JP2008289031A - 縦結合二重モードsawフィルタ - Google Patents

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Abstract

【課題】高域側のダレ特性を改善する。
【解決手段】圧電基板2の主面上に表面波の伝搬方向に沿って3つの正規型IDT3、IDT4及びIDT5を0.5λのピッチで近接配置し、これらIDTの両側に反射器6、7を配設したものである。IDT3、4、5はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、IDT3の一方のくし形電極は入力端子に接続し、他方のくし形電極は接地する。そして、IDT4とIDT5の一方のくし形電極は互いに連結して出力端子に接続し、IDT4とIDT5の他方のくし形電極は互いに接続して接地する。さらにIDT3とIDT4との間、及びIDT3とIDT5との間にSAWの特性を反転する反射反転型の電極構造を有する反射反転ミドルグレーティング8、9を配置するようにした。
【選択図】図1

Description

本発明は、広帯域低損失で高域側の阻止域減衰量の大きな縦結合二重モードSAWフィルタに関するものである。
従来より高周波領域において使用する広帯域低損失フィルタとして、1次−3次縦結合二重モードSAWフィルタ(以下、単に「二重モードSAWフィルタ」と称す)が知られている。
図5は、従来の二重モードSAWフィルタの説明図であり、(a)は従来の二重モードSAWフィルタの電極パターンの一例を示す平面図、(b)は、その周波数特性のシミュレーション結果を示した図である。
図5(a)に示す二重モードSAWフィルタは、圧電基板101の主面上に表面波の伝搬方向に沿って3つの正規型IDT102、IDT103及びIDT104の隣接する電極指間の中心距離が0.5λのピッチとなるように近接配置し、これらIDTの両側に反射器105、106を配設したものである。IDT102、103、104はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、IDT102の一方のくし形電極は入力端子に接続し、他方のくし形電極は接地する。そして、IDT103とIDT104の一方のくし形電極は互いに連結して出力端子に接続し、IDT103とIDT104の他方のくし形電極は接地する。なお、λはIDTによって励起される表面波の波長であり、この波長λはIDTの連続する任意の同一極性の電極指の中央から中央までに相当する。
図5(a)に示す二重モードSAWフィルタの動作は、周知のようにIDT102、103、104によって励起される複数の表面波が反射器105、106の間に閉じ込められ、IDT102、103、104の間で音響結合を生ずる結果、1次と3次の2の縦共振モードが強勢に励振され、これらの2つのモードを利用した二重モードSAWフィルタとして動作する。なお、二重モードSAWフィルタの通過帯域は、1次共振モードと3次共振モードとの周波数差に比例することは周知のことである。また、二重モードSAWフィルタを圧電基板上に複数個併置し、それらを縦続接続してフィルタの減衰傾度及び保証減衰量を改善することは周知の手段である。
図5(b)は、上記した二重モードSAWフィルタの周波数特性のシミュレーション結果を示した図であり、ここでは圧電基板101を36°YカットX伝搬のLiTaO3とした。また電極材料をAl合金、電極膜厚を5%λ、IDT102を21.5対、IDT103、104を各15.5対、反射器105、106を28対、反射器のピッチに対するIDTのピッチ比LT/LRを0.987とし、中心周波数は315MHzとした。また入出力IDT間の隣接電極指の中心間距離は0.5λ(以下、これを正規配置と呼ぶ場合がある)である。
しかしながら、図5(a)に示したような正規型IDT電極パターンを用いて二重モードSAWフィルタを実現しようとすると、図5(b)に示したフィルタ特性からも明らかなように、通過域近傍の高域側の減衰傾度が、低域側の減衰傾度のように一様に増加せず、減衰量が一度劣化してから増加する特性、即ちダレ特性を呈する。
近年、周波数有効利用の必要性からチャネル間隔の挟帯域化の要請があり、使用するフィルタに対しても低損失、高減衰量が要求され、従来の通過帯域近傍の高域側に生ずる所謂ダレ特性のある二重モードSAWフィルタでは、その要求に応えることができないという問題点があった。
そこで、このような問題を解決できる二重モードSAWフィルタとして図6に示すようなものが提案されている。
図6は従来の広帯域化が可能な二重モードSAWフィルタの説明図であり、(a)はその電極パターンの一例を示す平面図、(b)は、その周波数特性のシミュレーション結果を示した図である。なお、図5(a)と同一部位には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図6(a)に示す二重モードSAWフィルタは、図6(b)に示したフィルタ特性と図5(b)に示したフィルタ特性を比較すれば明らかなように、通過域近傍の高域側のダレ特性が改善されていることが容易にわかる。
また、この図6(a)に示す二重モードSAWフィルタは、広帯域化を図るために図5(a)においては0.5λのピッチで近接配置されていた3つのIDT102、IDT103及びIDT104を、隣接する電極指間の中心距離が0.25λのピッチで最も近接配置している。このように構成した場合は、基本次モードと高次モードの周波数差が最大になる。すなわち、一方のIDTから他方のIDTを見た場合に一方のIDTから励振された表面波は他方のIDTに入射する場合、正規配置に対してλ/4ずれることになる。
この場合、図6(b)と図5(b)に示すシミュレーション結果と比較すれば明らかなように、図5(b)に示した二重モードSAWフィルタでは約4.0MHzであった帯域幅BWを、図6(b)に示すように約11.8MHzまで拡大することができる。また通過域近傍の高域側の減衰傾度も大幅に改善することができる。
なお、広帯域低損失で高域側の阻止域減衰量の大きな縦結合二重モードSAWフィルタの先行文献としては特許文献1、2等がある。
特許文献1には、圧電基板上に第1の電極指、第2の電極指、及び第3の電極指を配置し、第1の電極指と第3の電極指を同相とし、第2の電極指を逆相とすると共に、第1の電極指と第3の電極指の幅員を等しくし、第1の電極指と第2の電極指の間隙と第2の電極指と第3の電極指の間隙を等しくした反射反転型弾性表面波変換器の発明が開示されている。また、特許文献2には、圧電基板上に3個のIDTをSAWの伝搬方向に沿って配置し、その両側に反射器を設け、励振したSAWの振動エネルギーを3個のIDT内にほぼ閉じ込めるとともに、これら各振動のIDT間における音響結合によって発生する1次および3次の振動モードを利用する二重モードフィルタにおいて、各IDTが互いに対面する最内側電極指の中心間の間隔を(2n+1)λ/4として空間を設け、この空間にn本(ただし、n=1、2、3・・・)のグレーティングを等間隔に配置した縦結合二重モードSAWフィルタの発明が開示されている。
特許第3266846号 特許第3419949号
しかしながら、上記図6(a)に示した縦結合二重モードSAWフィルタは、IDT間の距離を0.25λずらしているため、図5(a)に示したIDTが正規配置のSAWフィルタに比べてQ値が悪化するという欠点がある。また、電極指の配列周期が不連続となる部分には定在波の波動エネルギーが集中しやすく、特に図6(b)のように不連続部が電極指1本のみで構成されている場合は、その電極指付近に局所的に波動エネルギーが集中しやすい。このような電極指配列を採用したIDTで高電力動作を行った場合、0.25λずらした部分(不連続部)にエネルギーが集中して電極が破壊されるおそれがある。さらに、通過帯域近傍の高域側に生ずるダレ特性についてもより一層の改善が求められていた。
また、図6(a)に示した縦結合二重モードSAWフィルタは、帯域幅を変更する場合にIDT間の距離を変更しなければならず回路設計が複雑になるという欠点があった。
また、特許文献1にはIDT電極を反射反転構造にした弾性表面波変換器が開示されているが、グレーティングを反射反転構造にすることは何ら開示されていない。
