JP2008233049A - 光検出素子及び光検出方法、撮像素子及び撮像方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 幾何学的構造に応じた位置により異なる共鳴波長域をもつ微小光共鳴器からなる分光要素と、前記分光要素による共鳴波長域が異なる場所に配置され、入射光強度を検出する光電変換要素とを有する。
【選択図】図3
Description
前記分光要素による共鳴波長域が異なる場所に配置され、入射光強度を検出する光電変換要素とを有することを特徴とする。
前記分光要素による共鳴によって生じた光電磁界分布の空間的な偏りを空間的に異なる場所に配置された光電変換要素によって波長域ごとの光強度として検出する工程と、
検出した光強度を信号として出力する工程とを有することを特徴とする。
つまり
と書ける。ただし、Ri(λ)は波長λの光の強度がi=a,b,cに分配される割合である。
と書くことができ、まとめて行列で表すと、
である。
301 微小共鳴体
302 基板
303 絶縁膜
304 フォトダイオード領域
305 増幅トランジスタ
306 行選択トランジスタ
401 微小共鳴体
402 基板
403 絶縁膜
404 フォトダイオード領域
405 増幅トランジスタ
406 行選択トランジスタ
501 微小共鳴体
502 微小共鳴体
503 微小共鳴体
504 微小共鳴体
801 微小共鳴体
802 基板
803 位相制限構造
804 検出部位R
805 検出部位G
806 検出部位B
807 フォトダイオード領域
808 増幅トランジスタ
809 行選択トランジスタ
Claims (20)
- 幾何学的構造に応じた位置により異なる共鳴波長域をもつ微小光共鳴器からなる分光要素と、
前記分光要素による共鳴波長域が異なる場所に配置され、入射光強度を検出する光電変換要素とを有することを特徴とする光検出素子。 - 前記検出の対象が電磁的応答であることを特徴とする、請求項1記載の光検出素子。
- 前記検出の対象が、熱的応答であることを特徴とする、請求項1記載の光検出素子。
- 前記検出の対象が、化学的応答であることを特徴とする、請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、金属からなることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、半導体からなることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、誘電体からなることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、単結晶体であることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、多結晶体であることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、非晶質体であることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、プラズモン共鳴体からなることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記微小光共鳴器が、ウィスパリングギャラリーモード共鳴体からなることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記光電変換要素が、光起電材料であることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記光電変換要素が、光導電材料であることを特徴とする請求項1記載の光検出素子。
- 前記光電変換要素が、入射する伝播光の波長帯域よりも高いエネルギーの光のみに応答する材料からなることを特徴とする請求項13または請求項14記載の光検出素子。
- 請求項1から15に記載の微小光共鳴器が、平面または曲面に2次元配列している構造を有することを特徴とする撮像素子。
- 幾何学的構造に応じた位置により異なる共鳴波長域をもつ微小光共鳴器からなる分光要素に光を入射させる工程と、
前記分光要素による共鳴によって生じた光電磁界分布の空間的な偏りを空間的に異なる場所に配置された光電変換要素によって波長域ごとの光強度を検出する工程と、
検出した光強度を信号として出力する工程とを有することを特徴とする光検出方法。 - 前記光の共鳴によって生じた空間的な偏りを検出する工程が、非断熱的過程であることを特徴とする請求項17記載の光検出方法。
- 前記検出信号出力から入射光の色味を再合成する工程と、色味を信号出力する工程とを有することを特徴とする請求項17に記載の光検出方法。
- 前記微小光共鳴器が、平面または曲面に2次元配列しており、該2次元配列に基づく光強度信号出力の2次元分布を画像として検出することを特徴とする請求項19記載の撮像方法。
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