JP2008299114A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】観察側基板の内面に複数の画素電極とＴＦＴと走査線及び信号線を設け、反対側基板の内面に対向電極を設けた反射型アクティブマトリックス液晶表示素子において、観察側から入射した光の反射光によるＴＦＴの誤動作を無くし、良好な表示を得る。
【解決手段】観察側基板１の内面に、複数の画素電極４と、これらの画素電極４に接続された複数のＴＦＴ５と、複数の走査線及び信号線とを設け、反対側基板２の内面に、複数の画素電極４とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極１７と、前記複数の画素の配列領域に対応させて形成され、複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの少なくともＴＦＴ５に対応する部分に欠落部１９を有し、観察側から入射した光を欠落部１９以外の領域において観察側へ反射する反射面１８とを形成した。
【選択図】図１

Description

この発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）を能動素子とした反射型のアクティブマトリックス液晶表示素子に関する。

液晶表示素子としては、予め定めた間隙を設けて対向配置された一対の基板間の間隙に液晶層を封入し、前記一対の基板の互いに対向する内面のうちの一方の基板の内面に、行方向及び列方向に配列させて形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数のＴＦＴと、各行の複数のＴＦＴにゲート信号を供給する複数の走査線と、各列の複数のＴＦＴにデータ信号を供給する複数の信号線とを設け、他方の基板の内面に、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極を設けたアクティブマトリックス液晶表示素子が広く利用されている。

また、液晶表示素子には、表示の観察側とは反対側の基板の内面または外面に反射膜を設け、観察側から入射した光を前記反射膜により観察側へ反射して表示する反射型のものがあり、反射型のアクティブマトリックス液晶表示素子においては、その製造プロセスを簡易化するために、観察側の基板の内面に複数の画素電極とＴＦＴと走査線及び信号線を設け、観察側とは反対側の基板の内面に対向電極を設けている（特許文献１参照）。
特開平７−１９８６１４号公報

しかし、観察側の基板の内面に複数の画素電極とＴＦＴと走査線及び信号線を設けた従来の反射型アクティブマトリックス液晶表示素子は、前記ＴＦＴが、観察側から入射して反対側の基板に設けられた反射膜により反射された光によって誤動作し、表示不良を発生するという問題をもっている。

この発明は、観察側の基板の内面に複数の画素電極とＴＦＴと走査線及び信号線を設け、観察側とは反対側の基板の内面に対向電極を設けた反射型アクティブマトリックス液晶表示素子において、観察側から入射した光の反射光による前記ＴＦＴの誤動作を無くし、良好な表示を得ることを目的としたものである。

この発明の請求項１に記載の液晶表示素子は、
予め定めた間隙を設けて対向配置された観察側とその反対側の一対の基板と、
前記一対の基板間の間隙に封入された液晶層と、
前記一対の基板の互いに対向する内面のうちの前記観察側の基板の内面に、行方向及び列方向に配列させて形成された複数の画素電極と、
前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応させて配置され、対応する前記画素電極に接続された複数のＴＦＴと、
前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極の行毎に設けられ、各行の前記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数の走査線と、
前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極の列毎に設けられ、各列の前記複数の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数の信号線と、
前記反対側の基板の内面に、前記複数の画素電極と対向させて設けられ、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極と、
前記反対側の基板の内面と外面のいずれか一方に、前記複数の画素の配列領域に対応させて形成され、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの少なくとも前記複数のＴＦＴに対応する部分に欠落部を有し、前記観察側から入射した光を前記欠落部以外の領域において前記観察側へ反射する反射面と、
を備えることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記反射面は、前記複数のＴＦＴに対応する部分及び、前記複数の走査線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間と、前記複数の信号線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間のいずれか一方に対応する部分に欠落部を有していることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示素子において、前記反射面は、前記複数のＴＦＴに対応する部分及び、前記複数の走査線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間に対応する部分と、前記複数の信号線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間に対応する部分とに欠落部を有していることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、前記請求項１または２に記載の液晶表示素子において、前記対向電極は、前記反対側の基板の内面に、前記反射面の欠落部に対応する部分を除いて設けられた金属膜からなっており、この金属膜により前記反射面が形成されていることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、前記請求項２または３に記載の液晶表示素子において、前記対向電極は、前記反対側の基板の内面に設けられた透明導電膜からなっており、前記反射面は、前記反対側の基板の内面と外面のいずれか一方に、前記反射面の欠落部に対応する部分を除いて設けられた金属膜により形成されていることを特徴とする。

