JP2008225624A - メモリコントローラ、半導体メモリの制御方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】 アクセス効率を低下させることなく最適なパワーダウン制御を実施し、半導体メモリの消費電力を削減する
【解決手段】 メモリコントローラSDRAMCは、システムコントローラCPUから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリSDRAMにアクセス制御信号CMDを出力する。メモリコントローラSDRAMCは、アクセス要求に応答する半導体メモリSDRAMのアクセス動作の完了に応答してパワー制御信号CKEを非活性化する。半導体メモリSDRAMは、パワー制御信号CKEの非活性中にパワーダウンモードに移行する。メモリコントローラSDRAMCは、アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に次のアクセス要求に同期してパワー制御信号CKEを活性化し、次のアクセス要求の前に所定時間が経過したときに所定時間の経過に同期してパワー制御信号CKEを活性化する。
【選択図】 図2
【解決手段】 メモリコントローラSDRAMCは、システムコントローラCPUから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリSDRAMにアクセス制御信号CMDを出力する。メモリコントローラSDRAMCは、アクセス要求に応答する半導体メモリSDRAMのアクセス動作の完了に応答してパワー制御信号CKEを非活性化する。半導体メモリSDRAMは、パワー制御信号CKEの非活性中にパワーダウンモードに移行する。メモリコントローラSDRAMCは、アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に次のアクセス要求に同期してパワー制御信号CKEを活性化し、次のアクセス要求の前に所定時間が経過したときに所定時間の経過に同期してパワー制御信号CKEを活性化する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、パワーダウンモードを有する半導体メモリのアクセスを制御するメモリコントローラおよびシステムに関する。
SDRAM等の半導体メモリは、消費電力を削減するためのパワーダウンモードを有している。例えば、SDRAMは、クロックイネーブル信号CKEの非活性化(低レベル)に応答してパワーダウンモードに入る。パワーダウンモード中、クロック信号およびクロックイネーブル信号の入力バッファを除く入力バッファは非活性化され、内部回路の動作は停止する。また、SDRAMは、クロックイネーブル信号CKEの活性化(高レベル)に応答してパワーダウンモードから元の状態に復帰する。
従来、所定の期間にアクセス要求がない場合にパワーダウンモードに移行し、アクセス要求またはリフレッシュ要求に応答してパワーダウンモードを解除することで、SDRAMの消費電力を削減する手法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
特開2002−230970号公報
SDRAMでは、パワーダウンモードから復帰するためにクロックイネーブル信号を活性化した後に、アクセス要求コマンドを供給可能になるまで数クロックサイクルを必要とする。このため、パワーダウンモードへの移行と復帰が頻繁に繰り返されると、消費電力が削減できる反面、アクセス要求の頻度が下がり、アクセス効率が低下してしまう。
本発明の目的は、アクセス効率を低下させることなく最適なパワーダウン制御を実施し、半導体メモリの消費電力を削減することである。
本発明の一形態では、メモリコントローラは、システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する。メモリコントローラは、アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答してパワー制御信号を非活性化する。半導体メモリは、パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する。メモリコントローラは、アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に次のアクセス要求に同期してパワー制御信号を活性化し、次のアクセス要求の前に所定時間が経過したときに所定時間の経過に同期してパワー制御信号を活性化する。所定時間は、例えば、クロック信号のパルス数をカウントするとともにアクセス要求に応答してカウンタ値がリセットされるカウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間である。
本発明の一形態における好ましい例では、所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、カウンタ値はアクセス要求毎にモニタされる。そして、カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と、カウンタ値が暫定以下の回数であるアンダー回数とが計測される。モニタ部の計測結果に基づいて、オーバー回数とアンダー回数が等しくなるときの暫定回数が、基準値として設定される。例えば、オーバー回数およびアンダー回数は、複数の暫定値に対応してそれぞれ同時に計測され、基準値は、暫定値のいずれかに設定される。
