JP2008292868A - Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method - Google Patents
Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008292868A JP2008292868A JP2007139771A JP2007139771A JP2008292868A JP 2008292868 A JP2008292868 A JP 2008292868A JP 2007139771 A JP2007139771 A JP 2007139771A JP 2007139771 A JP2007139771 A JP 2007139771A JP 2008292868 A JP2008292868 A JP 2008292868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- gradation value
- frequency distribution
- boundary
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
この明細書で説明する発明は、自発光型表示パネル表面の温度ムラを抑制する技術に関する。発明は、温度ムラ抑制装置、自発光表示装置、電子機器及び温度ムラ抑制方法としての側面を有する。 The invention described in this specification relates to a technique for suppressing temperature unevenness on the surface of a self-luminous display panel. The invention has aspects as a temperature unevenness suppressing device, a self-luminous display device, an electronic device, and a temperature unevenness suppressing method.
有機EL表示パネルその他の自発光型表示パネルを構成する発光素子は温度依存特性を有している。例えば有機EL表示パネルの場合、発光時の重要パラメータであるI−V特性が温度変化に応じて変動する。温度変化の原因には、環境温度の変化や発光素子自体の発熱に起因する温度変化がある。 Light emitting elements constituting organic EL display panels and other self-luminous display panels have temperature-dependent characteristics. For example, in the case of an organic EL display panel, the IV characteristic, which is an important parameter at the time of light emission, varies according to a temperature change. The cause of the temperature change includes a change in environment temperature and a temperature change caused by heat generation of the light emitting element itself.
このうち、環境温度の変化はパネル面全体に作用するのに対し、発光素子自体の発熱に伴う温度変化は特定画素又は特定領域についてのみ作用する。このため、パネル温度の分布バラツキは表示画像に依存する特性がある。 Among these, a change in environmental temperature acts on the entire panel surface, whereas a temperature change accompanying heat generation of the light emitting element itself acts only on a specific pixel or a specific region. For this reason, the panel temperature distribution variation has a characteristic that depends on the display image.
なお、パネル温度の分布バラツキが大きい状態が特定領域について継続すると、発光素子の劣化量差の拡大を促進させる方向にも作用する。
結果的に、温度ムラの分布バラツキの拡大は輝度ムラを発生させる原因になる。以下、主に焼き付き現象の抑制を目的とする既存技術例を例示する。
In addition, if the state where the distribution variation of the panel temperature is large continues for the specific region, it also acts in the direction of promoting the expansion of the deterioration amount difference of the light emitting element.
As a result, an increase in unevenness in temperature unevenness causes luminance unevenness. Hereinafter, examples of existing techniques mainly for the purpose of suppressing the burn-in phenomenon will be exemplified.
ところが、従来提案されている焼き付き抑制技術では、一般にパネル温度の分布バラツキの発生が考慮されていない。このため、温度ムラの抑制効果が不十分である。 However, in the conventional image sticking suppression technology, the occurrence of variation in the panel temperature distribution is not generally considered. For this reason, the effect of suppressing temperature unevenness is insufficient.
そこで、発明者らは、自発光型表示パネル表面の温度ムラ補正装置として、(a)1フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、(b)自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、(c)検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部とを有するものを提案する。 Accordingly, the inventors of the present invention have (a) a frequency distribution detection unit that detects a frequency distribution of pixel data in units of one frame, and (b) a self-luminous display panel as a temperature unevenness correction device on the surface of the self-luminous display panel. A panel temperature detection unit for detecting temperature; and (c) when the detected temperature is equal to or lower than the reference temperature, the position of the boundary gradation value where the frequency distribution area on the maximum gradation value side exceeds the reference value is obtained based on the frequency distribution. And a luminance level control unit that restricts the luminance level of all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value to be equal to or lower than the luminance level corresponding to the boundary gradation value.
発明者らの提案する発明の場合、温度ムラが大きいパネル温度の検出時(基準温度以下の温度検出時)に限り、境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する。 In the case of the invention proposed by the inventors, the brightness level of all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value is limited to the boundary gradation value only when a panel temperature with a large temperature unevenness is detected (temperature detection below the reference temperature). It is limited to the luminance level corresponding to.
この際、境界階調値よりも小さい階調値に対応する画素の輝度レベルは入力階調値のままか影響が少ない。結果的に、発熱効果の大きい一定割合の画素についてだけ、輝度レベルを下げることができる。これにより、画質に与える影響を最小限にとどめながら温度ムラを抑制することができる。 At this time, the luminance level of the pixel corresponding to the gradation value smaller than the boundary gradation value is less influenced by whether it is the input gradation value. As a result, the luminance level can be lowered only for a certain ratio of pixels having a large heat generation effect. Thereby, temperature unevenness can be suppressed while minimizing the influence on the image quality.
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ELパネルモジュールに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
Hereinafter, the case where the invention is applied to an active matrix driving type organic EL panel module will be described.
In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied to the part which is not illustrated or described in particular in this specification.
Moreover, the form example demonstrated below is one form example of invention, Comprising: It is not limited to these.
