JP2008277550A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】いわゆる側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを備える半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板1上に被加工層2およびマスク層を挟んで設けられた感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングする。第1のパターンをマスクとしてマスク層をエッチングしてマスク層に第1のパターンを転写する。第1のパターンが転写されたマスク層をエッチングして第1のパターンを縮小させた第2のパターン7aを形成する。第2のパターン7aの側壁部を囲んで側壁パターン8a,8bを設けた後に第2のパターン7aの少なくとも一部を除去する。側壁パターン8a,8bをマスクとして被加工層2をエッチングして被加工層2に側壁パターン8a,8bを転写する。
【選択図】図7
【解決手段】被処理基板1上に被加工層2およびマスク層を挟んで設けられた感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングする。第1のパターンをマスクとしてマスク層をエッチングしてマスク層に第1のパターンを転写する。第1のパターンが転写されたマスク層をエッチングして第1のパターンを縮小させた第2のパターン7aを形成する。第2のパターン7aの側壁部を囲んで側壁パターン8a,8bを設けた後に第2のパターン7aの少なくとも一部を除去する。側壁パターン8a,8bをマスクとして被加工層2をエッチングして被加工層2に側壁パターン8a,8bを転写する。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に側壁残しプロセスと称される技術を用いるリソグラフィー工程に関する。
近年、LSIをはじめとする各種半導体装置の微細化および高集積化が著しく進んでいる。これに伴って、半導体素子や配線等の回路パターンに必要とされる最小寸法が、現在のリソグラフィー技術の解像限界寸法と同程度の大きさに近づきつつある。特に、最先端の回路パターンにおいては、その最小寸法が解像限界寸法を下回る場合も生じている。このような事態に対処するために、解像力の向上が図られた様々なパターン形成プロセスが提案されている。
それらの新しいパターン形成プロセスのうち有望視されているものの1つとして、例えば特許文献1に開示されている、いわゆる側壁残しプロセスと呼ばれるパターン形成プロセスがある。以下、この側壁残しプロセスを適用して、ゲート層のように設計パターン部の断面形状が凸型になるパターンを形成する場合について簡潔に説明する。先ず、凸型パターンを形成すべき位置に隣接する、最終的に凹型になるパターン形成領域にレジストパターンを形成する。続けて、このレジストパターンを加工して、所定の寸法を有する犠牲膜からなるパターンを凹型パターン形成領域に形成する。続けて、犠牲膜の側壁部に側壁パターンを形成する。続けて、この側壁パターンに対してはエッチング耐性が大きく、かつ、犠牲膜パターンに対してはエッチング耐性が小さい条件でエッチングを行うことにより、犠牲膜パターンのみを除去する。この後、残された側壁パターンをマスクとして下層導電材料を加工する。これにより、断面形状が凸型のゲート電極用の配線パターンを形成することができる。
このように、側壁残しプロセスにおいては、リソグラフィー工程で形成されるレジストパターンの側壁パターンが設計パターンとなり、設計パターンとレジストパターンとが必然的に異なっている。すなわち、側壁残しプロセスに用いるフォトマスクのマスクパターンは、側壁残しプロセスにより最終的に形成されるパターンと異なっている。したがって、側壁残しプロセスを行う場合には、先ず設計パターンのデータに基づいてレジストパターンのデータを作成した後、そのレジストパターンのデータをフォトマスクのマスクパターンのデータに変換する必要がある。ところが、このようなデータ変換を迅速かつ容易に行うことができる技術は、これまでのところ報告されていない。また、最終的に形成される設計パターンのデータから遡ってマスクパターンのデータを作成することは技術的に非常に困難である。
特開2005−268782号公報
本発明では、いわゆる側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを備える半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被処理基板上に被加工層およびマスク層をそれぞれ少なくとも1層ずつ挟んで設けられた少なくとも1層の感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングし、前記第1のパターンをマスクとして前記感光性部材の層の下層の前記マスク層をエッチングして前記マスク層に前記第1のパターンを転写し、前記第1のパターンが転写された前記マスク層をエッチングして前記第1のパターンを縮小させた第2のパターンを形成し、前記第2のパターンの側壁部を囲んで側壁パターンを設けた後に前記第2のパターンの少なくとも一部を除去し、前記側壁パターンをマスクとして前記マスク層の下層の前記被加工層をエッチングして前記被加工層に前記側壁パターンを転写する、ことを特徴とするものである。
また、本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、被処理基板上に被加工層および第1のマスク層をそれぞれ少なくとも1層ずつ挟んで設けられた少なくとも1層の感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングした後に前記感光性部材の層から前記第1のパターン以外の領域を除去し、前記第1のパターンをマスクとして前記感光性部材の層の下層の前記第1のマスク層をエッチングして前記第1のマスク層に前記第1のパターンを転写し、前記第1のパターンが転写された前記第1のマスク層をエッチングして前記第1のパターンを縮小させた第2のパターンを形成し、前記第2のパターンの側壁部を囲んで側壁パターンを設けた後に前記第2のパターンを除去し、前記側壁パターンおよび前記第1のマスク層の下層の前記被加工層を部分的に覆って第2のマスク層を設け、前記第2のマスク層および前記側壁パターンをマスクとして前記被加工層をエッチングして前記被加工層に前記第2のマスク層のパターンおよび前記側壁パターンを転写し、前記被加工層に転写された前記第2のマスク層のパターンおよび前記側壁パターンを反転させた第3のパターンを形成する、ことを特徴とするものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、いわゆる側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを備える半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる。
以下、本発明に係る各実施形態を図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
先ず、本発明に係る第1実施形態について図1〜図10を参照しつつ説明する。本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、いわゆる側壁残しプロセスを利用するパターン形成工程に用いるマスクに形成されるマスクパターンを設計するための、マスクパターンの設計方法の一態様について説明する。ここでのマスクパターン設計方法は、具体的にはマスクパターンのデータを作成する方法である。したがって、本実施形態の説明は全てデータの処理についての説明である。以下、より具体的かつ詳細に説明する。
先ず、本発明に係る第1実施形態について図1〜図10を参照しつつ説明する。本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、いわゆる側壁残しプロセスを利用するパターン形成工程に用いるマスクに形成されるマスクパターンを設計するための、マスクパターンの設計方法の一態様について説明する。ここでのマスクパターン設計方法は、具体的にはマスクパターンのデータを作成する方法である。したがって、本実施形態の説明は全てデータの処理についての説明である。以下、より具体的かつ詳細に説明する。
先ず、図1(a)および(b)に示すように、被処理基板としてのウェーハ1のイメージの上に、被加工膜(被加工層)2のイメージおよびマスク部材(マスク層)3のイメージを順次積層して発生させる。続けて、感光性部材からなる層としての第1のレジスト膜(第1のレジスト層)4のイメージをマスク部材3のイメージの上に発生させる。この第1のレジスト膜4のイメージは、具体的にはウェーハ1上に形成されるレジストパターンのイメージである。ここでは、レジストパターン4のイメージとして、ライン・アンド・スペースパターン(Line and Space Pattern:L/S Pattern )のイメージを発生させる。このライン・アンド・スペースパターン4は、例えば図1(a)および(b)に示すように、左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなる。また、レジストパターン(ライン・アンド・スペースパターン)4のイメージは、データ上はX_resist と表されて第1のレイヤーに示される。
なお、第1のレジスト膜4および後述する第2〜第4の各レジスト膜9,11,16は、半導体基板等のウェーハ1上に薄膜パターン10,18等を形成するために用いられる。また、被加工膜2は、例えばシリコン酸化膜(SiO2 膜)等の絶縁膜からなり、後述する側壁パターン8等をウェーハ1上に形成するために用いられる。すなわち、被加工膜2は、側壁パターン8を形成するためのダミーパターンとして用いられる。
また、図1(b)は、図1(a)中破断線X1−X1’に沿って示す断面図である。また、図1(a)において実線A1の外側かつ実線A2の内側の領域Bは、後工程の一つである写真蝕刻工程(Photo Engraving Process:PEP)において第2のレジスト膜9を設ける領域を示す。ここで、実線A2の内側の領域は、ウェーハ1上のパターン形成領域またはそのイメージを表す。また、図1(a)中二点鎖線C1およびC2で囲む各領域は、それぞれ後工程の一つであるループカット工程においてエッチング処理が施される領域を示す。また、これら各領域の定義は、後に参照する図2(a),(b)〜図6(a),(b)ないしは図7(a),(b)においても同様とする。
次に、図2(a)および(b)に示すように、マスク部材3のイメージに代えて、マスク部材3にパターニングを施してなるマスクパターン5のイメージを被加工膜2のイメージの上に発生させる。このマスクパターン5は、実際にはレジストパターン4(4a,4b)をマスクとしてマスク部材3をエッチングしてマスク部材3にパターン転写することにより形成される。ここでは、このパターン転写工程をデータ上で行うことにより、先に参照した図1(a)および(b)に示すマスク部材3のイメージをマスクパターン5のイメージに変換する。マスクパターン5はレジストパターン4と同様の形状および寸法からなるライン・アンド・スペースパターンである。具体的には、マスクパターン5も、レジストパターン4(4a,4b)と同様に、左右両外側の2本の太いラインパターン5aの間に4本の細いラインパターン5bが所定の間隔で配置された構成からなる。なお、図2(b)は、図2(a)中破断線X2−X2’に沿って示す断面図である。
次に、図3(a)および(b)に示すように、マスクパターン5のイメージに代えて、マスクパターン5のイメージをそれぞれ第1の寸法ずつ拡張させた拡張マスクパターン6のイメージを被加工膜2のイメージの上に発生させる。具体的には、先に参照した図2(a)および(b)に示すマスクパターン5の各ラインパターン5a,5bのイメージを、それぞれ第1の寸法ずつ拡張させた拡張ラインパターン6a,6bのイメージに変換する。ここでは、第1の寸法を各ラインパターン5a,5bのうちの最小線幅である細いラインパターン5bの幅の略1/4の大きさと規定する。したがって、細いラインパターン5bの幅を2Fとすると、各拡張ラインパターン6a,6bは、各ラインパターン5a,5bを、それぞれ約F/2ずつオーバーサイズさせた(太らせた)パターンとなる。また、これら各拡張ラインパターン6a,6bからなる拡張マスクパターン6のイメージは、データ上はX_resist+F/2と表されて第2のレイヤーに示される。なお、図3(b)は、図3(a)中破断線X3−X3’に沿って示す断面図である。
次に、図4(a)および(b)に示すように、マスクパターン5のイメージに代えて、マスクパターン5のイメージをそれぞれ第2の寸法ずつ縮小させた縮小マスクパターン7のイメージを被加工膜2のイメージの上に発生させる。具体的には、先に参照した図2(a)および(b)に示すマスクパターン5の各ラインパターン5a,5bのイメージを、それぞれ第2の寸法ずつ縮小させた縮小ラインパターン7a,7bのイメージに変換する。ここでは、第2の寸法を前述した第1の寸法と同じ約F/2の大きさに設定する。したがって、各縮小ラインパターン7a,7bは、各ラインパターン5a,5bを、それぞれ約F/2ずつアンダーサイズさせた(細らせた、スリミングした)パターンとなる。また、これら各縮小ラインパターン7a,7bからなる縮小マスクパターン7のイメージは、データ上はX_resist−F/2と表されて第3のレイヤーに示される。なお、図4(b)は、図4(a)中破断線X4−X4’に沿って示す断面図である。
なお、拡張マスクパターン6のイメージを発生させる工程と縮小マスクパターン7のイメージを発生させる工程とは、ともにあくまでデータ上の処理であるので、どちらを先に行っても構わない。あるいは、拡張マスクパターン6のイメージを発生させる工程と縮小マスクパターン7のイメージを発生させる工程とを互いに並行して行っても構わない。
次に、図5(a)および(b)に示すように、拡張マスクパターン6のイメージ(第2のレイヤー)から縮小マスクパターン7のイメージ(第3のレイヤー)を差し引いた差分パターン8のイメージを被加工膜2のイメージの上に発生させる。すなわち、先に参照した図2(a)および(b)に示すマスクパターン5(5a,5b)のイメージを差分パターン8のイメージに変換する。これら各差分パターン8は、マスクパターン5の各ラインパターン5a,5bの外形(縁、側壁)を中心として、それらの内側および外側にそれぞれ約F/2ずつ張り出した大きな閉ループパターン8aまたは小さな閉ループパターン8bから構成される。したがって、これら大小2種類の各閉ループパターン8a,8bの幅は、その大小の別に拘わらず、一律にマスクパターン5の細いラインパターン5bの幅と略同じ大きさFである。これら大小2種類の各閉ループパターン8a,8bからなる差分パターン8は、一般に側壁パターンと称される。また、これら大小2種類の各閉ループパターン8a,8bからなる側壁パターン8のイメージは、データ上は(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)と表されて第4のレイヤーに示される。なお、図5(b)は、図5(a)中破断線X5−X5’に沿って示す断面図である。
次に、図6(a)および(b)に示すように、第1のレジスト膜4と同様の感光性部材からなる層として、PEPで用いる第2のレジスト膜(第2のレジスト層)9のイメージを、被加工膜2のイメージのうち被加工膜2の表面上の領域B内に発生させる。第2のレジスト膜9のイメージは、データ上はX_bi と表されて第7のレイヤーに示される。この際、側壁パターン8の各閉ループパターン8a,8bのイメージの内側に縮小マスクパターン7の各縮小ラインパターン7a,7bのイメージを併せて発生させておく。なお、図6(b)は、図6(a)中破断線X6−X6’に沿って示す断面図である。
次に、図7(a)および(b)に示すように、第2のレジスト膜9から露出されている各閉ループパターン8bのイメージの内側から各縮小ラインパターン7bのイメージを消去する。それとともに、第2のレジスト膜9により覆われている各閉ループパターン8aのイメージの内側に各縮小ラインパターン7aのイメージを残す。さらに、第2のレジスト膜9のイメージを被加工膜2のイメージの上から消去する。この工程は、実際には被加工膜2の表面上に設けられている各縮小ラインパターン7a,7b、各閉ループパターン8a,8b、および第2のレジスト膜9のうち、第2のレジスト膜9から露出されている各縮小ラインパターン7bのみをエッチングにより選択的に除去する工程(PEP)に相当する。第2のレジスト膜9は、各縮小ラインパターン7bをエッチングにより除去した後、被加工膜2の表面上から除去される。
なお、この工程は、データ上は第1のレイヤーとしてのレジストパターン4のイメージに第7のレイヤーとしての第2のレジスト膜9のイメージを作用させる工程に相当する。すなわち、この工程は、データ上はX_resist *X_bi と表されるイメージを発生させることに相当する。さらに、図7(a)および(b)中一点鎖線Dで囲んで示す領域が、X_resist *X_bi で表される工程の結果を示す。なお、図7(b)は、図7(a)中破断線X7−X7’に沿って示す断面図である。
次に、図8に示すように、被加工膜2のイメージの上に残されたX_resist *X_bi および前述した第4のレイヤー(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)で表されるイメージのうち不要な部分を消去する。具体的には、被加工膜2の表面上に設けられている各縮小ラインパターン7bおよび各閉ループパターン8a,8bのイメージのうち、先に参照した図1(a),(b)〜図7(a),(b)中C1およびC2で囲んで示す各領域内に入っている各パターン7b,8a,8bの長手方向両端部のイメージを消去する。この工程は、実際には被加工膜2の表面上に残されている各縮小ラインパターン7bおよび各閉ループパターン8a,8bのC1およびC2で囲んで示す各領域内に入っている部分のみを露出させて図示しないマスク膜で覆った後、各パターン7b,8a,8bの露出部分をエッチングにより選択的に除去する工程に相当する。この工程により、各閉ループパターン8a,8bは幅が約Fからなる12本の側壁ラインパターン8cに加工される。なお、図8中破断線X8−X8’に沿って示す断面構造は、先に参照した図7(a)中破断線X7−X7’に沿って示す断面構造を表す図7(b)と同様なので、その図示を省略する。
なお、図1(a),(b)〜図7(a),(b)中C1およびC2で囲んで示す各領域は、データ上はX_cut と表されて第5のレイヤーに示される。この第5のレイヤーは、前述したように、第4のレイヤーで発生する側壁パターン8のイメージの各閉ループパターン8a,8bの長手方向両端部を取り除いて単純な複数本の側壁ラインパターン8cのイメージに変換する。このため、第5のレイヤーはループカットレイヤーとも称される。また、このように側壁パターン8のイメージにループカット加工を施した後のウェーハパターンのイメージは、データ上は{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}−X_cut と表される。そして、この{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}−X_cut で表されるイメージは、側壁パターン8(各閉ループパターン8a,8b)のイメージを示す第4のレイヤーからループカットレイヤーとしての第5のレイヤーを差し引いた第6のレイヤーに発生させられる。
次に、図9(a)および(b)に示すように、被加工膜2のイメージに代えて、被加工膜2にパターニングを施してなるレイアウトパターン10のイメージをウェーハ1のイメージの上に発生させる。このレイアウトパターン10は、実際には各縮小ラインパターン7aおよび複数本の側壁ラインパターン8cからなる側壁パターン8をマスクとして被加工膜2をエッチングして被加工膜2にパターン転写することにより形成される。ここでは、このパターン転写工程をデータ上で行うことにより、先に参照した図1(a),(b)〜図7(a),(b)に示す被加工膜2のイメージをレイアウトパターン10のイメージに変換する。このレイアウトパターン10も、各側壁ラインパターン8cに各縮小ラインパターン7aを足し合わせたパターンと同様の形状および寸法からなるライン・アンド・スペースパターンである。具体的には、レイアウトパターン10は、各側壁ラインパターン8cに各縮小ラインパターン7aを足し合わせた左右両外側の2本の太いラインパターン10aの間に各側壁ラインパターン8cと同等の8本の細いラインパターン10bが所定の間隔で配置された構成からなる。なお、図9(b)は、図9(a)中破断線X9−X9’に沿って示す断面図である。
なお、このように側壁パターン8のイメージにループカット加工を施したパターンを被加工膜2に転写した後のウェーハパターンのイメージは、データ上は[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist *X_bi ]−X_cut と表される。そして、この[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist *X_bi ]−X_cut で表されるイメージは、側壁パターン8(各閉ループパターン8a,8b)のイメージを示す第4のレイヤーと、レジストパターン4のイメージを示す第1のレイヤーのうち第2のレジスト膜9のイメージを示す第7のレイヤー内の部分とを足し合わせた第8のレイヤーに発生させられる。そして、この[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist *X_bi ]−X_cut で表されるレイアウトパターン10のイメージを示す第8のレイヤーが、側壁残しプロセス用の所望のウェーハパターンのデータとなる。
そして、図10中白抜き矢印で示すように、これまで説明した各データ生成工程およびデータ加工工程を経ることにより、図1(a),(b)に示すレジストパターン4のデータから側壁残しプロセス用の所望のウェーハパターンとなるレイアウトパターン10のデータを得ることができる。
以上説明したように、この第1実施形態によれば、いわゆる側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを形成するためのウェーハパターン10を効率良く、かつ、容易に設計することができる。また、本実施形態に係るパターンデータ発生方法は、黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法とも称される。
(第2の実施の形態)
次に、本発明に係る第2実施形態について図11〜図19を参照しつつ説明する。なお、前述した第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第2実施形態について図11〜図19を参照しつつ説明する。なお、前述した第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、第1実施形態において説明した黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を、実際のマスクパターンの形成工程として実行するマスクパターン形成方法について説明する。以下、具体的かつ詳細に説明する。
先ず、図11(a)および(b)に示すように、ウェーハ1の上に、被加工膜2およびマスク部材3を順次積層して設ける。続けて、マスク部材3の上に第1のレジスト膜4を設ける。この後、通常のリソグラフィー工程により第1のレジスト膜4にパターニングを施して、例えば左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなる第1のパターンとしてのライン・アンド・スペースパターン4を形成する。
なお、図11(b)は、図11(a)中破断線X11−X11’に沿って示す断面図である。また、図11(a)中実線A1の外側かつ実線A2の内側の領域B、ならびに二点鎖線C1およびC2で囲む各領域の定義は、第1実施形態と同じである。また、これら各領域の定義は、後に参照する図12(a),(b)〜図15(a),(b)ないしは図16(a),(b)においても同様とする。
次に、図12(a)および(b)に示すように、マスク部材3にパターニングを施してマスクパターン5を被加工膜2の上に形成する。このマスクパターン5は、レジストパターン4(4a,4b)をマスクとしてマスク部材3をエッチングして、レジストパターン4をマスク部材3にパターン転写することにより形成される。したがって、マスクパターン5は、レジストパターン4と同様に、左右両外側の2本の太いラインパターン5aの間に4本の細いラインパターン5bが所定の間隔で配置された構成からなる。なお、図12(b)は、図12(a)中破断線X12−X12’に沿って示す断面図である。
次に、図13(a)および(b)に示すように、通常のリソグラフィー工程によりマスクパターン5(5a,5b)を、それぞれ約F/2ずつアンダーサイズさせて、複数本の縮小ラインパターン7a,7bからなる第2のパターンとしての縮小マスクパターン7を形成する。なお、図13(b)は、図13(a)中破断線X13−X13’に沿って示す断面図である。
次に、図14(a)および(b)に示すように、通常の側壁残しプロセスにより縮小マスクパターン7の各縮小ラインパターン7a,7bの側壁部を覆って、幅が約Fの複数本の閉ループパターン8a,8bからなる側壁パターン8を形成する。この側壁パターン8は、第1実施形態で説明した拡張マスクパターン6(6a,6b)をデータ上で予め設計しておくとともに、この拡張マスクパターン6(6a,6b)から縮小マスクパターン7(7a,7b)を差し引いた差分パターンが被加工膜2上に残るように通常のリソグラフィーを行うことにより形成される。したがって、実際の側壁残しプロセスにおいては、拡張マスクパターン6(6a,6b)が形成されることはない。なお、図14(b)は、図14(a)中破断線X14−X14’に沿って示す断面図である。
次に、図15(a)および(b)に示すように、PEPで用いる第2のレジスト膜9を被加工膜2の表面上の領域B内に設ける。すなわち、側壁パターン8および縮小マスクパターン7のうち左右両外側の大きい各閉ループパターン8aおよび太い各縮小ラインパターン7aを覆って、第2のレジスト膜9を被加工膜2の表面上に設ける。なお、図15(b)は、図15(a)中破断線X15−X15’に沿って示す断面図である。
