JP2008256496A - 力学量センサおよびその製造方法 - Google Patents
力学量センサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008256496A JP2008256496A JP2007098191A JP2007098191A JP2008256496A JP 2008256496 A JP2008256496 A JP 2008256496A JP 2007098191 A JP2007098191 A JP 2007098191A JP 2007098191 A JP2007098191 A JP 2007098191A JP 2008256496 A JP2008256496 A JP 2008256496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor substrate
- movable
- semiconductor substrates
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、加速度が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて加速度を検出する加速度センサにおいて、可動および固定電極を構成する半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極を封止する構成を実現する。
【解決手段】厚さ方向の一面10a、20aを互いに対向させて第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とを重ね合わせ、第1の半導体基板10の一面10aをパターニングして可動電極30を形成し、第2の半導体基板20の一面20aをパターニングして固定電極40を形成し、両半導体基板10、20の間において、可動および固定電極30、40を検出間隔Kを介して対向させ、その周囲で両半導体基板10、20を接合し、この接合部50により両電極30、40を両半導体基板10、20の間に封止している。
【選択図】図1
【解決手段】厚さ方向の一面10a、20aを互いに対向させて第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とを重ね合わせ、第1の半導体基板10の一面10aをパターニングして可動電極30を形成し、第2の半導体基板20の一面20aをパターニングして固定電極40を形成し、両半導体基板10、20の間において、可動および固定電極30、40を検出間隔Kを介して対向させ、その周囲で両半導体基板10、20を接合し、この接合部50により両電極30、40を両半導体基板10、20の間に封止している。
【選択図】図1
Description
本発明は、可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、力学量が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて力学量を検出する力学量センサおよびその製造方法に関する。
従来より、この種の力学量センサとしては、半導体プロセス技術を用いて半導体基板に、たとえば櫛歯状の可動電極および固定電極を形成したものが提案されている(たとえば、特許文献1、特許文献2参照)。
このものは、たとえば櫛歯状をなす可動電極と固定電極とを互いに噛み合わせるように配置し、これら両電極間の間隔を検出間隔とし、そして力学量の印加に伴う当該検出間隔の変化を、容量などの変化として検出することにより力学量を検出するものである。そして、従来では、この半導体基板を、当該半導体基板以外の別体の部材よりなるパッケージ部材に収納して封止していた。
特開2003−270264号公報
特表2003−531017号公報
しかし、従来の力学量センサでは、半導体基板を収納するパッケージなどから塵が発生し、たとえば両電極の検出間隔に塵が付着するなどにより、センサの動作不良が生じる恐れがある。
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたものであり、可動電極とこれに対向する固定電極とを備え、力学量が印加されたときにこれら両電極間の検出間隔の変化に基づいて力学量を検出する力学量センサにおいて、可動および固定電極を構成する半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極を封止する構成を実現することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、厚さ方向の一面(10a、20a)を互いに対向させて第1の半導体基板(10)と第2の半導体基板(20)とを重ね合わせ、第1の半導体基板(10)の一面(10a)側に、当該一面(10a)をパターニングすることにより可動電極(30)を形成し、第2の半導体基板(20)の一面(20a)側に、当該一面(20a)をパターニングすることにより固定電極(40)を形成し、両半導体基板(10、20)の間において、可動電極(30)と固定電極(40)とを、検出間隔(K)を介して対向させ、両電極(30、40)の周囲で両半導体基板(10、20)を接合し、この接合された部位により両電極(30、40)を両半導体基板(10、20)の間に封止したことを特徴とする。
それによれば、可動および固定電極(30、40)を構成する半導体基板(10、20)自身で可動および固定電極(30、40)を封止したものとなるため、当該半導体基板(10、20)以外のパッケージ部材を用いることなく、当該両電極(30、40)を封止する構成を実現できる。
ここで、両半導体基板(10、20)の間において、可動電極(30)と固定電極(40)とを噛み合わせることにより、両電極(30、40)が、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向と直交する方向(X)にて検出間隔(K)を介して対向しているものにできる(後述の図1等参照)。
また、両半導体基板(10、20)の少なくとも一方の内部に、当該少なくとも一方の半導体基板(10)の一面(10a)側から一面(10a)とは反対側の他面(10b)まで厚さ方向に延びる取り出し電極(60)を設け、当該少なくとも一方の半導体基板(10)の一面(10a)側にて取り出し電極(60)と可動および固定電極(30、40)とを電気的に接続することにより、この取り出し電極(60)を介して可動および固定電極(30、40)からの信号を取り出すようにしてもよい(後述の図1等参照)。
それによれば、両半導体基板(10、20)間に位置する可動および固定電極(30、40)からの信号を、取り出し電極(60)を介して両半導体基板(10、20)の外側に取り出すことができる。
さらに、上記取り出し電極(60)が設けられている少なくとも一方の半導体基板(10)の他面(10b)側に、可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路部(101)を設け、この回路部(101)と取り出し電極(60)とを電気的に接続したものであってもよい(後述の図6参照)。それによれば、信号処理の回路を一体化した力学量センサを実現できる。
また、上記取り出し電極(60)を設けた構成の場合、可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路基板(200)を備え、この回路基板(200)上に両半導体基板(10、20)を搭載し、回路基板(200)と取り出し電極(60)とをボンディングワイヤ(300)を介して電気的に接続してもよい(後述の図2参照)。
また、上記取り出し電極(60)を設けた構成の場合、可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路基板(200)を備え、両半導体基板(10、20)を、取り出し電極(60)を回路基板(200)に対向させた状態で回路基板(200)上に搭載し、回路基板(200)と取り出し電極(60)とをフリップチップ接続してもよい(後述の図7参照)。
また、両半導体基板(10、20)のうちいずれか一方の一面(10a)に凸部(10c)を設け、他方の一面(20a)に凸部(10c)が挿入される凹部(20c)を設け、これら凸部(10c)と凹部(20c)とにより両半導体基板(10、20)の位置決めを行うようにしてもよい(後述の図8参照)。それによれば、位置決めの凹凸部(10c、20c)により両半導体基板(10、20)の重ね合わせの精度が向上する。
また、力学量の検出時に、検出間隔(K)を調整するために可動電極(30)と固定電極(40)との間に電位差を設けてもよい(後述の図9参照)。それによれば、電位差を調整することで、静電力によって両電極(30、40)間の距離すなわち検出間隔(K)を調整できる。
また、可動電極(30)を、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向と直交する方向(X)、および、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向(Z)の両方向(X、Z)に自由度を有するバネ部(31)により第1の半導体基板(10)に支持してもよい。
そして、この場合、両半導体基板(10)の重なり合う方向と直交する方向(X)への可動電極(30)の変位によって検出間隔(K)が変化し、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向(Z)への可動電極(30)の変位によって、検出間隔(K)における可動電極(30)と固定電極(40)との対向面積が変化するものにできる(後述の図10参照)。
それによれば、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向と直交する方向(X)、および、両半導体基板(10、20)の重なり合う方向(Z)の両方向(X、Z)にて力学量の検出が可能となる。
また、上記特徴を有する力学量センサを製造する製造方法としては、第1の半導体基板(10)の一面(10a)側に、可動電極(30)をパターニングして形成し、第2の半導体基板(20)の一面(20a)側に、固定電極(40)をパターニングして形成し、次に、可動電極(30)と固定電極(40)とが対向するように、両半導体基板(10、20)を重ね合わせ、両電極(30、40)の周囲にて両半導体基板(10、20)を接合する製造方法が提供される。それによれば、上記特徴を有する本発明の力学量センサを適切に形成できる。
この製造方法において、両半導体基板(10、20)を接合した後、両半導体基板(10、20)の少なくとも一方に、当該少なくとも一方の半導体基板(10)の他面(10b)から可動および固定電極(30、40)まで到達する貫通孔(60a)を設け、続いて、この貫通孔(60a)の内壁に絶縁膜(61)を形成した後、貫通孔(60a)に電極材料を埋め込むようにすれば、上記した取り出し電極(60)を有する力学量センサを適切に形成できる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る加速度センサ素子100の概略断面図であり、図2は、この加速度センサ素子100を回路基板200にワイヤボンディング実装した状態を示す概略断面図である。本実施形態では、力学量センサとして、加速度センサ素子100とこの加速度センサ素子100を搭載する回路基板200とを備える加速度センサを提供する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る加速度センサ素子100の概略断面図であり、図2は、この加速度センサ素子100を回路基板200にワイヤボンディング実装した状態を示す概略断面図である。本実施形態では、力学量センサとして、加速度センサ素子100とこの加速度センサ素子100を搭載する回路基板200とを備える加速度センサを提供する。
本実施形態の加速度センサは、容量式の半導体加速度センサであり、可動電極30と固定電極40とが検出間隔Kを介して対向し、力学量としての加速度が両半導体基板10、20の重なり合う方向と直交する方向Xへ印加されたときにこれら両電極30、40間の検出間隔Kの変化に基づいて加速度を検出するものである。このような半導体加速度センサは、たとえば、エアバッグ、ABS、VSC等の作動制御を行うための自動車用加速度センサやジャイロセンサ等に適用できる。
加速度センサ素子100は、厚さ方向の一面10a、20aを互いに対向させて第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とが重ね合わされてなる。ここで、各半導体基板10、20は、第1シリコン半導体層11、21、酸化膜13、23、第2シリコン半導体層12、22が順次積層されたSOI(シリコン−オン−インシュレータ)基板10、20よりなる。
そして、各半導体基板10、20では、第2シリコン半導体層12、22が、互いの対向面である一面10a、20a側となる。また、各半導体基板10、20における一面10a、20aとは反対側の面である他面10b、20bは、第1シリコン半導体層11、21よりなる。
本加速度センサ素子100においては、これら両半導体基板10、20の一方に可動電極30が形成され、他方に固定電極40が形成されている。ここでは、可動電極30が形成されている方の半導体基板10を第1の半導体基板10とし、固定電極40が形成されている方の半導体基板20を第2の半導体基板20とする。
つまり、第1の半導体基板10の一面10a側には、当該一面10aすなわち第1の半導体基板10の第2シリコン半導体層12をパターニングすることにより可動電極30が形成されている。また、第2の半導体基板20の一面20a側には、当該一面20aすなわち第2の半導体基板20の第2シリコン半導体層22をパターニングすることにより固定電極40が形成されている。
ここで、可動および固定の各電極30、40は、両半導体基板10、20の間において検出間隔Kを介して対向している。ここでは、可動および固定電極30、40は、公知の櫛歯形状をなすものであり、その具体的な櫛歯形状の一例は、後述の図4および図5に示される。
そして、両半導体基板10、20の間において、可動電極30と固定電極40とが噛み合うことにより、両電極30、40は、両半導体基板10、20の重なり合う方向と直交する方向Xにて検出間隔Kを介して対向している。なお、ここでは、両半導体基板10、20の互いの一面10a、20a同士が、実質的に平行に対向しているため、両半導体基板10、20の重なり合う方向と直交する方向Xは、これら両半導体基板10、20の一面10a、20aと水平な方向でもある。
つまり、可動電極30における第1の半導体基板10の一面10aに直交する面である側面と、固定電極40における第2の半導体基板20の一面20aに直交する面である側面とが、対向しており、これらの間が検出間隔Kとなっている。
ただし、ここでは、図1に示されるように、両半導体基板10、20の重なり合う方向にて、可動電極30と固定電極40とは、一部ずれて対向している。具体的には、当該重なり合う方向にて、両電極30、40の側面のうち互いの先端側の部位は対向しているが、それとは反対側の部位は対向していない。このように、可動電極30は固定電極40と対向しない部分を有し、固定電極40も可動電極30と対向しない部分を有している。
可動電極30は、バネ部31(後述の図4、図5参照)を介して、アンカー部32に一体に連結され、第1の半導体基板10に支持されている。そして、本実施形態のバネ部31は、上記X方向に自由度を有し、このバネ部に支持された可動電極30は、当該X方向への加速度の印加により当該X方向に変位するようになっている。
第1の半導体基板10において、これら可動電極30、バネ部31およびアンカー部32は第2シリコン半導体層12により形成されるが、アンカー部32は、酸化膜13を介して第1シリコン半導体層11に支持固定され、可動電極30およびバネ部31は、第1シリコン半導体層11からリリースされている。
また、第2の半導体基板20において、固定電極40は第2シリコン半導体層22により形成され、この固定電極40は、酸化膜23を介して第1シリコン半導体層21に支持され、第1シリコン半導体層21に固定されている。
そして、図1に示されるように、可動および固定の両電極30、40の周囲では、第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とが接合されている。この両半導体基板10、20が接合された部位は、接合部50として図1中に示してある。
ここでは、接合部50は、第1の半導体基板10における酸化膜13と第2の半導体基板20における第2シリコン半導体層22とが、接合されることにより形成されている。この接合部50は、半導体プロセスにおいて通常行われる両半導体基板10、20を重ねて高温処理することによって接合されたものでもよいし、接着剤を介して接合されたものなどでもよい。
本例では、接合部50は、第2の半導体基板20における第2シリコン半導体層22の表面すなわち第2の半導体基板20の一面20aに、シリコン酸化膜よりなる介在酸化膜51を介して接合されることにより形成されている。
なお、本実施形態の接合部50においては、この介在酸化膜51は無いものであってもよい。つまり、第1の半導体基板10の酸化膜13と第2の半導体基板20の第2シリコン半導体層22とが、上記高温処理による接合や接着剤による接合によって、直接接合されていてもよい。
そして、この接合部50により、可動および固定の両電極30、40が両半導体基板10、20の間に封止されている。この接合部50は、たとえば、後述する図4、図5に示されるように、可動および固定の両電極30、40を取り囲むように、両半導体基板10、20の周辺部に環状に設けられたものである。
また、図1に示されるように、第1の半導体基板10には、当該第1の半導体基板10の内部を厚さ方向に延びる取り出し電極60が設けられている。この取り出し電極60は、第1の半導体基板10の他面10bから可動電極30および固定電極40まで、当該第1の半導体基板10の内部を厚さ方向に貫通するものである。そして、取り出し電極60と第1の半導体基板10とは、絶縁膜61を介して電気的に絶縁されている。
取り出し電極60は、第1の半導体基板10の一面10aでは各酸化膜13、51を通り抜けており、それにより、取り出し電極60は、第1の半導体基板10の一面10a側にて、可動電極30、固定電極40のそれぞれと電気的に接続されている。そして、この取り出し電極60を介して、可動および固定電極30、40からの信号が、第1の半導体基板10の他面10b側すなわち外部に取り出されるようになっている。
図2に示されるように、本実施形態の加速度センサは、上記回路基板200を備えている。この回路基板200は、加速度センサ素子100を制御し、加速度センサ素子100からの信号を処理するものである。この回路基板200は、たとえばシリコン半導体基板に、半導体プロセスによりIC回路を形成した回路チップや、あるいはプリント配線基板、セラミック配線基板などよりなる。