(A)形態例1
(A−1)全体構成
図1に、有機ELパネルモジュール1の主要構成部分を示す。有機ELパネルモジュール1は、有機ELパネル3、データ線ドライバ5、走査線ドライバ7及び温度ムラ抑制部9を主要な構成要素とする。
(A) Form example 1
(A-1) Overall Configuration FIG. 1 shows the main components of the organic
有機ELパネル3の有効表示領域には、パネル解像度に応じて画素11がマトリクス状に配置されている。この形態例の場合、有機ELパネル3はカラー表示用であり、画素11は発光色の配列に従って配置される。ただし、複数色の有機発光層を積層した構造を有する有機EL素子が画素11を構成する場合、1つの画素が複数の発光色に対応する。
In the effective display area of the organic EL panel 3,
図2に、アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素11の内部構造と他の駆動回路との接続関係を示す。もっとも、実際の画素11には、発光期間制御用のトランジスタ、駆動トランジスタの閾値補正機能や移動度補正機能に対応するトランジスタ等が配置される。
FIG. 2 shows a connection relationship between the internal structure of the
画素11は、書き込み制御トランジスタT1、電荷保持容量C、電流駆動トランジスタT2及び有機EL素子Dで構成される。
書き込み制御トランジスタT1は、画素データに対応する信号電圧Vdataの電荷保持容量Cへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
The
The write control transistor T1 is a thin film transistor that controls writing of the signal voltage Vdata corresponding to the pixel data to the charge retention capacitor C.
なお、書き込み制御トランジスタT1の開閉動作は、走査線ドライバ7より走査線WLを通じて供給される書き込み信号WSにより制御される。書き込み制御トランジスタT1が閉制御されている期間に、データ線DLを通じて印加された画素データ(信号電圧Vdata)が電荷保持容量Cに書き込まれる。
The opening / closing operation of the write control transistor T1 is controlled by a write signal WS supplied from the
電流駆動トランジスタT2は、電荷保持容量Cに書き込まれた信号電圧Vdataに応じた大きさの駆動電流を有機EL素子Dに供給する薄膜トランジスタである。図2の場合、電流駆動トランジスタT2には、Nチャネル型の電界効果トランジスタを使用する。 The current driving transistor T2 is a thin film transistor that supplies a driving current having a magnitude corresponding to the signal voltage Vdata written in the charge holding capacitor C to the organic EL element D. In the case of FIG. 2, an N-channel field effect transistor is used as the current driving transistor T2.
データ線ドライバ5は、画素データに対応する信号電圧Vdataをデータ線DLに印加する回路デバイスである。データ線ドライバ5は、1つのデータ線DLに対して1つのディジタル/アナログ変換回路を配置した構成を有している。
The
なお、ここでのディジタル/アナログ変換回路には、黒レベルと白レベルを規定する基準電圧以外にも中間階調を規定する基準電圧が外部から与えられるガンマ補正機能付きの回路を使用する。この形態例の場合、白レベル側の2つの基準電圧が、検出されたパネル温度に応じて切り換え制御される。 Note that the digital / analog conversion circuit here uses a circuit with a gamma correction function to which a reference voltage defining an intermediate gradation is given from the outside in addition to a reference voltage defining a black level and a white level. In the case of this embodiment, the two reference voltages on the white level side are switched and controlled according to the detected panel temperature.
走査線ドライバ7は、信号電圧Vdataの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。書き込みタイミングの供給先となる走査線WLは、水平走査期間単位で順次切り替え制御される。
The
温度ムラ抑制部9は、パネル温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値をフレーム毎に求め、当該境界階調値に対応する輝度レベルを対応フレーム内の最大輝度レベルに制御する処理デバイスである。
When the panel temperature is equal to or lower than the reference temperature, the temperature
この形態例の場合、温度ムラ抑制部9は、データ線ドライバ5を構成するディジタル/アナログ変換器に与えられる複数の基準電圧のうち、白レベル(最大階調値)を規定する基準電圧Vref_0 だけを境界階調値に応じた基準電圧Vref_H に可変制御する。図3に、データ線ドライバ5に供給される基準電圧の印加例を示す。
In the case of this embodiment, the temperature
図3(A)は、温度ムラの抑制制御を実行しない場合(オフ動作時)の基準電圧の印加例である。図3(B)は、温度ムラの抑制制御を実行する場合(オン動作時)の基準電圧の印加例である。図3に示すように、オフ制御時には画素データの最大階調値に対応する基準電圧Vref_0 の初期設定値が供給され、オン制御時には境界階調値に対応して可変的に設定される基準電圧Vref_H が供給される。 FIG. 3A shows an application example of a reference voltage when temperature unevenness suppression control is not executed (during off operation). FIG. 3B is an application example of the reference voltage when the temperature unevenness suppression control is executed (during the ON operation). As shown in FIG. 3, an initial set value of the reference voltage Vref_0 corresponding to the maximum gradation value of the pixel data is supplied during the off control, and a reference voltage variably set corresponding to the boundary gradation value during the on control. Vref_H is supplied.
図4に、温度ムラ抑制部9の内部構成例を示す。温度ムラ抑制部9は、度数分布検出部21、パネル温度検出部23、輝度レベル制御部25で構成する。
ここで、度数分布検出部21は、1フレーム期間に入力される画素データの0レベルから最大レベル(例えばデータ長が8ビットの場合、255)までの各階調値について度数分布を検出する処理デバイスである。
FIG. 4 shows an internal configuration example of the temperature
Here, the frequency
パネル温度検出部23は、有機ELパネル3の表面温度を検出する温度センサである。この形態例の場合、パネル温度検出部23には既知の温度センサを使用する。また、パネル温度検出部23は、有効表示領域の外側に配置する。パネル温度の検出誤差を小さくするためには、温度センサは有効表示領域のできるだけ近傍に配置することが望ましい。
The panel
輝度レベル制御部25は、検出温度Dtmp に応じて輝度レベルを可変制御の実行と実行停止(初期設定のまま)とを切り替え制御する処理デバイスである。図5に、輝度レベル制御部25の内部構成例を示す。輝度レベル制御部25は、境界階調値検出部31及び基準電圧発生部33で構成される。
The luminance
境界階調値検出部31は、検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を度数分布に基づいて検出する処理デバイスである。なお、検出温度が基準温度以上の場合、境界階調値検出部31は、境界階調値の検出処理は行わない。境界階調値に基づく制御の必要がないためである。
The boundary gradation
ただし、境界階調値検出部31は、基準電圧Vref_0 の発生用に画素データが取り得る最大階調値(データ長が8ビットの場合、255)を境界階調値として出力する。ここでは、フレーム画像を構成する画素データの最大値ではないことに注意する。
However, the boundary gradation
図6に、パネル温度と温度ムラとの間に存在するおおよその関係を示す。すなわち、図6では、パネル温度を「高い」、「普通(常温)」、「低い」の3段階によりおおよその関係を示す。なお、3つの温度区分は相対的な表現であるが、あくまでも一般的な関係を説明することを主眼とするため、以下の説明では、この3つの温度区分にて説明する。 FIG. 6 shows an approximate relationship existing between the panel temperature and the temperature unevenness. That is, in FIG. 6, the approximate relationship is shown by three levels of the panel temperature: “high”, “normal (normal temperature)”, and “low”. Although the three temperature sections are relative expressions, the following description will be made with these three temperature sections in order to focus on the general relationship.
パネル温度が「高い」場合、もともとパネル全体の温度が高いことを意味する。従って、有機ELパネル内に高輝度部分と低輝度部分が混在しても、その部分の温度差は目立ち難い。一方、パネル温度が「普通」か「低い」場合は、高輝度部分と低輝度部分がそのまま温度差となり易い。 When the panel temperature is “high”, it means that the temperature of the entire panel is originally high. Therefore, even if the high luminance portion and the low luminance portion are mixed in the organic EL panel, the temperature difference between the portions is not noticeable. On the other hand, when the panel temperature is “normal” or “low”, the high-luminance portion and the low-luminance portion tend to have a temperature difference as they are.
この形態例の場合、境界階調値検出部31は、基準温度として40℃を使用する。従って、検出されたパネル温度が40℃以上の場合、境界階調値検出部31は、画素データが採り得る最大レベル(例えばデータ長が8ビットの場合、255)を境界階調値に設定する。
In the case of this embodiment, the boundary tone
これに対し、検出されたパネル温度が40℃未満の場合、境界階調値検出部31は、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を度数分布より検出する。すなわち、最大階調値の側から各画素の度数分布値を累積的に加算し、その累積加算値が最初に基準値を超える階調値を検出する。
On the other hand, when the detected panel temperature is lower than 40 ° C., the boundary gradation
なお、この形態例の場合、境界階調値検出部31は、基準値として全画素数の15%に相当する値を使用する。
ここで、基準値を大きくするほど輝度制御後の温度ムラの縮小効果を高めることができる。反対に、基準値が小さいほど輝度制御後の温度ムラの縮小効果は小さくなる。従って、基準値は、有機ELパネル3の特性や制御結果に応じて適切に設定することが望まれる。
In the case of this embodiment, the boundary tone
Here, as the reference value is increased, the effect of reducing temperature unevenness after luminance control can be enhanced. On the other hand, the smaller the reference value, the smaller the effect of reducing temperature unevenness after luminance control. Therefore, it is desirable to set the reference value appropriately according to the characteristics of the organic EL panel 3 and the control result.
