋め込み用の接続穴であることを特徴とする請求項7記載のバリヤ層の形成方法。
- 被処理体の表面に薄膜を形成するための処理システムにおいて、
前記被処理体の表面にTi膜を形成するためのTi膜成膜装置と、
前記被処理体の表面にTiN膜を形成するためのTiN膜成膜装置と、
前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置とに連結されて真空引き可能になされた共通搬送室と、
前記共通搬送室内に設けられて前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置との間で前記被処理体を搬送する搬送機構と、
請求項1乃至8のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法を実行するように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする処理システム。 - 被処理体の表面にTi膜を形成するためのTi膜成膜装置と、
前記被処理体の表面にTiN膜を形成するためのTiN膜成膜装置と、
前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置とに連結されて真空引き可能になされた共通搬送室と、
前記共通搬送室内に設けられて前記Ti膜成膜装置と前記TiN膜成膜装置との間で前記被処理体を搬送する搬送機構と、
全体の動作を制御する制御部と、
を有する処理システムを用いて被処理体の表面に薄膜を形成するに際して、
請求項1乃至8のいずれかに記載のバリヤ層の形成方法を実行するように前記処理システムを制御するコンピュータ読み取り可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142339A JP2008300436A (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | バリヤ層の形成方法及び処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007142339A JP2008300436A (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | バリヤ層の形成方法及び処理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300436A true JP2008300436A (ja) | 2008-12-11 |
Family
ID=40173701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007142339A Pending JP2008300436A (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | バリヤ層の形成方法及び処理システム |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2008300436A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101460555B1 (ko) | 2008-12-29 | 2014-11-14 | 주식회사 케이씨텍 | 샤워헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 |
-
2007
- 2007-05-29 JP JP2007142339A patent/JP2008300436A/ja active Pending
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KR101460555B1 (ko) | 2008-12-29 | 2014-11-14 | 주식회사 케이씨텍 | 샤워헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 |
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