次に、図16(a)および(b)に示すように、第2のレジスト膜9から露出されている各閉ループパターン8bの内側から各縮小ラインパターン7bを除去する。すなわち、被加工膜2の表面上に設けられている各縮小ラインパターン7a,7b、各閉ループパターン8a,8b、および第2のレジスト膜9のうち、第2のレジスト膜9から露出されている各縮小ラインパターン7bのみをエッチングにより選択的に除去する工程(PEP)を行う。各縮小ラインパターン7bを除去した後、被加工膜2の表面上から第2のレジスト膜9を除去する。なお、図16(b)は、図16(a)中破断線X16−X16’に沿って示す断面図である。
次に、図17に示すように、被加工膜2の表面上に残されている各縮小ラインパターン7aおよび側壁パターン8にループカット加工を施す。すなわち、各縮小ラインパターン7aおよび各閉ループパターン8a,8bのうち、先に参照した図11(a),(b)〜図16(a),(b)中C1およびC2で囲んで示す各領域内に入っている各パターン7a,8a,8bの長手方向両端部を除去するループカット工程を行う。具体的には、各縮小ラインパターン7aおよび各閉ループパターン8a,8bのC1およびC2で囲んで示す各領域内に入っている部分のみを露出させて図示しないマスク膜で覆った後、各パターン7a,8a,8bの露出部分をエッチングにより選択的に除去する。このループカット工程により、各閉ループパターン8a,8bは幅が約Fからなる12本の側壁ラインパターン8cに加工される。なお、図17中破断線X17−X17’に沿って示す断面構造は、先に参照した図16(a)中破断線X16−X16’に沿って示す断面構造を表す図16(b)と同様なので、その図示を省略する。
次に、図18(a)および(b)に示すように、被加工膜2にパターニングを施してなるレイアウトパターン10をウェーハ1上に形成する。このレイアウトパターン10は、各縮小ラインパターン7aおよび複数本の側壁ラインパターン8cからなる側壁パターン8をマスクとして被加工膜2をエッチングして被加工膜2にパターン転写することにより形成される。このレイアウトパターン10は、各側壁ラインパターン8cに各縮小ラインパターン7aを足し合わせた左右両外側の2本の太いラインパターン10aの間に各側壁ラインパターン8cと同等の8本の細いラインパターン10bが所定の間隔で配置された構成からなるライン・アンド・スペースパターンである。なお、図18(b)は、図18(a)中破断線X18−X18’に沿って示す断面図である。
そして、図19中白抜き矢印で示すように、これまで説明した各工程を経ることにより、側壁残しプロセス用の所望のマスクパターンとなるレイアウトパターン10を図11(a),(b)に示すレジストパターン4に基づいて得ることができる。
以上説明したように、この第2実施形態によれば、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態に係るマスクパターン形成方法によれば、側壁残しプロセスを適用して微細なパターンをウェーハ1上の第1のレジスト膜4、マスク部材3、および被加工膜2に形成するためのマスクパターン10を効率良く、かつ、容易に形成することができる。
(第3の実施の形態)
次に、本発明に係る第3実施形態について図20および図21を参照しつつ説明する。なお、前述した第1および第2の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第3実施形態について図20および図21を参照しつつ説明する。なお、前述した第1および第2の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、第1実施形態において発生させた第1のレイヤー(X_resist)と第7のレイヤー(X_bi)との組み合わせ方が第1実施形態と異なっているだけで他の工程は全て同じである。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、第1実施形態と同様に黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法の一種である。以下、具体的かつ詳細に説明する。
先ず、図20に示すように、ウェーハ1上に順次積層された被加工膜2およびマスク部材3のイメージの上に、第1のレジスト膜4のイメージとしてのレジストパターンのイメージを発生させる。すなわち、左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなるライン・アンド・スペースパターンのイメージをマスク部材3のイメージの上に発生させる。これは、先に第1実施形態において図1(a)および(b)を参照して説明した工程と同じである。ただし、本実施形態においては、第1実施形態とは反対に、X_bi で表される領域(第7のレイヤー)を、第2のレジスト膜9のイメージを発生させない領域と定義する。具体的には、図20中実線A1の内側の領域EがPEPにおいて第2のレジスト膜9を設けない領域(X_bi )となる。したがって、本実施形態においても、結果的には第1実施形態と同様に、図20中実線A1の外側かつ実線A2の内側の領域B内に第2のレジスト膜9のイメージを発生させることとなる。
なお、図20中二点鎖線C1およびC2で囲む各領域の定義は、第1実施形態と同じである。また、これら各領域の定義は、後に参照する図21においても同様とする。
以後、図21に示すように、大小2種類の各閉ループパターン8a,8bからなる側壁パターン8のイメージを生成する工程までは、先に図2(a),(b)〜図5(a),(b)を参照しつつ説明した第1実施形態と同様である。この図21においても、実線A1の内側の領域Eが第2のレジスト膜9のイメージを発生させない領域(X_bi )となる。すなわち、図21中実線A1の外側かつ実線A2の内側の領域B内に第2のレジスト膜9のイメージを発生させる。ただし、本実施形態では、先に図7(a)および(b)を参照しつつ説明した第1のレイヤーとしての第1のレジストパターン4のイメージに第7のレイヤーとしての第2のレジスト膜9のイメージを作用させる工程のデータ上の表現が第1実施形態と異なっている。この工程は、第1実施形態ではX_resist *X_bi というデータで表されるイメージを発生させることに相当する。これに対して、本実施形態では、第1のレジストパターン4のイメージに第7のレイヤーとしての第2のレジスト膜9のイメージを作用させる工程は、X_resist −X_bi というデータで表されるイメージを発生させることに相当する。
以後、先に図6(a),(b)〜図9(a),(b)を参照しつつ説明した第1実施形態と同様の工程を経ることにより、図10を参照しつつ説明した第1実施形態と同様の結果を得ることができる。ただし、本実施形態では、先に図9(a)および(b)を参照しつつ説明した側壁パターン8のイメージにループカット加工を施したパターンを被加工膜2に転写した後のウェーハパターンのイメージの表現が第1実施形態と異なっている。このイメージは、第1実施形態では[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist *X_bi ]−X_cut と表される。これに対して、本実施形態では、側壁パターン8のイメージにループカット加工を施したパターンを被加工膜2に転写した後のウェーハパターンのイメージは、[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist −X_bi ]−X_cut と表される。そして、この[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist −X_bi ]−X_cut で表されるイメージは、側壁パターン8(各閉ループパターン8a,8b)のイメージを示す第4のレイヤーと、レジストパターン4のイメージを示す第1のレイヤーのうち第2のレジスト膜9のイメージを示す第7のレイヤーの外側の部分とを足し合わせた第9のレイヤーに発生させられる。そして、この[{(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+X_resist −X_bi ]−X_cut で表されるレイアウトパターン10のイメージを示す第9のレイヤーが、側壁残しプロセス用の所望のウェーハパターンのデータとなる。
以上説明したように、この第3実施形態によれば、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態に係るマスクパターン設計方法によれば、側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを形成するためのウェーハパターン10を効率良く、かつ、容易に設計することができる。