図7に示す度数分布例に基づいて、度数分布と境界階調値との関係を示す。境界階調値検出部31は、最大階調値側から各階調値に対応する度数分布を順番に読み出し、読み出しの度、それらの累積加算値が基準値(15%に対応する値)を越えるか否かを判定する。累積加算値が基準値を越えない間は、次の階調値に対応する度数分布を読み出して直前回の累積加算値に加算し、その累積加算値と基準値との比較処理を実行する。
Based on the frequency distribution example shown in FIG. 7, the relationship between the frequency distribution and the boundary gradation value is shown. The boundary tone
ここで、境界階調値検出部31は、累積加算値が基準値を最初に越えた階調値を境界階調値に設定する。
このように、境界階調値検出部31は、パネル温度が基準温度より高いか否かにより制御内容を切り換える。
Here, the boundary gradation
As described above, the boundary gradation
基準電圧発生部33は、境界階調値検出部31で検出された境界階調値に基づいて、データ線ドライバ5を構成するディジタル/アナログ変換回路が出力する最大電圧レベル(白レベル)を規定する基準電圧Vref_H (初期値としてのVref_0 を含む。)を発生する回路デバイスである。基準電圧発生部33には、例えばディジタル/アナログ変換回路やディジタルポテンショメータを使用する。
The reference
(A−2)制御動作及び効果
以下、温度ムラ抑制部9で実行される処理動作の内容を説明する。図8に、パネル温度と輝度制御のオン・オフ関係を示す。
(A-2) Control operation and effect Hereinafter, the content of the processing operation performed in the temperature
温度ムラ抑制9は、常にパネル温度を監視しており、パネル温度の検出値が40℃を越えるか否かをフレーム毎に判定する。もっとも、この判定は設定されたフレーム数毎、秒、分単位で実行しても良い。パネル温度は一般に緩やかに変化するためである。
The
パネル温度の検出値が40℃未満の場合、温度ムラ抑制部9は、輝度制御を実行する。すなわち、温度ムラ抑制部9は、各フレーム画像を構成する画素データの階調値別の度数分布を求め、最大階調値側の度数分布面積が基準値(15%)を最初に越える階調値を求める。
When the detected value of the panel temperature is less than 40 ° C., the temperature
図9に処理イメージを示す。図9(A)は、あるフレーム画像の度数分布例を示す。この例の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値(15%)を最初に越える階調値が最大階調値の70%である。 FIG. 9 shows a processing image. FIG. 9A shows an example of the frequency distribution of a certain frame image. In this example, the gradation value whose frequency distribution area on the maximum gradation value side first exceeds the reference value (15%) is 70% of the maximum gradation value.
図9(B)は、検出された階調値(最大階調値の70%)が最大階調値となるように基準電圧Vref_H を制御した場合に画面上に現れる輝度分布を階調値別の度数分布で表した図である。図9(B)より、1フレームを構成する全画素のうち少なくとも15%の画素で入力時よりも階調値が低下していることが分かる。 FIG. 9B shows the luminance distribution that appears on the screen for each gradation value when the reference voltage Vref_H is controlled so that the detected gradation value (70% of the maximum gradation value) becomes the maximum gradation value. FIG. From FIG. 9B, it can be seen that at least 15% of all the pixels constituting one frame have a gradation value lower than that at the time of input.
結果的に、1フレーム内の最大輝度と最小輝度との輝度差を縮小することができ、その分、有機ELパネル3上で消費される電力を抑制することができる。
勿論、消費電力が入力時よりも抑制されることにより、有機ELパネル3内の発熱量も小さくなり、その分、温度ムラの発生や拡大を抑制することができる。
As a result, the luminance difference between the maximum luminance and the minimum luminance in one frame can be reduced, and the power consumed on the organic EL panel 3 can be reduced accordingly.
Of course, when the power consumption is suppressed as compared with that at the time of input, the amount of heat generated in the organic EL panel 3 is also reduced, and generation and expansion of temperature unevenness can be suppressed accordingly.
特に、有機ELパネル3の面積が大きい場合には温度ムラが生じやすいが、形態例で説明した方法は温度ムラの抑制効果を簡易な処理動作だけで実現できるため、有機ELパネル3に実装する際にも有利である。 In particular, when the area of the organic EL panel 3 is large, temperature unevenness is likely to occur. However, the method described in the embodiment can be implemented in the organic EL panel 3 because the effect of suppressing temperature unevenness can be realized only by a simple processing operation. It is particularly advantageous.
また、この温度ムラ抑制部9は、フレームメモリ等の大規模な記憶領域を必要としないため、タイミングジェネレータその他の既存の回路デバイスの一部分に搭載するのも容易である。実際、既存の回路デバイスに搭載することができれば、パネル面の設計変更等を最小化することができる。従って、この温度ムラ抑制部9は、製造面やコスト面でも高い効果を有する。
The temperature
(B)形態例2
この形態例では、前述した温度ムラの抑制動作を、ディジタル信号処理だけで実現する場合について説明する。
(B) Embodiment 2
In this embodiment, a case will be described in which the above-described temperature unevenness suppressing operation is realized only by digital signal processing.
図10に、有機ELパネルモジュール41の主要構成部分を示す。なお、図10には図1との対応部分に同一符号を付して示す。有機ELパネルモジュール41は、有機ELパネル3、データ線ドライバ43、走査線ドライバ7及び温度ムラ抑制部45を主要な構成要素とする。以下では、この形態例に特有の構成であるデータ線ドライバ43と温度ムラ抑制部45の構成例を示す。
FIG. 10 shows main components of the organic
この形態例の場合、データ線ドライバ43には、ガンマ補正機能を有しないディジタル/アナログ変換回路を使用することができる。すなわち、黒レベルを規定する基準電圧と白レベルを規定する基準電圧の印加だけで動作するディジタル/アナログ変換回路を使用することができる。もっとも、形態例1と同じく、ガンマ補正機能付きのディジタル/アナログ変換回路を用いることも可能である。
In this embodiment, the
温度ムラ抑制部45は、形態例1で説明した輝度レベルの制御処理を階調変換により実現する処理デバイスである。
図11に、温度ムラ抑制部45の内部構成例を示す。図11には、図4との対応部分に同一符号を付して表している。温度ムラ抑制部45は、度数分布検出部21、パネル温度検出部23、境界階調値検出部51、階調変換部53で構成する。
The temperature
FIG. 11 shows an internal configuration example of the temperature
図11に示すように、境界階調値を検出するまでの回路構成は形態例1と同じである。なお、境界階調値検出部51は、図4の輝度レベル制御部25を構成する境界階調値検出部31(図5)に対応する。
As shown in FIG. 11, the circuit configuration until the boundary gradation value is detected is the same as that in the first embodiment. The boundary gradation
階調変換部53は、検出された境界階調値が最大出力値となるように、画素データの入力値Dinを階調変換する処理デバイスである。図12に、この形態例の階調変換動作に対応する入出力関係を示す。
The
図12に示すように、画素データの入力値Dinが境界階調値以下の場合、入力値Dinと同じ値が画素データの出力値DOとして出力される。一方、画素データの入力値Dinが境界階調値より大きい場合、境界階調値が画素データの出力値DOとして出力される。 As shown in FIG. 12, when the input value Din of the pixel data is equal to or less than the boundary gradation value, the same value as the input value Din is output as the output value DO of the pixel data. On the other hand, when the input value Din of the pixel data is larger than the boundary gradation value, the boundary gradation value is output as the output value DO of the pixel data.
すなわち、境界階調値より大きい階調値を有する画素だけ(全画素の15%分の画素だけ)が、境界階調値に変換される。
なお、この階調変換処理は、画素データの入力値Dinと境界階調値との比較処理だけで簡単に実現できる。
That is, only pixels having a gradation value larger than the boundary gradation value (only 15% of all pixels) are converted into boundary gradation values.
This gradation conversion process can be easily realized only by the comparison process between the input value Din of the pixel data and the boundary gradation value.
勿論この場合も階調変換処理は、検出温度Dtmp が基準温度である40℃未満の場合に限り実行され、検出温度Dtmp が基準温度である40℃以上の場合には、全ての画素データ(入力値Din)がそのまま出力値DOとして出力される。
結果的に、画面上の輝度変化は形態例1と同じになる。
Of course, also in this case, the gradation conversion process is executed only when the detected temperature Dtmp is lower than the reference temperature of 40 ° C., and when the detected temperature Dtmp is higher than the reference temperature of 40 ° C., all pixel data (input The value Din) is output as it is as the output value DO.
As a result, the luminance change on the screen is the same as that in the first embodiment.
(C)他の形態例
(C−1)温度検出手法
前述した形態例では、温度センサを用いてパネル温度を検出する場合について説明した。しかし、有効表示領域内の画素11や当該画素と同構造を有するダミー画素を定電流駆動した際のアノード電位(厳密には、有機EL素子Dのアノード・カソード間電圧)の変化を検出することにより、現在のパネル温度を検出しても良い。
(C) Other Embodiments (C-1) Temperature Detection Method In the embodiment described above, the case where the panel temperature is detected using the temperature sensor has been described. However, it is possible to detect a change in the anode potential (strictly speaking, the voltage between the anode and the cathode of the organic EL element D) when the
この場合、有効表示領域の温度又はその近傍温度を直接測定することができ、温度ムラの抑制制御の実行・不実行の切り換え精度を高めることができる。
なお、測定用の定電流は画像内容とは無関係に定められた固定値であるため、有効表示領域内の画素11を用いて温度を測定する場合には、配置場所を工夫することが望ましい。
In this case, the temperature of the effective display region or the temperature in the vicinity thereof can be directly measured, and the switching accuracy between execution and non-execution of temperature unevenness suppression control can be improved.
In addition, since the constant current for measurement is a fixed value determined regardless of the image content, when measuring the temperature using the
例えば画面の周辺部分に配置することが望ましい。また、前述したように、画面内には表示内容に応じて温度ムラが発生し易い。従って、パネル全体を代表するパネル温度を検出する上では、できるだけ画面平均値で光っている画素の検出結果を使用する(例えば測定時以外は画面平均値で発光制御される画素の検出結果を使用する)か、画面内に分散的に配置された複数箇所の検出結果の平均値を使用することが望ましい。 For example, it is desirable to arrange in the peripheral part of the screen. Further, as described above, temperature unevenness is likely to occur in the screen according to the display contents. Therefore, when detecting the panel temperature that represents the entire panel, use the detection result of the pixel that shines with the screen average value as much as possible (for example, use the detection result of the pixel that is controlled to emit light with the screen average value except during measurement). It is desirable to use the average value of the detection results at a plurality of locations distributed in the screen.
(C−2)度数分布面積の設定例
前述の形態例の場合には、境界階調値を決定するための度数分布面積を1つだけ用意する場合について説明した。
しかし、パネル温度に応じて複数の度数分布面積を選択的に使用しても良い。
(C-2) Setting Example of Frequency Distribution Area In the case of the above-described embodiment, the case where only one frequency distribution area for determining the boundary gradation value is prepared has been described.
However, a plurality of frequency distribution areas may be selectively used according to the panel temperature.
図13に、パネル温度と度数分布面積との対応例を示す。図6で説明したように、パネル温度が低いほど温度ムラが大きくなり易い。従って、検出されたパネル温度が普通(常温)の場合には度数分布面積を15%に設定し、検出されたパネル温度が低い場合には度数分布面積を30%に設定するというように、パネル温度に応じて度数分布面積を切り換えても良い。 FIG. 13 shows a correspondence example between the panel temperature and the frequency distribution area. As described with reference to FIG. 6, the temperature unevenness tends to increase as the panel temperature decreases. Accordingly, when the detected panel temperature is normal (normal temperature), the frequency distribution area is set to 15%, and when the detected panel temperature is low, the frequency distribution area is set to 30%. The frequency distribution area may be switched according to the temperature.
なお、低温と普通とを判定するのに用いる基準温度には例えば10℃を使用する。勿論、基準温度を境に検出される境界階調値が大きく変化するので、実際の画質の変化やパネル特性等を考慮して最適な基準温度を用いることが望ましい。 In addition, 10 degreeC is used for the reference temperature used for judging low temperature and normal, for example. Of course, since the boundary gradation value detected at the reference temperature changes greatly, it is desirable to use the optimum reference temperature in consideration of actual image quality change and panel characteristics.
(C−3)基準電圧の制御例
前述した形態例の場合には、データ線ドライバ5が出力する信号電圧の白レベルを規定する基準電圧Vref_0 だけを可変制御する場合について説明した。
しかし、ガンマ補正用に用意される中間基準電圧と境界階調値との関係によっては、白レベルを規定する基準電圧Vref_0 以外の1又は複数の中間基準電圧Vref_1 、Vref_2 等についても境界階調値に対応する基準電圧Vref_H に切り替えても良い。
(C-3) Reference Voltage Control Example In the case of the above-described embodiment, the case where only the reference voltage Vref_0 that defines the white level of the signal voltage output from the
However, depending on the relationship between the intermediate reference voltage prepared for gamma correction and the boundary gradation value, one or more intermediate reference voltages Vref_1, Vref_2, etc. other than the reference voltage Vref_0 that defines the white level are also used for the boundary gradation value. It may be switched to the reference voltage Vref_H corresponding to.
(C−4)製品例
(a)ドライブIC
前述の説明では、画素アレイ部(有機ELパネル)と駆動回路(データ線ドライバ、走査線ドライバ、温度ムラ抑制部等)とが1つの基体上に形成された有機ELパネルモジュールについて説明した。
(C-4) Product example (a) Drive IC
In the above description, the organic EL panel module in which the pixel array unit (organic EL panel) and the drive circuit (data line driver, scanning line driver, temperature unevenness suppressing unit, etc.) are formed on one substrate has been described.
しかし、画素アレイ部と駆動回路部等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブIC(integrated circuit)として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。 However, the pixel array section and the drive circuit section can be manufactured separately and distributed as independent products. For example, the drive circuits may be manufactured as independent drive ICs (integrated circuits) and distributed independently from the pixel array unit.
(b)表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ELパネルモジュール1及び41は、図14に示す外観構成を有するパネルモジュール61の形態で流通することもできる。
パネルモジュール61は、支持基板65の表面に対向部63を貼り合わせた構造を有している。
(B) Display module The organic
The
対向部63は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
なお、パネルモジュール61には、外部から支持基板65に信号等を入出力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)67等が設けられていても良い。
The facing
The
(c)電子機器
前述した形態例における有機ELパネルモジュール1及び41は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図15に、電子機器71の概念構成例を示す。電子機器71は、前述した有機ELパネルモジュール73及びシステム制御部75で構成される。
(C) Electronic device The organic
FIG. 15 shows a conceptual configuration example of the
システム制御部75で実行される処理内容は、電子機器71の商品形態により異なる。
また、システム制御部75には、不図示の操作入力部が接続されており、システム制御部75は、ユーザーの操作結果に応じた処理を実行する。
The processing content executed by the
In addition, an operation input unit (not shown) is connected to the
なお、電子機器71は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器71には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図16に、テレビジョン受像機81の外観例を示す。
Note that the
As this type of
テレビジョン受像機81の筐体正面には、フロントパネル83及びフィルターガラス85等で構成される表示画面87が配置される。表示画面87の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1(41)に対応する。
A
また、この種の電子機器71には、例えばデジタルカメラが想定される。図17に、デジタルカメラ91の外観例を示す。図17(A)が正面側(被写体側)の外観例であり、図17(B)が背面側(撮影者側)の外観例である。
Further, for example, a digital camera is assumed as this type of
デジタルカメラ91は、保護カバー93、撮像レンズ部95、表示画面97、コントロールスイッチ99及びシャッターボタン101で構成される。このうち、表示画面97の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1(41)に対応する。
The
また、この種の電子機器71には、例えばビデオカメラが想定される。図18に、ビデオカメラ111の外観例を示す。
ビデオカメラ111は、本体113の前方に被写体を撮像する撮像レンズ115、撮影のスタート/ストップスイッチ117及び表示画面119で構成される。このうち、表示画面119の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1(41)に対応する。
For example, a video camera is assumed as this type of
The
また、この種の電子機器71には、例えば携帯端末装置が想定される。図19に、携帯端末装置としての携帯電話機121の外観例を示す。図19に示す携帯電話機121は折りたたみ式であり、図19(A)が筐体を開いた状態の外観例であり、図19(B)が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
In addition, as this type of
携帯電話機121は、上側筐体123、下側筐体125、連結部(この例ではヒンジ部)127、表示画面129、補助表示画面131、ピクチャーライト133及び撮像レンズ135で構成される。このうち、表示画面129及び補助表示画面131の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1(41)に対応する。
The
また、この種の電子機器71には、例えばコンピュータが想定される。図20に、ノート型コンピュータ141の外観例を示す。
ノート型コンピュータ141は、下型筐体143、上側筐体145、キーボード147及び表示画面149で構成される。このうち、表示画面149の部分が、形態例で説明した有機ELパネルモジュール1(41)に対応する。
Further, for example, a computer is assumed as this type of
The
これらの他、電子機器71には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
In addition to these, the
(C−5)他の画素回路例
前述した形態例では、電流駆動トランジスタT2がNチャネル型の電界効果トランジスタの場合について説明した。
しかし、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタで構成される場合にも適用できる。
(C-5) Other Pixel Circuit Examples In the above-described embodiments, the case where the current driving transistor T2 is an N-channel field effect transistor has been described.
However, the present invention can also be applied to the case where the current driving transistor T2 is configured by a P-channel field effect transistor.
図21に、電流駆動トランジスタT2がPチャネル型の電界効果トランジスタの場合の画素回路例を示す。なお、図21は、図2との対応部分に同一符号を付して表している。
この画素回路の場合、電荷保持容量Cは、電源電位VSSと電流駆動トランジスタT2のゲート電極間に画素データに相当する電圧Vdataを保持するように接続される。
FIG. 21 shows an example of a pixel circuit when the current driving transistor T2 is a P-channel field effect transistor. In FIG. 21, the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG. 2.
In the case of this pixel circuit, the charge holding capacitor C is connected to hold the voltage Vdata corresponding to the pixel data between the power supply potential VSS and the gate electrode of the current driving transistor T2.
(C−6)他の表示デバイス例
形態例の説明においては、発明に係る温度ムラ抑制機能を、有機ELパネルモジュールに搭載する場合について説明した。
しかし、発明に係る温度ムラ抑制機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。
(C-6) Other Display Device Examples In the description of the embodiment examples, the case where the temperature unevenness suppressing function according to the invention is mounted on the organic EL panel module has been described.
However, the temperature unevenness suppressing function according to the invention can also be applied to other self-luminous display devices.
例えば無機ELディスプレイ装置、LEDを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
なお、前述した形態例の場合には、アクティブマトリクス駆動方式を採用したがパッシブマトリクス駆動方式の場合にも適用できる。
For example, the present invention can be applied to an inorganic EL display device, a display device in which LEDs are arranged, and other display devices in which light emitting elements having a diode structure are arranged on a screen.
In the case of the embodiment described above, the active matrix driving method is adopted, but the present invention can also be applied to the passive matrix driving method.
(C−7)制御デバイスの他の実現方法
前述の説明では、温度ムラ抑制機能を主にソフトウェア処理により実現する場合について説明した。
しかし、コントラスト制御機能の一部は、特定用途向けICその他のハードウェアデバイスにより実現しても良い。
(C-7) Other Implementation Method of Control Device In the above description, the case where the temperature unevenness suppressing function is implemented mainly by software processing has been described.
However, a part of the contrast control function may be realized by an application specific IC or other hardware device.
(C−8)その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
(C-8) Others Various modifications can be considered for the above-described embodiments within the scope of the gist of the invention. Various modifications and applications created or combined based on the description of the present specification are also conceivable.
1 有機ELパネルモジュール
3 有機ELパネル
9 温度ムラ抑制部
21 度数分布検出部
23 パネル温度検出部
25 輝度レベル制御部
31 境界階調値検出部
33 基準電圧発生部
41 有機ELパネルモジュール
45 温度ムラ抑制部
51 境界階調値検出部
53 階調変換部
DESCRIPTION OF
Claims (6)
1フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と
を有することを特徴とする温度ムラ抑制装置。 A temperature unevenness suppressing device for suppressing temperature unevenness on the surface of a self-luminous display panel,
A frequency distribution detector that detects a frequency distribution of pixel data in units of one frame;
A panel temperature detector for detecting the temperature of the self-luminous display panel;
When the detected temperature is equal to or lower than the reference temperature, the position of the boundary gradation value where the frequency distribution area on the maximum gradation value side exceeds the reference value is obtained based on the frequency distribution, and all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value are obtained. And a luminance level control unit for limiting the luminance level to a luminance level corresponding to the boundary gradation value or less.
前記輝度レベル制御部は、
データ線ドライバに印加する最大階調値側の1つ又は複数の基準電圧を、検出された前記境界階調値に応じた電圧に制御する
ことを特徴とする温度ムラ抑制装置。 In the temperature nonuniformity suppression apparatus of Claim 1,
The brightness level control unit
One or more reference voltages on the maximum gradation value side to be applied to the data line driver are controlled to voltages corresponding to the detected boundary gradation values.
前記輝度レベル制御部は、
前記境界階調値より大きい階調値を有する画素データだけを前記境界階調値に変換する
ことを特徴とする温度ムラ抑制装置。 In the temperature nonuniformity suppression apparatus of Claim 1,
The brightness level control unit
Only the pixel data having a gradation value larger than the boundary gradation value is converted into the boundary gradation value.
1フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と
を有することを特徴とする自発光表示装置。 A self-luminous display panel;
A frequency distribution detector that detects a frequency distribution of pixel data in units of one frame;
A panel temperature detector for detecting the temperature of the self-luminous display panel;
When the detected temperature is equal to or lower than the reference temperature, the position of the boundary gradation value where the frequency distribution area on the maximum gradation value side exceeds the reference value is obtained based on the frequency distribution, and all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value are obtained. A self-luminous display device, comprising: a luminance level control unit that restricts the luminance level to a luminance level corresponding to the boundary gradation value or less.
