JP2008225037A - 電気泳動式表示パネルの封止構造 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＦＴ基板３と接続用基板２との接着及び電気的接続が良好になされ、しかも、
接続用基板２を汚損することのない電気泳動式表示パネルの封止構造を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴ基板３上に配置され、マイクロカプセル表示層を有する前面板６の周
縁端部を封止するように、ＴＦＴ基板３の周縁部に封止材８を被着した電気泳動式表示パ
ネル１の封止構造である。ＴＦＴ基板３の周縁部に被着された封止材８は、ＴＦＴ基板３
の背面に接着された接続用基板２の表面にさらに被着されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気泳動式表示パネルの封止構造に関し、詳しくは、ＴＦＴ層を有するＴＦ
Ｔ基板と、マイクロカプセル表示層を有する前面板とを備えた電気泳動式表示パネルの封
止構造に関する。

フラットパネル表示装置の一つとして、分散媒中に分散された荷電粒子を電気泳動させ
ることにより表示を行う電気泳動式表示パネル（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）が
ある。この電気泳動式表示パネルは、液晶表示パネルに比べ、高コントラスト、広視野角
、低消費電力であるという利点を有している。

この電気泳動式表示パネルでは、透明溶媒が満たされたマイクロカプセル中にそれぞれ
正、負に帯電した白色粒子と黒色粒子を入れ、外部電圧の印加によって各粒子を各種情報
を表示するパネル表示面に引き上げ、画像が形成される。

この電気泳動式表示パネルは、マイクロカプセルが透明なバインダに分散された状態で
ＩＴＯ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極を有する透明樹脂膜に塗布され
ることにより、マイクロカプセル表示層を表層に有する前面板を備えている。この前面板
には、複数の画素がマトリクス状に配列され、各画素がスイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）によって駆動されるようにしたＴＦＴ層を
表層に有するＴＦＴ基板が積層配置される（特許文献１参照）。そして、各画素と透明電
極との間に電圧が印加され、表示パネルがアクティブマトリクス方式で駆動され、前面板
に各種情報が表示される。

図５に示す従来構造の電気泳動式表示パネル１´では、ＴＦＴ基板３上の接続電極３ａ
に電気的に接続される接続用基板としてのフレキシブル基板２ａが、ＴＦＴ基板３の背面
に異方性導電材からなる接着層９を介して積層されており、このフレキシブル基板２ａは
、さらに外部の制御回路にコネクタを介して接続される。この表示パネル１´では、ＴＦ
Ｔ基板３と透明な保護樹脂との間に、前面板６の周縁端部を封止するように封止材８が塗
布されている。

こうした電気泳動式表示パネル１´では、ＴＦＴ基板３とフレキシブル基板２ａとの接
着が強固になされていること、ＴＦＴ基板３とフレキシブル基板２ａとの電気的接続のた
めの熱、超音波、圧力等が効率よくフレキシブル基板２ａからＴＦＴ基板３に伝わること
、ＴＦＴ基板３とフレキシブル基板２ａ間を接着するための接着剤が、フレキシブル基板
２ａ上の電気配線を汚損しないことが要求される。
特開２００５−１１４８２２号公報

しかしながら、ＴＦＴ基板３とフレキシブル基板２ａを液状の接着剤を用いて接着する
場合は、この接着剤が基板表面で流動して広がりやすく、フレキシブル基板２ａの汚損の
問題を解消することは困難である。また、例えば、両面テープ等の固形状の接着材料を用
いると、接着力が不足して基板間に剥離が発生する場合がある。また、塗布する接着剤の
厚さが厚すぎると両基板３，２ａの電気的接続のために必要な熱、超音波、圧力等が、フ
レキシブル基板２ａからＴＦＴ基板３へ十分に伝わらず、電気的接続の不良の原因となる
ことがある。

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その
目的は、ＴＦＴ基板と接続用基板との接着及び電気的接続が良好になされ、しかも、接続
用基板上の電気配線を汚損することのない電気泳動式表示パネルの封止構造を提供するこ
とにある。

上記目的を達成するために、電気泳動式表示パネルの封止構造に係る本発明は、ＴＦＴ
基板の前面側に配置され、マイクロカプセル表示層を有する前面板の周縁端部を封止する
ように、前記ＴＦＴ基板の周縁部に封止材を被着した電気泳動式表示パネルの封止構造に
おいて、前記ＴＦＴ基板の周縁部に被着された封止材は、当該ＴＦＴ基板の背面に接着さ
れた接続用基板の表面にさらに被着されている。

