JP2008282780A - Gas permutation device and gas permutation method - Google Patents

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Yoshihiro Shirakawa
義広 白川
Noriyuki Yokota
典之 横田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas permutation device and a gas permutation method capable of removing moisture surely in a short time even in a large size treatment room. <P>SOLUTION: In a space which can be shielded from the outside, the treatment room 1 to manufacture a substrate for an organic EL is provided. There are provided a gas permutation device 2 to permutate gas in the treatment room 1 by N<SB>2</SB>gas, a circulation refining device 3 to reduce a moisture concentration in the treatment room 1, and a temperature adjusting device 4 to lower a temperature in the treatment room 1 after raising it to a prescribed temperature in order to promote the reduction of the moisture concentration by the circulation refining device 3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、処理室内の気体を置換する気体置換装置に係り、特に、水分を嫌う被処理物を処理するための気体置換装置及び気体置換方法に関する。   The present invention relates to, for example, a gas replacement device that replaces a gas in a processing chamber, and more particularly, to a gas replacement device and a gas replacement method for processing an object to be treated that dislikes moisture.

有機ＥＬなどの製造工程では、被処理物が水分を含んでいると、製品寿命が低下する。このため、処理ラインが外気に曝され、水分が付着することが無いようにする必要がある。そこで、処理ラインそのものを、外気から隔離されたチャンバ構成とし、設置初期やメンテナンス後に、チャンバ内の空間をＮ２ガス等に置換することが行われている。 In a manufacturing process such as organic EL, if the object to be processed contains moisture, the product life is reduced. For this reason, it is necessary to prevent the processing line from being exposed to the outside air and adhering to moisture. Therefore, the processing line itself is configured as a chamber isolated from the outside air, and the space in the chamber is replaced with N 2 gas or the like at the initial stage of installation or after maintenance.

さらに、このガス置換の際には、チャンバ内の水分濃度を下げるため、循環精製装置が使用されている。この循環精製装置は、チャンバ内の気体を、モリキュラシーブ等の吸着剤に接触させ、水分を吸着させることにより、チャンバ内の除湿を行う装置である。   Further, a circulating purification apparatus is used to lower the moisture concentration in the chamber during the gas replacement. This circulation purification device is a device that performs dehumidification in the chamber by bringing the gas in the chamber into contact with an adsorbent such as a molecular sieve to adsorb moisture.

このような循環精製による水分濃度低下技術として、特許文献１に示すものが提案されている。これは、基板表面のプラズマ処理、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、陰極及び保護層の蒸着等を、順次、独立の作業用真空室内で行う装置である。そして、この特許文献１には、室内を低水分量とするために、環境ガスを循環精製させる装置を別途設置し、循環運転する方法が開示されている（段落００５２参照）。
特開平１０−２１４６８２号公報 As a technique for reducing the water concentration by such circulation purification, a technique shown in Patent Document 1 has been proposed. This is a device that sequentially performs plasma treatment of the substrate surface, and further, vapor deposition of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, a cathode, and a protective layer in an independent working vacuum chamber. And in this patent document 1, in order to make room | chamber interior into a low moisture content, the apparatus which circulates and refines environmental gas separately is installed, and the method of carrying out circulation operation is disclosed (refer paragraph 0052).
JP-A-10-214682

ところで、上記のようなチャンバ内のガス置換と水分除去は、一般的には、真空引きしてからＮ２（若しくはドライエアー）等を供給し、その際に、循環精製装置を使用することにより行われる。 By the way, the above-described gas replacement and moisture removal in the chamber are generally performed by supplying N 2 (or dry air) after evacuation and using a circulating purification apparatus. Done.

しかし、チャンバの中には、内部空間が全長１０ｍ以上となるような巨大なものが存在する。かかるチャンバ内は、真空引きができないため、Ｎ２を流入させることで、内部の気体をパージした後で、循環精製装置を使用することになる。 However, there are huge chambers whose internal space has a total length of 10 m or more. Since the inside of the chamber cannot be evacuated, the circulating purifier is used after purging the internal gas by introducing N 2 .

