JP2008225961A - 回路シミュレーション方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)入力データの読み込みSPICE入力ファイルと制御ファイルを読み込み、解析条件を求め、必要なトランジスタのノード電位を出力するようにSPICE入力ファイルを書き換えて実行する。(2)全ノードの電位変化を抽出し、劣化量計算SPICE出力ファイルから、必要なトランジスタのノード電位の時間軸での変化を読み取り、NBTIとHCIのためのΔVTH0とΔU0を計算する。(3)信頼性考慮SPICE入力ファイル作成劣化情報を付加したSPICE入力ファイルを作成し実行する。(4)解析結果レポートDC印加時のワースト寿命、過渡解析における寿命、指定年数でのNBTIによるΔVtとΔU0、HCIによるΔVtとΔU0、危険なトランジスタ情報、初期のSPICE結果(劣化前)と指定年数での結果をレポートする。
【選択図】図8
Description
「45nm及びこれを越える信頼性チャレンジ」 Proc. DAC, pp.176-181, July 2006. 「極薄ゲートオキサイドの時間依存ブレークダウン」IEEE Trans. Electron Devices, vol.47, no.7, pp.1416-1420, July 2000. 「ホトキャリア注入によるデバイス劣化の経験的モデル」IEEE Electron Device Lett., vol.4, no.4, pp.111-113, Apr. 1983. 「MOS回路におけるホットキャリアが起こすデバイス劣化のモデリングとシミュレーション」IEEE J. Solid-State Circuits, vol.28, no.5, pp.585-595, May 1993. 「NMOSFETホットキャリア効果のエネルギー駆動パラダイム」IEEE Trans. Device and Materials Reliability, vol.5, no.4, pp.701-705, Dec. 2005. 「MOSFETスケーリングに関する極薄ゲートオキサイドの直接トンネリングに対するバイアス温度不安定性の影響」Proc. VLSI Symp. Tech. Dig., pp.73-74, June 1999. 「極薄ゲートオキサイドへの窒素の導入によるNBTIの発生」Proc. VLSI Symp. Tech. Dig., pp.92-93, June 2000. 「デジタル回路信頼性に対する負バイアス温度不安定性の影響」Proc. IRPS, pp.248-254, Apr. 2002. 「NBTI劣化とそのアナログ回路への影響」IEEE Trans. Electron Devices, vol.52, no.12, pp.2609-2615, Dec. 2005. 「オキサイド及びk pFETs,における負バイアス温度不安定性(NBTI)に対するモデル」Proc. VLSI Symp. Tech. Dig., pp.208-209, June 2004. 「ナノメートル技術分野における回路設計のビルトイン・信頼性解析」Proc. ICICDT, pp.205-210, 2004. 「信頼性解析に対する設計ツール」Proc. DAC, pp.182-187, July 2006. 「ディープ・サブミクロンCMOS−VLSIに対する新しいSPICE信頼性シミュレーション方法」IEEE Trans. Device and Materials Reliability, vol.6, no.2, pp.247-257, June 2006. 「アドバンストCMOS技術におけるPMOSFETにおけるNBTIチャネルホットキャリア効果」Proc. IRPS, pp.282-286, Apr. 1997. 「90nmCMOS技術に対するNBTI信頼性解析」Proc. ESSDERC, pp.21-23, Sep. 2004. 「PMOSFETのダイナミックNBTIのメカニズム」Proc. IRW Final Report, pp.113-117, Oct. 2004. 「ACダイナミック回路条件の下でのNBTIの振る舞い」Proc. IRPS, pp.17-22, Apr. 2003. 「負バイアス温度ストレスによる極薄オキシナイトライドゲートPMOSFETの正ゲートバイアスの下での界面状態緩和の抑制の観察」IEEE Electron Device Lett., vol.27, no.5, pp.412-415, May 2006. 「PMOSトランジスタのダイナミックNBTIとそのMOSFETスケーリングに対する影響」IEEE Electron Device Lett., vol.23, no.12, pp.734-736, Dec. 2002. 「信頼性設計のためのNBTIの特徴付け及びモデリング」Proc. IRW Final Report, pp.158-162, Oct. 2005. 「CMOSデバイスにおける負バイアス温度不安定性のメカニズム:劣化、リカバリ、窒素の影響」Proc. IEDM, pp.105-108, Dec. 2004. 「ディープサブミクロンの銅及びアルミニウム配線のイントリンシックな配線エレクロトマイギレーションにおける物理的プロセスのダイナミック研究」IEEE Trans. Device and Materials Reliability, vol.4, no.3, pp.450-456, Sep. 2004. 「65nmCMOSのu/low-k BEOL配線の技術信頼性評価」Proc. IPFA, pp.97-195, July 2006
設計側で回路動作を検証するための信頼性のモデリングを提案する。0.13μmプロセス・テクノロジにおけるPMOSFETのNBTIの特性を実測した。報告されている文献と合わせて、NBTIのモデリングについて詳述する。
モデリングのベースとなるNBTIの特性について述べる。図1はストレス印加時間と劣化の関係を示す。図1(a)は閾値電圧の劣化ΔVtで、図1(b)が飽和電流の劣化ΔIdsatである。ゲート電圧Vgは-4.62Vと-3.96V、ドレイン電圧Vdとソース電圧Vsとバルク電圧Vbは0V、温度Taは85℃で測定したものである。図から、印加時間の対数と劣化量の対数は比例し、負のゲート電圧が大きいほど劣化量が大きいことがわかる。
前述した特性や報告されたNBTIの測定結果[非特許文献6-21を参照]から、NBTIによるデバイス劣化は以下の特徴をもつ。
・ストレス印加時間の対数と、ΔVtの対数は比例
・ストレス印加時間の対数と、ΔIdsatの対数は比例
・ゲート電圧と、寿命の対数は比例
・温度と、寿命の対数は比例
・トランジスタのサイズ依存は小さい[非特許文献15を参照]
但し、寿命は閾値変動がある一定値(例えばΔVt=30mV)に達するまでの時間として定義される。これらの物理現象から、NBTIの基本モデルは以下で表される[非特許文献9,11,12,20]。
HCIによるデバイス劣化は古くから研究され、その実測やモデリングが多く報告されている[非特許文献3-5,1,12-14]。HCIもNBTIと同様にΔVtとΔIdsatの両方を扱う。HCIのモデリングは本発明の主旨ではないのでモデル記述は省略する。
信頼性シミュレーションのフローを図8に示す。必要なデータは、回路シミュレータが実行可能なSPICE入力ファイルと、信頼性パラメータと解析条件が記述された制御ファイルである。信頼性パラメータはNBTIやHCIの劣化モデルのパラメータの値であり、解析条件は何年後の劣化特性を見るのか、温度や電圧、SPICEでの入力条件等が含まれる。回路シミュレーションによる信頼性解析の手順は以下である。