この構成によれば、マイクロカプセル表示層を有する前面板の周縁端部、ＴＦＴ基板の
周縁部、及び接続用基板の表面に被着された封止材によって前面板の周縁端部が封止され
るとともに、ＴＦＴ基板と接続用基板とが良好に接着されるようになる。また、このよう
にＴＦＴ基板と接続用基板とが良好に接着されるので、両基板を接着するための接着層を
薄くすることができるようになり、両基板の電気的接続のために必要な熱、超音波、圧力
等が接続用基板から当該接着層を介してＴＦＴ基板に良好に伝わるようになる。さらに、
接続用基板の表面に被着される封止材は、自己硬化性を有するので、接続用基板の表面で
流動して当該基板上の電気配線を汚損することもない。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記接続用基板の表面に被
着された封止材は、当該接続用基板を貫通したスルーホール内に充填されていることが好
ましい。

この構成によれば、ＴＦＴ基板の周縁部に被着された封止材が、接続用基板の表面に被
着されるのみならず、当該接続用基板を貫通したスルーホール内にも充填されているので
、ＴＦＴ基板と接続用基板との接着がさらに強固になる。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記接続用基板を貫通した
スルーホールが、前記ＴＦＴ基板と反対側に拡径した座繰り部を有していることが好まし
い。

この構成によれば、接続用基板に形成されたスルーホールの座繰り部に封止材が充填さ
れるので、当該座繰り部に充填された封止材によって抜け止めの効果が得られ、ＴＦＴ基
板と接続用基板との接着がさらに強固になる。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記接続用基板を貫通した
スルーホール内に充填された封止材が、当該接続用基板の端面から露出していることが好
ましい。

この構成によれば、封止材が充填された接続用基板の貫通孔が、電気泳動式表示パネル
の最も外周となる周縁端部に位置するので、両基板の界面における剥離が効果的に防止さ
れるとともに、電気泳動式表示パネルの小型化にも有効となる。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記接続用基板の表面に被
着された封止材は、当該接続用基板に形成された有底穴内に充填されていることが好まし
い。

この構成によれば、ＴＦＴ基板の周縁部に被着された封止材が、接続用基板の表面に被
着されるのみならず、当該接続用基板に設けられた有底穴内にも充填されているので、Ｔ
ＦＴ基板と接続用基板との接着がさらに強固になる。しかも、当該封止材は、その充填時
に接続用基板の有底穴を通して当該接続用基板の裏面側に周り込むことがないので、接続
用基板の裏面の電気配線を汚損することがない。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記接続用基板の表面に被
着された封止材は、当該接続用基板の少なくとも一辺に沿う周縁部全域に亘って被着され
ていることが好ましい。

この構成によれば、接続用基板の少なくとも一辺に沿う周縁部全域に亘って封止材が被
着されているので、この領域において前面板の周縁端部が効果的に封止されるとともに、
ＴＦＴ基板と接続用基板との接着が強固になる。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記前面板、ＴＦＴ基板、
及び接続用基板を貫通した貫通孔が設けられ、この貫通孔にリング状の封止材が被着され
ていることが好ましい。

この構成によれば、前面板、ＴＦＴ基板、及び接続用基板を貫通した貫通孔に被着され
たリング状の封止材によって抜け止めの効果が得られ、ＴＦＴ基板と接続用基板との接着
がさらに強固になる。

また、本発明の電気泳動式表示パネルの封止構造において、前記リング状の封止材は、
前記接続用基板を貫通したスルーホール内に延在して充填されていることが好ましい。
この構成によれば、スルーホール内に充填された封止材によって抜け止めの効果が増強
され、ＴＦＴ基板と接続用基板との接着がさらに強固になる。

以下、本発明に係る電気泳動式表示パネルの封止構造を、アナログ式腕時計用の表示パ
ネル（以下、単に「表示パネル」という。）に具体化した各実施形態を図面に基づいて説
明する。

〔第１実施形態〕
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル１は、平面視矩形状に形成され
ており、外部回路とコネクタ等を介して電気的に接続される接続用基板２と、この接続用
基板２に背面が貼り付けられ、電気的に接続されるとともに、複数の画素がマトリクス状
に配列され、各画素がスイッチング素子としての薄膜トランジスタによってアクティブマ
トリクス駆動されるようにしたＴＦＴ層（図示せず）を表層に有するＴＦＴ基板３と、こ
のＴＦＴ基板３の前面側にＴＦＴ層にマイクロカプセル表示層が近接するように配置され
、このマイクロカプセル表示層（図示省略）を表層に有する前面板６と、この前面板６上
に配置され、当該前面板６を保護するとともに表示面を構成するカバーガラス７とを備え
ている。

また、図１（ｂ）に示すように、表示パネル１の中央部には、アナログ式腕時計の時針
・秒針の指針軸が挿通される貫通孔１０が、厚さ方向に貫通して形成されている。この貫
通孔１０は、カバーガラス７を貫通した第１貫通孔１ｈと、前面板６及びＴＦＴ基板３を
貫通した第１孔部１ｓに被着されたリング状の封止材８の中央部に設けられた第２貫通孔
２ｈと、接続用基板２を厚さ方向に貫通した第３貫通孔３ｈが同心に連通することで構成
されている。尚、この表示パネル１においては、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との間に、
両基板３，２を接着する接着層４が介在されている。

また、図１（ｂ）に示すように、表示パネル１の右端部には、ＴＦＴ基板３と接続用基
板２とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ５，…が設けられている。
さらに、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板３の周縁部には、前面板６
の周縁端部を封止するように、封止材８が被着しており、この封止材８は、ＴＦＴ基板３
の背面に貼り付けられた接続用基板２の表面にさらに被着されている。そして、複数のボ
ンディングワイヤ５，…は、封止材８中に埋設された状態となっている。このように、封
止材８によって、前面板６の周縁端部が封止されることで、湿潤な環境に弱いマイクロカ
プセル表示層に水蒸気等の水分が浸入してその電気的特性が劣化することが効果的に防止
される。尚、図１（ａ）に示す表示パネル１においては、接続用基板２の表面に被着され
た封止材８は、当該接続用基板２の四辺に沿うように、且つ、前面板６の周縁端部を全て
封止するように、接続用基板２の周縁部全域に亘って被着されている。このように、接続
用基板２の少なくとも一辺に沿う周縁部全域に亘って封止材８が被着されていることで、
この領域において前面板６の周縁端部が効果的に封止されるとともに、ＴＦＴ基板３と接
続用基板２との接着が強固になる。

本実施形態の表示パネル１の封止構造では、このような封止材８として、防湿性（水蒸
気遮断性）とガラス質の材料やガラスエポキシ樹脂等からなるプリント基板との接着性の
両方に優れ、自己硬化性を有する素材が使用でき、具体的には、熱硬化型の一液性エポキ
シ系樹脂を用いることが好ましいが、エポキシ系樹脂に限らず、その他の樹脂、例えば、
アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂等を用いることもできるし、熱硬化
型に限らず、二液混合硬化型のものや、紫外線硬化型のものを用いることができる。

本実施形態の表示パネル1の封止構造によれば、以下のような効果が得られるようにな
る。
（１）本実施形態によれば、マイクロカプセル表示層を有する前面板６の周縁端部、Ｔ
ＦＴ基板３の周縁部、及び接続用基板２の表面に被着された封止材８によって前面板６の
周縁端部が封止されるとともに、ＴＦＴ基板３と接続用基板２とが良好に接着されるよう
になる。

（２）しかも、ＴＦＴ基板３と接続用基板２とが良好に接着されるので、両基板３，２
を接着するための接着層４を薄くすることができるようになり、両基板３，２の電気的接
続のために必要な熱、超音波、圧力等が接続用基板２から当該接着層４を介してＴＦＴ基
板３に良好に伝わるようになる。

（３）さらに、接続用基板２の表面に被着される封止材８は、自己硬化性を有するので
、接続用基板２の表面で流動して当該基板２上の電気配線を汚損することもない。
（４）また、接続用基板２の四辺に沿う周縁部全域に亘って封止材８が被着されている
ので、この領域において前面板６の周縁端部が効果的に封止されるとともに、ＴＦＴ基板
３と接続用基板２との接着が強固になる。