複数回のアクセス要求の一部は、パワー制御信号が活性化された後に発生し、残りのアクセス要求は、パワー制御信号の非活性化中に発生する。アクセス要求がパワー制御信号の非活性化中に発生した場合、アクセス要求後にパワー制御信号の活性化処理を行うため、アクセス動作の開始が遅れる(アクセスペナルティ)。一方、パワー制御信号の非活性化期間が長いほど半導体メモリの消費電力は削減される。本発明では、アクセスペナルティの発生頻度と、パワーダウンモードの発生頻度とをバランスよく設定することにより、アクセス効率を低下させることなく最適なパワーダウン制御を実施し、半導体メモリの消費電力を削減できる。
図1は、本発明の第1の実施形態を示している。この実施形態では、システムSYSは、例えば映像を表示し、音声を出力するビデオプレーヤである。システムSYSは、SDRAM、SoC(Sytem on Chip)、LCD等のディスプレイDISP、スピーカSPK、フラッシュメモリFLASHおよびメモリカードMCを装着するためのメモリカードアダプタMCAを有している。フラッシュメモリFLASHは、システムSYSのパワーオン時にSDRAMに転送されるアプリケーションプログラムおよびシステムSYSの動作に必要なワークデータ等を記憶する。アプリケーションプログラムおよびワークデータの初期値は、システムSYSの出荷前に予めフラッシュメモリFLASHに書き込まれる。アプリケーションプログラムおよびワークデータは、出荷後にも書き換え可能である。なお、システムSYSは、上記の一例に限定されない。例えば、システムSYSは、クロックイネーブル信号CKE等のパワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリと、半導体メモリをアクセスするためのアクセス要求を出力するCPU等のシステムコントローラと、アクセス要求を半導体メモリに出力するメモリコントローラとで構成される。
SoCは、メモリコントローラSDRAMC、CPU、DMAC、クロック生成部CLKG、ビデオ表示コントローラVDC、オーディオインタフェースAI/O、メモリコントローラMCNTおよびメモリカードコントローラMCCNTを有している。メモリコントローラSDRAMC、ビデオ表示コントローラVDC、オーディオインタフェースAI/O、メモリコントローラMCNTおよびメモリカードコントローラMCCNTは、共通の内部バスIBUSを介してCPUおよびDMACに接続されており、CPUおよびDMACによりアクセス可能である。
メモリコントローラSDRAMCは、CPUやDMAC等からのアクセス要求を受けて、SDRAMをアクセス動作させるための信号を出力する。具体的には、メモリコントローラSDRAMCは、SDRAMのアクセス状況に応じてクロックイネーブル信号CKEを活性化または非活性化し、アクセス要求等に応答してコマンド信号CMD、アドレス信号ADおよび書き込みデータ信号DQをSDRAMに出力し、読み出しデータ信号DQを受ける。コマンド信号CMDは、メモリコントローラSDRAMCからSDRAMに出力されるアクセス要求である。
CPUは、SDRAMに記憶されたアプリケーションプログラムを実行し、システムSYS全体を動作させる。なお、SDRAMは、アプリケーションプログラムの実行の合間に実行されるオペレーションシステム(OS)も記憶しているが、以降の説明では、CPUが実行するOSについての説明は省略する。DMACは、バスマスタとして動作し、例えば、ディスプレイDISPに映像を表示し、スピーカSPKから音声を出力するために、メモリカードMCに記憶されたビデオデータ(オーディオデータを含む)をビデオ表示コントローラVDCおよびオーディオインタフェースAI/Oに転送する。クロック生成部CLKGは、基本クロックCLK0を逓倍し、クロックCLKとして出力する。クロッ
クCLKは、システムSYSの基板に搭載される発振器から出力され、SoC内部とSDRAMに供給される。
クCLKは、システムSYSの基板に搭載される発振器から出力され、SoC内部とSDRAMに供給される。
ビデオ表示コントローラVDCは、内部バスIBUSを介して供給されるビデオデータをディスプレイDISPの入力仕様に合わせて出力する。オーディオインタフェースAI/Oは、内部バスIBUSを介して供給されるオーディオデータを、例えばD/A変換し、スピーカSPKに出力する。メモリコントローラMCNTは、内部バスIBUSを介して供給されるフラッシュメモリFLASHのアクセス要求(アクセスコマンド、アドレス、データ)をフラッシュメモリFLASHのインタフェース仕様に合わせて変換する。メモリカードコントローラMCCNTは、内部バスIBUSを介して供給されるメモリカードMCのアクセス要求(アクセスコマンド、アドレス、データ)をメモリカードMCのインタフェース仕様に合わせて変換する。
図2は、図1に示したメモリコントローラSDRAMCの詳細を示している。メモリコントローラSDRAMCは、動作制御部OPC、カウンタCOUNT、クロックイネーブル制御部CKEC(パワー制御部)および基準値レジスタRVREGを有している。動作制御部OPCは、内部バスIBUSを介して供給されるSDRAMのアクセス要求AREQを受けて、コマンドCMD、アドレスADおよびデータDQ(書き込みデータ)をSDRAMに出力し、SDRAMからのデータDQ(読み出しデータ)を内部バスIBUSに出力する。コマンドCMD、アドレスADおよびデータDQは、SDRAMにアクセス動作(読み出し動作または書き込み動作)を実行させるためのアクセス制御信号である。コマンドCMDは、アクティブコマンドACT、読み出しコマンドRD、書き込みコマンドWRおよびプリチャージコマンドPRE等がある。これ等コマンドは、一般的であるため、詳細な説明は省略する。