SPICE入力ファイルと制御ファイルを読み込み、解析条件を求め、必要なトランジスタのノード電位を出力するようにSPICE入力ファイルを書き換えて、SPICEシミュレーションを実行する。信頼性パラメータは劣化前の初期値を用いる。
(2)全ノードの電位変化を抽出し、劣化量計算SPICE出力ファイルから、必要なトランジスタのノード電位の時間軸での変化を読み取り、NBTIとHCIのためのΔVTH0とΔU0を計算する。
(3)信頼性考慮SPICE入力ファイルを作成し、劣化情報(ΔVTH0とΔU0)を付加したSPICE入力ファイルを作成し、SPICEシミュレーションを再度実行する。
(4)解析結果レポートDC印加時のワースト寿命、過渡解析における寿命、指定年数でのNBTIによるΔVtとΔU0、HCIによるΔVtとΔU0、危険なトランジスタ情報、初期のSPICE結果(劣化前)と指定年数での結果(劣化後)等をレポートする。
実際の0.13mプロセス・テクノロジで作成されたアナログ回路であるADC(アナログ・デジタルコンバータanalog-digital converter)に適用した結果を示す。ワースト条件解析として温度は125℃、回路は2電源を使用し、高い方が3.6V(Typ=3.3V)、低い方が1.32V(Typ=1.2V)である。NBTIはPMOSをHCIはNMOSを対象として解析した。
Claims (3)
- MOSトランジスタを用いた回路の回路シミュレーション方法において、
MOSトランジスタの初期の閾値電圧Vt及び飽和電流Idsatに対応するパラメータを用いて、回路シミュレーションを実行し、MOSトランジスタのノードの電位変化を取得し、
前記回路シミュレーションによって取得したMOSトランジスタのノードの電位変化に基づいて、閾値電圧Vt及び飽和電流Idsatに対応するパラメータの電圧ストレス印加による変動分を、ストレス停止による回復効果、周波数効果、特性のばらつきを組み込んだトランジスタ特性劣化モデルに基づいて算出し、
前記トランジスタ特性劣化モデルに基づいて算出した変動後のパラメータを用いて、回路シミュレーションを再度実行することを特徴とする回路シミュレーション方法。 - 前記トランジスタ特性劣化モデルは、以下の数式で表されることを特徴とする請求項1に記載の回路シミュレーション方法。
- 前記回路シミュレーションはSPICEを用いた回路シミュレーションであり、前記閾電圧VtはSPICEにおけるゼロ・バイアス時の閾値電圧VTH0に対応し、前記飽和電流Idsatはゼロ・バイアス時の移動度U0に対応することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路シミュレーション方法。
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JP2012048706A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | モデルパラメーターと電気パラメーターとの間の写像の構成方法 |
CN102680875A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-09-19 | 北京大学 | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 |
CN104122493A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-29 | 北京大学 | 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法 |
JP2016057841A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186213A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの特性劣化のパラメータ抽出方法 |
JP2000011027A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nec Corp | 設計支援方法及び装置 |
JP2000339356A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路におけるホットキャリア効果のシミュレーション方法および装置 |
JP2003188184A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置のシミュレーション方法、劣化度の計算方法、劣化パラメータの計算方法、ならびに半導体装置の設計方法 |
JP2006140284A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の信頼性シミュレーション方法及び信頼性シミュレータ |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186213A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-15 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの特性劣化のパラメータ抽出方法 |
JP2000011027A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nec Corp | 設計支援方法及び装置 |
JP2000339356A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路におけるホットキャリア効果のシミュレーション方法および装置 |
JP2003188184A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置のシミュレーション方法、劣化度の計算方法、劣化パラメータの計算方法、ならびに半導体装置の設計方法 |
JP2006140284A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の信頼性シミュレーション方法及び信頼性シミュレータ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225056A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体回路劣化シミュレーション方法およびコンピュータプログラム媒体 |
JP2012048706A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | モデルパラメーターと電気パラメーターとの間の写像の構成方法 |
CN102680875A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-09-19 | 北京大学 | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 |
CN104122493A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-10-29 | 北京大学 | 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法 |
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