JP2008294118A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】減圧下で、高周波電力が供給される高周波電極3と、この高周波電極3と対向する対向電極7との間でプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板5を処理する平行平板型電極の基板処理装置におけるプラズマ密度を均一化し、もって処理の均一化を図る。
【解決手段】高周波電極3を、対向電極7と対向する平板電極部8と、平板電極部8の周縁から基板処理装置の内部側面に沿って延出する周縁電極部9とで構成し、濃度が低下しやすい周縁部のプラズマへ周縁電極部9から容量的に電力を供給して増強する。
【選択図】図1
【解決手段】高周波電極3を、対向電極7と対向する平板電極部8と、平板電極部8の周縁から基板処理装置の内部側面に沿って延出する周縁電極部9とで構成し、濃度が低下しやすい周縁部のプラズマへ周縁電極部9から容量的に電力を供給して増強する。
【選択図】図1
Description
本発明は、平行平板型電極を用いて励起したプラズマを利用して、基板にエッチング、成膜、改質などの処理を施すのに用いられる基板処理装置に関する。
従来、平行平板型電極を用いた基板処理装置が知られており、特に平行平板型電極の成膜装置としたときの膜厚の均一化を図るために、平行平板電極間の平行度と基板の平行度が確実に得られるようにすることが知られている(特許文献1参照)。
しかしながら、従来のように平行平板電極間の平行度と基板の平行度を高めただけでは十分な膜厚の均一化が得られない問題がある。
即ち、プラズマは電極全面で均一に生成されるが、基板に到達する前に拡散したプラズマの一部は、チャンバ内壁面で消失する。このため、基板面上では、中央部のプラズマ密度が高く、周縁部のプラズマ密度が低くなり、基板に形成される薄膜の膜厚も、中央部が厚く周縁部が薄くなる。このプラズマ密度の濃淡による膜厚のむらは、上記従来の平行度の改善だけでは解消することができない。
電極サイズを基板サイズに比して十分に大きくすることで改善することはできるが、チャンバ全体の大きさが大きくなり、設備コスト及び設置面積が増大するだけでなく、非効率的である。
本発明は、平行平板型電極を用いた基板処理装置におけるプラズマ密度を均一化し、もってエッチング、成膜、改質などの処理の均一化を図ることを目的とする。
本発明は、減圧下で、高周波電力が供給される高周波電極と、この高周波電極と対向する対向電極との間でプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板を処理する平行平板型電極の基板処理装置において、当該高周波電極が、対向電極と対向する平板電極部と、平板電極部の周縁から基板処理装置の内部側面に沿って延出する周縁電極部とを有していることを特徴とする基板処理装置を提供するものである。
また、本発明は、記平板電極部の表面を絶縁板で覆うことが好ましい。
周縁電極部は、容量的に電力をプラズマに供給することができ、これによって周縁部のプラズマ密度が高められる。従って、周縁部のプラズマが拡散し、チャンバ内壁面で一部が消失しても、周縁部におけるラズマ密度の大きな低下を防止することができる。そして、これにより、大きな高周波電極と対向電極を用いることなく、基板面におけるプラズマ密度を均一化することができる。基板面におけるプラズマ密度が均一化されることにより、基板に均一な処理を施すことが可能となる。
一方、前記平板電極部の表面を絶縁板で覆っておくと、平板電極部は絶縁板を介して誘導的に電力をプラズマに供給することができるが、絶縁板が存在しない場合に比してプラズマへの電力供給が押さえられる。従って、中央部のプラズマ密度が抑制される。そして、上記周縁電極部による周縁部のプラズマ密度の増強と、中央部のプラズマ密度の抑制との両者によって、基板面におけるプラズマ密度を均一化することができる。また、平板電極部の表面が絶縁板で覆われるため、電極として用いられる金属の露出面積が大幅に抑制される。このため、電極がスパッタリングされることによる金属汚染を激減させることができる。
図1は本発明に係る基板処理装置の第一の例を示す断面模式図である。
図中1は真空排気可能なチャンバで、チャンバ1の上部には、高周波電源2に接続された高周波電極3が設けられている。高周波電極3は、絶縁体4を介してチャンバ1に取り付けられている。また、基板5が載置される基板ホルダ6上には、この高周波電極2に対向する平板状の対向電極7が設けられている。対向電極7は電気的に接地されている。
高周波電極3は、対向電極7と平行に配置された平板状の平板電極部8と、この平板電極部8の周縁から基板処理装置の内部側面に沿って対向電極7側へ延出した周縁電極部9とを有している。また、周縁電極部9より内側の平板電極部8の表面は絶縁板10で覆われている。絶縁板10は、周縁電極部9の突出量より厚さが薄く、周縁電極部9の内周面がチャンバ1内の空間に露出するようになっている。絶縁板10としては、例えばアルミナ、石英などが用いられる。周縁電極部9は、対向電極7側の端面も絶縁体7で覆われており、チャンバ1内の空間に露出しているのは、内周面のみとなっている。
本例の基板処理装置を用いた処理は、基板ホルダ6の対向電極上7に基板5を載置し、チャンバ1内を所要の低圧に排気した後、基板5と高周波電極3の間に処理ガスを導入すると共に、高周波電源2から高周波電極8に高周波電力を供給することで行われる。
処理ガスは、処理目的に応じて選択される。例えばエッチングについてはCF4、CCl4などの基板5の表面材料との反応性ガスが用いられる。例えばシリコン膜の成膜の場合にはシラン(SiH4)と水素(H2)の混合ガスなどが用いられる。例えば原子状水素による膜質改質処理の場合には水素(H2)が用いられる。
減圧下で上記処理ガスを導入して高周波電極8に高周波電力を供給すると、高周波電極8と、対向電極7上の基板5との間にプラズマが励起され、所定の処理が基板5の表面に施されることになる。この時、前述のように、周縁電極部9による周縁部のプラズマ密度の増強と、絶縁板10による中央部のプラズマ密度の抑制とが相俟って、基板5の表面におけるプラズマ密度を均一化することができる。従って、基板5の表面におけるプラズマ密度が均一化されることにより、基板5に均一な処理を施すことができる。