カウンタCOUNTは、クロックCLKに同期してカウントされ、クロック数(パルス数)の積算値を示すカウンタ値CVをクロックイネーブル制御部CKECに出力する。カウンタCOUNTは、アクセスコマンドCMD(アクセス要求)に同期してゼロにリセットされる。アクセスコマンドCMDは、チップセレクト信号/CS、ロウアドレスストローブ信号/RAS、コラムアドレスストローブ信号/CASおよびライトイネーブル信号/WEの組み合わせにより識別されるアクティブコマンドACT、読み出しコマンドRD、書き込みコマンドWRおよびプリチャージコマンドPRE等である。
基準値レジスタRVREGは、内部バスIBUSを介して供給される基準値RVを保持する。基準値RVは、CPUが実行するプログラムによって設定される。基準値RVは、図1に示したフラッシュメモリFLASHのワークエリアに記憶されており、システムSYSのパワーオン毎にCPUにより基準値レジスタRVREGに書き込まれる。クロックイネーブル制御部CKECは、比較部COMPおよびクロックイネーブル生成部CKEGを有している。比較部COMPは、カウンタ値CVが基準値レジスタRVREGに保持された基準値RVを超えたときに一致信号COINを出力する。クロックイネーブル生成部CKEGは、一致信号COINの出力またはアクセスコマンドCMDの出力に同期してクロックイネーブル信号CKEを高レベルに活性化し(通常動作モードエントリ=パワーダウンモードイクジット)、アクセスコマンドCMDに応答するSDRAMの動作完了後にクロックイネーブル信号CKEを低レベルに非活性化する(パワーダウンモードエントリ)。
図3は、第1の実施形態の動作を示している。この例では、CPUは、SDRAMに記憶されたアプリケーションプログラムAP1を間欠的に実行する。このため、アプリケーションプログラムAP1を実行するためのアクセスコマンドCMDは、間欠的にSDRAMに供給される。図中に四角で示した各アプリケーションプログラムの実行単位は、一般
にタスクと称される。
にタスクと称される。
カウンタ値CVが基準値RVを超えたときに図2に示した比較部COMPから一致信号COINが出力される。イネーブル生成部CKEGは、カウンタ値CVが基準値RVに到達する前にアクセスコマンドCMDが発生するときに、アクセスコマンドCMDに同期してクロックイネーブル信号CKEを活性化する(図3(e、i、m))。この場合、SDRAMは、パワーダウンモードの解除を待ってアクセス動作を開始する必要がある。このため、アクセスペナルティAPが数クロック発生する。より詳細には、パワーダウンモード中にSDRAMにはアクセスコマンドCMDを供給できないため、メモリコントローラSDRAMCは、パワーダウンモード中の解除に同期してアクセスコマンドCMDをSDRAMに出力する。
また、クロックイネーブル生成部CKEGは、アクセスコマンドCMDが発生する前にカウンタ値CVが基準値RVに到達したときに、一致信号COINに同期してクロックイネーブル信号CKEを活性化する(図3(a、c、g、k))。この場合、アクセスコマンドCMDがSDRAMに供給される少なくとも数クロック前にパワーダウンモードが解除されるため、メモリコントローラSDRAMCは、CPU等からのアクセス要求に応答してアクセスコマンドCMDを直ちに出力できる。このように、クロックイネーブル制御部CKECは、アクセスコマンドCMDから所定時間内に次のアクセス要求CMDがある場合に次のアクセス要求CMDに同期してクロックイネーブル信号CKEを活性化し、次のアクセス要求CMDの前に所定時間が経過したときに所定時間の経過に同期してクロックイネーブル信号CKEを活性化する。ここで、所定時間は、カウンタ値CVがゼロから基準値RVまで変化する時間である。
さらに、クロックイネーブル生成部CKEGは、アクセスコマンドCMDに応答するSDRAMの動作の完了に同期してクロックイネーブル信号CKEを非活性化する(図3(b、d、f、h、j、l、n))。なお、この実施形態では、アクセスコマンドCMDの発生回数に対するアクセスペナルティAPの発生回数の比が、ほぼ1/2になるように、基準値RVが予め設定されている。このように、カウンタ値CVと基準値RVの比較結果に応じてクロックイネーブル信号CKEの活性化/非活性化を制御することにより、アクセスコマンドCMDの発生前に予めパワーダウンモードを解除する頻度と(アクセスペナルティAPなし)、アクセスペナルティAPが発生する頻度とをほぼ等しくできる。これにより、アクセス効率の向上とSDRAMの消費電力の削減を同時に実現できる。
以上、第1の実施形態では、アクセスペナルティAPの発生頻度と、パワーダウンモードの発生頻度(パワーオン期間に対するパワーダウンモード期間の比率)とをバランスよく設定することにより、アクセス効率を低下させることなく最適なパワーダウン制御を実施し、半導体メモリの消費電力を削減できる。
アクセスコマンドCMDの発生から次のアクセスコマンドCMDの発生までの時間を、カウンタCOUNTによりクロックのパルス数をカウントすることにより測定することで、アクセスコマンドCMDが所定時間内に発生したか否かを、簡易な回路で容易に判定できる。
図4は、本発明の第2の実施形態を示している。第1の実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。この実施形態では、SoCは、CPUに直接接続された命令キャッシュICASHおよびデータキャッシュDCASHを有している。命令キャッシュICASHには、SDRAMに記憶されたアプリケーションプログラムおよびOSの一部が転送される。データキャッシュDCASHには、アプリケーションプログラムおよびOSで使用するデータの一部が転送
される。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。
される。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。
