JP2008277321A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008277321A JP2008277321A JP2007115495A JP2007115495A JP2008277321A JP 2008277321 A JP2008277321 A JP 2008277321A JP 2007115495 A JP2007115495 A JP 2007115495A JP 2007115495 A JP2007115495 A JP 2007115495A JP 2008277321 A JP2008277321 A JP 2008277321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sih
- frequency
- amorphous silicon
- silicon layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】アモルファスシリコン層の成膜中に、検出手段31によってSiH2 の割合を検出し、周波数制御手段32によってSiH2 の割合が最も低くなる周波数になるように交流電源30から出力される交流電圧の周波数を調整しつつ、ガラス基板10にアモルファスシリコン層を成膜していく。そして、所定の膜厚になるまでアモルファスシリコン層を積層させる。
【選択図】図1
Description
真空槽と、前記真空槽内に配置され、複数の孔を有するシャワープレートと、前記シャワープレートが一面に配置され、前記孔によって前記真空槽の内部と連通する空洞を有するシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドに接続され、前記空洞に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記真空槽内の前記シャワープレートと対向する位置に平行に設けられ、前記基板を載置するための電極板と、前記電極板に接続され、前記電極板に100kHz以上2MHz以下の周波数の交流電圧を印加する交流電源と、前記アモルファスシリコン層に含まれるSiH2 濃度を検出する検出手段と、前記検出手段で検出されたSiH2 濃度に応じて前記交流電源から出力される交流電圧の周波数を制御する周波数制御手段とを備え、
前記周波数制御手段は、前記検出手段で検出されたSiH2 濃度に応じて、SiH2 濃度が最も低くなるように交流電圧の周波数を制御することを特徴とする。
4 シャワープレート
9 電極板
10 ガラス基板
30 交流電源
31 検出手段
32 周波数制御手段
Claims (3)
- 基板にアモルファスシリコン層を成膜する成膜装置であって、
真空槽と、前記真空槽内に配置され、複数の孔を有するシャワープレートと、前記シャワープレートが一面に配置され、前記孔によって前記真空槽の内部と連通する空洞を有するシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドに接続され、前記空洞に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記真空槽内の前記シャワープレートと対向する位置に平行に設けられ、前記基板を載置するための電極板と、前記電極板に接続され、前記電極板に100kHz以上2MHz以下の周波数の交流電圧を印加する交流電源と、前記アモルファスシリコン層に含まれるSiH2 濃度を検出する検出手段と、前記検出手段で検出されたSiH2 濃度に応じて前記交流電源から出力される交流電圧の周波数を制御する周波数制御手段とを備え、
前記周波数制御手段は、前記検出手段で検出されたSiH2 濃度に応じて、SiH2 濃度が最も低くなるように交流電圧の周波数を制御することを特徴とする成膜装置。 - 前記周波数制御手段は、前記基板の温度に応じて変化する、前記交流電圧の周波数と前記SiH2 濃度との関係を示した参照テーブルを備えていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記基板はガラス基板であり、前記基板の成膜温度は、200℃以上350℃以下であることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007115495A JP4966083B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007115495A JP4966083B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277321A true JP2008277321A (ja) | 2008-11-13 |
JP4966083B2 JP4966083B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=40054978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007115495A Active JP4966083B2 (ja) | 2007-04-25 | 2007-04-25 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4966083B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093721A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Canon Inc | 堆積膜形成方法及び装置 |
JP2004253417A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2005260186A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2006019593A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルファス太陽電池の成膜装置、及び、その製造方法 |
-
2007
- 2007-04-25 JP JP2007115495A patent/JP4966083B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093721A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Canon Inc | 堆積膜形成方法及び装置 |
JP2004253417A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2005260186A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2006019593A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | アモルファス太陽電池の成膜装置、及び、その製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4966083B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101208457B (zh) | 制造平板基体的方法 | |
JP5073097B2 (ja) | 電極アセンブリ、基板を処理するための装置および基板を処理するための方法 | |
US20110272099A1 (en) | Plasma processing apparatus and method for the plasma processing of substrates | |
JP5295234B2 (ja) | 薄膜形成装置および半導体膜製造方法 | |
JP2013539219A5 (ja) | ||
TWI500809B (zh) | 電漿cvd裝置及矽薄膜之製造方法 | |
JP4258549B2 (ja) | 結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置 | |
JP4707403B2 (ja) | パルス分割供給によるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマcvd方法 | |
WO2011149615A3 (en) | Hybrid hotwire chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition method and apparatus | |
CN102272897A (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体cvd成膜方法 | |
JP5089669B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP5105898B2 (ja) | シリコン系薄膜の成膜方法 | |
JP5772941B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2008171888A (ja) | プラズマcvd装置、薄膜形成方法 | |
JP4966083B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP3807127B2 (ja) | シリコン系薄膜の形成方法 | |
JP5959990B2 (ja) | グラフェン膜の製造装置及びグラフェン膜の製造方法 | |
JP4890313B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP5487990B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2013016705A (ja) | プラズマ処理装置および薄膜の製造方法 | |
JP5048385B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2007211292A (ja) | 薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法 | |
JP2670560B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2649333B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2011092778A1 (ja) | プラズマ成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4966083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |