JP2008235684A - 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層8cの一主面11に、化学式XB2(但し、XはZr,Ti及びHfから選択される1種以上の元素)で表されるホウ化物単結晶層部14を複数形成し、次に一主面11及び複数のホウ化物単結晶層部14を覆って化学式AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるAlGaInN単結晶層15を形成することにより、一主面上11にGa極性のAlGaInN単結晶層15aを形成し、複数のホウ化物単結晶層部14上にそれぞれN極性のAlGaInN単結晶層15bを形成し、次にN極性のAlGaInN単結晶層15bを選択的にエッチング除去して凹凸構造を形成する。
【選択図】 図4
Description
8:半導体層
8a:第1導電型(n型)窒化ガリウム系化合物半導体層
8b:発光層
8c:第2導電型(p型)窒化ガリウム系化合物半導体層
9:第1導電(n)側導電層
10:第2導電(p)側導電層
11:n型窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面
12:第1導電(n)側パッド電極
13:第2導電(p)側パッド電極
14:ホウ化物単結晶層部
15:AlGaInN単結晶層
15a:Ga極性のAlGaInN単結晶層
15b:N極性のAlGaInN単結晶層
16:ホウ化物単結晶層
17:SiO2層
18:フォトレジスト層
Claims (4)
- 凹凸構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であって、窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面に、化学式XB2(ただし、XはZr,Ti及びHfから選択される1種以上の元素である。)で表されるホウ化物単結晶層部を複数形成し、次に前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面及び前記複数のホウ化物単結晶層部を覆うように化学式AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるAlGaInN単結晶層を形成することによって、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面上にGa極性の前記AlGaInN単結晶層を形成するとともに前記複数のホウ化物単結晶層部上にそれぞれN極性の前記AlGaInN単結晶層を形成し、次にN極性の前記AlGaInN単結晶層を選択的にエッチング除去することによって凹凸構造を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
- N極性の前記AlGaInN単結晶層を選択的にエッチング除去することによって凹凸構造を形成する際に、さらに前記複数のホウ化物単結晶層部を除去することを特徴とする請求項1記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
- 窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面に形成された、化学式AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される複数のGa極性のAlGaInN単結晶層部によって凹凸構造が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。
- 窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面に形成された、化学式XB2(ただし、XはZr,Ti及びHfから選択される1種以上の元素である。)で表される複数のホウ化物単結晶層部と、前記複数のホウ化物単結晶層部間の前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一主面に形成された、化学式AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表されるとともに前記ホウ化物単結晶層部よりも高さが高いGa極性のAlGaInN単結晶層部とを有し、前記ホウ化物単結晶層部及びGa極性の前記AlGaInN単結晶層部によって凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項3記載の窒化ガリウム系化合物半導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008235684A true JP2008235684A (ja) | 2008-10-02 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5037980B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012244153A (ja) * | 2012-01-19 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US8952401B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer |
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JP2007012705A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Kyocera Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 |
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