JP2008216885A - 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 - Google Patents
分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008216885A JP2008216885A JP2007057306A JP2007057306A JP2008216885A JP 2008216885 A JP2008216885 A JP 2008216885A JP 2007057306 A JP2007057306 A JP 2007057306A JP 2007057306 A JP2007057306 A JP 2007057306A JP 2008216885 A JP2008216885 A JP 2008216885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- blade
- substrate
- light
- aperture blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】上側アパーチャブレードを移動させずに移動速度が速い下側アパーチャブレードだけを移動させて、アパーチャブレードの移動に要する時間を短縮して生産性を向上させることができる分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置を提供する。
【解決手段】分割逐次近接露光装置PEは、制御装置80によって、基板W及びマスクMに基づいて、複数の所定位置毎に下側及び上側アパーチャブレード70、71、83、84のブレード位置を算出し、下側アパーチャブレード70、71及び上側アパーチャブレード83、84のブレード位置が所定領域内であると判断したとき、上側アパーチャブレード83、84を移動させることなく、下側アパーチャブレード70、71だけを移動させて露光範囲を制限する。
【選択図】図6
【解決手段】分割逐次近接露光装置PEは、制御装置80によって、基板W及びマスクMに基づいて、複数の所定位置毎に下側及び上側アパーチャブレード70、71、83、84のブレード位置を算出し、下側アパーチャブレード70、71及び上側アパーチャブレード83、84のブレード位置が所定領域内であると判断したとき、上側アパーチャブレード83、84を移動させることなく、下側アパーチャブレード70、71だけを移動させて露光範囲を制限する。
【選択図】図6
Description
本発明は、分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置に関し、より詳細には、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイの基板上にマスクの露光パターンを分割逐次近接露光(プロキシミティ露光)する分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置に関する。
分割逐次近接露光は、表面に感光剤を塗布した透光性の基板(被露光材)を基板ステージ上に保持すると共に、基板をマスクステージのマスク保持枠に保持されたマスクに接近させ、両者を所定のギャップ、例えば、数10μm〜数100μmにした状態で両者を静止させ、次いで、マスクの基板から離間する側から照射手段によってパターン露光用の光をマスクに向けて照射することにより、マスクに描かれた露光パターンを基板上に転写するようにしている。
特に、大型基板上にマスクのパターンを露光転写する場合には、基板より小さいマスクを用い、マスクを基板に近接して対向配置した状態で基板ステージをマスクに対してステップ移動させて各ステップ毎にパターン露光光を照射し、これにより、マスクに描かれた複数のパターンを基板上に露光転写する、ステップ式の近接露光方式が用いられる場合がある。
このような露光を行なう分割逐次近接露光装置においては、マスクステージのマスク保持枠に保持されたマスク上の任意の範囲の露光光を必要に応じて遮光することで露光領域を制限するアパーチャブレードを有するマスクアパーチャ機構を備えたものが知られている。このアパーチャブレードは、露光と遮光との範囲の境界部を鮮明にするために極力マスクに接近させた位置に設置される。
また、マスクアパーチャ機構による遮光範囲を拡大して種々の大きさの基板に対応するためには、アパーチャブレードを大型化する必要がある。しかしながら、極力マスクに接近して配置されたアパーチャブレードの上方には、基板(又は基板ステージ)側のアライメントマークとマスク側のアライメントマークとのずれ等を検出するためのアライメントカメラや、基板とマスクとのすき間寸法を測定するギャップセンサ等の他のユニットがマスクに近接配置されている。このため、アパーチャブレードを大型化すると該アパーチャブレードがこれらのユニットの検出領域と干渉して機能を阻害することになる。その結果、スペース的制約でアパーチャブレードの大きさに限界があり、遮光範囲に限界があった。
このため、アパーチャブレードを2つに分け、マスクに接近させて配置する帯状の下側アパーチャブレードと、マスクから離れて配置する平板状の上側アパーチャブレードとで、露光範囲を制限するマスクアパーチャ機構が提案されている(例えば、特許文献1及び2参照)。