この発明の液晶表示素子によればＴＦＴの誤動作を無くし、良好な表示を得ることができる。

（第１の実施形態）
図１〜図３はこの発明の第１の実施例を示しており、図１は液晶表示素子の一部分の断面図、図２は前記液晶表示素子の観察側基板の一部分を内面側から見た図、図３は前記液晶表示素子の反対側基板の一部分を内面側から見た図である。

この液晶表示素子は、ＴＦＴを能動素子とした反射型のアクティブマトリックス液晶表示素子であり、予め定めた間隙を設けて対向配置された観察側とその反対側の一対の透明基板１，２と、前記一対の基板１，２間の間隙に封入された液晶層３と、前記一対の基板１，２の互いに対向する内面のうちの前記観察側の基板（以下、前基板という）１の内面に、行方向（図１において紙面に垂直な方向、図２において左右方向）及び列方向（図１において左右方向、図２において上下方向）に配列させて形成された複数の透明な画素電極４と、前記前基板１の内面に、前記複数の画素電極４にそれぞれ対応させて配置され、対応する画素電極４に接続された複数のＴＦＴ５と、前記前基板１の内面に、前記複数の画素電極４の行毎に設けられ、各行の複数のＴＦＴ５にゲート信号を供給する複数の走査線１３と、前記前基板１の内面に、前記複数の画素電極４の列毎に設けられ、各列の複数のＴＦＴ５にデータ信号を供給する複数の信号線１４と、前記反対側の基板（以下、後基板という）２の内面に、前記複数の画素電極４と対向させて設けられ、前記複数の画素電極４とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極１７と、前記後基板２の内面に、前記複数の画素の配列領域（画面エリア）に対応させて形成され、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分に欠落部１９を有し、前記観察側から入射した光を前記欠落部１９以外の領域において前記観察側へ反射する反射面１８とを備えている。

前記ＴＦＴ５は、前記前基板１の板面上に形成されたゲート電極６と、前記前基板１の板面の略全域に前記ゲート電極６を覆って形成された透明なゲート絶縁膜７と、前記ゲート絶縁膜７の上に前記ゲート電極６と対向させて形成されたｉ型半導体膜８と、前記ｉ型半導体膜８の両側部の上にｎ型半導体膜９を介して形成されたドレイン電極１０及びソース電極１１と、前記ｉ型半導体膜８とドレイン電極１０及びソース電極１１を覆って形成されたオーバーコート絶縁膜１２とからなっている。なお、図２では前記オーバーコート絶縁膜１２を省略している。

そして、前記複数の画素電極４は、前記ゲート絶縁膜７の上に形成され、前記複数のＴＦＴ５は、前記複数の画素電極４にそれぞれ対応させて各画素電極行の一側の領域に配置されており、前記ソース電極１１を対応する画素電極４に接続されている。

また、前記複数の走査線１３は、前記前基板１の板面上に、各画素電極行の一側の領域にそれぞれ対応させて形成され、前記ＴＦＴ５のゲート電極６に接続されており、前記複数の信号線１４は、前記ゲート絶縁膜７の上に、各画素電極列の一側の領域にそれぞれ対応させて形成され、前記ＴＦＴ５のドレイン電極１０に接続されている。なお、前記複数の走査線１３は、前記ＴＦＴ５のゲート電極６と同じ金属膜により形成され、前記複数の信号線１４は、前記ＴＦＴ５のドレイン電極１０と同じ金属膜により形成されている。

