KR20150114410A - Heat treatment apparatus, heat treatment method, computer storage medium and substrate processing system - Google Patents

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KR20150114410A
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도시후미 나스
마사유키 다마에
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

An objective of the present invention is to effectively form an organic layer of an organic LED on a substrate. The present invention comprises: a first driving mode, wherein nitrogen gas is supplied inside a processing container (200) from a first gas supplying part (240), the gas inside the processing container (200) is discharged by a first exhausting part (250), and an atmosphere inside the processing container (200) is substituted to the nitrogen gas, thereby having a lower oxygen concentration and a lower dew-point temperature than an atmosphere outside the processing container; and a second driving more, wherein the nitrogen gas supplied from the first supplying part (240) is stopped, a refined atmosphere by a refiner (263) is returned to the inside of the processing container (200) by using a first gas circulation system (260), thereby maintaining the atmosphere inside the processing container (200) to a predetermined oxygen concentration and dew-point temperature.

Description

열처리 장치, 열처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템{HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a heat treatment apparatus, a heat treatment method, a computer storage medium,

본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치, 상기 열처리 장치를 이용한 열처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체, 및 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat treating the substrate, a heat treatment method using the heat treatment apparatus, a program, a computer storage medium, and an organic layer of an organic light emitting diode To a substrate processing system.

유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는, 유기 EL(Electroluminescence)의 발광을 이용한 발광 다이오드이다. 최근, 이 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 박형 경량, 저소비전력이며, 또한 응답 속도, 시야각, 콘트라스트비의 면에서 우수하다는 등의 이점을 갖고 있기 때문에, 차세대의 플랫 패널 디스플레이(FPD)로서 주목받고 있다.Organic light emitting diodes (OLEDs) are light emitting diodes that emit light from organic EL (Electroluminescence). In recent years, organic EL displays using such organic light emitting diodes have advantages such as being thin and lightweight, low power consumption, and excellent in terms of response speed, viewing angle and contrast ratio. Therefore, as a next generation flat panel display (FPD) It is attracting attention.

유기 발광 다이오드는, 예컨대 기판 상의 양극과 음극 사이에, 유기층인 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 양극측으로부터 이 순서로 적층된 구조를 갖고 있다. 이러한 유기 발광 다이오드를 제조할 때, 특정한 유기층에 대해서는, 상기 유기층의 발광 효율이 저하되거나, 발광 수명이 짧아지는 등의 유기층의 열화를 억제하기 위해, 저산소 또한 저이슬점의 분위기하에서의 처리가 요구된다.The organic light emitting diode has a structure in which a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer, which are organic layers, are stacked in this order from the anode side, for example, between the anode and the cathode on the substrate. In the production of such an organic light emitting diode, a specific organic layer is required to be treated in a low-oxygen and low-dew point atmosphere in order to suppress the deterioration of the organic layer, such as lowering the luminous efficiency of the organic layer or shortening the luminescent lifetime.

그래서, 예컨대 특허문헌 1에는, 이러한 저산소 저이슬점 분위기를 유지하는 것을 목적으로 한 유기 EL 디스플레이의 제조 장치가 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1의 제조 장치는, 밀봉 챔버 내부에 설치된 유기 EL 제조 라인과, 밀봉 챔버 내부에 질소 가스를 공급하는 수단과, 밀봉 챔버 내부에 공급된 질소 가스를 필터에 통과시켜 밀봉 챔버 내부로 되돌리는 수단을 갖고 있다.Thus, for example, Patent Document 1 discloses an apparatus for manufacturing an organic EL display for the purpose of maintaining such a low-oxygen low-dew point atmosphere. Specifically, the manufacturing apparatus of Patent Document 1 includes an organic EL manufacturing line provided inside the sealing chamber, means for supplying nitrogen gas into the sealing chamber, nitrogen gas supplied into the sealing chamber through the filter, And has means for returning it to the inside.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-140721호 공보[Patent Document 1] JP-A-2013-140721

그러나, 특허문헌 1에 기재된 제조 장치에서는, 유기 EL 제조 라인의 모든 처리에 있어서 저산소 저이슬점 분위기가 유지되기 때문에, 이러한 분위기 제어가 필요하지 않은 처리에 대해서도 저산소 저이슬점 분위기가 유지된다. 이 때문에, 예컨대 제조 장치의 기동시에는, 대량의 질소 가스가 필요하게 되어, 유기 EL 디스플레이의 제조 비용이 고액화한다. 특히, 최근의 유기 EL 디스플레이의 대형화에 따라, 챔버의 사이즈가 커지고 있으며, 질소 가스의 소비량의 영향은 현저히 나타난다.However, in the production apparatus described in Patent Document 1, since the low-oxygen low-dew point atmosphere is maintained in all the processes of the organic EL production line, the low-oxygen low-dew point atmosphere is maintained even for such a process that does not require the atmosphere control. For this reason, for example, a large amount of nitrogen gas is required at the time of starting the manufacturing apparatus, and the manufacturing cost of the organic EL display becomes high. Particularly, with the recent enlargement of the organic EL display, the size of the chamber becomes larger, and the influence of the consumption amount of the nitrogen gas becomes remarkable.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 효율적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to efficiently form an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하고 있다. In order to accomplish the above object, the present invention provides a heat treatment apparatus for applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat-treating the substrate, the apparatus comprising: a processing vessel accommodating a substrate; A gas circulation system having an evacuation unit for evacuating the inside of the processing vessel and a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel and returning the atmosphere purified by the purifier to the processing vessel; And a control unit for controlling an atmosphere in the processing vessel, wherein the control unit supplies an inert gas into the processing vessel from the gas supply unit, exhausts the inside of the processing vessel by the discharge unit, The oxygen concentration is lower than that of the atmosphere and the dew point temperature is lower than that of the atmosphere And a gas circulating system for returning the atmosphere purified by the purifier to the processing vessel, wherein the atmosphere in the processing vessel is set to a predetermined And the gas circulation system and the gas circulation system are controlled so as to perform the second step of maintaining the oxygen concentration at the predetermined dew point temperature.

발명자들이 예의 검토한 결과, 특정한 유기층, 예컨대 정공 수송층과 발광층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리할 때에, 저산소 또한 저이슬점의 분위기가 필요한 것을 알았다. 본 발명에 의하면, 이러한 열처리에 있어서, 제1 공정에서 처리 용기의 분위기를 불활성 가스로 치환하고, 제2 공정에서 처리 용기의 분위기를 리사이클한다. 그리고, 이 제2 공정에 있어서, 처리 용기 내의 분위기가 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 기판의 열처리를 적절히 행할 수 있다.As a result of intensive investigations, the inventors have found that when a specific organic layer such as a hole transporting layer and a light emitting layer is coated on a substrate and then the substrate is subjected to heat treatment, an atmosphere of low oxygen concentration and low dew point is required. According to the present invention, in this heat treatment, the atmosphere of the processing vessel is replaced with an inert gas in the first step, and the atmosphere of the processing vessel is recycled in the second step. In this second step, the substrate can be appropriately heat-treated in a state in which the oxygen concentration in the atmosphere in the processing vessel is maintained at the predetermined dew point temperature.

또한, 예컨대 열처리 장치의 기동시, 즉 처리 용기 내의 분위기를 대기 분위기의 상태로부터 기동시킬 때에만, 상기 제1 공정을 실행하여 가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급한다. 한편, 통상 조업시에는, 상기 제2 공정을 실행하여 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지할 수 있다. 따라서, 불활성 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 기판의 열처리를 효율적으로 행할 수 있다. Further, for example, only when the heat treatment apparatus is started, that is, when the atmosphere in the treatment vessel is activated from the atmospheric state, the first step is executed to supply the inert gas into the treatment vessel from the gas supply unit. On the other hand, at the time of normal operation, the second process can be executed to stop the supply of the inert gas from the gas supply unit. Therefore, the consumption amount of the inert gas can be suppressed to a small amount, and the heat treatment of the substrate can be performed efficiently.

상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어해도 된다. Wherein the gas circulation system further comprises a piping connecting the processing vessel and the purifier, wherein the control unit is operable, in the first step, to purify the atmosphere in the piping by an inert gas supplied from the gas supply unit The atmosphere may be controlled to have an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere.

상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 정제기를 통과하지 않도록 제어해도 된다. The control unit may control the atmosphere in the processing container not to pass through the purifier in the first step.

상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어해도 된다. Wherein the purifier includes a plurality of purifier passages for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container, another gas supplier for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purifier bar, and another exhaust part for exhausting the inside of the purifier container Wherein the control unit supplies the regeneration gas from the other gas supply unit to the other purifier while purifying the atmosphere in the processing container in one purifier in the second process, The inside of the purifier may be evacuated so as to regenerate the other purifier, and the other gas supplier and the other purifier may be controlled.

상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와, 상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖고 있어도 된다. Wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer, the gas circulation system comprising: a cooler for cooling the atmosphere before being refined by the refiner; and a filter for removing the foreign matter in the atmosphere after being cooled by the cooler, May have more filters.

상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖고 있어도 된다. The heat treatment may be a temperature regulation treatment for regulating the temperature of the substrate, and the gas circulation system may further comprise a temperature regulator for regulating the temperature of the atmosphere in the treatment vessel.

상기 열처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어해도 된다. Wherein the heat treatment apparatus further comprises an oxygen concentration meter for measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel and a dew point thermometer for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel, And the atmosphere in the processing container may be controlled based on the measurement result of the thermometer.

상기 열처리 장치는, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어해도 된다. The heat treatment apparatus may further include a door for opening and closing the inside of the processing container with respect to the outside, and the control section may control opening and closing of the door based on the measurement result of the oxygen concentration meter.

다른 관점에 의한 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비한 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 갖고, 상기 제2 공정에 있어서 상기 처리 용기 내의 분위기가 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 상기 처리 용기 내에 있어서 기판의 열처리가 행해지는 것을 특징으로 하고 있다.In another aspect of the present invention, there is provided a heat treatment method for applying heat to an organic layer of an organic light emitting diode and then heat-treating the substrate, the method comprising: supplying inert gas from the gas supply unit into the processing vessel; A first step of replacing the atmosphere in the processing vessel with an inert gas to form an atmosphere having a lower oxygen concentration than that of the atmosphere and a lower dew point temperature than the atmosphere; and a second step of stopping the supply of the inert gas from the gas supply unit And an atmosphere in the processing vessel is returned to the processing vessel by using a gas circulation system including a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel and the atmosphere in the processing vessel is set to a predetermined dew point And a second step of maintaining the temperature at the second step, Characterized in that the substrate is heat-treated in the processing vessel in a state in which the oxygen concentration in the atmosphere in the vessel is also maintained at a predetermined dew point temperature.

상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어해도 된다.Wherein the gas circulation system further comprises a pipe connecting the processing container and the purifier, wherein in the first process, the atmosphere in the pipe is replaced with an inert gas by an inert gas supplied from the gas supply unit, It may be controlled to an atmosphere having a lower oxygen concentration and a lower dew point temperature than the atmosphere.

상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기는 상기 정제기를 통과하지 않도록 해도 된다.In the first step, the atmosphere in the processing container may not pass through the purifier.

상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생해도 된다.Wherein the purifier includes a plurality of purifier passages for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container, another gas supplier for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purifier bar, and another exhaust part for exhausting the inside of the purifier container Wherein in the second step, while the atmosphere in the processing container is being purified in one of the purifying tanks, regeneration gas is supplied to the other purifying tanks from the other gas supplying portion, and the inside of the purifying tanks And the other purifier can be regenerated.

상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며, 상기 가스 순환 시스템에서는, 냉각기로 상기 처리 용기 내의 분위기를 냉각하고, 또한 냉각된 분위기 중의 이물질을 필터로 제거한 후, 상기 정제기로 분위기를 정제해도 된다.The heat treatment may be a firing treatment for firing the organic layer. In the gas circulation system, the atmosphere in the processing chamber may be cooled with a cooler, the foreign substances in the cooled atmosphere may be removed by a filter, and the atmosphere may be purified by the purifier .

상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며, 상기 가스 순환 시스템에서는, 온도 조절기로 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절해도 된다. The heat treatment may be a temperature regulation process for regulating the temperature of the substrate. In the gas circulation system, the temperature of the atmosphere in the process container may be controlled by a temperature controller.

상기 제1 공정과 상기 제2 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계의 계측 결과와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기가 제어되도록 해도 된다. Based on the measurement results of the oxygen concentration meter for measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel and the measurement results of the dew point temperature meter for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel in the first step and the second step, The atmosphere in the processing container may be controlled.

상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어의 개폐가 제어되도록 해도 된다. The opening and closing of the door for opening and closing the inside of the processing container with respect to the outside may be controlled based on the measurement result of the oxygen concentration meter.

또한 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is also provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the heat treatment apparatus so that the heat treatment method is executed by a heat treatment apparatus.

또 다른 관점에 의한 본 발명에 의하면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.

또한 다른 관점에 의한 본 발명은, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템으로서, 상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 또한 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와, 상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와, 상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 가지며, 상기 소성 장치에는, 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 소성 장치 내를 배기하는 제1 배기부와, 상기 소성 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리는 제1 가스 순환 시스템이 설치되며, 상기 소성 장치 내의 분위기는, 대기보다 낮은 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되고, 상기 온도 조절 장치와 상기 기판 반송 장치에는, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하는 제2 배기부와, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하며, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리는 제2 가스 순환 시스템이 설치되고, 상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기는 공통적으로, 대기보다 낮은 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 것을 특징으로 하고 있다.Another aspect of the present invention is a substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate, comprising: a sintering apparatus for applying the organic layer on a substrate, drying the organic layer, A temperature control device for controlling the temperature of the substrate after the firing of the organic layer with the firing device and a substrate transfer device for transferring the substrate to the firing device and the temperature control device, And a purifier for removing oxygen and moisture from the atmosphere in the firing apparatus, wherein the atmosphere purified by the purifier is subjected to the firing A first gas circulation system for returning to the inside of the apparatus is installed, and the atmosphere in the above- Oxygen concentration and a predetermined dew-point temperature lower than the atmospheric temperature, wherein the temperature control device and the substrate transfer device are provided with a second gas supply part for supplying an inert gas into the temperature control device and the substrate transfer device, A second exhaust part for exhausting the inside of the temperature control device and the substrate transfer device; and a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the temperature control device and the substrate transfer device, wherein the atmosphere purified by the purifier A second gas circulation system is provided in the temperature regulation device and returned to the substrate transfer device. The atmosphere in the temperature regulation device and the atmosphere in the substrate transfer device are commonly set to a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere, And is maintained in an atmosphere having a predetermined dew point temperature.

상기 소성 장치 내의 압력은, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 압력보다 음압이어도 된다.The pressure in the firing apparatus may be negative in pressure within the temperature regulating apparatus and the substrate transfer apparatus.

