JP2008251667A - 発光・受光素子の冷却装置 - Google Patents
発光・受光素子の冷却装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251667A JP2008251667A JP2007088452A JP2007088452A JP2008251667A JP 2008251667 A JP2008251667 A JP 2008251667A JP 2007088452 A JP2007088452 A JP 2007088452A JP 2007088452 A JP2007088452 A JP 2007088452A JP 2008251667 A JP2008251667 A JP 2008251667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- optical window
- emitting element
- single photon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 43
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 30
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 30
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】発光・受光素子の冷却装置2を、光学窓4を有する筐体3と、発光素子1又は受光素子を保持する保持台5と、発光素子1又は受光素子を冷却する冷却部6と、発光素子1又は受光素子に接続され、高周波電気信号を伝送するケーブル7とを備えるものとし、光学窓4と発光素子1又は受光素子との距離を、発光素子1が発光した光が光学窓4を介して外部に光結合し、又は、光学窓4を介して外部から入射する光が受光素子に光結合しうるように設定する。
【選択図】図1
Description
このような量子暗号情報通信では、長距離・高速伝送を実現するために、通信波長帯の単一光子発生器が必要不可欠であり、その有力候補として期待されるのが、光パルスや電気パルスによる励起によって光子を一つずつ発生することが可能な量子ドットデバイスである。
単一光子発生器に用いられる量子ドットデバイス(量子ドット試料)は、通常、発生効率やS/Nの観点から、4.2K近傍の液体ヘリウム温度に冷却する必要がある。このため、量子ドットデバイスは、例えば10-6Torr程度の真空に保たれたクライオスタット(低温恒温装置)内にマウントされ、熱接触によって低温に冷却される。
この際、光学顕微鏡を用いて量子ドットの発光を測定することになるが、単一光子は単一の量子ドットから発生され、一般に、半導体自己形成量子ドットは1×1010個/cm2程度の密度であるため、デバイス構造の中の1μm四方以下の非常に小さい領域のみを測定する必要がある。この場合、単一光子発生器からの発光を高い効率で取り出すために、高い倍率(例えば50倍以上)を維持し、ワーキングディスタンスを短く(例えば20mm以下)して、量子ドットデバイスを配置することが必要になる。
ところで、上記特許文献1には、真空槽の上部中央にCCDカメラによる観察用の光学窓を設けることが記載されている。
しかしながら、上記特許文献1では、真空槽内の被計測物の上方に導入されたプローブによって被計測物を計測するようになっている。このため、光学窓を介して被計測物を観察するとともに、プローブが計測箇所に位置しているかも確認するようになっている。このように、上記特許文献1では、光学窓は被計測物観察用及びプローブ位置確認用として用いられており、光学窓を介して外部から被計測物を計測することは想定していない。このため、被計測物と光学窓との距離は何ら考慮されていない。これは、被計測物と光学窓との間にプローブが導入されていることからも明らかである。
本実施形態にかかる発光・受光素子の冷却装置は、例えば量子暗号情報通信システムにおいて用いられ、図1に示すように、電気パルス駆動型の量子ドットデバイスなどの単一光子発生素子(発光素子)を用いた単一光子発生器1を低温に冷却しうるクライオスタット(低温恒温装置)2である。
そして、単一光子発生器1としての量子ドットデバイスを構成する量子ドットが発生し、デバイス表面から出射される単一光子は、クライオスタット2の筐体3に設けられた光学窓4を介して取り出されるようになっている。
そして、クライオスタット2の外部から単一光子発生器1に光アクセス可能とするために、光学窓4と単一光子発生器1との距離を、単一光子発生器1によって発生された単一光子(発光素子が発光した光)が光学窓4を介して外部に光結合しうるように、所定距離以下に設定している。
ここでは、保持台5は、図1に示すように、単一光子発生器保持台(量子ドットデバイス保持台)5Aと、コネクタ保持台5Bとを備え、コネクタ保持台5B上に単一光子発生器保持台5Aが設けられており、単一光子発生器保持台5Aの表面上に、量子ドットが発生した単一光子が光学窓4方向に出射されるように、単一光子発生器1が配置されている。
冷却部6は、例えば金属からなる金属部であって、液体ヘリウム(冷却媒体)によって低温に保持されている部分であり、図1に示すように、熱交換が行なわれるように液体ヘリウム(冷却媒体)を循環させるための配管6Aを備えるものとして構成される。
本実施形態では、保持台5に接触する冷却部6と保持台5上に載置される単一光子発生器1との距離が熱伝導によって冷却可能な距離(熱交換可能な距離)になるように、単一光子発生器1を保持台5上に配置している。具体的には、単一光子発生器1と冷却部6との間の距離は20mm程度にしている。これにより、十分に熱伝導によって液体ヘリウム温度近傍まで単一光子発生器1を冷却することが可能となる。なお、単一光子発生器1への熱伝導の効果を大きくするためには、単一光子発生器1と冷却部6との間の距離はできるだけ短くするのが好ましい。
ケーブル7は、高速な電気パルス(ここでは10GHz以上の高周波電気パルス信号及び直流電圧を重畳したもの)を印加することが可能な(高周波印加可能な)広帯域のセミリジッドケーブル(同軸ケーブル)である。なお、ここでは、ケーブル7として、直流電圧を印加し、高周波電気パルス信号を伝送しうるもの(高周波及び直流電気信号を伝送しうるもの)を用いているが、これに限られるものではなく、例えば、高周波電気パルス信号(高周波電気信号)を伝送しうるケーブルを用いれば良い。
本実施形態では、図2に示すように、量子ドットデバイス1とケーブル7とは、コネクタ9、ストリップライン(ここではマイクロストリップライン;ここでは基板を含めた全体をストリップラインという)11を介して電気的に接続されている。つまり、ケーブル7がコネクタ9に接続され、コネクタ9の同軸中心線9Aにストリップライン11の一端が電気的に接続されており、ストリップライン11の他端が量子ドットデバイス1に備えられる電極1Aにボンディングライン12を介して電気的に接続されている。
つまり、ストリップライン11を、ケーブル7と同じ50Ωの抵抗にマッチングが取れるように設計し(例えば10GHz,基板厚0.35mm,誘電率12,ストリップライン厚0.1mmとして計算すると、ストリップライン幅0.25〜0.3mm程度になる)、ケーブル7からの電気パルスを低反射で量子ドットデバイス1の電極1A部分まで伝送できるようにしている。
また、ストリップライン11のクランドライン13は、コネクタ9の同軸中心線9Aの周辺の絶縁部9Bまで延ばされており、これにより、インピーダンスマッチングが取れるストリップライン11の長さを可能な限り短くしている。
さらに、本実施形態では、セミリジッドケーブル7は、図示していないが、冷却部6に接触するように設けられており(例えば冷却部6に巻きつけられており)、これにより、クライオスタット2内で熱アンカを取り、ケーブル7から単一光子発生器1に流入する熱をより低減できるようにしている。
なお、本実施形態では、冷却装置2を、単一光子発生器としての量子ドットデバイス(発光素子)1を冷却するものとして構成しているが、本冷却装置2に量子ドットデバイス1を実装したものの全体を単一光子発生器と見ることもでき、このように見た場合には、上述のようにして、単一光子発生器における量子ドットデバイス1の実装部分の構造を最適化していることになる。
なお、上述の実施形態では、冷却機構として内部循環方式を用いているが、冷却機構はこれに限られるものではない。例えば、図3に示すように、液体ヘリウムタンク14、液体ヘリウム流入部15及び液体ヘリウム流出部16を有する給排管17を備えるものとし、液体ヘリウムタンク14から液体ヘリウム流入部15を介して液体ヘリウムを流入させ、液体ヘリウム流出部16を介して液体ヘリウムを外部へ流出させる外部流入流出方式を用いても良い。また、例えば、図4に示すように、液体ヘリウムタンク14及び液体ヘリウム流入部(配管)15を備えるものとし、単一光子発生器(量子ドットデバイス)1を液体ヘリウム中に浸漬する浸漬方式を用いても良い。この場合、単一光子発生器(量子ドットデバイス)1を冷却する冷却部6は液体ヘリウム(冷却媒体)によって構成される。また、上述の実施形態における冷却部6に相当する部分18は保持台5を保持する保持部として機能することになる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
光学窓を有する筐体と、
前記筐体内に備えられ、発光素子又は受光素子を保持する保持台と、
前記発光素子又は前記受光素子を冷却する冷却部と、
前記発光素子又は前記受光素子に接続され、高周波電気信号を伝送するケーブルとを備え、
前記光学窓と前記発光素子又は前記受光素子との距離が、前記発光素子が発光した光が前記光学窓を介して外部に光結合し、又は、前記光学窓を介して外部から入射する光が前記受光素子に光結合しうるように設定されていることを特徴とする発光・受光素子の冷却装置。
前記保持台は、熱伝導性材料からなり、
前記冷却部は、前記発光素子又は前記受光素子を熱伝導によって冷却しうるように前記保持台の裏面側に接触させて設けられていることを特徴とする、付記1記載の発光・受光素子の冷却装置。
前記冷却部は、冷却媒体であり、
前記発光素子又は前記受光素子は前記冷却媒体中に浸漬されていることを特徴とする、付記1記載の発光・受光素子の冷却装置。
(付記4)
前記冷却媒体が、液体ヘリウムであることを特徴とする、付記2又は3記載の発光・受光素子の冷却装置。
前記保持台は、その表面側に突出する同軸中心線を有するコネクタを備え、
前記ケーブルは、前記保持台の裏面側から前記コネクタに接続され、前記同軸中心線と前記保持台の表面側に載置された前記発光素子又は前記受光素子とが電気的に接続されていることを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
前記同軸中心線と前記発光素子又は前記受光素子とは、ストリップラインを介して電気的に接続されていることを特徴とする、付記5記載の発光・受光素子の冷却装置。
(付記7)
前記ストリップラインは、前記高周波電気信号の波長の1/4以下の長さを有することを特徴とする、付記6記載の発光・受光素子の冷却装置。
前記ケーブルは、前記冷却部に接触するように設けられていることを特徴とする、付記1、2、4〜7のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
(付記9)
前記ケーブルが、10GHz以上の高周波電気パルス信号及び直流電圧を重畳したものを伝送可能なケーブルであることを特徴とする、付記1〜8のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
前記発光素子又は前記受光素子と前記光学窓との距離が、20mm以下であることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
(付記11)
前記発光素子が、単一光子発生素子であることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
