JP2008282432A - 磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥発生を高水準で抑制する。
【解決手段】アルミニウム合金製基板(2)の表面に、物理蒸着によりＺｎおよびＮｉのうちの少なくとも１種を含む金属薄膜(3)(4)を形成する工程と、金属薄膜(3)(4)を形成したアルミニウム合金製基板(2)にＮｉ−Ｐを無電解めっきする工程とを行うことを特徴とする。
【選択図】 図１Ｄ

Description

この発明は、ハードディスクドライブ（以下「ＨＤＤ」と略する）用磁気記録媒体に用いるアルミニウム合金製基板およびその製造方法に関する。

ＨＤＤの磁気記録媒体用アルミニウム基板には、強度が高く、加工性および耐食性に優れたＡｌ−Ｍｇ系合金が使用されている。一般にアルミニウム基板および磁気記録媒体は以下の工程で製作される。
（１）アルミニウム合金を圧延して、所定の板材を製作する。
（２）板材からドーナッツ型の円板をプレス抜きし、加圧焼鈍して反りを矯正する。
（３）機械加工により、所定の外径・内径・端面形状・板厚寸法に形成し、表面を砥石で湿式研削して滑らかにする。
（４）機械加工で生じた内部歪を焼鈍によって開放する。
（５）次いで前処理として通常２回のジンケート処理（ダブルジンケート）を行った後、磁気記録層の下地層として、Ｎｉ−Ｐ皮膜を無電解めっき法により形成する。
（６）Ｎｉ−Ｐめっき表面を研磨によって鏡面に仕上げ、磁気ディスク（磁気記録媒体）用アルミニウム合金基板とする。
（７）Ｎｉ−Ｐ皮膜の上にスパッタリング等の物理蒸着により磁気記録層を形成し、磁気記録媒体が完成する。

近年、磁気記録媒体の高容量化に伴い、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成したアルミニウム基板においては、研磨後の平均表面粗さ（Ｒａ）、微小うねり（Ｗａ）がともに０．５ｎｍ以下で微小な欠陥も無い、高度に平滑な仕上がり表面が求められている。かかる状況下では、完全なＮｉ−Ｐめっき皮膜の形成が必要となる。

アルミニウム合金製基板に起因するＮｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥として、添加元素による金属間化合物の表面露出や脱落、材料合金の鋳造、圧延、焼鈍のプロセスで成長する金属結晶の粒界段差や結晶方位による初期めっき層のバラツキなどが挙げられる。
例えば、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、アルミニウム合金製基板(2)に存在する金属間化合物(5)が機械加工で表面に露出すると、めっきの前処理（脱脂、エッチング）で溶解、脱落したり、周辺縁が侵食されて突出したりする。このような状態でジンケート処理を行うと図２Ｃに示すように、金属間化合物(5)上はＺｎに置換されず、欠陥を持ったジンケート皮膜が形成される。

ダブルジンケートを行う場合は1回目のジンケート皮膜(11)を硝酸で溶解、剥離し、化学反応で荒れたアルミニウム合金製基板(2)の表面を露出（図２Ｄ）させてから２回目のジンケート皮膜(14)を形成するが、２回目のジンケート皮膜(14)も金属間化合物(5)上には形成されず、脱落した金属間化合物(5)による凹部(12)(13)も継承されて、荒れた、欠陥のある皮膜(14)が形成される（図２Ｅ）。

この状態で無電解Ｎｉ−Ｐめっきを行うと、欠陥はピット(16)として残り、荒れた表面や凹みがそのまま継承されたＮｉ−Ｐめっき皮膜(15)が形成される。
このようにして出来上がったＮｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥を、後工程の研磨加工で払拭するのは困難だが、これらの問題はアルミニウム合金を基板材料として使用する限り、避け難い問題である。

この問題の解決法のひとつとして、文献１には、基板との密着性に優れたアルミニウム合金皮膜を物理蒸着によって形成し、金属間化合物や結晶粒段差を覆い隠すことで、これらに起因する問題を回避することが提案されている（特許文献１）。
特開２００６−３０２３５８号公報（特許請求の範囲、［００２９］）