特許文献1に記載のマスクアパーチャ機構は、マスクに近接配置された主ブレードと、アームによって主ブレードと一体に連結されてマスクの表面からの距離が主ブレードより離れて配置された副ブレードとを備え、主ブレード及び副ブレードの遮光領域が重なるように配置されている。また、特許文献2に記載の露光用シャッタは、同様に、マスクに接近させて配置される帯状シャッタと、マスクから離間して配置される平板状シャッタを備えることが記載されている。
特開2004−62079号公報
特開2005−140936号公報
ところで、特許文献1及び2のような従来のマスクアパーチャ機構1では、図11に示すように(左側部分のみを示す)、マスク保持枠4に保持されているマスクMに対して、左右の上側アパーチャブレード(副ブレード、平板状シャッタ)2及び下側アパーチャブレード(主ブレード、帯状シャッタ)3が、図中水平方向に移動自在に対向配置されている。露光転写は、マスクMと基板(図示せず)とを相対的に移動させて複数の所定位置に順次対向させ、且つ左右のブレードを移動させて遮光部分を覆い、所定の露光パターンに露光光を照射して行なわれる。
このとき、下側アパーチャブレード3の遮光領域BAが、マスクMを保持するマスク保持枠4と一部が重なっていて、上側アパーチャブレード2による遮光が不要となる場合がある。このように上側アパーチャブレード2の遮光作用が不要となる場合でも、特許文献1に記載のマスクアパーチャ機構1は、上側アパーチャブレード(主ブレード)2と下側アパーチャブレード(副ブレード)3とが一体に構成されているので、上側アパーチャブレード2を移動させざるを得ない。また、特許文献2に記載の露光用シャッタ1も、上側アパーチャブレード(平板状シャッタ)2と下側アパーチャブレード(帯状シャッタ)3とが連動して移動するように記載されており、上側アパーチャブレード2も同時に移動する。
しかしながら、上側アパーチャブレード2は、非常に大きな平板によって構成されているため、高速での移動が難しく、比較的長い移動時間を必要とする。このため、上側アパーチャブレード2による遮光が不要となる場合にも左右の上側アパーチャブレード2を移動させると、タクトタイムが長くなって生産性を阻害する問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、上側アパーチャブレードを移動させずに移動速度が速い下側アパーチャブレードだけを移動させて、アパーチャブレードの移動に要する時間を短縮して生産性を向上させることができる分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の方法により達成される。
(1) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置を用いた分割逐次近接露光方法であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出する工程と、
前記各所定位置での露光時に、前記算出工程に基づいて、前記下側及び上側アパーチャブレードの少なくとも一方を移動する工程と、
を備え、
前記移動工程は、前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動することを特徴とする分割逐次近接露光方法。
(2) 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする上記(1)に記載の分割逐次近接露光方法。
(3) 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする上記(1)に記載の分割逐次近接露光方法。
(1) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置を用いた分割逐次近接露光方法であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出する工程と、
前記各所定位置での露光時に、前記算出工程に基づいて、前記下側及び上側アパーチャブレードの少なくとも一方を移動する工程と、
を備え、
前記移動工程は、前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動することを特徴とする分割逐次近接露光方法。
(2) 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする上記(1)に記載の分割逐次近接露光方法。
(3) 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする上記(1)に記載の分割逐次近接露光方法。
また、本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(4) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出し、前記各所定位置での露光時に、前記算出した前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動するように制御する制御装置を備えたことを特徴とする分割逐次近接露光装置。
(5) 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする上記(4)に記載の分割逐次近接露光装置。