상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 소성 장치 내를 배기하여 행해져도 된다. The adjustment of the pressure in the firing apparatus may be performed by exhausting the firing apparatus.

상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 제1 가스 순환 시스템을 흐르는 분위기를, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 공급하여 행해져도 된다. The adjustment of the pressure in the firing device may be performed by supplying an atmosphere flowing through the first gas circulation system into the temperature control device and the substrate transfer device.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 소성 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제1 배기부에 의해 상기 소성 장치 내를 배기하며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 제1 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 제1 가스 공급부, 상기 제1 배기부 및 상기 제1 가스 순환 시스템을 제어해도 된다.Wherein the substrate processing system further comprises a control unit for controlling an atmosphere in the firing apparatus, wherein the control unit is configured to supply an inert gas into the firing apparatus from the first gas supply unit, A first step of replacing the atmosphere in the firing apparatus with an inert gas to form an atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and having a dew point lower than that of the atmosphere; and a second step of supplying the inert gas from the first gas supply unit So as to perform a second step of returning the atmosphere purified by the purifier to the firing apparatus by using the first gas circulation system and maintaining the atmosphere in the firing apparatus at a predetermined dew point temperature, The first gas supply unit, the first exhaust unit, and the first gas circulation system may be controlled.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며, 상기 제어부는, 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제2 배기부에 의해 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하며, 상기 온도 조절 장치 내와 기판 반송 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과, 상기 제2 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제2 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리며, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 정해진 산소 농도 또한 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 행하도록, 상기 제2 가스 공급부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 순환 시스템을 제어해도 된다. Wherein the substrate processing system further includes a control unit for controlling an atmosphere in the temperature control device and an atmosphere in the substrate transfer device, wherein the control unit controls the temperature of the substrate, And the second exhaust unit exhausts the inside of the temperature regulating apparatus and the inside of the substrate transfer apparatus and substitutes the atmosphere in the temperature regulating apparatus and the substrate transfer apparatus with an inert gas so that the oxygen concentration is lower And a second step of stopping the supply of the inert gas from the second gas supply unit and controlling the atmosphere purified by the purifier to the temperature And the substrate is returned to the inside of the adjusting device and the substrate carrying device, The atmosphere in the apparatus defined oxygen concentration for also performing the second step of maintaining a predetermined dew point temperature, the second gas supply, and may control the second exhaust section and the second gas circulation system.

본 발명에 의하면, 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 적절히 또한 효율적으로 형성할 수 있다.According to the present invention, an organic layer of an organic light emitting diode can be appropriately and efficiently formed on a substrate.

도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 공정을 도시한 플로우차트이다.
도 2는 유기 발광 다이오드의 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 유기 발광 다이오드의 격벽의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 5는 소성 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 6은 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 7은 정제기의 구성의 개략을 도시한 모식도이다.
도 8은 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 9는 제1 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 10은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 11은 제2 운전 모드에서의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 12는 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 13은 다른 실시형태에서의 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 14는 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다.
도 15는 다른 실시형태에서의 소성 장치, 온도 조절 장치, 및 제3 기판 반송 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 16은 다른 실시형태에서의 제2 운전 모드의 분위기 제어를 도시한 설명도이다. 1 is a flow chart showing a main process of a method of manufacturing an organic light emitting diode.
2 is a side view showing an outline of the configuration of the organic light emitting diode.
3 is a plan view schematically showing a configuration of a partition wall of an organic light emitting diode.
4 is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
5 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a firing apparatus.
Fig. 6 is an explanatory diagram showing the outline of the configuration of the firing apparatus, the temperature control apparatus, and the third substrate transfer apparatus.
7 is a schematic diagram showing the outline of the configuration of the purifier.
8 is an explanatory diagram showing the atmosphere control in the first operation mode.
Fig. 9 is an explanatory view showing the atmosphere control in the first operation mode. Fig.
Fig. 10 is an explanatory view showing the atmosphere control in the second operation mode. Fig.
Fig. 11 is an explanatory view showing the atmosphere control in the second operation mode. Fig.
Fig. 12 is an explanatory diagram showing the atmosphere control of the second operation mode in another embodiment. Fig.
Fig. 13 is an explanatory diagram showing the outline of the configurations of the firing apparatus, the temperature control apparatus, and the third substrate transfer apparatus in another embodiment.
Fig. 14 is an explanatory view showing the atmosphere control of the second operation mode in another embodiment. Fig.
Fig. 15 is an explanatory diagram showing the outline of the configuration of the firing apparatus, the temperature control apparatus, and the third substrate transfer apparatus in another embodiment.
Fig. 16 is an explanatory view showing the atmosphere control in the second operation mode in another embodiment. Fig.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. On the other hand, the present invention is not limited to the embodiments described below.

<1. 유기 발광 다이오드의 제조 방법><1. Manufacturing Method of Organic Light Emitting Diode>

먼저, 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 도 1은 유기 발광 다이오드의 제조 방법의 주된 처리 플로우를 도시하고 있다.First, a method of manufacturing an organic light emitting diode will be described. FIG. 1 shows a main processing flow of a method of manufacturing an organic light emitting diode.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 유기 발광 다이오드(1)를 제조할 때에는, 기판으로서의 유리 기판(G) 상에 양극(애노드)(10)이 형성된다(도 1의 공정 S1). 양극(10)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 양극(10)에는, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이 이용된다.  2, an anode (anode) 10 is formed on a glass substrate G as a substrate (step S1 in FIG. 1). The anode 10 is formed using, for example, a vapor deposition method. On the other hand, for the anode 10, a transparent electrode made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is used.

그 후, 양극(10) 상에 도 3에 도시한 바와 같이 격벽(20)이 형성된다(도 1의 공정 S2). 격벽(20)은, 예컨대 포토리소그래피 처리 및 에칭 처리를 행함으로써 정해진 패턴으로 패터닝되어 있다. 그리고 격벽(20)에는, 슬릿형의 개구부(21)가 열방향(X방향)과 행방향(Y방향)으로 복수 나란히 형성되어 있다. 이 개구부(21)의 내부에 있어서, 후술하는 바와 같이 복수의 유기층(30∼34)과 음극(40)이 적층되어 화소가 형성된다. 한편, 격벽(20)에는, 예컨대 감광성 폴리이미드 수지가 이용된다. Thereafter, a partition 20 is formed on the anode 10 as shown in Fig. 3 (step S2 in Fig. 1). The barrier ribs 20 are patterned in a predetermined pattern by, for example, photolithography and etching. In the partition 20, a plurality of slit-shaped openings 21 are formed in parallel in the column direction (X direction) and the row direction (Y direction). In the inside of the opening 21, a plurality of organic layers 30 to 34 and a cathode 40 are stacked to form pixels as described later. On the other hand, for the partition 20, for example, photosensitive polyimide resin is used.

그 후, 격벽(20)의 개구부(21) 내에 있어서, 도 2에 도시한 바와 같이 양극(10) 상에 복수의 유기층(30∼34)이 형성된다. 구체적으로는, 양극(10) 상에 유기층인 정공 주입층(30)이 형성되고(도 1의 공정 S3), 정공 주입층(30) 상에 유기층인 정공 수송층(31)이 형성되며(도 1의 공정 S4), 정공 수송층(31) 상에 유기층인 발광층(32)이 형성되고(도 1의 공정 S5), 발광층(32) 상에 유기층인 전자 수송층(33)이 형성되며(도 1의 공정 S6), 전자 수송층(33) 상에 유기층인 전자 주입층(34)이 형성된다(도 1의 공정 S7). Subsequently, a plurality of organic layers 30 to 34 are formed on the anode 10 in the opening 21 of the partition 20 as shown in Fig. Specifically, a hole injection layer 30, which is an organic layer, is formed on the anode 10 (step S3 in FIG. 1), and a hole transport layer 31 as an organic layer is formed on the hole injection layer 30 The electron transporting layer 33 as an organic layer is formed on the light emitting layer 32 (step S5 of FIG. 1), and the light emitting layer 32 is formed on the light emitting layer 32 S6), and an electron injection layer 34 as an organic layer is formed on the electron transporting layer 33 (step S7 in Fig. 1).

그 후, 전자 주입층(34) 상에 음극(캐소드)(40)이 형성된다(도 1의 공정 S8). 음극(40)은, 예컨대 증착법을 이용하여 형성된다. 한편, 음극(40)에는, 예컨대 알루미늄이 이용된다. Thereafter, a cathode (cathode) 40 is formed on the electron injection layer 34 (step S8 in Fig. 1). The cathode 40 is formed using, for example, a vapor deposition method. On the other hand, for the cathode 40, for example, aluminum is used.

이렇게 하여 제조된 유기 발광 다이오드(1)에서는, 양극(10)과 음극(40) 사이에 전압을 인가함으로써, 정공 주입층(30)에서 주입된 소정 수량의 정공이 정공 수송층(31)을 통해 발광층(32)에 수송되고, 또한 전자 주입층(34)에서 주입된 소정 수량의 전자가 전자 수송층(33)을 통해 발광층(32)에 수송된다. 그리고, 발광층(32) 내에서 정공과 전자가 재결합해서 여기 상태의 분자를 형성하여, 상기 발광층(32)이 발광한다.In the thus fabricated organic light emitting diode 1, by applying a voltage between the anode 10 and the cathode 40, a predetermined number of holes injected from the hole injection layer 30 are injected through the hole transport layer 31 into the light- And a predetermined number of electrons injected from the electron injection layer 34 are transported to the emission layer 32 through the electron transport layer 33. [ Then, holes and electrons are recombined in the light emitting layer 32 to form molecules in an excited state, and the light emitting layer 32 emits light.

<2. 기판 처리 시스템><2. Substrate processing system>

다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(100)에 대해서 설명한다. 도 4는 기판 처리 시스템(100)의 구성의 개략을 도시한 설명도이다. 한편, 기판 처리 시스템(100)에서 처리되는 유리 기판(G) 상에는 미리 양극(10), 격벽(20) 및 정공 주입층(30)이 형성되어 있고, 상기 기판 처리 시스템(100)에서는 정공 수송층(31)이 형성된다. Next, the substrate processing system 100 according to the present embodiment will be described. Fig. 4 is an explanatory diagram showing the outline of the configuration of the substrate processing system 100. Fig. On the other hand, an anode 10, a partition wall 20 and a hole injection layer 30 are formed in advance on a glass substrate G to be processed in the substrate processing system 100. In the substrate processing system 100, 31 are formed.

기판 처리 시스템(100)은, 외부와의 사이에서 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부로부터 반입 및 반출하는 반입 반출 스테이션(101)과, 유리 기판(G)에 대하여 정해진 처리를 실시하는 복수의 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(102)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.The substrate processing system 100 includes a loading and unloading station 101 for loading and unloading a plurality of glass substrates G from the outside in units of cassettes with the outside, And a processing station 102 having a plurality of processing apparatuses are integrally connected.

반입 반출 스테이션(101)에는, 카세트 배치대(110)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(110)는, 복수의 카세트(C)를 X방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다. 즉, 반입 반출 스테이션(101)은, 복수의 유리 기판(G)을 보유 가능하게 구성되어 있다.In the loading / unloading station 101, a cassette placement table 110 is provided. The cassette placement table 110 is capable of arranging a plurality of cassettes C in a row in the X direction. In other words, the loading / unloading station 101 is configured to be able to hold a plurality of glass substrates G.

반입 반출 스테이션(101)에는, X방향으로 연장되는 반송로(111) 상을 이동 가능한 기판 반송체(112)가 설치되어 있다. 기판 반송체(112)는, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 카세트(C)와 처리 스테이션(102) 사이에서 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. 한편 기판 반송체(112)는, 예컨대 유리 기판(G)을 흡착 유지하여 반송한다. In the loading and unloading station 101, a substrate carrying body 112 movable on a carrying path 111 extending in the X direction is provided. The substrate carrying body 112 is also movable in the vertical direction and the vertical direction and is capable of transporting the glass substrate G between the cassette C and the processing station 102. On the other hand, the substrate carrying body 112 holds, for example, the glass substrate G and conveys it.

처리 스테이션(102)에는, 제1 기판 반송 장치(120)와, 제2 기판 반송 장치(121)와, 제3 기판 반송 장치(122)가, 반입 반출 스테이션(101)측으로부터 Y방향으로 이 순서대로 나란히 배치되어 있다. 각 기판 반송 장치(120, 121, 122)에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 기판 반송체는, 수평 방향, 연직 방향 및 연직 주위로도 이동 가능하며, 이들 기판 반송 장치(120, 121, 122)에 인접하여 설치되는 각 장치에 유리 기판(G)을 반송할 수 있다.In the processing station 102, the first substrate transfer device 120, the second substrate transfer device 121 and the third substrate transfer device 122 are arranged in this order in the Y direction from the carry-in / out transfer station 101 side It is placed side by side. Each of the substrate transfer devices 120, 121, and 122 is provided with a substrate transfer body (not shown) for transferring the glass substrate G. The substrate carrying body can also be moved in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction, and can transport the glass substrate G to each of the devices provided adjacent to the substrate carrying devices 120, 121, and 122.

한편, 제3 기판 반송 장치(122)에는 후술하는 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)가 인접되어 설치되어 있고, 이들 장치(132, 134, 136)의 내부는 저산소 또한 저이슬점의 분위기(이하, 저산소 저이슬점 분위기라고 한다.)로 유지된다. 이 때문에, 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 그 내부가 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 이하의 설명에 있어서, 저산소 분위기란 대기보다 산소 농도가 낮은 분위기, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하인 분위기를 말하고, 또한 저이슬점 분위기란 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기, 예컨대 이슬점 온도가 -70℃ 이하인 분위기를 말한다. 그리고, 이러한 저산소 저이슬점 분위기로서, 예컨대 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다.On the other hand, a firing device 132, a temperature control device 134, and a buffer device 136, which will be described later, are provided adjacent to the third substrate transfer device 122. The inside of these devices 132, The hypoxic state is also maintained in an atmosphere of low dew point (hereinafter referred to as a low oxygen low dew point atmosphere). Therefore, also in the third substrate transfer device 122, the inside thereof is maintained in a low-oxygen low-dew point atmosphere. In the following description, the low-oxygen atmosphere refers to an atmosphere having an oxygen concentration lower than that of the atmosphere, for example, an oxygen concentration of 10 ppm or less. An atmosphere having a lower dew point temperature than the atmosphere, . As such a low-oxygen low-dew point atmosphere, an inert gas such as nitrogen gas is used.

반입 반출 스테이션(101)과 제1 기판 반송 장치(120) 사이, 및 제1 기판 반송 장치(120)와 제2 기판 반송 장치(121) 사이에는, 각각 유리 기판(G)을 전달하기 위한 트랜지션 장치(123, 124)가 설치되어 있다. 제2 기판 반송 장치(121)와 제3 기판 반송 장치(122) 사이에는, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용 가능한 로드록 장치(125)가 설치되어 있다. 로드록 장치(125)는, 내부 분위기를 전환 가능, 즉 대기 분위기와 저산소 저이슬점 분위기로 전환 가능하게 구성되어 있다. 로드록 장치(125)는, 게이트 밸브(126)를 통해 제3 기판 반송 장치(122)에 접속되어 있다. 그리고, 처리 스테이션(102)[기판 처리 시스템(100)]에 있어서, 로드록 장치(125)의 상류측(Y방향 마이너스 방향측)에서는 대기 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해지고, 로드록 장치(125)의 하류측(Y방향 플러스 방향측)에서는 저산소 저이슬점 분위기하에서 유리 기판(G)의 처리와 반송이 행해진다. Between the loading and unloading station 101 and the first substrate transfer apparatus 120 and between the first and second substrate transfer apparatuses 120 and 121, (123, 124) are provided. A load lock device 125 capable of temporarily holding the glass substrate G is provided between the second substrate transfer device 121 and the third substrate transfer device 122. The load lock device 125 is configured so that the internal atmosphere can be switched, that is, the atmospheric environment and the low-oxygen low-dew point atmosphere can be switched. The load lock device 125 is connected to the third substrate transfer device 122 via the gate valve 126. In the processing station 102 (substrate processing system 100), the glass substrate G is processed and transported in an air atmosphere on the upstream side (on the negative direction side in the Y direction) of the load lock device 125, On the downstream side (the Y direction plus direction side) of the load lock device 125, the glass substrate G is processed and transported in a low-oxygen low-dew point atmosphere.

제1 기판 반송 장치(120)의 X방향 플러스 방향측에는, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 유기 재료를 도포하는 도포 장치(130)가 설치되어 있다. 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G) 상의 정해진 위치, 즉 격벽(20)의 개구부(21)의 내부에 유기 재료가 도포된다. 한편, 본 실시형태의 유기 재료는, 정공 수송층(31)을 형성하기 위한 정해진 재료를 유기 용매에 용해시킨 용액이다. A coating device 130 for coating an organic material for forming the hole transport layer 31 on the glass substrate G (the hole injection layer 30) is provided on the positive direction side of the first substrate transport device 120 in the X direction Is installed. In the application device 130, an organic material is applied at a predetermined position on the glass substrate G, that is, inside the opening 21 of the partition 20 by the ink jet method. On the other hand, the organic material of the present embodiment is a solution in which a predetermined material for forming the hole transport layer 31 is dissolved in an organic solvent.

제2 기판 반송 장치(121)의 X방향 플러스 방향측과 X방향 마이너스 방향측에는, 도포 장치(130)에 의해 도포된 유기 재료를 감압 건조하는 감압 건조 장치(131)가 복수 적층되며, 전부해서 예컨대 5개 설치되어 있다. 감압 건조 장치(131)는, 예컨대 터보 분자 펌프(도시하지 않음)를 가지며, 그 내부 분위기를 예컨대 1 ㎩ 이하까지 감압하여, 유기 재료가 건조되도록 되어 있다.A plurality of vacuum drying apparatuses 131 for drying the organic material applied by the coating apparatus 130 under reduced pressure are stacked on the positive direction side in the X direction and the minus direction side in the X direction of the second substrate transport apparatus 121, Five are installed. The decompression drying apparatus 131 has, for example, a turbo molecular pump (not shown), and reduces the internal atmosphere thereof to, for example, 1 Pa or less to dry the organic material.

제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 플러스 방향측에는, 감압 건조 장치(131)에서 건조된 유기 재료를 열처리하여 소성하는, 열처리 장치로서의 소성 장치(132)가 셔터(133)를 통해 설치되어 있다. 소성 장치(132)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 소성 장치(132)의 구성에 대해서는, 후술한다. A firing apparatus 132 as a heat treatment apparatus for heating and firing the dried organic material in the reduced pressure drying apparatus 131 is provided on the positive direction side of the third substrate carrying apparatus 122 through the shutter 133 . The interior of the firing unit 132 is maintained in a low-oxygen low-dew point atmosphere. The configuration of the firing apparatus 132 will be described later.

제3 기판 반송 장치(122)의 X방향 마이너스 방향측에는, 소성 장치(132)에서 열처리된 유리 기판(G)을 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절하는, 열처리 장치로서의 온도 조절 장치(134)가 셔터(135)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고, 온도 조절 장치(134)에는, 그 내부에 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 상기 배치판 상의 유리 기판(G)이 정해진 온도로 조절된다. The temperature of the glass substrate G heat-treated in the firing apparatus 132 is adjusted to a predetermined temperature, for example, normal temperature (23 DEG C +/- 1 DEG C), on the minus direction side in the X direction of the third substrate transfer device 122, A device 134 is installed through the shutter 135. [ The inside of the temperature adjusting device 134 is maintained in a low-oxygen low-dew point atmosphere. The temperature regulating device 134 is provided with a plurality of arranging plates (not shown) for arranging the glass substrate G therein and the glass substrate G on the arranging plate is regulated to a predetermined temperature .

제3 기판 반송 장치(122)의 Y방향 플러스 방향측에는, 복수의 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 장치(136)가 셔터(137)를 통해 설치되어 있다. 온도 조절 장치(134)의 내부는, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. A buffer device 136 for temporarily holding a plurality of glass substrates G is provided through a shutter 137 on the Y direction plus side of the third substrate transfer device 122. [ The inside of the temperature adjusting device 134 is maintained in a low-oxygen low-dew point atmosphere.

한편, 처리 스테이션(102)에 있어서, 이들 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131), 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 버퍼 장치(136)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. On the other hand, in the processing station 102, the number or the arrangement of the coating device 130, the reduced-pressure drying device 131, the baking device 132, the temperature regulating device 134 and the buffer device 136 can be arbitrarily selected have.

이상의 기판 처리 시스템(100)에는, 제어부(140)가 설치되어 있다. 제어부(140)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(140)에 인스톨된 것이어도 된다.In the above substrate processing system 100, a control unit 140 is provided. The control unit 140 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for controlling the processing of the glass substrate G in the substrate processing system 100 is stored. On the other hand, the program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO) And may be installed in the control unit 140 from the storage medium H.

다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(100)을 이용하여 행해지는 유리 기판(G)의 처리 방법에 대해서 설명한다.Next, a processing method of the glass substrate G performed using the substrate processing system 100 configured as described above will be described.

먼저, 복수의 유리 기판(G)을 수용한 카세트(C)가, 반입 반출 스테이션(101)에 반입되어, 카세트 배치대(110) 상에 배치된다. 그 후, 기판 반송체(112)에 의해, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)로부터 유리 기판(G)이 순차 취출된다.First, a cassette C containing a plurality of glass substrates G is carried into the loading / unloading station 101, and placed on the cassette placement table 110. Thereafter, the glass substrate G is sequentially taken out from the cassette C on the cassette placement table 110 by the substrate transfer body 112.

카세트(C)로부터 취출된 유리 기판(G)은, 기판 반송체(112)에 의해 처리 스테이션(102)의 트랜지션 장치(123)에 반송되고, 또한 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 도포 장치(130)에 반송된다. 그리고 도포 장치(130)에서는, 잉크젯 방법으로 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에, 정공 수송층(31)용의 유기 재료가 도포된다. 이 도포 장치(130)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다. The glass substrate G taken out from the cassette C is transferred to the transition device 123 of the processing station 102 by the substrate carrying body 112 and is transferred by the first substrate carrying apparatus 120 to the coating device (130). In the coating device 130, an organic material for the hole transport layer 31 is coated on the glass substrate G (hole injection layer 30) by an inkjet method. The coating treatment in the coating device 130 need not be performed in a low-oxygen low-dew point atmosphere.

다음으로 유리 기판(G)은, 제1 기판 반송 장치(120)에 의해 트랜지션 장치(124)에 반송되고, 또한 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 감압 건조 장치(131)에 반송된다. 그리고 감압 건조 장치(131)에서는, 그 내부 분위기가 감압되고, 유리 기판(G) 상에 도포된 유기 재료가 건조된다. 이 감압 건조 장치(131)에서의 도포 처리는, 저산소 저이슬점 분위기에서 행할 필요는 없다.The glass substrate G is transported to the transition device 124 by the first substrate transport apparatus 120 and transported to the reduced pressure drying apparatus 131 by the second substrate transport apparatus 121. [ In the vacuum drying apparatus 131, the internal atmosphere is reduced, and the organic material coated on the glass substrate G is dried. The coating treatment in the reduced-pressure drying apparatus 131 does not need to be performed in a low-oxygen low-dew point atmosphere.

다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 저산소 또한 저이슬점 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와, 마찬가지로 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지된 제3 기판 반송 장치(122)의 내부가 연통시켜진다.Next, the glass substrate G is transported to the load lock device 125 by the second substrate transport device 121. When the glass substrate G is carried into the load lock device 125, the interior thereof is switched to a low-oxygen and low-dew point atmosphere. Thereafter, the inside of the load lock device 125 is communicated with the inside of the third substrate transfer device 122, which is likewise maintained at a low oxygen concentration and a low dew point atmosphere.

다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 소성 장치(132)에 반송된다. 이 소성 장치(132)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 소성 장치(132)에서는, 열판 상에 배치된 유리 기판(G)이 정해진 온도, 예컨대 200℃∼250℃로 가열되어, 상기 유리 기판(G)의 유기 재료가 소성된다. Next, the glass substrate G is transferred to the firing apparatus 132 by the third substrate transfer device 122. [ The interior of the firing device 132 is also maintained in a low-oxygen and low-dew point atmosphere. In the firing apparatus 132, the glass substrate G disposed on the heat plate is heated to a predetermined temperature, for example, 200 to 250 DEG C, and the organic material of the glass substrate G is fired.

다음으로 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 온도 조절 장치(134)에 반송된다. 이 온도 조절 장치(134)의 내부도 저산소 또한 저이슬점 분위기로 유지되어 있다. 그리고 온도 조절 장치(134)에서는, 유리 기판(G)이 정해진 온도, 예컨대 상온으로 온도 조절된다. 이렇게 해서, 유리 기판(G)[정공 주입층(30)] 상에 정공 수송층(31)이 형성된다. Next, the glass substrate G is transported to the temperature regulating device 134 by the third substrate transport device 122. The interior of the temperature regulator 134 is also maintained in a low-oxygen and low-dew point atmosphere. In the temperature controller 134, the temperature of the glass substrate G is adjusted to a predetermined temperature, for example, room temperature. Thus, the hole transport layer 31 is formed on the glass substrate G (the hole injection layer 30).

정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 제3 기판 반송 장치(122)에 의해 로드록 장치(125)에 반송된다. 로드록 장치(125)에 유리 기판(G)이 반입되면, 그 내부가 대기 분위기로 전환된다. 그 후, 로드록 장치(125)의 내부와 제2 기판 반송 장치(121)의 내부가 연통시켜진다.The glass substrate G on which the hole transport layer 31 is formed is transported to the load lock device 125 by the third substrate transport device 122. When the glass substrate G is carried into the load lock device 125, the inside thereof is switched to the atmosphere. Then, the inside of the load lock device 125 and the inside of the second substrate transfer device 121 are communicated with each other.

다음으로 유리 기판(G)은, 제2 기판 반송 장치(121), 제1 기판 반송 장치(120), 기판 반송체(112)에 의해 순차 반송되어, 카세트 배치대(110) 상의 카세트(C)에 수용된다. 이렇게 해서, 기판 처리 시스템(100)에서의 일련의 유리 기판(G)의 처리가 종료된다.The glass substrate G is sequentially transported by the second substrate transport device 121, the first substrate transport device 120 and the substrate transport device 112 to transport the cassette C on the cassette placement table 110, Respectively. Thus, the processing of the series of glass substrates G in the substrate processing system 100 is completed.

한편, 온도 조절 장치(134)에서의 온도 조절이 종료되고, 정공 수송층(31)이 형성된 유리 기판(G)은, 반입 반출 스테이션(101)의 카세트(C)로 되돌아가지 않고, 버퍼 장치(136)로부터 기판 처리 시스템(100)의 외부로 반출되어도 된다.The glass substrate G on which the hole transport layer 31 is formed does not return to the cassette C of the loading and unloading station 101 and the buffer device 136 (Not shown) to the outside of the substrate processing system 100.

<3. 저산소 저이슬점 분위기의 제어><3. Control of low-oxygen low dew point atmosphere>

다음으로, 로드록 장치(125)의 하류측의 장치, 즉 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 장치에서의 분위기 제어에 대해서 설명한다. 이러한 분위기 제어를 설명하는 데 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구되는 소성 장치(132)의 구성에 대해서 설명한다. Next, the atmosphere control in a device on the downstream side of the load lock device 125, that is, in an apparatus requiring a low-oxygen low-dew point atmosphere, will be described. In explaining this atmosphere control, the configuration of the firing apparatus 132 that requires a low-oxygen low-dew point atmosphere will be described.

도 5에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(200)를 갖고 있다. 처리 용기(200)의 내부에는, 유리 기판(G)을 수용하여 열처리하는 처리부(210)가 형성되어 있다. 처리부(210)에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(211)이 연직 방향으로 복수 단, 예컨대 15단으로 설치되어 있다. 또한, 처리부(210)의 측방에는, 배치판(211) 상의 유리 기판(G)을 가열하는 히터(212)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 2개 설치되어 있다.As shown in Fig. 5, the firing apparatus 132 has a processing container 200 capable of sealing the inside thereof. Inside the processing vessel 200, a processing unit 210 for receiving and heat-treating the glass substrate G is formed. In the processing section 210, a plurality of arrangement plates 211 for arranging the glass substrates G are provided in a plurality of stages, for example, 15 stages in the vertical direction. A plurality of, for example, two, heaters 212 for heating the glass substrate G on the arrangement plate 211 are provided on the side of the processing section 210 in the vertical direction.

또한, 처리 용기(200)의 내부에는, 처리부(210)에 정해진 기체를 공급하는 급기부(220)가 형성되어 있다. 급기부(220)에는, 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(221)가 연직 방향으로 복수, 예컨대 3개 설치되어 있다. 필터(221)에는, 예컨대 HEPA 필터(High Efficiency ㎩rticulate Air Filter)가 이용된다. 또한, 급기부(220)의 측방에는, 상기 급기부(220)로부터 필터(221)를 통해 처리부(210)에 기체를 송풍하기 위한 팬(222)이 설치되어 있다. In the processing vessel 200, a supply unit 220 for supplying a predetermined gas to the processing unit 210 is formed. The supply unit 220 is provided with a plurality of, for example, three filters 221 for removing foreign substances in the gas in the vertical direction. As the filter 221, for example, a HEPA filter (High Efficiency Filtration Air Filter) is used. A fan 222 for blowing gas to the processing unit 210 from the air supply unit 220 through the filter 221 is installed on the side of the air supply unit 220.

한편, 처리 용기(200)에 있어서, 배치판(211), 히터(212), 필터(221), 팬(222)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. On the other hand, in the processing container 200, the number and arrangement of the arrangement plate 211, the heater 212, the filter 221, and the fan 222 can be arbitrarily selected.

도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 처리 용기(200)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 제1 공기 공급부(230)가 급기관(231)을 통해 설치되어 있다. 제1 공기 공급부(230)에는, 예컨대 산소 농도가 대기와 동일한 21%, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 건조 공기가 저류되어 있다. 급기관(231)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 제1 공기 공급부(230)로부터 급기부(220)에 공급된 건조 공기는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(231)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(231)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. As shown in Figs. 5 and 6, the processing container 200 is provided with a first air supply unit 230 for supplying clean dry air through the air supply duct 231. [ The first air supply unit 230 is provided with a first air supply unit 230 for storing dry air having a concentration of oxygen of 21% and a water concentration of 1.029 ppm or less, ie, a dew point temperature of -76 ° C. or lower, . The air supply unit 231 is connected to the air supply unit 220 through a purifier 263 to be described later. The dry air supplied from the first air supply unit 230 to the air supply unit 220 is supplied to the processing unit 210 by the fan 222 after the foreign substances are removed through the filter 221. On the other hand, the connection point of the air supply tube 231 is not limited to the present embodiment, and for example, the air supply tube 231 may be directly connected to the supply portion 220.

처리 용기(200)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 제1 가스 공급부(240)가 급기관(241)을 통해 설치되어 있다. 제1 가스 공급부(240)에는, 예컨대 산소 농도가 10 ppm 이하, 또한 수분 농도가 1.029 ppm 이하, 즉 이슬점 온도가 -76℃ 이하이며, 상온(23℃±1℃)의 질소 가스가 저류되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 불활성 가스로서 질소 가스를 이용하지만, 저산소 저이슬점 분위기를 실현할 수 있으면, 예컨대 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스를 이용해도 된다. 급기관(241)은, 후술하는 정제기(263)를 통해 급기부(220)에 접속되어 있다. 그리고, 제1 가스 공급부(240)로부터 급기부(220)에 공급된 질소 가스는, 필터(221)를 통해 이물질이 제거된 후, 팬(222)에 의해 처리부(210)에 공급된다. 한편, 급기관(241)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(241)은 급기부(220)에 직접 접속되어 있어도 된다. The processing vessel 200 is provided with a first gas supply unit 240 for supplying a nitrogen gas, which is an inert gas, The first gas supply unit 240 stores a nitrogen gas having an oxygen concentration of 10 ppm or less and a water concentration of 1.029 ppm or less, that is, a dew point temperature of -76 DEG C or less and a normal temperature (23 DEG C +/- 1 DEG C) . On the other hand, in the present embodiment, nitrogen gas is used as the inert gas, but other inert gas such as argon gas may be used as long as a low-oxygen low-dew point atmosphere can be realized. The air supply tube 241 is connected to the air supply unit 220 through a purifier 263 to be described later. The nitrogen gas supplied from the first gas supply unit 240 to the supply unit 220 is supplied to the processing unit 210 by the fan 222 after the foreign substance is removed through the filter 221. On the other hand, the connection point of the air supply tube 241 is not limited to this embodiment, and for example, the air supply tube 241 may be directly connected to the air supply unit 220.

처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 배기하는 제1 배기부(250)가 설치되어 있다. 제1 배기부(250)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 제1 배기부(250)와 처리부(210)는, 배기관(251)을 통해 접속되어 있다. The processing vessel 200 is provided with a first exhaust unit 250 for exhausting the atmosphere in the processing vessel 200, more specifically, the atmosphere in the processing unit 210. As the first exhaust part 250, for example, a negative pressure generating device such as a vacuum pump is used. The first exhaust part 250 and the processing part 210 are connected through an exhaust pipe 251.

처리 용기(200)에는, 상기 처리 용기(200) 내의 분위기, 보다 엄밀하게는 처리부(210) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 제1 가스 순환 시스템(260)이 설치되어 있다. 이 제1 가스 순환 시스템(260)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 제1 가스 순환 시스템(260)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 제1 가스 순환 시스템(260)은, 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)를 갖고 있다. 이들 냉각기(261), 필터(262), 정제기(263)는, 처리부(210)와 급기부(220)를 접속하는 배관(264)에 있어서, 처리부(210)측(상류측)으로부터 이 순서대로 설치되어 있다.The processing vessel 200 is provided with a first gas circulation system 260 for purifying and returning the atmosphere in the processing vessel 200, more precisely, the atmosphere in the processing section 210. Since the atmosphere circulated in the first gas circulation system 260 is mainly nitrogen gas, in the following description, the first gas circulation system 260 is described as purifying and returning the nitrogen gas. The first gas circulation system 260 has a cooler 261, a filter 262, and a purifier 263. The cooler 261, the filter 262 and the purifier 263 are arranged in this order from the processing unit 210 side (upstream side) in the pipe 264 connecting the processing unit 210 and the supply unit 220 Is installed.

냉각기(261)는, 처리부(210)로부터의 질소 가스를 정해진 온도, 예컨대 상온까지 냉각한다. 이 정해진 온도는, 필터(262)나 정제기(263)에 열에 의한 손상을 주지 않는 온도이다. 필터(262)는, 냉각기(261)로 냉각된 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질을 제거한다.The cooler 261 cools the nitrogen gas from the processing unit 210 to a predetermined temperature, for example, a normal temperature. The predetermined temperature is a temperature at which the filter 262 and the purifier 263 are not damaged by heat. The filter 262 removes foreign matters such as organic solvents in the nitrogen gas cooled by the cooler 261.

정제기(263)는, 필터(262)에 의해 이물질이 제거된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 도 7에 도시한 바와 같이 정제기(263)에는, 전술한 제1 공기 공급부(230)의 급기관(231)과 제1 가스 공급부(240)의 급기관(241)이 접속되어 있다. 이들 급기관(231, 241)은, 각각 정제기(263) 내의 배관(264)에 있어서 상류측에 접속되어 있다. 또한, 각 급기관(231, 241)에는, 각각 밸브(232, 242)가 설치되어 있다. The purifier 263 removes oxygen and moisture in the nitrogen gas from which the foreign substance has been removed by the filter 262. As shown in Fig. 7, the purifier 263 is connected to the above-described air supply tube 231 of the first air supply portion 230 and the air supply tube 241 of the first gas supply portion 240. As shown in Fig. These air supply pipes 231 and 241 are connected to the upstream side of the piping 264 in the purifier 263, respectively. Valves 232 and 242 are provided in the respective branch pipes 231 and 241, respectively.

배관(264)은, 급기관(231, 241)의 하류측에 있어서, 배관(264a)와 배관(264b)으로 분기되어 있다. 각 배관(264a, 264b)에는, 각각 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(265, 265)가 설치되어 있다. 배관(264a)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되어 급기부(220)에 공급된다. 한편, 배관(264b)측으로 흐른 질소 가스는, 정제되지 않고 그대로 급기부(220)에 공급된다. The piping 264 is branched to the piping 264a and the piping 264b on the downstream side of the air supply pipes 231 and 241. [ Valves 265 and 265 for controlling the flow of nitrogen gas are provided in the respective pipes 264a and 264b, respectively. The nitrogen gas flowing to the piping 264a side is refined and supplied to the supply unit 220. On the other hand, the nitrogen gas flowing to the pipe 264b side is supplied to the supply unit 220 as it is without refining.

배관(264a)은, 밸브(266, 266)를 통해 또한 2개의 배관으로 분기되고, 2개의 정제통(267, 267)에 접속되어 있다. 정제통(267)의 내부에는, 산소나 수분을 제거하기 위한 촉매가 충전되어 있다. 그리고, 질소 가스가 정제통(267)을 통과함으로써, 질소 가스 중의 산소나 수분이 제거되어, 상기 질소 가스가 정제된다. 본 실시형태에서는, 정제통(267)에 의해 질소 가스는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하까지 정제된다. 한편, 정제통(267) 내에서 소정량의 질소 가스를 정제하면 촉매가 열화하기 때문에, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하면서, 다른쪽의 정제통(267)의 촉매를 교환한다. 이 때문에, 정제통(267, 267)을 2개 설치하고 있다.The pipe 264a is also branched to the two pipes through the valves 266 and 266 and is connected to the two purifiers 267 and 267. [ A catalyst for removing oxygen and moisture is filled in the inside of the purifier tank 267. Then, when the nitrogen gas passes through the purifier 267, oxygen and moisture in the nitrogen gas are removed, and the nitrogen gas is purified. In the present embodiment, the nitrogen gas is purified by the purifier 267 to the oxygen concentration of the nitrogen gas before entering the purifier 267. On the other hand, when a predetermined amount of nitrogen gas is refined in the refining cylinder 267, the catalyst deteriorates. Therefore, the catalyst in the other refining cylinder 267 is exchanged while purifying the nitrogen gas in the one refining cylinder 267 . Therefore, two purifiers 267 and 267 are provided.

2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 하류측에 있어서, 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(268)가 급기관(269)을 통해 설치되어 있다. 급기관(269)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(270, 270)가 설치된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. The two pipes 264a are provided with a gas supply section 268 through a gas supply pipe 269 for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas on the downstream side of the purifier 267. [ Valves 270 and 270 for controlling the flow of the regeneration gas are provided in the air supply source 269. The regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 is supplied to the purifier tank 267 through the air supply pipe 269 and the pipe 264a. The regenerated gas regenerates the deteriorated catalyst in the purifying column 267, and the purifying column 267 is regenerated.

또한, 2개의 배관(264a)에는, 정제통(267)의 상류측에 있어서, 정제통(267) 내의 재생 가스를 회수하여 배기하는 배기부(271)가 배기관(272)을 통해 설치되어 있다. 배기관(272)에는, 재생 가스의 흐름을 제어하는 밸브(273, 273)가 설치된다. 배기부(271)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치가 이용된다. 그리고, 가스 공급부(268)로부터 공급된 재생 가스는, 정제통(267)을 재생한 후, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다.The two piping 264a is provided with an exhaust portion 271 through which the regeneration gas in the purifier 267 is recovered and exhausted on the upstream side of the purifier 267. [ The exhaust pipe 272 is provided with valves 273 and 273 for controlling the flow of the regeneration gas. As the exhaust part 271, for example, a negative pressure generating device such as a vacuum pump is used. The regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 regenerates the purifier 267 and then is exhausted to the exhaust unit 271 through the pipe 264a and the exhaust pipe 272. [

한편, 정제기(263)에는, 새로운 질소 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 예컨대 이 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm 이하인 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 하류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 정제통(267)에서 정제된 질소 가스에, 적절한 산소 농도의 새로운 질소 가스가 더해짐으로써, 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. 한편, 예컨대 가스 공급부로부터 공급되는 새로운 질소 가스의 산소 농도가 10 ppm보다 큰 경우, 상기 가스 공급부는 정제통(267)의 상류측의 배관(264a)에 접속된다. 그리고, 가스 공급부로부터의 새로운 질소 가스와 처리 용기(200) 내의 질소 가스가 정제통(267)에 있어서 정제됨으로써, 정해진 산소 농도의 질소 가스가 처리 용기(200) 내에 공급된다. On the other hand, the purifier 263 may be provided with a gas supply unit (not shown) for supplying a new nitrogen gas. For example, when the oxygen concentration of the new nitrogen gas supplied from the gas supply unit is 10 ppm or less, the gas supply unit is connected to the pipe 264a on the downstream side of the purifier tank 267. Nitrogen gas of a predetermined oxygen concentration is supplied into the processing vessel 200 by adding a new nitrogen gas having an appropriate oxygen concentration to the nitrogen gas purified in the purifier vessel 267. On the other hand, for example, when the oxygen concentration of the new nitrogen gas supplied from the gas supply unit is larger than 10 ppm, the gas supply unit is connected to the pipe 264a on the upstream side of the purifier tank 267. Nitrogen gas of a predetermined oxygen concentration is supplied into the processing container 200 by the new nitrogen gas from the gas supply unit and the nitrogen gas in the processing vessel 200 being purified in the purifier 267.

도 6에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에는, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(280, 281)와, 처리 용기(200) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(282)가 설치되어 있다. 하나의 산소 농도계(280)와 이슬점 온도계(282)는, 각각 예컨대 제1 가스 순환 시스템(260)의 정제기(263)의 하류측에서의 배관(264)에 설치된다. 또한, 다른 산소 농도계(281)는, 예컨대 처리 용기(200)에 설치된 도어(290)에 설치된다. 한편, 산소 농도계와 이슬점 온도계의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다. 6, the firing apparatus 132 is provided with oxygen concentration meters 280 and 281 for measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel 200 and a dew point system for measuring the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel 200 A thermometer 282 is provided. One oxygen concentration meter 280 and the dew point thermometer 282 are respectively installed in the piping 264 on the downstream side of the purifier 263 of the first gas circulation system 260, for example. Further, another oxygen concentration meter 281 is installed in the door 290 provided in the processing vessel 200, for example. On the other hand, the number and arrangement of the oxygen concentration meter and the dew point thermometer can be arbitrarily selected.

산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과는, 각각 제어부(140)에 송신된다. 제어부(140)에서는, 이들 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200) 내의 분위기가 정해진 산소 농도(10 ppm 이하)와 정해진 이슬점 온도(-70℃ 이하)가 되도록, 제1 가스 공급부(240), 제1 배기부(250), 제1 가스 순환 시스템(260)을 제어한다. 한편, 산소 농도계(280, 281)에서 계측 결과가 상이한 경우에는, 양방의 계측 결과가 정해진 산소 농도가 되도록 제어한다. The measurement results of the oxygen concentration meters 280 and 281 and the measurement results of the dew point thermometer 282 are transmitted to the control unit 140, respectively. The control unit 140 controls the first gas supply unit 240 and the second gas supply unit 240 so that the atmosphere in the processing vessel 200 is set to a predetermined oxygen concentration (10 ppm or less) and a predetermined dew point temperature (-70 캜 or less) And controls the first exhaust part 250 and the first gas circulation system 260. [ On the other hand, when the measurement results are different from each other in the oxygen concentration meters 280 and 281, control is performed so that the measurement results of both of them become the predetermined oxygen concentration.

또한, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스시에는, 처리 용기(200) 내의 저산소 저이슬점 분위기를 대기 분위기로 치환하고 나서 도어(290)를 개방한다. 즉, 제어부(140)는, 산소 농도계(280, 281)의 양방의 계측 결과가 21%에 도달했을 때에, 도어(290)를 개방하도록 제어한다. 이러한 경우, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 21%에 도달하지 않는 동안에는 도어(290)가 개방되지 않기 때문에, 소성 장치(132)의 메인터넌스를 안전하게 행할 수 있다. 한편, 도어(290)에는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과가 표시되는 디스플레이(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. Further, for example, at the time of maintenance of the firing apparatus 132, the low-oxygen low-dew point atmosphere in the processing vessel 200 is replaced with the atmosphere, and then the door 290 is opened. That is, the control unit 140 controls the door 290 to be opened when the measurement results of both of the oxygen concentration meters 280 and 281 reach 21%. In this case, since the door 290 is not opened while the oxygen concentration in the atmosphere in the processing vessel 200 does not reach 21%, the maintenance of the burning apparatus 132 can be safely performed. On the other hand, the door 290 may be provided with a display (not shown) in which the measurement results of the oxygen concentration meters 280 and 281 are displayed.