しかし、Ａｌ合金皮膜はアルミニウム合金基板に対する密着性に優れていても、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜との密着性を確保するために、Ａｌ合金皮膜の上にＣｕまたはＣｕ合金皮膜を形成することが推奨されている。ところが、ＣｕはＡｌやＮｉよりもイオン化傾向が小さく、めっき皮膜の腐食原因となって取り扱いが難しい。そのうえ、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜との密着性を得るために、ＣｕまたはＣｕ合金皮膜を形成するのでは生産性が悪く、製造コストの上昇を招くことになる。

本発明は、上述した背景技術に鑑み、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥発生を高水準で抑制できる磁気記録媒体用アルミニウム基板およびその製造方法、ならび磁気記録媒体の提供を目的とする。

即ち、本発明は下記［１］〜［６］に記載の構成を有する。

［１］アルミニウム合金製基板の表面に、物理蒸着によりＺｎおよびＮｉのうちの少なくとも１種を含む金属薄膜を形成する工程と、金属薄膜を形成したアルミニウム合金製基板にＮｉ−Ｐを無電解めっきする工程とを行うことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム合金基板の製造方法。

［２］前記蒸着工程において形成される金属薄膜の膜厚が１０〜２００ｎｍである前項１に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金基板の製造方法。

［３］前記蒸着工程と前記めっき工程との間に、金属薄膜を形成したアルミニウム合金製基板を焼鈍する焼鈍工程を行う前項１または２に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法。

［４］前記焼鈍工程において、３００〜４００℃で３０秒〜２時間の焼鈍を行う前項３に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法。

［５］前項１〜４のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板。

［６］前項５に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板を用いたことを特徴とする磁気記録媒体。

［１］に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法は、物理蒸着によってＺｎおよびＮｉのうちの少なくとも１種を含む金属薄膜を形成するものであるから、アルミニウム合金製基板の表面に金属間化合物、結晶粒、結晶粒界の段差等が存在していてもこれらの欠陥を覆って薄膜が形成され、欠陥が隠蔽される。このため、欠陥のない均一で表面平滑性の高い金属薄膜を形成することができ、ひいては高水準で欠陥が抑制された表面平滑性の高いＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。

［２］に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法によれば、蒸着薄膜による十分な効果を得て量産性に適した基板を製造することができる。

［３］［４］に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法によれば、アルミニウム合金製基板に対して密着性の高い金属薄膜を形成することができる。

［５］に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板は、Ｎｉ−Ｐめっきの前処理皮膜として物理蒸着による均一なＺｎ薄膜またはＮｉ薄膜が形成されているから、高水準で欠陥が抑制された均一なＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成されている。

［６］に記載の磁気記録媒体は、高水準で欠陥が抑制された均一なＮｉ−Ｐめっき皮膜が形成されたアルミニウム合金製基板を用いたものであるから、磁気記録層の形成により高容量化を図ることができる。

図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法の一例を示す模式的断面図である。

磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板(1)において、アルミニウム合金製基板(2)は、上述した従来の製造工程の（１）〜（３）と同様に、所定厚さに圧延した板材からドーナツ型の円板を打ち抜き、焼鈍し、機械加工により定寸寸法に仕上げるとともに、砥石で表面を研削したものである。研削後の表面粗さは特に限定されないが、表面粗さが小さいほど好ましい。ただし、生産性を考慮すると、表面粗さ（Ｒａ）が１５ｎｍ以下であれば実用に足りる。

また、前記アルミニウム合金製基板(2)の材料は特に限定されないが、強度が高く、加工性および耐食性に優れている点でＡｌ−Ｍｇ系合金を用いることが好ましい。

〔蒸着工程〕
図１Ａに示すように、アルミニウム合金製基板(2)の表面に、物理蒸着によってＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)またはＺｎおよびＮｉの両方を含む薄膜（図示省略）の何れかからなる金属薄膜を形成する。これらの薄膜(3)(4)は物理蒸着によって形成するものであるから、アルミニウム合金製基板(2)の表面に、金属間化合物(5)が露出していたり、結晶粒や結晶粒界段差が有っても、それらを被覆するように薄膜(3)(4)が形成され、金属間化合物(5)等は隠蔽される。また、ジンケート処理のような前処理も行わないので、金属間化合物(5)が溶解・脱落したり、母相の周辺縁が侵食されて金属間化合物(5)が突出することもなく（図２Ｂ、図２Ｄ参照）、研削によって得られた表面粗さ（平滑性）が損なわれることは無い。したがって、物理蒸着によればジンケート処理よりも金属間化合物(5)、結晶粒、結晶粒界段差の影響を受け難く、欠陥の無い、あるいは欠陥の少ない均一な金属薄膜を形成できる。しかも、Ｚｎ薄膜(3)およびＮｉ薄膜(4)の形成は、現在行われているジンケート処理から無電解Ｎｉ−Ｐめっきに至るまでの中間プロセスなので、新たに他の金属を介在させることなく、Ｚｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)の上に直接、無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。