(6) 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする上記(5)に記載の分割逐次近接露光装置。
(4) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出し、前記各所定位置での露光時に、前記算出した前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動するように制御する制御装置を備えたことを特徴とする分割逐次近接露光装置。
(5) 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする上記(4)に記載の分割逐次近接露光装置。
(6) 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする上記(5)に記載の分割逐次近接露光装置。
本発明の分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置によれば、基板及びマスクに基づいて、複数の所定位置毎に下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出し、下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、上側アパーチャブレードの移動を行うことなく、移動速度の速い下側アパーチャブレードのみを移動させるようにしたので、アパーチャブレードの移動時間を大幅に短縮して、生産性を向上させることができる。
以下、本発明に係る分割逐次近接露光方法を実現するに好適な分割逐次近接露光装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、大型の基板上にマスクの露光パターンを分割して近接露光するステップ式近接露光装置PEを示すものであり、露光パターンを有するマスクMをx、y、θ方向に移動可能に保持するマスクステージ10と、被露光材としてのガラス基板Wをx、y、z方向に移動可能に保持する基板ステージ20と、パターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射する照射手段である照明光学系40と、から主に構成されている。
なお、ガラス基板W(以下、単に「基板W」と称する。)は、マスクMに対向配置されており、このマスクMに描かれた露光パターンを露光転写すべく表面(マスクMの対向面側)に感光剤が塗布されている。例えば、本実施形態のマスクMの寸法は、1400mm×1220mmであるとする。
説明の便宜上、照明光学系40から説明すると、照明光学系40は、紫外線照射用の光源である例えば高圧水銀ランプ41と、この高圧水銀ランプ41から照射された光を集光する凹面鏡42と、この凹面鏡42の焦点近傍に切替え自在に配置された二種類のオプチカルインテグレータ43と、光路の向きを変えるための平面ミラー45,46及び球面ミラー47と、この平面ミラー45とオプチカルインテグレータ43との間に配置されて照射光路を開閉制御する露光制御用シャッタ44と、を備える。
そして、露光時にその露光制御用シャッタ44が開制御されると、ランプ41から照射された光が、図1に示す光路Lを経てマスクステージ10に保持されるマスクM、ひいては基板ステージ20に保持される基板Wの表面にパターン露光用の光として照射され、マスクMの露光パターンが基板W上に露光転写される。
基板ステージ20は、基板Wを保持する基板保持部21と、基板保持部21を装置ベース50に対してx、y、z方向に移動する送り機構である基板移動機構22と、を備える。
基板保持部21は、上面に基板Wを吸引するための図示しない複数の吸引ノズルが開設されており、図示しない真空吸着機構によって基板Wを着脱自在に保持する。
基板移動機構22は、基板保持部21の下方に、y軸テーブル23、y軸送り機構24、x軸テーブル25、x軸送り機構26、及びz−チルト調整機構27を備える。
y軸送り機構24は、図2に示すように、リニアガイド28と送り駆動機構29とを備えて構成され、y軸テーブル23の裏面に取り付けられたスライダ30が、転動体(図示せず)を介して装置ベース50上に延びる2本の案内レール31に跨架されると共に、モータ32とボールねじ装置33とによってy軸テーブル23を案内レール31に沿って駆動する。
なお、x軸送り機構26もy軸送り機構24と同様の構成を有し、x軸テーブル25をy軸テーブル23に対してx方向に駆動する。また、z−チルト調整機構27は、くさび状の移動体34,35と送り駆動機構36とを組み合わせてなる可動くさび機構をx方向の一端側に1台、他端側に2台配置することで構成される。なお、送り駆動機構29,36は、モータとボールねじ装置とを組み合わせた構成であってもよく、固定子と可動子とを有するリニアモータであってもよい。また、z-チルト調整機構27の設置数は任意である。
これにより、基板移動機構22は、基板保持部21をx方向及びy方向に送り駆動するとともに、マスクMと基板Wとの間のギャップを微調整するように、基板保持部21をz軸方向に微動且つチルト調整する。
