JP2008245057A - アバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】アバランシェフォトダイオード(APD)の増倍率を制御できる回路を提供すること
【解決手段】 撮像素子の光電変換膜として用いられるアバランシェフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードのアノード側へ直流電圧を印加する第一の電源と、アバランシェフォトダイオードから出力される電荷を蓄え、また出力する「信号読み出し回路」と、信号読み出し回路への直流電源を印加する第2の電源と、信号読み出し回路への交流電源を印加する第3の電源と、「信号読み出し回路からの入力信号」を元に「アバランシェフォトダイオードの増倍率変化を目的とした信号読み出し回路への電圧を加える第2の電源、及び第3の電源」を自動的に制御する「制御回路」とを具備する。
【選択図】図5
【解決手段】 撮像素子の光電変換膜として用いられるアバランシェフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードのアノード側へ直流電圧を印加する第一の電源と、アバランシェフォトダイオードから出力される電荷を蓄え、また出力する「信号読み出し回路」と、信号読み出し回路への直流電源を印加する第2の電源と、信号読み出し回路への交流電源を印加する第3の電源と、「信号読み出し回路からの入力信号」を元に「アバランシェフォトダイオードの増倍率変化を目的とした信号読み出し回路への電圧を加える第2の電源、及び第3の電源」を自動的に制御する「制御回路」とを具備する。
【選択図】図5
Description
この発明は、撮像装置に用いられるアバランシェフォトダイオードの増倍率を制御するための回路に関する。
アバランシェフォトダイオード(以下、単にAPDと称する場合がある)は、半導体を用いた素子である。その構造は、P型領域とN型領域を持っている。またP型領域とN型領域の間には、空乏領域が存在しており、その空乏領域で2つの役割を行う。1つ目は、光電変換である。2つ目は、信号増倍である。通常、APDは単一の電源で動作する。その動作電圧は、とても大きい逆バイアス電圧(P型領域側にマイナス電圧、N型領域側にプラス電圧)である。
その動作は、光電変換だけでなく、信号増倍の動作も含んでいるため、「小さな入力信号」も「大きな出力信号」として取り出すことができる事を特徴としている。
また信号増倍現象(アバランシェ増倍現象)は、Siでは2×10^5V/cm、Geでは1×10^5V/cmあたりの電界強度から発生する。
また信号増倍現象(アバランシェ増倍現象)は、Siでは2×10^5V/cm、Geでは1×10^5V/cmあたりの電界強度から発生する。
APDの増倍率は、APDに印加される逆バイアス電圧によって決定される。そのため従来は、APD単体の電圧を制御することで増倍率制御を行っている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、APDは、高感度化・広ダイナミックレンジ化を目的とした固体撮像装置に用いられる(例えば、特許文献2参照)。撮像素子で用いる場合、各画素でのAPDを最適な増倍率で用いるのが理想であるが、そのためには、APD単体の電圧を制御するだけでは不十分であり、各画素の増倍率を制御できる新しいシステムが必要となる。
ところで、各画素の増倍率を制御する方法として、特許文献3に示すような方法が既に知られている。この方法では、APDの増倍率は、基準光を入力した場合の、出力地をA/D変換し、出力されたデジタル信号より、電源の大きさを調節している。ここで、電源は直流電源一つである。
特許文献2に開示されている方法は、APDを光センサとして用いる場合を想定していると考えられ、したがって直流動作時の増倍率の設定を行っているに過ぎない。
このように、特許文献2に開示されている方法では、APDを撮像装置に用いる場合のように、直流と交流を合わせた状態で増倍率の制御をすることができないため、撮像装置に用いた場合において画素ごとに増倍率の制御を実行可能なシステムが望まれていると言う課題がある。
そこで、本発明は上記課題を解決するためになされ、その目的とするところは、APDを撮像装置に用いた場合において画素ごとに増倍率の制御ができるシステムを提供することにある。
本発明にかかるアバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路によれば、撮像素子の光電変換膜として用いられるアバランシェフォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードのアノード側へ直流電圧を印加する第一の電源と、アバランシェフォトダイオードから出力される電荷を蓄え、また出力する「信号読み出し回路」と、信号読み出し回路への直流電源を印加する第2の電源と、信号読み出し回路への交流電源を印加する第3の電源と、「信号読み出し回路からの入力信号」を元に「アバランシェフォトダイオードの増倍率変化を目的とした信号読み出し回路への電圧を加える第2の電源、及び第3の電源」を自動的に制御する「制御回路」とを具備する。
また、アバランシェフォトダイオードのカソード側に逆バイアス電圧を印加するとともに、コンデンサを充放電させるために、ソース側がアバランシェフォトダイオードのカソード側に接続された電界効果トランジスタが設けられ、前記第2の電源は、電界効果トランジスタの動作をオン−オフするために、電界効果トランジスタのゲートに接続され、パルス電圧を出力するように設けられ、前記第3の電源は、電界効果トランジスタのドレインに接続されて設けられ、コンデンサに蓄積された信号を外部に取り出すために用いる、ソースフォロワアンプのドライバトランジスタが設けられ、ソースフォロワアンプの負荷抵抗として用いられる抵抗が設けられ、前記制御回路は、ソースフォロワアンプから取り出される電圧を測定し、該測定した電圧に基づき、電圧が小さいほど第2の電源部の出力電圧及び第3の電源の出力電圧を上げ、電圧が大きい少ないほど第2の電源部の出力電圧及び第3の電源の出力電圧を下げるように自動的に制御するように設けられていることを特徴とする。
本発明では、APDの増倍率を各画素で設定することが可能となる。固体撮像素子の受光部としてAPDを用いた場合、APDの増倍率を各画素で制御出来ることが求められる。しかし、従来のAPD増倍率の制御方法は、全画素のAPDに対して直流電圧を加える電源一つでの制御方法であるため、各画素のAPDに加える電圧を制御することは不可能である。ここで、本発明では、全画素のAPDに対して直流電圧を加える電源に加えて、信号読み出し回路に加えられる電源をAPDの増倍率制御に応用することで、各画素での増倍率制御を可能としている。これが従来にはなかった優れた効果である。
本発明では、各画素の増倍率を制御する手段を提案する。制御する手法はAPDの増倍率がAPDに印加される電圧に依存している特長を利用する。
固体撮像素子の光電変換膜にAPDを用いた場合、APDは図1の回路構成となる。APDのカソード側には電界効果トランジスタ(以下、単にFETと称する場合もある)のソースが接続され、APDのアノード側にはAPDに逆バイアス電圧を印加するための直流電源VPが接続され、APDのアノード側にはAPDに逆バイアス電圧を印加するための直流電源VPが接続されている。FETのゲートには、電界効果トランジスタの動作をオンーオフするための、パルス電圧を出力する電源VRPが接続され、ドレインには、トランジスタのソースへの電荷充電のために電源VRが接続されている。この場合、APDに加えられる電圧(VAPD)はVR+VPとなる(ここでVRP=VPであるとする)。APDの増倍率はAPDに印加される電圧で決定されるので、VRの変化はAPDの増倍率の変化となる。
図2に図1をエネルギーバンド・イメージ図(高増倍率用動作)で表した場合を示す。図2より、VAPDにはVP+Vr1の電圧が印加されていることが分かる。
また、図3に図1をエネルギーバンド・イメージ図(低増倍率用動作)で表した場合を示す。図3よりVAPDにはVP+Vr2の電圧が印加されていることが分かる。
図2及び図3より、充電電圧Vr(ここではVr1およびVr2)がAPDへの印加電圧(VAPD)に大きく影響していることがわかる。
そこで、我々はVRを変化させることで増倍率を変化させる方法を提案した。VR及びVRPはVPと比べると低電圧であり、電圧の変更が容易であることから、APDの増倍率を制御するのに適している。
図1に示した回路に基づく実験を行ったので、以下にその内容を記す。
実験で用いたAPDは浜松ホトニクス製S2381である。図1の回路構成を製作し、APDの増倍率がVRにより変化することを確認した。ここでは、20uWの光を入射した。
図4に図1VR及びVRPを変化させた(ここでVRP=VRとする)場合のVAの信号変化ΔVA(取得信号量)を示す。ここで、VPは78V、A点の電圧はVAである。図4より、VAの値はVRの値と共に増加していることがわかる。例えば、VR=3.5Vで動作させた場合、ΔVA=2.4Vであり、またVR=7Vで動作させた場合、ΔVA=4.2Vであった。
図4の結果より、ΔVA(取得信号量)はVRの大きさと共に変化し、VRを制御することでΔVAを変化させることが可能であることが確認できた。ここで、ΔVAの値は、入力(入射光量)と増倍率に比例した値である。図4の結果は、VRを制御することでAPDの増倍率を制御していることを意味する。
ここで、VR=Vr1=7V、VRP=Vres1=7Vでの動作を、高増倍率用動作とし、VR=Vr2=3.5V、VRP=Vres2=3.5Vでの動作を、低増倍率用動作とすると、「高増倍率用動作」の方が、「低増倍率用動作」と比べて、ΔVAが大きいことが分かる。このことから、VRおよびVRPを「低増倍率用動作」と「高増倍率用動作」を、切り替えることによりAPDの増倍率を制御できることがわかる。
図5に制御回路とAPDの関係を表した概略図を示す。APDは第1の電源と信号読み出し回路に接続されている。制御回路は信号読み出し回路と第2の電源、第3の電源と接続されている。信号読み出し回路からの出力値より、第2の電源、第3の電源の値を決定する。この第2の電源、第3の電源がVRとVRPに対応している。
図6にAPDの増倍率制御回路の具体例を示し、以下にAPDの増倍率制御回路の具体例について説明する。
図6には2種類に電圧が切り替えられるように「Vr1、Vres1(高増倍率用動作)」及び「Vr2、Vres2(低増倍率用動作)」が設定されている(ここでは2種類の切り替えを例に出しているが、3種類4種類の場合も同様の方法で実現が可能である。)
APD13のアノード側には直流電源VPが接続されており、APD13が受光信号を増倍するように制御する。ここでVPの値は一定とする。APD13のカソード側には、コンデンサ3が接続されており、このコンデンサ3がAPD13から出力された受光信号を蓄積する。また、APD13のカソードとコンデンサ3との間にはFET1のソースとFET2のゲートが接続されている。FET2のドレインはVDD2と接続しており、FET2のソースはVOUTと抵抗4と接続している。FET1のドレインにはE点接続しており、E点はFET11とFET12のソースが接続されている。FET11のドレインには直流電源Vr1が接続されている。FET12のドレインには直流電源Vr2が接続している。これよりFET1のドレインはFET11またはFET12を介して直流電源Vr1またはVr2に接続されている。FET1のゲートはD点に接続しており、D点はFET9のドレインとFET10のドレインと接続している。FET9のソースはパルス電圧源Vres2と接続されている。FET10のソースはパルス電圧源Vres1と接続されている。これよりFET1のゲートにFET11またはFET12を介してパルス電圧源Vres1またはVres2と接続している。
Vres1またはVres2によってFET1がオンになったときはFET1のソースの電位は、Vr1またはVr2の値まで充電される。APD13の増倍率はA点が充電される電位(VA=Vr1またはVr2)により決定されるため、Aに充電する電位を選択(Vr1またはVr2)することで、APD13の増倍率が希望の値となるように制御できる。「Vr1とVres1」または「Vr2とVres2」はどちらかが動作できるように、FET9、FET10、FET11、FET12により切り替えている。切り替えはFET9、FET10、FET11、FET12のゲート信号で行われる。
FET10及びFET11のゲートはFET7とFET8によるインバータの出力(C点)と接続されている。また、FET9及びFET12のゲートはC点FET5とFET6によるインバータの出力(B点)と接続されている。ここでFET7のドレインはVDD1と接続しており、FET7のソースはFET8のドレインとC点に接続している。FET8のソースはGNDに接続されている。ここでFET5のドレインはVDD2と接続しており、FET5のソースはFET6のドレインとB点に接続している。FET6のソースはGNDに接続されている。ここで、FET7及びFET8のゲートはB点と接続している。またFET5とFET6のゲートはVOUTと接続している。
これより、C点、B点の値はVOUTの値で決定されるので、APD13の増倍率(=Aに充電する電位)はVOUTにより自動に決定されることになる。VOUTの信号は、抵抗4の電圧降下により決定される。抵抗4に流れる電流はFET2のゲートに接続されているA点の電圧により決定される。FET2と抵抗4はソースフォロワ回路となっており、A点とVOUTはソースフォロワ回路の入力と出力となっている。
APDの増倍率制御回路の具体例の動作説明をする。
まず、A点はAPD13からの光信号が蓄積される場所である。A点の信号はソースフォロワ回路に入力されVOUTとして出力される。ここでD点の電圧をVD、E点の電圧をVEとする。VOUTの値がインバータの閾値よりも小さい場合(光信号が大きい場合)は、FET1を動作させる信号(VD、VE)としてVres2(=VD)とVr2(=VE)が選択される。VOUTの値がインバータの閾値よりも大きい場合(光信号が小さい場合)は、トランジスタ1を動作させる信号(VD、VE)としてVres1(=VD)とVr1(=VE)が選択される。ここで、Vr1>Vr2、Vres1>Vres2と設定しておけば、Vr2、Vres2が動作している場合は、低増倍率用動作となり、Vr1,Vres1が動作している場合は、高増倍率用動作となる。
なお、上述した回路では、2段階で増倍率を制御する場合についてのみ説明したが、本発明としては、FETに接続される電源をさらに異なる電圧を印加できるように多くの電源を接続することで、2段階に限定されない複数段階でも制御可能である。また、増倍率の制御は段階的に行うのではなく、FETへ印加する電圧をリニアに制御可能な電源を設け、この電源をコンデンサに充電された電荷量に基づいてリニアに変化させることでリニアに制御するようにしてもよい。
以上本発明につき、好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
1,2,5,7,9,10,11,12 Nチャネル型電界効果トランジスタ
6,8 Pチャネル型電界効果トランジスタ
3 コンデンサ
4 抵抗
13 APD
6,8 Pチャネル型電界効果トランジスタ
3 コンデンサ
4 抵抗
13 APD
Claims (2)
- 撮像素子の光電変換膜として用いられるアバランシェフォトダイオードと、
アバランシェフォトダイオードのアノード側へ直流電圧を印加する第一の電源と、
アバランシェフォトダイオードから出力される電荷を蓄え、また出力する「信号読み出し回路」と、
信号読み出し回路への直流電源を印加する第2の電源と、
信号読み出し回路への交流電源を印加する第3の電源と、
「信号読み出し回路からの入力信号」を元に「アバランシェフォトダイオードの増倍率変化を目的とした信号読み出し回路への電圧を加える第2の電源、及び第3の電源」を自動的に制御する「制御回路」と、
を具備することを特徴とするアバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路。 - アバランシェフォトダイオードのカソード側に逆バイアス電圧を印加するとともに、コンデンサを充放電させるために、ソース側がアバランシェフォトダイオードのカソード側に接続された電界効果トランジスタが設けられ、
前記第2の電源は、電界効果トランジスタの動作をオン−オフするために、電界効果トランジスタのゲートに接続され、パルス電圧を出力するように設けられ、
前記第3の電源は、電界効果トランジスタのドレインに接続されて設けられ、
コンデンサに蓄積された信号を外部に取り出すために用いる、ソースフォロワアンプのドライバトランジスタが設けられ、
ソースフォロワアンプの負荷抵抗として用いられる抵抗が設けられ、
前記制御回路は、ソースフォロワアンプから取り出される電圧を測定し、該測定した電圧に基づき、電圧が小さいほど第2の電源部の出力電圧及び第3の電源の出力電圧を上げ、電圧が大きい少ないほど第2の電源部の出力電圧及び第3の電源の出力電圧を下げるように自動的に制御するように設けられていることを特徴とする請求項1記載のアバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路。
Priority Applications (1)
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JP2007084830A JP2008245057A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | アバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路 |
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Publications (1)
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JP2008245057A true JP2008245057A (ja) | 2008-10-09 |
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ID=39915811
Family Applications (1)
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JP2007084830A Pending JP2008245057A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | アバランシェフォトダイオードの増倍率制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008245057A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104394340A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-04 | 南京大学 | 智能apd阵列读出装置及方法 |
KR102278791B1 (ko) * | 2020-05-07 | 2021-07-20 | 한국과학기술원 | 실리콘 광증배소자 동작전압 탐색 시스템 |
CN114739433A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种光电传感器信号读取电路及光电传感器装置 |
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2007
- 2007-03-28 JP JP2007084830A patent/JP2008245057A/ja active Pending
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