SoCにキャッシュICASH、DCASHを搭載することにより、SDRAMへのアクセス頻度は少なくなる。これにより、アクセスペナルティを減らし、SDRAMのアクセス効率を向上できる。なお、キャッシュICASH、DCASHがSoCに搭載される場合、基準値RVは、第1の実施形態に比べて大きい値に設定される。これにより、クロックイネーブル信号CKEの低レベル期間(パワーダウンモード期間)を減らすことなく、アクセス効率を向上できる。一般的には、キャッシュICASH、DCASHのヒット率が高いと想定される場合、基準値RVは大きい値に設定され、キャッシュICASH、DCASHのヒット率が低いと想定される場合、基準値RVは小さい値に設定される。以上、第2の実施形態においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図5は、本発明の第3の実施形態におけるメモリコントローラSDRAMCの詳細を示している。メモリコントローラSDRAMCを除く構成は、第1または第2の実施形態と同じである。第1の実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。
この実施形態のメモリコントローラSDRAMCは、第1の実施形態(図2)にモニタレジスタMREGおよびモニタ部MONを加えて構成されている。モニタレジスタMREGは、内部バスIBUSを介して供給されるモニタ用の暫定値RV0を保持する。暫定値RV0は、例えば、フラッシュメモリFLASHに記憶されており、CPUが実行するプログラムによって設定される。CPUは、暫定値RV0と同じ値を基準値RVとして基準値レジスタRVREGにも設定する。
モニタ部MONは、後述するモニタ期間に、アクセスコマンドCMDが発生したときのカウンタ値CVと暫定値RV0とをアクセスコマンドCMD毎に比較する。そして、モニタ部MONは、カウンタ値CVが暫定値RV0を超えた回数であるオーバー回数OVNと、カウンタ値CVが暫定値RV0以下の回数であるアンダー回数UNNとを計測し、計測した回数OVN、UNNを内部バスIBUSに出力する。CPUは、モニタ期間に、回数OVN、UNNをモニタし、回数OVN、UNNが互いに等しくなるように暫定値RV0を調整する。
実際には、回数OVN、EWNの違いが1以下の時、回数OVN、UNNが等しいと判断される。なお、回数OVN、EWNの違いが2または3以下の時、回数OVN、UNNが等しいと判断してもよい。CPUによる回数OVN、UNNのモニタと暫定値RV0の変更は、回数OVN、UNNが等しくなるまで繰り返される。そして、CPUは、回数OVN、UNNが等しくなったときの暫定値RV0を最終的な基準値RVとして基準値レジスタRVREGおよびフラッシュメモリFLASHのワークエリアに書き込む。
図6は、第3の実施形態におけるモニタ期間の動作の一例を示している。例えば、モニタ期間は、システムSYSのパワーオン時に設定される。あるいは、モニタ期間は、システムSYSが動作中に所定の頻度で設定される。モニタ期間がパワーオン時に設定される場合、暫定値RV0は、基準値レジスタRVREGに書き込まれなくてもよく、このとき、クロックイネーブル信号CKEは活性化状態(高レベル)に常時保持される。
例えば、モニタ期間は、図3に示した複数のタスク(四角で囲ったAP1)の少なくともいずれかの実行期間に対応する。すなわち、回数OVN、UNNのモニタは、1つのタスク単位で実施される。なお、モニタ期間を、タスク内の一部の期間に設定し、回数OVN、UNNのモニタを、1つのタスク内の一部の期間のみ実施してもよい。
暫定値RV0のラインより上側にある数字は、オーバー回数OVNを示し、暫定値RV0のラインより下側にある数字は、アンダー回数UNNを示している。この例では、暫定値RV0が比較的高く、オーバー回数OVNがアンダー回数UNNより少ない場合を示している。この場合、カウンタ値CVが暫定値RV0に達する前にアクセスコマンドCMDが出力されることが相対的に多く、第1の実施形態で述べたようにアクセスペナルティAPが多く発生する。一方、パワーダウンモードの期間の総和(CKEの低レベル期間の合計)は、相対的に長くなる。このため、SDRAMの消費電力は低くなるが、アクセス効率は低下する。
図7は、第3の実施形態におけるモニタ期間の動作の別の例を示している。図の表記方法は、図6と同じである。この例は、回数OVN、UNNが互いに等しく、CPUが最適な暫定値RV0を見つけた状態を示している。この場合、アクセスペナルティAPの頻度は、アクセスコマンドCMDの発生頻度のほぼ1/2であり、パワーダウンモードの期間の総和は比較的長い。すなわち、SDRAMの消費電力の削減効果と、アクセス効率の向上効果のバランスがよい。
図8は、第3の実施形態におけるモニタ期間の動作の別の例を示している。図の表記方法は、図6と同じである。この例では、暫定値RV0が比較的低く、オーバー回数OVNがアンダー回数UNNより多い場合を示している。この場合、カウンタ値CVが暫定値RV0に達する前にアクセスコマンドCMDが出力されることが相対的に少なく、アクセスペナルティAPの発生頻度は低い。一方、パワーダウンモードの期間の総和は、相対的に短くなる。このため、SDRAMの消費電力は高くなる反面、アクセス効率は向上する。この実施形態では、CPUは、複数のモニタ期間を利用して、図6または図8の状態から図7の状態になるように、基準値RVを調整していく。
