JP2008292546A - Cathode potential control device, self-luminous display device, electronic equipment and cathode potential control method - Google Patents
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Abstract
Description
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態が駆動制御される自発光型の表示パネルの消費電力を各画素の劣化状態に応じて最適化する技術に関する。
なお発明は、カソード電位制御装置、自発光表示装置、電子機器及びカソード電位制御方法としての側面を有する。
The invention described in this specification relates to a technique for optimizing the power consumption of a self-luminous display panel in which the light emission state of each pixel is driven and controlled by an active matrix driving method in accordance with the deterioration state of each pixel.
The invention has aspects as a cathode potential control device, a self-luminous display device, an electronic device, and a cathode potential control method.
今日、様々な種類のフラットパネルディスプレイが実用化されている。これらの一つに、有機EL(Electro Luminescence)素子を表示領域内に行列配置した有機ELパネルがある。有機ELパネルは、軽く薄膜化が容易なだけでなく、応答速度が速く動画表示特性にも優れている。このように、有機ELパネルは、次世代表示デバイスに求められる様々な特性を有している。 Today, various types of flat panel displays are in practical use. One of these is an organic EL panel in which organic EL (Electro Luminescence) elements are arranged in a matrix in a display area. The organic EL panel is not only light and easy to thin, but also has a high response speed and excellent moving image display characteristics. Thus, the organic EL panel has various characteristics required for the next generation display device.
ところで、有機EL素子の電流−電圧(I−V)特性は、劣化の進行に伴い変化することが知られている。図1に、有機EL素子の電流−電圧特性の時間変化を示す。図1に示すように、駆動電流が同じでも有機EL素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧Velが徐々に大きくなる。 By the way, it is known that the current-voltage (IV) characteristic of an organic EL element changes with progress of deterioration. FIG. 1 shows the time change of the current-voltage characteristics of the organic EL element. As shown in FIG. 1, even when the driving current is the same, the voltage Vel generated between the anode electrode and the cathode electrode of the organic EL element gradually increases.
この電圧変化は、主に有機EL素子の劣化に起因する。自発光素子に共通する特性として、有機EL素子も使用時間長に比例して素子劣化が進行する。この劣化現象の一つが有機EL素子の両極間に発生する電圧の拡大である。なお、劣化現象は、ピーク輝度レベルの低下としても出現する。 This voltage change is mainly caused by the deterioration of the organic EL element. As characteristics common to self-luminous elements, organic EL elements also deteriorate in proportion to the length of use. One of the deterioration phenomena is an increase in voltage generated between both electrodes of the organic EL element. The deterioration phenomenon also appears as a decrease in peak luminance level.
もっとも、その進行速度は一様ではなく、自発光素子の一般的な特性として、画面輝度が明るいほど進行速度が速くなる傾向がある。また、有機EL素子の特性として、環境温度が高いほど劣化の進行が加速される傾向がある。 However, the traveling speed is not uniform, and as a general characteristic of a self-luminous element, the traveling speed tends to increase as the screen brightness increases. In addition, as a characteristic of the organic EL element, the deterioration tends to be accelerated as the environmental temperature increases.
そこで従来技術の場合には、表示パネルの最大使用時間長を想定し、その時間内で最も劣化の進んだ有機EL素子が正常に動作できるように、表示パネルのカソード電位を設定する手法が採用されている。すなわち、電圧Velの最大値を想定して、表示パネルに印加する電源電位VDDとカソード電位を設定する手法が採用されている。 Therefore, in the case of the prior art, assuming the maximum usage time of the display panel, a method is adopted in which the cathode potential of the display panel is set so that the most deteriorated organic EL element can operate normally within that time. Has been. That is, a method is adopted in which the power supply potential VDD and the cathode potential applied to the display panel are set assuming the maximum value of the voltage Vel.
以下、発明者らが提案する発明とは着想が異なるが、消費電力の削減技術の幾つかを例示する。
そこで、発明者らは、発光状態(ピーク輝度レベル)はそのままに、自発光素子の劣化状態に応じて表示パネル内で消費される電力を必要最小限に制御する仕組みを提案する。具体的には、表示パネルのカソード電位を最適値に制御する仕組みを提案する。 Therefore, the inventors propose a mechanism for controlling the power consumed in the display panel to the minimum necessary according to the deterioration state of the self-light-emitting element while keeping the light emission state (peak luminance level) as it is. Specifically, a mechanism for controlling the cathode potential of the display panel to an optimum value is proposed.
すなわち、発明者らは、アクティブマトリクス駆動方式により各画素の発光状態を駆動制御する自発光型の表示パネルに印加する共通カソード電位の制御装置に、(a)発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すカソード電位値であるのと同時に、自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値を、経時変化の測定値に応じて決定するカソード電位決定部と、(b)決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部とを搭載する。 That is, the inventors provide a common cathode potential control device to be applied to a self-luminous display panel that drives and controls the light emission state of each pixel by an active matrix driving method. The cathode potential value that cancels the temporal change in the voltage generated between the cathode electrode and the cathode electrode, and at the same time, determines the cathode potential value that causes the drive transistor of the self-luminous element to operate in the saturation region in accordance with the measured value over time. A cathode potential determination unit and (b) a cathode potential application unit that generates a cathode potential corresponding to the determined cathode potential value and supplies the cathode potential to the common cathode electrode of the self-luminous display panel are mounted.
発明者らの提案する発明の場合、発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すように、カソード電位を可変制御することができる。例えばアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧が小さい期間では共通カソード電位を上げるのに対し、同電圧が大きい期間では共通カソード電位が下げるように制御することができる。 In the case of the invention proposed by the inventors, the cathode potential can be variably controlled so as to cancel the change with time of the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-luminous element during the light emitting operation. For example, the common cathode potential can be controlled to increase while the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode is small, while the common cathode potential is decreased during the period when the voltage is large.
この結果、表示パネルに印加される電圧(電源電位Vccと共通カソード電位との間に印加される電圧)を、自発光素子の両極間に発生する電圧の変化に応じて可変制御することができる。すなわち、各時点で最低限必要な電圧だけを表示パネルに印加することができる。これにより、表示パネル内で発光動作以外に消費される電力を常に最小の状態に制御することができる。 As a result, the voltage applied to the display panel (the voltage applied between the power supply potential Vcc and the common cathode potential) can be variably controlled according to the change in the voltage generated between the two electrodes of the self-light emitting element. . That is, only the minimum necessary voltage can be applied to the display panel at each time point. Thereby, the power consumed in the display panel other than the light emitting operation can always be controlled to the minimum state.
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ELパネルモジュールのカソード電位制御に適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
The case where the invention is applied to the cathode potential control of an active matrix driving type organic EL panel module will be described below.
In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied to the part which is not illustrated or described in particular in this specification.
Moreover, the form example demonstrated below is one form example of invention, Comprising: It is not limited to these.
(A)形態例1
この形態例では、有効表示領域内の画素と同構造のダミー画素を用いて有機EL素子の両極間電圧(アノード電極とカソード電極間の電圧)Velを直接測定し、有機ELパネルのカソード電位を制御する場合について説明する。
(A) Form example 1
In this embodiment, the voltage between both electrodes of the organic EL element (voltage between the anode electrode and the cathode electrode) Vel is directly measured using a dummy pixel having the same structure as the pixel in the effective display area, and the cathode potential of the organic EL panel is determined. The case of controlling will be described.
(A−1)ダミー画素の配置例
図2に、ダミー画素の配置例を示す。図2に示すダミー画素7は、有機ELパネルモジュール1を構成する有機ELパネル3上に配置されている。ただし、ダミー画素7の配置位置は、有効表示領域5の外側である。すなわち、ダミー画素7は、画面表示には関係しない領域(通常、ユーザーからは見えない領域)に配置される。
(A-1) Arrangement Example of Dummy Pixel FIG. 2 shows an arrangement example of the dummy pixel. The dummy pixels 7 shown in FIG. 2 are arranged on the organic EL panel 3 constituting the organic
図2(A)は、有機ELパネル3を構成する有効表示領域5の右外側にダミー画素7を配置する例を表し、図2(B)は、有効表示領域5の下外側にダミー画素7を配置する例を表している。 FIG. 2A shows an example in which the dummy pixel 7 is arranged on the right outer side of the effective display area 5 constituting the organic EL panel 3, and FIG. 2B shows the dummy pixel 7 on the lower outer side of the effective display area 5. The example which arrange | positions is represented.
なお、ダミー画素7の画素構造は、有効表示領域5を構成する画素と同じであるものとする。従って、ダミー画素7は、有効表示領域5の画素と同じプロセスにより形成される。 Note that the pixel structure of the dummy pixel 7 is the same as that of the pixels constituting the effective display area 5. Accordingly, the dummy pixel 7 is formed by the same process as the pixel of the effective display area 5.
(A−2)全体構成
図3に、有機ELパネルモジュール11の主要構成部分を示す。有機ELパネルモジュール11は、有機ELパネル13、データ線ドライバ15、走査線ドライバ17、両極間電圧測定部19及びカソード電位制御部21を主要な構成要素とする。
(A-2) Overall Configuration FIG. 3 shows the main components of the organic
有機ELパネル13の有効表示領域には、パネル解像度に応じて画素23がマトリクス状に配置されている。この形態例の場合、有機ELパネル13はカラー表示用であり、画素23は発光色の配列に従って配置される。ただし、複数色の有機発光層を積層した構造を有する有機EL素子が画素23を構成する場合、1つの画素が複数の発光色に対応する。
In the effective display area of the
図4に、ダミー画素25の内部構造と他の駆動回路との接続関係を示す。なお、図4に示す画素構造は、アクティブマトリクス駆動方式に対応する有効表示領域5の画素23の画素構造と共通である。もっとも、実際の画素23には、発光期間制御用のトランジスタ、駆動トランジスタの閾値補正機能や移動度補正機能に対応するトランジスタ等が配置される。
FIG. 4 shows a connection relationship between the internal structure of the
図4に示すダミー画素25は、書き込み制御トランジスタT1、電荷保持容量C、電流駆動トランジスタT2及び有機EL素子Dで構成される。
書き込み制御トランジスタT1は、画素データに対応する信号電圧Vdataの電荷保持容量Cへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
The
The write control transistor T1 is a thin film transistor that controls writing of the signal voltage Vdata corresponding to the pixel data to the charge retention capacitor C.
なお、書き込み制御トランジスタT1の開閉動作は、走査線ドライバ17より走査線WLを通じて供給される書き込み信号WSにより制御される。書き込み制御トランジスタT1が閉制御されている期間に、データ線DLを通じて印加された画素データ(信号電圧Vdata)が電荷保持容量Cに書き込まれる。
The opening / closing operation of the write control transistor T1 is controlled by a write signal WS supplied from the
電流駆動トランジスタT2は、電荷保持容量Cに書き込まれた信号電圧Vdataに応じた大きさの駆動電流を有機EL素子Dに供給する薄膜トランジスタである。図4の場合、電流駆動トランジスタT2には、Nチャネル型の電界効果トランジスタを使用する。 The current driving transistor T2 is a thin film transistor that supplies a driving current having a magnitude corresponding to the signal voltage Vdata written in the charge holding capacitor C to the organic EL element D. In the case of FIG. 4, an N-channel field effect transistor is used as the current driving transistor T2.
データ線ドライバ15は、画素データ(信号電圧Vdata)を対応するデータ線DLに印加する回路デバイスである。ここでの画素データは、有効表示領域を構成する画素23に対応する画素データの他、ダミー画素25に対応する測定用の画素データを含む。このため、データ線ドライバ15は、画素23に対応する画素データDinとダミー画素25に対応する画素データDdmy のいずれか一方を選択的にデータ線DLに印加するスイッチ31を搭載する。
The
図5に、スイッチ31の入出力関係を示す。なお、スイッチ31は、ダミー画素25を配置するデータ線DLについてのみ配置し、その他のデータ線DLには配置しない。
なお、スイッチ31の切り替えタイミングは、両極間電圧測定部19より測定タイミング信号Stmg として与えられる。図6に示すように、測定タイミング信号Stmg は、例えば10フレームに1回の割合で出力される。
FIG. 5 shows the input / output relationship of the
Note that the switching timing of the
走査線ドライバ17は、信号電圧Vdataの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。勿論、走査線ドライバ17は、ダミー画素25に専用の走査線WLも駆動制御する。なお、書き込みタイミングの供給先となる走査線WLは、水平走査期間単位で順次切り替え制御される。
The
両極間電圧測定部19は、ダミー画素25を構成する有機EL素子Dのアノード電位を測定する処理デバイスである。
図7に、両極間電圧測定部19の内部構成例を示す。両極間電圧測定部19は、ダミー画素データ発生部41及び両極間電圧算出部43で構成される。
The inter-electrode
FIG. 7 shows an internal configuration example of the interpolar
ダミー画素データ発生部41は、両極間電圧の測定時以外は、画素データDinのフレーム平均値をダミー画素データDdmy として出力し、両極間電圧の測定時には測定用の固定値をダミー画素データDdmy として出力する処理デバイスである。ここで、ダミー画素データDdmy として有効表示領域5を構成する全画素のフレーム平均値を算出するのは、ダミー画素25の劣化状態を有効表示領域5の平均値に一致させるためである。
The dummy pixel
ただし、両極間電圧は、同じ電圧(固定値)を与えた場合に有機EL素子Dの両極間に発生する電圧Velとして測定する。このため、ダミー画素データ発生部41は、両極間電圧の測定時には、測定用に事前に設定された固定値を出力する。なお、ダミー画素データ発生部41は、測定タイミングを測定タイミング信号Stmg としてデータ線ドライバ15と両極間電圧算出部43に出力する。
However, the voltage between both electrodes is measured as a voltage Vel generated between both electrodes of the organic EL element D when the same voltage (fixed value) is applied. Therefore, the dummy pixel
両極間電圧算出部43は、測定タイミング時の発光期間に有機EL素子Dの両極間に現れる電圧Velを測定する信号処理部である。このため、両極間電圧算出部43には、有機EL素子Dのアノード電位(アナログ値)Vsとカソード電位値Dcathode とが与えられる。
The
図8に、両極間電圧算出部43の内部構成例を示す。この形態例の場合、両極間電圧算出部43は、アノード電位Vs測定用のボルテージフォロア回路51、アナログディジタル変換回路(A/D変換回路)53及び両極間電圧算出部55で構成する。
FIG. 8 shows an internal configuration example of the interpolar
ここで、ボルテージフォロア回路51を用いてアノード電位Vsを測定するのは、有機EL素子Dに供給される駆動電流の大きさがナノオーダーと非常に微小なためである。すなわち、駆動電流から両極間電圧Velの変化を直接測定するのは非常に困難なためである。
Here, the reason why the anode potential Vs is measured by using the
なお、ボルテージフォロア回路51を通じて検出されたアノード電位Vsはアナログ値である。従って、アナログディジタル変換回路53においてディジタル値に変換する。
両極間電圧算出部55は、有機EL素子Dのアノード電極に発生するアノード電位Vsとカソード電極に印加される共通カソード電位Vcathode(p)との電位差を算出する。これらの演算処理はディジタル処理により実行される。
The anode potential Vs detected through the
The
この演算処理により、有機EL素子Dの両極間に発生する測定値DVelが算出される。このような演算処理をするのは、この形態例の場合、ダミー画素25が有効表示領域5の画素23と同じ回路構成を採用するためである。すなわち、有機EL素子Dの共通カソード電位Vcathode(p)が可変制御されるためである。
両極間電圧算出部43は、算出された測定値DVelをカソード電位制御部21に供給する。
By this calculation process, a measured value Dvel generated between both electrodes of the organic EL element D is calculated. The reason why such calculation processing is performed is that the
The
カソード電位制御部21は、両極間電圧測定部19で測定された測定値DVelに基づいて、有機EL素子Dのアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧Velの変化量を打ち消すようにカソード電位値を決定し、当該電位値に対応するカソード電位を有機ELパネル13の共通カソード電極に印加する回路デバイスである。
The cathode
図9に、カソード電位制御部19の内部構成例を示す。カソード電位制御部19は、カソード電位決定部61及びカソード電位印加部63で構成する。
カソード電位決定部61は、有機EL素子Dの両極間電圧Velの初期値DVel(ini) と測定値DVelとの差分値ΔVを算出する処理と、その差分値ΔVをカソード電位値Dcathode の初期値Dcathode(ini)から減算して制御用のカソード電位値Dcathode を算出する処理とを実行する処理デバイスである。
FIG. 9 shows an internal configuration example of the cathode
The cathode
カソード電位制御部21は、これらの演算処理で必要な2つの初期値DVel(ini)
及びDcathode(ini)を不揮発性の記憶媒体に保存するものとする。なお、これらの初期値は、個々の有機ELパネルモジュール11について個別に設定する。このため、書き換え可能な記憶媒体を使用する。また、これらの初期値には、例えば個々の有機ELパネルモジュール11について製造検査時に測定された値を使用する。
The cathode
And Dcathode (ini) are stored in a nonvolatile storage medium. These initial values are individually set for each organic
図10に、発光動作時に有機EL素子Dの両極間に発生する電圧Velと使用時間との関係を示す。図10に示すように、両極間電圧Velは、有機EL素子Dの劣化に伴い、徐々に大きくなる。図11に、ある有機EL素子Dについて測定した使用時間と両極間電圧Velの関係を示す。図11の場合、初期値DVel(ini) は8[V]である。 FIG. 10 shows the relationship between the voltage Vel generated between the two electrodes of the organic EL element D during the light emitting operation and the usage time. As shown in FIG. 10, the interpolar voltage Vel gradually increases as the organic EL element D deteriorates. In FIG. 11, the relationship between the usage time measured about the certain organic EL element D and the voltage Vel between both electrodes is shown. In the case of FIG. 11, the initial value Dvel (ini) is 8 [V].
前述したように、有機EL素子Dの劣化の進行速度は、素子材料、表示される画像の内容(明るいか暗いか)、表示パネルの温度等により異なる。従って、使用時間だけを用いては現在の劣化状態と劣化に伴う両極間電圧Velの変化量を推定することはできな。 As described above, the progress rate of deterioration of the organic EL element D varies depending on the element material, the content of the displayed image (bright or dark), the temperature of the display panel, and the like. Therefore, it is impossible to estimate the current deterioration state and the amount of change in the interpolar voltage Vel due to deterioration using only the usage time.
そこで、カソード電位決定部61は、現在の測定値DVelと初期値DVel(ini) との差分値ΔVを計算し、初期値DVel(ini) に対する変化量を求める。図12に、具体例を示す。図12の場合、測定値DVelが8.02[V]である。従って、この測定時点における差分値ΔVは、0.02[V]となる。
Therefore, the cathode
カソード電位決定部61は、この差分値ΔVをカソード電位値Dcathode
の初期値Dcathode(ini) から減算して制御用のカソード電位値Dcathode を算出する。図13に、制御用に算出されるカソード電位値Dcathode と使用時間とのおおよその対応関係を示す。図14に、具体例を示す。図14の場合、カソード電位値Dcathode の初期値を3[V]とする。
The cathode
The control cathode potential value Dcathode is calculated by subtracting from the initial value Dcathode (ini). FIG. 13 shows an approximate correspondence between the cathode potential value Dcathode calculated for control and the usage time. FIG. 14 shows a specific example. In the case of FIG. 14, the initial value of the cathode potential value Dcathode is set to 3 [V].
図14に示すように、有機EL素子Dの両極間電圧Velに生じた変化量(差分値ΔV)だけ、カソード電位値が減少することが分かる。これにより、有機EL素子Dのアノード電極側に現れる電位はほぼ一定値に制御することができる。 As shown in FIG. 14, it can be seen that the cathode potential value decreases by the amount of change (difference value ΔV) generated in the voltage Vel between both electrodes of the organic EL element D. Thereby, the potential appearing on the anode electrode side of the organic EL element D can be controlled to a substantially constant value.
カソード電位印加部63は、測定値DVelに応じて決定されたカソード電位値Dcathode に対応する共通カソード電位Vcathode(p)を発生し、有機ELパネル13の共通カソード電極に印加する回路デバイスである。
図15に、カソード電位印加部63の内部構成例を示す。
The cathode
FIG. 15 shows an internal configuration example of the cathode
図15に示すカソード電位印加部63は、ディジタルポテンショメータ71、ボルテージフォロア回路(オペアンプOP1、抵抗R1、R3及びNチャネル型の電界効果トランジスタT11)73で構成する。
The cathode
ディジタルポテンショメータ71は、例えば256ステップ(8ビット)で電圧を発生する半固定型の抵抗器で構成される。なお、電界効果トランジスタT11のソース電極側には基準電位としての基準カソード電位Vcathode(i)が印加されている。
この回路構成により、有機ELパネル13の共通カソード電極に接続される配線の電位は、ディジタルポテンショメータ71から印加される共通カソード電位Vcathode(p)と同電位に制御することができる。
The
With this circuit configuration, the potential of the wiring connected to the common cathode electrode of the
(A−3)有機ELパネルの発光状態及び消費電力についての考察
図16に、前述したカソード電位制御部21の制御による有機ELパネル13の消費電力とカソード電位印加部63の消費電力との関係を説明する。
(A-3) Consideration of light emission state and power consumption of organic EL panel FIG. 16 shows the relationship between the power consumption of the
図16に示すように、電源電位VDDと基準カソード電位Vcathode(i)との間に印加される電圧は固定である。これに対し、カソード電位制御部21は、有機EL素子Dの劣化に伴う測定値DVelに応じて共通カソード電位Vcathode(p)を可変制御する。
As shown in FIG. 16, the voltage applied between the power supply potential VDD and the reference cathode potential Vcathode (i) is fixed. On the other hand, the cathode
結果的に、有機ELパネル13に印加される電圧(=VDD−Vcathode(p))とカソード電位印加部63に印加される電圧(=Vcathode(p)−Vcathode(i))の比率が有機EL素子Dの劣化状態を反映して変化する。
ただし、有機EL素子Dのアノード電極と電源電位VDDとの間に印加される電圧は、共通カソード電位の可変制御によってほぼ一定に維持される。
As a result, the ratio of the voltage applied to the organic EL panel 13 (= VDD−Vcathode (p)) and the voltage applied to the cathode potential application unit 63 (= Vcathode (p) −Vcathode (i)) is organic EL. It changes reflecting the deterioration state of the element D.
However, the voltage applied between the anode electrode of the organic EL element D and the power supply potential VDD is maintained substantially constant by variable control of the common cathode potential.
従って、電流駆動トランジスタT2より供給される駆動電流Idsは、有機EL素子Dの劣化状態の影響を受けず、画素データが同じであれば常に同じ電流値の駆動電流Idsを供給することになる。
なお、有機ELパネル13内で消費される電力とカソード電位印加部63で消費される電力の比は、各区間に印加される電圧の比に応じて変動する。
Therefore, the drive current Ids supplied from the current drive transistor T2 is not affected by the deterioration state of the organic EL element D, and the drive current Ids having the same current value is always supplied as long as the pixel data is the same.
The ratio of the power consumed in the
図17に、有機EL素子Dの劣化の進行に伴う消費電力の分配比率の変化を示す。
有機EL素子Dの劣化が少ない期間(使用時間が短い期間)では、共通カソード電位Vcathode(p)は初期値(基準カソード電位Vcathode(i)に近い値に制御される。なお、有機ELパネルモジュール11の全体に印加される電圧のうち残りの電圧は、カソード電位印加部63に配分される。これにより、有機ELパネル内で消費される電力を最小化できる。
FIG. 17 shows a change in the power consumption distribution ratio as the organic EL element D deteriorates.
In a period in which the deterioration of the organic EL element D is small (period in which the usage time is short), the common cathode potential Vcathode (p) is controlled to an initial value (a value close to the reference cathode potential Vcathode (i). 11 is distributed to the cathode
結果的に、有機ELパネル13の発熱量も必要最小限に抑制される。一般に、有機ELパネル13の駆動温度が高いことは、有機EL素子Dの寿命を短くする方向に作用する。このため、有機ELパネル13の発熱量(消費電力)を低下できることは、発光寿命を延ばす効果が期待される。
As a result, the heat generation amount of the
もっとも、電源電位VDDと基準カソード電位Vcathode(i)間の電圧は固定であるので、有機ELパネル13で消費される電力が減れば、その分、カソード電位印加部63で消費される電力が増えることになる。特に、電界効果トランジスタT11で消費される電力が増えることになる。
However, since the voltage between the power supply potential VDD and the reference cathode potential Vcathode (i) is fixed, if the power consumed by the
しかし、このカソード電位印加部63は、有機ELパネル13の外部に位置する。このため、有機ELパネル13自体が発熱する場合とは異なり、有機ELパネル13の駆動温度を上昇させる影響は小さく済む。
However, the cathode
また、有機ELパネル13の発熱面積とは異なり、カソード電位印加部63の発熱面積が非常に小さく済む。このため、放熱設計が容易になる。すなわち、カソード電位印加部63で発生した熱を効率的に逃がすことが可能になる。このため、有機ELパネル13の駆動温度を上昇させる影響は小さく済む。すなわち、有機ELパネル13の温度依存特性を従来手法に比して低減することができる。この効果は、有効表示領域の面積が大きいほど顕著になる。
Further, unlike the heat generation area of the
また、ここで説明した制御方法は、共通カソード電位Vcathode(p)の制御が電流駆動トランジスタT11の駆動動作自体には何らの影響を与えないので(電流駆動トランジスタT11が飽和領域で動作するので)、ピーク輝度レベルを低下させることもない。すなわち、表示品質を損なうこともない。 Further, in the control method described here, the control of the common cathode potential Vcathode (p) has no influence on the driving operation itself of the current driving transistor T11 (because the current driving transistor T11 operates in the saturation region). The peak luminance level is not lowered. That is, display quality is not impaired.
なお、有機EL素子Dの劣化の進行に伴って有機ELパネル13の消費電力も増加する方向で制御される。しかし、その増加量は、両極間電圧Velの増加に伴う必要最小限の増加である。このため、発光動作に必要不可欠な電力以上の電力消費を最小化できる。結果的に、不要な温度上昇を防ぎ、超寿命化を実現できる。
このように、形態例に係る制御手法では、従来技術では解決できない顕著な効果を実現することができる。
Note that the power consumption of the
As described above, the control method according to the embodiment can realize a remarkable effect that cannot be solved by the conventional technique.
(B)形態例2
この形態例では、有効表示領域内の画素(測定兼用画素)を用いて有機EL素子の両極間電圧(アノード電極とカソード電極間の電圧)Velを測定し、有機ELパネルのカソード電位を制御する場合について説明する。
(B)
In this embodiment, the voltage between both electrodes of the organic EL element (the voltage between the anode electrode and the cathode electrode) Vel is measured using the pixels in the effective display area (pixels for both measurement), and the cathode potential of the organic EL panel is controlled. The case will be described.
(B−1)測定兼用画素の配置例
図18に、通常の画面表示にも測定にも使用される画素(測定兼用画素)の配置例を示す。図18に示す測定兼用画素87は、有機ELパネルモジュール81を構成する有機ELパネル83上に配置されている。なお、この場合、測定兼用画素87は、有効表示領域85内に配置される。
(B-1) Arrangement Example of Measurement / Combination Pixel FIG. 18 shows an arrangement example of pixels (measurement / use pixels) used for both normal screen display and measurement. 18 is disposed on the
図18(A)は、有機ELパネル83を構成する有効表示領域85の右下隅に測定兼用画素87を配置する例を表し、図18(B)は、有効表示領域85の右上隅に測定兼用画素87を配置する例を表している。
FIG. 18A shows an example in which the measurement-
なお、測定兼用画素87の個数及び配置位置は任意である。ただし、表示品質に与える影響やパネル設計の観点からは、有効表示領域85の外周部分のいずれかに配置するのが望ましい。
The number and arrangement position of the measurement /
また、測定兼用画素87の画素構造は、有機EL素子Dのアノード電位を測定するための引き出し配線を追加的に形成する以外は、有効表示領域85の他の画素構造と同じである。従って、有効表示領域85と同一プロセスで一体的に形成される。
The pixel structure of the measurement /
(B−2)全体構成
図19に、有機ELパネルモジュール81の主要構成部分を示す。ただし、図19の場合、測定兼用画素87は、有効表示領域の右下隅に1つのみ配置する。
図19に示す有機ELパネルモジュール81の場合も、基本的な回路構成は形態例1と同じである。
(B-2) Overall Configuration FIG. 19 shows the main components of the organic
In the case of the organic
すなわち、有機ELパネルモジュール81は、有機ELパネル83、データ線ドライバ91、走査線ドライバ93、両極間電圧測定部95及びカソード電位制御部97を主要な構成要素とする。
ただし、温度測定時以外では、測定兼用画素87に、通常の画像が表示される必要がある。
That is, the organic
However, a normal image needs to be displayed on the measurement /
従って、この形態例の場合には、画素データのフレーム平均値を算出する処理とその算出結果をデータ線ドライバ91に供給する回路構成が不要となる。
因みに、データ線ドライバ91、走査線ドライバ93及びカソード電位制御部97には、形態例1と基本的に同じ回路構成を使用する。
Therefore, in the case of this embodiment, a process for calculating the frame average value of the pixel data and a circuit configuration for supplying the calculation result to the
Incidentally, the
図20に、この形態例に特有の構成を有する両極間電圧算出部95の内部構成例を示す。図20には、図7との対応部分に同一符号を付して示す。両極間電圧算出部95は、測定画素データ供給部101及び両極間電圧算出部43で構成される。
FIG. 20 shows an internal configuration example of the interpolar
測定画素データ供給部101は、両極間電圧Velの測定時には測定用の固定値を測定画素データDdtc として出力する処理デバイスである。因みに、測定時以外の期間、測定兼用画素87は、該当位置の表示内容で駆動制御される。
The measurement pixel
時刻表示等の静止画が主に表示される位置を除き、動画像が表示される領域では、その発熱状態や有機EL素子Dの特性劣化は全画素の平均レベルから大きくズレることはない。従って、測定兼用画素87について、定期的又は不定期に両極間電圧Velを測定することにより、パネル全体の劣化状態を反映した両極間電圧Velを測定することができる。
Except for the position where still images such as time display are mainly displayed, in the region where moving images are displayed, the heat generation state and the characteristic deterioration of the organic EL element D do not deviate greatly from the average level of all pixels. Accordingly, by measuring the interpolar voltage Vel at the measurement /
(B−3)効果
この形態例のように測定兼用画素を用いる構成の場合にも、形態例1と同様の効果を実現することができる。
(B-3) Effect The same effect as that of
(C)形態例3
前述した2つの形態例では、有機EL素子Dの両極間電圧Velを直接測定し、その測定結果に応じてカソード電位Vcathode(p)を制御する場合について説明した。
ここでは、有機EL素子Dの劣化に伴う輝度変化を測定し、その測定結果を通じて有機EL素子Dの両極間電圧Velを間接的に求めることにより、カソード電位Vcathode(p)を制御する場合について説明する。
(C) Embodiment 3
In the two embodiments described above, the case where the voltage Vel between the electrodes EL of the organic EL element D is directly measured and the cathode potential Vcathode (p) is controlled according to the measurement result has been described.
Here, a description will be given of a case where the cathode potential Vcathode (p) is controlled by measuring the luminance change accompanying the deterioration of the organic EL element D and indirectly obtaining the voltage Vel between the electrodes of the organic EL element D through the measurement result. To do.
(C−1)ダミー画素と受光センサの配置例
図21に、ダミー画素と受光センサの配置例を示す。ダミー画素117は、有機ELパネルモジュール111を構成する有機ELパネル113のうち有効表示領域115の外側に配置する。
(C-1) Arrangement Example of Dummy Pixel and Light Receiving Sensor FIG. 21 shows an arrangement example of the dummy pixel and the light receiving sensor. The
図21では、有機ELパネル113の右上隅に配置しているが、その配置位置は任意である。
この形態例の場合、ダミー画素117の表示輝度を測定するための受光センサ119がダミー画素117の表面全体を覆うように配置される。
In FIG. 21, although arrange | positioned in the upper right corner of the
In the case of this embodiment, the
(C−2)全体構成
図22に、有機ELパネルモジュール111の主要構成部分を示す。なお図22の基本的な回路構成は図3と同じである。
(C-2) Overall Configuration FIG. 22 shows the main components of the organic
図22に示す有機ELパネルモジュール111は、有機ELパネル113、データ線ドライバ121、走査線ドライバ123、受光センサ119、ダミー画素データ発生部125及びカソード電位制御部127を主要な構成要素とする。
The organic
ここで、データ線ドライバ121及び走査線ドライバ123は、形態例1のデータ線ドライバ15及び走査線ドライバ17と同じ構成を採用する。すなわち、データ線ドライバ121には、ダミー画素117を配置するデータ線DLについてのみスイッチ31を配置する。また、走査線ドライバ123には、ダミー画素117の走査線WLを駆動制御する構成を採用する。
Here, the
ダミー画素データ発生部125は、発光輝度の測定時以外は、画素データDinのフレーム平均値をダミー画素データDdmy として出力し、発光輝度の測定時には測定用の固定値をダミー画素データDdmy として出力する処理デバイスである。
The dummy
ここで、ダミー画素データDdmy として有効表示領域115を構成する全画素のフレーム平均値を算出するのは、ダミー画素117の劣化状態を有効表示領域115の平均値に一致させるためである。
Here, the frame average value of all the pixels constituting the effective display area 115 is calculated as the dummy pixel data Ddmy in order to make the deterioration state of the
一方、発光輝度の測定時には、測定用に事前に設定された固定値をダミー画素データDdmy
を出力する。なお、ダミー画素データ発生部125は、測定タイミングを測定タイミング信号Stmg としてカソード電位制御部127に出力する。
On the other hand, when measuring the emission luminance, a fixed value set in advance for measurement is used as the dummy pixel data Ddmy.
Is output. The dummy pixel
カソード電位制御部127は、受光センサ119が受光したダミー画素117の発光輝度値より有機EL素子Dの劣化状態に応じた両極間電圧Velを求め、当該両極間電圧Velに基づいてカソード電位を決定し、当該電位値に対応するカソード電位を有機ELパネル113の共通カソード電極に印加する回路デバイスである。
The cathode
図23に、受光センサ119、カソード電位制御部127及び共通カソード電極の接続関係を示す。
図24に、カソード電位制御部127の内部構成例を示す。カソード電位制御部127は、カソード電位決定部131及びカソード電位印加部133で構成する。
FIG. 23 shows a connection relationship among the
FIG. 24 illustrates an internal configuration example of the cathode
カソード電位決定部131は、測定された発光輝度値より有機EL素子Dの両極間電圧値DVelの現在値を求め、適切なカソード電位値Dcathode を算出する処理デバイスである。
図25に、カソード電位決定部131の内部構成例を示す。カソード電位決定部131は、輝度値測定部141及び両極間電圧出力部143で構成される。
The cathode
FIG. 25 shows an internal configuration example of the cathode
輝度値測定部141は、測定タイミングに入力された輝度値の初期値に対する割合〔%〕に基づいて現在の両極間電圧地DVelを求める処理デバイスである。図26に、測定用の画素データ(例えば最大階調値)を入力した場合の発光輝度の低下特性を示す。輝度値測定部141は、現在の劣化状態に対応する両極間電圧値DVelを求めるため、使用開始時の発光輝度を100%とする各発光輝度と両極間電圧Velとの関係を記憶したテーブルメモリを格納する。
The luminance
図27に、テーブルメモリの例を示す。この例の場合、製品出荷時に測定された発光輝度に対応する両極間電圧値DVelは8〔V〕とする。この場合、テーブルメモリには、初期値が8〔V〕の場合の各発光輝度と両極間電圧値DVelとの関係が記憶される。 FIG. 27 shows an example of the table memory. In this example, the bipolar voltage value Dvel corresponding to the light emission luminance measured at the time of product shipment is 8 [V]. In this case, the table memory stores the relationship between each light emission luminance and the interpolar voltage value Dvel when the initial value is 8 [V].
輝度値測定部141は、図28に示すように、当該テーブルメモリを算用して特定された両極間電圧値DVelの現在値と初期値との差分値ΔVを求めると、その差分値ΔVをカソード電位値Dcathode
の初期値Dcathode(ini)から減算して制御用のカソード電位値Dcathode を算出する。なお、カソード電位値Dcathode の初期値Dcathode(ini)も、輝度値測定部141に格納されている。
As shown in FIG. 28, the luminance
The control cathode potential value Dcathode is calculated by subtracting from the initial value Dcathode (ini). The initial value Dcathode (ini) of the cathode potential value Dcathode is also stored in the luminance
カソード電位印加部143は、カソード電位値Dcathode の現在値に対応する共通カソード電位Vcathode(p)を発生し、有機ELパネル13の共通カソード電極に印加する回路デバイスであり、その内部構成は前述した他の形態例と同様である。
The cathode
(C−3)効果
この形態例のように発光輝度を用いて間接的に両極間電圧Velを測定する場合にも、形態例1と同様の効果を実現することができる。
(C-3) Effect The same effect as that of
(D)他の形態例
(D−1)他の測定方法
前述の形態例の場合には、ダミー画素又は測定兼用画素を1つ用いる場合について説明した。
しかし、それぞれ複数の画素を使用し、それらの測定値の平均値を用いてカソード電位を制御しても良い。
(D) Other Embodiments (D-1) Other Measurement Methods In the case of the above-described embodiment, the case where one dummy pixel or one measurement / use pixel is used has been described.
However, a plurality of pixels may be used, and the cathode potential may be controlled using the average value of the measured values.
(D−2)製品例
(a)ドライブIC
前述の説明では、画素アレイ部(有機ELパネル)と駆動回路(データ線ドライバ、走査線ドライバ、カソード電位制御部等)とが1つの基体上に形成された有機ELパネルモジュールについて説明した。
(D-2) Product example (a) Drive IC
In the above description, the organic EL panel module in which the pixel array unit (organic EL panel) and the drive circuit (data line driver, scanning line driver, cathode potential control unit, etc.) are formed on one substrate has been described.
しかし、画素アレイ部と駆動回路部等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブIC(integrated circuit)として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。 However, the pixel array section and the drive circuit section can be manufactured separately and distributed as independent products. For example, the drive circuits may be manufactured as independent drive ICs (integrated circuits) and distributed independently from the pixel array unit.
(b)表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ELパネルモジュールは、図29に示す外観構成を有するパネルモジュール151の形態で流通することもできる。
パネルモジュール151は、支持基板155の表面に対向部153を貼り合わせた構造を有している。
(B) Display Module The organic EL panel module according to each of the above-described embodiments can be distributed in the form of a
The
対向部153は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
なお、パネルモジュール151には、外部から支持基板155に信号等を入出力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)157等が設けられていても良い。
The facing
Note that the
(c)電子機器
前述した形態例における有機ELパネルモジュールは、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図30に、電子機器161の概念構成例を示す。電子機器161は、前述した有機ELパネルモジュール163及びシステム制御部165で構成される。システム制御部165で実行される処理内容は、電子機器161の商品形態により異なる。
(C) Electronic device The organic EL panel module in the embodiment described above is also distributed in a product form mounted on an electronic device.
FIG. 30 illustrates a conceptual configuration example of the
なお、電子機器161は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器161には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図31に、テレビジョン受像機171の外観例を示す。
Note that the
As this type of
テレビジョン受像機171の筐体正面には、フロントパネル173及びフィルターガラス175等で構成される表示画面177が配置される。表示画面177の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュールに対応する。
A
また、この種の電子機器161には、例えばデジタルカメラが想定される。図32に、デジタルカメラ181の外観例を示す。図32(A)が正面側(被写体側)の外観例であり、図32(B)が背面側(撮影者側)の外観例である。
Further, for example, a digital camera is assumed as this type of
デジタルカメラ181は、保護カバー183、撮像レンズ部185、表示画面187、コントロールスイッチ189及びシャッターボタン191で構成される。このうち、表示画面187の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュールに対応する。
The
また、この種の電子機器161には、例えばビデオカメラが想定される。図33に、ビデオカメラ201の外観例を示す。
ビデオカメラ201は、本体203の前方に被写体を撮像する撮像レンズ205、撮影のスタート/ストップスイッチ207及び表示画面209で構成される。このうち、表示画面209の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュールに対応する。
For example, a video camera is assumed as this type of
The
また、この種の電子機器161には、例えば携帯端末装置が想定される。図34に、携帯端末装置としての携帯電話機211の外観例を示す。図34に示す携帯電話機211は折りたたみ式であり、図34(A)が筐体を開いた状態の外観例であり、図34(B)が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
In addition, as this type of
携帯電話機211は、上側筐体213、下側筐体215、連結部(この例ではヒンジ部)217、表示画面219、補助表示画面221、ピクチャーライト223及び撮像レンズ225で構成される。このうち、表示画面219及び補助表示画面221の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュールに対応する。
The
また、この種の電子機器161には、例えばコンピュータが想定される。図35に、ノート型コンピュータ231の外観例を示す。
ノート型コンピュータ231は、下型筐体233、上側筐体235、キーボード237及び表示画面239で構成される。このうち、表示画面239の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュールに対応する。
In addition, for example, a computer is assumed as this type of
The
これらの他、電子機器161には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
In addition to these, the
(D−3)他の画素回路例
前述した形態例では、電流駆動トランジスタT2がNチャネル型の電界効果トランジスタの場合について説明した。
しかし、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタで構成される場合にも適用できる。
(D-3) Other Pixel Circuit Examples In the above-described embodiment, the case where the current driving transistor T2 is an N-channel field effect transistor has been described.
However, the present invention can also be applied to the case where the current driving transistor T2 is configured by a P-channel field effect transistor.
図36に、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタの場合の画素回路例を示す。なお、図36は、図4との対応部分に同一符号を付して表している。
この画素回路の場合、電荷保持容量Cは、電源電位VDDと電流駆動トランジスタT2のゲート電極間に画素データに相当する電圧Vdataを保持するように接続される。
FIG. 36 shows an example of a pixel circuit when the current driving transistor T2 is a P-channel field effect transistor. In FIG. 36, the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG.
In the case of this pixel circuit, the charge holding capacitor C is connected between the power supply potential VDD and the gate electrode of the current driving transistor T2 so as to hold a voltage Vdata corresponding to pixel data.
(D−4)他の表示デバイス例
形態例の説明においては、有機ELパネルモジュールの共通カソード電位を制御する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ELディスプレイ装置、LEDを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
(D-4) Other Display Device Examples In the description of the embodiments, the case where the common cathode potential of the organic EL panel module is controlled has been described.
However, the cathode potential control function can also be applied to other self-luminous display devices. For example, the present invention can be applied to an inorganic EL display device, a display device in which LEDs are arranged, and other display devices in which light emitting elements having a diode structure are arranged on a screen.
(D−5)制御デバイス構成
前述の説明では、カソード電位制御機能をハードウェア的に実現する場合について説明した。
しかし、カソード電位制御機能の一部は、ソフトウェア処理により実現しても良い。
(D-5) Control Device Configuration In the above description, the case where the cathode potential control function is realized in hardware has been described.
However, a part of the cathode potential control function may be realized by software processing.
(D−6)その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
(D-6) Others Various modifications can be considered for the above-described embodiments within the scope of the gist of the invention. Various modifications and applications created or combined based on the description of the present specification are also conceivable.
1 有機ELパネルモジュール
3 有機ELパネル
5 有効表示領域
7 ダミー画素
11 有機ELパネルモジュール
19 両極間電圧測定部
21 カソード電位制御部
81 有機ELパネルモジュール
83 有機ELパネル
85 有効表示領域
87 測定兼用画素
95 両極間電圧測定部
97 カソード電位制御部
111 有機ELパネルモジュール
113 有機ELパネル
115 有効表示領域
117 ダミー画素
119 受光センサ
125 ダミー画素データ発生部
127 カソード電位制御部
DESCRIPTION OF
Claims (8)
発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すカソード電位値であるのと同時に、自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値を、経時変化の測定値に応じて決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と
を有することを特徴とするカソード電位制御装置。 A cathode potential control device for controlling a common cathode potential applied to a self-luminous display panel that drives and controls the light emission state of each pixel by an active matrix driving method,
The cathode potential value that cancels the change over time in the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-light emitting element during the light emitting operation, and at the same time, the cathode potential value that causes the drive transistor of the self light emitting element to operate in the saturation region. Cathode potential determination unit that determines according to the measured value of change,
And a cathode potential application unit that generates a cathode potential corresponding to the determined cathode potential value and supplies the cathode potential to the common cathode electrode of the self-luminous display panel.
前記カソード電位決定部は、
特定画素を測定用の画素データで駆動制御した場合に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の測定値と対応初期値との差分値を算出し、
算出された差分値をカソード電位値の対応初期値より減算して制御用のカソード電位値を決定する
ことを特徴とするカソード電位制御装置。 The cathode potential control device according to claim 1,
The cathode potential determining unit
Calculate the difference between the measured value of the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-luminous element and the corresponding initial value when the specific pixel is driven and controlled with the pixel data for measurement,
A cathode potential control device characterized by subtracting the calculated difference value from a corresponding initial value of a cathode potential value to determine a cathode potential value for control.
前記特定画素は、ダミー画素である
ことを特徴とするカソード電位制御装置。 The cathode potential control device according to claim 2,
The cathode potential control device, wherein the specific pixel is a dummy pixel.
前記特定画素は、有効表示領域を構成する測定兼用画素である
ことを特徴とするカソード電位制御装置。 The cathode potential control device according to claim 2,
The said specific pixel is a measurement combined pixel which comprises an effective display area. The cathode potential control apparatus characterized by the above-mentioned.
前記カソード電位決定部は、
特定画素を測定用の画素データで駆動制御した場合に発生する輝度の測定値に基づいて、自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧と対応初期値との差分値を算出し、
算出された差分値をカソード電位値の対応初期値より減算して制御用のカソード電位値を決定する
ことを特徴とするカソード電位制御装置。 The cathode potential control device according to claim 1,
The cathode potential determining unit
Based on the measured luminance value generated when the specific pixel is driven and controlled with the pixel data for measurement, the difference value between the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-luminous element and the corresponding initial value is calculated. ,
A cathode potential control device characterized by subtracting the calculated difference value from a corresponding initial value of a cathode potential value to determine a cathode potential value for control.
発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すカソード電位値であるのと同時に、自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値を、経時変化の測定値に応じて決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と
を有することを特徴とする自発光表示装置。 A self-luminous display panel that drives and controls the light emission state of each pixel by an active matrix driving method;
The cathode potential value that cancels the change over time in the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-light emitting element during the light emitting operation, and at the same time, the cathode potential value that causes the drive transistor of the self light emitting element to operate in the saturation region. Cathode potential determination unit that determines according to the measured value of change,
A self-luminous display device comprising: a cathode potential application unit that generates a cathode potential corresponding to the determined cathode potential value and supplies the cathode potential to a common cathode electrode of the self-luminous display panel.
発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すカソード電位値であるのと同時に、自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値を、経時変化の測定値に応じて決定するカソード電位決定部と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給するカソード電位印加部と、
システム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。 A self-luminous display panel that drives and controls the light emission state of each pixel by an active matrix driving method;
The cathode potential value that cancels the change over time in the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-light emitting element during the light emitting operation, and at the same time, the cathode potential value that causes the drive transistor of the self light emitting element to operate in the saturation region. Cathode potential determination unit that determines according to the measured value of change,
A cathode potential application unit that generates a cathode potential corresponding to the determined cathode potential value and supplies the cathode potential to the common cathode electrode of the self-luminous display panel;
A system controller;
An electronic device comprising: an operation input unit for the system control unit.
発光動作時に自発光素子のアノード電極とカソード電極の間に発生する電圧の経時変化を打ち消すカソード電位値であるのと同時に、自発光素子の駆動トランジスタを飽和領域で動作させるカソード電位値を、経時変化の測定値に応じて決定する処理と、
決定されたカソード電位値に対応するカソード電位を発生し、前記自発光型の表示パネルの共通カソード電極に供給する処理と
を有することを特徴とするカソード電位制御方法。 A cathode potential control method for controlling a common cathode potential applied to a self-luminous display panel that drives and controls the light emission state of each pixel by an active matrix driving method,
The cathode potential value that cancels the change over time in the voltage generated between the anode electrode and the cathode electrode of the self-light emitting element during the light emitting operation, and at the same time, the cathode potential value that causes the drive transistor of the self light emitting element to operate in the saturation region. Processing to determine according to the measured value of change;
A cathode potential control method comprising: generating a cathode potential corresponding to the determined cathode potential value and supplying the cathode potential to the common cathode electrode of the self-luminous display panel.
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