本発明は上記したような点を鑑みてなされたものであり、IDTを正規に配置した場合でも高域側のダレ特性を改善した縦結合二重モードSAWフィルタを提供する。またIDT間の距離を変更することなく帯域幅を変更可能な縦結合二重モードSAWフィルタを提供する。
上記目的を達成するため、本発明の縦結合二重モードSAWフィルタは、圧電基板と、圧電基板上にSAWの伝搬方向に沿って配置される複数のIDTと、IDTの両側に配置される反射器と、複数のIDT間に配置される反射反転ミドルグレーティングと、を備えるようにした。
このような本発明によれば、通過帯域近傍の高域側に生ずるダレ特性を改善することができる。特に、従来の広帯域化を図るためにIDT間を0.25λずらして最も近接配置した場合と比較しても、通過域近傍の高域側のダレ特性を2〜3dB改善することができる。また、IDT間を正規配置(0.5λ)できるので、Q値劣化の抑止を可能とし、エネルギーの集中による電極破壊の虞が低減される。
また本発明によれば、反射反転ミドルグレーティングの対数を変更するだけで、帯域幅を容易に変更することができるので設計が容易になる。
また、本発明の縦結合二重モードSAWフィルタは、反射反転ミドルグレーティングは、第1の幅員を有する第1の電極指と、該第1の電極指とは第1の間隙をおいて配置される第2の幅員を有する第2の電極指と、該第2の電極指とは第2の間隙をおいて配置される第3の幅員を有する第3の電極指と、前記第1の電極指と前記第3の電極指の両側にそれぞれ配置したスペースとからなる単位区間を1又は複数区間繰り返して構成し、前記第1の電極指の第1の幅員と前記第3の電極指の第3の幅員とを同一幅とし、前記第1の間隙と前記第2の間隙とを同一幅とした。
本発明の反射反転ミドルグレーティングを複数のIDT間に配置すれば、通過帯域近傍の高域側に生ずるダレ特性を改善することができる。特に、従来の広帯域化を図るためにIDT間を0.25λずらして最も近接配置した場合と比較しても、通過域近傍の高域側のダレ特性を2〜3dB改善することができる。また、IDT間を正規配置(0.5λ)できるので、Q値の悪化やエネルギーの集中による電極破壊の虞が低減される。さらに、反射反転ミドルグレーティングの対数を変更するだけで、帯域幅を容易に可変することができる。
また本発明の縦結合二重モードSAWフィルタは、IDTはSAWの伝搬方向に沿って3つのIDTを配置した一次−三次型のIDTである。
一次−三次型のIDT間に反射反転ミドルグレーティングを配置すれば、通過帯域近傍の高域側に生ずるダレ特性を改善することができる。特に、従来の広帯域化を図るためにIDT間を0.25λずらして最も近接配置した場合と比較しても、通過域近傍の高域側のダレ特性を2〜3dB改善することができる。また、IDT間を正規配置(nλ/2)できるので、Q値の悪化やエネルギーの集中による電極破壊の虞が低減される。さらに、反射反転ミドルグレーティングの対数を変更するだけで、帯域幅を容易に可変することができる。
また本発明の縦結合二重モードSAWフィルタは、反射反転ミドルグレーティングが接地されている。このように構成すれば、SAWフィルタのシールド効果を高めることができる。
また本発明の縦結合二重モードSAWフィルタは、反射反転ミドルグレーティングの対数が5〜7対であることを特徴とする。このように構成すれば、従来よりも広帯域な特性が得られる。
以下、図面を参照しながら本発明の縦結合二重モードSAWフィルタの実施の形態について説明する。
図1は、本実施形態の二重モードSAWフィルタの電極パターンの一例を示す平面図である。図1に示す本実施形態の二重モードSAWフィルタ1は、圧電基板2の主面上に表面波の伝搬方向に沿って3つの正規型IDT3、IDT4及びIDT5を0.5λのピッチで近接配置し、これらIDTの両側に反射器6、7を配設したものである。IDT3、4、5はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、IDT3の一方のくし形電極は入力端子に接続し、他方のくし形電極は接地する。そして、IDT4とIDT5の一方のくし形電極は互いに連結して出力端子に接続し、IDT4とIDT5の他方のくし形電極は互いに接続して接地する。