以上、第3の実施形態においても、上述した第1および第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、モニタ期間に測定されたオーバー回数OVNおよびアンダー回数UNNにより、暫定値RV0を調整し、基準値RVにフィードバックすることにより、パワーオン毎あるいはアプリケーションプログラムの実行に応じて、パワーダウン制御を徐々に最適にできる。特に、モニタ期間を、システムSYSの動作中に所定の頻度で設定する場合、システムSYSの動作に応じてアプリケーションプログラムの実行状況が変わる場合にも、実行状況に追従して常に最適なパワーダウン制御を実施でき、半導体メモリの消費電力を削減できる。
図9は、第4の実施形態の動作の一例を示している。システムSYSの構成は、第1、第2または第3の実施形態と同じである。この例では、CPUは、2つのアプリケーションプログラムAP1、AP2を時分割で実行する(マルチタスク)。アプリケーションプログラムAP1、AP2は、フラッシュメモリFLASHに記憶され、パワーオン時にSDRAMに転送される。CPUは、SDRAMに記憶されたアプリケーションプログラムAP1、AP2を実行する。基準値RVは、アプリケーションプログラムAP1、AP2毎に独立に設定される。このために、フラッシュメモリFLASHには、複数の基準値RVを記憶する領域が割り当てられている。なお、CPUが実行するアプリケーションプログラムは、3つ以上でもよい。
CPUは、アプリケーションプログラムAP1、AP2の切り替え毎に、フラッシュメモリFLASHから対応する基準値RVを読み出し、基準値レジスタRVREGに書き込む。これにより、アプリケーションプログラムAP1、AP2毎に最適な基準値RVを設定できる。例えば、メモリコントローラSDRAMCが図5の場合(モニタ機能付き)、アクセスコマンドCMDの発生頻度のモニタも、アプリケーションプログラムAP1、A
P2毎に行われる。この場合、フラッシュメモリFLASHには、回数OVN、UNNを記憶する領域が割り当てられる。これにより、一方のアプリケーションプログラムのモニタ期間に、他方のアプリケーションプログラムの回数OVN、UNNを失うことなく保持できる。
P2毎に行われる。この場合、フラッシュメモリFLASHには、回数OVN、UNNを記憶する領域が割り当てられる。これにより、一方のアプリケーションプログラムのモニタ期間に、他方のアプリケーションプログラムの回数OVN、UNNを失うことなく保持できる。
以上、第4の実施形態においても、上述した第1、第2および第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、アプリケーションプログラムAP1、AP2毎に最適な基準値RVを設定できるため、アプリケーションプログラムAP1、AP2毎にアクセス効率を低下させることなく最適なパワーダウン制御を実施し、半導体メモリの消費電力を削減できる。さらに、最小限の数のモニタ部MONにより複数のアプリケーションプログラムAP1、AP2のそれぞれに最適な基準値RVを求めることができる。
図10は、本発明の第5の実施形態におけるメモリコントローラSDRAMCの詳細を示している。この実施形態のメモリコントローラSDRAMCは、第3の実施形態のメモリコントローラSDRAMCに複数組のモニタ部MON(MON1、MON2、...、MONn)、モニタレジスタMREG(MREG1、MREG2、...、MREGn)が形成されている。メモリコントローラSDRAMCを除く構成は、第3の実施形態と同じである。第1および第3の実施形態で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。
モニタレジスタMREG1、MREG2、...、MREGnは、内部バスIBUSを介して供給されるモニタ用の暫定値RV01、RV02、...、RV0nをそれぞれ保持する。暫定値RV01、RV02、...、RV0nは、例えば、フラッシュメモリFLASHに記憶されており、CPUが実行するプログラムによって設定される。
図11は、第5の実施形態におけるモニタ期間の動作の一例を示している。図では、メモリコントローラSDRAMCに3つのモニタ部MONと3つのモニタレジスタMREGが形成された例を示している。そして、モニタ期間に3つの暫定値RV01、RV01、RV02を用いて、3組の回数OVN1/UNN1、OVN2/UNN2、OVN3/UNN3が暫定値RV01、RV02、RV03毎に同時に測定される。これにより、図6、図7および図8に示した動作を同時に実行できる。
モニタ期間は、システムSYSのパワーオン時に設定され、あるいは、システムSYSが動作中に所定の頻度で設定される。暫定値RV01、RV02、RV03は、モニタ期間中に基準値レジスタRVREGに書き込まれない。この実施形態では、モニタ期間に暫定値RV01、RV02、RV03のうちから最適な値が判定され、この値が基準値レジスタRVREGに書き込まれる。モニタ期間の間、クロックイネーブル信号CKEは活性化状態(高レベルH)に保持される。
モニタ期間中に最適な基準値RVが求められない場合、オーバー回数OVNとアンダー回数UNNの差が最も小さい暫定値が、オーバー回数OVNとアンダー回数UNNが互いに等しい暫定値であると判定される。なお、モニタ期間中に最適な基準値RVが求められない場合、オーバー回数OVNとアンダー回数UNNが互いに等しくなるまで、暫定値RV01、RV02、RV03をずらしながら図に示した動作を再度実施してもよい。この実施形態では、CPUが実行するアプリケーションプログラムの数は、1つでもよく、複数でもよい。
以上、第5の実施形態においても、上述した第1、第2および第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、この実施形態では、最適な基準値RVを求めるための
モニタ動作を短期間に実行できる。これにより、システムSYSの動作期間におけるアプリケーションプログラムの実行頻度を向上でき、SDRAMの実質的なアクセス効率を向上できる。