(第4の実施の形態)
次に、本発明に係る第4実施形態について図22〜図25を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第3の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第4実施形態について図22〜図25を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第3の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、第3実施形態において説明した黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を実際のマスクパターンの形成工程として実行するマスクパターン形成方法について説明する。ただし、前述したように、第3実施形態のウェーハイメージパターン発生方法は、第2のレジスト膜9のイメージを発生させる領域(X_bi)のデータ上の定義が第1実施形態のウェーハイメージパターン発生方法における第2のレジスト膜9のイメージを発生させる領域(X_bi)のデータ上の定義と反対になっているだけである。したがって、実際のマスクパターンの形成工程は、第2実施形態のマスクパターンの形成工程と全く同じである。以下、簡潔に説明する。
先ず、図22に示すように、ウェーハ1の上に、被加工膜2およびマスク部材3を順次積層して設ける。続けて、マスク部材3の上に第1のレジスト膜4を設ける。この後、通常のリソグラフィー工程により第1のレジスト膜4にパターニングを施して、左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなるライン・アンド・スペースパターンを形成する。ここまでの工程は、先に第2実施形態において図11を参照しつつ説明した工程と同様である。
なお、図22中実線A1の外側かつ実線A2の内側の領域B、実線A2の内側の領域E、ならびに二点鎖線C1およびC2で囲む各領域の定義は、第1〜第3の各実施形態と同じである。また、これら各領域の定義は、後に参照する図23〜図25においても同様とする。
その後、図23に示すように、通常のリソグラフィー工程によりマスクパターン5(5a,5b)を、それぞれ約F/2ずつアンダーサイズさせて、複数本の縮小ラインパターン7a,7bからなる縮小マスクパターン7を形成する。ここまでの工程は、先に第2実施形態において図12および図13を参照しつつ説明した工程と同様である。
次に、図24に示すように、通常の側壁残しプロセスにより縮小マスクパターン7の各縮小ラインパターン7a,7bの側壁部を覆って、幅が約Fの複数本の閉ループパターン8a,8bからなる側壁パターン8を形成する。ここまでの工程は、先に第2実施形態において図14を参照しつつ説明した工程と同様である。
次に、図25に示すように、被加工膜2の表面上に設けられている各縮小ラインパターン7a,7b、各閉ループパターン8a,8b、および第2のレジスト膜9のうち、第2のレジスト膜9から露出されている各縮小ラインパターン7bのみをエッチングにより選択的に除去する工程(PEP)を行う。各縮小ラインパターン7bを除去した後、被加工膜2の表面上から第2のレジスト膜9を除去する。ここまでの工程は、先に第2実施形態において図15および図16を参照しつつ説明した工程と同様である。以後、先に第2実施形態において図17〜図18(a),(b)を参照しつつ説明した工程と同様の工程を経ることにより、図19を参照しつつ説明した第2実施形態と同様の結果を得ることができる。
以上説明したように、この第4実施形態によれば、前述した第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態に係るマスクパターン形成方法によれば、側壁残しプロセスを適用して微細なパターンをウェーハ1上の第1のレジスト膜4、マスク部材3、および被加工膜2に形成するためのマスクパターン10を効率良く、かつ、容易に形成することができる。
(第5の実施の形態)
次に、本発明に係る第5実施形態について図26〜図35を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第4の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第5実施形態について図26〜図35を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第4の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、第1および第3の各実施形態に係る黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法に対して、白データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法と称されるウェーハイメージパターン発生方法について説明する。以下、具体的かつ詳細に説明する。
先ず、図26(a)および(b)に示すように、ウェーハ1のイメージの上に、被加工膜2のイメージおよびマスク部材3のイメージを順次積層して発生させる。続けて、第1および第2の各レジスト膜4,9と同様の感光性部材からなる層として、PEPに用いる第3のレジスト膜(第3のレジスト層)11のイメージをマスク部材3のイメージの上に発生させる。続けて、第3のレジスト膜11のイメージの上に、左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなるライン・アンド・スペースパターン4のイメージを発生させる。このライン・アンド・スペースパターン4のイメージは、データ上はX_resist と表されて第1のレイヤーに発生させられる。
続けて、図26(a)および(b)に示すように、第3のレジスト膜11のイメージを、ライン・アンド・スペースパターン4のイメージに沿って第3のレジスト膜11をパターニングしたイメージに変換する。具体的には、第3のレジスト膜11全体のイメージから、ライン・アンド・スペースパターン4と重なっている領域のイメージを消去する。これは、データ上はレイアウト領域全体のイメージを示す Instance_drawing からライン・アンド・スペースパターン4のイメージを示すX_resist を引いた Instance_drawing −X_resist と表される。なお、レイアウト領域全体のイメージを示す Instance_drawing は、第5のレイヤーに発生させられる。
なお、図26(b)は、図26(a)中破断線X26−X26’に沿って示す断面図である。また、図26(a)において二点鎖線A3の内側の領域Gは、後工程の一つであるループカット工程において第4のレジスト膜16を設けない領域を示す。この領域Gの定義は、後に参照する図27(a),(b)〜図32(a),(b)においても同様とする。
次に、図27(a)および(b)に示すように、マスク部材3のイメージに代えて、マスク部材3にパターニングを施してなるマスクパターン12のイメージを被加工膜2のイメージの上に発生させる。このマスクパターン12は、実際にはパターニングされた第3のレジスト膜11をマスクとしてその各開口部から露出しているマスク部材3をエッチングしてパターン転写することにより形成される。ここでは、このパターン転写工程をデータ上で行うことにより、先に参照した図26(a)および(b)に示すマスク部材3のイメージをパターニングされた第3のレジスト膜11と同様の形状および寸法からなるマスクパターン12のイメージに変換する。なお、図27(b)は、図26(a)中破断線X27−X27’に沿って示す断面図である。
次に、図28(a)および(b)に示すように、マスクパターン12のイメージに代えて、マスクパターン12のイメージをその各開口部12a,12bを狭くする方向に約F/2ずつオーバーサイズさせた(太らせた)拡張マスクパターン13のイメージに変換する。この拡張マスクパターン13のイメージは、データ上はX_resist+F/2と表されて第2のレイヤーに発生させられる。拡張マスクパターン13は、各開口部12a,12bよりも狭い各開口部13a,13bを有する。なお、図28(b)は、図28(a)中破断線X28−X28’に沿って示す断面図である。
次に、図29(a)および(b)に示すように、マスクパターン12のイメージに代えて、マスクパターン12のイメージをその各開口部12a,12bを広げる方向に約F/2ずつアンダーサイズさせた(細らせた、スリミングした)縮小マスクパターン14のイメージに変換する。この縮小マスクパターン14のイメージは、データ上はX_resist−F/2と表されて第3のレイヤーに発生させられる。縮小マスクパターン14は、各開口部12a,12bよりも広い各開口部14a,14bを有する。なお、図29(b)は、図29(a)中破断線X29−X29’に沿って示す断面図である。
なお、拡張マスクパターン13のイメージを発生させる工程と縮小マスクパターン14のイメージを発生させる工程とは、ともにあくまでデータ上の処理であるので、どちらを先に行っても構わない。あるいは、拡張マスクパターン13のイメージを発生させる工程と縮小マスクパターン14のイメージを発生させる工程とを互いに並行して行っても構わない。
次に、図30(a)および(b)に示すように、拡張マスクパターン13のイメージ(第2のレイヤー)から縮小マスクパターン14のイメージ(第3のレイヤー)を差し引いた側壁パターン(差分パターン)15のイメージを、縮小マスクパターン14のイメージとともに被加工膜2のイメージの上に発生させる。すなわち、縮小マスクパターン14の各開口部14a,14bの内側に、幅が約Fの大小2種類の各閉ループパターン15a,15bからなる側壁パターン15のイメージを発生させる。これら大小2種類の各閉ループパターン15a,15bからなる側壁パターン15のイメージは、データ上は(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)と表されて第4のレイヤーに示される。なお、図30(b)は、図30(a)中破断線X30−X30’に沿って示す断面図である。
次に、図31(a)および(b)に示すように、被加工膜2のイメージの上に側壁パターン15(15a,15b)のイメージのみを残す。すなわち、被加工膜2のイメージの上から縮小マスクパターン14のイメージを消去する。なお、図31(b)は、図31(a)中破断線X31−X31’に沿って示す断面図である。
次に、図32(a)および(b)に示すように、第2のマスク層としての第4のレジスト膜(第4のレジスト層)16のイメージを被加工膜2のイメージのうち被加工膜2の表面上の領域Gの外側に発生させる。この第4のレジスト膜16も、第1〜第3の各レジスト膜4,9,11と同様に、感光性部材からなる層である。ここでは第4のレジスト膜16のイメージは、データ上はX_bi と表されて第6のレイヤーに示される。なお、この工程は、データ上は Instance_drawing で表されて第5のレイヤーに発生させられたレイアウト領域全体を示すイメージから、X_bi で表されて第6のレイヤーに発生させられた第4のレジスト膜16または第4のレジスト膜16を設ける領域を示すイメージを差し引くことに相当する。そして、この工程は、データ上、Z= Instance_drawing −X_bi で表されて第7のレイヤーに発生させられる。なお、図32(b)は、図32(a)中破断線X32−X32’に沿って示す断面図である。
次に、図33(a)および(b)に示すように、被加工膜2のイメージに代えて、被加工膜2にパターニングを施してなるレイアウトパターン17のイメージをウェーハ1のイメージの上に発生させる。このレイアウトパターン17は、実際には複数本の閉ループパターン15a,15bからなる側壁パターン15のイメージに第4のレジスト膜16のイメージを足し合わせたイメージをマスクとして、被加工膜2をエッチングしてパターン転写することにより形成される。このパターン転写工程は、先に第1実施形態において図8を参照しつつ説明したループカットプロセスにマスキングプロセスを組み合わせた工程に実質的に等しい。ここでは、このパターン転写工程をデータ上で行うことにより、先に参照した図26(a),(b)〜図31(a),(b)に示すべた膜としての被加工膜2のイメージをレイアウトパターン17のイメージに変換する。そして、この工程は、データ上、W={(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+Zで表されて第8のレイヤーに発生させられる。なお、図33(b)は、図33(a)中破断線X33−X33’に沿って示す断面図である。
次に、図34(a)および(b)に示すように、レイアウトパターン17のイメージを反転させたループカット加工済みの反転パターン18のイメージを発生させる。具体的には、レイアウト領域全体のイメージからレイアウトパターン17のイメージを差し引いたループカット加工済みの差分パターン18のイメージを発生させる。この工程は、データ上は Instance_drawing で表されて第5のレイヤーに発生させられたレイアウト領域全体を示すイメージから、W={(X_resist+F/2)−(X_resist−F/2)}+Zで表されて第8のレイヤーに発生させられたレイアウトパターン17のイメージを差し引くことに相当する。そして、この工程は、データ上、Y=(Instance_drawing−W)で表されて第9のレイヤーに発生させられる。なお、図34(b)は、図34(a)中破断線X34−X34’に沿って示す断面図である。
そして、図35中白抜き矢印で示すように、これまで説明した各データ生成工程およびデータ加工工程を経ることにより、図26(a),(b)に示すレジストパターン4のデータから側壁残しプロセス用の所望のウェーハパターンとなる反転パターン18のデータを得ることができる。
以上説明したように、この第5実施形態によれば、前述した第1および第3の各実施形態で用いた黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法ではなく、白データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を用いても第1および第3の各実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態に係るマスクパターン設計方法によれば、いわゆる側壁残しプロセスを適用して微細なパターンを形成するためのマスクパターン18を効率良く、かつ、容易に設計することができる。
(第6の実施の形態)
次に、本発明に係る第6実施形態について図36〜図44を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第5の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第6実施形態について図36〜図44を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第5の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、半導体装置の製造方法として、第5実施形態において説明した白データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を、実際のマスクパターンの形成工程として実行するマスクパターン形成方法について説明する。以下、具体的かつ詳細に説明する。
先ず、図36(a)および(b)に示すように、ウェーハ1の上に、被加工膜2およびマスク部材3を順次積層して設ける。続けて、マスク部材3の上にPEPに用いる第3のレジスト膜11を設ける。続けて、第3のレジスト膜11の上に、左右両外側の2本の太いラインパターン4aの間に4本の細いラインパターン4bが所定の間隔で配置された構成からなるライン・アンド・スペースパターン4を設ける。続けて、ライン・アンド・スペースパターン4に沿って第3のレジスト膜11をパターニングする。具体的には、ライン・アンド・スペースパターン4から露出している第3のレジスト膜11のみがマスク部材3の上に残るように第3のレジスト膜11をエッチングする。これにより、第3のレジスト膜11に第1のパターン11aを形成する。第1のパターン11a以外の第3のレジスト膜11はマスク部材3の上から除去される。
なお、図36(b)は、図36(a)中破断線X36−X36’に沿って示す断面図である。また、図36(a)において二点鎖線A3の内側の領域Gは、後工程の一つであるループカット工程において第4のレジスト膜16を設けない領域を示す。この領域Gの定義は、後に参照する図37(a),(b)〜図41(a),(b)においても同様とする。
次に、図37(a)および(b)に示すように、第1のパターン11aをマスクとして第1のマスク層としてのマスク部材3にパターニングを施してなるマスクパターン12を被加工膜2の上に形成する。このマスクパターン12は、先に参照した図36(a)および(b)に示す第1のパターン11aをマスクとしてその各開口部から露出しているマスク部材3をエッチングしてパターン転写することにより形成される。なお、図37(b)は、図26(a)中破断線X37−X37’に沿って示す断面図である。
次に、図38(a)および(b)に示すように、通常のリソグラフィー工程によりマスクパターン12をその各開口部12a,12bを広げる方向に約F/2ずつアンダーサイズさせた(細らせた、スリミングした)第2のパターンとしての縮小マスクパターン14を形成する。縮小マスクパターン14は、各開口部12a,12bよりも広い各開口部14a,14bを有する。なお、図38(b)は、図38(a)中破断線X38−X38’に沿って示す断面図である。