1フレーム単位で画素データの度数分布を検出する度数分布検出部と、
自発光型表示パネルの温度を検出するパネル温度検出部と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する輝度レベル制御部と、
システム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。 A self-luminous display panel;
A frequency distribution detector that detects a frequency distribution of pixel data in units of one frame;
A panel temperature detector for detecting the temperature of the self-luminous display panel;
When the detected temperature is equal to or lower than the reference temperature, the position of the boundary gradation value where the frequency distribution area on the maximum gradation value side exceeds the reference value is obtained based on the frequency distribution, and all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value are obtained. A luminance level control unit that restricts the luminance level of the luminance level to be equal to or lower than the luminance level corresponding to the boundary gradation value;
A system controller;
An electronic device comprising: an operation input unit for the system control unit.
1フレーム単位で画素データの度数分布を検出する処理と、
自発光型表示パネルの温度を検出する処理と、
検出温度が基準温度以下の場合、最大階調値側の度数分布面積が基準値を越える境界階調値の位置を前記度数分布に基づいて求め、当該境界階調値以上の全ての階調値の輝度レベルを前記境界階調値に対応する輝度レベル以下に制限する処理と
を有することを特徴とする温度ムラ抑制方法。 In the temperature unevenness suppressing method for suppressing temperature unevenness on the surface of the self-luminous display panel,
Processing for detecting the frequency distribution of pixel data in units of one frame;
A process for detecting the temperature of the self-luminous display panel;
When the detected temperature is equal to or lower than the reference temperature, the position of the boundary gradation value where the frequency distribution area on the maximum gradation value side exceeds the reference value is obtained based on the frequency distribution, and all gradation values equal to or higher than the boundary gradation value are obtained. And a process of limiting the luminance level to a luminance level corresponding to the boundary gradation value or less.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007139771A JP2008292868A (en) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007139771A JP2008292868A (en) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008292868A true JP2008292868A (en) | 2008-12-04 |
Family
ID=40167617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007139771A Pending JP2008292868A (en) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008292868A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014142621A (en) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
KR20150073545A (en) * | 2013-12-23 | 2015-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of driving the same |
JP2015159141A (en) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | Organic electroluminescent device, semiconductor device, and electronic apparatus |
-
2007
- 2007-05-25 JP JP2007139771A patent/JP2008292868A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014142621A (en) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
KR20150073545A (en) * | 2013-12-23 | 2015-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of driving the same |
JP2015159141A (en) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | Organic electroluminescent device, semiconductor device, and electronic apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10515593B2 (en) | Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line | |
JP6959352B2 (en) | Organic light emitting diode display with external compensation and anode reset | |
US7986098B2 (en) | Cathode potential control device, self-luminous display device, electronic equipment and cathode potential control method | |
US7864172B2 (en) | Cathode potential controller, self light emission display device, electronic apparatus, and cathode potential controlling method | |
JP4952972B2 (en) | Self-luminous display device, light emission condition optimization device, light emission condition optimization method and program | |
US20100149167A1 (en) | Emissive type display device, semiconductor device, electronic device, and power supply line driving method | |
US8154566B2 (en) | Active-matrix display apparatus driving method of the same and electronic instruments | |
JP2008158401A (en) | Peak brightness level controlling device, self-luminous display device, electronic equipment, peak brightness level controlling method, and computer program | |
JP2008181008A (en) | Temperature detecting device, electroluminescence panel, electroluminescence display device, electronic equipment, temperature detection method, and computer program | |
US11450265B2 (en) | Display device and driving method of the same | |
JP2008181005A (en) | Luminance characteristic correction device, electroluminescence display device, electronic equipment, luminance characteristic correction method, and computer program | |
JP2008292868A (en) | Temperature variation suppression device, self-luminous display device, electronic equipment and temperature variation suppression method | |
TWI399723B (en) | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus | |
JP2008181006A (en) | Temperature detecting device, electroluminescence panel, electroluminescence display device, electronic equipment, temperature detection method, and computer program | |
JP2008009281A (en) | Display device of active matrix type and information processor using the same | |
JP2008292866A (en) | Cathode potential control device, self-luminous display device, electronic equipment and cathode potential control method | |
JP2008181007A (en) | Temperature detecting device, electroluminescence panel, electroluminescence display device, electronic equipment, temperature detection method, and computer program | |
JP2010060975A (en) | Semiconductor integrated circuit, light-emitting display panel module, electronic device and power wire driving method | |
JP2008292867A (en) | Contrast control device, self-luminous display device, electronic equipment and contrast control method | |
JP2008152179A (en) | Display device drive circuit, display device, electronic equipment, display device driving method, and computer program | |
JP2008203796A (en) | Life elongation device, el display device, electronic equipment, life elongating method, and computer program | |
JP2008292546A (en) | Cathode potential control device, self-luminous display device, electronic equipment and cathode potential control method | |
JP2010048985A (en) | Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic equipment, and driving method for power supply line | |
JP2011053438A (en) | Semiconductor integrated circuit, light-emitting display panel module, electronic device and power wire driving method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081225 |