基板保持部21のx方向側部とy方向側部にはそれぞれバーミラー61,62が取り付けられ、また、装置ベース50のy方向端部とx方向端部には、計3台のレーザー干渉計63,64,65が設けられている。これにより、レーザー干渉計63,64,65からレーザー光をバーミラー61,62に照射し、バーミラー62により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光とバーミラー61,62により反射されたレーザー光との干渉を測定し、基板ステージ20の位置を検出する。
マスクステージ10は、中央部に矩形形状の開口11aが形成されるマスクベース11と、マスクステージベース11の開口11aにx軸,y軸,θ方向に移動可能に装着され、マスクMを保持するマスク保持部であるマスク保持枠12と、マスクステージベース11の上面に設けられ、マスク保持枠12をx軸,y軸,θ方向に移動させるマスク位置調整機構13とを備える。
マスクステージベース11は、基板ステージ側の装置ベース50上に立設される複数の支柱51に支持されており、マスクステージベース11と支柱51との間に設けられたz軸粗動機構52(図2参照)によりマスクステージベース11は装置ベース50に対して昇降可能である。
マスク保持枠12の下方には、複数の吸引ノズル53aが下面に開設されたチャック部53が取り付けられており、図示しない真空吸着機構によってマスクMを着脱自在に保持する(図4参照)。
マスク位置調整機構13は、マスク保持枠12を駆動する各種シリンダ13x、13x、13y等のアクチュエータと、マスクステージベース11とマスク保持枠12との間に設けられたガイド機構54(図4参照)により、マスク保持枠12をx軸,y軸,θ方向に移動させる。
また、マスク保持枠12には、その辺部に沿って、マスクMと基板Wとの対向面間のギャップを測定する複数のギャップセンサ17(本実施形態では、8個)と、マスクM側の図示しないアライメントマークと基板W(又は基板ステージ20)側の図示しないアライメントマークとを撮像する複数のアライメントカメラ18(本実施形態では、4個)とが配置されている。なお、ギャップセンサ17とアライメントカメラ18は、マスク保持枠12の辺部に沿って駆動可能に配置されてもよい。
さらに、マスクステージ10には、照明光学系40からマスクMに照射されるパターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構19が設けられている。
ここで、マスクアパーチャ機構19の具体構成を図3及び図4を参照して説明する。マスクアパーチャ機構19は、マスクMに近接して配置され、露光領域の境界部を含む領域を遮光する下側アパーチャブレード70,71と、下側アパーチャブレード70,71よりも上方に配置され、マスク保持枠12の辺部と下側アパーチャブレード70,71が遮光する領域との間の領域を遮光する上側アパーチャブレード83,84とを備える。
図3及び図4に示すように、下側アパーチャブレード70,71は、x方向とy方向に一組ずつ配置されており、それぞれ帯状に形成されている。x方向に移動可能なx軸下側アパーチャブレード70は、マスク保持枠12上に配置されたガイド72によって両端部を支持されると共に、その中間部がマスクMに近接するように折り曲げて形成されている。さらに、x軸下側アパーチャブレード70の両端部にはボールねじナット73が設けられており、モータ74によってねじ軸75を回転駆動することで、ボールねじナット73を介してx軸下側アパーチャブレード70をx方向に移動する。モータ74には、エンコーダ76が配設されており、x軸下側アパーチャブレード70の現在位置を検出する。
なお、y方向に移動可能なy軸下側アパーチャブレード71も、x軸下側アパーチャブレード70と同様の構成を有しており、ボールねじ機構によってy方向に移動するが、y軸下側アパーチャブレード71の中間部は、x軸下側アパーチャブレード70との干渉を避けるため、x軸下側アパーチャブレード70の中間部と異なる高さとなるように折り曲げ形成されている。
一方、上側アパーチャブレード83、84も、x方向とy方向に一組ずつ、互いに独立して移動可能に配置されている。x軸及びy軸上側アパーチャブレード83、84は、互いにオーバーラップ可能に配置されている。また、x軸及びy軸上側アパーチャブレード83及び84の移動可能範囲は、それぞれマスクMの全幅または長さに亘って設定されている。即ち、それぞれの上側アパーチャブレード83、84は、マスクMの一端側から他端側まで移動可能となっている。
x方向に移動可能なx軸上側アパーチャブレード83と、y方向に移動可能なy軸上側アパーチャブレード84とは、移動した際に互いに干渉しないように高さを変えて配置されており、x軸上側アパーチャブレード83を駆動するx軸アパーチャ駆動部86とy軸上側アパーチャブレード84を駆動するy軸アパーチャ駆動部87も、互いに干渉しないように高さを変えて配置されている。
具体的に、x軸アパーチャ駆動部86では、図3及び図4に示すように、マスクステージベース11上に固定されたL字形段付き支持台88の上段に固定テーブル89が配置される。この固定テーブル89上には、一対のガイド90によって移動可能に案内される第1可動テーブル91が配置されており、モータ92に連結されたねじ軸93を回転することで軸移動する継手ナット94を介して第1可動テーブル91を駆動する。
また、第1可動テーブル91上には、ガイド95によって移動可能に案内される第2可動テーブル96が配置され、第1可動テーブル91上に配置されたエアシリンダ97のピストンロッド98の先端と継手99を介して連結することで、第1可動テーブル91に対して駆動される。さらに、第1可動テーブル91上には、第2可動テーブル96と同じガイド95によって案内される第3可動テーブル100が設けられており、第2可動テーブル96上に配置されたエアシリンダ101のピストンロッド102の先端に取り付けられた継手103を介して第2可動テーブル96と連結される。x軸上側アパーチャブレード83は、第3可動テーブル100に取り付けられており、モータ92、及びエアシリンダ97、101によって移動する。
尚、y軸アパーチャ駆動部87も、x軸アパーチャ駆動部86と同様の構成を有し、固定テーブル89の下方となるように、L字形段付き支持台88の中段上に配置されている。そして、y軸上側アパーチャブレード84は、第3可動テーブル100a上に配置された高さ調整部材110を介して、x軸上側アパーチャブレード83より高くなるように取り付けられており、モータ92、及びエアシリンダ97、101によって移動する。
また、x軸アパーチャ駆動部86及びy軸アパーチャ駆動部87において、モータ92にはエンコーダ104が配設されると共に、エアシリンダ97、101のストローク両端にはピストン(図示せず)の磁気を検出する磁気センサ105が配設されている。これらエンコーダ104及び磁気センサ105は、下側アパーチャブレード70,71のモータ74に配設されたエンコーダ76と共に、アパーチャ位置検出機構106を構成する。x軸及びy軸上側アパーチャブレード83,84の現在位置は、エンコーダ104及び磁気センサ105からの検出信号によって検出される。
図5に示すように、制御装置80は、X軸レーザー干渉計63、64、Y軸レーザー干渉計65により測定される基板ステージ20の位置データ、4台のアライメントカメラ18により測定されるマスクMと基板Wとの相対位置、8台のギャップセンサ17により測定されるマスクMと基板Wとの間の距離データ、及びアパーチャ位置検出機構106によって測定される下側アパーチャブレード70、71及び上側アパーチャブレード83、84の位置データが入力され、該入力データに基づいてマスク位置調整機構13、X軸送り機構26、Y軸送り機構24、Zチルト調整機構27、及びマスクアパーチャ機構19を駆動制御する。
次に、本実施形態の分割逐次近接露光装置PEの動作について、マスクアパーチャ機構19の動作を主に説明する。なお、本実施形態では、x軸及びy軸下側アパーチャブレード70,71及びx軸及びy軸上側アパーチャブレード83,84が駆動制御されるが、説明の便宜上、x軸下側アパーチャブレード70(70A,70B)及びx軸上側アパーチャブレード83(83A,83B)の制御について説明する。
図6に示すように、まず、制御装置80は、分割逐次近接露光装置PEのシステムパラメータを読み込み(ステップS1)、次いで、使用されるマスクM及び露光される基板W毎にオペレータによって設定されるレシピデータを読み込む(ステップS2)。レシピデータは、基板W上の露光予定位置(複数の所定位置)、露光ショット数、各ショットのマスクの露光エリア、露光量、マスクMと基板Wのギャップ量等の露光装置の各種動作条件である。また、制御装置80は、基板Wの露光パターン及びマスクMのマスクパターンに基づいて設定される各ショットのマスクの露光エリアを読み込むことで、複数の露光予定位置毎での一対のx軸下側及び上側アパーチャブレード70A,70B,83A,83Bのブレード位置を算出する。
次に、設定されたショット数の露光が完了しているかを判別し(ステップS3)、設定されたショット数が完了していれば、露光作業を終了する。
ステップ3にて、設定ショット数に達していない場合には、次のショット位置(移動先)における下アパーチャ開口量Bを算出する(ステップS4)。そして、次のショット位置における下アパーチャ開口量Bと予め設定された上アパーチャ不使用許可開口量Aとを比較する(ステップS5)。
ここで言う、開口量とは、図9に示すように、マスクMのx軸方向中間位置MCから下側アパーチャブレード70の内側端面70cまでの距離のことである。即ち、上アパーチャ不使用許可開口量Aは、図9に破線で示すように、下側アパーチャブレード70の外側端面70dがマスク保持枠12の内側端面12aと一致するときの、マスクMの中間位置MCと下側アパーチャブレード70の内側端面70cとの距離であり、下アパーチャ開口量Bは、下側アパーチャブレード70が所定の位置(次ショット位置)に位置したときの、マスクMのx軸方向中間位置MCと下側アパーチャブレード70の内側端面70cとの距離となる。
ステップS5において、下アパーチャ開口量Bが上アパーチャ不使用許可開口量A以上であれば、制御装置80はモータ92に配設されたエンコーダ104、及びエアシリンダ97、101に配設された磁気センサ105からの検出信号により上側アパーチャブレード83の現在位置を取得する(ステップS6)。ここで、下アパーチャ開口量Bが上アパーチャ不使用許可開口量A以上である場合とは、図9に実線で示すように、次ショットの下側アパーチャブレード70がマスク保持枠12と光の光路方向Lから見て重なる場合である。