かかる場合には、真空にできないチャンバ内の内壁や内容物の表面に付着した水分を除去するのに時間がかかる。結局、チャンバ内の水分濃度はなかなか低下せず、数日かかる場合もある。このようにガス置換及び水分除去に非常に長い時間がかかると、設置後若しくはメンテナンス後に、処理を開始できるまでの時間が長期化し、生産性が著しく低下することになる。   In such a case, it takes time to remove moisture adhering to the inner wall of the chamber and the surface of the contents that cannot be evacuated. Eventually, the moisture concentration in the chamber does not decrease easily and may take several days. Thus, if gas replacement and moisture removal take a very long time, the time until the treatment can be started after installation or maintenance is prolonged, and the productivity is remarkably lowered.

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、大型の処理室であっても、短時間で確実に水分を除去することが可能な気体置換装置及び気体置換方法を提供することにある。   The present invention has been proposed to solve the above-described problems of the prior art, and its purpose is to reliably remove moisture in a short time even in a large processing chamber. An object of the present invention is to provide a gas replacement device and a gas replacement method.

上記のような目的を達成するため、請求項１の気体置換装置は、外部から遮蔽可能な空間を有する処理室内の気体を、処理対象に適した気体に置換する置換手段と、前記処理室内の水分濃度を低下させる水分除去手段と、前記水分除去手段による水分濃度の低下を促進するように、前記処理室内の温度を上昇させた後に低下させる温度調整手段と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a gas replacement device according to claim 1 is configured to replace a gas in a processing chamber having a space that can be shielded from the outside with a gas suitable for a processing target; It is characterized by comprising a water removing means for reducing the water concentration, and a temperature adjusting means for reducing the water concentration after the temperature in the processing chamber is raised so as to promote the reduction of the water concentration by the water removing means.

請求項５の気体置換方法は、置換手段が、外部から遮蔽可能な空間を有する処理室内の気体を、処理対象に適した気体に置換し、水分除去手段が、前記処理室内の水分濃度を低下させるとともに、温度調整手段が、水分濃度の低下を促進するように、前記処理室内の温度を上昇させた後に低下させることを特徴とする。   The gas replacement method according to claim 5, wherein the replacement unit replaces the gas in the processing chamber having a space that can be shielded from the outside with a gas suitable for the processing target, and the water removal unit decreases the water concentration in the processing chamber. And the temperature adjusting means lowers the temperature in the processing chamber after increasing the temperature so as to promote a decrease in moisture concentration.

以上のような請求項１及び５の発明では、気体の置換時に、処理室内の温度を上げることにより、処理室内壁等に存在する水分の気化が促進される。このため、気体の置換とともに、水分の除去が早期に進行し、短時間で水分濃度を低下させることができる。そして、処理室内の温度を下げることにより、残留水分は処理室内壁に素早く吸着され、常温では出にくくなる。   In the inventions according to claims 1 and 5 as described above, the vaporization of moisture existing in the processing chamber wall or the like is promoted by increasing the temperature in the processing chamber at the time of gas replacement. For this reason, with the replacement of the gas, the removal of moisture proceeds at an early stage, and the moisture concentration can be reduced in a short time. Then, by lowering the temperature in the processing chamber, the residual moisture is quickly adsorbed on the processing chamber wall and is less likely to come out at room temperature.

請求項２の発明は、請求項１の気体置換装置において、前記温度調整手段は、処理室内の気体を循環させる循環手段と、前記循環手段によって循環される気体を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする。
以上のような請求項２の発明では、処理室の内部の気体を循環させながら加熱するので、広い処理室であっても、その内部を均一に加熱することができ、水分除去も確実となる。 According to a second aspect of the present invention, in the gas replacement device of the first aspect, the temperature adjusting means has a circulation means for circulating the gas in the processing chamber and a heating means for heating the gas circulated by the circulation means. It is characterized by.
In the invention of claim 2 as described above, heating is performed while circulating the gas inside the processing chamber. Therefore, even in a wide processing chamber, the inside can be heated uniformly and moisture removal is ensured. .

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２の気体置換装置において、前記処理室内の空間は、複数の領域に区分されており、前記置換手段、前記水分除去手段及び前記温度調整手段は、前記各領域に接続されていることを特徴とする。
以上のような請求項３の発明では、複数の領域ごとに、置換及び水分除去を行うことができるので、短時間で効率のよい置換が可能となる。 According to a third aspect of the present invention, in the gas replacement device according to the first or second aspect, the space in the processing chamber is divided into a plurality of regions, and the replacement unit, the moisture removing unit, and the temperature adjusting unit are Are connected to each of the regions.
In the invention of claim 3 as described above, since replacement and moisture removal can be performed for each of a plurality of regions, efficient replacement can be performed in a short time.

請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか１項の気体置換装置において、前記処理対象が、有機ＥＬに関連する部材であることを特徴とする。
以上のような請求項４の発明では、水分を嫌う有機ＥＬに適した処理装置を構成することができる。 According to a fourth aspect of the present invention, in the gas replacement device according to any one of the first to third aspects, the processing target is a member related to an organic EL.
In the invention of claim 4 as described above, it is possible to configure a processing apparatus suitable for an organic EL that dislikes moisture.

以上、説明したように、本発明によれば、大型の処理室であっても、短時間で確実に水分を除去することが可能な気体置換装置及び気体置換方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a gas replacement device and a gas replacement method capable of reliably removing moisture in a short time even in a large processing chamber.

次に、本発明の実施の形態（以下、実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
〔実施形態の構成〕
まず、実施形態の構成を説明する。本実施形態は、図１に示すように、処理室１、ガス置換装置２、循環精製装置３、温度調整装置４によって構成されている。 Next, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be specifically described with reference to the drawings.
[Configuration of Embodiment]
First, the configuration of the embodiment will be described. As shown in FIG. 1, this embodiment includes a processing chamber 1, a gas replacement device 2, a circulation purification device 3, and a temperature adjustment device 4.

処理室１は、外部から遮蔽された空間（密閉チャンバ）であり、有機ＥＬの基板の製造工程を構成している。この処理室１は、図２に示すように、基板Ｓを搬送する搬送室１１、各工程の作業を行う複数の作業室１２、搬送室１１と作業室１２とを接続するゲートバルブ１３を有している。   The processing chamber 1 is a space (sealed chamber) shielded from the outside, and constitutes a manufacturing process of an organic EL substrate. As shown in FIG. 2, the processing chamber 1 has a transfer chamber 11 for transferring the substrate S, a plurality of work chambers 12 for performing operations of each process, and a gate valve 13 for connecting the transfer chamber 11 and the work chamber 12. is doing.

搬送室１１は、基板Ｓを把持するロボットアーム１４が、レール１５上を移動することにより、基板Ｓを各作業室１２間を搬送するチャンバである。作業室１２は、基板Ｓに対するプラズマ処理、各層の蒸着等を行うチャンバである。この作業室１２は、メンテナンス用に手作業が可能なグローブボックスとして構成されている。ゲートバルブ１３は、搬送室１１と作業室１２との間で基板Ｓをやり取りする際に、搬送室１１と作業室１２との間の気密を保持する手段である。   The transfer chamber 11 is a chamber that transfers the substrate S between the respective work chambers 12 when the robot arm 14 that holds the substrate S moves on the rail 15. The working chamber 12 is a chamber for performing plasma processing on the substrate S, vapor deposition of each layer, and the like. The work chamber 12 is configured as a glove box capable of manual work for maintenance. The gate valve 13 is a means for maintaining airtightness between the transfer chamber 11 and the work chamber 12 when the substrate S is exchanged between the transfer chamber 11 and the work chamber 12.

ガス置換装置２は、処理室１に接続され、Ｎ２ガスを供給しながら、処理室１内の気体をパージする装置である。このガス置換装置２と搬送室１１及び作業室１２とは、それぞれの内部を独立にガス置換できるように、配管で接続されているが、図２においては、図示を省略している。 The gas replacement device 2 is connected to the processing chamber 1 and purges the gas in the processing chamber 1 while supplying N 2 gas. The gas replacement device 2 and the transfer chamber 11 and the working chamber 12 are connected by piping so that the inside of each can be independently replaced with gas, but the illustration is omitted in FIG.

循環精製装置３は、処理室１内のガスを循環させながら、水分濃度を低下させる水分除去手段である。循環精製装置３と搬送室１１及び各作業室１２との間は、バルブを備えた配管を介してそれぞれ接続されている。水分は、吸着剤に吸着させることにより除去するが、吸着剤としては、例えば、モレキュラシーブ、アルミナ、シリカゲル、シリカアルミ等が用いられるが、これらには限定されない。なお、循環精製装置３は、還元銅触媒、白金触媒等による酸素除去機能も有しているものとする。   The circulation purification device 3 is a moisture removing unit that reduces the moisture concentration while circulating the gas in the processing chamber 1. The circulation purification device 3 and the transfer chamber 11 and each work chamber 12 are connected via a pipe provided with a valve. The moisture is removed by adsorbing to the adsorbent, and examples of the adsorbent include, but are not limited to, molecular sieve, alumina, silica gel, silica aluminum, and the like. In addition, the circulation purification apparatus 3 shall also have the oxygen removal function by a reduced copper catalyst, a platinum catalyst, etc.

循環精製装置３は、ガス循環用のポンプ、ガス経路を開閉するバルブ等を制御する駆動制御部３１と、処理室１、ガス経路等に配設されたセンサからの信号に基づいて、水分濃度を判定する濃度判定部３２と、各種の設定を記憶する設定記憶部３３等を有している。設定記憶部３３には、あらかじめ所定の水分濃度が記憶されているものとする。   The circulation purifying device 3 is based on signals from a drive control unit 31 that controls a pump for gas circulation, a valve that opens and closes a gas path, and a sensor disposed in the processing chamber 1, the gas path, and the like. A density determination unit 32 for determining the setting, a setting storage unit 33 for storing various settings, and the like. It is assumed that a predetermined moisture concentration is stored in the setting storage unit 33 in advance.

温度調整装置４は、処理室１内のガスを、循環させながら加熱する装置である。温度調整装置４と搬送室１１及び各作業室１２との間は、バルブを備えた配管を介してそれぞれ接続されている。加熱手段としては、加熱コイル等のヒータを用いることができる。   The temperature adjusting device 4 is a device that heats the gas in the processing chamber 1 while circulating it. The temperature adjusting device 4 and the transfer chamber 11 and each work chamber 12 are connected via a pipe having a valve. As the heating means, a heater such as a heating coil can be used.

温度調整装置４は、ガス循環用のポンプ、ガス経路を開閉するバルブ等を制御する駆動制御部４１と、処理室１、ガス経路等に配設されたセンサからの信号に基づいて、温度を判定する温度判定部４２、ヒータによる加熱温度を制御するヒータ制御部４３、各種の設定を記憶する設定記憶部４４等を有している。設定記憶部４４には、あらかじめ昇温時の所定温度、降温時の所定温度が記憶されているものとする。   The temperature adjusting device 4 adjusts the temperature based on signals from a pump for gas circulation, a drive control unit 41 that controls a valve for opening and closing the gas path, and sensors disposed in the processing chamber 1 and the gas path. A temperature determination unit 42 for determination, a heater control unit 43 for controlling the heating temperature by the heater, a setting storage unit 44 for storing various settings, and the like are included. It is assumed that a predetermined temperature at the time of temperature increase and a predetermined temperature at the time of temperature decrease are stored in the setting storage unit 44 in advance.

駆動制御部３１，４１、濃度判定部３２、温度判定部４２、ヒータ制御部４３、設定記憶部３３，４４等は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって実現できる。従って、以下に説明する手順で本装置の動作を制御するためのコンピュータプログラム及びこれを記録した記録媒体も、本発明の一態様である。   The drive control units 31 and 41, the concentration determination unit 32, the temperature determination unit 42, the heater control unit 43, the setting storage units 33 and 44, and the like can be realized by, for example, a dedicated electronic circuit or a computer that operates with a predetermined program. Therefore, a computer program for controlling the operation of the apparatus according to the procedure described below and a recording medium recording the computer program are also one aspect of the present invention.

〔実施形態の作用〕
以上のような本実施形態の作用を、図３のフローチャートを参照して説明する。まず、ゲートバルブ１３を開放した状態で、ガス置換装置２を作動させて、処理室１内へのＮ２の供給と大気のパージを開始する（ステップ３０１）。そして、置換が完了した場合（ステップ３０２）、Ｎ２の供給を停止する（ステップ３０３）。 [Effects of the embodiment]
The operation of the present embodiment as described above will be described with reference to the flowchart of FIG. First, with the gate valve 13 opened, the gas replacement device 2 is operated to start supplying N 2 into the processing chamber 1 and purging the atmosphere (step 301). When the replacement is completed (step 302), the supply of N 2 is stopped (step 303).

次に、駆動制御部３１により循環精製装置３を作動させて、Ｎ２ガスを循環させながら、水分を除去する（ステップ３０４）。同時に、駆動制御部４１により温度調整装置４を作動させて、Ｎ２ガスを循環させながら、ヒータ制御部４３により発熱するヒータによって加熱する（ステップ３０５）。 Next, the purification device 3 is operated by the drive control unit 31 to remove moisture while circulating the N 2 gas (step 304). At the same time, the temperature controller 4 is operated by the drive control unit 41 and heated by the heater that generates heat by the heater control unit 43 while circulating the N 2 gas (step 305).

ヒータ制御部４３は、温度判定部４２によって判定される温度が、所定の温度に達するまで昇温させ(ステップ３０６）、当該温度が維持されるようにヒータを制御する（ステップ３０７）。このように、処理室１内の温度を高温に維持することによって、処理室１の内部に存在する水分の気化が促進される。特に、処理室１の内壁等に吸収、吸着されている水分も気化させることができる。気化した水分は、循環精製装置３における吸着剤へ素早く吸着される。   The heater control unit 43 increases the temperature determined by the temperature determination unit 42 until the temperature reaches a predetermined temperature (step 306), and controls the heater so that the temperature is maintained (step 307). In this manner, by maintaining the temperature in the processing chamber 1 at a high temperature, vaporization of moisture existing in the processing chamber 1 is promoted. In particular, moisture absorbed and adsorbed on the inner wall of the processing chamber 1 can also be vaporized. The vaporized water is quickly adsorbed to the adsorbent in the circulation purification device 3.

このように水分が除去されることにより、濃度判定部３２によって判定される水分濃度が、所定の濃度に達した場合には（ステップ３０８）、ヒータ制御部４３は、ヒータによる加熱を停止する（ステップ３０９）。これにより、処理室１の内部の温度が低下(例えば、所定の温度まで達する（ステップ３１０））して、残留している微量の水分は再び内壁等に吸着されるので、水分の濃度は一機に低下して、必要レベルに到達する。   When the moisture concentration determined by the concentration determination unit 32 reaches a predetermined concentration by removing the moisture in this way (step 308), the heater control unit 43 stops heating by the heater ( Step 309). As a result, the temperature inside the processing chamber 1 decreases (for example, reaches a predetermined temperature (step 310)), and a small amount of remaining moisture is adsorbed to the inner wall again. Decrease to reach the required level.

目標とする水分濃度は、例えば、有機ＥＬの処理の場合には、１ｐｐｍ以下が望ましいが、本発明はこの数値には限定されない。なお、上記の触媒による酸素除去機能については説明を省略したが、循環精製装置３内のガスの循環により除去される酸素濃度は、１ｐｐｍ以下が望ましい。但し、本発明はこの数値にも限定されない。   For example, in the case of organic EL processing, the target moisture concentration is desirably 1 ppm or less, but the present invention is not limited to this value. In addition, although description was abbreviate | omitted about the oxygen removal function by said catalyst, as for the oxygen concentration removed by the circulation of the gas in the circulation purification apparatus 3, 1 ppm or less is desirable. However, the present invention is not limited to this value.

〔実施形態の効果〕
以上のような本実施形態によれば、処理室１内のＮ２ガスを加熱することにより、循環精製装置３による水分除去が促進されるので、大型の処理室１であっても、短時間での水分除去が可能となり、設置後やメンテナンス後から処理開始までの期間を、大幅に短縮することができる。 [Effect of the embodiment]
According to the present embodiment as described above, since the water removal by the circulation purification apparatus 3 is promoted by heating the N 2 gas in the processing chamber 1, even in the large processing chamber 1, a short time is required. In this way, it is possible to remove the moisture at the time, and the period from the installation or maintenance to the start of treatment can be greatly shortened.

特に、加熱後に温度を下げることにより、残留水分を、処理室１の内壁等に素早く吸着させることができるので、所望の水分濃度まで達する時間を短縮できる。このように吸着させた水分は、常温では出にくくなるので、その後の処理に影響を与えない。   In particular, by lowering the temperature after heating, the residual moisture can be quickly adsorbed on the inner wall of the processing chamber 1 and the like, so the time to reach the desired moisture concentration can be shortened. The moisture adsorbed in this way is difficult to come out at room temperature, and therefore does not affect the subsequent processing.

また、温度調整装置４は、処理室１内部のガスを循環させながら加熱するので、広い処理室１であっても、その内部を均一に加熱することができ、水分除去も確実となる。さらに、循環させるガスが加熱されているので、循環精製装置３における吸着剤の回復も促進される。   Moreover, since the temperature adjusting device 4 heats the inside of the processing chamber 1 while circulating the gas, the inside of the wide processing chamber 1 can be heated uniformly and moisture removal is ensured. Furthermore, since the gas to be circulated is heated, the recovery of the adsorbent in the circulation purification device 3 is also promoted.

〔他の実施形態〕
本発明は上記のような実施形態に限定されるものではない。すなわち、温度調整手段や水分除去手段の配置位置、種類、数等は、上記の実施形態には限定されない。例えば、温度調整手段における加熱手段を、処理室側に設置してもよい。一例として、上記の実施形態における搬送室１１及び各作業室１２の内部に、ヒータを設けることが考えられる。室内が均一に加熱されるように、複数のヒータを設定してもよい。 [Other Embodiments]
The present invention is not limited to the embodiment as described above. That is, the arrangement position, type, number, and the like of the temperature adjusting unit and the moisture removing unit are not limited to the above embodiment. For example, the heating means in the temperature adjusting means may be installed on the processing chamber side. As an example, it is conceivable to provide a heater inside the transfer chamber 11 and each work chamber 12 in the above embodiment. A plurality of heaters may be set so that the room is heated uniformly.

また、上記の実施形態では、ヒータによる加熱を停止させることにより、その後のガス循環による温度低下を図っていた。しかし、温度調整手段が冷却手段を備えることにより、温度低下を促進できる構成としてもよい。冷却手段としては、例えば、冷媒や冷却剤、放熱器等を用いることが考えられる。   Moreover, in said embodiment, the temperature fall by subsequent gas circulation was aimed at by stopping the heating by a heater. However, it is good also as a structure which can accelerate | stimulate a temperature fall because a temperature adjustment means is provided with a cooling means. As the cooling means, for example, it is conceivable to use a refrigerant, a coolant, a radiator or the like.

また、図４に示すように、循環精製装置３及び温度調整装置４を、搬送室１１及び各作業室１２ごとに個別に設けてもよい。かかる構成とすれば、メンテナンスやトラブル発生時において、該当箇所の水分除去及び温度調整を、効率良く短時間に行うことができる。   Further, as shown in FIG. 4, the circulation purification device 3 and the temperature adjustment device 4 may be provided for each of the transfer chamber 11 and each work chamber 12. With such a configuration, it is possible to efficiently remove moisture and adjust the temperature in a short time when maintenance or trouble occurs.