한편, 소성 장치(132)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다. On the other hand, the operation of each part in the firing apparatus 132 is controlled by the control unit 140 described above.

다음으로, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서 설명한다. Next, the temperature regulating device 134 and the third substrate transfer device 122 will be described.

온도 조절 장치(134)는, 도 6에 도시한 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(300)를 갖고 있다. 처리 용기(300)의 내부에는, 유리 기판(G)을 배치하는 배치판(도시하지 않음)이 복수 단으로 설치되고, 또한 처리 용기(300) 내에 공급되는 기체 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)나 처리 용기(300) 내에 기체를 송부하기 위한 팬(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 한편, 처리 용기(300)의 내부 구성은 임의이며, 여기서는 상세한 설명을 생략한다. As shown in Fig. 6, the temperature regulating device 134 has a processing container 300 capable of hermetically sealing the inside thereof. A plurality of stages of disposing plates (not shown) for disposing the glass substrate G are provided in the processing vessel 300 and a filter (not shown) for removing foreign substances in the gas supplied into the processing vessel 300 And a fan (not shown) for sending the gas into the processing vessel 300 are provided. On the other hand, the internal structure of the processing vessel 300 is arbitrary, and detailed description thereof is omitted here.

제3 기판 반송 장치(122)는, 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(310)를 갖고 있다. 처리 용기(310)의 내부에는, 유리 기판(G)을 반송하는 기판 반송체(도시하지 않음)가 설치되어 있다. The third substrate transfer device 122 has a processing container 310 capable of sealing the interior thereof. A substrate carrying member (not shown) for carrying the glass substrate G is provided inside the processing container 310. [

이들 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내의 분위기와, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 분위기는, 공통적으로 제어된다.The atmosphere in the processing vessel 300 of these temperature regulating devices 134 and the atmosphere in the processing vessel 310 of the third substrate transfer device 122 are controlled in common.

처리 용기(300, 310)에는, 청정한 건조 공기를 공급하는 제2 공기 공급부(320)가 급기관(321)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 공기 공급부(320)와 급기관(321)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 공기 공급부(230)와 급기관(231)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(321)은, 후술하는 정제기(351)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(321)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(321)은 처리 용기(300) 또는 처리 용기(310)에 직접 접속되어 있어도 된다. The processing vessels 300 and 310 are provided with a second air supply unit 320 for supplying clean dry air through the air supply unit 321. The second air supply unit 320 and the air supply unit 321 are the same as those of the first air supply unit 230 and the air supply unit 231 of the firing apparatus 132 described above. On the other hand, the branching tube 321 is connected to the processing vessel 300 through a purifier 351 described later, but the connection point of the branching tube 321 is not limited to this embodiment, Or may be directly connected to the processing vessel 300 or the processing vessel 310.

처리 용기(300, 310)에는, 불활성 가스인 질소 가스를 공급하는 제2 가스 공급부(330)가 급기관(331)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 가스 공급부(330)와 급기관(331)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 가스 공급부(240)와 급기관(241)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 급기관(331)은, 후술하는 정제기(351)를 통해 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 급기관(331)의 접속 개소는 본 실시형태에 한정되지 않고, 예컨대 급기관(331)은 처리 용기(300) 또는 처리 용기(310)에 직접 접속되어 있어도 된다. The processing vessels 300 and 310 are provided with a second gas supply unit 330 for supplying nitrogen gas, which is an inert gas, through a gas supply pipe 331. The second gas supply unit 330 and the gas supply unit 331 are the same as the first gas supply unit 240 and the gas supply unit 241 of the firing unit 132 described above. On the other hand, the branch pipe 331 is connected to the processing vessel 300 through a purifier 351 to be described later, but the branch pipe 331 is not limited to the present embodiment, Or may be directly connected to the processing vessel 300 or the processing vessel 310.

한편, 처리 용기(300)에는, 건조 공기용의 이오나이저나, 질소 가스용의 이오나이저가 설치되어 있어도 된다.On the other hand, an ionizer for dry air or an ionizer for nitrogen gas may be provided in the processing vessel 300.

처리 용기(300, 310)에는, 상기 처리 용기(300, 310) 내의 분위기를 배기하는 제2 배기부(340)가 배기관(341)을 통해 설치되어 있다. 이들 제2 배기부(340)와 배기관(341)은, 각각 전술한 소성 장치(132)의 제1 배기부(250)와 배기관(251)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 한편, 도시하는 예에서는 배기관(341)은 처리 용기(300)에 접속되어 있으나, 처리 용기(310)에 접속되어 있어도 된다. A second exhaust part 340 for exhausting the atmosphere in the processing vessels 300 and 310 is installed in the processing vessels 300 and 310 through an exhaust pipe 341. Since the second exhaust part 340 and the exhaust pipe 341 are the same as the first exhaust part 250 and the exhaust pipe 251 of the firing device 132 described above, their description is omitted. In the illustrated example, the exhaust pipe 341 is connected to the processing vessel 300, but may be connected to the processing vessel 310.

처리 용기(300, 310)에는, 상기 처리 용기(300, 310) 내의 분위기를 정제하여 되돌리는 제2 가스 순환 시스템(350)이 설치되어 있다. 이 제2 가스 순환 시스템(350)에서 순환되는 분위기는 주로 질소 가스이기 때문에, 이하의 설명에서는, 제2 가스 순환 시스템(350)은 질소 가스를 정제하여 되돌리는 것으로서 설명한다. 제2 가스 순환 시스템(350)은, 정제기(351)와 온도 조절기(352)를 갖고 있다. 정제기(351)의 상류측에는, 처리 용기(300)와의 사이를 접속하는 배관(353)과, 처리 용기(310)와의 사이를 접속하는 배관(354)이 설치되어 있다. 온도 조절기(352)는 배관(353)에 설치되어 있다. 또한, 정제기(351)의 하류측에는 배관(355)이 설치되어 있다. 배관(355)은, 처리 용기(300)에 접속되는 배관(356)과, 처리 용기(310)에 접속되는 배관(357)으로 분기되어 있다. The processing vessels 300 and 310 are provided with a second gas circulation system 350 for purifying and returning the atmosphere in the processing vessels 300 and 310. Since the atmosphere circulated in the second gas circulation system 350 is mainly nitrogen gas, in the following description, the second gas circulation system 350 is described as purifying and returning the nitrogen gas. The second gas circulation system 350 has a purifier 351 and a temperature regulator 352. On the upstream side of the purifier 351 is provided a pipe 353 for connecting the processing vessel 300 and a pipe 354 for connecting the processing vessel 310 to each other. The temperature regulator 352 is installed in the pipe 353. A pipe 355 is provided on the downstream side of the purifier 351. The pipe 355 is branched into a pipe 356 connected to the process vessel 300 and a pipe 357 connected to the process vessel 310.

정제기(351)는, 처리 용기(300)로부터 배기된 질소 가스 중의 산소와 수분을 제거한다. 정제기(351)의 구성은, 전술한 도 7에 도시한 소성 장치(132)의 정제기(263)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 정제기(351)에는, 전술한 제2 공기 공급부(320)의 급기관(321)과 제2 가스 공급부(330)의 급기관(331)이 접속되어 있다. 또한, 정제기(351)에는, 상기 정제기(351)의 정제통을 재생하기 위한 재생 가스를 공급하는 가스 공급부(360)가 급기관(361)을 통해 설치되고, 또한 정제통을 재생한 후의 재생 가스를 배기하는 배기부(362)가 배기관(363)을 통해 설치된다. 이들 가스 공급부(360), 급기관(361), 배기부(362), 배기관(363)도, 각각 전술한 소성 장치(132)의 가스 공급부(268), 급기관(269), 배기부(271), 배기관(272)과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. The purifier 351 removes oxygen and moisture in the nitrogen gas exhausted from the processing vessel 300. Since the configuration of the purifier 351 is the same as that of the purifier 263 of the firing apparatus 132 shown in Fig. 7 described above, the description is omitted. The air supply port 321 of the second air supply unit 320 and the air supply port 331 of the second gas supply unit 330 are connected to the purifier 351. The purifier 351 is provided with a gas supply unit 360 for supplying a regeneration gas for regenerating the purifier of the purifier 351 through a gas supply pipe 361, An exhaust pipe 362 for exhausting the exhaust gas is installed through an exhaust pipe 363. The gas supply unit 360, the gas supply unit 361, the exhaust unit 362 and the exhaust pipe 363 are also connected to the gas supply unit 268, the gas supply unit 269, the exhaust unit 271 ) And the exhaust pipe 272, the description is omitted.

온도 조절기(352)는, 처리 용기(300)로부터 배출되어 정제기(351)에 들어가기 전의 질소 가스를 정해진 온도, 예컨대 상온(23℃±1℃)으로 조절한다.The temperature regulator 352 regulates the nitrogen gas discharged from the processing vessel 300 and before entering the purifier 351 at a predetermined temperature, for example, normal temperature (23 DEG C +/- 1 DEG C).

한편, 제2 가스 순환 시스템(350)에는, 전술한 소성 장치(132)의 필터(262)와 마찬가지로, 정제기(351)로 정제하기 전의 질소 가스 중의 이물질을 제거하는 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. On the other hand, in the second gas circulation system 350, a filter (not shown) for removing foreign matter in the nitrogen gas before purification by the purifier 351 is installed in the same manner as the filter 262 of the firing apparatus 132 described above .

온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에는, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계(370, 371)와, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계(372)가 설치되어 있다. 이들 산소 농도계(370, 371)와 이슬점 온도계(372)의 구성이나 배치는, 각각 전술한 소성 장치(132)의 산소 농도계(280, 281)와 이슬점 온도계(282)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 이들 산소 농도계(370, 371)와 이슬점 온도계(372)를 이용한, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기 제어와 처리 용기(300, 310)에 설치된 도어(380)의 제어도, 전술한 소성 장치(132)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.The temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 are provided with oxygen concentration meters 370 and 371 for measuring the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessels 300 and 310, And a dew point thermometer 372 for measuring the dew point temperature of the dew point. The configuration and arrangement of the oxygen concentration meters 370 and 371 and the dew point thermometer 372 are the same as those of the oxygen concentration meters 280 and 281 and the dew point thermometer 282 of the firing apparatus 132 described above, . The atmosphere control in the processing vessels 300 and 310 and the control of the door 380 provided in the processing vessels 300 and 310 using these oxygen concentration meters 370 and 371 and the dew point thermometer 372 are also controlled by the above- And the description thereof is omitted.

한편, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에서의 각부의 동작은, 전술한 제어부(140)에 의해 제어된다.On the other hand, the operation of each part in the temperature regulating device 134 and the third substrate carrying device 122 is controlled by the control section 140 described above.

또한, 버퍼 장치(136)에 있어서도, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)와 동일한 분위기 제어가 행해져도 된다.Also in the buffer device 136, the same atmosphere control as that of the temperature regulating device 134 and the third substrate transfer device 122 may be performed.

다음으로, 이상과 같이 구성된 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서 행해지는 분위기 제어에 대해서 설명한다. 상기 분위기 제어는, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 2단계로 행해진다. 제1 운전 모드는, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시에 행해지는 운전 모드이며, 구체적으로는 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때의 운전 모드이다. 제2 운전 모드는, 통상 조업시의 운전 모드이다. Next, the atmosphere control performed in the firing apparatus 132, the temperature control apparatus 134, and the third substrate transfer apparatus 122 constructed as described above will be described. The atmosphere control is performed in two steps of a first operation mode and a second operation mode. The first operation mode is, for example, an operation mode performed at the start of each of the devices 132, 134, and 122. More specifically, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, 134, and 122, respectively. The second operation mode is a normal operation mode.

먼저, 제1 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 8에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터 처리 용기(200) 내에 질소 가스를 공급하고, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 산소 농도 21%의 대기 분위기로부터 질소 가스로 치환된다.First, the first operation mode will be described. 8, in the firing apparatus 132, nitrogen gas is supplied from the first gas supply unit 240 into the processing vessel 200, and the inside of the processing vessel 200 is exhausted by the first exhaust unit 250 Exhaust. Then, the atmosphere in the processing vessel 200 is replaced with nitrogen gas from an atmospheric atmosphere having an oxygen concentration of 21%.

마찬가지로 제1 가스 순환 시스템(260)에 있어서도, 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다. 이때, 도 9에 도시한 바와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)에서는, 질소 가스를 배관(264b)측으로 흘리며, 정제통(267)을 통과시키지 않는다. 산소 농도가 높은 분위기를 정제통(267)에 통과시키면, 상기 정제통(267)의 촉매가 곧 열화되어 버리기 때문에, 제1 운전 모드에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스를 이용하여 배관(264) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다.Similarly, in the first gas circulation system 260, the atmosphere in the pipe 264 is replaced with nitrogen gas. At this time, as shown in Fig. 9, in the first gas circulation system 260, nitrogen gas flows to the pipe 264b side, and does not pass through the purifier case 267. [ When the atmosphere of the high oxygen concentration is passed through the purifier 267, the catalyst in the purifier 267 is soon degraded. In the first operation mode, nitrogen gas from the first gas supplier 240 is used The atmosphere in the pipe 264 is replaced with nitrogen gas.

그리고, 제1 운전 모드는, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 산소 농도가 각각 예컨대 100 ppm이 될 때까지 행해진다. 여기서, 제1 운전 모드에서는 제1 가스 공급부(240)로부터 질소 가스를 공급하지만, 제2 운전 모드에서는 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그러면, 질소 가스의 소비량을 가능한 한 적게 하기 위해서는, 제1 운전 모드의 운전 시간을 가능한 한 짧게 하는 것이 바람직하다. 그래서, 제1 운전 모드는, 산소 농도가 목표인 10 ppm 이하에 도달할 때까지는 행하지 않고, 제2 운전 모드에서 산소 농도를 목표인 10 ppm 이하로 할 수 있을 정도로 행한다. 한편, 제1 운전 모드에서 산소 농도를 어디까지 낮출지는, 임의로 설정할 수 있다.The first operation mode is performed until the oxygen concentration in the atmosphere in the processing vessel 200 and the atmosphere in the pipe 264 becomes, for example, 100 ppm, respectively. Here, in the first operation mode, the nitrogen gas is supplied from the first gas supply unit 240, but in the second operation mode, the supply of the nitrogen gas from the first gas supply unit 240 is stopped. Then, in order to reduce the consumption amount of the nitrogen gas as much as possible, it is preferable to make the operation time of the first operation mode as short as possible. Thus, the first operation mode is not performed until the oxygen concentration reaches the target value of 10 ppm or less, and the oxygen concentration in the second operation mode is set to 10 ppm or less, which is the target value. On the other hand, where the oxygen concentration is lowered in the first operation mode can be arbitrarily set.

한편, 제1 운전 모드를 행함으로써, 처리 용기(200) 내의 분위기와 배관(264) 내의 분위기의 이슬점 온도에 대해서는, 각각 목표 이슬점 온도인 -70℃ 이하가 된다.On the other hand, by performing the first operation mode, the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel 200 and the atmosphere in the pipe 264 becomes -70 ° C or less, which is the target dew point temperature, respectively.

제1 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 동일한 분위기 제어가 행해진다. 즉, 제2 가스 공급부(330)로부터 처리 용기(300, 310) 내에 질소 가스를 공급하고, 제2 배기부(340)에 의해 처리 용기(300, 310) 내를 배기한다. 마찬가지로 제2 가스 순환 시스템(350)에 있어서도, 배관(353∼357) 내의 분위기를 질소 가스로 치환한다. 그리고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도가 100 ppm이 되고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 이슬점 온도가 -70℃ 이하가 된다. In the first operation mode, the same atmosphere control as in the above-described atmosphere control for the firing apparatus 132 is also performed in the temperature controller 134 and the third substrate transfer apparatus 122. That is, nitrogen gas is supplied into the processing vessels 300 and 310 from the second gas supply unit 330 and the processing vessels 300 and 310 are exhausted by the second exhaust unit 340. Similarly, in the second gas circulation system 350, the atmosphere in the pipes 353 to 357 is replaced with nitrogen gas. The oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessels 300 and 310 becomes 100 ppm and the dew point temperature of the atmosphere in the processing vessels 300 and 310 becomes -70 DEG C or lower.

다음으로, 제2 운전 모드에 대해서 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)에서는, 제1 가스 공급부(240)로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 이때, 후술하는 바와 같이 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 하기 위해, 제1 배기부(250)에 의한 배기를 정지하지 않고, 상기 압력 관계를 제어할 정도로 처리 용기(200) 내를 배기한다.Next, the second operation mode will be described. As shown in Fig. 10, in the firing apparatus 132, the supply of the nitrogen gas from the first gas supply unit 240 is stopped. At this time, in order to make the pressure in the processing vessel 200 to be lower than the pressure in the processing vessels 300 and 310 as described later, the pressure relationship is controlled without stopping the exhaust by the first exhaust unit 250 The inside of the processing container 200 is exhausted.

또한, 제1 가스 순환 시스템(260)을 이용하여, 처리 용기(200) 내의 질소 가스를 정제하고, 정제된 질소 가스를 처리 용기(200) 내로 되돌린다. 구체적으로는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스를 냉각기(261)로 정해진 온도까지 냉각한다. 계속해서, 냉각된 질소 가스는 필터(262)를 통과하여, 상기 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질이 제거된다. 그리고, 도 11에 도시한 바와 같이 정제기(263)에 있어서, 질소 가스를 배관(264a)측으로 흘려, 정제통(267)을 통과시킨다. 정제통(267)에서는 질소 가스의 산소와 수분이 제거되어, 질소 가스가 정제된다. 정제통(267)에서 정제된 질소 가스의 산소 농도는, 정제통(267)에 들어가기 전의 질소 가스의 산소 농도 이하로 되어 있다. 이와 같이 정제된 질소 가스는, 처리 용기(200)로 되돌아간다. 이 제1 가스 순환 시스템(260)에서의 질소 가스의 정제를 계속해서 행하며, 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도는, 목표인 10 ppm 이하가 된다. Further, the first gas circulation system 260 is used to purify the nitrogen gas in the processing vessel 200 and return the purified nitrogen gas into the processing vessel 200. More specifically, the nitrogen gas exhausted from the processing vessel 200 is cooled to a temperature determined by the cooler 261. Subsequently, the cooled nitrogen gas passes through the filter 262, and foreign substances such as organic solvents in the nitrogen gas are removed. Then, as shown in Fig. 11, in the purifier 263, nitrogen gas flows to the pipe 264a side, and is passed through the purifier 267. In the purifier 267, oxygen and moisture of the nitrogen gas are removed, and the nitrogen gas is purified. The oxygen concentration of the purified nitrogen gas in the purifying tank 267 is lower than the oxygen concentration of the nitrogen gas before entering the purifying tank 267. [ The thus purified nitrogen gas is returned to the processing vessel 200. The purge of the nitrogen gas in the first gas circulation system 260 is continued, and the oxygen concentration in the atmosphere in the processing vessel 200 is equal to or lower than the target 10 ppm.

한편, 본 실시형태에서는, 처리 용기(200)로부터 배기된 질소 가스는 하나의 정제통(267)을 통과하여 정제되지만, 상기 질소 가스의 정제시에는 2개의 정제통(267, 267)을 동시에 이용해도 된다. 전술한 바와 같이 제1 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 100 ppm이 되고, 제2 운전 모드에서 처리 용기(200) 내의 분위기의 산소 농도가 10 ppm 이하가 된다. 이 산소 농도를 100 ppm으로부터 10 ppm으로 하기까지의 동안, 예컨대 2개의 정제통(267, 267)에 질소 가스를 통과시키면, 상기 질소 가스를 효율적으로 정제할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, the nitrogen gas exhausted from the processing vessel 200 is purified through one purification vessel 267, but when purifying the nitrogen gas, the two purification vessels 267 and 267 are used simultaneously . The oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel 200 becomes 100 ppm in the first operation mode and the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel 200 becomes 10 ppm or less in the second operation mode as described above. The nitrogen gas can be efficiently purified by, for example, passing nitrogen gas through the two purifiers 267 and 267 while the oxygen concentration is changed from 100 ppm to 10 ppm.

또한, 제2 운전 모드에 있어서, 한쪽의 정제통(267)에서 질소 가스를 정제하고 있는 동안에, 다른쪽의 열화된 정제통(267)을 재생해도 된다. 예컨대 도 10 및 도 11에 있어서 점선으로 나타낸 바와 같이, 가스 공급부(268)로부터 공급되는 재생 가스는, 급기관(269)과 배관(264a)을 통해 정제통(267)에 공급된다. 이 재생 가스에 의해, 정제통(267) 내의 열화된 촉매가 재생되어, 상기 정제통(267)이 재생된다. 또한 정제통(267)을 재생한 후의 재생 가스는, 배관(264a)과 배기관(272)을 통해 배기부(271)에 배기된다. 이러한 경우, 예컨대 정제통(267)이 열화된 경우, 상기 정제통(267)을 재생하고 있는 동안에, 다른 정제통(267)을 이용하여 질소 가스를 정제할 수 있다. 즉, 정제통(267)을 재생 중에도 운전을 정지시킬 필요가 없어, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Further, in the second operation mode, while the nitrogen gas is being purified in the one purifier 267, the other deteriorated purifier 267 may be regenerated. The regeneration gas supplied from the gas supply unit 268 is supplied to the purifier tank 267 through the air supply pipe 269 and the pipe 264a as shown by the dotted lines in Figs. The regenerated gas regenerates the deteriorated catalyst in the purifying column 267, and the purifying column 267 is regenerated. The regeneration gas after regenerating the purifier 267 is exhausted to the exhaust portion 271 through the pipe 264a and the exhaust pipe 272. [ In this case, for example, when the purifier 267 deteriorates, nitrogen gas can be purified by using another purifier 267 while the purifier 267 is being regenerated. In other words, it is not necessary to stop the operation even during the regeneration of the purifier 267, and the throughput of the substrate processing can be improved.

그리고, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200) 내의 분위기가 정해진 산소 농도와 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 유리 기판(G)의 소성 처리가 적절히 행해진다. In the second operation mode, the firing process of the glass substrate G is appropriately performed in a state in which the atmosphere in the processing vessel 200 is maintained at the predetermined oxygen concentration and the predetermined dew point temperature.

제2 운전 모드에서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서도, 전술한 소성 장치(132)에 대한 분위기 제어와 거의 동일한 분위기 제어가 행해진다. 즉, 제2 가스 공급부(330)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고, 또한 제2 가스 순환 시스템(350)을 이용하여, 처리 용기(300, 310) 내의 질소 가스를 정제하며, 정제된 질소 가스를 처리 용기(300, 310) 내로 되돌린다. 한편 이때, 소성 장치(132)에서의 분위기 제어와 달리, 제2 배기부(340)에 의한 배기를 정지한다. 이것은, 처리 용기(300, 310) 내의 질소 가스를 낭비하지 않고 리사이클하기 위함이지만, 후술하는 바와 같이 처리 용기(300, 310) 내의 압력을 처리 용기(200) 내의 압력보다 양압으로 하기 위함이기도 하다. 그리고, 처리 용기(300, 310) 내의 분위기의 산소 농도는 목표인 10 ppm 이하가 된다. 따라서, 온도 조절 장치(134)에서의 유리 기판(G)의 온도 조절과, 제3 기판 반송 장치(122)에서의 유리 기판(G)의 반송이, 각각 적절히 행해진다. In the second operation mode, the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122 are also subjected to substantially the same atmosphere control as the atmosphere control for the firing device 132 described above. That is, the supply of the nitrogen gas from the second gas supply unit 330 is stopped and the nitrogen gas in the processing vessels 300 and 310 is purified using the second gas circulation system 350, and the purified nitrogen gas Back into the processing vessels 300, On the other hand, at this time, unlike the atmosphere control in the firing apparatus 132, the exhaust by the second exhaust unit 340 is stopped. This is to recycle the nitrogen gas in the processing vessels 300 and 310 without waste. However, as will be described later, the pressure in the processing vessels 300 and 310 is set to a positive pressure higher than the pressure in the processing vessel 200. Then, the oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessels 300 and 310 becomes 10 ppm or less which is the target. Therefore, temperature control of the glass substrate G in the temperature regulating device 134 and conveyance of the glass substrate G in the third substrate transfer device 122 are appropriately performed, respectively.

제2 운전 모드는, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 목표의 산소 농도와 목표의 이슬점 온도에 도달한 후에도, 계속해서 행해진다. 즉, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드는 계속해서 행해진다. The second operation mode is continuously performed even after the atmosphere in the processing vessel 200, 300, 310 reaches the target oxygen concentration and the target dew-point temperature. That is, during normal operation, the second operation mode is continuously performed.

한편, 제2 운전 모드를 종료하고, 예컨대 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행할 때에는, 제1 가스 순환 시스템(260)에 의한 처리 용기(200) 내의 분위기의 리사이클을 정지한다. 그리고, 제1 공기 공급부(230)로부터 건조 공기를 공급하고, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기한다. 그리고, 처리 용기(200) 내의 분위기가, 질소 가스(저산소 저이슬점 분위기)로부터 산소 농도 21%의 건조 공기로 치환된다. 그 후, 대기 분위기하에서 소성 장치(132)의 메인터넌스를 행하고, 상기 메인터넌스가 종료되면, 재차, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드를 행하여, 처리 용기(200) 내를 정해진 저산소 저이슬점 분위기로 유지한다. 한편, 이 제2 운전 모드를 종료한 후의 분위기 제어에 대해서는, 온도 조절 장치(134)와 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서도 동일하게 행해진다.On the other hand, when the second operation mode is terminated and the firing apparatus 132 is to be maintained, for example, the first gas circulation system 260 stops recycling of the atmosphere in the processing vessel 200. Then, dry air is supplied from the first air supply unit 230, and the first exhaust unit 250 exhausts the inside of the processing vessel 200. Then, the atmosphere in the processing vessel 200 is replaced with dry air having an oxygen concentration of 21% from nitrogen gas (low-oxygen low-dew point atmosphere). Thereafter, the firing apparatus 132 is maintained in an atmospheric environment. When the maintenance is completed, the first operation mode and the second operation mode are again performed to maintain the inside of the processing vessel 200 at a predetermined low-oxygen low-dew point atmosphere do. On the other hand, the atmosphere control after the end of the second operation mode is performed in the same manner for the temperature control device 134 and the third substrate transfer device 122.

본 실시형태에 의하면, 제1 운전 모드에 있어서 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하여, 상기 분위기의 산소 농도를 어느 정도까지 낮춘다. 계속해서, 제2 운전 모드에 있어서, 가스 순환 시스템(260, 350)을 이용하여 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기를 정제하고, 상기 분위기를 정해진 산소 농도와 정해진 이슬점 온도로 한다. 이 때문에, 제2 운전 모드에 있어서, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 적절한 저산소 저이슬점 분위기로 유지되고, 상기 처리 용기(200, 300, 310) 내에서의 유리 기판(G)의 열처리나 반송을 적절히 행할 수 있다.According to the present embodiment, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 is replaced with nitrogen gas in the first operation mode to lower the oxygen concentration in the atmosphere to some extent. Subsequently, in the second operation mode, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 is refined by using the gas circulation systems 260 and 350, and the atmosphere is set to a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature. Therefore, in the second operation mode, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 is maintained in an appropriate low-oxygen low-dew point atmosphere and the temperature of the glass substrate G in the processing vessels 200, Heat treatment or transportation can be appropriately performed.

또한, 제1 운전 모드와 제2 운전 모드에서는, 산소 농도계(280, 281)의 계측 결과와 이슬점 온도계(282)의 계측 결과에 기초하여, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 제어되기 때문에, 상기 분위기가 보다 확실하게 저산소 저이슬점 분위기로 유지된다. In the first operation mode and the second operation mode, the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 is controlled based on the measurement results of the oxygen concentration meters 280 and 281 and the measurement results of the dew point thermometer 282 Therefore, the atmosphere is more reliably maintained in the low-oxygen low-dew point atmosphere.

게다가, 예컨대 각 장치(132, 134, 122)의 기동시, 즉 처리 용기(200, 300, 310) 내의 분위기가 대기 분위기의 상태로부터 각 장치(132, 134, 122)를 기동시킬 때에만, 제1 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 330)로부터 처리 용기(200, 300, 310) 내에 질소 가스를 공급하고, 통상 조업시에는, 제2 운전 모드를 실행하여 가스 공급부(240, 330)로부터의 질소 가스의 공급을 정지하고 있다. 따라서, 질소 가스의 소비량을 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)의 열처리와 반송을 효율적으로 행할 수 있다. In addition, for example, only when each of the devices 132, 134, and 122 is activated, that is, when the atmosphere in the processing vessels 200, 300, and 310 starts the devices 132, 1 operation mode to supply nitrogen gas from the gas supply units 240 and 330 into the processing vessels 200 and 300 and 310 and to perform the second operation mode during normal operation to supply the nitrogen gas from the gas supply units 240 and 330 The supply of nitrogen gas is stopped. Therefore, the consumption amount of the nitrogen gas can be suppressed to a small amount, and the heat treatment and transportation of the glass substrate G can be performed efficiently.

또한, 소성 장치(132)와, 온도 조절 장치(134) 및 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서, 전술한 제1 운전 모드와 제2 운전 모드의 분위기 제어는 각각 개별적으로 행해진다. 이 때문에, 예컨대 소성 장치(132)만을 메인터넌스하는 경우라도, 다른 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 있어서는, 통상 조업을 계속할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.In the firing apparatus 132, the temperature regulating apparatus 134, and the third substrate transfer apparatus 122, the above-described atmosphere control of the first operation mode and the second operation mode is performed individually. Therefore, even when only the firing apparatus 132 is maintained, normal operation can be continued in the other temperature regulating apparatus 134 and the third substrate transfer apparatus 122, for example. Therefore, the throughput of the substrate processing in the substrate processing system 100 can be improved.

또한, 기판 처리 시스템(100)에서는, 소성 장치(132), 온도 조절 장치(134), 제3 기판 반송 장치(122)에 대해서만, 저산소 저이슬점 분위기가 되고 있다. 그리고, 다른 장치인 제1 기판 반송 장치(120), 제2 기판 반송 장치(121), 도포 장치(130), 감압 건조 장치(131)에는, 질소 가스가 공급되지 않으며, 저산소 저이슬점 분위기로 유지되어 있지 않다. 이와 같이 저산소 저이슬점 분위기가 필요한 열처리(반송)에만 질소 가스가 이용되기 때문에, 질소 가스의 소비량을 보다 소량으로 억제할 수 있고, 유리 기판(G)에 대한 정공 수송층(31)의 형성 처리를 더욱 효율적으로 행할 수 있다.In the substrate processing system 100, only the firing apparatus 132, the temperature control apparatus 134, and the third substrate transfer apparatus 122 are in a low-oxygen low-dew point atmosphere. No nitrogen gas is supplied to the first substrate transfer device 120, the second substrate transfer device 121, the application device 130, and the reduced pressure drying device 131, which are other devices, and are maintained in a low oxygen low- . Since the nitrogen gas is used only in the heat treatment (transportation) in which the low-oxygen low-dew point atmosphere is required, the consumption amount of the nitrogen gas can be suppressed to a smaller amount and the formation treatment of the hole transport layer 31 And can be performed efficiently.

다음으로, 전술한 제2 운전 모드에서의 기류에 대해서, 도 10에 기초하여 설명한다. 도 10 중의 화살표는 기류의 방향을 나타내고 있다. 제2 운전 모드에서는, 도 10에 도시한 바와 같이 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력은, 대기보다 양압이며, 온도 조절 장치(134)의 처리 용기(300) 내와 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 압력보다 음압으로 되어 있다. 즉, 제3 기판 반송 장치(122)로부터 소성 장치(132)로 향하는 기류가 발생한다. 이러한 압력 관계의 제어는, 전술한 바와 같이 제2 운전 모드에 있어서, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내를 배기하여, 상기 처리 용기(200) 내의 압력을 낮춤으로써 행해진다. Next, the airflow in the second operation mode will be described with reference to Fig. Arrows in FIG. 10 indicate the direction of the airflow. 10, the pressure in the processing container 200 of the firing device 132 is positive than that in the atmosphere, and the pressure in the processing container 300 of the temperature regulating device 134 and the pressure The pressure in the processing container 310 of the transfer device 122 becomes negative. That is, an air flow from the third substrate transfer device 122 to the firing device 132 is generated. The control of the pressure relationship is performed by lowering the pressure in the processing vessel 200 by exhausting the inside of the processing vessel 200 by the first exhaust section 250 in the second operation mode as described above .

이러한 경우, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 청정하지 않은 분위기가, 제3 기판 반송 장치(122)로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그러면, 이 청정하지 않은 분위기가, 제3 기판 반송 장치(122)를 통해, 상기 제3 기판 반송 장치(122)의 상류측으로 흐르는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)에서의 유리 기판(G)의 처리를 적절히 행할 수 있다.In this case, it is possible to prevent the uncleaned atmosphere in the processing vessel 200 of the firing apparatus 132 from flowing into the third substrate transfer apparatus 122. Then, this unclean atmosphere can be prevented from flowing to the upstream side of the third substrate transfer device 122 through the third substrate transfer device 122. Therefore, the glass substrate G in the substrate processing system 100 can be appropriately processed.

한편, 제3 기판 반송 장치(122) 내의 분위기는 상온이기 때문에, 상기 분위기가 소성 장치(132)에 대량으로 흐르면, 소성 장치(132) 내의 분위기의 온도가 저하되어 버린다. 이 때문에, 소성 장치(132)의 처리 용기(200) 내의 압력과, 제3 기판 반송 장치(122)의 처리 용기(310) 내의 압력의 압력차는, 약간 정도인 것이 바람직하다. On the other hand, since the atmosphere in the third substrate transport apparatus 122 is at a normal temperature, if the atmosphere flows into the firing apparatus 132 in a large amount, the temperature of the atmosphere in the firing apparatus 132 is lowered. Therefore, the pressure difference between the pressure in the processing container 200 of the firing device 132 and the pressure in the processing container 310 of the third substrate transfer device 122 is preferably a little.

<4. 다른 실시형태><4. Other Embodiments>

이상의 실시형태에서는, 제2 운전 모드에 있어서 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 하기 위해, 제1 배기부(250)에 의해 처리 용기(200) 내의 배기를 행하고 있었으나, 상기 압력 관계를 유지하는 방법은 이것에 한정되지 않는다.In the above embodiment, in order to make the pressure in the processing vessel 200 to be lower than the pressure in the processing vessels 300 and 310 in the second operation mode, However, the method of maintaining the pressure relationship is not limited to this.

예컨대 도 12에 도시한 바와 같이, 배기부(271)에 의해 배관(264) 내의 분위기, 즉 처리 용기(200) 내의 분위기를 배기해도 된다. 이러한 경우, 처리 용기(200) 내의 압력이 내려가기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다. The atmosphere in the pipe 264, that is, the atmosphere in the processing vessel 200 may be evacuated by the evacuation unit 271 as shown in Fig. 12, for example. In this case, since the pressure in the processing vessel 200 is lowered, the pressure in the processing vessel 200 can be made lower than the pressure in the processing vessel 300, 310.

또한, 예컨대 도 13에 도시한 바와 같이 필터(262)와 정제기(263) 사이의 배관(264)과, 처리 용기(310)와 정제기(351) 사이의 배관(354)을 접속하는 배관(400)을 별도로 설치해도 된다. 이러한 경우, 도 14에 도시한 바와 같이 냉각기(261)에 의해 정해진 온도까지 냉각되고, 또한 필터(262)에 의해 질소 가스 중의 유기 용매 등의 이물질이 제거된 질소 가스는, 배관(400, 354)을 통해 정제기(351)에 유입된다. 그리고, 질소 가스는 정제기(351)로 정제되고, 처리 용기(300, 310) 내로 되돌아간다. 이와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를, 처리 용기(300)와 처리 용기(310)에 공급하기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다.13, a pipe 400 connecting the pipe 264 between the filter 262 and the purifier 263 and the pipe 354 between the process container 310 and the purifier 351, May be separately installed. In this case, as shown in Fig. 14, the nitrogen gas cooled to a predetermined temperature by the cooler 261 and having the filter 262 removed foreign matters such as organic solvent in the nitrogen gas is supplied to the pipes 400 and 354, And flows into the purifier 351 through the purifier 351. The nitrogen gas is purified by the purifier 351 and returned to the processing vessels 300 and 310. Since the nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied to the processing vessel 300 and the processing vessel 310 in this way, the pressure in the processing vessel 200 is lower than the pressure in the processing vessels 300 and 310 Sound pressure can be.

또한, 예컨대 도 15에 도시한 바와 같이 정제기(263)와 처리 용기(200) 사이의 배관(264)과, 정제기(351)와 처리 용기(310) 사이의 배관(357)을 접속하는 배관(410)을 별도로 설치해도 된다. 이러한 경우, 도 16에 도시한 바와 같이 정제기(263)에 의해 정제된 질소 가스는, 배관(410, 357)을 통해 처리 용기(310) 내에 유입된다. 이와 같이 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를 처리 용기(310) 내에 공급하기 때문에, 처리 용기(200) 내의 압력을 처리 용기(300, 310) 내의 압력보다 음압으로 할 수 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 제1 가스 순환 시스템(260)을 흐르는 질소 가스를 처리 용기(310) 내에 공급하고 있었으나, 처리 용기(300)에 공급해도 되고, 또는 처리 용기(200, 310) 사이의 셔터(133)에 공급해도 된다. 15, a pipe 264 between the purifier 263 and the processing vessel 200 and a pipe 410 connecting the purifier 351 and the pipe 357 between the purifier 351 and the processing vessel 310 ) May be separately installed. In this case, the nitrogen gas purified by the purifier 263 flows into the processing vessel 310 through the pipes 410 and 357 as shown in Fig. Since the nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied into the processing vessel 310 as described above, the pressure in the processing vessel 200 can be made lower than that in the processing vessels 300 and 310. In the present embodiment, nitrogen gas flowing through the first gas circulation system 260 is supplied into the processing vessel 310, but may be supplied to the processing vessel 300, Or may be supplied to the shutter 133.

또한, 예컨대 가스 공급부(268, 360)로부터 공급되는 질소 가스를 이용하여, 처리 용기(200, 300, 310) 내의 압력을 미세 조절해도 된다.Further, the pressure in the processing vessels 200, 300, 310 may be finely adjusted by using, for example, nitrogen gas supplied from the gas supply units 268, 360.

이상의 기판 처리 시스템(100)은, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 처리를 행하고 있었으나, 상기 기판 처리 시스템(100)을 이용하여, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성해도 된다. 발광층(32)을 형성할 때에도, 유리 기판(G)의 열처리[발광층(32)의 소성 처리와 유리 기판(G)의 온도 조절 처리]에 있어서, 저산소 저이슬점 분위기가 요구된다. 따라서, 기판 처리 시스템(100)을 이용하면, 유리 기판(G)에 대한 발광층(32)의 형성 처리를 적절히 또한 효율적으로 행할 수 있다.The substrate processing system 100 described above has performed the process of forming the hole transporting layer 31 on the glass substrate G. However, the substrate processing system 100 may be used to form the light emitting layer 32 on the glass substrate G . A low oxygen low dew point atmosphere is required in the heat treatment of the glass substrate G (firing treatment of the light emitting layer 32 and temperature control treatment of the glass substrate G). Therefore, when the substrate processing system 100 is used, the formation process of the light emitting layer 32 for the glass substrate G can be appropriately and efficiently performed.

또한, 유리 기판(G)에 정공 수송층(31)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)과, 유리 기판(G)에 발광층(32)을 형성하는 기판 처리 시스템(100)을 접속하여 일체화해도 된다. 또한, 유리 기판(G)에 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템을 접속하여 일체화해도 된다. 한편, 정공 주입층(30)을 형성하는 처리는 저산소 저이슬점 분위기가 불필요하며, 상기 정공 주입층(30)을 형성하는 기판 처리 시스템은, 상기 기판 처리 시스템(100)에서의 질소 가스의 공급이나 질소 가스의 리사이클이 생략된 것이 된다.The substrate processing system 100 for forming the hole transport layer 31 on the glass substrate G and the substrate processing system 100 for forming the light emitting layer 32 on the glass substrate G may be connected and integrated. The substrate processing system for forming the hole injection layer 30 may be connected to the glass substrate G to be integrated. On the other hand, the processing for forming the hole injection layer 30 does not require a low-oxygen low-dew point atmosphere, and the substrate processing system for forming the hole injection layer 30 is not limited to the supply of the nitrogen gas in the substrate processing system 100 The recycle of the nitrogen gas is omitted.

한편, 전자 수송층(33)과 전자 주입층(34)은, 기판 처리 시스템(100)의 외부에 있어서 증착법에 의해 유리 기판(G) 상에 형성되어도 되고, 정공 수송층(31)과 마찬가지로 기판 처리 시스템(100)에 있어서 유리 기판(G) 상에 형성되어도 된다.The electron transport layer 33 and the electron injection layer 34 may be formed on the glass substrate G by an evaporation method outside the substrate processing system 100 and may be formed on the glass substrate G in the same manner as the hole transport layer 31, Or may be formed on the glass substrate G in the substrate 100.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. While the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

1: 유기 발광 다이오드 10: 양극
30: 정공 주입층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 전자 수송층
34: 전자 주입층 40: 음극
100: 기판 처리 시스템 101: 반입 반출 스테이션
102: 처리 스테이션 120: 제1 기판 반송 장치
121: 제2 기판 반송 장치 122: 제3 기판 반송 장치
130: 도포 장치 131: 감압 건조 장치
132: 소성 장치 134: 온도 조절 장치
140: 제어부 200, 300, 310: 처리 용기
230: 제1 공기 공급부 240: 제1 가스 공급부
250: 제1 배기부 260: 제1 가스 순환 시스템
261: 냉각기 262: 필터
263, 351: 정제기
264, 353, 354, 355, 356, 357: 배관
267: 정제통 268, 360: 가스 공급부
271, 362: 배기부 280, 281, 370, 371: 산소 농도계
282, 372: 이슬점 온도계 290, 380: 도어
320: 제2 공기 공급부 330: 제2 가스 공급부
340: 제2 배기부 350: 제2 가스 순환 시스템
352: 온도 조절기 G: 유리 기판1: organic light emitting diode 10: anode
30: Hole injection layer 31: Hole transport layer
32: light emitting layer 33: electron transporting layer
34: electron injection layer 40: cathode
100: substrate processing system 101: carry-in / take-out station
102: processing station 120: first substrate carrying device
121: second substrate carrying device 122: third substrate carrying device
130: Coating device 131: Decompression drying device
132: firing device 134: temperature control device
140: control unit 200, 300, 310: processing vessel
230: first air supply unit 240: first gas supply unit
250: first exhaust part 260: first gas circulation system
261: cooler 262: filter
263, 351: Purifier
264, 353, 354, 355, 356, 357: piping
267: purifier tank 268, 360: gas supply unit
271, 362: exhaust part 280, 281, 370, 371: oxygen concentration meter
282, 372: dew point thermometer 290, 380: door
320: second air supply unit 330: second gas supply unit
340: second exhaust part 350: second gas circulation system
352: Temperature controller G: Glass substrate

Claims (26)

유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 수용하는 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와,
상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리는 가스 순환 시스템과,
상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제어부는,
상기 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 가스 공급부, 상기 배기부 및 상기 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. A heat treatment apparatus for applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat-treating the substrate,
A processing container for accommodating a substrate;
A gas supply unit for supplying an inert gas into the processing vessel,
An exhaust unit for exhausting the interior of the processing vessel,
A gas circulation system having a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel and returning an atmosphere purified by the purifier to the processing vessel,
And a control section for controlling the atmosphere in the processing container,
Wherein,
Wherein an inert gas is supplied from the gas supply unit to the processing vessel, the processing vessel is evacuated by the evacuation unit, and the atmosphere in the processing vessel is replaced with an inert gas so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere, A first step of making an atmosphere having a low temperature,
The purifier is returned to the processing vessel by using the gas circulation system, and the atmosphere in the processing vessel is set to a predetermined oxygen concentration and a predetermined dew point temperature The second process
And the gas circulation system to control the gas supply unit, the exhaust unit, and the gas circulation system. 제1항에 있어서, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The gas circulation system according to claim 1, further comprising a pipe connecting the purifier with the processing container,
The control unit controls the atmosphere in the pipe by inert gas supplied from the gas supply unit so that the atmosphere is lower than the atmosphere and the dew point temperature is lower than the atmosphere And the heat treatment apparatus. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 공정에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기가 상기 정제기를 통과하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the control unit controls the first step so that the atmosphere in the processing container does not pass through the purifier. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정제기는,
상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과,
상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와,
상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며,
상기 제어부는, 상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하도록, 다른 가스 공급부와 상기 다른 배기부를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. 4. The purifier according to any one of claims 1 to 3,
A plurality of purifier passes through which oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel are removed,
Another gas supply unit for supplying a regeneration gas containing hydrogen gas to the purifier,
And another exhaust part for exhausting the inside of the purifier,
Wherein the control unit supplies the regeneration gas from the other gas supply unit to the other purifier while purifying the atmosphere in the processing container in one purifier in the second step, And controls the other gas supply unit and the other exhaust unit so as to regenerate the other purifier. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은,
상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와,
상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer,
The gas circulation system comprises:
A cooler for cooling the atmosphere before being purified by the purifier,
Further comprising a filter for removing foreign substances in the atmosphere after being cooled by the cooler and before being purified by the purifier. 제4항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은,
상기 정제기로 정제되기 전의 분위기를 냉각하는 냉각기와,
상기 냉각기로 냉각된 후이며 상기 정제기로 정제되기 전의 분위기 중의 이물질을 제거하는 필터를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The method according to claim 4, wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer,
The gas circulation system comprises:
A cooler for cooling the atmosphere before being purified by the purifier,
Further comprising a filter for removing foreign substances in the atmosphere after being cooled by the cooler and before being purified by the purifier. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat treatment is a temperature adjustment treatment for adjusting a temperature of the substrate,
Wherein said gas circulation system further comprises a temperature regulator for regulating the temperature of the atmosphere in said processing vessel. 제4항에 있어서, 상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며,
상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 온도 조절기를 더 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The method according to claim 4, wherein the heat treatment is a temperature adjustment treatment for adjusting a temperature of the substrate,
Wherein said gas circulation system further comprises a temperature regulator for regulating the temperature of the atmosphere in said processing vessel. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와,
상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising: an oxygen concentration meter for measuring an oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel;
And a dew point thermometer for measuring a dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel,
Wherein the control unit controls the atmosphere in the processing container based on a measurement result of the oxygen concentration meter and a measurement result of the dew point thermometer. 제4항에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계와,
상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과와 상기 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. The apparatus according to claim 4, further comprising: an oxygen concentration meter for measuring an oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel;
And a dew point thermometer for measuring a dew point temperature of the atmosphere in the processing vessel,
Wherein the control unit controls the atmosphere in the processing container based on a measurement result of the oxygen concentration meter and a measurement result of the dew point thermometer. 제9항에 있어서, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 도어의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. 10. The processing apparatus according to claim 9, further comprising a door for opening and closing the inside of the processing container with respect to the outside,
Wherein the control unit controls opening and closing of the door based on the measurement result of the oxygen concentration meter. 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 도포한 후, 상기 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
가스 공급부로부터 처리 용기 내에 불활성 가스를 공급하고, 배기부에 의해 상기 처리 용기 내를 배기하며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비한 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 처리 용기 내로 되돌리며, 상기 처리 용기 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정을 포함하며,
상기 제2 공정에 있어서 상기 처리 용기 내의 분위기가 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지된 상태에서, 상기 처리 용기 내에 있어서 기판의 열처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. A heat treatment method for applying an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate and then heat-treating the substrate,
An inert gas is supplied from the gas supply unit to the processing vessel, the processing vessel is evacuated by the evacuation unit, and the atmosphere in the processing vessel is replaced with an inert gas so that the oxygen concentration is lower than that of the atmosphere, A first step of making an atmosphere,
The atmosphere purified by the purifier is returned into the processing vessel by using a gas circulation system including a gas circulation system that stops the supply of the inert gas from the gas supply unit and removes oxygen and moisture in the atmosphere in the processing vessel, And a second step of keeping the atmosphere in the processing vessel at a predetermined dew-point temperature at a predetermined oxygen concentration,
Wherein heat treatment of the substrate in the processing vessel is performed in a state where the atmosphere in the processing vessel is maintained at a predetermined dew-point temperature in a predetermined second oxygen concentration in the second step. 제12항에 있어서, 상기 가스 순환 시스템은, 상기 처리 용기와 상기 정제기를 접속하는 배관을 더 가지며,
상기 제1 공정에 있어서, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스에 의해, 상기 배관 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. The gas circulation system according to claim 12, further comprising a pipe connecting the purifier with the processing vessel,
The atmosphere in the pipe is replaced with an inert gas by an inert gas supplied from the gas supply unit in the first step to control the atmosphere to have an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere Lt; / RTI &gt; 제13항에 있어서, 상기 제1 공정에서, 상기 처리 용기 내의 분위기는 상기 정제기를 통과하지 않는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. 14. The method according to claim 13, wherein in the first step, the atmosphere in the processing vessel does not pass through the purifier. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정제기는, 상기 처리 용기 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 복수의 정제통과, 상기 정제통에 수소 가스를 포함하는 재생 가스를 공급하는 다른 가스 공급부와, 상기 정제통 내를 배기하는 다른 배기부를 가지며,
상기 제2 공정에 있어서, 하나의 정제통에서 상기 처리 용기 내의 분위기를 정제하면서, 다른 정제통에 대하여 상기 다른 가스 공급부로부터 재생 가스를 공급하고, 상기 다른 배기부에 의해 상기 정제통 내를 배기하여, 상기 다른 정제통을 재생하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. 15. The purifier according to any one of claims 12 to 14, wherein the purifier further comprises: a plurality of purifier passages for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the processing container; A gas supply part, and another exhaust part for exhausting the inside of the purifier,
In the second step, while regeneration of the atmosphere in the processing vessel is performed in one purifier, regeneration gas is supplied to the other purifier from the other gas supplier, and the inside of the purifier is evacuated by the other purifier , And the other refinement vessel is regenerated. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 유기층을 소성하는 소성 처리이며,
상기 가스 순환 시스템에서는, 냉각기로 상기 처리 용기 내의 분위기를 냉각하고, 또한 냉각된 분위기 중의 이물질을 필터로 제거한 후, 상기 정제기로 분위기를 정제하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. 15. The method according to any one of claims 12 to 14, wherein the heat treatment is a baking treatment for baking the organic layer,
In the gas circulation system, the atmosphere in the processing container is cooled with a cooler, and the foreign substances in the cooled atmosphere are removed with a filter, and then the atmosphere is purified with the purifier. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 처리이며,
상기 가스 순환 시스템에서는, 온도 조절기로 상기 처리 용기 내의 분위기의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. 15. The method according to any one of claims 12 to 14, wherein the heat treatment is a temperature adjustment treatment for adjusting a temperature of the substrate,
Wherein in the gas circulation system, the temperature of the atmosphere in the processing vessel is controlled by a temperature controller. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 공정과 상기 제2 공정에서, 상기 처리 용기 내의 분위기의 산소 농도를 계측하는 산소 농도계의 계측 결과와, 상기 처리 용기 내의 분위기의 이슬점 온도를 계측하는 이슬점 온도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기 내의 분위기가 제어되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. The method as claimed in any one of claims 12 to 14, wherein in the first step and the second step, a measurement result of an oxygen concentration meter for measuring an oxygen concentration of the atmosphere in the processing vessel and a measurement result of a dew point Wherein the atmosphere in the processing vessel is controlled based on the measurement result of the dew point thermometer for measuring the temperature. 제18항에 있어서, 상기 산소 농도계의 계측 결과에 기초하여, 상기 처리 용기의 내부를 외부에 대하여 개폐하기 위한 도어의 개폐가 제어되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. The heat treatment method according to claim 18, wherein the opening and closing of the door for opening and closing the inside of the processing container with respect to the outside is controlled based on the measurement result of the oxygen concentration meter. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체. A computer-readable storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the heat treatment apparatus so that the heat treatment method according to any one of claims 12 to 14 is executed by a heat treatment apparatus. 유기 발광 다이오드의 유기층을 기판 상에 형성하는 기판 처리 시스템으로서,
상기 유기층을 기판 상에 도포하고, 또한 상기 유기층을 건조시킨 후, 상기 유기층을 소성하는 소성 장치와,
상기 소성 장치로 상기 유기층을 소성 후, 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치와,
상기 소성 장치와 상기 온도 조절 장치에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 가지며,
상기 소성 장치에는,
상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,
상기 소성 장치 내를 배기하는 제1 배기부와,
상기 소성 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리는 제1 가스 순환 시스템이 설치되며,
상기 소성 장치 내의 분위기는, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되고,
상기 온도 조절 장치와 상기 기판 반송 장치에는,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하는 제2 배기부와,
상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기 중의 산소와 수분을 제거하는 정제기를 구비하고, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리는 제2 가스 순환 시스템이 설치되며,
상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기는 공통적으로, 대기보다 낮은 미리 정해진 산소 농도, 또한 대기보다 낮은 미리 정해진 이슬점 온도의 분위기로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 1. A substrate processing system for forming an organic layer of an organic light emitting diode on a substrate,
A firing apparatus for applying the organic layer on a substrate, drying the organic layer, and then firing the organic layer;
A temperature control device for controlling the temperature of the substrate after the firing of the organic layer with the firing device,
And a substrate transfer device for transferring the substrate to the firing device and the temperature control device,
In the firing apparatus,
A first gas supply unit for supplying an inert gas into the firing unit;
A first exhaust part for exhausting the inside of the firing device,
A first gas circulation system is provided that includes a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the firing unit and returns the purified atmosphere to the firing unit,
The atmosphere in the firing apparatus is maintained in an atmosphere having a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew-point temperature lower than the atmosphere,
In the temperature control device and the substrate transfer device,
A second gas supply unit for supplying an inert gas into the temperature control device and the substrate transfer device,
A second exhaust unit for exhausting the inside of the temperature control device and the substrate transfer device,
And a second gas circulation system having a purifier for removing oxygen and moisture in the atmosphere in the temperature control device and the substrate transfer device and returning the atmosphere purified by the purifier to the temperature control device and into the substrate transfer device Installed,
Wherein the atmosphere in the temperature control device and the atmosphere in the substrate transfer device are held in an atmosphere having a predetermined oxygen concentration lower than the atmosphere and a predetermined dew-point temperature lower than the atmosphere. 제21항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력은, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 압력보다 음압인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The substrate processing system according to claim 21, wherein the pressure in the baking apparatus is a negative pressure in the temperature regulating apparatus and in the substrate transfer apparatus. 제22항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 소성 장치 내를 배기하여 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 23. The substrate processing system according to claim 22, wherein the adjustment of the pressure in the firing apparatus is performed by exhausting the inside of the firing apparatus. 제22항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 압력의 조절은, 상기 제1 가스 순환 시스템을 흐르는 분위기를, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 공급하여 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 23. The substrate processing system according to claim 22, wherein the adjustment of the pressure in the firing device is performed by supplying an atmosphere flowing through the first gas circulation system into the temperature control device and the substrate transfer device. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소성 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며,
상기 제어부는,
상기 제1 가스 공급부로부터 상기 소성 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제1 배기부에 의해 상기 소성 장치 내를 배기하며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 제1 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 소성 장치 내로 되돌리며, 상기 소성 장치 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 제1 가스 공급부, 상기 제1 배기부 및 상기 제1 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 25. The apparatus according to any one of claims 21 to 24, further comprising a control section for controlling the atmosphere in the firing apparatus,
Wherein,
An inert gas is supplied from the first gas supply unit to the firing unit and the inside of the firing unit is exhausted by the first exhaust unit and the atmosphere in the firing unit is replaced with an inert gas, A first step of making an atmosphere having a lower dew point temperature than that of the atmosphere,
Stopping the supply of the inert gas from the first gas supply unit, returning the atmosphere purified by the purifier to the firing apparatus using the first gas circulation system, and adjusting the atmosphere in the firing apparatus to a predetermined oxygen concentration A second step of maintaining the temperature at a predetermined dew point temperature
The first gas supply unit, the first exhaust unit, and the first gas circulation system so as to perform the first gas supply unit, the first gas supply unit, and the first gas circulation system. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 조절 장치 내의 분위기와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 제어하는 제어부를 더 가지며,
상기 제어부는,
상기 제2 가스 공급부로부터 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내에 불활성 가스를 공급하고, 상기 제2 배기부에 의해 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내를 배기하며, 상기 온도 조절 장치 내와 기판 반송 장치 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하여, 대기보다 산소 농도가 낮고, 또한 대기보다 이슬점 온도가 낮은 분위기로 하는 제1 공정과,
상기 제2 가스 공급부로부터의 불활성 가스의 공급을 정지하고, 상기 제2 가스 순환 시스템을 이용하여, 상기 정제기로 정제된 분위기를 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내로 되돌리며, 상기 온도 조절 장치 내와 상기 기판 반송 장치 내의 분위기를 미리 정해진 산소 농도 또한 미리 정해진 이슬점 온도로 유지하는 제2 공정
을 행하도록, 상기 제2 가스 공급부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 순환 시스템을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The substrate processing apparatus according to any one of claims 21 to 24, further comprising a control section for controlling an atmosphere in the temperature regulating apparatus and an atmosphere in the substrate transfer apparatus,
Wherein,
An inert gas is supplied from the second gas supply unit into the temperature regulating apparatus and the substrate transfer apparatus, and the second exhaust unit exhausts the inside of the temperature regulating apparatus and the inside of the substrate transfer apparatus, And an atmosphere in the substrate transfer device is replaced with an inert gas so that the atmosphere has an oxygen concentration lower than that of the atmosphere and a dew point temperature lower than that of the atmosphere,
The supply of the inert gas from the second gas supply unit is stopped and the atmosphere purified by the purifier is returned into the temperature control device and the substrate transfer device using the second gas circulation system, And a second step of maintaining the atmosphere in the substrate transfer apparatus at a predetermined dew point temperature in a predetermined oxygen concentration
The second gas supply unit, the second exhaust unit, and the second gas circulation system so that the second gas supply unit, the second gas supply unit, and the second gas circulation system are operated.
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