次いで、ステップS6で取得した上側アパーチャブレード83の現在位置が、次ショット時に動作不要範囲にあるか否かを判別する(ステップS7)。具体的には、図9に示すように、現在位置における上側アパーチャブレード83の内側端面83cが、露光光の光路L方向から見て次ショットにおける下側アパーチャブレード70の内側端面70cの予定位置より外側にあるか否かを判別する。上側アパーチャブレード83の内側端面83cが、次ショットにおける下側アパーチャブレード70の内側端面70cの予定位置より内側にあると、次ショット時に上側アパーチャブレード83が露光すべき露光範囲をも遮光してしまうので、上側アパーチャブレード83の現在位置が次ショット時に動作不要範囲にないと判断する。
そして、制御装置80は、マスクアパーチャ機構19に作動開始指令を送出し、上側アパーチャブレード83の移動に必要なモータ92、及びエアシリンダ97、101を作動させて第3可動テーブル100を移動させ、上側アパーチャブレード83を原点位置(少なくとも、上側アパーチャブレード83が必要な露光パターンを遮光しない位置)に移動させる(ステップS8)。この場合、上側アパーチャブレード83を原点位置まで移動させると、上下側アパーチャブレード83、70が連動する場合と比較して移動に時間を要するが、レシピによってはタクトタイムの短縮が可能となる。
一方、ステップS7で上側アパーチャブレード83の現在位置が、次ショット時に動作不要範囲にある、即ち、現在位置における上側アパーチャブレード83の内側端面83cが、露光光の光路L方向から見て次ショットにおける下側アパーチャブレード70の内側端面70cの予定位置より外側にある場合には、上側アパーチャブレード83を移動させることなく、制御装置80からの指令に基づいてモータ74がねじ軸75を回転駆動し、下側アパーチャブレード70をマスク保持枠12と重なる次のショット位置(図9に実線で示す位置)に移動させる(ステップS10)。
一方、ステップS5において下アパーチャ開口量Bが上アパーチャ不使用許可開口量A未満と判断された場合、制御装置80は下側アパーチャブレード70とマスク保持枠12は重なっていないと判断して、上側アパーチャ同時動作判断処理のルーチン(ステップS9)へ移行して所定の処理を行った後、下側アパーチャブレード70を次のショット位置に移動させる(ステップS10)。
ここで、ステップS9の上側アパーチャ同時動作判断処理のルーチンについて図7および図8に基づいて詳述する。図7および図8に示すように、上側アパーチャ同時動作判断処理は、まず、次のショット位置における下アパーチャ間距離Dを算出する(ステップS91)。そして、算出された次ショット位置下アパーチャ間距離Dと予め設定された同時動作可能距離Cと比較する(ステップS92)。
ここで、同時動作可能距離Cとは、x軸上側アパーチャブレード83A、83Bを同時に移動させても互いに干渉する虞がないx軸下側アパーチャブレード70A,70B間の距離のことであり(図8参照。)、例えば、上側アパーチャブレード83A、83Bの移動速度、移動速度の差、移動開始タイミングのずれ、停止位置のばらつき、機構の機械的寸法のばらつき等に基づいて決まる値である。なお、x軸上側アパーチャブレード83A,83Bは、特定のレシピデータにおいては、x軸下側アパーチャブレード70A,70Bと移動後の位置関係が保たれるようにして移動するため、x軸上側アパーチャブレード83A,83Bの位置は、x軸下側アパーチャブレード70A,70Bの位置によって一義的に決定される。このため、x軸上側アパーチャブレード83A,83Bが互いに干渉する虞のない距離は、x軸下側アパーチャブレード70A,70B間の距離によって設定可能である。勿論、x軸上側アパーチャブレード83A,83B間の距離に基づいて、同時動作可能距離Cは設定されてもよい。
下アパーチャ間距離Dが同時動作可能距離C以上であれば、さらに、現在の下アパーチャ間距離Eを算出し(ステップS93)、同時動作可能距離Cと現在の下アパーチャ間距離E(図8参照)とを比較する(ステップS94)。そして、下アパーチャ間距離Eが同時動作可能距離C以上であれば、制御装置80はマスクアパーチャ機構19に作動開始指令を送出し、x軸上側アパーチャブレード83A,83Bの移動に必要なモータ92、及びエアシリンダ97、101を同時に作動させて各第3可動テーブル100を所定の位置まで移動させる。これにより、一対のx軸上側アパーチャブレード83A、83Bは、同時に移動を開始して(ステップS95)、図6に示す元の処理フローに戻る。
一方、ステップS92において下アパーチャ間距離Dが同時動作可能距離C未満と判断された場合、及びステップS94において下アパーチャ間距離Eが同時動作可能距離C未満と判断された場合には、一対のx軸上側アパーチャブレード83A、83Bを個別に作動させる(ステップS96)。即ち、一方のx軸上側アパーチャブレード83Bを移動させた後、他方のx軸上側アパーチャブレード83Aを移動させて、上側アパーチャブレード83A、83Bの干渉を防止する。そして、図6に示す元の処理フローに戻る。
再び図6を参照して、ステップS8及びステップS9における上側アパーチャブレード83の原点位置への移動が完了したことが、モータ92に配設されたエンコーダ104、及びエアシリンダ97、101に配設された磁気センサ105によって検出され、更にステップS10における下側アパーチャブレード70の次ショット位置への移動が完了したことが、モータ74に配設されたエンコーダ76によって検出されるまで各種動作が待機される(ステップS11)。
その後、マスク位置調整機構13、X軸送り機構26、Y軸送り機構24、Zチルト調整機構27を作動させて、基板Wの所定位置への移動、ギャップセンサ17及びアライメントカメラ18によるマスクMと基板Wとのギャップ調整、アライメント調整などの露光準備を行い(ステップS12)、露光制御用シャッタ44を開いてランプ41からの露光用の光をマスクMを介して照射し、マスクMの露光パターンを基板W上に露光転写する(ステップS13)。そして、ステップS14でショット数をインクリメントし、再びステップS3の前に戻り、以後同様の制御を設定されたショット数が完了するまで繰り返し行う。
以上説明したように、本実施形態の分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置PEによれば、基板W及びマスクMに基づいて、複数の所定位置毎に下側及び上側アパーチャブレード70、71、83、84のブレード位置を算出し、次ショットの下側アパーチャブレード70、71がマスク保持枠12と光の光路方向から見て重なり、現在の上側アパーチャブレード83、84が露光光の光路L方向から見て次ショットの下側アパーチャブレード70、71の外方に位置する場合、上側アパーチャブレード83、84の移動を行うことなく、移動速度の速い下側アパーチャブレード70、71のみを移動させるようにしたので、アパーチャブレードの移動時間を大幅に短縮して、生産性を向上させることができる。
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良等が可能である。
本発明のように、上側アパーチャブレード83を必要に応じて原点位置に移動させて下側アパーチャブレード70だけによってマスクMの露光範囲を制限する制御は、上記した下側アパーチャブレード70とマスク保持枠12とが重なっている場合以外にも、図10に示すような露光パターンの露光転写にも適用することができる。
本発明のように、上側アパーチャブレード83を必要に応じて原点位置に移動させて下側アパーチャブレード70だけによってマスクMの露光範囲を制限する制御は、上記した下側アパーチャブレード70とマスク保持枠12とが重なっている場合以外にも、図10に示すような露光パターンの露光転写にも適用することができる。
即ち、マスクMの端部に描画されたアライメントマークやギャップウィンド130などを遮光する場合であり、このときも必要に応じて上側アパーチャブレード83を原点位置に移動させると共に、下側アパーチャブレード70をアライメントマークやギャップウィンド130などを覆う位置に移動させて下側アパーチャブレード70だけで露光範囲を制限して露光転写する。この制御は、マスク保持枠12からマスクMの中心に向かう方向の遮光領域の幅AWが下側アパーチャブレード70、71の幅Wより狭く、且つ現在の上側アパーチャブレードが露光光の光路L方向から見て次ショットの下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であるという条件において、下側アパーチャブレード70だけを移動させる。この場合も、レシピによっては上側アパーチャブレード83の移動が不要となり、高速での移動が可能な下側アパーチャブレード70だけを移動させるので、タクトタイムを短縮することができる。
12 マスク保持枠(マスク保持部)
19 マスクアパーチャ機構
21 基板保持部
22 基板移動機構(送り機構)
40 照明光学系(照射手段)
70,71 下側アパーチャブレード
80 制御装置
83,84 上側アパーチャブレード
M マスク
MC マスクのx軸方向中間位置
PE ステップ式近接露光装置(分割逐次近接露光装置)
W 基板(被露光材)
19 マスクアパーチャ機構
21 基板保持部
22 基板移動機構(送り機構)
40 照明光学系(照射手段)
70,71 下側アパーチャブレード
80 制御装置
83,84 上側アパーチャブレード
M マスク
MC マスクのx軸方向中間位置
PE ステップ式近接露光装置(分割逐次近接露光装置)
W 基板(被露光材)
Claims (6)
- 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置を用いた分割逐次近接露光方法であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出する工程と、
前記各所定位置での露光時に、前記算出工程に基づいて、前記下側及び上側アパーチャブレードの少なくとも一方を移動する工程と、
を備え、
前記移動工程は、前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動することを特徴とする分割逐次近接露光方法。 - 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする請求項1に記載の分割逐次近接露光方法。
- 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする請求項1に記載の分割逐次近接露光方法。
- 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、前記マスクの露光パターンを前記基板上の複数の所定位置に対向させるように前記基板保持部と前記マスク保持部とを相対的に移動させる送り機構と、それぞれ所定の方向に沿って移動すると共に、互いに独立して移動可能な下側及び上側アパーチャブレードを備え、前記照射手段から前記マスクに照射される前記パターン露光用の光を部分的に遮光して露光領域を制限するマスクアパーチャ機構と、を備える分割逐次近接露光装置であって、
前記基板及び前記マスクに基づいて、前記複数の所定位置毎に前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置を算出し、前記各所定位置での露光時に、前記算出した前記下側及び上側アパーチャブレードのブレード位置が所定領域内であると判断したとき、前記下側アパーチャブレードのみを移動するように制御する制御装置を備えたことを特徴とする分割逐次近接露光装置。 - 前記所定領域は、次ショットの前記下側アパーチャブレードが前記マスク保持枠と前記光の光路方向から見て重なり、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する場合の領域であることを特徴とする請求項4に記載の分割逐次近接露光装置。
- 前記所定領域は、前記マスク保持枠から前記マスクの中心に向かう方向の遮光領域の幅が前記下側アパーチャブレードの幅より狭く、且つ現在の前記上側アパーチャブレードが前記光の光路方向から見て次ショットの前記下側アパーチャブレードの外方に位置する領域であることを特徴とする請求項5に記載の分割逐次近接露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007057306A JP2008216885A (ja) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007057306A JP2008216885A (ja) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008216885A true JP2008216885A (ja) | 2008-09-18 |
Family
ID=39836953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007057306A Pending JP2008216885A (ja) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008216885A (ja) |
-
2007
- 2007-03-07 JP JP2007057306A patent/JP2008216885A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019155886A1 (ja) | 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置 | |
JP2008015314A (ja) | 露光装置 | |
JP5674197B2 (ja) | 近接露光装置及び近接露光方法 | |
JP2006054364A (ja) | 基板吸着装置、露光装置 | |
JP2007184328A (ja) | 露光装置 | |
JP2012049326A (ja) | マスクの位置決め装置及びマスクの回転中心算出方法 | |
JP5089238B2 (ja) | 露光装置用基板アダプタ及び露光装置 | |
JP2008020844A (ja) | 近接露光装置 | |
JP2012133122A (ja) | 近接露光装置及びそのギャップ測定方法 | |
JP2008224754A (ja) | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 | |
JP2008216885A (ja) | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 | |
JP2009169255A (ja) | 露光装置及び基板の製造方法ならびにマスク | |
JP2008216317A (ja) | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 | |
JP2008209631A (ja) | 露光装置及びそのマスク装着方法 | |
JP2008209632A (ja) | マスク装着方法及び露光装置ユニット | |
JP5499398B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP6744588B2 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
JP4390512B2 (ja) | 露光方法及びその方法で用いられる基板のアライメント方法 | |
JP2008096908A (ja) | 基板保持機構及びフラットパネルディスプレイ基板用露光装置の基板保持方法 | |
JP2006093604A (ja) | 近接露光装置 | |
JP2007171667A (ja) | 露光装置 | |
JP4487688B2 (ja) | ステップ式近接露光装置 | |
JP2007298656A (ja) | 近接露光装置 | |
JP4487700B2 (ja) | 近接露光装置 | |
JP4735272B2 (ja) | 露光装置 |