本実施形態の加速度センサでは、図2に示されるように、この回路基板200上に両半導体基板10、20すなわち加速度センサ素子100が搭載されており、回路基板200のパッド201と取り出し電極60とがボンディングワイヤ300を介して電気的に接続されている。このワイヤ300は、通常のワイヤボンディングで形成されるAuやアルミなどよりなるものである。
そして、本実施形態では、可動電極30と固定電極40との検出間隔Kに容量が形成されており、上記図1中のX方向へ加速度が印加されると、可動電極30がX方向へ変位するため、検出間隔Kの大きさが変化し、上記容量が変化する。そして、この容量変化を上記回路基板200にて処理し、電圧変化として出力することにより上記加速度を検出するようになっている。
ところで、本実施形態の加速度センサによれば、対向する両半導体基板10、20のうち第1の半導体基板10の対向面10aに可動電極30、第2の半導体基板20の対向面20aに固定電極40をそれぞれパターニングし、両電極30、40の噛み合った部分にて検出間隔Kを介して両電極30、40を対向させるとともに、両半導体基板10、20の接合により両半導体基板10、20間に両電極30、40を封止している。
それによれば、可動および固定電極30、40を構成する半導体基板10、20自身で可動および固定電極30、40を封止しているため、従来のような当該半導体基板以外のパッケージ部材を用いることなく、当該可動および固定の両電極30、40を封止する構成を実現できる。
次に、本実施形態の加速度センサの製造方法について、図3、図4、図5を参照して述べる。図3は、本製造方法を(a)〜(e)の工程順に断面的に示す工程図、図4は本製造方法における貼り合わせ工程を示す概略斜視図、図5(a)は本製造方法における貼り合わせ後のワークを示す一部透過斜視図、図5(b)は取り出し電極60形成後のワークを示す一部透過斜視図である。
まず、図3(a)、(b)に示されるように、第1の半導体基板10の一面10a側に可動電極30をパターニングして形成し、第2の半導体基板20の一面20a側に固定電極40をパターニングして形成する。
具体的には、両半導体基板10、20としての上記SOI基板10、20を用意し、各基板10、20のSOI層、すなわち各基板10、20の第2シリコン半導体層11、21を、半導体プロセスにより所望の不純物濃度にする。
この不純物としては、Sb(アンチモン)やP(リン)、B(ボロン)などが挙げられる。この不純物は、単結晶であれば、引き上げ時に導入してもよいし、イオン注入等で導入してもよい。また、SOI層は多結晶材料でもかまわない。
そして、第2の半導体基板20については、図3(a)に示されるように、フォトリソグラフ技術により、固定電極40のパターンを画定するマスク40aを形成し、その後、SF6などによるドライエッチングやウェットエッチングなどにより、固定電極40のパターンを形成する。
一方、第1の半導体基板10については、図3(b)に示されるように、フォトリソグラフ技術により、可動電極30のパターンを画定するマスク30aを形成し、その後、SF6などによるドライエッチングやウェットエッチングなどにより、可動電極40のパターンを形成する。こうして、図3(a)、(b)さらには図4に示されるような可動および固定電極30、40のパターンができあがる。
ここで、図4に示されるように、可動電極30は、その両端を上記バネ部31を介してアンカー部32に固定されており、固定電極40は、可動電極30の両側に設けられた配置となっている。
また、図4において、第2の半導体基板20の周辺部に位置する第2シリコン半導体層22は、固定電極40と一体化した形で環状をなす環状部50aとしてパターニングされている。この環状部50aは、第1の半導体基板10と接合されて上記接合部50となる部位である。
こうして、各半導体基板10、20に可動電極30、固定電極40を形成した後、それぞれのレジスト30a、40aを除去する。その後、本例では、第2の半導体基板20の第2シリコン半導体層22のうち上記環状部50aの表面に、上記の介在酸化膜51を、熱酸化やスパッタ、CVDなどにより形成する。
その後、図3(c)および図5(a)に示されるように、第1の半導体基板10と第2の半導体基板20とを貼り合わせる。具体的には、可動電極30と固定電極40とが対向するように、両半導体基板10、20を、それぞれの一面10a、20aを対向させて重ね合わせるとともに、両電極30、40の周囲にて両半導体基板10、20を接合し、接合部50を形成する。
ここで、上述したように、両半導体基板10、20の接合は、上記した半導体プロセスによる高温処理や接着などにより行う。この両半導体基板10、20の貼り合せ時の圧力は任意であるが、貼り合せ後に封止された両電極30、40の空間内の圧力は、0〜1気圧に保持することが望ましい。
これは、加速度センサの場合、電極30、40の圧力が1気圧であればダンピングによる可動電極30の減衰が効果的に発生するためであり、一方、ジャイロセンサでは、当該圧力が0気圧に近いほど、ダンピングによる感度低下を防止できるためである。
次に、図3(d)、(e)および図5(b)に示されるように、第1の半導体基板10に上記取り出し電極60を形成する。具体的には、まず、図3(d)に示されるように、第1の半導体基板10に対して、当該第1の半導体基板10の他面10bから可動および固定電極30、40まで到達する貫通孔60aを設ける。
この貫通孔60aは、SF6、CF4、C3F8などを用いたドライエッチングやウェットエッチングなどにより、第1の半導体基板10の他面10b側から、第1シリコン層11および各酸化膜13、51をエッチングすることで形成する。その後、図3(d)に示されるように、貫通孔60aの側壁に、SiO2やSiNなどよりなる絶縁膜61を熱酸化やCVDなどにより形成する。
続いて、絶縁膜61で絶縁された貫通孔60aの内部に電極材料を埋め込むことにより、取り出し電極60を形成する。この電極材料の埋め込みは、当該電極材料がAuやCu、アルミなどの金属材料であれば、蒸着やスパッタリング、あるいはメッキなどの手法により行える。