（１）Ｚｎ薄膜を形成する場合
物理蒸着によるＺｎ薄膜(3)の形成は、従来のジンケート処理の代替方法である。ジンケート処理は化学反応によるＡｌとＺｎの置換析出であったため、形成するＺｎ薄膜(14)はアルミニウム合金製基板(2)の表面状態（金属間化合物の露出や結晶粒界段差）の影響を強く受けたが、物理蒸着ではそれらに無関係にＺｎ薄膜(3)を形成できる。図１Ｄに示すように無電解Ｎｉ−ＰめっきにおいてはＺｎ薄膜(3)の表面でＮｉがＺｎと置換して析出しながらＮｉ−Ｐ皮膜を形成するので、物理蒸着による欠陥の無いＺｎ薄膜(3)の上には、同様に欠陥の無いＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)を形成することができる。

（２）Ｎｉ薄膜を形成する場合
物理蒸着によりＮｉ薄膜(4)を形成する場合も、上述したＺｎ薄膜(3)同様、アルミニウム合金製ブランク基板(2)の表面状態（金属間化合物の露出や結晶粒界段差）と無関係に欠陥の無いＮｉ薄膜(4)を形成し、その上に欠陥の無い健全なＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)を形成することができる。さらにＮｉ薄膜(4)の場合は、無電解Ｎｉ−Ｐめっきの形成においてＺｎ薄膜(3)のようにＺｎとＮｉの置換を行わないため、めっき液に溶出したＺｎイオンが不純物としてＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)に取り込まれる可能性も無く、形成するＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)の品質が良く、耐食性が増すというメリットもあるが、Ｚｎ薄膜(3)よりは密着性が劣る欠点もあるので、どちらを重要視するかで選択すれば好い。

前記Ｚｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)を形成するための物理蒸着方法は限定されず、周知の蒸着方法および蒸着装置により形成することができる。例えばスパッタリングを用いた蒸着方法を挙示できる。スパッタリングを用いた成膜方法はプラズマの発生方法によっていくつかのタイプに分かれるが、プラズマ内に磁界を形成することでプラズマ内のイオンを増やし、スパッタリングの速度を向上させるマグネトロン・スパッタリングが好ましい。

また上述したマグネトロン・スパッタリング装置でＺｎ薄膜(3)を形成する場合は、無電解めっきで置換析出させるＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)との密着性を高めるため、スパッタリングターゲットとしてＺｎの上にＦｅをチップオンしてもよい。チップオンの組成比はＺｎ：Ｆｅ＝４：１〜５：１が好ましく、Ｆｅ以外の金属としてはＣｏ、Ｎｉなども例示でき、チップオンの組成比はＦｅと同じく、Ｚｎ：（ＣｏまたはＮｉ）＝４：１〜５：１が好ましい。ＺｎとＦｅの両方、ＺｎとＣｏの両方あるいはＺｎとＮｉの両方をスパッタして、もよい。これらの金属を混在させた皮膜は、純Ｚｎよりも無電解Ｎｉ−ＰめっきにおけるＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)との密着性に改善が見られる。したがって、本発明におけるＺｎ薄膜(3)は、純Ｚｎ薄膜のみならず、Ｚｎ中に上記金属が存在する場合も含まれる。さらに、ＺｎとＮｉとを順次スパッタして積層した場合も本発明に含まれる。

前記Ｚｎ薄膜(3)およびＮｉ薄膜(4)は、アルミニウム合金製基板(2)の表面を均一に被覆できる限り膜厚は限定されない。但し、無電解Ｎｉ−Ｐめっきの前に、表面の活性化（酸化皮膜の除去）、デスマットをする場合、アルミニウム合金製基板(2)が露出しないように、１０ｎｍ以上の膜厚が有ることが望ましい。一方、過度に膜厚を厚くしても無駄で、スパッタリングの時間とコストが増して生産性が悪くなるので、３００ｎｍ以下とするのが好ましく、特に望ましい範囲は１０〜２００ｎｍである。

〔焼鈍工程〕
蒸着工程とめっき工程の間では焼鈍工程を任意に行うことができる。

物理蒸着によって形成したＺｎ薄膜(3)およびＮｉ薄膜(4)は、焼鈍処理を施すことによってアルミニウム合金製基板(2)への金属拡散を促し、密着性を高めることができる。

従来の基板製造では、アルミニウム合金製基板(2)をジンケート浴に浸漬すると、アルミニウムの表面が溶解し、Ｚｎが置換して析出する。続いて無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴に浸漬するとＺｎはＮｉと置換し、Ｚｎ皮膜の表面に析出したＮｉが触媒となってＮｉ−Ｐ皮膜が成長する。めっき皮膜は、ＡｌとＺｎ、ＺｎとＮｉが置換してゆく際、各金属が析出する表面が荒れてアンカー効果を生ずるとともに、各金属が基板(2)に拡散して金属結合することで密着性が増す。ところがジンケート処理および無電解Ｎｉ−Ｐめっきは同じ設備を使用する湿式処理で、ジンケート処理から無電解Ｎｉ−Ｐめっきに移る際、表面に酸化皮膜が生ずるのを避ける目的で、短時間内に連続して行われるのでＡｌとＺｎの拡散は十分に進行しない。このため始めに形成したＺｎ皮膜を酸で溶解剥離し、再びジンケート処理を施す、ダブルジンケート法を行ってアンカー効果を増している。その結果、ダブルジンケート法は研削加工で得られた平滑な基板(2)の表面が荒れて、その状態がＮｉ−Ｐめっき皮膜に反映し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を鏡面研磨して仕上げる際の負担が増していた。

本発明の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板(1)は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理とは別の設備を使用する、乾式の物理蒸着でＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)を形成するものであるから、蒸着後直ちにＮｉ−Ｐめっきを施す必要はなく、蒸着工程とめっき工程の間に焼鈍することでＺｎまたはＮｉをアルミニウムに拡散させ、金属結合を促進してＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)の密着性を高めることができる。蒸着後、十分に時間をおくことによってもＺｎまたはＮｉの拡散は進行するが、焼鈍することによって短時間で効果が得られる。本発明は蒸着工程とめっき工程を連続して行う必要が無いので、めっき工程までの時間を任意に設定することができ、十分な時間をかけることによってＺｎまたはＮｉを拡散させることも、焼鈍して短時間で拡散させることも可能である。

また、蒸着工程とめっき工程とを連続して行う必要がないことから、従来はジンケート処理前に行っていた、機械加工による基板(2)内部の歪と応力の開放が目的の焼鈍処理を、これらの工程間に行うことができる。換言すれば、従来行っていたジンケート処理前の焼鈍の時期を蒸着工程とめっき工程の間に変更することにより、ＺｎまたはＮｉの金属拡散の促進と内部応力の開放を同一工程で実施することができる。したがって本発明による焼鈍工程の実施は、製造工程全体において工程数を増やすものではない。しかも焼鈍工程は、ジンケート処理のような化学反応による基板(2)表面の荒れを起こさないため、研削加工で得た基板(2)表面の平滑性はＮｉ−Ｐめっき後にも継承され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(7)表面の鏡面仕上げの研磨時間を短縮することができる。

焼鈍条件は基板(2)の材料合金の組成に合わせて設定すればよいが、アルミニウムの再結晶化温度である２００℃以上で、かつ磁気記録媒体製作時にＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)上に磁気記録層をスパッタリングする温度と同等以上であることが望ましい。一方、焼鈍温度が高く、時間も長くなりすぎると、強固な酸化皮膜の生成あるいは材料合金の共晶融解や結晶粒の粗大化などの不都合を生じるため、５００℃以下とすることが好ましい。このような観点から、基板(2)がＡｌ−Ｍｇ系合金の場合は３００℃〜４００℃で焼鈍時間は３０秒〜２時間が望ましい。

〔めっき工程〕
無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理は周知の方法や条件で行えばよい。例えば上村工業（株）製ＨＤＸのような、ＮｉＳＯ_４と次亜リン酸Ｎａを主成分に安定剤と錯化剤の入った市販の無電解Ｎｉ−Ｐめっき液に、所望とするめっき膜厚が得られるまで浸漬すればよい。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(7)の厚さは特に限定されないが、生産性（コスト）を考慮しつつ磁気記録層の下地として十分な硬度が得られる範囲を選定すれば、６〜１５μｍ程度とすることが好ましい。

なお、図１Ｂに示すように、蒸着工程後に焼鈍した場合は、焼鈍時にＺｎ薄膜(3)およびＮｉ薄膜(4)の表面に薄い酸化皮膜(6)が生成されるので、無電解Ｎｉ−Ｐめっきの前に、酸化皮膜(6)を硝酸等で溶解除去する工程を追加すると、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を効率良く行うことができる。

物理蒸着によって均一なＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)が形成されているため、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(7)も欠陥がなく均一なものとなり、アルミニウム合金製基板(2)の表面研削によって得られた高度に平滑な仕上がり表面がめっき後にも継承されるため、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(7)の表面も平滑性の高いものとなる。

Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(7)を形成した後は、従来の工程と同じく研磨により鏡面仕上げを行い、磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板(1)となる。上述したようにＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)は表面平滑性の高いものであるから、従来よりも短時間の研磨で所要の鏡面に仕上げることができる。

本発明の磁気記録媒体は本発明によって製造された磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板を用いたものである。即ち、基板のＮｉ−Ｐめっき皮膜上に磁気記録層を積層したものである。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥が高水準で抑制されているため、磁気記録媒体として高容量化を図ることができる。

ＪＩＳ Ａ５０８６の厚さ１．３２ｍｍの圧延板から外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍのドーナッツ型の円板をプレス抜きし、平面度１０μｍ以下となるよう３５０℃で２時間加圧焼鈍して反りを矯正した。さらに機械加工により外径、内径、端面形状、板厚を所定寸法に整え、平均表面粗さ(Ｒａ)が８．８ｎｍとなるよう、砥石で湿式研削した。この研削済みの基板を、以下の実施例および比較例のアルミニウム合金製基板(2)として用いた。

〔実施例〕
図１Ａに参照されるように、前記アルミニウム合金製基板(2)の表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて物理蒸着でＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)を形成した。実施例１〜５のＺｎ薄膜(3)の場合は、スパッタリングターゲット材としてＺｎの上にＦｅをＺｎ：Ｆｅ＝５：１の割合でチップオンし、後述の比較例のジンケート皮膜と同一組成の、表１に示す厚さの蒸着薄膜を形成した。実施例６〜１０のＮｉ皮膜(4)の場合は表１に示す純Ｎｉの蒸着薄膜を形成した。さらに、実施例１１のＺｎ薄膜(3)の場合は、スパッタリングターゲット材としてＺｎの上にＣｏをＺｎ：Ｃｏ＝５：１の割合でチップオンし、実施例１２のＺｎ薄膜(3)の場合は、スパッタリングターゲット材としてＺｎの上にＮｉをＺｎ：Ｎｉ＝５：１の割合でチップオンして、これらの金属を含む蒸着薄膜を形成した。

次いで、Ｚｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)を形成したアルミニウム合金製基板(2)を３５０℃で３０分焼鈍し、機械加工および研削でアルミニウム合金製基板(2)の内部に蓄積した歪や内部応力を開放するとともに、Ｚｎ、Ｎｉを基板(2)のアルミニウム合金内部に拡散させた。

次いで常温の５体積％硝酸希釈液に１０秒浸漬し、焼鈍で生成したＺｎ薄膜(3)またはＮｉ薄膜(4)の表面の酸化皮膜(6)を溶解除去した後、約９０℃に加温した上村工業（株）製ＨＤＸに１００分浸漬して、厚さ１５μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜(7)を形成し、磁気記録用アルミニウム合金製基板(1)とした（図１Ｄ参照）。

〔比較例〕
前記アルミニウム合金製基板(2)を３５０℃で３０分焼鈍して、機械加工と研削による基板内部の歪と応力を除去した。

次いで、ジンケート処理とＮｉ−Ｐめっきを連続して行い、厚さ１５μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成した。ジンケート処理およびＮｉ−Ｐめっきは以下の条件および手順で行った。

（１）脱脂：６０℃に加温した上村工業（株）製ＡＤ６８の５０体積％希釈液に２分浸漬
（２）エッチング：６５℃に加温した１０体積％の上村工業（株）製ＡＤ１０１希釈液に２分間浸漬
（３）デスマット：常温の３０体積％硝酸希釈液に１分間浸漬
（４）第１ジンケート：常温の３０体積％上村工業（株）製ＡＤ３０１に２０秒浸漬
（５）硝酸剥離：常温の３０体積％硝酸に１分浸漬
（６）第２ジンケート：常温の３０体積％上村工業（株）製ＡＤ３０１に４０秒浸漬し、表１に示す厚さのジンケート皮膜を形成した
（７）Ｎｉ−Ｐめっき：上記実施例と同じく、約９０℃に加温した上村工業（株）製ＨＤＸめっき液に１００分浸漬して膜厚１５μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜(15)を形成した（図２Ｆ参照）。これを磁気記録用アルミニウム合金製基板（符号なし）とした。

上記の方法により、各実施例および比較例でそれぞれ５０枚の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板を製作し、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理後の平均表面粗さ（Ｒａ）を測定した。

続いて各磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板を平均表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍとなるまで鏡面研磨し、レーザー式表面検査機（（株）日立ハイテクノロジーズ製ＮＳ１５３０）にて０．１μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき皮膜欠陥（ピット）を計数した。

表１に平均表面粗さ（Ｒa）および基板の片面あたりの欠陥数を示す。これらの結果は製作した各例５０枚の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板における平均値である。

表１により、ジンケート皮膜に代えて物理蒸着によるＺｎ皮膜またはＮｉ皮膜を形成することにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の表面平坦性を向上させ得るとともに、研磨後の欠陥を減少させ得ることを確認した。

本発明の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法は、Ｎｉ−Ｐめっきの下地として従来のジンケート皮膜に代えて物理蒸着皮膜を形成するものであるから、基板の表面に存在する種々の欠陥を覆すことができる。このため、基板の欠陥がＮｉ−Ｐめっき皮膜に継承されることがなく、表面平滑性の高い基板を製造することができる。

本発明にかかる磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法において、アルミニウム合金製基板上に蒸着皮膜を形成した状態を模式的に示す断面図である。 本発明にかかる磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法において、蒸着皮膜形成後に焼鈍した状態を模式的に示す断面図である。 本発明にかかる磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法において、めっき工程の前処理として表面の酸化皮膜を除去した状態を模式的に示す断面図である。 本発明にかかる磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成した状態を模式的に示す断面図である。 アルミニウム合金製基板の模式的断面図である。 従来の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法において、ジンケート処理の前処理（脱脂・エッチング）の状態を模式的に示す断面図である。 ジンケート処理後の状態を模式的に示す断面図である。 １回目のジンケート皮膜を剥離した状態を模式的に示す断面図である。 ２回目のジンケート処理後の状態を模式的に示す断面図である。 ジンケート皮膜形成後にＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成した状態を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１…磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板
２…アルミニウム合金製基板
３…Ｚｎ薄膜（金属薄膜）
４…Ｎｉ薄膜（金属薄膜）
５…金属間化合物
7…Ｎｉ−Ｐめっき皮膜

Claims (6)

1. アルミニウム合金製基板の表面に、物理蒸着によりＺｎおよびＮｉのうちの少なくとも１種を含む金属薄膜を形成する工程と、金属薄膜を形成したアルミニウム合金製基板にＮｉ−Ｐを無電解めっきする工程とを行うことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム合金基板の製造方法。
2. 前記蒸着工程において形成される金属薄膜の膜厚が１０〜２００ｎｍである請求項１に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金基板の製造方法。
3. 前記蒸着工程と前記めっき工程との間に、金属薄膜を形成したアルミニウム合金製基板を焼鈍する焼鈍工程を行う請求項１または２に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法。
4. 前記焼鈍工程において、３００〜４００℃で３０秒〜２時間の焼鈍を行う請求項３に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板。
6. 請求項５に記載の磁気記録媒体用アルミニウム合金製基板を用いたことを特徴とする磁気記録媒体。

Images