1A 電極
2 クライオスタット(低温恒温装置;冷却装置)
3 筐体
4 光学窓
5 保持台
5A 単一光子発生器保持台(量子ドットデバイス保持台)
5B コネクタ保持台
6 冷却部
6A 配管
6B 液体ヘリウム流入部
6C ヘリウムガス回収部
6D 給排管
6E 液体ヘリウム再液化部
7 ケーブル(電気配線)
8 対物レンズ
9 コネクタ
9A 同軸中心線
9B 絶縁部
10 貫通孔
11 ストリップライン
12 ボンディングライン
13 グランドライン
14 液体ヘリウムタンク
15 液体ヘリウム流入部
16 液体ヘリウム流出部
17 給排管
18 保持部
Claims (5)
- 光学窓を有する筐体と、
前記筐体内に備えられ、発光素子又は受光素子を保持する保持台と、
前記発光素子又は前記受光素子を冷却する冷却部と、
前記発光素子又は前記受光素子に接続され、高周波電気信号を伝送するケーブルとを備え、
前記光学窓と前記発光素子又は前記受光素子との距離が、前記発光素子が発光した光が前記光学窓を介して外部に光結合し、又は、前記光学窓を介して外部から入射する光が前記受光素子に光結合しうるように設定されていることを特徴とする発光・受光素子の冷却装置。 - 前記保持台は、熱伝導性材料からなり、
前記冷却部は、前記発光素子又は前記受光素子を熱伝導によって冷却しうるように前記保持台の裏面側に接触させて設けられていることを特徴とする、請求項1記載の発光・受光素子の冷却装置。 - 前記保持台は、その表面側に突出する同軸中心線を有するコネクタを備え、
前記ケーブルは、前記保持台の裏面側から前記コネクタに接続され、前記同軸中心線と前記保持台の表面側に載置された前記発光素子又は前記受光素子とが電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1又は2記載の発光・受光素子の冷却装置。 - 前記同軸中心線と前記発光素子又は前記受光素子とは、ストリップラインを介して電気的に接続されていることを特徴とする、請求項3記載の発光・受光素子の冷却装置。
- 前記発光素子又は前記受光素子と前記光学窓との距離が、20mm以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光・受光素子の冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007088452A JP5022753B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 発光・受光素子の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007088452A JP5022753B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 発光・受光素子の冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251667A true JP2008251667A (ja) | 2008-10-16 |
JP5022753B2 JP5022753B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39976305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007088452A Expired - Fee Related JP5022753B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 発光・受光素子の冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5022753B2 (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117528A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響光学素子 |
JPH03203281A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH04165320A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Clarion Co Ltd | 光学装置 |
JPH05190916A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導電磁波センサ用装置 |
WO2002032022A2 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Gentech Investment Group Ag | Optical communications apparatus |
JP2003046325A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | アンテナ装置 |
JP2004253657A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 単一光子発生装置および単一光子発生方法 |
JP2005205464A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Okamoto Glass Co Ltd | レーザ加工法、構造物および光学素子 |
JP2005350692A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Sony Corp | 成膜方法および成膜装置 |
JP2006229608A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fujitsu Ltd | 秘密鍵配送システムおよび秘密鍵配送方法 |