また、本発明の処理対象（被処理物）は、有機ＥＬには限定されず、水分を嫌う処理対象に広く適用可能である。処理室の構成も、処理対象に応じて種々考えられるものであり、上記の実施形態で例示したものには限定されない。置換ガスについても、Ａｒ，Ｈｅ，ドライエアー等、種々のガスが適用可能である。設定する水分濃度や温度も、特定の値には限定されない。   In addition, the processing target (object to be processed) of the present invention is not limited to organic EL, and can be widely applied to processing targets that dislike moisture. Various configurations of the processing chamber are also conceivable depending on the processing target, and are not limited to those exemplified in the above embodiment. Various gases such as Ar, He, and dry air can also be applied as the replacement gas. The moisture concentration and temperature to be set are not limited to specific values.

本発明の気体置換装置の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the gas displacement apparatus of this invention. 図１の気体置換装置の接続構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the connection structure of the gas displacement apparatus of FIG. 図１の気体置換装置のガス置換及び水分除去手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the gas replacement and moisture removal procedure of the gas replacement apparatus of FIG. 本発明の気体置換装置の他の実施形態の接続構成を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the connection structure of other embodiment of the gas displacement apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…処理室
２…ガス置換装置
３…循環精製装置
４…温度調整装置
１１…搬送室
１２…作業室
１３…ゲートバルブ
１４…ロボットアーム
１５…レール
３１，４１…駆動制御部
３２…濃度判定部
３３，４４…設定記憶部
４２…温度判定部
４３…ヒータ制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing chamber 2 ... Gas displacement apparatus 3 ... Circulation purification apparatus 4 ... Temperature control apparatus 11 ... Transfer chamber 12 ... Work chamber 13 ... Gate valve 14 ... Robot arm 15 ... Rail 31, 41 ... Drive control part 32 ... Concentration determination part 33, 44 ... Setting storage unit 42 ... Temperature determination unit 43 ... Heater control unit

Claims (5)

外部から遮蔽可能な空間を有する処理室内の気体を、処理対象に適した気体に置換する置換手段と、
前記処理室内の水分濃度を低下させる水分除去手段と、
前記水分除去手段による水分濃度の低下を促進するように、前記処理室内の温度を上昇させた後に低下させる温度調整手段と、
を有することを特徴とする気体置換装置。 Replacement means for replacing the gas in the processing chamber having a space that can be shielded from the outside with a gas suitable for the processing target;
Moisture removing means for reducing the moisture concentration in the processing chamber;
A temperature adjusting means for lowering the temperature in the processing chamber after increasing the temperature so as to promote a decrease in moisture concentration by the moisture removing means;
A gas displacement device comprising: 前記温度調整手段は、処理室内の気体を循環させる循環手段と、前記循環手段によって循環される気体を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする請求項１記載の気体置換装置。   2. The gas replacement device according to claim 1, wherein the temperature adjusting means includes a circulation means for circulating the gas in the processing chamber and a heating means for heating the gas circulated by the circulation means. 前記処理室内の空間は、複数の領域に区分されており、
前記置換手段、前記水分除去手段及び前記温度調整手段は、前記各領域に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の気体置換装置。 The space in the processing chamber is divided into a plurality of regions,
The gas replacement device according to claim 1, wherein the replacement unit, the moisture removal unit, and the temperature adjustment unit are connected to the respective regions. 前記処理対象が、有機ＥＬに関連する部材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の気体置換装置。   The gas replacement apparatus according to claim 1, wherein the processing target is a member related to organic EL. 置換手段が、外部から遮蔽可能な空間を有する処理室内の気体を、処理対象に適した気体に置換し、
水分除去手段が、前記処理室内の水分濃度を低下させるとともに、温度調整手段が、水分濃度の低下を促進するように、前記処理室内の温度を上昇させた後に低下させることを特徴とする気体置換方法。 The replacement means replaces the gas in the processing chamber having a space that can be shielded from the outside with a gas suitable for the processing target,
The gas replacement is characterized in that the moisture removing means lowers the moisture concentration in the processing chamber and the temperature adjusting means lowers the temperature in the processing chamber after increasing the temperature so as to promote the reduction of the moisture concentration. Method.
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