JP2008281413A - Cleaning device for probe - Google Patents

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雄治 宮城
Tetsuya Iwabuchi
哲哉 岩渕
Toshiyuki Kudo
俊之 工藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning device capable of effectively removing foreign matter adhering to the tip of a probe without damaging durability of the probe. <P>SOLUTION: This cleaning device for the probe is equipped with a substrate having a rough surface; and a surface layer formed to cover the rough surface in the state of tracing the rough surface in order to provide a polished surface of the probe, and having lower hardness than that of the needle tip of the probe. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハに作り込まれた集積回路のような半導体デバイスの電気的検査に用いられるプローブカードのプローブ先端から異物を除去するためのクリーニング装置に関する。   The present invention relates to a cleaning apparatus for removing foreign matter from the probe tip of a probe card used for electrical inspection of a semiconductor device such as an integrated circuit built in a semiconductor wafer.

半導体ウエハに集合的に作り込まれた半導体デバイスの電気的検査で、その検査に用いるテスタと被検査体とを接続するために、一般的に、テスタに接続されたプローブカードのような電気的接続装置が用いられている。この電気的接続装置に設けられた各プローブの先端が半導体ウエハの各半導体デバイスに形成された電極パッドに接触することにより、被検査体である半導体デバイスと前記テスタとが電気的に接続される。   In an electrical inspection of semiconductor devices collectively formed on a semiconductor wafer, in order to connect a tester used for the inspection and an object to be inspected, an electrical test such as a probe card connected to the tester is generally used. A connection device is used. The tip of each probe provided in the electrical connection device contacts the electrode pad formed on each semiconductor device of the semiconductor wafer, so that the semiconductor device as the object to be inspected and the tester are electrically connected. .

両者の接続時、電気的接続装置のプローブが対応する電極パッドに確実に接続されるように、プローブの先端は、対応する電極パッドの表面を僅かに削るように該電極パッドの表面上を摺動して、この電極パッドに当接する。このとき、プローブの先端に電極パッドの削りかすが異物として付着することがある。プローブ先端へのこのような異物の付着は、引き続く他の半導体デバイスのための正確な電気的接続の妨げとなることから、正確な検査の妨げとなる。   When connecting the two, the tip of the probe slides on the surface of the electrode pad so that the surface of the corresponding electrode pad is slightly shaved so that the probe of the electrical connection device is securely connected to the corresponding electrode pad. It moves and contacts this electrode pad. At this time, shavings of the electrode pad may adhere as foreign matter to the tip of the probe. Such adhesion of foreign matter to the probe tip hinders accurate electrical connection for other semiconductor devices, which in turn prevents accurate inspection.

プローブ先端に付着する異物を除去するために、基板の粗面に研磨剤を含む弾性層を有するクリーニング部材を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このクリーニング部材によれば、必要に応じてプローブの先端をクリーニング部材の弾性層上を滑らせることにより、プローブに付着した異物を除去することができる。   In order to remove foreign substances adhering to the probe tip, it has been proposed to use a cleaning member having an elastic layer containing an abrasive on the rough surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1). According to this cleaning member, foreign matters attached to the probe can be removed by sliding the tip of the probe on the elastic layer of the cleaning member as necessary.

特許第３７６６０６５号公報Japanese Patent No. 3766065

しかしながら、弾性層はプローブの硬度よりも大きな硬度を有する研磨剤を含むことから、プローブのクリーニング毎に該プローブの先端が大きく摩耗する。そのため、プローブの耐久性を損なう虞があった。   However, since the elastic layer contains an abrasive having a hardness greater than the hardness of the probe, the tip of the probe is greatly worn every time the probe is cleaned. Therefore, there is a possibility that the durability of the probe is impaired.

そこで、本発明の目的は、プローブの耐久性を損なうことなく該プローブの先端に付着した異物を効果的に除去することができるクリーニング装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a cleaning device that can effectively remove foreign matter adhering to the tip of the probe without impairing the durability of the probe.

本発明は、プローブに付着した異物を除去するためのクリーニング装置であって、粗面を有する基板と、前記プローブのための研磨面を提供すべく前記粗面に倣って該粗面を覆って形成され、前記プローブの針先の硬度よりも低い硬度を有する表面層とを備えることを特徴とする。   The present invention is a cleaning device for removing foreign matter adhering to a probe, and covers the rough surface following the rough surface so as to provide a substrate having a rough surface and a polished surface for the probe. And a surface layer having a hardness lower than that of the probe tip of the probe.

表面層はプローブの硬度よりも低い硬度を有し、該表面層は基板の粗面に倣ならって該粗面上に形成されることから、プローブの針先を表面層上で滑らせることにより、プローブの著しい摩耗を生じさせることなく、該プローブに付着した異物を効果的に除去できる。   Since the surface layer has a hardness lower than that of the probe, and the surface layer is formed on the rough surface following the rough surface of the substrate, the probe tip of the probe is slid on the surface layer. The foreign matter attached to the probe can be effectively removed without causing significant wear of the probe.

前記表面層は、前記粗面に沿った滑らかな表面を有するように形成することができる。   The surface layer can be formed to have a smooth surface along the rough surface.

前記表面層の厚さは０．０５〜１．０μｍとすることができる。   The thickness of the surface layer can be 0.05 to 1.0 μm.

前記粗面の算術平均粗さ（Ra）は、０．０２〜１．００μｍとすることができる。このとき、表面層の粗面の算術平均粗さ（Ra）は、前記基板の前記粗面の算術平均粗さよりも約１０％小さい値となる。   The arithmetic average roughness (Ra) of the rough surface can be 0.02 to 1.00 μm. At this time, the arithmetic average roughness (Ra) of the rough surface of the surface layer is about 10% smaller than the arithmetic average roughness of the rough surface of the substrate.

前記基板には、例えば表面がサンドブラストにより粗面に形成されたシリコン板を用いることができる。前記基板として、シリコン基板に代えて、アモルファスカーボン板、炭化シリコン板あるいはセラミック板を用いることができる。   As the substrate, for example, a silicon plate having a rough surface formed by sandblasting can be used. As the substrate, an amorphous carbon plate, a silicon carbide plate, or a ceramic plate can be used instead of the silicon substrate.

前記プローブの針先のビッカース硬度（Hv）が８００〜１０００であるとき、前記表面層は４００〜６００のビッカース硬度（Hv）を有する金属材料を用いることができる。   When the probe tip has a Vickers hardness (Hv) of 800 to 1000, the surface layer may be made of a metal material having a Vickers hardness (Hv) of 400 to 600.

例えば、プローブの針先として、ロジウムあるいはルテニウムのような硬質金属が用いられる場合、前記表面層の金属材料には、ニッケルまたはニッケル合金を用いることができる。ニッケル材料に代えて、前記表面層は、銅、銅合金、タングステン、タングステン合金、クロムあるいはクロム合金の堆積により形成することができる。   For example, when a hard metal such as rhodium or ruthenium is used as the probe tip, nickel or a nickel alloy can be used as the metal material of the surface layer. Instead of nickel material, the surface layer can be formed by deposition of copper, copper alloy, tungsten, tungsten alloy, chromium or chromium alloy.

本発明によれば、前記したように、プローブの針先に付着したアルミ屑のような異物を従来のような研磨剤を含む表面層を用いることなく除去することができるので、プローブのクリーニングでその先端を従来のように大きく摩耗することはない。   According to the present invention, as described above, foreign matter such as aluminum scrap attached to the probe tip can be removed without using a conventional surface layer containing an abrasive. The tip is not worn as much as in the prior art.

図１は本発明に係るクリーニング装置を概略的に示す断面図である。図１に示されたクリーニング装置の説明に先立ち、該クリーニング装置によりクリーニング処理を受けるプローブを有するプローブ組立体の一例を図２および図３に沿って説明する。   FIG. 1 is a sectional view schematically showing a cleaning device according to the present invention. Prior to the description of the cleaning device shown in FIG. 1, an example of a probe assembly having a probe that undergoes a cleaning process by the cleaning device will be described with reference to FIGS.

本発明に係るプローブ組立体１０は、図２に示されているように、例えば半導体ウエハ１２に形成された多数の集積回路（図示せず）の通電試験に用いられる。半導体ウエハ１２は、その一方の面に形成された多数の電極１２ａを上方に向けて、例えば、真空チャック１４上に取り外し可能に保持される。プローブ組立体１０は、真空チャック１４上の半導体ウエハ１２の前記集積回路の通電試験のために、真空チャック１４上の半導体ウエハ１２へ向けおよびこれから遠ざかる方向へ、真空チャック１４との間で相対的に移動可能に図示しないフレーム部材に支持されている。   As shown in FIG. 2, the probe assembly 10 according to the present invention is used for an energization test of a large number of integrated circuits (not shown) formed on a semiconductor wafer 12, for example. The semiconductor wafer 12 is detachably held on, for example, the vacuum chuck 14 with a large number of electrodes 12a formed on one surface thereof facing upward. The probe assembly 10 is relative to the vacuum chuck 14 toward and away from the semiconductor wafer 12 on the vacuum chuck 14 for energization testing of the integrated circuit of the semiconductor wafer 12 on the vacuum chuck 14. It is supported by a frame member (not shown) so as to be movable.

プローブ組立体１０は、プリント配線基板１６と、該プリント基板に重ね合わせられるプローブ基板１８とを備える。プローブ基板１８は、従来よく知られているように、セラミックス板１８ａと該セラミック板に上面を接合された多層配線板１８ｂとの積層体からなる。プローブ基板１８の下面すなわち多層配線板１８ｂには、本発明に係る多数のプローブ２０が整列して取り付けられている。   The probe assembly 10 includes a printed wiring board 16 and a probe board 18 superimposed on the printed board. As is well known in the art, the probe substrate 18 is composed of a laminate of a ceramic plate 18a and a multilayer wiring board 18b whose upper surface is bonded to the ceramic plate. A large number of probes 20 according to the present invention are aligned and attached to the lower surface of the probe substrate 18, that is, the multilayer wiring board 18b.

プローブ基板１８は、プローブ２０が下方に向くように、セラミックスのような誘電体材料からなる従来よく知られた取付リング組立体２２および図示しないが従来におけると同様なボルトのような結合部材により、プリント配線基板１６の下面に積層するように、プリント配線基板１６に一体的に組み付けられている。図示の例では、プリント配線基板１６の上面には、金属材料からなり、プリント配線基板１６の前記上面の部分的な露出を許す補強部材２４が一体的に組み付けられている。   The probe substrate 18 has a well-known mounting ring assembly 22 made of a dielectric material such as ceramic so that the probe 20 faces downward, and a coupling member such as a bolt (not shown) as in the prior art. The printed wiring board 16 is integrally assembled so as to be laminated on the lower surface of the printed wiring board 16. In the illustrated example, a reinforcing member 24 made of a metal material and allowing partial exposure of the upper surface of the printed wiring board 16 is integrally assembled on the upper surface of the printed wiring board 16.

プローブ基板１８の多層配線板１８ｂには、図３に示されているように、従来よく知られた多数の導電路２６が形成されている。各プローブ２０は、それぞれに対応した導電路２６のプローブランド２６ａに固定的に接続されることにより、プローブ基板１８に取り付けられている。   As shown in FIG. 3, a number of well-known conductive paths 26 are formed on the multilayer wiring board 18 b of the probe substrate 18. Each probe 20 is attached to the probe substrate 18 by being fixedly connected to the probe land 26a of the corresponding conductive path 26.

プローブ基板１８の各プローブ２０に対応した前記導電路は、従来よく知られているように、セラミックス板１８ａおよびプリント配線基板１６をそれぞれ貫通して形成された各導電路（いずれも図示せず）を経て、プリント配線基板１６の上面の補強部材２４から露出する領域に配列されたソケット（図示せず）に電気的に接続されており、該ソケットを経て、図示しないテスタ本体の回路に接続されている。   The conductive paths corresponding to the probes 20 of the probe board 18 are each formed through the ceramic plate 18a and the printed wiring board 16 as is well known in the art (both not shown). And is electrically connected to a socket (not shown) arranged in a region exposed from the reinforcing member 24 on the upper surface of the printed wiring board 16, and is connected to a circuit of a tester main body (not shown) via the socket. ing.

したがって、プローブ組立体１０の各プローブ２０が被検査体である半導体ウエハ１２の対応する電極１２ａに当接するように、プローブ組立体１０と真空チャック１４とを相近づけるように移動させることにより、電極１２ａを前記テスタ本体の回路に接続することができ、被検査体１２の通電試験を行うことができる。   Therefore, by moving the probe assembly 10 and the vacuum chuck 14 so as to be close to each other so that each probe 20 of the probe assembly 10 abuts the corresponding electrode 12a of the semiconductor wafer 12 that is an object to be inspected, the electrodes 12a can be connected to the circuit of the tester body, and the current-carrying test of the device under test 12 can be performed.

各プローブ２０を拡大して示す図３を参照するに、各プローブ２０は、平板状のプローブ本体２０ａと、該プローブ本体に一部を埋設された針先２０ｂとを備える。これらは、共に比較的良好な導電性を示す。   Referring to FIG. 3 in which each probe 20 is enlarged, each probe 20 includes a flat probe main body 20a and a needle tip 20b partially embedded in the probe main body. Both of these exhibit relatively good conductivity.

プローブ本体２０ａは、例えば、ニッケル、あるいは、ニッケルリン、ニッケルタングステン、ニッケルコバルト、ニッケルクロムのようなニッケル合金、さらには、燐青銅のような、比較的靭性に優れた高靱性の金属材料で形成することができる。また、針先２０ｂは、例えばロジウム、ルテニウムのような、ビッカース硬度（Hｖ）が８００〜１０００の金属材料で構成される。このような金属材料からなる針先２０ｂは、プローブ本体２０ａに比較して硬度が高く、耐摩耗性に優れる。   The probe body 20a is formed of, for example, nickel or a nickel alloy such as nickel phosphorus, nickel tungsten, nickel cobalt, nickel chrome, or a high toughness metal material having relatively high toughness such as phosphor bronze. can do. The needle tip 20b is made of a metal material having a Vickers hardness (Hv) of 800 to 1000, such as rhodium or ruthenium. The needle tip 20b made of such a metal material has higher hardness than the probe main body 20a and is excellent in wear resistance.

プローブ本体２０ａは、図示の例では、その平面形状で見て、矩形形状を有する取付け領域２８と、該取付け領域の一側からその下方に伸びる帯状の連結領域３０と、該連結領域から横方向に伸びるアーム領域３２、３２と、該アーム領域に連続する針先領域３４とを備える。取付け領域２８の上縁２８ａは、プローブランド２６ａへの取付け端部となる。アーム領域３２は、図示の例では、上縁すなわち取付け端部２８ａから下方に伸長する取付け領域２８に、連結領域３０を経て連続する。   In the example shown in the drawing, the probe body 20a has a rectangular attachment region 28, a belt-like connection region 30 extending downward from one side of the attachment region, and a lateral direction from the connection region. Arm regions 32 and 32 extending in the direction of the needle, and a needle tip region 34 continuing to the arm region. The upper edge 28a of the attachment region 28 becomes an attachment end to the probe land 26a. In the illustrated example, the arm region 32 continues to the attachment region 28 extending downward from the upper edge, that is, the attachment end portion 28a, via the connection region 30.

アーム領域３２は、取付け領域２８の下縁２８ｂに間隔をおいて横方向に伸長する。図示の例では、アーム領域３２は、互いに上下方向へ間隔をおいて並行に伸びる一対のアーム領域３２、３２からなる。この両アーム領域３２を連結すべく、該両アーム領域の先端から針先領域３４が取付け端部２８ａの位置する側と反対側、すなわち下方へ伸長する。この針先領域３４の伸長端に前記針先２０ｂが形成されている。   The arm region 32 extends laterally at a distance from the lower edge 28 b of the attachment region 28. In the illustrated example, the arm region 32 includes a pair of arm regions 32 and 32 extending in parallel with a space in the vertical direction. In order to connect both the arm regions 32, the needle tip region 34 extends from the tip of the both arm regions to the side opposite to the side where the attachment end 28 a is located, that is, downward. The needle tip 20 b is formed at the extended end of the needle tip region 34.

各プローブ２０は、プローブ本体２０ａの取付け端部２８ａで導電路２６のプローブランド２６ａに固着されており、図３に示すように、多数のプローブ２０がそれらの針先２０ｂを直線上に整列させかつ相互に近接して並列的に配置されている。   Each probe 20 is fixed to the probe land 26a of the conductive path 26 at the attachment end portion 28a of the probe main body 20a. As shown in FIG. 3, many probes 20 align their needle tips 20b on a straight line. In addition, they are arranged in parallel close to each other.

プローブ組立体１０によれば、前記した半導体ウエハ１２の電極１２ａにプローブ２０の針先２０ｂが当接すると、さらに、半導体ウエハ１２とプローブ組立体１０とが相近づく方向への作用力を受ける。この作用力によって、プローブ組立体１０のアーム領域３２、３２は弾性により上方に開放する弧状の反り返りを生じる。この反り返しを生じさせる作用力は一般的にオーバドライブ力と称されており、各プローブ２０の針先２０ｂは、オーバドライブ力により、電極１２ａに僅かな滑りを生じ、この滑りによって電極１２ａの表面を削る。一般的に、電極１２ａの表面は、該電極の酸化物（電気絶縁物）によって覆われることから、不導通になることがあり、この表面を削ることにより、確実な電気的接触を達成することができると考えられる。   According to the probe assembly 10, when the probe tip 20 b of the probe 20 contacts the electrode 12 a of the semiconductor wafer 12, the probe assembly 10 receives an acting force in a direction in which the semiconductor wafer 12 and the probe assembly 10 approach each other. Due to this acting force, the arm regions 32, 32 of the probe assembly 10 cause an arc-like warping that opens upward due to elasticity. The acting force that causes the warping is generally referred to as an overdrive force, and the tip 20b of each probe 20 causes a slight slip on the electrode 12a due to the overdrive force, and this slip causes the electrode 12a to slide. Sharpen the surface. In general, since the surface of the electrode 12a is covered with an oxide (electrical insulator) of the electrode, it may become non-conductive, and by cutting the surface, reliable electrical contact is achieved. It is thought that you can.

ところが、このときに生じる電極１２ａの削りかすが針先２０ｂに付着すると、この付着物は、半導体ウエハ１２の引き続く他の集積回路領域あるいは他の半導体ウエハ１２の検査時に、針先２０ｂと電極１２ａとの間に介在することにより、不導通のような不具合の原因となる。   However, when the shavings of the electrode 12a generated at this time adhere to the needle tip 20b, the adhering matter may cause the needle tip 20b, the electrode 12a, and the other parts of the integrated circuit region of the semiconductor wafer 12 or another semiconductor wafer 12 to be inspected. Intervening between the two causes a problem such as non-conduction.

そこで、プローブ２０の針先２０ｂに付着する異物の除去のために、図１に示した本発明に係るクリーニング装置が用いられる。   Therefore, the cleaning device according to the present invention shown in FIG. 1 is used to remove foreign substances adhering to the probe tip 20b of the probe 20.

本発明に係るクリーニング装置４０は、図１に示すように、基板４２と、該基板上に形成される表面層４４とを備える。基板４２は、例えばシリコン結晶基板のようなシリコン基板を用いることができる。基板４２の表面４２ａは、例えば表面研磨により、必要に応じて鏡面処理が施された後、例えばサンドブラスト処理により、粗面となるように処理される。   As shown in FIG. 1, the cleaning device 40 according to the present invention includes a substrate 42 and a surface layer 44 formed on the substrate. As the substrate 42, for example, a silicon substrate such as a silicon crystal substrate can be used. The surface 42a of the substrate 42 is subjected to a mirror surface treatment as necessary, for example, by surface polishing, and then processed to be a rough surface, for example, by sandblasting.