また、電極材料としては、シリコンなどの半導体材料に不純物を高濃度に導入したものでもよく、この場合、直接接合やエピタキシャル成長もしくはCVDなどにより、埋め込むことができる。
こうして、本実施形態の加速度センサ素子100ができあがり、これを、上記図2に示されるように、回路基板200へワイヤボンディング実装すれば、本実施形態の加速度センサが完成する。
(第2実施形態)
図6は、本発明の第2実施形態に係る加速度センサを示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
図6は、本発明の第2実施形態に係る加速度センサを示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
上記第1実施形態では、信号処理用の回路基板200(上記図2参照)が、加速度センサ素子100とは別体のものであったが、本実施形態では、加速度センサ素子100に、信号処理用の回路部101を一体化させ、上記回路基板を不要としたものである。
具体的には、取り出し電極60が設けられている第1の半導体基板10において、その一面10aとは反対側の他面10b側に、回路部101が設けられている。この回路部101は、公知の半導体プロセスにより形成されたトランジスタ素子などにより構成されたものであり、可動および固定電極30、40からの信号を処理する機能を持つ。
ここでは、第1の半導体基板10の他面10b、すなわち、第1シリコン層11の表面には、アルミなどよりなる表層配線102が設けられており、この表層配線102により、回路部101と取り出し電極60とが電気的に接続されている。なお、取り出し電極60は図示しないワイヤなどにより外部へ接続されるようになっている。
このように、本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様に、半導体基板10、20自身による可動および固定両電極30、40の封止構成を実現できるとともに、信号処理用の回路部101を、可動電極30を構成する半導体基板10に一体化し、加速度センサ素子とは別体の回路基板を不要とした加速度センサを実現することができる。
(第3実施形態)
図7は、本発明の第3実施形態に係る加速度センサを示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
図7は、本発明の第3実施形態に係る加速度センサを示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
図7に示されるように、本実施形態の加速度センサも、上記回路基板200を備えている。そして、本実施形態においても、この回路基板200上に両半導体基板10、20すなわち加速度センサ素子100が搭載されている。
ここで、本実施形態では、上記図2とは逆に、両半導体基板10、20すなわち加速度センサ素子100は、第1の半導体基板10の他面10b側すなわち取り出し電極60側を回路基板200に対向させて、回路基板200上に搭載されている。
そして、回路基板200のパッド201と取り出し電極60とは、電気的に接続されている。いわゆる本実施形態の加速度センサ素子100は、バンプとしての取り出し電極60を有し、これを利用してフリップチップ接続されている。
この回路基板200のパッド201と取り出し電極60との接続は、はんだや導電性接着剤などにより行える。また、パッド201および取り出し電極60の材質によっては、これらの接続は熱圧着でもよい。
こうして、本実施形態では、加速度センサ素子100と回路基板200とがフリップチップ実装された構成を有するものとなる。そして、上記第1実施形態と同様に、半導体基板10、20自身による可動および固定両電極30、40の封止構成を実現することができる。
(第4実施形態)
図8は、本発明の第4実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。なお、この図8では、上記取り出し電極は省略してあるが、上記各実施形態と同様に、本加速度センサ素子においても取り出し電極は設けられている。
図8は、本発明の第4実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。なお、この図8では、上記取り出し電極は省略してあるが、上記各実施形態と同様に、本加速度センサ素子においても取り出し電極は設けられている。
図8に示されるように、第1の半導体基板10の一面10aに凸部10cが設けられている。一方、第2の半導体基板20の一面20aのうち凸部10cに対向する部位に、凹部20cが設けられている。そして、凸部10cが凹部20cに挿入されている。
そして、これら凸部10cと凹部20cにより、両半導体基板10、20の貼り合わせ時においてセルフアライメントの作用が発揮され、両半導体基板10、20の位置決めがなされるようになっている。ここで、これら凸部10cおよび凹部20cの組は、この位置決め機能を持つものであれば、1組でもよいし複数組設けられていてもよいし、その形状やサイズも特に限定されない。
また、図8に示される例では、凸部10cを第1の半導体基板10に設け、凹部20cを第2の半導体基板20に設けたが、これとは反対に、凸部を第2の半導体基板、凹部を第1の半導体基板に設けてもよい。
このように、本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様に、半導体基板10、20自身による可動および固定両電極30、40の封止構成を実現できるとともに、位置決めの凹凸部10c、20cにより両半導体基板10、20の重ね合わせの精度が向上する。なお、本実施形態は、位置決めの凹凸部10c、20cを形成すればよいものであり、上記した各実施形態に適用が可能である。
(第5実施形態)
図9は、本発明の第5実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べるが、本実施形態は上記各実施形態に適用が可能である。
図9は、本発明の第5実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べるが、本実施形態は上記各実施形態に適用が可能である。
本実施形態では、加速度の検出時に、可動電極30と固定電極40との間に電位差を設けるものである。具体的には、図示しない回路基板に電気的に接続された取り出し電極60を介して、当該回路基板から可動電極30と固定電極40との間に電圧差を発生させて検出間隔を調整しておく。そして、この状態で加速度検出を行うものである。
上記した製造方法に示されるように、両半導体基板10、20の貼り合わせ時において、互いの位置がずれたときなどに、可動電極30と固定電極40との検出間隔Kに誤差が生じる場合がある。これに対して、本実施形態のように、上記電位差を設ければ、両電極30、40間の静電力によって検出間隔Kを狙いの値に調整できる。
(第6実施形態)
図10は、本発明の第6実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図であり、(a)はZ方向への加速度が0の場合、(b)はZ方向の下方への加速度が印加された場合、(c)はZ方向の上方への加速度が印加された場合を示す。
図10は、本発明の第6実施形態に係る加速度センサ素子を示す概略断面図であり、(a)はZ方向への加速度が0の場合、(b)はZ方向の下方への加速度が印加された場合、(c)はZ方向の上方への加速度が印加された場合を示す。
図10では上記取り出し電極は省略してあるが、上記第1実施形態と同様に、本加速度センサ素子においても取り出し電極は設けられている。また、ここでは、上記第1実施形態との相違点を中心に述べるが、本実施形態は上記各実施形態に適用が可能である。
本実施形態においても、上記図4および図5に示したように、可動電極30は、バネ部31を介してアンカー部に支持されている。上記第1実施形態では、このバネ部31は、両半導体基板10、20の重なり合う方向と直交する方向Xに自由度を有するものであったが、本実施形態のバネ部31は、X方向に加えて、両半導体基板10、20の重なり合う方向Zの両方向X、Zに自由度を有する。
また、図10(a)に示されるように、Z方向にて、可動電極30と固定電極40とは、検出間隔Kにおいて一部ずれて対向している。つまり、Z方向にて、可動電極30は固定電極40と対向しない部分を有し、固定電極40も可動電極30と対向しない部分を有している。ここでは、上記した介在酸化膜51の厚さを上記第1実施形態よりも厚くして、この電極のずれを大きくしている。
このような構成においては、X方向への加速度の印加による同方向への可動電極30の変位によって、検出間隔Kが変化し、当該X方向への加速度を検出できる。一方、Z方向への可動電極30の変位によって、検出間隔Kにおける可動電極30と固定電極40との対向面積が変化するようになっている。
具体的には、Z方向の下方への加速度が印加された場合には、図10(b)に示されるように、Z方向への加速度が0の場合に比べて、可動電極30がZ方向の下方に変位するため、上記対向面積が増加し、容量も増加する。一方、Z方向の上方への加速度が印加された場合には、図10(c)に示されるように、可動電極30がZ方向の上方に変位するため、上記対向面積が減少し、容量も減少する。
このように、本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏することに加えて、可動電極30のZ方向への上下動によって、電極30、40間の対向面積が変化することから、上記X方向の加速度と上記Z方向に加速度との両方向X、Zの加速度を検出することが可能となる。
(他の実施形態)
また、上記の取り出し電極は、両半導体基板の少なくとも一方の内部にて当該少なくとも一方の半導体基板の一面側から他面まで厚さ方向に延びるように設けられ、当該少なくとも一方の半導体基板の一面側にて可動および固定電極30、40と電気的に接続されていればよい。
また、上記の取り出し電極は、両半導体基板の少なくとも一方の内部にて当該少なくとも一方の半導体基板の一面側から他面まで厚さ方向に延びるように設けられ、当該少なくとも一方の半導体基板の一面側にて可動および固定電極30、40と電気的に接続されていればよい。
それによって、取り出し電極を介して可動および固定電極30、40からの信号が取り出されるようになっていればよい。つまり、取り出し電極は、固定電極側の第2の半導体基板20にあってもよいし、両方の半導体基板10、20にあってもよい。
また、上記回路部101(上記図6参照)は、取り出し電極60と接続するために、両半導体基板10、20のうち取り出し電極が設けられている方に設けられていればよい。そのため、当該回路部についても取り出し電極に伴って、第2の半導体基板にあってもよいし、両方の半導体基板にあってもよい。
また、可動および固定電極30、40からの信号を両半導体基板10、20の外側に取り出すことは、上記取り出し電極60以外の取り出し方法であってもよく、たとえば、半導体基板10、20に設けた内層配線などを利用してワイヤボンディングなどにより取り出せるようにしてもよい。
また、可動および固定の各電極30、40の形状として、上記各図に示した電極形状は、あくまで一実施形態であり、これら可動および固定電極は、上記のような櫛歯形状でなくてもよい。
また、上記各実施形態では、可動電極30と固定電極40とは、両半導体基板10、20の重なり合う方向と直交する方向Xにて検出間隔Kを介して対向していたが、それ以外にも、たとえば、両半導体基板10、20の重なり合う方向にて検出間隔Kを介して対向しているものでもよい。
また、上記各実施形態では、両方の半導体基板10、20がSOI基板であったが、両半導体基板10、20のうち一方がSOI基板で、他方が一般的な単層のシリコン半導体基板であってもよい。また、両方の半導体基板10、20ともに、SOI基板でなくてもよい。
また、力学量センサとしては、可動電極とこれに検出間隔を介して対向する固定電極とを備え、力学量が印加されたときに検出間隔の変化に基づいて力学量を検出するものであればよく、加速度センサでなくても角速度センサなどでもよい。
10…第1の半導体基板、10a…第1の半導体基板の一面、
10b…第1の半導体基板の他面、10c…凸部、20…第2の半導体基板、
20a…第2の半導体基板の一面、20c…凹部、30…可動電極、
31…バネ部、40…固定電極、60…取り出し電極、60a…貫通孔、
61…絶縁膜、101…回路部、200…回路基板、
300…ボンディングワイヤ、K…検出間隔、
X…両半導体基板の重なり合う方向と直交する方向、
Z…両半導体基板の重なり合う方向。