さらに、前記前基板の内面には、前記複数の画素電極４の間に補償容量を形成するための容量電極１５が設けられている。この容量電極１５は、前記前基板１の板面上に、前記画素電極４の周縁部のＴＦＴ接続部を除く部分に対応させて形成されており、前記画素電極４の周縁部との間に、前記ゲート絶縁膜７を誘電体層とする補償容量を形成している。なお、前記容量電極１５は、各画素電極行毎に、行方向に連続させて形成されており、各行の容量電極１５は、前記複数の画素の配列領域の外側の部分において互いに共通接続されている。

一方、前記後基板２の内面に設けられた対向電極１７は、前記後基板２の板面上の前記複数の画素電極４に対応する領域に、前記反射面１８の欠落部１９に対応する部分、つまり前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分を除いて設けられた光反射性を有するアルミニウム膜等の金属膜１６からなっており、この金属膜１６により前記反射面１８が形成されている。

なお、前記金属膜１６は、前記後基板２の板面上にアルミニウム膜等をスパッタ法または蒸着法により成膜し、その膜の前記複数のＴＦＴ５に対応する部分をフォトリソグラフィ法によって除去することにより形成されたものであり、前記反射面１８は、前記金属膜１６の膜面（鏡面）からなっている。

また、前記金属膜１６の除去部、つまり前記反射面１８の欠落部１９は、前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８の少なくともチャンネル領域（ドレイン電極１０とソース電極１１との間の領域）よりも大きい形状に形成されている。

さらに、前記前基板１と後基板２の内面にはそれぞれ、前記電極４，１７を覆って配向膜２０，２１が形成されている。なお、図２及び図３では前記配向膜２０，２１を省略している。

前記前基板１と後基板２は、予め定めた間隙を設けて対向配置され、前記複数の画素の配列領域を囲む枠状のシール材（図示せず）を介して接合されており、これらの基板１，２間の前記シール材により囲まれた領域に液晶層３が封入されている。

そして、前記液晶層３の液晶分子は、前記前基板１と後基板２の内面にそれぞれ形成された配向膜２０，２１によりそれぞれの基板１，２の近傍における配向方向を規定され、前記基板１，２間において予め定めた配向状態に配向している。

また、前記前基板１の外面側には、偏光板２２が、その透過軸を予め定めた方向に向けて配置されており、さらに前記前基板１の外面と前記偏光板２２との間には、表示の視野角を広くするための位相差板、例えば１／４波長の位相差を有するλ／４位相差板２３と、１／２波長の位相差を有するλ／２位相差板２４が、それぞれの遅相軸を予め定めた方向に向けて配置されている。

なお、この液晶表示素子は、前記液晶層３の液晶分子をツイスト配向させたＴＮまたはＳＴＮ型、液晶分子を基板１，２面に対して実質的に垂直に配向させた垂直配向型、液晶分子をツイストさせること無く基板１，２面に対して実質的に平行に配向させた水平配向型、液晶分子をベンド配向させるベンド配向型のいずれか、或いは強誘電性または反強誘電性液晶表示素子であり、前記偏光板２２の透過軸及び前記位相差板２３，２４の遅相軸の向きは、良好なコントラスト及び視野角特性が得られるように設定されている。

さらに、前記前基板１の外面と前記２枚の位相差板２３，２４のうちの前基板１側の第１の位相差板（この実施例ではλ／４位相差板）２３との間には、表示観察者の顔等が前記反射面１８に映って見える外景の映り込みを無くすための光拡散層２５が設けられている。

この光拡散層２５は、例えば光拡散粒子を分散させた透明な粘着剤層からなっており、前記第１の位相差板２３は、前記光拡散層（粘着剤層）２５により前記前基板１の外面に貼付けられ、第２の位相差板２４は、前記第１の位相差板２３の外面に図示しない両面粘着フィルムにより貼付けられ、前記偏光板２２は、前記第２の位相差板２４の外面に図示しない両面粘着フィルムにより貼付けられている。

この液晶表示素子は、反射型のものであり、表示の観察側から入射した光を、観察側とは反対側の後基板２の内面に形成された反射面１８により前記観察側へ反射し、その反射光の観察側への出射を、前記複数の画素毎に、前記画素電極４と対向電極１７との間への電圧の印加により制御して画像を表示する。

この液晶表示素子は、前記後基板２の内面に、前記複数の画素の配列領域に対応させて、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記前基板１の内面に設けられた複数のＴＦＴ５に対応する部分に欠落部１９を有し、観察側から入射した光を前記欠落部１９以外の領域において前記観察側へ反射する反射面１８を形成しているため、観察側から入射し、前記後基板２の内面において前記反射面１８により反射された光が前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８に入射することは無い。

したがって、この液晶表示素子は、前基板１の内面に複数の画素電極４とＴＦＴ５と走査線１３及び信号線１４を設け、後基板２の内面に対向電極１７を設けた反射型アクティブマトリックス液晶表示素子であるが、観察側から入射した光の反射光による前記ＴＦＴ５の誤動作を無くし、良好な表示を得ることができる。

なお、この液晶表示素子に観察側から入射した光は前記複数のＴＦＴ５の配置領域にも入射するが、観察側からＴＦＴ５の配置領域に入射した光は、前記ＴＦＴ５のゲート電極６により遮られるため、観察側から入射した光が前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８に入射して前記ＴＦＴ５を誤動作させることは無い。

しかも、この液晶表示素子は、前記後基板２の内面に、前記反射面１８の欠落部１９に対応する部分を除いて設けられた金属膜１６からなる対向電極１７を設け、前記金属膜１６により前記反射面１８を形成しているため、前記対向電極１７と反射面１８とを別々に形成する場合に比べて、製造工程数を少なくし、低コスト化を図ることができる。

（第２の実施形態）
図４はこの発明の第２の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図であり、この実施例の液晶表示素子は、後基板２の内面に、表面が、微小な凹凸が行方向及び列方向に連続した形状に形成された下地膜２６を設け、この下地膜２６の上に、前基板１の内面に設けられた複数のＴＦＴ５に対応する部分を除いてアルミニウム膜等の金属膜１６を設けることにより、前記金属膜１６からなる対向電極１７と、前記金属膜１６の前記下地膜２６の表面の形状に対応した凹凸形状で、且つ前記複数のＴＦＴ５に対応する部分に欠落部１９を有する拡散反射面１８ａとを形成し、上述した第１の実施例における光拡散層２５を省略したものである。なお、この液晶表示素子の他の構成は、第１の実施例の液晶表示素子と同じであるから、重複する説明は図に同符号を付して省略する。

この実施例において、前記下地膜２６は、前記後基板２の板面上に感光性樹脂を塗布してその表面をフィトリソグラフィ法により凹凸面に形成する方法、或いは、凹凸面を有するフィルム型または金型上にレジストを塗布してそのレジスト膜を前記後基板２の板面上に転写する方法により形成されており、前記金属膜１６は、前記下地膜２６の上にアルミニウム膜等を成膜し、その膜の前記複数のＴＦＴ５に対応する部分をフォトリソグラフィ法によって除去することにより形成されている。

なお、この実施例では、前記後基板２の板面上に前記下地膜２６を設け、この下地膜２６の上に前記金属膜１６を成膜しているが、前記後基板２の板面をフィトリソグラフィ法またはサンドブラスト処理により荒らして凹凸面に形成し、その上に前記金属膜１６を形成してもよい。

この実施例の液晶表示素子は、表示の観察側から入射した光を、観察側とは反対側の後基板２の内面に形成された前記拡散反射面１８ａにより前記観察側へ反射するものであるため、第１の実施例のように光拡散層２５を設けること無く、外景の映り込みを無くすことができる。

（第３の実施形態）
図５はこの発明の第３の実施例を示す液晶表示素子の反対側基板（後基板）の一部分を内面側から見た図であり、この液晶表示素子は、後基板２の内面に、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、前記複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分に欠落部１９ａを有する反射面１８を形成したものである。

この液晶表示素子において、前記反射面１８の欠落部１９ａは、各行の画素の間の領域毎にスリット状に形成されており、これらの欠落部１９ａのうちの前記ＴＦＴ５に対応する部分は、前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８の少なくともチャンネル領域よりも大きい形状に形成され、前記走査線１３を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分は、これらの画素電極４，４間の領域よりも僅かに広い幅に形成されている。

また、前記後基板２の内面に設けられた対向電極１７は、前記後基板２の内面に、前記反射面１８の欠落部１９ａに対応する部分を除いて設けられた金属膜１６からなっており、この金属膜１６により前記反射面１８が形成されている。

さらに、前記金属膜１６は、この金属膜１６からなる前記対向電極１７の電位を全ての画素にわたって同電位にするために、前記反射面１８の各行のスリット状欠落部１９ａにそれぞれ対応する複数の除去部を挟んで隣合う部分が、前記金属膜１６の一端または両端において互いに繋がった形状に形成されている。

なお、この液晶表示素子の他の構成は、上述した第１の実施例の液晶表示素子と同じであるから、その説明は省略する。

この液晶表示素子は、後基板２の内面に、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、前記複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分に欠落部１９ａを有する反射面１８を形成しているため、観察側から入射し、前記後基板２の内面において前記反射面１８により反射された光が前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８に入射して前記ＴＦＴ５の誤動作させることは無く、また、前記反射面１８により反射された光が、前記複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間の領域（液晶層３に正規の駆動電界が印加されない領域）を通って観察側に出射し、表示のコントラストを低下させることも無い。

なお、この実施例では、前記反射面１８を、複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分を欠落させた形状に形成しているが、前記反射面１８は、前記複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、複数の信号線１４をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分を欠落させた形状に形成してもよく、このようにすることにより、観察側から入射した光の反射光による前記ＴＦＴ５の誤動作と、前記複数の信号線１４をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間の領域における反射光が観察側に出射することによるコントラスト低下とを無くすことができる。

また、この実施例の液晶表示素子は、前記金属膜１６の膜面からなる反射面１８を鏡面としたものであるが、前記反射面１８を拡散反射面とし、第１の実施例における光拡散層２５を省略してもよい。

さらに、この実施例では、後基板２の内面に、前記反射面１８の欠落部１９ａに対応する部分を除いて金属膜１６を設け、この金属膜１６により対向電極１７と反射面１８を形成しているが、前記後基板１の内面に、複数の画素の配列領域の全体に対応させて、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる一枚膜状の対向電極を設け、前記後基板１の内面の前記対向電極よりも後側または前記後基板１の外面に、複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、走査線１３を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間と、信号線１４を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間のいずれか一方に対応する部分を除いて金属膜を設け、この金属膜により反射面を形成してもよく、その場合は、前記金属膜を、その複数の除去部を挟んで隣合う部分が互いに繋がった形状に形成する必要は無い。

（第４の実施形態）
図６及び図７はこの発明の第４の実施例を示しており、図６は液晶表示素子の一部分の断面図、図７は前記液晶表示素子の反対側基板（後基板）の一部分を内面側から見た図である。

この液晶表示素子は、後基板２の内面に、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分と、複数の信号線１４をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分とに欠落部３０を有する反射面２９を形成したものである。

この液晶表示素子において、前記反射面２９の欠落部３０は、各行の画素の間の領域及び各列の画素の間の領域に対応させて格子状に形成されており、これらの欠落部３０のうちの前記ＴＦＴ５に対応する部分は、前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８の少なくともチャンネル領域よりも大きい形状に形成され、前記走査線１３を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分は、これらの画素電極４，４間の領域よりも僅かに広い幅に形成され、前記信号線１４を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分は、これらの画素電極４，４間の領域よりも僅かに広い幅に形成されている。

そして、この実施例では、前記後基板２の内面に、複数の画素の配列領域の全体に対応させて、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる一枚膜状の対向電極２７を設け、さらに前記後基板１の内面の前記対向電極２７よりも後側に、前記反射面２９の欠落部３０に対応する部分を除いて光反射性を有するアルミニウム膜等の金属膜２８を設け、この金属膜２８の膜面からなる前記反射面２９を形成している。なお、この液晶表示素子の他の構成は、上述した第１の実施例の液晶表示素子と同じであるから、その説明は省略する。