周縁電極部9が基板処理装置の内部側面を占める(覆う)割合と、絶縁板10の厚さを調整することにより、周縁部と中央部のプラズマ濃度を調整することができる。従って、処理ガスの種類や処理時のチャンバ1内の真空度の変化などによってプラズマの生成状態が変動しても、これらを調整することで対応することができる。周縁電極部9が基板処理装置の内部側面を占める割合は、露出した内周面から容量的に電力をプラズマに供給することができる範囲で調整される。また、絶縁板10の厚さは、平板電極部8から絶縁板10を介して誘導的に電力をプラズマに供給することができる範囲で調整される。
図2は本発明に係る基板処理装置の第二の例を示す断面模式図である。なお、図2において図1と同じ符号は同様の部材を示す。
本例の基板処理装置は、高周波電極3周りの構成は上述の第一の例と同様であるが、対向電極7の設置位置及び構造が相違している。まず、対向電極7は基板ホルダ6上ではなく、基板5の上方に高周波電極3と対向して設けられており、チャンバ1内を上部のプラズマ室11と、下部の基板処理室12とに仕切っている。また、対向電極7は、多数の貫通孔13(トラップホール)を有しており、しかもこの貫通孔13とは仕切られた中空部14を有する中空構造体となっており、下面にはこの中空部14に連なる多数の孔15が形成されている。対向電極7が電気的に接地されているのは前記第一の例と同じである。
本例の基板処理装置は、第一の処理ガスと第二の処理ガスを用いて処理を行うもので、プラズマ室11に第一の処理ガス、対向電極7の中空部14に第二の処理ガスを供給して高周波電極3に高周波電力を供給する。高周波電極3と対向電極7間にはプラズマが形成され、これによって生成された活性種が対向電極7の貫通孔13を通って基板処理室12へと流れる。その一方、対向電極7の中空部14に供給された第二の処理ガスは孔15から基板処理室12へと供給され、例えば上記活性種と反応させることで基板5に成膜処理を施すことができる。具体的には、第一の処理ガスとして酸素を用い、第二の処理ガスとしてモノシランガスを用いると、基板5に酸化シリコン膜を成膜することができる。
本例の基板処理装置の場合、プラズマ室11に形成されるプラズマの濃度が均一となる結果、対向電極7の貫通孔13を介して基板処理室12へ流入する活性種の量が各貫通孔孔13で均一化され、均一な厚さの成膜を基板5に施すことが可能となる。
ちなみに、図2に示されるような本発明に係る基板処理装置と、図2における周縁電極部9と絶縁板10を有しない平板電極部8のみの従来の基板処理装置とでそれぞれ成膜処理を行った。その結果、得られた膜の膜厚不均一性は、本発明に係る基板処理装置による場合が3.1%、従来の基板処理装置による場合が20.2%であった。
なお、図1及び図2に示した例は、いずれも絶縁板10を備えたものとなっているが、この絶縁板10を省略し、周縁電極部9のみでプラズマ密度の均一化を図ることも可能である。
1 チャンバ
2 高周波電源
3 高周波電極
4 絶縁体
5 基板
6 基板ホルダ
7 対向電極
8 平板電極部
9 周縁電極部
10 絶縁板
11 プラズマ室
12 基板処理室
13 貫通孔
14 中空部
15 孔
2 高周波電源
3 高周波電極
4 絶縁体
5 基板
6 基板ホルダ
7 対向電極
8 平板電極部
9 周縁電極部
10 絶縁板
11 プラズマ室
12 基板処理室
13 貫通孔
14 中空部
15 孔
Claims (2)
- 減圧下で、高周波電力が供給される高周波電極と、この高周波電極と対向する対向電極との間でプラズマを生成し、当該プラズマを用いて基板を処理する平行平板型電極の基板処理装置において、当該高周波電極が、対向電極と対向する平板電極部と、平板電極部の周縁から基板処理装置の内部側面に沿って延出する周縁電極部とを有していることを特徴とする基板処理装置。
- 前記平板電極部の表面が、絶縁板で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007136321A JP2008294118A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007136321A JP2008294118A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294118A true JP2008294118A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=40168555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007136321A Withdrawn JP2008294118A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008294118A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018533158A (ja) * | 2015-08-31 | 2018-11-08 | トタル ソシエテ アノニムTotal Sa | 空間分解プラズマ処理を用いてパターン形成されたデバイスを製造する、プラズマ発生装置および方法 |
-
2007
- 2007-05-23 JP JP2007136321A patent/JP2008294118A/ja not_active Withdrawn
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JP2018533158A (ja) * | 2015-08-31 | 2018-11-08 | トタル ソシエテ アノニムTotal Sa | 空間分解プラズマ処理を用いてパターン形成されたデバイスを製造する、プラズマ発生装置および方法 |
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