モニタ動作を短期間に実行できる。これにより、システムSYSの動作期間におけるアプリケーションプログラムの実行頻度を向上でき、SDRAMの実質的なアクセス効率を向上できる。
なお、上述した実施形態では、本発明をSDRAMに適用する例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。本発明は、クロックイネーブル信号CKE等のパワー制御信号によりパワーダウンモードに移行するパワーダウンモードを有する他の半導体メモリを制御するメモリコントローラまたはシステムに適用できる。
以上の実施形態において説明した発明を整理して、付記として開示する。
(付記1)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリをアクセスするメモリコントローラであって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部とを備えていることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記2)
付記1記載のメモリコントローラにおいて、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してリセットされるカウンタを備え、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記3)
付記2記載のメモリコントローラにおいて、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測するモニタ部を備え、
前記基準値は、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定されることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記4)
付記3記載のメモリコントローラにおいて、
複数の暫定値にそれぞれ対応して設けられ、同時に動作する複数の前記モニタ部を備え、
前記基準値は、前記暫定値のいずれかに設定されることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記5)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリの制御方法であって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力し、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、
前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、
前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過し
たときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記6)
付記5記載の半導体メモリの制御方法において、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してカウンタ値をリセットし、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記7)
付記6記載の半導体メモリの制御方法において、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、
前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測し、
前記基準値を、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記8)
付記7記載の半導体メモリの制御方法において、
前記オーバー回数および前記アンダー回数を、複数の前記暫定値に対応してそれぞれ同時に計測し、
前記基準値を、前記暫定値のいずれかに設定することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記9)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリと、前記半導体メモリをアクセスするためのアクセス要求を出力するシステムコントローラと、前記アクセス要求を前記半導体メモリに出力するメモリコントローラとを備えたシステムであって、
前記メモリコントローラは、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部とを備えていることを特徴とするシステム。
(付記10)
付記9記載のシステムにおいて、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してリセットされるカウンタを備え、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とするシステム。
(付記11)
付記10記載のシステムにおいて、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測するモニタ部を備え、
前記基準値は、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定されることを特徴とするシステム。
(付記12)
付記11記載のシステムにおいて、
複数の暫定値にそれぞれ対応して設けられ、同時に動作する複数の前記モニタ部を備え、
前記基準値は、前記暫定値のいずれかに設定されることを特徴とするシステム。
(付記13)
付記10記載のシステムにおいて、
前記半導体メモリは、前記システムコントローラにより実行される複数のアプリケーションプログラムを記憶し、
前記基準値は、前記アプリケーションプログラムが切り替えられる毎に、前記アプリケーションプログラムに対応してそれぞれ設定されることを特徴とするシステム。
(付記1)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリをアクセスするメモリコントローラであって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部とを備えていることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記2)
付記1記載のメモリコントローラにおいて、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してリセットされるカウンタを備え、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記3)
付記2記載のメモリコントローラにおいて、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測するモニタ部を備え、
前記基準値は、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定されることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記4)
付記3記載のメモリコントローラにおいて、
複数の暫定値にそれぞれ対応して設けられ、同時に動作する複数の前記モニタ部を備え、
前記基準値は、前記暫定値のいずれかに設定されることを特徴とするメモリコントローラ。
(付記5)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリの制御方法であって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力し、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、
前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、
前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過し
たときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記6)
付記5記載の半導体メモリの制御方法において、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してカウンタ値をリセットし、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記7)
付記6記載の半導体メモリの制御方法において、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、
前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測し、
前記基準値を、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記8)
付記7記載の半導体メモリの制御方法において、
前記オーバー回数および前記アンダー回数を、複数の前記暫定値に対応してそれぞれ同時に計測し、
前記基準値を、前記暫定値のいずれかに設定することを特徴とする半導体メモリの制御方法。
(付記9)
パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリと、前記半導体メモリをアクセスするためのアクセス要求を出力するシステムコントローラと、前記アクセス要求を前記半導体メモリに出力するメモリコントローラとを備えたシステムであって、
前記メモリコントローラは、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部とを備えていることを特徴とするシステム。
(付記10)
付記9記載のシステムにおいて、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してリセットされるカウンタを備え、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とするシステム。
(付記11)
付記10記載のシステムにおいて、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測するモニタ部を備え、
前記基準値は、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定されることを特徴とするシステム。
(付記12)
付記11記載のシステムにおいて、
複数の暫定値にそれぞれ対応して設けられ、同時に動作する複数の前記モニタ部を備え、
前記基準値は、前記暫定値のいずれかに設定されることを特徴とするシステム。
(付記13)
付記10記載のシステムにおいて、
前記半導体メモリは、前記システムコントローラにより実行される複数のアプリケーションプログラムを記憶し、
前記基準値は、前記アプリケーションプログラムが切り替えられる毎に、前記アプリケーションプログラムに対応してそれぞれ設定されることを特徴とするシステム。
以上、本発明について詳細に説明してきたが、上記の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。
本発明は、パワーダウンモードを有する半導体メモリのアクセスを制御するメモリコントローラおよびシステムに適用可能である。
AI/O‥オーディオインタフェース;CLKG‥クロック生成部;CKEC‥クロックイネーブル制御部;CKEG‥クロックイネーブル生成部;COMP‥比較部;COUNT‥カウンタ;DISP‥ディスプレイ;FLASH‥フラッシュメモリ;MCA‥メモリカードアダプタ;MCCNT‥メモリカードコントローラ;MCNT‥メモリコントローラ;OPC‥動作制御部;RVREG‥基準値レジスタ;SDRAMC‥メモリコントローラ;SPK‥スピーカ;SYS‥システム;VDC‥ビデオ表示コントローラ
Claims (5)
- パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリをアクセスするメモリコントローラであって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部と
を備えていることを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1記載のメモリコントローラにおいて、
クロック信号のパルス数をカウントし、前記アクセス要求に応答してリセットされるカウンタを備え、
前記所定時間は、前記カウンタのカウンタ値が予め設定された基準値に達するまでの時間であることを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項2記載のメモリコントローラにおいて、
所定数のアクセス要求が発生するモニタ期間において、前記アクセス要求毎に前記カウンタ値をモニタし、前記カウンタ値が暫定値を超える回数であるオーバー回数と前記カウンタ値が前記暫定以下の回数であるアンダー回数とを計測するモニタ部を備え、
前記基準値は、前記モニタ部の計測結果に基づいて、前記オーバー回数と前記アンダー回数が等しくなるときの前記暫定回数に設定されることを特徴とするメモリコントローラ。 - パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリの制御方法であって、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力し、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、
前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、
前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化することを特徴とする半導体メモリの制御方法。 - パワー制御信号の非活性中にパワーダウンモードに移行する半導体メモリと、前記半導体メモリをアクセスするためのアクセス要求を出力するシステムコントローラと、前記アクセス要求を前記半導体メモリに出力するメモリコントローラとを備えたシステムであって、
前記メモリコントローラは、
システムコントローラから供給されるアクセス要求に応答して半導体メモリにアクセス制御信号を出力する動作制御部と、
前記アクセス要求に応答する半導体メモリのアクセス動作の完了に応答して前記パワー制御信号を非活性化し、前記アクセス要求から所定時間内に次のアクセス要求がある場合に前記次のアクセス要求に同期して前記パワー制御信号を活性化し、前記アクセス要求の完了後であって前記次のアクセス要求の前に前記所定時間が経過したときに前記所定時間
の経過に同期して前記パワー制御信号を活性化するパワー制御部と
を備えていることを特徴とするシステム。
Priority Applications (1)
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JP2007059939A JP2008225624A (ja) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | メモリコントローラ、半導体メモリの制御方法およびシステム |
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Publications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010286899A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Canon Inc | メモリ制御回路 |
JP2011003028A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Canon Inc | 制御装置及び制御方法 |
JP2011008430A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Canon Inc | メモリ制御回路 |
JP2014059635A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 制御装置および制御装置のデータ漏洩防止方法 |
JP2022511629A (ja) * | 2018-10-16 | 2022-02-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ダイナミックランダムアクセスメモリランクのパワーダウンモードの投機的な終了 |
-
2007
- 2007-03-09 JP JP2007059939A patent/JP2008225624A/ja not_active Withdrawn
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