この液晶表示素子は、後基板２の内面に、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの前記複数のＴＦＴ５に対応する部分及び、前記走査線１３を挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間に対応する部分と、前記信号線１４を挟んで隣接する複数の画素電極４，４との間に対応する部分とに欠落部３０を有する反射面２９を形成しているため、観察側から入射し、前記後基板２の内面において前記反射面１８により反射された光が前記ＴＦＴ５のｉ型半導体膜８に入射して前記ＴＦＴ５の誤動作させることは無く、また、前記反射面１８により反射された光が、前記複数の走査線１３をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間及び前記複数の信号線１４をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極４，４の間の領域（液晶層３に正規の駆動電界が印加されない領域）を通って観察側に出射し、表示のコントラストを低下させることも無い。

なお、この実施例の液晶表示素子は、前記金属膜２８の膜面からなる反射面２９を鏡面としたものであるが、前記反射面２９を拡散反射面とし、第１の実施例における光拡散層２５を省略してもよい。また、この実施例では、後基板２の内面に反射面２９を形成しているが、前記反射面２９は、前記後基板１の外面に形成してもよい。

（第５の実施形態）
図８はこの発明の第５の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図であり、この液晶表示素子は、前記第４の実施例の液晶表示素子において、複数の画素にそれぞれ対応する赤，緑，青の３色のカラーフィルタ３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを、前記対向電極２７と反射面２９との間に介在させて配置したものである。

この発明の第１の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図。 第１の実施例の液晶表示素子の観察側基板の一部分を内面側から見た図。 第１の実施例の液晶表示素子の反対側基板の一部分を内面側から見た図。 この発明の第２の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図。 この発明の第３の実施例を示す液晶表示素子の反対側基板の一部分を内面側から見た図。 この発明の第４の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図。 第４の実施例の液晶表示素子の反対側基板の一部分を内面側から見た図。 この発明の第５の実施例を示す液晶表示素子の一部分の断面図。

符号の説明

１…前基板（観察側基板）、２…後基板（反対側基板）、３…液晶層、４…画素電極、５…ＴＦＴ、１３…走査線、１４…信号線、１５…容量電極、１６，２８…金属膜、１７，２７…対向電極、１８，２９…反射面、１９，３０…欠落部、２０，２１…配向膜、３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ…カラーフィルタ。

Claims (5)

1. 予め定めた間隙を設けて対向配置された観察側とその反対側の一対の基板と、
   前記一対の基板間の間隙に封入された液晶層と、
   前記一対の基板の互いに対向する内面のうちの前記観察側の基板の内面に、行方向及び列方向に配列させて形成された複数の画素電極と、
   前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極にそれぞれ対応させて配置され、対応する前記画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタと、
   前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極の行毎に設けられ、各行の前記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数の走査線と、
   前記観察側の基板の内面に、前記複数の画素電極の列毎に設けられ、各列の前記複数の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数の信号線と、
   前記反対側の基板の内面に、前記複数の画素電極と対向させて設けられ、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極と、
   前記反対側の基板の内面と外面のいずれか一方に、前記複数の画素の配列領域に対応させて形成され、前記複数の画素に対応する領域以外の領域のうちの少なくとも前記複数の薄膜トランジスタに対応する部分に欠落部を有し、前記観察側から入射した光を前記欠落部以外の領域において前記観察側へ反射する反射面と、
   を備えることを特徴とする液晶表示素子。
2. 反射面は、複数の薄膜トランジスタに対応する部分及び、複数の走査線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間と、複数の信号線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間のいずれか一方に対応する部分に欠落部を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 反射面は、複数の薄膜トランジスタに対応する部分及び、複数の走査線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間に対応する部分と、複数の信号線をそれぞれ挟んで隣接する複数の画素電極の間に対応する部分とに欠落部を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
4. 対向電極は、反対側の基板の内面に、反射面の欠落部に対応する部分を除いて設けられた金属膜からなっており、この金属膜により前記反射面が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
5. 対向電極は、反対側の基板の内面に設けられた透明導電膜からなっており、反射面は、前記反対側の基板の内面と外面のいずれか一方に、前記反射面の欠落部に対応する部分を除いて設けられた金属膜により形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示素子。

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