WO2006095393A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 光半導体装置とその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007088452A patent/JP5022753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117528A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響光学素子 |
JPH03203281A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH04165320A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Clarion Co Ltd | 光学装置 |
JPH05190916A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 超電導電磁波センサ用装置 |
WO2002032022A2 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Gentech Investment Group Ag | Optical communications apparatus |
JP2003046325A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | アンテナ装置 |
JP2004253657A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 単一光子発生装置および単一光子発生方法 |
JP2005205464A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Okamoto Glass Co Ltd | レーザ加工法、構造物および光学素子 |
JP2005350692A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Sony Corp | 成膜方法および成膜装置 |
JP2006229608A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Fujitsu Ltd | 秘密鍵配送システムおよび秘密鍵配送方法 |
WO2006095393A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Fujitsu Limited | 光半導体装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5022753B2 (ja) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007088282A (ja) | 周辺機器及び電子機器 | |
CN101903842A (zh) | 监视温度稳定性的系统和方法 | |
US20130003932A1 (en) | Radiographic image capture device, battery unit, electricity supply unit, radiographic image capture system and computer readable medium | |
CN103676033A (zh) | 通信模块的冷却结构以及通信装置 | |
US6754244B2 (en) | Diode laser component | |
CN109983335A (zh) | 传感器用布线基板、传感器用封装件以及传感器装置 | |
US6791150B2 (en) | Optical module and optical transceiver apparatus | |
US7660054B2 (en) | Thermally controlled sold immersion lens fixture | |
JP5022753B2 (ja) | 発光・受光素子の冷却装置 | |
JP2010182726A (ja) | 光ファイバ冷却装置 | |
JP2009182922A (ja) | 撮像装置 | |
JP5149237B2 (ja) | 光伝送モジュール | |
CN108508625A (zh) | 结构光投射器、图像获取装置和电子设备 | |
JP2005136327A (ja) | 光送信器、光受信器、光通信システムおよび光送受信器 | |
US9983371B2 (en) | Optoelectronic transducer with integrally mounted thermoelectric cooler | |
US20140224456A1 (en) | Liquid cooling apparatus | |
JP5940811B2 (ja) | 超電導マグネット装置及びこの装置に用いられる電流リード | |
JP2002291737A (ja) | 超音波探触子及び超音波診断装置 | |
JP2001177031A (ja) | 冷却装置を備えた光送受信装置 | |
JP2010135687A (ja) | 光モジュール | |
JP4813829B2 (ja) | 放熱装置、および放熱方法 | |
JP4435468B2 (ja) | 超伝導マグネット装置 | |
JP2014183138A (ja) | 超電導装置 | |
CN113966069A (zh) | 基板结构和终端设备 | |
JP2009297385A (ja) | 内視鏡装置及び内視鏡冷却装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091030 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5022753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |