KR102377850B1 - Heat treatment apparatus, heat treatment method, computer storage medium and substrate processing system - Google Patents

Heat treatment apparatus, heat treatment method, computer storage medium and substrate processing system Download PDF

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KR102377850B1 KR1020150042450A KR20150042450A KR102377850B1 KR 102377850 B1 KR102377850 B1 KR 102377850B1 KR 1020150042450 A KR1020150042450 A KR 1020150042450A KR 20150042450 A KR20150042450 A KR 20150042450A KR 102377850 B1 KR102377850 B1 KR 102377850B1
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도시후미 나스
마사유키 다마에
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 효율적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.
제1 운전 모드에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터 처리 용기(200) 내에 질소 가스를 공급하고, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기하며, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 한다. 제2 운전 모드에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고, 제1 가스 순환 시스템(260)을 이용하여, 정제기(263)로 정제된 분위기를 처리 용기(200) 내로 되돌리며, 처리 용기(200) 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지한다. The purpose of the present invention is to efficiently form an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate.
In the first operation mode, nitrogen gas is supplied into the processing vessel 200 from the first gas supply unit 240, the inside of the processing vessel 200 is exhausted through the first exhaust unit 250, and the processing vessel 200 ) is replaced with nitrogen gas to create an atmosphere with a lower oxygen concentration than the atmosphere and a lower dew point temperature than the atmosphere. In the second operation mode, the supply of nitrogen gas from the first gas supply unit 240 is stopped, and the atmosphere purified by the purifier 263 is introduced into the processing container 200 using the first gas circulation system 260. Returning, the atmosphere in the processing vessel 200 is maintained at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature.

Figure R1020150042450
Figure R1020150042450

Description

열처리 장치, 열처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템{HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Heat treatment apparatus, heat treatment method, computer storage medium, and substrate processing system {HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치, 상기 열처리 장치를 이용한 열처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 및 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention provides a heat treatment device for heat treating the substrate after applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, a heat treatment method using the heat treatment device, a program, a computer storage medium, and forming an organic layer of an organic light emitting diode on the substrate. It relates to a substrate processing system that does.

유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는, 유기 EL(Electroluminescence)의 발광을 이용한 발광 다이오드이다. 최근, 이 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 박형 경량, 저소비전력이며, 또한 응답 속도, 시야각, 콘트라스트비의 면에서 우수하다는 등의 이점을 갖고 있기 때문에, 차세대의 플랫 패널 디스플레이(FPD)로서 주목받고 있다.Organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode that uses organic light emission (electroluminescence). Recently, organic EL displays using organic light-emitting diodes have advantages such as being thin, lightweight, low power consumption, and excellent in terms of response speed, viewing angle, and contrast ratio, and have been used as next-generation flat panel displays (FPDs). It is attracting attention.

유기 발광 다이오드는, 예컨대 기판 상의 양극과 음극 사이에, 유기층인 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 양극측으로부터 이 순서로 적층된 구조를 갖고 있다. 이러한 유기 발광 다이오드를 제조할 때, 특정한 유기층에 대해서는, 상기 유기층의 발광 효율이 저하되거나, 발광 수명이 짧아지는 등의 유기층의 열화를 억제하기 위해, 저산소 또한 저이슬점의 분위기하에서의 처리가 요구된다.An organic light-emitting diode has a structure in which, for example, between an anode and a cathode on a substrate, organic layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked in this order from the anode side. When manufacturing such an organic light-emitting diode, treatment in a low-oxygen or low-dew point atmosphere is required for certain organic layers in order to suppress deterioration of the organic layer, such as a decrease in luminous efficiency or a shortened luminescence life.

그래서, 예컨대 특허문헌 1에는, 이러한 저산소 저이슬점 분위기를 유지하는 것을 목적으로 한 유기 EL 디스플레이의 제조 장치가 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1의 제조 장치는, 밀봉 챔버 내부에 설치된 유기 EL 제조 라인과, 밀봉 챔버 내부에 질소 가스를 공급하는 수단과, 밀봉 챔버 내부에 공급된 질소 가스를 필터에 통과시켜 밀봉 챔버 내부로 되돌리는 수단을 갖고 있다.So, for example, Patent Document 1 discloses a manufacturing apparatus for an organic EL display aimed at maintaining such a low-oxygen, low-dew point atmosphere. Specifically, the manufacturing apparatus of Patent Document 1 includes an organic EL manufacturing line installed inside a sealing chamber, a means for supplying nitrogen gas inside the sealing chamber, and passing the nitrogen gas supplied inside the sealing chamber through a filter to form a sealing chamber. There is a way to return it to the inside.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-140721호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2013-140721

그러나, 특허문헌 1에 기재된 제조 장치에서는, 유기 EL 제조 라인의 모든 처리에 있어서 저산소 저이슬점 분위기가 유지되기 때문에, 이러한 분위기 제어가 필요하지 않은 처리에 대해서도 저산소 저이슬점 분위기가 유지된다. 이 때문에, 예컨대 제조 장치의 기동시에는, 대량의 질소 가스가 필요하게 되어, 유기 EL 디스플레이의 제조 비용이 고액화한다. 특히, 최근의 유기 EL 디스플레이의 대형화에 따라, 챔버의 사이즈가 커지고 있으며, 질소 가스의 소비량의 영향은 현저히 나타난다.However, in the manufacturing apparatus described in Patent Document 1, a low-oxygen, low-dew point atmosphere is maintained in all processes of the organic EL production line, and therefore, a low-oxygen, low-dew point atmosphere is maintained even for processes that do not require such atmosphere control. For this reason, for example, when starting up the manufacturing equipment, a large amount of nitrogen gas is required, which increases the manufacturing cost of the organic EL display. In particular, with the recent increase in the size of organic EL displays, the size of the chamber is increasing, and the effect of nitrogen gas consumption is noticeable.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 효율적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of these points, and aims to efficiently form an organic layer of an organic light-emitting diode on a substrate.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하고 있다. In order to achieve the above object, the present invention is a heat treatment device for applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat treating the substrate, comprising a processing vessel accommodating the substrate and supplying an inert gas into the processing vessel. A gas circulation system comprising a gas supply part that exhausts the inside of the processing container, an exhaust part that exhausts the inside of the processing container, and a purifier that removes oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container, and returns the atmosphere purified by the purifier into the processing container; , a control unit that controls the atmosphere in the processing vessel, wherein the control unit supplies an inert gas into the processing vessel from the gas supply unit, exhausts the inside of the processing vessel by the exhaust unit, and sets the atmosphere in the processing vessel. A first step of replacing with an inert gas to create an atmosphere with an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere, stopping the supply of the inert gas from the gas supply unit, and using the gas circulation system, The gas supply unit, the exhaust unit, and the gas circulation system are controlled to perform a second process of returning the atmosphere purified by the purifier into the processing vessel and maintaining the atmosphere within the processing vessel at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature. It is characterized by:

발명자들이 예의 검토한 결과, 특정한 유기층, 예컨대 정공 수송층과 발광층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리할 때에, 저산소 또한 저이슬점의 분위기가 필요한 것을 알았다. 본 발명에 의하면, 이러한 열처리에 있어서, 제1 공정에서 처리 용기의 분위기를 불활성 가스로 치환하고, 제2 공정에서 처리 용기의 분위기를 리사이클한다. 그리고, 이 제2 공정에 있어서, 처리 용기 내의 분위기가 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 기판의 열처리를 적절히 행할 수 있다.As a result of careful study by the inventors, it was found that an atmosphere of low oxygen and low dew point is necessary when heat treating the substrate after applying a specific organic layer, such as a hole transport layer and a light emitting layer, on the substrate. According to the present invention, in this heat treatment, the atmosphere of the processing container is replaced with an inert gas in the first step, and the atmosphere of the processing container is recycled in the second step. And, in this second process, heat treatment of the substrate can be appropriately performed in a state in which the atmosphere in the processing container is maintained at a set oxygen concentration and a set dew point temperature.

또한, 예컨대 열처리 장치의 기동시, 즉 처리 용기 내의 분위기를 대기 분위기의 상태로부터 기동시킬 때에만, 상기 제1 공정을 실행하여 가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급한다. 한편, 통상 조업시에는, 상기 제2 공정을 실행하여 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지할 수 있다. 따라서, 불활성 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 기판의 열처리를 효율적으로 행할 수 있다. In addition, for example, only when the heat treatment apparatus is started, that is, when the atmosphere in the processing vessel is started from the atmospheric condition, the above-mentioned first process is performed and the inert gas is supplied into the processing vessel from the gas supply unit. Meanwhile, during normal operation, the second process can be performed to stop the supply of inert gas from the gas supply unit. Therefore, the consumption of inert gas can be reduced to a small amount, and heat treatment of the substrate can be performed efficiently.

상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어해도 된다. The gas circulation system further has a pipe connecting the processing vessel and the purifier, and the control unit converts the atmosphere in the pipe to an inert gas by using an inert gas supplied from the gas supply unit in the first process. Alternatively, it may be controlled to an atmosphere in which the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point temperature is lower than that of the atmosphere.

상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 정제기를 통과하지 않도록 제어해도 된다. The control unit may control the atmosphere in the processing vessel so that it does not pass through the purifier in the first process.

상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어해도 된다. The purifier includes a plurality of purification cylinders for removing oxygen and moisture in the atmosphere within the processing vessel, another gas supply unit for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purification vessel, and another exhaust unit for exhausting the inside of the purification vessel. and, in the second process, the control unit purifies the atmosphere in the processing vessel in one purification vessel while supplying the regeneration gas from the other gas supply unit to the other purification vessel, and supplying the regeneration gas to the other purification vessel through the other exhaust unit. The other gas supply unit and the other exhaust unit may be controlled so as to exhaust the inside of the purification vessel and regenerate the other purification vessel.

상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와, 상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖고 있어도 된다. The heat treatment is a firing treatment for baking the organic layer, and the gas circulation system includes a cooler for cooling the atmosphere before being purified by the purifier, and a cooler to remove foreign substances in the atmosphere after being cooled by the cooler but before being purified by the purifier. You may have more filters.

상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖고 있어도 된다. The heat treatment is a temperature control treatment that adjusts the temperature of the substrate, and the gas circulation system may further have a temperature controller that adjusts the temperature of the atmosphere in the processing container.

상기 열처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어해도 된다. The heat treatment apparatus further has an oximeter for measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing container, and a dew point thermometer for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing container, and the control unit is configured to determine the measurement result of the oximeter and the dew point temperature. The atmosphere within the processing container may be controlled based on the measurement results of the thermometer.

상기 열처리 장치는, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어해도 된다. The heat treatment apparatus may further have a door for opening and closing the inside of the processing vessel to the outside, and the control unit may control opening and closing of the door based on a measurement result of the oximeter.

다른 관점에 의한 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비한 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 갖고, 상기 제2 공정에 있어서 상기 처리 용기 내의 분위기가 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 상기 처리 용기 내에 있어서 기판의 열처리가 행해지는 것을 특징으로 하고 있다.The present invention from another perspective is a heat treatment method of applying an organic layer of an organic light-emitting diode to a substrate and then heat-treating the substrate, wherein an inert gas is supplied into a processing vessel from a gas supply unit, and an inert gas is supplied into the processing vessel through an exhaust unit. A first step of exhausting the atmosphere in the processing vessel with an inert gas to create an atmosphere with an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere; and stopping the supply of the inert gas from the gas supply unit. Using a gas circulation system including a purifier that removes oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel, the atmosphere purified by the purifier is returned to the processing vessel, and the atmosphere in the processing vessel is adjusted to a set oxygen concentration and a set dew point. It has a second process of maintaining the temperature, and in the second process, heat treatment of the substrate is performed within the processing vessel while the atmosphere within the processing vessel is maintained at a set oxygen concentration and a set dew point temperature. there is.

상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어해도 된다.The gas circulation system further has a piping connecting the processing vessel and the purifier, and in the first process, the atmosphere in the piping is replaced with an inert gas by an inert gas supplied from the gas supply unit, and the atmosphere is replaced with an inert gas, It may be controlled to an atmosphere with a lower oxygen concentration and a lower dew point temperature than the atmosphere.

상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기는 상기 정제기를 통과하지 않도록 해도 된다.In the first step, the atmosphere in the processing vessel may not pass through the purifier.

상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생해도 된다.The purifier includes a plurality of purification cylinders for removing oxygen and moisture in the atmosphere within the processing vessel, another gas supply unit for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purification vessel, and another exhaust unit for exhausting the inside of the purification vessel. In the second process, while purifying the atmosphere in the processing vessel in one purification vessel, regeneration gas is supplied to the other purification vessel from the other gas supply unit, and the inside of the treatment vessel is purified by the other exhaust unit. By exhausting, the other purification cylinder may be regenerated.

상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며, 상기 가스 순환 시스템에서는, 냉각기로 상기 처리 용기 내의 분위기를 냉각하고, 또한 냉각된 분위기 중의 이물질을 필터로 제거한 후, 상기 정제기로 분위기를 정제해도 된다.The heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer, and in the gas circulation system, the atmosphere in the processing vessel may be cooled with a cooler, foreign substances in the cooled atmosphere may be removed with a filter, and then the atmosphere may be purified with the purifier. .

상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며, 상기 가스 순환 시스템에서는, 온도 조절기로 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절해도 된다. The heat treatment is a temperature control treatment that adjusts the temperature of the substrate, and in the gas circulation system, the temperature of the atmosphere in the processing container may be controlled by a temperature controller.

상기 제1 공정과 상기 제2 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계의 계측 결과와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기가 제어되도록 해도 된다. In the first process and the second process, based on the measurement results of an oxygen concentration meter that measures the oxygen concentration of the atmosphere in the processing container and the measurement results of a dew point thermometer that measures the dew point temperature of the atmosphere in the processing container, The atmosphere within the processing vessel may be controlled.

상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어의 개폐가 제어되도록 해도 된다. Based on the measurement results of the oximeter, the opening and closing of the door for opening and closing the inside of the processing container to the outside may be controlled.

또한 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다. According to another aspect of the present invention, a program that runs on a computer in a control unit that controls the heat treatment device is provided so that the heat treatment method is executed by the heat treatment device.

또 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to the present invention from another aspect, a readable computer storage medium storing the above program is provided.

또한 다른 관점에 의한 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 또한 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와, 상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와, 상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 가지며, 상기 소성 장치에는, 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 소성 장치 내를 배기하는 제1 배기부와, 상기 소성 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리는 제1 가스 순환 시스템이 설치되며, 상기 소성 장치 내의 분위기는, 대기보다 낮은 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되고, 상기 온도 조절 장치와 상기 기판 반송 장치에는, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하는 제2 배기부와, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하며, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리는 제2 가스 순환 시스템이 설치되고, 상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기는 공통적으로, 대기보다 낮은 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 것을 특징으로 하고 있다.In addition, the present invention from another perspective is a substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, comprising: a firing device for applying the organic layer on a substrate, drying the organic layer, and then firing the organic layer; , a temperature control device for controlling the temperature of the substrate after the organic layer is fired in the firing device, and a substrate transfer device for transporting the substrate to the firing device and the temperature control device, and in the firing device, within the firing device. It is provided with a first gas supply part that supplies an inert gas, a first exhaust part that exhausts the inside of the firing apparatus, and a purifier that removes oxygen and moisture in the atmosphere in the firing apparatus, and the atmosphere purified by the purifier is fired in the firing apparatus. A first gas circulation system is provided to return the gas to the apparatus, and the atmosphere in the firing apparatus is maintained at a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere, and the temperature control device and the substrate transfer device are provided. , a second gas supply unit for supplying an inert gas to the inside of the temperature control device and the substrate transfer device, a second exhaust section to exhaust the inside of the temperature control device and the substrate transfer device, and the inside of the temperature control device and the A purifier is provided to remove oxygen and moisture from the atmosphere in the substrate transfer device, and a second gas circulation system is provided to return the atmosphere purified by the purifier to the temperature control device and the substrate transfer device, and the temperature control device is provided. The atmosphere inside and the atmosphere inside the substrate transfer device are commonly characterized by being maintained in an atmosphere with a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere.

상기 소성 장치 내의 압력은, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 압력보다 음압이어도 된다.The pressure within the firing device may be a negative pressure than the pressure within the temperature control device and the substrate transport device.

상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 소성 장치 내를 배기하여 행해져도 된다. The pressure in the firing apparatus may be adjusted by exhausting the firing apparatus.

상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 제1 가스 순환 시스템을 흐르는 분위기를, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 공급하여 행해져도 된다. The pressure in the firing device may be adjusted by supplying the atmosphere flowing through the first gas circulation system into the temperature control device and the substrate transfer device.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 소성 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제1 배기부에 의해 상기 소성 장치 내를 배기하며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 제1 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 제1 가스 공급부, 상기 제1 배기부 및 상기 제1 가스 순환 시스템을 제어해도 된다.The substrate processing system further has a control unit for controlling an atmosphere within the firing apparatus, wherein the control unit supplies an inert gas into the firing apparatus from the first gas supply unit, and supplies an inert gas into the firing apparatus through the first exhaust unit. A first step of exhausting the atmosphere in the firing device and replacing it with an inert gas to create an atmosphere with an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere, and supplying the inert gas from the first gas supply section. stop, return the atmosphere purified by the purifier to the firing apparatus using the first gas circulation system, and perform a second process of maintaining the atmosphere in the firing apparatus at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature, The first gas supply unit, the first exhaust unit, and the first gas circulation system may be controlled.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제2 배기부에 의해 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하며, 상기 온도 조절 장치 내와 기판 반송 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 제2 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제2 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리며, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 제2 가스 공급부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 순환 시스템을 제어해도 된다. The substrate processing system further has a control unit that controls the atmosphere within the temperature control device and the atmosphere within the substrate transfer device, and the control unit controls an inert gas from the second gas supply unit into the temperature control device and the substrate transfer device. supplies and exhausts the inside of the temperature control device and the substrate transfer device by the second exhaust unit, and replaces the atmosphere inside the temperature control device and the substrate transfer device with an inert gas, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere. In addition, a first process of creating an atmosphere with a dew point temperature lower than that of the atmosphere, stopping the supply of inert gas from the second gas supply unit, and using the second gas circulation system, purified by the purifier at the above temperature. The second gas supply unit, the second gas supply unit, 2 The exhaust unit and the second gas circulation system may be controlled.

본 발명에 의하면, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 적절히 또한 효율적으로 형성할 수 있다.According to the present invention, the organic layer of the organic light emitting diode can be appropriately and efficiently formed on the substrate.

도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 공정을 도시한 플로우차트이다.
도 2는 유기 발광 다이오드의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 유기 발광 다이오드의 격벽의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 5는 소성 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 6은 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 7은 정제기의 구성의 개략을 도시한 모식도이다.
도 8은 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 9는 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 10은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 11은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 12는 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 13은 다른 실시형태에서의 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 14는 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 15는 다른 실시형태에서의 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 16은 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다. 1 is a flow chart showing the main processes of the organic light-emitting diode manufacturing method.
Figure 2 is a side view schematically showing the structure of an organic light emitting diode.
Figure 3 is a plan view schematically showing the structure of a partition of an organic light emitting diode.
4 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
Figure 5 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the structure of the firing apparatus.
FIG. 6 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a firing device, a temperature control device, and a third substrate transport device.
Figure 7 is a schematic diagram schematically showing the configuration of a purifier.
Figure 8 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the first operation mode.
Figure 9 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the first operation mode.
Figure 10 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the second driving mode.
Figure 11 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the second driving mode.
Fig. 12 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the second driving mode in another embodiment.
FIG. 13 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a baking device, a temperature control device, and a third substrate transfer device in another embodiment.
Fig. 14 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the second driving mode in another embodiment.
FIG. 15 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of a baking device, a temperature control device, and a third substrate transfer device in another embodiment.
Fig. 16 is an explanatory diagram showing atmosphere control in the second driving mode in another embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Meanwhile, the present invention is not limited to the embodiments shown below.

<1. 유기 발광 다이오드의 제조 방법><1. Manufacturing method of organic light emitting diode>

먼저, 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 처리 플로우를 도시하고 있다.First, a method for manufacturing an organic light emitting diode will be described. Figure 1 shows the main processing flow of the method for manufacturing an organic light-emitting diode.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 유기 발광 다이오드(1)를 제조할 때에는, 기판으로서의 유리 기판(G) 상에 양극(애노드)(10)이 형성된다(도 1의 공정 S1). 양극(10)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 양극(10)에는, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다. First, when manufacturing the organic light emitting diode 1 as shown in FIG. 2, a positive electrode (anode) 10 is formed on a glass substrate G as a substrate (step S1 in FIG. 1). The anode 10 is formed using, for example, a vapor deposition method. Meanwhile, for the anode 10, a transparent electrode made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is used.

그 후, 양극(10) 상에 도 3에 도시한 바와 같이 격벽(20)이 형성된다(도 1의 공정 S2). 격벽(20)은, 예컨대 포토리소그래피 처리 및 에칭 처리를 행함으로써 정해진 패턴으로 패터닝되어 있다. 그리고 격벽(20)에는, 슬릿형의 개구부(21)가 열방향(X방향)과 행방향(Y방향)으로 복수 나란히 형성되어 있다. 이 개구부(21)의 내부에 있어서, 후술하는 바와 같이 복수의 유기층(30∼34)과 음극(40)이 적층되어 화소가 형성된다. 한편, 격벽(20)에는, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지가 이용된다. After that, the partition wall 20 is formed on the anode 10 as shown in FIG. 3 (step S2 in FIG. 1). The partition 20 is patterned into a predetermined pattern by, for example, photolithography processing and etching processing. And in the partition 20, a plurality of slit-shaped openings 21 are formed side by side in the column direction (X direction) and the row direction (Y direction). Inside this opening 21, a plurality of organic layers 30 to 34 and a cathode 40 are stacked to form a pixel, as will be described later. On the other hand, for the partition 20, photosensitive polyimide resin is used, for example.

그 후, 격벽(20)의 개구부(21) 내에 있어서, 도 2에 도시한 바와 같이 양극(10) 상에 복수의 유기층(30∼34)이 형성된다. 구체적으로는, 양극(10) 상에 유기층인 정공 주입층(30)이 형성되고(도 1의 공정 S3), 정공 주입층(30) 상에 유기층인 정공 수송층(31)이 형성되며(도 1의 공정 S4), 정공 수송층(31) 상에 유기층인 발광층(32)이 형성되고(도 1의 공정 S5), 발광층(32) 상에 유기층인 전자 수송층(33)이 형성되며(도 1의 공정 S6), 전자 수송층(33) 상에 유기층인 전자 주입층(34)이 형성된다(도 1의 공정 S7). Thereafter, within the opening 21 of the partition 20, a plurality of organic layers 30 to 34 are formed on the anode 10 as shown in FIG. 2. Specifically, a hole injection layer 30, which is an organic layer, is formed on the anode 10 (process S3 in FIG. 1), and a hole transport layer 31, which is an organic layer, is formed on the hole injection layer 30 (FIG. 1 Step S4), the light-emitting layer 32, which is an organic layer, is formed on the hole transport layer 31 (step S5 in FIG. 1), and the electron transport layer 33, which is an organic layer, is formed on the light-emitting layer 32 (process in FIG. 1) S6), the electron injection layer 34, which is an organic layer, is formed on the electron transport layer 33 (step S7 in FIG. 1).

그 후, 전자 주입층(34) 상에 음극(캐소드)(40)이 형성된다(도 1의 공정 S8). 음극(40)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 음극(40)에는, 예컨대 알루미늄이 이용된다. Afterwards, a cathode 40 is formed on the electron injection layer 34 (step S8 in FIG. 1). The cathode 40 is formed using, for example, a vapor deposition method. Meanwhile, for the cathode 40, aluminum is used, for example.

이렇게 하여 제조된 유기 발광 다이오드(1)에서는, 양극(10)과 음극(40) 사이에 전압을 인가함으로써, 정공 주입층(30)에서 주입된 소정 수량의 정공이 정공 수송층(31)을 통해 발광층(32)에 수송되고, 또한 전자 주입층(34)에서 주입된 소정 수량의 전자가 전자 수송층(33)을 통해 발광층(32)에 수송된다. 그리고, 발광층(32) 내에서 정공과 전자가 재결합해서 여기 상태의 분자를 형성하여, 상기 발광층(32)이 발광한다.In the organic light emitting diode 1 manufactured in this way, by applying a voltage between the anode 10 and the cathode 40, a predetermined amount of holes injected from the hole injection layer 30 are transmitted to the light emitting layer through the hole transport layer 31. A predetermined number of electrons transported to (32) and injected from the electron injection layer (34) are transported to the light emitting layer (32) through the electron transport layer (33). Then, holes and electrons recombine within the light-emitting layer 32 to form molecules in an excited state, and the light-emitting layer 32 emits light.

<2. 기판 처리 시스템><2. Substrate Handling System>

다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(100)에 대해서 설명한다. 도 4는 기판 처리 시스템(100)의 구성의 개략을 도시한 설명도이다. 한편, 기판 처리 시스템(100)에서 처리되는 유리 기판(G) 상에는 미리 양극(10), 격벽(20) 및 정공 주입층(30)이 형성되어 있고, 상기 기판 처리 시스템(100)에서는 정공 수송층(31)이 형성된다. Next, the substrate processing system 100 according to this embodiment will be described. FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of the substrate processing system 100. Meanwhile, an anode 10, a partition wall 20, and a hole injection layer 30 are formed in advance on the glass substrate G to be processed in the substrate processing system 100, and in the substrate processing system 100, a hole transport layer ( 31) is formed.

기판 처리 시스템(100)은, 외부와의 사이에서 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부로부터 반입 및 반출하는 반입 반출 스테이션(101)과, 유리 기판(G)에 대하여 정해진 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(102)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.The substrate processing system 100 includes an loading/unloading station 101 for loading and unloading a plurality of glass substrates G from the outside in cassette units, and performing a prescribed process on the glass substrates G. It has a configuration in which a processing station 102 equipped with a plurality of processing devices is connected as one unit.

반입 반출 스테이션(101)에는, 카세트 배치대(110)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(110)는, 복수의 카세트(C)를 X방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 즉, 반입 반출 스테이션(101)은, 복수의 유리 기판(G)을 보유 가능하게 구성되어 있다.A cassette placement table 110 is installed in the loading/unloading station 101. The cassette placement table 110 is capable of arranging a plurality of cassettes C in a row in the X direction. That is, the loading/unloading station 101 is configured to be capable of holding a plurality of glass substrates G.

반입 반출 스테이션(101)에는, X방향으로 연장되는 반송로(111) 상을 이동 가능한 기판 반송체(112)가 설치되어 있다. 기판 반송체(112)는, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 카세트(C)와 처리 스테이션(102) 사이에서 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. 한편 기판 반송체(112)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하여 반송한다. The loading/unloading station 101 is provided with a substrate transport body 112 that can move on a transport path 111 extending in the X direction. The substrate transport body 112 is movable both in the vertical direction and around the vertical, and can transport the glass substrate G between the cassette C and the processing station 102 . On the other hand, the substrate transporter 112 suction-holds and transports the glass substrate G, for example.

처리 스테이션(102)에는, 제1 기판 반송 장치(120)와, 제2 기판 반송 장치(121)와, 제3 기판 반송 장치(122)가, 반입 반출 스테이션(101)측으로부터 Y방향으로 이 순서대로 나란히 배치되어 있다. 각 기판 반송 장치(120, 121, 122)에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 기판 반송체는, 수평 방향, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 이들 기판 반송 장치(120, 121, 122)에 인접하여 설치되는 각 장치에 유리 기판(G)을 반송할 수 있다.In the processing station 102, the first substrate transfer device 120, the second substrate transfer device 121, and the third substrate transfer device 122 are installed in this order in the Y direction from the loading/unloading station 101 side. They are arranged side by side. A substrate transport body (not shown) for transporting the glass substrate G is installed in each of the substrate transport devices 120, 121, and 122. The substrate transport body can move in the horizontal direction, the vertical direction, and around the vertical, and can transport the glass substrate G to each device installed adjacent to these substrate transport devices 120, 121, and 122.