次に、図39(a)および(b)に示すように、通常の側壁残しプロセスにより縮小マスクパターン14の各開口部14a,14bの内側壁部を覆って、幅が約Fの複数本の閉ループパターン15a,15bからなる側壁パターン15を形成する。この側壁パターン15は、第5実施形態で説明した拡張マスクパターン13をデータ上で予め設計しておくとともに、この拡張マスクパターン13から縮小マスクパターン14を差し引いた差分パターンが被加工膜2上に残るように通常のリソグラフィーを行うことにより形成される。したがって、実際の側壁残しプロセスにおいては、拡張マスクパターン13が形成されることはない。なお、各閉ループパターン15a,15b同士の間には縮小マスクパターン14が残される。また、図39(b)は、図39(a)中破断線X39−X39’に沿って示す断面図である。
次に、図40(a)および(b)に示すように、被加工膜2の上から縮小マスクパターン14をエッチングにより除去して、側壁パターン15(15a,15b)のみを被加工膜2のイメージの上に残す。なお、図40(b)は、図40(a)中破断線X40−X40’に沿って示す断面図である。
次に、図41(a)および(b)に示すように、側壁パターン15および被加工膜2の表面を部分的に覆って第2のマスク層としての第4のレジスト膜16を設ける。具体的には、第4のレジスト膜16を被加工膜2の表面上の領域Gの外側に設ける。これにより、側壁パターン15の各閉ループパターン15a,15bの長手方向両端部は第4のレジスト膜16により覆われる。なお、図41(b)は、図41(a)中破断線X41−X41’に沿って示す断面図である。
次に、図42(a)および(b)に示すように、被加工膜2にパターニングを施してレイアウトパターン17をウェーハ1の上に形成する。具体的には、レイアウトパターン17は、複数本の閉ループパターン15a,15bからなる側壁パターン15に第4のレジスト膜16を足し合わせた領域をマスクとして、被加工膜2をエッチングしてパターン転写することにより形成される。このパターン転写工程は、先に第1実施形態において図8を参照しつつ説明したループカットプロセスにマスキングプロセスを組み合わせた工程に実質的に等しい。なお、図42(b)は、図42(a)中破断線X42−X42’に沿って示す断面図である。
次に、図43(a)および(b)に示すように、レイアウトパターン17のイメージを反転させたループカット加工済みの反転パターン18を形成する。具体的には、レイアウト領域全体からレイアウトパターン17を差し引いたループカット加工済みの差分パターン18を形成する。なお、図43(b)は、図43(a)中破断線X43−X43’に沿って示す断面図である。
そして、図44中白抜き矢印で示すように、これまで説明した各データ生成工程およびデータ加工工程を経ることにより、図36(a),(b)に示すレジストパターン4から側壁残しプロセス用の所望のマスクパターンとなるウェーハパターン(反転パターン)18を得ることができる。
以上説明したように、この第6実施形態によれば、前述した第1および第3の各実施形態で用いた黒データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を実際のマスクパターンの形成工程として実行する第2および第4の各実施形態に係るマスクパターン形成方法ではなく、第5の実施形態で用いた白データパターンに対するウェーハイメージパターン発生方法を実際のマスクパターンの形成工程として実行しても第2および第4の各実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態に係るマスクパターン形成方法によれば、側壁残しプロセスを適用して微細なパターンをウェーハ1上の第1のレジスト膜4、第3のレジスト膜11、マスク部材3、および被加工膜2に形成するためのウェーハパターン18を効率良く、かつ、容易に形成することができる。
(第7の実施の形態)
次に、本発明に係る第7実施形態について図45を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第6の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
次に、本発明に係る第7実施形態について図45を参照しつつ説明する。なお、前述した第1〜第6の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
本実施形態においては、第1、第3、および第5のいずれかの実施形態に係るマスクパターン設計方法によって設計されたマスクパターン10,18、あるいは第2、第4、および第6のいずれかの実施形態に係るマスクパターン形成方法によって形成されたマスクパターン10,18のうちの少なくとも1つを有するマスクを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法について説明する。具体的には、そのようなマスクパターン10,18を備える露光マスクを用いて、不揮発性半導体記憶装置の一種であるNAND型フラッシュメモリのゲート電極付近の構造を形成する技術について説明する。
先ず、図45(a)に示すように、被処理基板としての半導体基板21の表層部にSTI構造からなる素子分離領域22を形成する。ここでは、半導体基板21は、例えば単純なシリコンウェーハからなるものとする。ただし、半導体基板21には、例えばSiO2 膜等の絶縁膜上に単結晶シリコン層が設けられた、いわゆるSOI(Silicon on Insulator)基板を用いても構わない。
次に、半導体基板21の表面およびSTI領域22を覆って、第1の下層材料としての積層膜23を設ける。この積層膜23は絶縁膜を含む積層膜であるとともに、ゲート構造を有している。詳細な図示は省略するが、積層膜23は、例えばその下層(半導体基板21)側から上層側に向けて、ゲート絶縁膜/電荷蓄積層/電極間絶縁膜/ゲート電極の順番で構成される積層膜である。ここで、ゲート絶縁膜は、例えばシリコン酸化膜(SiO2 膜)である。また、浮遊ゲートとなる電荷蓄積層は、例えばポリシリコン(poly−Si)層である。また、電極間絶縁膜は、例えばシリコン酸化膜(SiO2 膜)/シリコン窒化膜(SiN膜)/シリコン酸化膜(SiO2 膜)の積層構造からなる、いわゆるONO膜である。また、制御ゲートとなるゲート電極は、電荷蓄積層と同様に、例えばポリシリコン(poly−Si)層である。なお、ONO膜は他の絶縁膜の積層構造であってもよい。また、積層膜23の他の例としては、半導体基板21側から順に電荷蓄積層/ゲート電極で構成される積層膜であってもよい。この場合、電荷蓄積層には、例えばONO膜を用いればよい。また、ゲート電極には、例えばポリシリコン(poly−Si)層を用いればよい。この場合、いわゆるMONOS構造が形成される。
次に、積層膜23の上に第2の下層材料としてのハードマスク24を設ける。ハードマスク24は、例えばシリコン窒化膜(SiN)からなる。続けて、ハードマスク24の上に基礎パターン24となる犠牲膜25を設ける。犠牲膜25は、例えばアモルファスシリコン(a−Si)からなる。
次に、図示は省略するが、犠牲膜25を覆ってレジスト膜としての感光性樹脂膜を塗布法により設ける。続けて、図示しない露光装置およびマスクパターン10,18を備える露光マスクを用いて露光処理を行い、この露光マスクに形成されている半導体回路原版のパターンとしてのマスクパターン10,18を感光性樹脂膜に転写する。続けて、マスクパターン10,18が転写された感光性樹脂膜を現像することにより、マスクパターン10,18に対応するレジストパターンを感光性樹脂膜に形成する。これまでの工程により、所望の半導体回路原版のパターン10,18がレジスト膜に形成される。
次に、レジスト膜に形成された半導体回路原版のパターンに基づいて犠牲膜25をエッチングして所定の形状にパターニングする。続けて、パターニングされた犠牲膜25の側壁部を囲んで側壁パターン25となる側壁材料26を設ける。側壁材料26は、例えばTEOS膜からなる。続けて、側壁材料26を、例えばRIE法により所定の形状にパターニングする。続けて、ハードマスク24の上から犠牲膜25を剥離させて除去する。続けて、ハードマスク24上に残った側壁パターン25となる側壁材料26をマスクとして、例えばRIE法によりハードマスク24を所定の形状にパターニングする。続けて、パターニングされたハードマスク24を、例えばリン酸(H3PO4 )を用いてスリミングする。続けて、スリミングされたハードマスク24および側壁材料26をマスクとして、例えばRIE法により積層膜23を所定の形状にパターニングする。これにより、所望の構造からなるゲート電極の主要パターンを形成する。続けて、半導体基板21の表面上から側壁材料26およびハードマスク24を剥離させて除去する。
これまでの工程により、図45(b)に示すように、パターニングされた積層膜23が所望の構造からなるゲート電極の主要パターンとして残される。これら各積層膜23は、側壁パターンと同じパターンに形成されている。この後、配線工程等を経ることにより、NAND型フラッシュメモリを製造することができる。
以上説明したように、この第7実施形態においては、マスクパターン10,18を備える側壁残しプロセス用の露光マスクを用いてパターン露光を行う。これにより、側壁残しプロセスを適用して形成する微細な半導体集積回路のパターン10,18を高い精度で効率良く、かつ、容易に半導体基板21上に転写することができる。ひいては、各種半導体素子や配線等を含む微細な半導体集積回路のパターン10,18を側壁残しプロセスを適用して高い精度で効率良く、かつ、容易に半導体基板21上に形成することができる。すなわち、側壁残しプロセスを適用されて微細な半導体集積回路のパターンが高い精度で形成された半導体基板を備えているとともに、性能、信頼性、品質、および歩留まり等が向上された高品質な半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる。
また、ゲート電極付近の寸法は、一般的にはリソグラフィー工程の加工寸法によらず、殆ど側壁材料26の膜厚によってのみ決定される。このため、本実施形態のパターン形成方法は通常よりも寸法制御性が高い。ひいては、本実施形態によれば、ゲート電極パターンをはじめとする各種パターンの線幅の寸法のばらつき指数であるLWR(Line Width Roughness)を低くすることもできる。
なお、本発明に係るマスクパターン設計方法、マスクパターン形成方法、および半導体装置の製造方法は、前述した第1〜第7の各実施形態には制約されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは製造工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
例えば、前述した第1の寸法と第2の寸法とは必ずしも同じ大きさにする必要は無い。また、第1の寸法と第2の寸法とをともにF/2の大きさにする必要も無い。第1の寸法および第2の寸法は、例えば一方をラインパターンの最小幅の半分の大きさよりも大きくするとともに、他方をラインパターンの最小幅の半分の大きさよりも小さくしても構わないのはもちろんである。
また、本発明は、次に述べる内容を特徴とするマスクパターン設計方法も新規の発明として含んでいるのはもちろんである。例えば、被処理基板上に形成されるレジストパターンの側壁部を囲んで設けられる側壁パターンのイメージとして、前記レジストパターンのイメージを示す第1のレイヤーを拡張させた第2のレイヤーから前記第1のレイヤーを縮小させた第3のレイヤーを差し引いた第4のレイヤーを発生させる、ことを特徴とするマスクパターン設計方法。あるいは、被処理基板上のパターン形成領域内に形成されるレジストパターンの側壁部を囲んで設けられる側壁パターンのイメージとして、前記パターン形成領域のうち前記レジストパターンを除く領域のイメージを示す第1のレイヤーを拡張させた第2のレイヤーから前記第1のレイヤーを縮小させた第3のレイヤーを差し引いた第4のレイヤーを発生させ、前記パターン形成領域全体のイメージを示す第5のレイヤーから前記第1のレイヤーのうち前記被処理基板上に残される領域のイメージを示す第6のレイヤーを差し引いた第7のレイヤーを発生させるとともに、前記第4のレイヤーと前記第7のレイヤーとを足し合わせた第8のレイヤーを発生させ、前記第6のレイヤーのうち前記第4のレイヤーが示す前記側壁パターンを除く領域のイメージとして、前記第5のレイヤーから前記第8のレイヤーを差し引いた第9のレイヤーを発生させる、ことを特徴とするマスクパターン設計方法。
1,21…ウェーハ(シリコンウェーハ、半導体基板、被処理基板)、2…被加工膜(被加工層)、3…マスク部材(マスク層)、4…ライン・アンド・スペースパターン(レジストパターン、第1のパターン、レジスト層、感光性部材からなる層)、5…マスク層に転写されたライン・アンド・スペースパターン(マスク層に転写されたレジストパターン、マスク層に転写された第1のパターン)、7…縮小マスクパターン(第2のパターン)、8,15…側壁パターン、10…レイアウトパターン(マスクパターン、被加工膜に転写された側壁パターンおよび縮小マスクパターン)、16…第4のレジスト膜(第2のマスク層)、17…レイアウトパターン(被加工膜に転写された側壁パターンおよび第4のレジスト膜のパターン)、18…反転パターン(マスクパターン、ウェーハパターン、被加工層に転写された第2のマスク層のパターンおよび側壁パターンを反転させたパターン、第3のパターン)、23…ゲート電極のパターン(絶縁膜を含む積層膜)
Claims (5)
- 被処理基板上に被加工層およびマスク層をそれぞれ少なくとも1層ずつ挟んで設けられた少なくとも1層の感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングし、
前記第1のパターンをマスクとして前記感光性部材の層の下層の前記マスク層をエッチングして前記マスク層に前記第1のパターンを転写し、
前記第1のパターンが転写された前記マスク層をエッチングして前記第1のパターンを縮小させた第2のパターンを形成し、
前記第2のパターンの側壁部を囲んで側壁パターンを設けた後に前記第2のパターンの少なくとも一部を除去し、
前記側壁パターンをマスクとして前記マスク層の下層の前記被加工層をエッチングして前記被加工層に前記側壁パターンを転写する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被処理基板上に被加工層および第1のマスク層をそれぞれ少なくとも1層ずつ挟んで設けられた少なくとも1層の感光性部材からなる層に第1のパターンをパターニングした後に前記感光性部材の層から前記第1のパターン以外の領域を除去し、
前記第1のパターンをマスクとして前記感光性部材の層の下層の前記第1のマスク層をエッチングして前記第1のマスク層に前記第1のパターンを転写し、
前記第1のパターンが転写された前記第1のマスク層をエッチングして前記第1のパターンを縮小させた第2のパターンを形成し、
前記第2のパターンの側壁部を囲んで側壁パターンを設けた後に前記第2のパターンを除去し、
前記側壁パターンおよび前記第1のマスク層の下層の前記被加工層を部分的に覆って第2のマスク層を設け、
前記第2のマスク層および前記側壁パターンをマスクとして前記被加工層をエッチングして前記被加工層に前記第2のマスク層のパターンおよび前記側壁パターンを転写し、
前記被加工層に転写された前記第2のマスク層のパターンおよび前記側壁パターンを反転させた第3のパターンを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記被加工層に転写された前記側壁パターンに基づいて前記被処理基板と前記被加工層との間に設けられている絶縁膜を含む積層膜をパターニングすることにより、前記被処理基板上に複数個の電極のパターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のパターンに基づいて前記被処理基板と前記被加工層との間に設けられている絶縁膜を含む積層膜をパターニングすることにより、前記被処理基板上に複数個の電極のパターンを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各電極パターン同士の間に電極材料を設けることにより、NAND型フラッシュメモリのゲート電極を複数個形成することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法。
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US8765610B2 (en) | 2011-09-20 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
US8906757B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming patterns of a semiconductor device |
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- 2007-04-27 JP JP2007119396A patent/JP2008277550A/ja not_active Withdrawn
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