10b…第1の半導体基板の他面、10c…凸部、20…第2の半導体基板、
20a…第2の半導体基板の一面、20c…凹部、30…可動電極、
31…バネ部、40…固定電極、60…取り出し電極、60a…貫通孔、
61…絶縁膜、101…回路部、200…回路基板、
300…ボンディングワイヤ、K…検出間隔、
X…両半導体基板の重なり合う方向と直交する方向、
Z…両半導体基板の重なり合う方向。
Claims (11)
- 可動電極(30)と前記可動電極(30)に対向する固定電極(40)とを備え、力学量が印加されたときにこれら両電極(30、40)間の検出間隔(K)の変化に基づいて前記力学量を検出する力学量センサにおいて、
厚さ方向の一面(10a、20a)を互いに対向させて第1の半導体基板(10)と第2の半導体基板(20)とが重ね合わされており、
前記第1の半導体基板(10)の前記一面(10a)側には、当該一面(10a)をパターニングすることにより前記可動電極(30)が形成されており、
前記第2の半導体基板(20)の前記一面(20a)側には、当該一面(20a)をパターニングすることにより前記固定電極(40)が形成されており、
前記両半導体基板(10、20)の間において、前記可動電極(30)と前記固定電極(40)とが前記検出間隔(K)を介して対向しており、
前記両電極(30、40)の周囲では、前記両半導体基板(10、20)が接合されており、この接合された部位により前記両電極(30、40)が前記両半導体基板(10、20)の間に封止されていることを特徴とする力学量センサ。 - 前記両半導体基板(10、20)の間において、前記可動電極(30)と前記固定電極(40)とが噛み合うことにより、前記両電極(30、40)は、前記両半導体基板(10、20)の重なり合う方向と直交する方向(X)にて前記検出間隔(K)を介して対向していることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。
- 前記両半導体基板(10、20)の少なくとも一方の内部には、当該少なくとも一方の半導体基板(10)の前記一面(10a)側から前記一面(10a)とは反対側の他面(10b)まで厚さ方向に延びる取り出し電極(60)が設けられており、
前記少なくとも一方の半導体基板(10)の前記一面(10a)側にて、前記取り出し電極(60)と前記可動および固定電極(30、40)とが電気的に接続されており、
この取り出し電極(60)を介して前記可動および固定電極(30、40)からの信号が取り出されるようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載の力学量センサ。 - 前記少なくとも一方の半導体基板(10)の前記他面(10b)側には、前記可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路部(101)が設けられており、
この回路部(101)と前記取り出し電極(60)とは電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の力学量センサ。 - 前記可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路基板(200)を備え、
この回路基板(200)上に前記両半導体基板(10、20)が搭載されており、前記回路基板(200)と前記取り出し電極(60)とがボンディングワイヤ(300)を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の力学量センサ。 - 前記可動および固定電極(30、40)からの信号を処理する回路基板(200)を備え、
前記両半導体基板(10、20)は、前記取り出し電極(60)を前記回路基板(200)に対向させた状態で前記回路基板(200)上に搭載されており、前記回路基板(200)と前記取り出し電極(60)とはフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項3に記載の力学量センサ。 - 前記両半導体基板(10、20)のうちいずれか一方の前記一面(10a)に凸部(10c)を設け、他方の前記一面(20a)に前記凸部(10c)が挿入される凹部(20c)を設け、これら凸部(10c)と凹部(20c)とにより前記両半導体基板(10、20)の位置決めがなされていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の力学量センサ。
- 前記力学量の検出時には、前記検出間隔(K)を調整するために前記可動電極(30)と前記固定電極(40)との間に電位差を設けることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の力学量センサ。
- 前記可動電極(30)は、前記両半導体基板(10、20)の重なり合う方向と直交する方向(X)、および、前記両半導体基板(10、20)の重なり合う方向(Z)の両方向(X、Z)に自由度を有するバネ部(31)により前記第1の半導体基板(10)に支持されており、
前記両半導体基板(10)の重なり合う方向と直交する方向(X)への前記可動電極(30)の変位によって前記検出間隔(K)が変化し、
前記両半導体基板(10、20)の重なり合う方向(Z)への前記可動電極(30)の変位によって、前記検出間隔(K)における前記可動電極(30)と前記固定電極(40)との対向面積が変化するようになっていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の力学量センサ。 - 請求項1に記載の力学量センサを製造する製造方法であって、
前記第1の半導体基板(10)の前記一面(10a)側に、前記可動電極(30)をパターニングして形成し、前記第2の半導体基板(20)の前記一面(20a)側に、前記固定電極(40)をパターニングして形成し、
次に、前記可動電極(30)と前記固定電極(40)とが対向するように、前記両半導体基板(10、20)を重ね合わせ、前記両電極(30、40)の周囲にて前記両半導体基板(10、20)を接合することを特徴とする力学量センサの製造方法。 - 前記両半導体基板(10、20)を接合した後、前記両半導体基板(10、20)の少なくとも一方に、当該少なくとも一方の半導体基板(10)の他面(10b)から前記可動および固定電極(30、40)まで到達する貫通孔(60a)を設け、