한편, 제3 기판 반송 장치(122)에는 후술하는 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)가 인접되어 설치되어 있고, 이들 장치(132, 134, 136)의 내부는 저산소 또한 저이슬점의 분위기(이하, 저산소 저이슬점 분위기라고 한다.)로 유지된다. 이 때문에, 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 그 내부가 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 이하의 설명에 있어서, 저산소 분위기란 대기보다 산소 농도가 낮은 분위기, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하인 분위기를 말하고, 또한 저이슬점 분위기란 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기, 예컨대 이슬점 온도가 -70℃ 이하인 분위기를 말한다. 그리고, 이러한 저산소 저이슬점 분위기로서, 예컨대 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다.Meanwhile, a baking device 132, a temperature control device 134, and a buffer device 136, which will be described later, are installed adjacent to the third substrate transfer device 122, and the insides of these devices 132, 134, and 136 are Low oxygen is also maintained in a low dew point atmosphere (hereinafter referred to as low oxygen low dew point atmosphere). For this reason, even in the third substrate transfer device 122, the interior is maintained in a low-oxygen, low-dew point atmosphere. In the following description, a hypoxic atmosphere refers to an atmosphere with a lower oxygen concentration than the atmosphere, for example, an atmosphere with an oxygen concentration of 10 ppm or less, and a low dew point atmosphere refers to an atmosphere with a dew point temperature lower than the atmosphere, for example, an atmosphere with a dew point temperature of -70°C or less. says As this low-oxygen, low-dew point atmosphere, for example, an inert gas such as nitrogen gas is used.

반입 반출 스테이션(101)과 제1 기판 반송 장치(120) 사이, 및 제1 기판 반송 장치(120)와 제2 기판 반송 장치(121) 사이에는, 각각 유리 기판(G)을 전달하기 위한 트랜지션 장치(123, 124)가 설치되어 있다. 제2 기판 반송 장치(121)와 제3 기판 반송 장치(122) 사이에는, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용 가능한 로드록 장치(125)가 설치되어 있다. 로드록 장치(125)는, 내부 분위기를 전환 가능, 즉 대기 분위기와 저산소 저이슬점 분위기로 전환 가능하게 구성되어 있다. 로드록 장치(125)는, 게이트 밸브(126)를 통해 제3 기판 반송 장치(122)에 접속되어 있다. 그리고, 처리 스테이션(102)[기판 처리 시스템(100)]에 있어서, 로드록 장치(125)의 상류측(Y방향 마이너스 방향측)에서는 대기 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해지고, 로드록 장치(125)의 하류측(Y방향 플러스 방향측)에서는 저산소 저이슬점 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해진다. A transition device for transferring the glass substrate G is provided between the loading/unloading station 101 and the first substrate transfer device 120 and between the first substrate transfer device 120 and the second substrate transfer device 121, respectively. (123, 124) are installed. A load lock device 125 capable of temporarily holding the glass substrate G is installed between the second substrate transfer device 121 and the third substrate transfer device 122. The load lock device 125 is configured to be able to switch the internal atmosphere, that is, to be switchable between an atmospheric atmosphere and a low-oxygen, low-dew point atmosphere. The load lock device 125 is connected to the third substrate transfer device 122 through a gate valve 126. Then, in the processing station 102 (substrate processing system 100), the glass substrate G is processed and transported under an atmospheric atmosphere on the upstream side (Y direction minus direction side) of the load lock device 125, On the downstream side (positive Y direction side) of the load lock device 125, the glass substrate G is processed and transported in a low-oxygen, low-dew point atmosphere.

제1 기판 반송 장치(120)의 X방향 플러스 방향측에는, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포하는 도포 장치(130)가 설치되어 있다. 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G) 상의 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 한편, 본 실시형태의 유기 재료는, 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다. On the positive It is installed. In the coating device 130, the organic material is applied to a predetermined position on the glass substrate G, that is, to the inside of the opening 21 of the partition 20, using an inkjet method. On the other hand, the organic material of this embodiment is a solution obtained by dissolving a specified material for forming the hole transport layer 31 in an organic solvent.

제2 기판 반송 장치(121)의 X방향 플러스 방향측과 X방향 마이너스 방향측에는, 도포 장치(130)에 의해 도포된 유기 재료를 감압 건조하는 감압 건조 장치(131)가 복수 적층되며, 전부해서 예컨대 5개 설치되어 있다. 감압 건조 장치(131)는, 예컨대 터보 분자 펌프(도시하지 않음)를 가지며, 그 내부 분위기를 예컨대 1 ㎩ 이하까지 감압하여, 유기 재료가 건조되도록 되어 있다.A plurality of reduced-pressure drying devices 131 for drying the organic material applied by the coating device 130 under reduced pressure are stacked on the There are 5 installed. The reduced pressure drying device 131 has, for example, a turbo molecular pump (not shown), and is designed to dry the organic material by reducing the pressure of the internal atmosphere to, for example, 1 Pa or less.

제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 플러스 방향측에는, 감압 건조 장치(131)에서 건조된 유기 재료를 열처리하여 소성하는, 열처리 장치로서의 소성 장치(132)가 셔터(133)를 통해 설치되어 있다. 소성 장치(132)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 소성 장치(132)의 구성에 대해서는, 후술한다. On the positive . The interior of the firing device 132 is maintained in a low-oxygen, low-dew point atmosphere. The configuration of the firing device 132 will be described later.

제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 마이너스 방향측에는, 소성 장치(132)에서 열처리된 유리 기판(G)을 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절하는, 열처리 장치로서의 온도 조절 장치(134)가 셔터(135)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고, 온도 조절 장치(134)에는, 그 내부에 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 상기 배치판 상의 유리 기판(G)이 정해진 온도로 조절된다. On the minus Device 134 is installed through shutter 135 . The interior of the temperature control device 134 is maintained in a low-oxygen, low-dew point atmosphere. In addition, in the temperature control device 134, a placement plate (not shown) on which a glass substrate G is placed is installed in multiple stages, and the glass substrate G on the placement plate is adjusted to a predetermined temperature. .

제3 기판 반송 장치(122)의 Y방향 플러스 방향측에는, 복수의 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 장치(136)가 셔터(137)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. A buffer device 136 for temporarily accommodating a plurality of glass substrates G is installed on the Y-direction positive side of the third substrate transfer device 122 through a shutter 137 . The interior of the temperature control device 134 is maintained in a low-oxygen, low-dew point atmosphere.

한편, 처리 스테이션(102)에 있어서, 이들 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131), 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. On the other hand, in the processing station 102, the number and arrangement of these coating devices 130, reduced pressure drying devices 131, baking devices 132, temperature control devices 134, and buffer devices 136 can be arbitrarily selected. there is.

이상의 기판 처리 시스템(100)에는, 제어부(140)가 설치되어 있다. 제어부(140)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(140)에 인스톨된 것이어도 된다.A control unit 140 is installed in the above substrate processing system 100. The control unit 140 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program that controls processing of the glass substrate G in the substrate processing system 100 is stored. Meanwhile, the program is recorded on a computer-readable storage medium (H), such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical disk (MO), or memory card. It may be installed in the control unit 140 from the storage medium H.

다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(100)을 이용하여 행해지는 유리 기판(G)의 처리 방법에 대해서 설명한다.Next, a method of processing the glass substrate G performed using the substrate processing system 100 configured as described above will be described.

먼저, 복수의 유리 기판(G)을 수용한 카세트(C)가, 반입 반출 스테이션(101)에 반입되어, 카세트 배치대(110) 상에 배치된다. 그 후, 기판 반송체(112)에 의해, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)로부터 유리 기판(G)이 순차 취출된다.First, the cassette C containing the plurality of glass substrates G is carried into the loading/unloading station 101 and placed on the cassette placement table 110. After that, the glass substrates G are sequentially taken out from the cassettes C on the cassette placement table 110 by the substrate carrier 112 .

카세트(C)로부터 취출된 유리 기판(G)은, 기판 반송체(112)에 의해 처리 스테이션(102)의 트랜지션 장치(123)에 반송되고, 또한 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 도포 장치(130)에 반송된다. 그리고 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에, 정공 수송층(31)용의 유기 재료가 도포된다. 이 도포 장치(130)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다. The glass substrate G taken out from the cassette C is transported to the transition device 123 of the processing station 102 by the substrate carrier 112, and is further transferred to the coating device by the first substrate carrier 120. It is returned to (130). Then, in the coating device 130, the organic material for the hole transport layer 31 is applied onto the glass substrate G (hole injection layer 30) by an inkjet method. The coating process using this coating device 130 does not need to be performed in a low-oxygen, low-dew point atmosphere.

다음으로 유리 기판(G)은, 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 트랜지션 장치(124)에 반송되고, 또한 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 감압 건조 장치(131)에 반송된다. 그리고 감압 건조 장치(131)에서는, 그 내부 분위기가 감압되고, 유리 기판(G) 상에 도포된 유기 재료가 건조된다. 이 감압 건조 장치(131)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다.Next, the glass substrate G is conveyed to the transition device 124 by the first substrate conveyance device 120 and is further conveyed to the reduced pressure drying device 131 by the second substrate conveyance device 121. And in the reduced pressure drying device 131, the internal atmosphere is reduced in pressure, and the organic material applied on the glass substrate G is dried. The coating process in this reduced pressure drying device 131 does not need to be performed in a low oxygen, low dew point atmosphere.

다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 저산소 또한 저이슬점 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와, 마찬가지로 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지된 제3 기판 반송 장치(122)의 내부가 연통시켜진다.Next, the glass substrate G is transported to the load lock device 125 by the second substrate transport device 121 . When the glass substrate G is loaded into the load lock device 125, its interior is converted to a low oxygen and low dew point atmosphere. After that, the inside of the load lock device 125 and the inside of the third substrate transfer device 122, which is similarly maintained in a low-oxygen and low-dew point atmosphere, are brought into communication.

다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 소성 장치(132)에 반송된다. 이 소성 장치(132)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 소성 장치(132)에서는, 열판 상에 배치된 유리 기판(G)이 정해진 온도, 예컨대 200℃∼250℃로 가열되어, 상기 유리 기판(G)의 유기 재료가 소성된다. Next, the glass substrate G is transported to the baking device 132 by the third substrate transportation device 122. The interior of this firing device 132 is also maintained in a low-oxygen and low-dew point atmosphere. Then, in the firing device 132, the glass substrate G placed on the hot plate is heated to a predetermined temperature, for example, 200°C to 250°C, and the organic material of the glass substrate G is fired.

다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 온도 조절 장치(134)에 반송된다. 이 온도 조절 장치(134)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 온도 조절 장치(134)에서는, 유리 기판(G)이 정해진 온도, 예컨대 상온으로 온도 조절된다. 이렇게 해서, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)이 형성된다. Next, the glass substrate G is conveyed to the temperature control device 134 by the third substrate conveyance device 122. The interior of this temperature control device 134 is also maintained in a low-oxygen and low-dew point atmosphere. And in the temperature control device 134, the glass substrate G is temperature controlled to a predetermined temperature, for example, room temperature. In this way, the hole transport layer 31 is formed on the glass substrate G (hole injection layer 30).

정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 대기 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와 제2 기판 반송 장치(121)의 내부가 연통시켜진다.The glass substrate G on which the hole transport layer 31 is formed is transported to the load lock device 125 by the third substrate transport device 122. When the glass substrate G is loaded into the load lock device 125, its interior is converted to an atmospheric atmosphere. After that, the interior of the load lock device 125 and the interior of the second substrate transfer device 121 are brought into communication.

다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121), 제1 기판 반송 장치(120), 기판 반송체(112)에 의해 순차 반송되어, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)에 수용된다. 이렇게 해서, 기판 처리 시스템(100)에서의 일련의 유리 기판(G)의 처리가 종료된다.Next, the glass substrate G is sequentially transported by the second substrate transport device 121, the first substrate transport device 120, and the substrate transport body 112, and is placed in the cassette C on the cassette placement table 110. is accepted in In this way, the processing of the series of glass substrates G in the substrate processing system 100 is completed.

한편, 온도 조절 장치(134)에서의 온도 조절이 종료되고, 정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 반입 반출 스테이션(101)의 카세트(C)로 되돌아가지 않고, 버퍼 장치(136)로부터 기판 처리 시스템(100)의 외부로 반출되어도 된다.On the other hand, temperature control in the temperature control device 134 is completed, and the glass substrate G on which the hole transport layer 31 is formed does not return to the cassette C of the loading/unloading station 101, and the buffer device 136 ) may be carried out of the substrate processing system 100.

<3. 저산소 저이슬점 분위기의 제어><3. Control of hypoxic low dew point atmosphere>

다음으로, 로드록 장치(125)의 하류측의 장치, 즉 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 장치에서의 분위기 제어에 대해서 설명한다. 이러한 분위기 제어를 설명하는 데 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 소성 장치(132)의 구성에 대해서 설명한다. Next, atmosphere control in a device downstream of the load lock device 125, that is, a device requiring a low-oxygen, low-dew point atmosphere, will be explained. In explaining this atmosphere control, the configuration of the firing device 132 that requires a low-oxygen, low-dew point atmosphere will be described.

도 5에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(200)를 갖고 있다. 처리 용기(200)의 내부에는, 유리 기판(G)을 수용하여 열처리하는 처리부(210)가 형성되어 있다. 처리부(210)에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(211)이 연직 방향으로 복수 단, 예컨대 15단으로 설치되어 있다. 또한, 처리부(210)의 측방에는, 배치판(211) 상의 유리 기판(G)을 가열하는 히터(212)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 2개 설치되어 있다.As shown in FIG. 5, the firing device 132 has a processing container 200 whose interior can be sealed. Inside the processing container 200, a processing unit 210 is formed to accommodate the glass substrate G and perform heat treatment. In the processing unit 210, a placement plate 211 on which the glass substrate G is placed is installed in a plurality of steps, for example, 15 steps in the vertical direction. Additionally, on the side of the processing unit 210, a plurality of heaters 212, for example, two heaters 212 for heating the glass substrate G on the placement plate 211, are installed in the vertical direction.

또한, 처리 용기(200)의 내부에는, 처리부(210)에 정해진 기체를 공급하는 급기부(220)가 형성되어 있다. 급기부(220)에는, 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(221)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 3개 설치되어 있다. 필터(221)에는, 예컨대 HEPA 필터(High Efficiency ㎩rticulate Air Filter)가 이용된다. 또한, 급기부(220)의 측방에는, 상기 급기부(220)로부터 필터(221)를 통해 처리부(210)에 기체를 송풍하기 위한 팬(222)이 설치되어 있다. Additionally, an air supply unit 220 is formed inside the processing container 200 to supply a predetermined gas to the processing unit 210. In the air supply unit 220, a plurality of filters 221, for example, three, are installed in the vertical direction to remove foreign substances in the gas. For the filter 221, for example, a HEPA filter (High Efficiency Air Filter) is used. Additionally, a fan 222 is installed on the side of the air supply unit 220 to blow gas from the air supply unit 220 through the filter 221 to the processing unit 210.

한편, 처리 용기(200)에 있어서, 배치판(211), 히터(212), 필터(221), 팬(222)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. Meanwhile, in the processing vessel 200, the number and arrangement of the placement plate 211, heater 212, filter 221, and fan 222 can be arbitrarily selected.

도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 처리 용기(200)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 제1 공기 공급부(230)가 급기관(231)을 통해 설치되어 있다. 제1 공기 공급부(230)에는, 예컨대 산소 농도가 대기와 동일한 21%, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 건조 공기가 저류되어 있다. 급기관(231)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 제1 공기 공급부(230)로부터 급기부(220)에 공급된 건조 공기는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(231)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(231)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. As shown in FIGS. 5 and 6 , a first air supply unit 230 that supplies clean dry air is installed in the processing vessel 200 through an air supply pipe 231 . In the first air supply unit 230, for example, dry air at room temperature (23°C ± 1°C) with an oxygen concentration of 21%, the same as that of the atmosphere, and a moisture concentration of 1.029 ppm or less, that is, a dew point temperature of -76°C or less, is stored. It is done. The air supply pipe 231 is connected to the air supply unit 220 through a purifier 263, which will be described later. And, the dry air supplied to the air supply unit 220 from the first air supply unit 230 is supplied to the processing unit 210 by the fan 222 after foreign substances are removed through the filter 221. Meanwhile, the connection location of the air supply pipe 231 is not limited to this embodiment, and for example, the air supply pipe 231 may be directly connected to the air supply unit 220.

처리 용기(200)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 제1 가스 공급부(240)가 급기관(241)을 통해 설치되어 있다. 제1 가스 공급부(240)에는, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 질소 가스가 저류되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 불활성 가스로서 질소 가스를 이용하지만, 저산소 저이슬점 분위기를 실현할 수 있으면, 예컨대 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스를 이용해도 된다. 급기관(241)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 제1 가스 공급부(240)로부터 급기부(220)에 공급된 질소 가스는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(241)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(241)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. A first gas supply unit 240 that supplies nitrogen gas, an inert gas, is installed in the processing vessel 200 through a supply pipe 241. In the first gas supply unit 240, for example, the oxygen concentration is 10 ppm or less, the moisture concentration is 1.029 ppm or less, that is, the dew point temperature is -76°C or less, and nitrogen gas at room temperature (23°C ± 1°C) is stored. . Meanwhile, in this embodiment, nitrogen gas is used as the inert gas, but other inert gases such as argon gas may be used as long as a low-oxygen, low-dew point atmosphere can be achieved. The air supply pipe 241 is connected to the air supply unit 220 through a purifier 263, which will be described later. In addition, the nitrogen gas supplied to the air supply unit 220 from the first gas supply unit 240 is supplied to the processing unit 210 by the fan 222 after foreign substances are removed through the filter 221. Meanwhile, the connection location of the air supply pipe 241 is not limited to this embodiment, and for example, the air supply pipe 241 may be directly connected to the air supply unit 220.

처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 배기하는 제1 배기부(250)가 설치되어 있다. 제1 배기부(250)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 제1 배기부(250)와 처리부(210)는, 배기관(251)을 통해 접속되어 있다. The processing container 200 is provided with a first exhaust unit 250 that exhausts the atmosphere within the processing container 200, or more precisely, the atmosphere within the processing unit 210. In the first exhaust unit 250, a negative pressure generating device such as a vacuum pump is used, for example. The first exhaust unit 250 and the processing unit 210 are connected through an exhaust pipe 251.

처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 제1 가스 순환 시스템(260)이 설치되어 있다. 이 제1 가스 순환 시스템(260)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 제1 가스 순환 시스템(260)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 제1 가스 순환 시스템(260)은, 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)를 갖고 있다. 이들 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)는, 처리부(210)와 급기부(220)를 접속하는 배관(264)에 있어서, 처리부(210)측(상류측)으로부터 이 순서대로 설치되어 있다.The processing vessel 200 is equipped with a first gas circulation system 260 that purifies and returns the atmosphere within the processing vessel 200, or more precisely, the atmosphere within the processing unit 210. Since the atmosphere circulated in this first gas circulation system 260 is mainly nitrogen gas, in the following description, the first gas circulation system 260 is explained as purifying and returning nitrogen gas. The first gas circulation system 260 has a cooler 261, a filter 262, and a purifier 263. These coolers 261, filters 262, and purifiers 263 are arranged in this order from the processing unit 210 side (upstream side) in the pipe 264 connecting the processing unit 210 and the air supply unit 220. It is installed.

냉각기(261)는, 처리부(210)로부터의 질소 가스를 정해진 온도, 예컨대 상온까지 냉각한다. 이 정해진 온도는, 필터(262)나 정제기(263)에 열에 의한 손상을 주지 않는 온도이다. 필터(262)는, 냉각기(261)로 냉각된 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질을 제거한다.The cooler 261 cools the nitrogen gas from the processing unit 210 to a predetermined temperature, for example, room temperature. This set temperature is a temperature that does not cause heat damage to the filter 262 or purifier 263. The filter 262 removes foreign substances such as organic solvents in the nitrogen gas cooled by the cooler 261.

정제기(263)는, 필터(262)에 의해 이물질이 제거된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 도 7에 도시한 바와 같이 정제기(263)에는, 전술한 제1 공기 공급부(230)의 급기관(231)과 제1 가스 공급부(240)의 급기관(241)이 접속되어 있다. 이들 급기관(231, 241)은, 각각 정제기(263) 내의 배관(264)에 있어서 상류측에 접속되어 있다. 또한, 각 급기관(231, 241)에는, 각각 밸브(232, 242)가 설치되어 있다. The purifier 263 removes oxygen and moisture from the nitrogen gas from which foreign substances have been removed by the filter 262. As shown in FIG. 7, the purifier 263 is connected to the air supply pipe 231 of the above-described first air supply unit 230 and the air supply pipe 241 of the first gas supply unit 240. These supply pipes 231 and 241 are respectively connected to the upstream side of the pipe 264 within the purifier 263. Additionally, valves 232 and 242 are installed in each of the air supply pipes 231 and 241, respectively.

배관(264)은, 급기관(231, 241)의 하류측에 있어서, 배관(264a)와 배관(264b)으로 분기되어 있다. 각 배관(264a, 264b)에는, 각각 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(265, 265)가 설치되어 있다. 배관(264a)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되어 급기부(220)에 공급된다. 한편, 배관(264b)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되지 않고 그대로 급기부(220)에 공급된다. The pipe 264 is branched into a pipe 264a and a pipe 264b on the downstream side of the supply pipes 231 and 241. Valves 265 and 265 that control the flow of nitrogen gas are installed in each pipe 264a and 264b, respectively. The nitrogen gas flowing toward the pipe 264a is purified and supplied to the air supply unit 220. On the other hand, the nitrogen gas flowing toward the pipe 264b is supplied to the air supply unit 220 as is without being purified.

배관(264a)은, 밸브(266, 266)를 통해 또한 2개의 배관으로 분기되고, 2개의 정제통(267, 267)에 접속되어 있다. 정제통(267)의 내부에는, 산소나 수분을 제거하기 위한 촉매가 충전되어 있다. 그리고, 질소 가스가 정제통(267)을 통과함으로써, 질소 가스 중의 산소나 수분이 제거되어, 상기 질소 가스가 정제된다. 본 실시형태에서는, 정제통(267)에 의해 질소 가스는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하까지 정제된다. 한편, 정제통(267) 내에서 소정량의 질소 가스를 정제하면 촉매가 열화하기 때문에, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하면서, 다른쪽의 정제통(267)의 촉매를 교환한다. 이 때문에, 정제통(267, 267)을 2개 설치하고 있다.The pipe 264a branches into two pipes through valves 266 and 266 and is connected to two purification containers 267 and 267. The inside of the purification tank 267 is filled with a catalyst for removing oxygen and moisture. Then, as the nitrogen gas passes through the purification tank 267, oxygen and moisture in the nitrogen gas are removed, and the nitrogen gas is purified. In this embodiment, the nitrogen gas is purified by the purification tank 267 to a level lower than the oxygen concentration of the nitrogen gas before entering the purification tank 267. On the other hand, since purifying a predetermined amount of nitrogen gas in the purification tank 267 deteriorates the catalyst, while purifying the nitrogen gas in one purification tank 267, the catalyst in the other purification tank 267 is exchanged. . For this reason, two purification containers 267, 267 are installed.

2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 하류측에 있어서, 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(268)가 급기관(269)을 통해 설치되어 있다. 급기관(269)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(270, 270)가 설치된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. In the two pipes 264a, on the downstream side of the purification tank 267, a gas supply unit 268 that supplies regenerated gas containing hydrogen gas is installed through the supply pipe 269. Valves 270 and 270 that control the flow of regeneration gas are installed in the air supply pipe 269. And, the regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 is supplied to the purification tank 267 through the supply pipe 269 and the pipe 264a. This regeneration gas regenerates the deteriorated catalyst in the refining container 267, thereby regenerating the refining container 267.

또한, 2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 상류측에 있어서, 정제통(267) 내의 재생 가스를 회수하여 배기하는 배기부(271)가 배기관(272)을 통해 설치되어 있다. 배기관(272)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(273, 273)가 설치된다. 배기부(271)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급된 재생 가스는, 정제통(267)을 재생한 후, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다.In addition, in the two pipes 264a, on the upstream side of the purification cylinder 267, an exhaust unit 271 is installed through the exhaust pipe 272 to recover and exhaust the regeneration gas in the purification cylinder 267. Valves 273 and 273 that control the flow of regeneration gas are installed in the exhaust pipe 272. In the exhaust unit 271, a negative pressure generating device such as a vacuum pump is used, for example. Then, the regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 regenerates the refinery cylinder 267 and is then exhausted to the exhaust unit 271 through the pipe 264a and the exhaust pipe 272.

한편, 정제기(263)에는, 새로운 질소 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 예컨대 이 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm 이하인 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 하류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 정제통(267)에서 정제된 질소 가스에, 적절한 산소 농도의 새로운 질소 가스가 더해짐으로써, 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. 한편, 예컨대 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm보다 큰 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 상류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 가스 공급부로부터의 새로운 질소 가스와 처리 용기(200) 내의 질소 가스가 정제통(267)에 있어서 정제됨으로써, 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. On the other hand, the purifier 263 may be provided with a gas supply unit (not shown) for supplying new nitrogen gas. For example, when the oxygen concentration of the new nitrogen gas supplied from this gas supply unit is 10 ppm or less, the gas supply unit is connected to the pipe 264a on the downstream side of the purification tank 267. Then, new nitrogen gas with an appropriate oxygen concentration is added to the nitrogen gas purified in the purification tank 267, so that nitrogen gas with a predetermined oxygen concentration is supplied into the processing container 200. On the other hand, for example, when the oxygen concentration of the new nitrogen gas supplied from the gas supply unit is greater than 10 ppm, the gas supply unit is connected to the pipe 264a on the upstream side of the purification tank 267. Then, the new nitrogen gas from the gas supply unit and the nitrogen gas in the processing container 200 are purified in the purification tank 267, so that nitrogen gas with a predetermined oxygen concentration is supplied into the processing container 200.

도 6에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에는, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(280, 281)와, 처리 용기(200) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(282)가 설치되어 있다. 하나의 산소 농도계(280)와 이슬점 온도계(282)는, 각각 예컨대 제1 가스 순환 시스템(260)의 정제기(263)의 하류측에서의 배관(264)에 설치된다. 또한, 다른 산소 농도계(281)는, 예컨대 처리 용기(200)에 설치된 도어(290)에 설치된다. 한편, 산소 농도계와 이슬점 온도계의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. As shown in FIG. 6, the firing device 132 includes oxygen concentration meters 280 and 281 for measuring the oxygen concentration of the atmosphere within the processing container 200, and a dew point meter for measuring the dew point temperature of the atmosphere within the processing container 200. A thermometer 282 is installed. One oximeter 280 and one dew point thermometer 282 are each installed, for example, in the pipe 264 on the downstream side of the purifier 263 of the first gas circulation system 260. Additionally, another oxygen concentration meter 281 is installed, for example, on the door 290 installed in the processing vessel 200. Meanwhile, the number and arrangement of the oximeter and dew point thermometer can be selected arbitrarily.

산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과는, 각각 제어부(140)에 송신된다. 제어부(140)에서는, 이들 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200) 내의 분위기가 정해진 산소 농도(10 ppm 이하)와 정해진 이슬점 온도(-70℃ 이하)가 되도록, 제1 가스 공급부(240), 제1 배기부(250), 제1 가스 순환 시스템(260)을 제어한다. 한편, 산소 농도계(280, 281)에서 계측 결과가 상이한 경우에는, 양방의 계측 결과가 정해진 산소 농도가 되도록 제어한다. The measurement results of the oximeters 280 and 281 and the measurement results of the dew point thermometer 282 are each transmitted to the control unit 140. Based on these measurement results, the control unit 140 operates the first gas supply unit 240 so that the atmosphere within the processing vessel 200 has a predetermined oxygen concentration (10 ppm or less) and a predetermined dew point temperature (-70°C or less). The first exhaust unit 250 and the first gas circulation system 260 are controlled. On the other hand, when the measurement results from the oximeters 280 and 281 are different, both measurement results are controlled so that they reach a predetermined oxygen concentration.

또한, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스시에는, 처리 용기(200) 내의 저산소 저이슬점 분위기를 대기 분위기로 치환하고 나서 도어(290)를 개방한다. 즉, 제어부(140)는, 산소 농도계(280, 281)의 양방의 계측 결과가 21%에 도달했을 때에, 도어(290)를 개방하도록 제어한다. 이러한 경우, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 21%에 도달하지 않는 동안에는 도어(290)가 개방되지 않기 때문에, 소성 장치(132)의 메인터넌스를 안전하게 행할 수 있다. 한편, 도어(290)에는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과가 표시되는 디스플레이(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. Additionally, for example, during maintenance of the firing device 132, the low-oxygen, low-dew point atmosphere in the processing container 200 is replaced with an atmospheric atmosphere, and then the door 290 is opened. That is, the control unit 140 controls the door 290 to be opened when the measurement results of both the oximeters 280 and 281 reach 21%. In this case, since the door 290 is not opened while the oxygen concentration of the atmosphere in the processing container 200 does not reach 21%, maintenance of the firing device 132 can be performed safely. On the other hand, the door 290 may be provided with a display (not shown) that displays the measurement results of the oximeters 280 and 281.

한편, 소성 장치(132)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다. Meanwhile, the operation of each part of the firing apparatus 132 is controlled by the control unit 140 described above.

다음으로, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서 설명한다. Next, the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 will be described.

온도 조절 장치(134)는, 도 6에 도시한 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(300)를 갖고 있다. 처리 용기(300)의 내부에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 또한 처리 용기(300) 내에 공급되는 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)나 처리 용기(300) 내에 기체를 송부하기 위한 팬(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 한편, 처리 용기(300)의 내부 구성은 임의이며, 여기서는 상세한 설명을 생략한다. The temperature control device 134 has a processing container 300 whose interior can be sealed, as shown in FIG. 6 . Inside the processing container 300, a placement plate (not shown) on which the glass substrate G is placed is installed in multiple stages, and a filter (not shown) is installed to remove foreign substances in the gas supplied into the processing container 300. (not shown) or a fan (not shown) for sending gas into the processing vessel 300 is installed. Meanwhile, the internal configuration of the processing container 300 is arbitrary, and detailed description is omitted here.

제3 기판 반송 장치(122)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(310)를 갖고 있다. 처리 용기(310)의 내부에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다. The third substrate transfer device 122 has a processing container 310 whose interior can be sealed. Inside the processing container 310, a substrate carrier (not shown) is installed to transport the glass substrate G.

이들 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내의 분위기와, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 분위기는, 공통적으로 제어된다.The atmosphere within the processing container 300 of these temperature control devices 134 and the atmosphere within the processing container 310 of the third substrate transfer device 122 are controlled in common.

처리 용기(300, 310)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 제2 공기 공급부(320)가 급기관(321)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 공기 공급부(320)와 급기관(321)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 공기 공급부(230)와 급기관(231)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(321)은, 후술하는 정제기(351)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(321)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(321)은 처리 용기(300) 또는 처리 용기(310)에 직접 접속되어 있어도 된다. A second air supply unit 320 that supplies clean dry air is installed in the processing containers 300 and 310 through an air supply pipe 321. Since the second air supply unit 320 and the air supply pipe 321 are the same as the first air supply unit 230 and the air supply pipe 231 of the above-described firing apparatus 132, their description is omitted. Meanwhile, the air supply pipe 321 is connected to the processing vessel 300 through a purifier 351, which will be described later. However, the connection point of the air supply pipe 321 is not limited to this embodiment, and for example, the air supply pipe 321 It may be directly connected to the silver processing container 300 or the processing container 310.

처리 용기(300, 310)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 제2 가스 공급부(330)가 급기관(331)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 가스 공급부(330)와 급기관(331)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 가스 공급부(240)와 급기관(241)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(331)은, 후술하는 정제기(351)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(331)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(331)은 처리 용기(300) 또는 처리 용기(310)에 직접 접속되어 있어도 된다. A second gas supply unit 330 that supplies nitrogen gas, an inert gas, is installed in the processing containers 300 and 310 through a supply pipe 331. Since the second gas supply unit 330 and the air supply pipe 331 are the same as the first gas supply unit 240 and the air supply pipe 241 of the above-described firing device 132, their description is omitted. Meanwhile, the air supply pipe 331 is connected to the processing vessel 300 through a purifier 351, which will be described later. However, the connection point of the air supply pipe 331 is not limited to this embodiment, and for example, the air supply pipe 331 It may be directly connected to the silver processing container 300 or the processing container 310.

한편, 처리 용기(300)에는, 건조 공기용의 이오나이저나, 질소 가스용의 이오나이저가 설치되어 있어도 된다.Meanwhile, an ionizer for dry air or an ionizer for nitrogen gas may be installed in the processing container 300.

처리 용기(300, 310)에는, 상기 처리 용기(300, 310) 내의 분위기를 배기하는 제2 배기부(340)가 배기관(341)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 배기부(340)와 배기관(341)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 배기부(250)와 배기관(251)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 도시하는 예에서는 배기관(341)은 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 처리 용기(310)에 접속되어 있어도 된다. A second exhaust unit 340 is installed in the processing containers 300 and 310 to exhaust the atmosphere within the processing containers 300 and 310 through an exhaust pipe 341 . Since these second exhaust units 340 and exhaust pipes 341 are the same as the first exhaust units 250 and exhaust pipes 251 of the above-described firing apparatus 132, descriptions are omitted. Meanwhile, in the example shown, the exhaust pipe 341 is connected to the processing container 300, but it may also be connected to the processing container 310.

처리 용기(300, 310)에는, 상기 처리 용기(300, 310) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 제2 가스 순환 시스템(350)이 설치되어 있다. 이 제2 가스 순환 시스템(350)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 제2 가스 순환 시스템(350)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 제2 가스 순환 시스템(350)은, 정제기(351)와 온도 조절기(352)를 갖고 있다. 정제기(351)의 상류측에는, 처리 용기(300)와의 사이를 접속하는 배관(353)과, 처리 용기(310)와의 사이를 접속하는 배관(354)이 설치되어 있다. 온도 조절기(352)는 배관(353)에 설치되어 있다. 또한, 정제기(351)의 하류측에는 배관(355)이 설치되어 있다. 배관(355)은, 처리 용기(300)에 접속되는 배관(356)과, 처리 용기(310)에 접속되는 배관(357)으로 분기되어 있다. The processing containers 300 and 310 are equipped with a second gas circulation system 350 that purifies and returns the atmosphere within the processing containers 300 and 310. Since the atmosphere circulated in this second gas circulation system 350 is mainly nitrogen gas, in the following description, the second gas circulation system 350 is explained as purifying and returning nitrogen gas. The second gas circulation system 350 has a purifier 351 and a temperature controller 352. On the upstream side of the purifier 351, a pipe 353 connected to the processing container 300 and a pipe 354 connected to the processing container 310 are installed. The temperature controller 352 is installed in the pipe 353. Additionally, a pipe 355 is installed on the downstream side of the purifier 351. The pipe 355 is branched into a pipe 356 connected to the processing container 300 and a pipe 357 connected to the processing container 310.

정제기(351)는, 처리 용기(300)로부터 배기된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 정제기(351)의 구성은, 전술한 도 7에 도시한 소성 장치(132)의 정제기(263)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 정제기(351)에는, 전술한 제2 공기 공급부(320)의 급기관(321)과 제2 가스 공급부(330)의 급기관(331)이 접속되어 있다. 또한, 정제기(351)에는, 상기 정제기(351)의 정제통을 재생하기 위한 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(360)가 급기관(361)을 통해 설치되고, 또한 정제통을 재생한 후의 재생 가스를 배기하는 배기부(362)가 배기관(363)을 통해 설치된다. 이들 가스 공급부(360), 급기관(361), 배기부(362), 배기관(363)도, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(268), 급기관(269), 배기부(271), 배기관(272)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. The purifier 351 removes oxygen and moisture in the nitrogen gas exhausted from the processing vessel 300. Since the configuration of the refiner 351 is the same as that of the refiner 263 of the baking device 132 shown in FIG. 7 described above, description is omitted. Additionally, in the purifier 351, the air supply pipe 321 of the above-described second air supply unit 320 and the air supply pipe 331 of the second gas supply unit 330 are connected. In addition, in the purifier 351, a gas supply unit 360 is installed through the supply pipe 361 to supply regeneration gas for regenerating the refinery cylinder of the purifier 351, and also provides regeneration gas after regenerating the refinery cylinder. An exhaust unit 362 that exhausts is installed through the exhaust pipe 363. These gas supply unit 360, supply pipe 361, exhaust unit 362, and exhaust pipe 363 are also the gas supply unit 268, supply pipe 269, and exhaust unit 271 of the above-described firing device 132, respectively. ), because it is the same as the exhaust pipe 272, the description is omitted.

온도 조절기(352)는, 처리 용기(300)로부터 배출되어 정제기(351)에 들어가기 전의 질소 가스를 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절한다.The temperature controller 352 adjusts the nitrogen gas discharged from the processing container 300 and before entering the purifier 351 to a predetermined temperature, for example, room temperature (23°C ± 1°C).

한편, 제2 가스 순환 시스템(350)에는, 전술한 소성 장치(132)의 필터(262)와 마찬가지로, 정제기(351)로 정제하기 전의 질소 가스 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. Meanwhile, in the second gas circulation system 350, like the filter 262 of the above-described firing device 132, a filter (not shown) is installed to remove foreign substances in the nitrogen gas before purification by the purifier 351. It can be done.

온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에는, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(370, 371)와, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(372)가 설치되어 있다. 이들 산소 농도계(370, 371)와 이슬점 온도계(372)의 구성이나 배치는, 각각 전술한 소성 장치(132)의 산소 농도계(280, 281)와 이슬점 온도계(282)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 이들 산소 농도계(370, 371)와 이슬점 온도계(372)를 이용한, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기 제어와 처리 용기(300, 310)에 설치된 도어(380)의 제어도, 전술한 소성 장치(132)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.The temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 include oximeters 370 and 371 that measure the oxygen concentration of the atmosphere within the processing containers 300 and 310, and oxygen concentration meters 370 and 371 that measure the oxygen concentration of the atmosphere within the processing containers 300 and 310. A dew point thermometer 372 is installed to measure the dew point temperature. The configuration and arrangement of these oximeters 370 and 371 and the dew point thermometer 372 are the same as the oximeters 280 and 281 and the dew point thermometer 282 of the above-described firing device 132, respectively, so description is omitted. . In addition, the control of the atmosphere in the processing containers 300, 310 using these oxygen concentration meters 370, 371 and the dew point thermometer 372 and the control of the door 380 installed in the processing containers 300, 310 are also used for the above-described firing. Since it is the same as the device 132, description is omitted.

한편, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다.Meanwhile, the operations of each part of the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 are controlled by the control unit 140 described above.

또한, 버퍼 장치(136)에 있어서도, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)와 동일한 분위기 제어가 행해져도 된다.Additionally, in the buffer device 136 , the same atmosphere control as that in the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 may be performed.

다음으로, 이상과 같이 구성된 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서 행해지는 분위기 제어에 대해서 설명한다. 상기 분위기 제어는, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 2단계로 행해진다. 제1 운전 모드는, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시에 행해지는 운전 모드이며, 구체적으로는 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때의 운전 모드이다. 제2 운전 모드는, 통상 조업시의 운전 모드이다. Next, the atmosphere control performed in the firing device 132, the temperature control device 134, and the third substrate transfer device 122 configured as described above will be explained. The atmosphere control is performed in two stages: a first operation mode and a second operation mode. The first operation mode is, for example, an operation mode that is performed upon startup of each device 132, 134, and 122. Specifically, the atmosphere in the processing containers 200, 300, and 310 is changed from an atmospheric state to a state in which each device 132, This is the operation mode when starting up 134, 122). The second operation mode is an operation mode during normal operation.

먼저, 제1 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 8에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터 처리 용기(200) 내에 질소 가스를 공급하고, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 산소 농도 21%의 대기 분위기로부터 질소 가스로 치환된다.First, the first driving mode will be described. As shown in FIG. 8, in the firing device 132, nitrogen gas is supplied into the processing vessel 200 from the first gas supply unit 240, and the inside of the processing vessel 200 is purged by the first exhaust unit 250. Exhaust. Then, the atmosphere within the processing container 200 is replaced with nitrogen gas from an atmospheric atmosphere with an oxygen concentration of 21%.

마찬가지로 제1 가스 순환 시스템(260)에 있어서도, 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다. 이때, 도 9에 도시한 바와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)에서는, 질소 가스를 배관(264b)측으로 흘리며, 정제통(267)을 통과시키지 않는다. 산소 농도가 높은 분위기를 정제통(267)에 통과시키면, 상기 정제통(267)의 촉매가 곧 열화되어 버리기 때문에, 제1 운전 모드에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스를 이용하여 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다.Similarly, in the first gas circulation system 260, the atmosphere in the pipe 264 is replaced with nitrogen gas. At this time, as shown in FIG. 9, in the first gas circulation system 260, nitrogen gas flows toward the pipe 264b and does not pass through the purification tank 267. When an atmosphere with a high oxygen concentration is passed through the purification vessel 267, the catalyst in the purification vessel 267 is immediately deteriorated. Therefore, in the first operation mode, nitrogen gas from the first gas supply unit 240 is used. The atmosphere in the pipe 264 is replaced with nitrogen gas.

그리고, 제1 운전 모드는, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 산소 농도가 각각 예컨대 100 ppm이 될 때까지 행해진다. 여기서, 제1 운전 모드에서는 제1 가스 공급부(240)로부터 질소 가스를 공급하지만, 제2 운전 모드에서는 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그러면, 질소 가스의 소비량을 가능한 한 적게 하기 위해서는, 제1 운전 모드의 운전 시간을 가능한 한 짧게 하는 것이 바람직하다. 그래서, 제1 운전 모드는, 산소 농도가 목표인 10 ppm 이하에 도달할 때까지는 행하지 않고, 제2 운전 모드에서 산소 농도를 목표인 10 ppm 이하로 할 수 있을 정도로 행한다. 한편, 제1 운전 모드에서 산소 농도를 어디까지 낮출지는, 임의로 설정할 수 있다.Then, the first operation mode is performed until the oxygen concentrations in the atmosphere within the processing vessel 200 and the atmosphere within the pipe 264 respectively reach, for example, 100 ppm. Here, in the first operation mode, nitrogen gas is supplied from the first gas supplier 240, but in the second operation mode, the supply of nitrogen gas from the first gas supplier 240 is stopped. Then, in order to reduce the consumption of nitrogen gas as much as possible, it is desirable to make the operation time of the first operation mode as short as possible. Therefore, the first operation mode is not performed until the oxygen concentration reaches the target 10 ppm or less, and the second operation mode is performed to the extent that the oxygen concentration can be adjusted to the target 10 ppm or less. Meanwhile, the extent to which the oxygen concentration is lowered in the first operation mode can be arbitrarily set.

한편, 제1 운전 모드를 행함으로써, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 이슬점 온도에 대해서는, 각각 목표 이슬점 온도인 -70℃ 이하가 된다.Meanwhile, by performing the first operation mode, the dew point temperatures of the atmosphere within the processing vessel 200 and the atmosphere within the pipe 264 become -70°C or lower, which is the target dew point temperature.

제1 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 동일한 분위기 제어가 행해진다. 즉, 제2 가스 공급부(330)로부터 처리 용기(300, 310) 내에 질소 가스를 공급하고, 제2 배기부(340)에 의해 처리 용기(300, 310) 내를 배기한다. 마찬가지로 제2 가스 순환 시스템(350)에 있어서도, 배관(353∼357) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다. 그리고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도가 100 ppm이 되고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 이슬점 온도가 -70℃ 이하가 된다. In the first operation mode, the same atmosphere control as the atmosphere control for the above-described baking device 132 is performed also in the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122. That is, nitrogen gas is supplied into the processing containers 300 and 310 from the second gas supply unit 330 , and the inside of the processing containers 300 and 310 is exhausted through the second exhaust unit 340 . Similarly, in the second gas circulation system 350, the atmosphere in the pipes 353 to 357 is replaced with nitrogen gas. Then, the oxygen concentration of the atmosphere within the processing containers 300 and 310 becomes 100 ppm, and the dew point temperature of the atmosphere within the processing containers 300 and 310 becomes -70°C or lower.

다음으로, 제2 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 이때, 후술하는 바와 같이 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 하기 위해, 제1 배기부(250)에 의한 배기를 정지하지 않고, 상기 압력 관계를 제어할 정도로 처리 용기(200) 내를 배기한다.Next, the second operation mode will be described. As shown in FIG. 10, in the firing device 132, the supply of nitrogen gas from the first gas supply unit 240 is stopped. At this time, as will be described later, in order to make the pressure in the processing container 200 more negative than the pressure in the processing containers 300 and 310, the pressure relationship can be controlled without stopping the exhaust by the first exhaust unit 250. The inside of the processing vessel 200 is evacuated to this extent.

또한, 제1 가스 순환 시스템(260)을 이용하여, 처리 용기(200) 내의 질소 가스를 정제하고, 정제된 질소 가스를 처리 용기(200) 내로 되돌린다. 구체적으로는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스를 냉각기(261)로 정해진 온도까지 냉각한다. 계속해서, 냉각된 질소 가스는 필터(262)를 통과하여, 상기 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질이 제거된다. 그리고, 도 11에 도시한 바와 같이 정제기(263)에 있어서, 질소 가스를 배관(264a)측으로 흘려, 정제통(267)을 통과시킨다. 정제통(267)에서는 질소 가스의 산소와 수분이 제거되어, 질소 가스가 정제된다. 정제통(267)에서 정제된 질소 가스의 산소 농도는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하로 되어 있다. 이와 같이 정제된 질소 가스는, 처리 용기(200)로 되돌아간다. 이 제1 가스 순환 시스템(260)에서의 질소 가스의 정제를 계속해서 행하며, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도는, 목표인 10 ppm 이하가 된다. Additionally, the nitrogen gas in the processing container 200 is purified using the first gas circulation system 260, and the purified nitrogen gas is returned to the processing container 200. Specifically, the nitrogen gas exhausted from the processing container 200 is cooled to a predetermined temperature by the cooler 261. Subsequently, the cooled nitrogen gas passes through the filter 262, and foreign substances such as organic solvents in the nitrogen gas are removed. Then, as shown in FIG. 11, in the purifier 263, nitrogen gas flows toward the pipe 264a and passes through the purification tank 267. In the purification tank 267, oxygen and moisture from the nitrogen gas are removed, and the nitrogen gas is purified. The oxygen concentration of the nitrogen gas purified in the purification tank 267 is below the oxygen concentration of the nitrogen gas before entering the purification tank 267. The nitrogen gas purified in this way is returned to the processing container 200. Purification of the nitrogen gas is continued in the first gas circulation system 260, and the oxygen concentration in the atmosphere within the processing container 200 becomes the target of 10 ppm or less.

한편, 본 실시형태에서는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스는 하나의 정제통(267)을 통과하여 정제되지만, 상기 질소 가스의 정제시에는 2개의 정제통(267, 267)을 동시에 이용해도 된다. 전술한 바와 같이 제1 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 100 ppm이 되고, 제2 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 10 ppm 이하가 된다. 이 산소 농도를 100 ppm으로부터 10 ppm으로 하기까지의 동안, 예컨대 2개의 정제통(267, 267)에 질소 가스를 통과시키면, 상기 질소 가스를 효율적으로 정제할 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, the nitrogen gas exhausted from the processing container 200 is purified by passing through one purification container 267, but when purifying the nitrogen gas, two purification containers 267 and 267 are used simultaneously. It's okay too. As described above, in the first operation mode, the oxygen concentration in the atmosphere within the processing vessel 200 becomes 100 ppm, and in the second operation mode, the oxygen concentration in the atmosphere within the processing vessel 200 becomes 10 ppm or less. For example, if nitrogen gas is passed through the two purification tanks 267 and 267 while the oxygen concentration is lowered from 100 ppm to 10 ppm, the nitrogen gas can be efficiently purified.

또한, 제2 운전 모드에 있어서, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하고 있는 동안에, 다른쪽의 열화된 정제통(267)을 재생해도 된다. 예컨대 도 10 및 도 11에 있어서 점선으로 나타낸 바와 같이, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. 또한 정제통(267)을 재생한 후의 재생 가스는, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다. 이러한 경우, 예컨대 정제통(267)이 열화된 경우, 상기 정제통(267)을 재생하고 있는 동안에, 다른 정제통(267)을 이용하여 질소 가스를 정제할 수 있다. 즉, 정제통(267)을 재생 중에도 운전을 정지시킬 필요가 없어, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Additionally, in the second operation mode, while nitrogen gas is being purified in one refinery container 267, the other deteriorated refinery container 267 may be regenerated. For example, as indicated by a dotted line in FIGS. 10 and 11 , the regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 is supplied to the purification tank 267 through the supply pipe 269 and the pipe 264a. The deteriorated catalyst in the refining tank 267 is regenerated by this regeneration gas, and the refining tank 267 is regenerated. Additionally, the regenerated gas after regenerating the purification tank 267 is exhausted to the exhaust unit 271 through the pipe 264a and the exhaust pipe 272. In this case, for example, when the refining canister 267 is deteriorated, nitrogen gas can be purified using another refining canister 267 while the refining canister 267 is being regenerated. In other words, there is no need to stop the operation of the tablet container 267 even during regeneration, and the throughput of substrate processing can be improved.

그리고, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200) 내의 분위기가 정해진 산소 농도와 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 유리 기판(G)의 소성 처리가 적절히 행해진다. Then, in the second operation mode, the glass substrate G is appropriately calcined while the atmosphere in the processing container 200 is maintained at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature.

제2 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 거의 동일한 분위기 제어가 행해진다. 즉, 제2 가스 공급부(330)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고, 또한 제2 가스 순환 시스템(350)을 이용하여, 처리 용기(300, 310) 내의 질소 가스를 정제하며, 정제된 질소 가스를 처리 용기(300, 310) 내로 되돌린다. 한편 이때, 소성 장치(132)에서의 분위기 제어와 달리, 제2 배기부(340)에 의한 배기를 정지한다. 이것은, 처리 용기(300, 310) 내의 질소 가스를 낭비하지 않고 리사이클하기 위함이지만, 후술하는 바와 같이 처리 용기(300, 310) 내의 압력을 처리 용기(200) 내의 압력보다 양압으로 하기 위함이기도 하다. 그리고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도는 목표인 10 ppm 이하가 된다. 따라서, 온도 조절 장치(134)에서의 유리 기판(G)의 온도 조절과, 제3 기판 반송 장치(122)에서의 유리 기판(G)의 반송이, 각각 적절히 행해진다. In the second operation mode, almost the same atmosphere control as the atmosphere control for the above-described baking device 132 is performed also in the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122. That is, the supply of nitrogen gas from the second gas supply unit 330 is stopped, the nitrogen gas in the processing containers 300 and 310 is purified using the second gas circulation system 350, and the purified nitrogen gas is purified. Return it into the processing containers (300, 310). Meanwhile, at this time, unlike the atmosphere control in the firing device 132, exhaust by the second exhaust unit 340 is stopped. This is to recycle the nitrogen gas in the processing containers 300 and 310 without wasting it, but is also to make the pressure in the processing containers 300 and 310 more positive than the pressure in the processing container 200, as will be described later. And, the oxygen concentration of the atmosphere within the processing containers 300 and 310 becomes the target of 10 ppm or less. Therefore, temperature control of the glass substrate G in the temperature control device 134 and transportation of the glass substrate G in the third substrate transportation device 122 are respectively performed appropriately.

제2 운전 모드는, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 목표의 산소 농도와 목표의 이슬점 온도에 도달한 후에도, 계속해서 행해진다. 즉, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드는 계속해서 행해진다. The second operation mode continues even after the atmosphere within the processing vessels 200, 300, and 310 reaches the target oxygen concentration and target dew point temperature. That is, during normal operation, the second operation mode is continuously performed.

한편, 제2 운전 모드를 종료하고, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행할 때에는, 제1 가스 순환 시스템(260)에 의한 처리 용기(200) 내의 분위기의 리사이클을 정지한다. 그리고, 제1 공기 공급부(230)로부터 건조 공기를 공급하고, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 질소 가스(저산소 저이슬점 분위기)로부터 산소 농도 21%의 건조 공기로 치환된다. 그 후, 대기 분위기하에서 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행하고, 상기 메인터넌스가 종료되면, 재차, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드를 행하여, 처리 용기(200) 내를 정해진 저산소 저이슬점 분위기로 유지한다. 한편, 이 제2 운전 모드를 종료한 후의 분위기 제어에 대해서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서도 동일하게 행해진다.On the other hand, when the second operation mode is terminated and, for example, maintenance of the firing device 132 is performed, recycling of the atmosphere in the processing container 200 by the first gas circulation system 260 is stopped. Then, dry air is supplied from the first air supply unit 230 and the inside of the processing container 200 is exhausted through the first exhaust unit 250. Then, the atmosphere within the processing container 200 is replaced from nitrogen gas (low-oxygen, low-dew point atmosphere) to dry air with an oxygen concentration of 21%. Thereafter, maintenance of the firing device 132 is performed in an atmospheric atmosphere, and when the maintenance is completed, the first operation mode and the second operation mode are performed again to maintain the inside of the processing vessel 200 in a predetermined low-oxygen, low-dew point atmosphere. do. Meanwhile, the atmosphere control after terminating this second operation mode is performed in the same manner for the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122.

본 실시형태에 의하면, 제1 운전 모드에 있어서 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하여, 상기 분위기의 산소 농도를 어느 정도까지 낮춘다. 계속해서, 제2 운전 모드에 있어서, 가스 순환 시스템(260, 350)을 이용하여 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기를 정제하고, 상기 분위기를 정해진 산소 농도와 정해진 이슬점 온도로 한다. 이 때문에, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 적절한 저산소 저이슬점 분위기로 유지되고, 상기 처리 용기(200, 300, 310) 내에서의 유리 기판(G)의 열처리나 반송을 적절히 행할 수 있다.According to this embodiment, in the first operation mode, the atmosphere in the processing containers 200, 300, and 310 is replaced with nitrogen gas, and the oxygen concentration in the atmosphere is lowered to a certain extent. Subsequently, in the second operation mode, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 is purified using the gas circulation systems 260 and 350, and the atmosphere is set to a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature. For this reason, in the second operation mode, the atmosphere within the processing containers 200, 300, and 310 is maintained at an appropriate low-oxygen, low dew point atmosphere, and the glass substrate G within the processing containers 200, 300, and 310 is maintained. Heat treatment and conveyance can be performed appropriately.

또한, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드에서는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 제어되기 때문에, 상기 분위기가 보다 확실하게 저산소 저이슬점 분위기로 유지된다. In addition, in the first operation mode and the second operation mode, the atmosphere in the processing containers 200, 300, and 310 is controlled based on the measurement results of the oximeters 280 and 281 and the measurement results of the dew point thermometer 282. Therefore, the atmosphere is more reliably maintained as a low-oxygen, low-dew point atmosphere.

게다가, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시, 즉 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때에만, 제1 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 330)로부터 처리 용기(200, 300, 310) 내에 질소 가스를 공급하고, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 330)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고 있다. 따라서, 질소 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)의 열처리와 반송을 효율적으로 행할 수 있다. In addition, for example, only when each device 132, 134, and 122 is started, that is, when each device 132, 134, and 122 is started from a state in which the atmosphere in the processing vessel 200, 300, and 310 is an atmospheric atmosphere, the first 1 operation mode is executed to supply nitrogen gas into the processing containers 200, 300, 310 from the gas supply units 240, 330, and during normal operation, the second operation mode is executed to supply nitrogen gas from the gas supply units 240, 330. The supply of nitrogen gas is stopped. Therefore, the consumption of nitrogen gas can be reduced to a small amount, and the heat treatment and transportation of the glass substrate G can be performed efficiently.

또한, 소성 장치(132)와, 온도 조절 장치(134) 및 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서, 전술한 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 분위기 제어는 각각 개별적으로 행해진다. 이 때문에, 예컨대 소성 장치(132)만을 메인터넌스하는 경우라도, 다른 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서는, 통상 조업을 계속할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In addition, in the firing device 132, the temperature control device 134, and the third substrate transfer device 122, the atmosphere control of the above-described first operation mode and the second operation mode is performed separately. For this reason, for example, even when only the baking device 132 is maintained, normal operation can be continued for the other temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122. Accordingly, the throughput of substrate processing in the substrate processing system 100 can be improved.

또한, 기판 처리 시스템(100)에서는, 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서만, 저산소 저이슬점 분위기가 되고 있다. 그리고, 다른 장치인 제1 기판 반송 장치(120), 제2 기판 반송 장치(121), 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131)에는, 질소 가스가 공급되지 않으며, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있지 않다. 이와 같이 저산소 저이슬점 분위기가 필요한 열처리(반송)에만 질소 가스가 이용되기 때문에, 질소 가스의 소비량을 보다 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)에 대한 정공 수송층(31)의 형성 처리를 더욱 효율적으로 행할 수 있다.Additionally, in the substrate processing system 100, only the firing device 132, the temperature control device 134, and the third substrate transfer device 122 are in a low-oxygen, low-dew point atmosphere. In addition, nitrogen gas is not supplied to the other devices, such as the first substrate transfer device 120, the second substrate transfer device 121, the coating device 130, and the reduced pressure drying device 131, and are maintained in a low oxygen, low dew point atmosphere. It is not done. In this way, since nitrogen gas is used only for heat treatment (transfer) that requires a low-oxygen, low-dew point atmosphere, the consumption of nitrogen gas can be suppressed to a smaller amount, and the formation process of the hole transport layer 31 on the glass substrate G can be further improved. It can be done efficiently.

다음으로, 전술한 제2 운전 모드에서의 기류에 대해서, 도 10에 기초하여 설명한다. 도 10 중의 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다. 제2 운전 모드에서는, 도 10에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력은, 대기보다 양압이며, 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내와 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 압력보다 음압으로 되어 있다. 즉, 제3 기판 반송 장치(122)로부터 소성 장치(132)로 향하는 기류가 발생한다. 이러한 압력 관계의 제어는, 전술한 바와 같이 제2 운전 모드에 있어서, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기하여, 상기 처리 용기(200) 내의 압력을 낮춤으로써 행해진다. Next, the airflow in the above-described second operation mode will be explained based on FIG. 10. The arrow in FIG. 10 indicates the direction of the airflow. In the second operation mode, as shown in FIG. 10, the pressure inside the processing vessel 200 of the firing device 132 is a positive pressure compared to the atmosphere, and the inside of the processing vessel 300 of the temperature control device 134 and the third substrate The pressure is more negative than the pressure inside the processing container 310 of the transfer device 122. That is, an airflow from the third substrate transfer device 122 to the firing device 132 is generated. As described above, control of this pressure relationship is performed by exhausting the inside of the processing vessel 200 using the first exhaust unit 250 in the second operation mode to lower the pressure within the processing vessel 200. .

이러한 경우, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 청정하지 않은 분위기가, 제3 기판 반송 장치(122)로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그러면, 이 청정하지 않은 분위기가, 제3 기판 반송 장치(122)를 통해, 상기 제3 기판 반송 장치(122)의 상류측으로 흐르는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 적절히 행할 수 있다.In this case, it is possible to prevent the unclean atmosphere in the processing container 200 of the firing device 132 from flowing into the third substrate transfer device 122 . Then, this unclean atmosphere can be suppressed from flowing through the third substrate transfer device 122 to the upstream side of the third substrate transfer device 122 . Therefore, the glass substrate G can be appropriately processed in the substrate processing system 100.

한편, 제3 기판 반송 장치(122) 내의 분위기는 상온이기 때문에, 상기 분위기가 소성 장치(132)에 대량으로 흐르면, 소성 장치(132) 내의 분위기의 온도가 저하되어 버린다. 이 때문에, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력과, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 압력의 압력차는, 약간 정도인 것이 바람직하다. On the other hand, since the atmosphere in the third substrate transfer device 122 is at room temperature, if a large amount of the atmosphere flows into the firing device 132, the temperature of the atmosphere within the firing device 132 decreases. For this reason, it is preferable that the pressure difference between the pressure within the processing container 200 of the firing device 132 and the pressure within the processing container 310 of the third substrate transfer device 122 is about a small amount.

<4. 다른 실시형태><4. Other Embodiments>

이상의 실시형태에서는, 제2 운전 모드에 있어서 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 하기 위해, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내의 배기를 행하고 있었으나, 상기 압력 관계를 유지하는 방법은 이것에 한정되지 않는다.In the above embodiment, in the second operation mode, in order to make the pressure inside the processing container 200 more negative than the pressure inside the processing containers 300 and 310, the first exhaust unit 250 exhausts the inside of the processing container 200. However, the method of maintaining the above pressure relationship is not limited to this.

예컨대 도 12에 도시한 바와 같이, 배기부(271)에 의해 배관(264) 내의 분위기, 즉 처리 용기(200) 내의 분위기를 배기해도 된다. 이러한 경우, 처리 용기(200) 내의 압력이 내려가기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다. For example, as shown in FIG. 12 , the atmosphere within the pipe 264 , that is, the atmosphere within the processing container 200 , may be exhausted through the exhaust unit 271 . In this case, because the pressure inside the processing container 200 decreases, the pressure inside the processing container 200 can be made more negative than the pressure inside the processing containers 300 and 310.

또한, 예컨대 도 13에 도시한 바와 같이 필터(262)와 정제기(263) 사이의 배관(264)과, 처리 용기(310)와 정제기(351) 사이의 배관(354)을 접속하는 배관(400)을 별도로 설치해도 된다. 이러한 경우, 도 14에 도시한 바와 같이 냉각기(261)에 의해 정해진 온도까지 냉각되고, 또한 필터(262)에 의해 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질이 제거된 질소 가스는, 배관(400, 354)을 통해 정제기(351)에 유입된다. 그리고, 질소 가스는 정제기(351)로 정제되고, 처리 용기(300, 310) 내로 되돌아간다. 이와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를, 처리 용기(300)와 처리 용기(310)에 공급하기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다.In addition, for example, as shown in FIG. 13, a pipe 400 connects the pipe 264 between the filter 262 and the purifier 263 and the pipe 354 between the processing vessel 310 and the purifier 351. You can install it separately. In this case, as shown in FIG. 14, the nitrogen gas cooled to a predetermined temperature by the cooler 261 and from which foreign substances such as organic solvents in the nitrogen gas have been removed by the filter 262 are routed through the pipes 400 and 354. It flows into the purifier 351 through . Then, the nitrogen gas is purified by the purifier 351 and returned to the processing containers 300 and 310. In this way, since the nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied to the processing container 300 and the processing container 310, the pressure in the processing container 200 is lower than the pressure in the processing containers 300 and 310. This can be done with negative pressure.

또한, 예컨대 도 15에 도시한 바와 같이 정제기(263)와 처리 용기(200) 사이의 배관(264)과, 정제기(351)와 처리 용기(310) 사이의 배관(357)을 접속하는 배관(410)을 별도로 설치해도 된다. 이러한 경우, 도 16에 도시한 바와 같이 정제기(263)에 의해 정제된 질소 가스는, 배관(410, 357)을 통해 처리 용기(310) 내에 유입된다. 이와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를 처리 용기(310) 내에 공급하기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를 처리 용기(310) 내에 공급하고 있었으나, 처리 용기(300)에 공급해도 되고, 또는 처리 용기(200, 310) 사이의 셔터(133)에 공급해도 된다. In addition, for example, as shown in FIG. 15, a pipe 410 connects the pipe 264 between the purifier 263 and the processing vessel 200 and the pipe 357 between the purifier 351 and the processing vessel 310. ) can be installed separately. In this case, as shown in FIG. 16, nitrogen gas purified by the purifier 263 flows into the processing container 310 through the pipes 410 and 357. In this way, since the nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied into the processing container 310, the pressure within the processing container 200 can be made more negative than the pressure inside the processing containers 300 and 310. Meanwhile, in this embodiment, the nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied into the processing container 310, but it may be supplied to the processing container 300 or may be supplied to the processing container 300 between the processing containers 200 and 310. You may supply it to the shutter 133.

또한, 예컨대 가스 공급부(268, 360)로부터 공급되는 질소 가스를 이용하여, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 압력을 미세 조절해도 된다.Additionally, the pressure within the processing containers 200, 300, and 310 may be finely adjusted using, for example, nitrogen gas supplied from the gas supply units 268 and 360.

이상의 기판 처리 시스템(100)은, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 처리를 행하고 있었으나, 상기 기판 처리 시스템(100)을 이용하여, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성해도 된다. 발광층(32)을 형성할 때에도, 유리 기판(G)의 열처리[발광층(32)의 소성 처리와 유리 기판(G)의 온도 조절 처리]에 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구된다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)을 이용하면, 유리 기판(G)에 대한 발광층(32)의 형성 처리를 적절히 또한 효율적으로 행할 수 있다.The above substrate processing system 100 performs a process of forming the hole transport layer 31 on the glass substrate G. However, using the substrate processing system 100, the light emitting layer 32 is formed on the glass substrate G. You can form it. Even when forming the light-emitting layer 32, a low-oxygen, low-dew point atmosphere is required in the heat treatment of the glass substrate G (baking treatment of the light-emitting layer 32 and temperature control treatment of the glass substrate G). Therefore, by using the substrate processing system 100, the formation process of the light emitting layer 32 on the glass substrate G can be appropriately and efficiently performed.

또한, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)과, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)을 접속하여 일체화해도 된다. 또한, 유리 기판(G)에 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템을 접속하여 일체화해도 된다. 한편, 정공 주입층(30)을 형성하는 처리는 저산소 저이슬점 분위기가 불필요하며, 상기 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템은, 상기 기판 처리 시스템(100)에서의 질소 가스의 공급이나 질소 가스의 리사이클이 생략된 것이 된다.Additionally, the substrate processing system 100 for forming the hole transport layer 31 on the glass substrate G and the substrate processing system 100 for forming the light emitting layer 32 on the glass substrate G may be connected and integrated. Additionally, a substrate processing system for forming the hole injection layer 30 on the glass substrate G may be connected and integrated. Meanwhile, the process for forming the hole injection layer 30 does not require a low-oxygen, low-dew point atmosphere, and the substrate processing system for forming the hole injection layer 30 uses the supply of nitrogen gas from the substrate processing system 100 or Recycling of nitrogen gas is omitted.

한편, 전자 수송층(33)과 전자 주입층(34)은, 기판 처리 시스템(100)의 외부에 있어서 증착법에 의해 유리 기판(G) 상에 형성되어도 되고, 정공 수송층(31)과 마찬가지로 기판 처리 시스템(100)에 있어서 유리 기판(G) 상에 형성되어도 된다.On the other hand, the electron transport layer 33 and the electron injection layer 34 may be formed on the glass substrate G by a vapor deposition method outside the substrate processing system 100, and, like the hole transport layer 31, may be formed on the substrate processing system 100. In (100), it may be formed on the glass substrate (G).

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. Above, preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these examples. It is clear that a person skilled in the art can think of various changes or modifications within the scope of the idea described in the claims, and it is understood that these naturally fall within the technical scope of the present invention.

1: 유기 발광 다이오드 10: 양극
30: 정공 주입층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 전자 수송층
34: 전자 주입층 40: 음극
100: 기판 처리 시스템 101: 반입 반출 스테이션
102: 처리 스테이션 120: 제1 기판 반송 장치
121: 제2 기판 반송 장치 122: 제3 기판 반송 장치
130: 도포 장치 131: 감압 건조 장치
132: 소성 장치 134: 온도 조절 장치
140: 제어부 200, 300, 310: 처리 용기
230: 제1 공기 공급부 240: 제1 가스 공급부
250: 제1 배기부 260: 제1 가스 순환 시스템
261: 냉각기 262: 필터
263, 351: 정제기
264, 353, 354, 355, 356, 357: 배관
267: 정제통 268, 360: 가스 공급부
271, 362: 배기부 280, 281, 370, 371: 산소 농도계
282, 372: 이슬점 온도계 290, 380: 도어
320: 제2 공기 공급부 330: 제2 가스 공급부
340: 제2 배기부 350: 제2 가스 순환 시스템
352: 온도 조절기 G: 유리 기판1: organic light emitting diode 10: anode
30: hole injection layer 31: hole transport layer
32: light emitting layer 33: electron transport layer
34: electron injection layer 40: cathode
100: substrate processing system 101: loading/unloading station
102: Processing station 120: First substrate transfer device
121: second substrate transfer device 122: third substrate transfer device
130: Applicator 131: Reduced pressure drying device
132: firing device 134: temperature control device
140: Control unit 200, 300, 310: Processing vessel
230: first air supply unit 240: first gas supply unit
250: first exhaust part 260: first gas circulation system
261: cooler 262: filter
263, 351: Refiner
264, 353, 354, 355, 356, 357: Plumbing
267: Refinery tank 268, 360: Gas supply unit
271, 362: exhaust unit 280, 281, 370, 371: oximeter
282, 372: Dew point thermometer 290, 380: Door
320: second air supply unit 330: second gas supply unit
340: second exhaust unit 350: second gas circulation system
352: Temperature controller G: Glass substrate

Claims (26)

유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 수용하는 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와,
상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제통을 갖는 정제기와, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 제1 배관을 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템과,
상기 처리 용기 내와 상기 제1 배관 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제1 배관에는, 상기 가스 공급부가 접속되고,
상기 제1 배관은, 상기 정제기의 내부에 있어서, 상기 정제통이 설치되는 제2 배관과, 상기 정제통이 설치되지 않는 제3 배관으로 분기되고,
상기 제어부는,
상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 제1 배관 내 및 상기 제3 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 제2 배관 및 상기 정제통을 통과하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. A heat treatment device for heat treating the substrate after applying an organic layer of an organic light emitting diode on the substrate, comprising:
a processing container for accommodating a substrate;
a gas supply unit that supplies an inert gas into the processing container;
an exhaust unit that exhausts the inside of the processing vessel;
A purifier having a purification tank for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container, and a first pipe connecting the processing container and the purification device, the gas circulation returns the atmosphere purified by the purifier into the processing container. system,
It has a control unit that controls the atmosphere within the processing vessel and the first pipe,
The gas supply unit is connected to the first pipe,
The first pipe, inside the purifier, branches into a second pipe in which the purification cylinder is installed and a third pipe in which the purification cylinder is not installed,
The control unit,
An inert gas is supplied into the processing vessel from the gas supply unit, the inside of the processing vessel is exhausted by the exhaust unit, and the atmosphere within the processing vessel is replaced with the inert gas, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point is lower than that of the atmosphere. A first step in a low-temperature atmosphere,
The supply of the inert gas from the gas supply unit is stopped, and the atmosphere purified by the purifier is returned to the processing vessel using the gas circulation system, and the atmosphere in the processing vessel is maintained at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature. The second process to maintain
Controlling the gas supply unit, the exhaust unit, and the gas circulation system to perform,
In the first process, the control unit replaces the atmosphere in the first pipe and the third pipe with an inert gas using the inert gas supplied from the gas supply unit, so that the oxygen concentration is lower than that in the atmosphere and the atmosphere is in the atmosphere. Control to an atmosphere with a lower dew point temperature,
The heat treatment apparatus, wherein the control unit controls the atmosphere in the processing vessel to not pass through the second pipe and the purification vessel in the first process. 제1항에 있어서, 상기 정제기는,
복수의 상기 정제통과,
상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와,
상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며,
상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 1, wherein the purifier,
Passing a plurality of the above tablets,
Another gas supply unit that supplies regenerated gas containing hydrogen gas to the refinery tank,
It has another exhaust part that exhausts the inside of the purification tank,
In the second process, the control unit purifies the atmosphere in the processing vessel in one refinery vessel while supplying regeneration gas from the other gas supply unit to the other refinery vessel, and supplies the regeneration gas to the other purification vessel through the other exhaust unit. A heat treatment apparatus, characterized in that controlling another gas supply part and the other exhaust part to exhaust the inside and regenerate the other refinery can. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은,
상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와,
상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1 or 2, wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer,
The gas circulation system is,
A cooler for cooling the atmosphere before being purified by the purifier;
A heat treatment apparatus further comprising a filter for removing foreign substances in the atmosphere after cooling with the cooler but before purification with the purifier. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 1 or 2, wherein the heat treatment is a temperature control treatment that adjusts the temperature of the substrate,
The heat treatment apparatus, wherein the gas circulation system further includes a temperature controller that adjusts the temperature of the atmosphere within the processing vessel. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와,
상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 1 or 2, comprising: an oximeter for measuring the oxygen concentration of the atmosphere within the processing vessel;
It further has a dew point thermometer for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel,
The heat treatment apparatus, wherein the control unit controls the atmosphere in the processing vessel based on the measurement results of the oximeter and the dew point thermometer. 제5항에 있어서, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 5, further comprising a door for opening and closing the inside of the processing container to the outside,
The heat treatment apparatus, wherein the control unit controls opening and closing of the door based on measurement results of the oximeter. 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비한 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 포함하며,
상기 제2 공정에 있어서 상기 처리 용기 내의 분위기가 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 상기 처리 용기 내에 있어서 기판의 열처리가 행해지고,
상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제통을 가지고,
상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 제1 배관을 더 가지고,
상기 제1 배관에는, 상기 가스 공급부가 접속되고,
상기 제1 배관은, 상기 정제기의 내부에 있어서, 상기 정제통이 설치되는 제2 배관과, 상기 정제통이 설치되지 않는 제3 배관으로 분기되고,
상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 제1 배관 내 및 상기 제3 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하고,
상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기는 상기 제2 배관 및 상기 정제통을 통과하지 않는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. A heat treatment method of applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat treating the substrate, comprising:
An inert gas is supplied into the processing vessel from a gas supply unit, the processing vessel is exhausted by an exhaust unit, and the atmosphere within the processing vessel is replaced with an inert gas, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point temperature is lower than that of the atmosphere. A first process using atmosphere,
Stopping the supply of inert gas from the gas supply unit and returning the atmosphere purified by the purifier into the processing container using a gas circulation system including a purifier that removes oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container, A second step of maintaining the atmosphere in the processing vessel at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature,
In the second process, heat treatment of the substrate is performed in the processing container while the atmosphere in the processing container is maintained at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature,
The purifier has a purification tank that removes oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel,
The gas circulation system further has a first pipe connecting the processing vessel and the purifier,
The gas supply unit is connected to the first pipe,
The first pipe, inside the purifier, branches into a second pipe in which the purification cylinder is installed and a third pipe in which the purification cylinder is not installed,
In the first process, the atmosphere in the first pipe and the third pipe is replaced with an inert gas by the inert gas supplied from the gas supply unit, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point temperature is lower than that of the atmosphere. Controlled by low atmosphere,
In the first step, the heat treatment method is characterized in that the atmosphere in the processing vessel does not pass through the second pipe and the purification tank. 제7항에 있어서, 상기 정제기는, 복수의 상기 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며,
상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.8. The method of claim 7, wherein the purifier has a plurality of purification cylinders, another gas supply section for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purification cylinders, and another exhaust section for exhausting the inside of the purification cylinders,
In the second process, while purifying the atmosphere in the processing vessel in one purification vessel, regeneration gas is supplied to the other purification vessel from the other gas supply unit, and the inside of the purification vessel is exhausted by the other exhaust unit. , A heat treatment method characterized in that the other purification vessel is recycled. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며,
상기 가스 순환 시스템에서는, 냉각기로 상기 처리 용기 내의 분위기를 냉각하고, 또한 냉각된 분위기 중의 이물질을 필터로 제거한 후, 상기 정제기로 분위기를 정제하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method according to claim 7 or 8, wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer,
In the gas circulation system, the atmosphere in the processing vessel is cooled by a cooler, foreign substances in the cooled atmosphere are removed by a filter, and then the atmosphere is purified by the purifier. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며,
상기 가스 순환 시스템에서는, 온도 조절기로 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 7 or 8, wherein the heat treatment is a temperature control treatment that adjusts the temperature of the substrate,
A heat treatment method characterized in that, in the gas circulation system, the temperature of the atmosphere in the processing vessel is controlled by a temperature controller. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1 공정과 상기 제2 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계의 계측 결과와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기가 제어되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method according to claim 7 or 8, wherein in the first process and the second process, the measurement result of an oximeter measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel and the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel are measured. A heat treatment method, wherein the atmosphere in the processing vessel is controlled based on the measurement results of a dew point thermometer. 제11항에 있어서, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어의 개폐가 제어되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The heat treatment method according to claim 11, wherein the opening and closing of the door for opening and closing the inside of the processing vessel to the outside is controlled based on the measurement result of the oximeter. 제7항 또는 제8항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는, 기록 매체에 저장된 프로그램.A program stored in a recording medium that operates on a computer of a control unit that controls the heat treatment apparatus so that the heat treatment method according to claim 7 or 8 is executed by the heat treatment apparatus. 제13항에 기재된 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.A readable computer storage medium storing the program according to claim 13. 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템으로서,
상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 또한 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와,
상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와,
상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치와,
상기 소성 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지고
상기 소성 장치에는,
상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,
상기 소성 장치 내를 배기하는 제1 배기부와,
상기 소성 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제통을 갖는 정제기와, 상기 소성 장치와 상기 정제기를 접속하는 제1 배관을 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리는 제1 가스 순환 시스템이 설치되며,
상기 제1 배관에는, 상기 제1 가스 공급부가 접속되고,
상기 제1 배관은, 상기 정제기의 내부에 있어서, 상기 정제통이 마련되는 제2 배관과, 상기 정제통이 마련되지 않는 제3 배관으로 분기되고,
상기 제어부는,
상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제1 배기부에 의해 상기 소성 장치 내를 배기하며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 제1 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기에서 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 제1 가스 공급부, 상기 제1 배기부 및 상기 제1 가스 순환 시스템을 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 제1 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 제1 배관 내 및 상기 제3 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하며,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 소성 장치 내의 분위기가 상기 제2 배관 및 상기 정제통을 통과하지 않도록 제어하고,
상기 온도 조절 장치와 상기 기판 반송 장치에는,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하는 제2 배기부와,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리는 제2 가스 순환 시스템이 설치되며,
상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기는 공통적으로, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.A substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, comprising:
A firing device for firing the organic layer after applying the organic layer on a substrate and drying the organic layer;
a temperature control device for controlling the temperature of the substrate after firing the organic layer with the firing device;
a substrate transfer device that transfers a substrate to the firing device and the temperature control device;
Has a control unit that controls the atmosphere in the firing device
In the firing device,
a first gas supply unit that supplies an inert gas into the firing device;
a first exhaust section that exhausts the inside of the firing apparatus;
A purifier having a purification tank for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the firing apparatus, a first pipe connecting the firing apparatus and the purifier, and a first pipe for returning the atmosphere purified by the purifier into the firing apparatus. A gas circulation system is installed,
The first gas supply unit is connected to the first pipe,
The first pipe, inside the purifier, branches into a second pipe in which the purification cylinder is provided and a third pipe in which the purification cylinder is not provided,
The control unit,
An inert gas is supplied into the firing apparatus from the first gas supply part, the inside of the firing apparatus is exhausted by the first exhaust part, and the atmosphere in the firing apparatus is replaced with an inert gas, so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere, Additionally, a first step of creating an atmosphere with a dew point temperature lower than that of the atmosphere,
The supply of the inert gas from the first gas supply unit is stopped, the atmosphere purified in the purifier is returned to the firing apparatus using the first gas circulation system, and the atmosphere in the firing apparatus is maintained at a predetermined oxygen concentration. Second process to maintain the dew point temperature at a predetermined level
Controlling the first gas supply unit, the first exhaust unit, and the first gas circulation system to perform,
In the first process, the control unit replaces the atmosphere in the first pipe and the third pipe with an inert gas using an inert gas supplied from the first gas supply unit, so that the oxygen concentration is lower than that in the atmosphere, In addition, it is controlled in an atmosphere with a lower dew point temperature than the atmosphere.
In the first process, the control unit controls the atmosphere in the firing device not to pass through the second pipe and the purification tank,
In the temperature control device and the substrate transfer device,
a second gas supply unit supplying an inert gas within the temperature control device and the substrate transfer device;
a second exhaust section that exhausts the inside of the temperature control device and the substrate transfer device;
A second gas circulation system is provided with a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere within the temperature control device and the substrate transfer device, and returns the atmosphere purified by the purifier into the temperature control device and the substrate transfer device. It is installed,
A substrate processing system, wherein the atmosphere in the temperature control device and the atmosphere in the substrate transfer device are maintained in common at an atmosphere with a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew point temperature lower than the atmosphere. 제15항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력은, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 압력보다 음압인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 15, wherein the pressure within the firing device is a negative pressure than the pressure within the temperature control device and the substrate transfer device. 제16항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 소성 장치 내를 배기하여 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 16, wherein the pressure within the firing apparatus is adjusted by exhausting the inside of the firing apparatus. 제16항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 제1 가스 순환 시스템을 흐르는 분위기를, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 공급하여 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 16, wherein the pressure in the firing device is adjusted by supplying an atmosphere flowing through the first gas circulation system into the temperature control device and the substrate transfer device. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 제2 가스 공급부로부터 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제2 배기부에 의해 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하며, 상기 온도 조절 장치 내와 기판 반송 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제3 공정과,
상기 제2 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제2 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리며, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제4 공정
을 행하도록, 상기 제2 가스 공급부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The method of any one of claims 15 to 18, wherein the control unit,
An inert gas is supplied into the temperature control device and the substrate transfer device from the second gas supply unit, and the inside of the temperature control device and the substrate transfer device are exhausted by the second exhaust unit. and a third step of replacing the atmosphere in the substrate transfer device with an inert gas to create an atmosphere with a lower oxygen concentration than the atmosphere and a lower dew point temperature than the atmosphere,
The supply of the inert gas from the second gas supply unit is stopped, and the atmosphere purified by the purifier is returned to the temperature control device and the substrate transfer device using the second gas circulation system, and the temperature control device A fourth process of maintaining the atmosphere inside the substrate transfer device at a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature.
A substrate processing system, characterized in that the second gas supply unit, the second exhaust unit, and the second gas circulation system are controlled to perform. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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