この粗面化処理により、基板４２の表面４２ａは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０２〜１．００μｍとなるように形成される。   By this roughening treatment, the surface 42a of the substrate 42 is formed so that the arithmetic average roughness (Ra) is 0.02 to 1.00 μm.

粗面化処理を受けた基板４２の表面４２ａには、表面層４４が形成される。この表面層４４は、そのビッカース硬度（Hｖ）が針先２０ｂのそれよりも小さな４００〜６００の値を有する金属材料で形成される。このような金属材料として、代表的にはニッケルまたはニッケル合金がある。   A surface layer 44 is formed on the surface 42a of the substrate 42 subjected to the roughening treatment. The surface layer 44 is formed of a metal material having a Vickers hardness (Hv) of 400 to 600 smaller than that of the needle tip 20b. As such a metal material, there is typically nickel or a nickel alloy.

この表面層４４のための金属材料が例えばスパッタ法を用いて表面４２ａ上に、０．０５〜１．０μｍの厚さに堆積される。この金属材料の堆積により、ほぼ基板４２の表面４２ａの凹凸に倣った表面４４ａを有する表面層４４が形成される。この表面層４４の表面４４ａは、表面層４４の表面４４ａよりも滑らかな曲面で構成され、表面層４４の表面４４ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、基板４２の表面４２ａの算術平均粗さよりも約１０％小さい値となる。また、図１の模式図では、表面層４４の表面４４ａには、基板４２の表面４２ａの凹凸の角に対応した凹凸が形成されているが、この表面４４ａの角は実際には滑らかな曲面になる。したがって、基板４２の表面４２ａにたとえ角が形成されても、表面層４４の表面４４ａには、角張った部分は生じない。   A metal material for the surface layer 44 is deposited to a thickness of 0.05 to 1.0 μm on the surface 42a by using, for example, a sputtering method. By the deposition of the metal material, a surface layer 44 having a surface 44a substantially following the irregularities of the surface 42a of the substrate 42 is formed. The surface 44a of the surface layer 44 is configured by a curved surface that is smoother than the surface 44a of the surface layer 44, and the arithmetic average roughness (Ra) of the surface 44a of the surface layer 44 is greater than the arithmetic average roughness of the surface 42a of the substrate 42. Is about 10% smaller. In the schematic diagram of FIG. 1, the surface 44a of the surface layer 44 has irregularities corresponding to the irregularities of the surface 42a of the substrate 42. The corners of the surface 44a are actually smooth curved surfaces. become. Therefore, even if a corner is formed on the surface 42 a of the substrate 42, an angular portion is not generated on the surface 44 a of the surface layer 44.

本発明に係るクリーニング装置４０の表面層４４は、従来のような高硬度の研磨剤を全く含まず、プローブ２０の針先２０ｂの硬度（Hｖ）より低く、基板４２の表面４２ａに倣った表面４４ａを有する。したがって、プローブ２０の針先２０ｂをクリーニング装置４０の表面層４４の表面４４ａを滑らせることにより、針先２０ｂの大きな摩耗を招くことなく、効果的に異物を除去することができる。   The surface layer 44 of the cleaning device 40 according to the present invention does not contain any conventional high-hardness abrasive, is lower than the hardness (Hv) of the probe tip 20b of the probe 20, and follows the surface 42a of the substrate 42. 44a. Therefore, by sliding the probe tip 20b of the probe 20 on the surface 44a of the surface layer 44 of the cleaning device 40, foreign matter can be effectively removed without causing significant wear of the probe tip 20b.

基板４２には、前記したシリコン基板に代えて、アモルファスカーボン板、炭化シリコン板あるいはセラミック板等を用いることができる。   As the substrate 42, an amorphous carbon plate, a silicon carbide plate, a ceramic plate, or the like can be used instead of the above-described silicon substrate.

また、表面層４４は、銅、銅合金、タングステン、タングステン合金、クロムあるいはクロム合金の堆積により形成することができる。表面層４４は、プローブ２０のクリーニング時に、該プローブの針先２０ｂが表面層４４に向けて押圧されたときに、該表面層に突き刺さらない硬さでありかつプローブ先端よりも低硬度のものが望ましい。それ故、プローブの先端材料の硬度との関係で前記表面層の材料が決定される。   The surface layer 44 can be formed by deposition of copper, copper alloy, tungsten, tungsten alloy, chromium, or chromium alloy. The surface layer 44 has a hardness that does not pierce the surface layer when the probe tip 20b of the probe 20 is pressed toward the surface layer 44 during cleaning of the probe 20, and has a hardness lower than that of the probe tip. Is desirable. Therefore, the material of the surface layer is determined in relation to the hardness of the tip material of the probe.

また、表面層４４は、ゲル状材料あるいはシリコン窒化膜のような絶縁材料を堆積することによっても、形成することができる。   The surface layer 44 can also be formed by depositing an insulating material such as a gel material or a silicon nitride film.

本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。   The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本発明に係るクリーニング装置を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the cleaning apparatus which concerns on this invention. 図１に示したクリーニング装置を用いて清掃を受けるプローブ組立体の一部を破断して概略的に示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view schematically showing a part of a probe assembly that receives cleaning using the cleaning device shown in FIG. 1. 図２に示したプローブ組立体のプローブを示す正面図である。It is a front view which shows the probe of the probe assembly shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０ プローブ組立体
２０ プローブ
２０ｂ プローブの針先
４０ クリーニング装置
４２ 基板
４２ａ 基板の表面
４４ 表面層
４４ａ 表面層の表面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Probe assembly 20 Probe 20b Probe tip 40 Cleaning device 42 Substrate 42a Substrate surface 44 Surface layer 44a Surface layer surface

Claims (7)

プローブに付着した異物を除去するためのクリーニング装置であって、粗面を有する基板と、前記プローブのための研磨面を提供すべく前記粗面に倣って該粗面を覆って形成され、前記プローブの針先の硬度よりも低い硬度を有する表面層とを備えるクリーニング装置。   A cleaning device for removing foreign matter adhering to a probe, formed to cover a rough surface following the rough surface to provide a substrate having a rough surface and a polished surface for the probe, A cleaning device comprising: a surface layer having a hardness lower than the hardness of the probe tip. 前記表面層は前記粗面に沿った滑らかな表面を有する、請求項１に記載のクリーニング装置。   The cleaning device according to claim 1, wherein the surface layer has a smooth surface along the rough surface. 前記表面層の厚さは０．０５〜１．０μｍである、請求項１または２に記載のクリーニング装置。   The cleaning device according to claim 1, wherein the surface layer has a thickness of 0.05 to 1.0 μm. 前記粗面の算術平均粗さ（Ra）は、０．０２〜１．００μｍである、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のクリーニング装置。   4. The cleaning device according to claim 1, wherein an arithmetic average roughness (Ra) of the rough surface is 0.02 to 1.00 μm. 5. 前記基板は、表面がサンドブラストにより粗面に形成されたシリコン板からなる、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のクリーニング装置。   5. The cleaning device according to claim 1, wherein the substrate is made of a silicon plate having a rough surface formed by sandblasting. 6. 前記プローブの針先のビッカース硬度（Hv）が８００〜１０００であり、前記表面層は、４００〜６００のビッカース硬度（Hv）を有する金属材料が前記粗面を覆うように堆積されて形成されている、請求項１に記載のクリーニング装置。   The probe tip has a Vickers hardness (Hv) of 800 to 1000, and the surface layer is formed by depositing a metal material having a Vickers hardness (Hv) of 400 to 600 so as to cover the rough surface. The cleaning device according to claim 1. 前記金属材料はニッケルまたはニッケル合金である、請求項６に記載のクリーニング装置。   The cleaning apparatus according to claim 6, wherein the metal material is nickel or a nickel alloy.
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