さらに本実施形態では、IDT3とIDT4との間、及びIDT3とIDT5との間にSAWの特性を反転する反射反転型の電極構造を有する反射反転ミドルグレーティング(以下、単に「ミドルグレーティング」と称する)8、9を配置するようにした。この場合、ミドルグレーティング8、9は接地されている。なお、反射反転型電極の原理については特許文献1に開示されているので本明細書では説明は省略する。
図2は、ミドルグレーティングの構造を示した図である。
図2に示すように、本実施形態のミドルグレーティングは、第1の幅員を有する第1の電極指11と、この第1の電極指11とは第1の間隙をおいて配置され、第2の幅員を有する第2の電極指12と、この第2の電極指12とは第2の間隙をおいて配置され、第3の幅員を有する第3の電極指13と、第1の電極指11と第3の電極指13の両側にそれぞれ配置したスペースSとにより単位区間(1λ)を複数区間繰り返すことにより構成されている。この場合、第1の電極指11の第1の幅員W1と第3の電極指13の第3の幅員W1とを同一にし、第1の間隙G1と第2の間隙G1とを同一にした。さらに、第1電極指11と第3電極指13の夫々両側のスペースSをG2/2とした。なお、本実施形態では基本区間を1λとしているが、広帯域化が可能であれば、例えば基本区間を1λより僅かにずらして(例えば0.99λ)に設定しても良い。
なお、本実施形態のミドルグレーティングは、単位区間を複数区間繰り返すことにより構成するようにしているが、これはあくまでも一例であり、単位区間が一区間だけでも構成可能である。
このように構成される本実施形態の二重モードSAWフィルタでは、入出力IDT3、4及び3、5間の距離は正規配置(nλ/2、nは自然数)のままであるが、入出力IDT間にミドルグレーティング8、9を夫々配置したことで、ミドルグレーティング8、9上のSAWの反射は位相をλ/4ずらすようにした。つまり、図6(a)に示した従来の二重モードSAWフィルタでは、IDT間の距離を変えることで広帯域化を図っているが、本実施の形態ではIDT間にミドルグレーティング8、9を配置したことで広帯域化を図るようにしたものである。これにより、入出力IDT間の距離を0.25λずらすことなく、二重モードSAWフィルタの広帯域化を図るようにしている。この場合は、IDT間の距離は正規配置のままなのでQ値の悪化やエネルギーの集中による電極破壊等の虞が低減される。
図3は、本実施形態の二重モードSAWフィルタの周波数特性のシミュレーション結果を示した図である。ここでは、圧電基板2を36°YカットX伝搬のLiTaO3とした。また電極材料をAl合金、電極膜厚を5%λ、IDT3を21.5対、IDT4、5を各15.5対、反射器6、7を28対、反射器6、7のピッチに対するIDTのピッチ比LT/LRを0.987とし、中心周波数は315MHzとした。また入出力IDT間距離を8.5λ、ミドルグレーティング8、9の対数を8対(8λ)とした。
図3に示す本実施形態の二重モードSAWフィルタの周波数特性と、図6(b)に示す従来の二重モードSAWフィルタを比較した場合、図6(b)に示す従来の二重モードSAWフィルタでは、帯域外の高域側(330MHz付近)の減衰量が約12dBに対して、本実施形態の二重モードSAWフィルタでは帯域外の高域側(330MHz付近)の減衰量は約14dBとなり減衰量を約2〜3dB程度改善できることがわかった。つまり、図6(a)に示した従来の二重モードSAWフィルタよりダレ特性を2〜3dB改善できることがわかった。
図4は、ミドルグレーティング対数と帯域幅の関係を示した図であり、この図4に示すように本実施形態の二重モードSAWフィルタでは、入出力IDT間にそれぞれ配置したミドルグレーティング8、9の対数を変えることでフィルタの帯域幅を可変できることがわかった。つまり、入出力IDT間の距離は正規配置(nλ/2)のままで帯域幅を変化させることができることがわかった。従って、帯域幅を変化させるために、入出力IDT間の距離が2/λの非整数倍に設定する必要がないので、IDTの電極配置を容易に行うことが可能になる。
また図4に示すように、本実施形態の二重モードSAWフィルタでは、ミドルグレーティングが5〜7対の場合に、従来の図6(b)よりも広帯域な特性が得られることがわかった。
なお、図4において、ミドルグレーティングの対数が0対の所に■によりプロットされている帯域幅約11.5MHzのデータは、図6(b)に示した従来の二重モードSAWフィルタのデータを示している。
なお、本実施形態の二重モードSAWフィルタ1では、3つのIDTをSAWの伝搬方向に沿って配置するようにしているが、これはあくまでも一例であり、少なくとも2つのIDTを縦結合した縦結合型二重モードSAWフィルタであれば適用可能である。
また、本実施形態の二重モードSAWフィルタ1では、ミドルグレーティング8、9を接地する場合を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であり、ミドルグレーティング8、9は必ずしも接地する必要はない。
また本実施形態では、IDTを構成するくし形電極の一方を接地した、所謂不平衡型としたが、本発明は平衡型の場合でも適用可能である。
また、本実施形態では、圧電基板として36°YカットX伝搬LiTaO3を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であり、他のカット角の回転YカットX伝搬LiTaO3や128°YカットX伝搬LiNbO3、64°YカットX伝搬LiNbO3などでも良い。また圧電基板の材料としては水晶でもLi247を用いるようにしても良い。
本実施形態の二重モードSAWフィルタの電極パターンの一例を示す平面図。 反射反転電極の構造を示した図。 図1に示した二重モードSAWフィルタの周波数特性のシミュレーション結果を示した図。 本実施形態のミドルグレーティング対数と帯域幅の関係を示した図。 (a)は従来の二重モードSAWフィルタの電極パターンの一例を示す平面図、(b)はその周波数特性のシミュレーション結果を示した図。 (a)は従来の二重モードSAWフィルタの他の電極パターンの一例を示す平面図、(b)はその周波数特性のシミュレーション結果を示した図。
符号の説明
1…二重モードSAWフィルタ、2…圧電基板、3、4、5…IDT、6、7…反射器、8…ミドルグレーティング、11、12、13…電極指

Claims (5)

  1. 圧電基板と、前記圧電基板上にSAWの伝搬方向に沿って配置される複数のIDTと、前記IDTの両側に配置される反射器と、前記複数のIDT間に配置される反射反転ミドルグレーティングと、を備えたことを特徴とする縦結合二重モードSAWフィルタ。
  2. 前記反射反転ミドルグレーティングは、
    第1の幅員を有する第1の電極指と、該第1の電極指とは第1の間隙をおいて配置される第2の幅員を有する第2の電極指と、該第2の電極指とは第2の間隙をおいて配置される第3の幅員を有する第3の電極指と、前記第1の電極指と前記第3の電極指の両側にそれぞれ配置したスペースとからなる単位区間を1又は複数区間繰り返して構成し、前記第1の電極指の第1の幅員と前記第3の電極指の第3の幅員とを同一幅とし、前記第1の間隙と前記第2の間隙とを同一幅としたことを特徴とする請求項1に記載の縦結合二重モードSAWフィルタ。
  3. 前記IDTはSAWの伝搬方向に沿って3つのIDTを配置した一次−三次型のIDTであることを特徴とする請求項1又は2に記載の縦結合二重モードSAWフィルタ。
  4. 前記反射反転ミドルグレーティングが接地されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の縦結合二重モードSAWフィルタ。
  5. 前記反射反転ミドルグレーティングは対数が5〜7対であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の縦結合二重モードSAWフィルタ。
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