続いて、この貫通孔(60a)の内壁に絶縁膜(61)を形成した後、
前記貫通孔(60a)に電極材料を埋め込むことを特徴とする請求項10に記載の力学量センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098191A JP2008256496A (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 力学量センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098191A JP2008256496A (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 力学量センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008256496A true JP2008256496A (ja) | 2008-10-23 |
Family
ID=39980204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098191A Withdrawn JP2008256496A (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 力学量センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008256496A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010112930A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Denso Corp | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
JP2013148530A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Denso Corp | 容量式物理量検出装置 |
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098191A patent/JP2008256496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010112930A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Denso Corp | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
JP4737276B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
JP2013148530A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Denso Corp | 容量式物理量検出装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9650237B2 (en) | Electromechanical device including a suspended structure and method of fabricating the same | |
JP4404143B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4238724B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW201538945A (zh) | 微機械壓力感測器裝置及相關製造方法(一) | |
JP2009074979A (ja) | 半導体装置 | |
US6876093B2 (en) | Capacitance type dynamic quantity sensor device | |
TW201400401A (zh) | 混合整合構件及其製造方法 | |
TW201409586A (zh) | 混合整合構件及其製造方法 | |
JP2006084327A (ja) | 容量式力学量センサ装置 | |
JP4924663B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6123613B2 (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
JP4925275B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008256496A (ja) | 力学量センサおよびその製造方法 | |
JP3938198B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP2007263766A (ja) | センサ装置 | |
JP3938205B1 (ja) | センサエレメント | |
JP3938199B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP3938204B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP4665733B2 (ja) | センサエレメント | |
US20240092631A1 (en) | Mems sensor and manufacturing method thereof | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP5999027B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP3938203B1 (ja) | センサエレメントおよびウェハレベルパッケージ構造体 | |
WO2014208043A1 (ja) | 物理量センサ | |
JP4816065B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100706 |