〔第２実施形態〕
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す本実施形態の表示パネル１ａの封止構造においては、
外部回路とコネクタ等を介して電気的に接続される接続用基板２の表面に被着された封止
材８が、当該接続用基板２を貫通した複数のスルーホール２ｓａ，…内に充填されている
以外は、第１実施形態の表示パネル１、及びその封止構造と同様であり、共通する箇所に
ついては同一又は対応する符号を付してその説明を省略する。

詳しくは、図２（ａ）（ｉ）〜図２（ａ）（ｉｉｉ）に示すように、本実施形態に係る
表示パネル１ａでは、接続用基板２の周縁部において複数の円筒形のスルーホール２ｓａ
，…が当該接続用基板２を貫通して形成されている。そして、各スルーホール２ｓａ内に
は、接続用基板２の表面に被着された封止材８が充填されている。尚、図２（ａ）（ｉｉ
ｉ）に示す表示パネル１ａでは、接続用基板２のスルーホール２ｓａ，…内に充填された
封止材８が、当該接続用基板２の端面から露出している。即ち、これら複数のスルーホー
ル２ｓａ，…の内、接続用基板２の周縁端部に位置したスルーホール２ｓａ，…は、その
底面の直径で分割され、半円筒形とされており、接続用基板２の周縁端部においては、当
該スルーホール２ｓａ，…内に半円柱形の封止材８が充填された状態となっている。

このような表示パネル１ａは、例えば、以下のようにして作製することができる。
図２（ｂ）（ｉ）及び図２（ｂ）（ｉｉ）に示すように、複数のスルーホール２ｓａ，
…を有する接続用基板２上に、接着層４を介してＴＦＴ層を表層に有するＴＦＴ基板３を
積層し、さらにＴＦＴ基板３上に、ＴＦＴ層にマイクロカプセル表示層が近接するように
前面板６を積層する。さらに、前面板６上にカバーガラス７を積層した後、接続用基板２
とカバーガラス７の間に、前面板６の周縁端部を封止するとともに、ＴＦＴ基板３の周縁
部に被着するように、かつ、接続用基板２とＴＦＴ基板３の隙間２ｂ内及び各スルーホー
ル２ｓａ，…内に充填されるように、ディスペンサ等を用いて封止材８を塗布する。

次に、図２（ｂ）（ｉ）及び図２（ｂ）（ｉｉ）のＢ−Ｂ線に沿って、ダイシング装置
等を用いて上記した接続用基板２を切断する。この際、接続用基板２とともに、余分な封
止材８が切断される。

本実施形態の表示パネル１ａの封止構造によれば、第１実施形態で得られる効果に加え
て、さらに以下のような効果が得られるようになる。
（１）本実施形態によれば、ＴＦＴ基板３の周縁部に被着された封止材８が、接続用基
板２の表面に被着されるのみならず、当該接続用基板２を貫通した複数のスルーホール２
ｓａ，…内にも充填されるので、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との接着がさらに強固にな
る。

（２）しかも、封止材８が充填された接続用基板２のスルーホール２ｓａ，…が、表示
パネル１ａの最も外周となる周縁端部に位置するので、両基板３，２の界面における剥離
が効果的に防止されるとともに、表示パネル１ａの小型化にも有効となる。

尚、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・本実施形態では、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との接着を強化すべく、ＴＦＴ基板３
の周縁部に被着された封止材８が充填されるスルーホール２ｓａ，…は、接続用基板２を
貫通したものとした。しかし、これに限られず、ＴＦＴ基板３の周縁部に被着された封止
材８が充填される孔は、接続用基板２を貫通しない有底穴であってもよい。この構成によ
れば、ＴＦＴ基板３の周縁部に被着された封止材８が、接続用基板２の表面に被着される
のみならず、当該接続用基板２に設けられた有底穴内にも充填されているので、ＴＦＴ基
板３と接続用基板２との接着がさらに強固になる。しかも、当該封止材８は、その充填時
に接続用基板２の有底穴を通して当該接続用基板２の裏面側（ＴＦＴ基板３と反対側）に
周り込むことがないので、接続用基板２の裏面の電気配線を汚損することがない。

〔第３実施形態〕
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態では、第２実施形態で接続用基板
２に形成した複数の円筒形のスルーホール２ｓａ，…に代えて、接続用基板２に形成され
、ＴＦＴ基板３と反対側に拡径した座繰り部を有した複数のスルーホール２ｓｂ，…とし
ている。

詳しくは、図３（ａ）（ｉ）〜図３（ａ）（ｉｉｉ）に示すように、本実施形態に係る
表示パネル１ｂでは、接続用基板２の周縁部において複数のスルーホール２ｓｂ，…が当
該接続用基板２を貫通して形成されている。各スルーホール２ｓｂは、ＴＦＴ基板３と反
対側に拡径した座繰り部を有している。そして、各スルーホール２ｓｂ内には、接続用基
板２の表面に被着された封止材８が充填されている。尚、図３（ａ）（ｉｉｉ）に示す表
示パネル１ｂでは、接続用基板２のスルーホール２ｓｂ，…内に充填された封止材８が、
当該接続用基板２の端面から露出している。即ち、これら複数のスルーホール２ｓｂ，…
の内、接続用基板２の周縁端部に位置したスルーホール２ｓｂ，…は、その底面の直径で
分割された形状となっており、接続用基板２の周縁端部においては、当該スルーホール２
ｓｂ，…内にＴＦＴ基板３と反対側に拡径するように封止材８が充填された状態となって
いる。

このような表示パネル１ｂは、例えば、以下のようにして作製することができる。
図３（ｂ）（ｉ）及び図３（ｂ）（ｉｉ）に示すように、複数のスルーホール２ｓｂ，
…を有する接続用基板２上に、接着層４を介してＴＦＴ層を表層に有するＴＦＴ基板３を
積層し、さらにＴＦＴ基板３上に、ＴＦＴ層にマイクロカプセル表示層が近接するように
前面板６を積層する。さらに、前面板６上にカバーガラス７を積層した後、接続用基板２
とカバーガラス７の間に、前面板６の周縁端部を封止するとともに、ＴＦＴ基板３の周縁
部に被着するように、かつ、接続用基板２とＴＦＴ基板３との間に形成された隙間２ｂ内
及び各スルーホール２ｓｂ，…内に充填されるように、ディスペンサ等を用いて封止材８
を塗布する。

次に、図３（ｂ）（ｉ）及び図３（ｂ）（ｉｉ）のＢ−Ｂ線に沿って、ダイシング装置
等を用いて上記した接続用基板２を切断する。この際、接続用基板２とともに、余分な封
止材８が切断される。

本実施形態の表示パネル１ｂの封止構造によれば、第１及び第２実施形態で得られる効
果に加えて、さらに以下のような効果が得られるようになる。
（１）本実施形態によれば、接続用基板２に形成されたスルーホール２ｓｂ，…の座繰
り部に封止材８が充填されるので、当該座繰り部に充填された封止材８によって抜け止め
の効果が得られ、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との接着がさらに強固になる。

〔第４実施形態〕
図４（ａ）に示す本実施形態に係る表示パネル１ｃにおいては、表示パネル１ｃの中央
部に設けられ、アナログ式腕時計の時針・秒針の指針軸が挿通される貫通孔１０ａの周辺
構造が異なる以外は、第１実施形態の表示パネル１、及びその封止構造と同様であり、共
通する箇所については同一又は対応する符号を付してその説明を省略する。

図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル１ｃでは、前面板６、ＴＦＴ基
板３、及び接続用基板２を貫通して、アナログ式腕時計の時針・秒針の指針軸が挿通され
る貫通孔１０ａが設けられ、この貫通孔１０ａにリング状の封止材８が被着されている。
この貫通孔１０ａは、カバーガラス７を貫通した第１貫通孔１ｈと、前面板６及びＴＦＴ
基板３を貫通した第１孔部１ｓ及び接続用基板２を貫通した第３貫通孔３ｈに被着された
リング状の封止材８の中央部に設けられた第２貫通孔２ｈとが同心に連通することで構成
されている。尚、図４（ａ）に示す表示パネル１ｃの封止構造においては、貫通孔１０ａ
に被着されたリング状の封止材８は、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との間に形成された隙
間２ｂ内にも延在して充填されている。

本実施形態の表示パネル１ｃの封止構造によれば、第１実施形態で得られる効果に加え
て、さらに以下のような効果が得られるようになる。
（１）本実施形態によれば、前面板６、ＴＦＴ基板３、及び接続用基板２を貫通した貫
通孔１０ａが設けられ、この貫通孔１０ａにリング状の封止材８が被着されているので、
このリング状の封止材８によって抜け止めの効果が得られ、ＴＦＴ基板３と接続用基板２
との接着がさらに強固になる。

尚、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・本実施形態では、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との間に形成された隙間２ｂの下部領
域には、接続用基板２を貫通するスルーホールが存在しない構造としたが、図４（ｂ）に
示すように、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との間に形成された隙間２ｂの下部領域に、接
続用基板２を貫通する複数のスルーホール２ｓｃ，…を設け、さらに各スルーホール２ｓ
ｃ内に、貫通孔１０ａに被着されたリング状の封止材８が延在して充填されている封止構
造としてもよい。これによれば、各スルーホール２ｓｃ内に充填された封止材８によって
抜け止めの効果が増強され、ＴＦＴ基板３と接続用基板２との接着がさらに強固になる。

第１実施形態の表示パネルの封止構造を示す図であり、（ａ）は、同表示パネルの全体平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｃ）は、同表示パネルの隅部の拡大断面図。 第２実施形態の表示パネルの封止構造を示す図であり、（ａ）（ｉ）は、同表示パネルの隅部の平面図、（ａ）（ｉｉ）は、（ａ）（ｉ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、（ａ）（ｉｉｉ）は、（ａ）（ｉｉ）のＣ方向の矢視端面図、（ｂ）（ｉ）は、同表示パネルの製作段階における積層体の平面図、（ｂ）（ｉｉ）は、同積層体の要部断面図。 第３実施形態の表示パネルの封止構造を示す図であり、（ａ）（ｉ）は、同表示パネルの隅部の平面図、（ａ）（ｉｉ）は、（ａ）（ｉ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、（ａ）（ｉｉｉ）は、（ａ）（ｉｉ）のＣ方向の矢視端面図、（ｂ）（ｉ）は、同表示パネルの製作段階における積層体の平面図、（ｂ）（ｉｉ）は、同積層体の要部断面図。 第４実施形態及び同実施形態の変更例の表示パネルの封止構造を示す図であり、（ａ）は、同表示パネルの要部断面図、（ｂ）は、同実施形態の変更例に係る表示パネルの要部断面図。 従来例に係る表示パネルの要部断面図。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，１ｃ 表示パネル、２ 接続用基板、２ｓａ，２ｓｂ，２ｓｃ スル
ーホール、３ ＴＦＴ基板、４ 接着層、５ ボンディングワイヤ、６ 前面板、７ カ
バーガラス、８ 封止材、１０，１０ａ 貫通孔。

Claims (8)

1. ＴＦＴ基板の前面側に配置され、マイクロカプセル表示層を有する前面板の周縁端部を
   封止するように、前記ＴＦＴ基板の周縁部に封止材を被着した電気泳動式表示パネルの封
   止構造において、
   前記ＴＦＴ基板の周縁部に被着された封止材は、当該ＴＦＴ基板の背面に接着された接
   続用基板の表面にさらに被着されていることを特徴とする電気泳動式表示パネルの封止構
   造。
2. 前記接続用基板の表面に被着された封止材は、当該接続用基板を貫通したスルーホール
   内に充填されている請求項１に記載の電気泳動式表示パネルの封止構造。
3. 前記接続用基板を貫通したスルーホールが、前記ＴＦＴ基板と反対側に拡径した座繰り
   部を有している請求項２に記載の電気泳動式表示パネルの封止構造。
4. 前記接続用基板を貫通したスルーホール内に充填された封止材が、当該接続用基板の端
   面から露出している請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電気泳動式表示パネルの封止
   構造。
5. 前記接続用基板の表面に被着された封止材は、当該接続用基板に形成された有底穴内に
   充填されている請求項１に記載の電気泳動式表示パネルの封止構造。
6. 前記接続用基板の表面に被着された封止材は、当該接続用基板の少なくとも一辺に沿う
   周縁部全域に亘って被着されている請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電気泳動式表
   示パネルの封止構造。
7. 前記前面板、ＴＦＴ基板、及び接続用基板を貫通した貫通孔が設けられ、この貫通孔に
   リング状の封止材が被着されている請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電気泳動式表
   示パネルの封止構造。
8. 前記リング状の封止材は、前記接続用基板を貫通したスルーホール内に延在して充填さ
   れている請求項７に記載の電気泳動式表示パネルの封止構造。

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