JP2008214116A - 炭酸ストロンチウムの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、セラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用等に有用な高純度炭酸ストロンチウムを工業的に有利な方法で製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことを特徴とする炭酸ストロンチウムの製造方法である。
【選択図】図1

Description

本発明は、セラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用等に有用な炭酸ストロンチウムの製造方法に関する。
炭酸ストロンチウムは、例えば、セラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用等に使用されている。
従来、炭酸ストロンチウムの製造方法としては、例えば塩化ストロンチウム又は硝酸ストロンチウムのようなストロンチウム塩を溶解し、その溶液に炭酸塩を加えることにより炭酸化する方法(例えば、特許文献1参照)、或いは水酸化ストロンチウム溶液に炭酸ガスを吹き込む方法(例えば、特許文献2〜3参照)等が採用されている。しかし、炭酸塩を加えて炭酸化する方法では、ストロンチウム源から発生するアニオン成分と炭酸塩源から発生するカチオン成分とが反応し、副生塩として炭酸ストロンチウムに取り込まれ、高純度品を合成することが難しいという問題がある。
一方、炭酸ガスを吹き込む方法では大過剰な炭酸ガスが必要となり、非経済的で工業的に有利ではない。
特開平9−77517号公報 特開昭59−83934号公報 特開2006−124199号公報
従って、本発明の目的は高純度な炭酸ストロンチウムを工業的に有利な方法で製造することができる方法を提供することにある。
本発明者は、かかる課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、前記ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことにより、反応に使用する二酸化炭素の量を低減することができるうえに、高純度な炭酸ストロンチウムを高収率で得ることができることを見出し、本発明を完成するに到った。
即ち、本発明が提供しようとする炭酸ストロンチウムの製造方法は、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、前記ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことを特徴とする製造方法である。
本発明の炭酸ストロンチウムの製造方法によれば、工業的に有利な方法でセラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用等の用途に好適に使用することができる高純度炭酸ストロンチウムを高収率で得ることができる。
以下、本発明を好ましい実施形態に基づき説明する。
本発明の炭酸ストロンチウムの製造方法は、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、前記ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことを特徴とするものである。
ストロンチウム化合物を含む溶液は、ストロンチウム化合物を水に溶解した水溶液である。ストロンチウム化合物としては、例えば、硫化ストロンチウム、塩化ストロンチウム、硝酸ストロンチウム、水酸化ストロンチウム等を使用することができ、これらの化合物は含水物であっても無水物であってもよい。本発明において、これらのストロンチウム化合物の中でも、水酸化ストロンチウムは、副生物が水のみであるので高純度な炭酸ストロンチウムが得られるという点で最も好ましく用いられる。
また、ストロンチウム化合物を含む溶液の濃度は、ストロンチウム化合物の溶解度以内であればよく、特に制限されるものではない。なお、ストロンチウム化合物を溶解する水は少なくとも逆浸透膜、限外濾過膜、イオン交換膜等を通過させて、Na、K、Ca、Cl、SO4等のイオン性不純物を除去した純水を用いることが、溶解する水に由来する不純物の混入を防止できる点で特に好ましい。
また、工業的に入手可能なストロンチウム化合物には、多くの場合、カルシウム、バリウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属元素が総量で200ppm以上、或いはLi、Na、K等のアルカリ金属元素が総量で60ppm以上、更に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al、及びZnの金属元素が総量で10ppm以上含有されている。そのため、特に高純度な炭酸ストロンチウムが要求される電子材料、光学ガラス、蛍光体等の用途に適用する場合には、これらの不純物を除去した精製ストロンチウム化合物を用いることが好ましい。
この精製ストロンチウム化合物は、ストロンチウム化合物(以下「粗製ストロンチウム化合物」と呼ぶ)を含む溶液を精密濾過処理し、カルシウム、バリウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属元素を総量で200ppm以下、Li、Na、K等のアルカリ金属元素を総量で60ppm以下、更に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al、及びZnの金属元素を総量で10ppm以下に低減したものであることが好ましく、前記精密濾過処理に加えて晶析を行い、カルシウム、バリウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属元素を総量で60ppm以下、Li、Na、K等のアルカリ金属元素を総量で30ppm以下、更に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al、及びZnの金属元素を総量で5ppm以下に低減したものであることが特に好ましい。
この精製ストロンチウム化合物を得る具体的な操作は、まず、粗製ストロンチウム化合物を水に溶解し、粗製ストロンチウム化合物を含む溶液を調製する。溶液中の粗製ストロンチウム化合物の濃度は、飽和溶解度以下であれば特に制限はないが、ストロンチウム化合物の溶解度は溶解させる温度に強く依存し、また使用するストロンチウム化合物の種類によっても異なるが、例えば、水酸化ストロンチウムの場合は85℃の温度で、Sr(OH)として1〜12.5重量%、好ましくは5〜10重量%とすることが好ましい。
なお、粗製ストロンチウム化合物を溶解する水は、少なくとも逆浸透膜、限外濾過膜、イオン交換膜等を通過させて、Na、K、Ca、Cl、SO4等のイオン性不純物を除去した純水を用いることが、溶解する水に由来する不純物の混入を防止できる点で特に好ましい。なお、逆浸透膜、限外濾過膜又はイオン交換樹脂に通水される被処理水としては、例えば、工業用水、市水、河川水等の原水を凝集濾過装置及び活性炭等からなる前処理装置で処理し、原水中の懸濁物及び有機物の大半を除去したもの、あるいは、更にイオン交換樹脂を用いる純水装置で処理されたものなどが用いられる。
逆浸透膜は、市販の膜モジュールを用いることができ、操作条件等は特に制限はなく常法に従えばよい。具体的には、逆浸透膜の分画分子量は400〜100,000、好ましくは1,000〜10,000であり、材質としては、例えば、酢酸セルロース系、ポリアミド系、架橋ポリアミン系、架橋ポリエーテル系、ポリスルホン、スルホン化ポリスルホン、ポリビニルアルコール等が適宜使用される。膜の形状は平板型、スパイラル型、中空糸型、チューブラー、ブリーフ型等何れであってもよい。
限外濾過膜は、市販の膜モジュールを用いることができ、操作条件等は特に制限はなく常法に従えばよい。具体的には、限外濾過膜の分画分子量は400〜100,000、好ましくは1,000〜10,000であり、材質としては、例えば、再生セルロース、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアルコール、燒結金属、セラミック、カーボン等が適宜使用される。膜の形状は平板型、スパイラル型、チューブラー型、中空糸型、ブリーフ型等の何れであってもよい。
イオン交換樹脂は、市販のモジュールを用いることができ、操作条件は特に制限なく常法に従えばよい。材質としては、スチレン系、メタクリル系、アクリル系が多用され、その形状は膜状、繊維状、球状で使用される。モジュール形態は多床多棟式、複層床式、混床式などの何れであってもよい。処理水の電気伝導度は1μs/cm以下として使用することが望ましい。
次いで、調製した所定の濃度の粗製ストロンチウム化合物を含む溶液を精密濾過し、原料由来の異物及びアルカリ領域で不溶性の塩を形成する金属を含有する不溶分を除去する。
本発明における精密濾過は、精密濾過膜等の濾過材を用いて実施することができる。用いることができる精密濾過膜は、表面濾過作用を有するスクリーンフィルター、内部濾過作用を有するデプスフィルター等が挙げられる。特に、表面濾過作用を有するスクリーンフィルターは、不溶分を効率よく除去することができるため好ましい。精密濾過膜の保留粒子径は0.1〜1μm、好ましくは0.2〜0.5μmである。精密濾過膜の材質は、特に制限されるものではないが、例えばコロジオン、セロファン、アセチルセルロース、ポリアクリロニトリル、ポリスルホン、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリビニリデンフロライド等の有機系の膜、あるいは黒鉛、セラミック、多孔質ガラス等の無機系の膜が挙げられる。また、実験室規模であればPTFEメンブランフィルター等の濾過材が使用できる。スクリーンフィルターの形式は特に制限されるものではないが、カートリッジ式の方が、操作性の容易さから好ましい。これらの精密濾過は、市販の精密濾過装置に前記で調製した所定の濃度の粗製水酸化ストロンチウム溶液を導入することにより実施することができる。この精密濾過操作は、減圧又は加圧下でおこなうこともできるが、特に制限されるものではない。通常は、前記で調製した所定の濃度の粗製ストロンチウム化合物の溶液を送液ポンプにて、温度0〜100℃、好ましくは20〜80℃、1〜30mL/min、好ましくは5〜15mL/minの流速で精密濾過装置に導入し、0.1〜0.5MPa、好ましくは0.2〜0.3MPaの圧力で処理することが好ましい。なお、精密濾過による濾過操作は、溶液からストロンチウム化合物が析出しない温度で濾過操作を行うことが好ましい。
上記した精密濾過処理により、多くの場合、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu及びNiの各不純物の含有量を10ppm以下、好ましくは5ppm以下まで低減されたストロンチウム化合物が得られるが、本発明では、Mg、Ca及びBaの含有量を更に低減させるため、前記精密濾過処理に引き続き晶析操作を行うことが好ましい。
具体的な晶析操作としては、前記の精密濾過を行ったストロンチウム化合物を含有する溶液を25℃以下に冷却することによりストロンチウム化合物を析出させる方法又は前記の精密濾過を行ったストロンチウム化合物を含有する溶液を加熱して一定量の水分を蒸発させてストロンチウム化合物を析出させる方法により行うことができる。本発明においては、前者の冷却してストロンチウム化合物を析出させる方法が精製ストロンチウム化合物の回収効率が良いという点で特に好ましい。
かくして得られる精製ストロンチウム化合物は、少なくともカルシウム、バリウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属元素が総量で60ppm以下、Li、Na、K等のアルカリ金属元素が総量で30ppm以下、更に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及びZnの金属元素が総量で5ppm以下まで低減されたストロンチウム化合物である。
もう一方の原料の二酸化炭素はガス状にして用いる。二酸化炭素は工業的に入手できるもので特に制限されるものではないが、純度の高いものを用いることが好ましい。二酸化炭素の導入量は、ストロンチウム化合物中のストロンチウム原子(Sr)に対して1.0〜5.0倍モル、好ましくは1.2〜3.0倍モルである。本発明では、二酸化炭素の導入量がストロンチウム原子に対して5倍以下と従来の製法より少ないにもかかわらず、高純度な炭酸ストロンチウムを高収率で得ることができるという利点を有する。二酸化炭素の導入量が1.0倍モル未満では未反応分のストロンチウム化合物が溶液中に残存することになり、溶液がアルカリ性を示すため、溶液の取扱いが困難となる。また、二酸化炭素の導入量が3.0倍モルを超えると反応はほぼ終了しているため、反応に寄与しない炭酸ガスを吹き込むことになり、非経済的で工業的に有利でない。また、製造装置内への二酸化炭素の導入速度は、溶解しているストロンチウム化合物1molあたり0.005〜5.0L/min、好ましくは0.05〜4.0L/minである。二酸化炭素の導入速度が当該範囲であると、二酸化炭素が反応液に効率的に吸収されやすくなるため好ましい。一方、二酸化炭素の導入速度が5.0L/minを超えると反応容器内の圧力が上がり、耐圧限界を超える可能性がある。また、二酸化炭素の導入速度が0.005L/min未満では反応に要する時間が著しく長くなり、作業効率的に劣るため好ましくない。
粒状媒体は、耐酸性や耐アルカリ性等の耐薬品性、耐水性、非反応性、延性、及び非破壊性を有する粒状物が用いられる。ここで、非反応性とは、ストロンチウム化合物、二酸化炭素及び炭酸ストロンチウムとの間で反応性を有しないことをいう。このような粒状媒体としては、樹脂製又はセラミック製のものが挙げられ、より具体的には、セラミックビーズ、樹脂ビーズ等が挙げられる。セラミックビーズの具体例としては、例えば、ジルコニアビーズ、アルミナビーズ、シリカビーズ、ゼオライトビーズ、炭化珪素、窒化珪素等が挙げられる。樹脂製ビーズを構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル酸エステル、ポリスチレン、ポリエステル、塩化ビニル、ナイロン、ポリプロピレン、メタクリル酸エステル、フェノール、ユリア、ウレタン樹脂等の種々の樹脂材料を用いることができる。これらの中でも、取扱いの容易性、安価及び軽量であることから樹脂製ビーズを用いることが好ましい。
粒状媒体の平均粒径は、通常、1〜10mm、好ましくは2〜5mmである。粒状媒体の平均粒径が1mm未満であると、反応前後における保守作業及び媒体そのものの取扱いが困難となり好ましくなく、一方、粒状媒体の径が10mmを超えるとストロンチウム化合物と二酸化炭素との接触面積が小さくなるため好ましくない。本発明では、粒状媒体は上記のうち1種又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
前記粒状媒体は反応容器に収容され使用される。該粒状媒体の反応容器内の充填率は、通常10〜95容量%、好ましくは30〜90容量%、さらに好ましくは50〜85容量%である。ここで、充填率とは、内部に水や粒状媒体等を収容しない空の状態における反応容器内の空間のうち、実質的な空間の容積に対して粒状媒体の見かけ体積の占める比率を意味する。ここで見かけ体積とは、粒状媒体同士の間に生じる空間をも含んだ粒状媒体全体の外形が占める体積をいう。見かけ体積は、例えば、円筒状反応容器内に粒状媒体を自然落下して充填し、上面を平らに均したときの粒状媒体の高さと円筒状反応容器の底面積との積として求められる。粒状媒体の充填率が上記範囲内にあると、効率的にストロンチウム化合物と二酸化炭素とが接触反応するため好ましい。これに対し、充填率が95容量%を越えると反応容器内における充填物の流動性が無くなり、生成した炭酸ストロンチウムが反応容器壁面及び充填物に付着し、反応効率の著しい低下を招く。一方、10容量%未満であるとストロンチウム化合物と二酸化炭素とが効率的に接触反応しないため好ましくない。
本発明において、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させる温度は、通常25〜90℃以下、好ましくは70〜85℃である。接触温度が上記範囲内であると、反応容器の耐熱温度があまり高くなくても、炭酸ストロンチウムを安全に合成することが可能であるため好ましい。一方、接触温度が25℃未満では炭酸ストロンチウムの収量が著しく少なくなり、95℃を超えると反応容器の劣化及び充填物の軟化が起こる可能性があるため好ましくない。
ストロンチウム化合物と二酸化炭素とが反応して、塩酸や硫化水素等の酸成分を副生するおそれがある場合は、必要によりストロンチウム化合物を含む溶液にアルカリ剤を添加してもよい。アルカリ剤としては、水酸化ナトリウム、アンモニア等が挙げられる。アルカリ剤の添加量は、生成する炭酸ストロンチウムに対して当量以上にすることが好ましい。ここで、当量とは、生成する炭酸ストロンチウムとアルカリ剤との規定度が等しくなる量をいう。アルカリ剤を当量以上添加すると、炭酸ストロンチウムの生成の際に液のpHが7以上になるため、酸性領域で溶解し易い炭酸ストロンチウムが溶解し難くなるため好ましい。アルカリ剤の添加方法の態様としては、例えば、ストロンチウム化合物を含む溶液にアルカリ剤を添加する態様等が挙げられる。
次に、本願発明の好ましい実施形態として、連続的に接触処理を行う炭酸ストロンチウムの製造方法について、図1を参照しながら具体的に説明する。
この実施形態で用いられる製造装置は、図1に示すように、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させる反応容器としての接触処理槽(1)と、ストロンチウム化合物を含む溶液を貯蔵するための貯蔵槽(2)と、ガスボンベに炭酸ガスを充填してなる二酸化炭素供給源(3)とを備えている。接触処理槽(1)内に設置された一対のフィルター(4a,4b)により形成された空間には、粒状媒体(5)が充填されており、粒状媒体(5)がその空間内で保持されるように構成されている。貯蔵槽(2)は、ストロンチウム化合物を含む溶液を加温するためのヒーター(図示せず)を具備している。
接触処理槽(1)の形状に特に制限はないが、接触効率及び耐圧性の観点から円筒状のものが好ましい。接触処理槽(1)の上部に設けられた溶液排出口(6)は、溶液戻し配管(7)を介して貯蔵槽(2)に接続され、また、接触処理槽(1)の底部に設けられた溶液導入口(8)は、溶液導入配管(9)を介して貯蔵槽(2)に接続されている。二酸化炭素供給源(3)は、二酸化炭素導入配管(10)を介して接触処理槽(1)の底部に設けられた二酸化炭素導入口(11)に接続されている。また、溶液導入配管(9)の途中には、貯蔵槽(2)内に貯蔵されたストロンチウム化合物を含む溶液を製造装置内で循環させるための循環ポンプ(12)が設置されている。
接触処理槽(1)の材質は、使用する原料、生成物、或いは溶媒に対して不活性なものであれば特に制限はなく、例えば、金属製、セラミック製、ガラス製、樹脂製等でもよく、一般的には適度な強度を有するアクリル製のものが用いられる。フィルター(4a,4b)としては、例えば、濾布、ギャップセパレーター、スクリーンセパレーター、遠心分離セパレーター、金属製メッシュ、プラスチック製メッシュ等が用いられる。なお、フィルター(4a,4b)は、接触処理槽(1)が粒状媒体(5)を保持できる構成であれば設置しなくてもよい。また、溶液排出口(6)を接触処理槽(1)の底部に設け、溶液導入口(8)を接触処理槽(1)の上部に設けて、ストロンチウム化合物を含む溶液を上方から下方に導入してもよく、また、二酸化炭素導入口(11)を接触処理槽(1)の上部に設けて、二酸化炭素を上方から下方に導入してもよいが、これらの場合には導入された二酸化炭素ガスが接触処理槽(1)の上部に溜まりやすくなり、反応効率が低下しやすい傾向がある。このため図1に示したとおりストロンチウム化合物を含む溶液を接触処理槽(1)の下部から導入し、また、接触処理槽(1)の下部から二酸化炭素ガスを導入してストロンチウム化合物と二酸化炭素との接触を行うと、反応効率が高くなる点から特に好ましい。
次に、このように構成された製造装置を用いた炭酸ストロンチウムの製造方法について説明する。
貯蔵槽(2)に仕込まれたストロンチウム化合物を含む溶液をヒーターにより25℃〜95℃、好ましくは70〜85℃に加温し、循環ポンプ(12)によって貯蔵槽(2)から溶液導入配管(9)を介して接触処理槽(1)内に導入するとともに、二酸化炭素を二酸化炭素供給源(3)から二酸化炭素導入配管(10)を介して接触処理槽(1)内に導入して、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを粒状媒体(5)の存在下で接触させる。その際、ストロンチウム化合物を含む溶液は、空間速度(以下、SVと略記する)が10〜300、好ましくは50〜200となるように接触処理槽(1)内に導入すればよく、二酸化炭素は、溶液に溶解しているストロンチウム化合物1molあたり0.005〜5.0L/min、好ましくは0.05〜4.0L/minの流速となるように接触処理槽(1)内に導入すればよい。接触させた後、反応液は接触処理槽(1)の溶液排出口(6)から排出され、溶液戻し配管(7)を介して貯蔵槽(2)に戻される。貯蔵槽(2)に戻された反応液は、循環ポンプ(12)によって接触処理槽(1)に再び導入され、反応液が循環される。反応液のpHが7以下になった時点で反応終了とし、その後適宜、濾過、洗浄、乾燥して、炭酸ストロンチウムを得る。
ここで、空間速度(SV)とは、1時間あたりの導入溶液量を接触処理槽の容量で割った値である。
かくして得られる本発明の炭酸ストロンチウムは、粒子形状が針状であり、レーザー散乱法から求められる平均粒径が0.001〜4.0μm、好ましくは0.004〜2.5μmで、BET比表面積が1〜40m/g、好ましくは5〜20m/gである。また、不純物的にはカルシウム、バリウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属元素が総量で200ppm以下、好ましくは60ppm以下であり、Li、Na、K等のアルカリ金属元素が総量で60ppm以下、好ましくは30ppm以下であり、更に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及びZnの金属元素が総量で10ppm以下、好ましくは5ppm以下である。
本発明で得られる炭酸ストロンチウムは、例えば、セラミック製造用、光学ガラス製造用、レンズ被覆製造用、蛍光体製造用、非複屈折性光学樹脂材料用(例えば、特開2004−35347号公報参照)等に好適に使用することができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、実施例においては、図1に示したものと同じ構成の製造装置を使用して炭酸ストロンチウムを製造した。また、実施例及び比較例においては、水酸化ストロンチウムとして市販の水酸化ストロンチウム8水塩を使用した。この水酸化ストロンチウム8水塩試料中の不純物含有量を表1に示す。なお、アルカリ土類金属及び有色金属不純物に関してはICP発光分析装置を用いて定量分析した。アルカリ金属不純物は原子吸光装置を用いて定量分析した。
Figure 2008214116
{実施例1}
(炭酸ストロンチウムの調製)
前記の市販の水酸化ストロンチウム8水塩300gと純水3kgとを5Lステンレス製容器(貯蔵槽(2))に仕込んだ。次に85℃に昇温して水酸化ストロンチウムを溶解させた。次にこの精製水酸化ストロンチウムを含む溶液を、球状のポリプロピレン製ボール(平均粒径3mm、佐藤鉄工株式会社製;粒状媒体(5))が60容量%の充填率となるように収容された容量0.5Lのアクリル製円筒状反応容器(接触処理槽(1))に流速1.6L/min(SV190)で送液し、反応系内を循環させた。
次に、循環状態のまま、溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり0.88L/minの流量で炭酸ガス(純度99.9%)を二酸化炭素導入口(11)から吹き込んだ。貯蔵槽(2)の炭酸ストロンチウムを含むスラリーのpHが7になった時点で炭酸ガスの吹き込みを中止し同時に反応終了とした。反応終了後の反応液を濾過後、回収物を120℃で12時間乾燥し、解砕して炭酸ストロンチウム161.0g(収率96.6%)を得た。
なお、製造に使用した純水は、イオン交換樹脂を備えた純水製造装置で処理した水を限外濾過モジュール(旭化学工業株式会社製、分画分子量6,000)で処理したものであり、以下の実施例及び比較例で使用した純水も当該純水と同じ処理をしたものである。
なお、使用したアクリル製円筒状反応容器は、円筒サイズ;外径60mm、長さ500mm、株式会社サンプラテック製、品名:アクリル耐圧濾過筒を使用した。
{実施例2}
(精製水酸化ストロンチウムの調製)
純水20kgに前記の市販の水酸化ストロンチウム8水塩2kgを秤量して加え、85℃に昇温して攪拌下に水酸化ストロンチウム8水塩を溶解させた。この溶液をカートリッジフィルター(保留粒子径5μm)を使用し2L/minの流速で0.02MPa以下の負荷で処理し精密濾過処理を行った。
精密濾過処理後の濾過液を一部採取して分析し、水酸化ストロンチウム8水塩に換算した不純物含有量を表2に示す。なお、この不純物の測定は、市販の水酸化ストロンチウム8水塩の不純物測定と同様にして行った。
Figure 2008214116
(炭酸ストロンチウムの調製)
前記の精密濾過処理を行った濾過液3.3kgを5Lステンレス製容器(貯蔵槽(2))に仕込み、この濾過液を85℃に保持し、球状のポリプロピレン製ボール(平均粒径3mm、佐藤鉄工株式会社製;粒状媒体(5))が60容量%の充填率となるように収容された容量0.5Lのアクリル製円筒状反応容器(接触処理槽(1))に流速1.6L/min(SV190)で送液し、反応系内を循環させた。
次に、循環状態のまま、溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり0.88L/minの流量で炭酸ガス(純度99.9%)を二酸化炭素導入口(11)から吹き込んだ。貯蔵槽(2)の炭酸ストロンチウムを含むスラリーのpHが7になった時点で炭酸ガスの吹き込みを中止し同時に反応終了とした。反応終了後の反応液を濾過後、回収物を120℃で12時間乾燥し、解砕して炭酸ストロンチウム152.3g(収率91.4%)を得た。
なお、使用したアクリル製円筒状反応容器は、実施例1と同じものを使用した。
{実施例3}
球状のポリプロピレン製ボールの充填率を95%とした以外は実施例2と同様な操作と反応条件で炭酸ストロンチウム153.6g(収率92.2%)を得た。
{実施例4}
溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり2.64L/minの流量で炭酸ガス(純度99.9%)を吹き込んだ以外は実施例2と同様な操作と反応条件で炭酸ストロンチウム154.0g(収率92.4%)を得た。
{実施例5}
(精製水酸化ストロンチウムの調製)
純水20kgに前記の市販の水酸化ストロンチウム8水塩2kgを秤量して加え、85℃に昇温して攪拌下に水酸化ストロンチウム8水塩を溶解させた。この溶液をカートリッジフィルター(保留粒子径5μm)を使用し2L/minの流速で0.02MPaの圧力で処理し精密濾過処理を行った。得られた濾過液を25℃になるまで自然冷却後、24時間放置した。次に、沈殿物を遠心分離により脱水して水酸化ストロンチウム8水塩を回収した。晶析により得られた水酸化ストロンチウム8水塩の不純物の測定は、市販の水酸化ストロンチウム8水塩の不純物測定と同様に行った。その結果を表3に示す。
Figure 2008214116
(炭酸ストロンチウムの調製)
前記の精密濾過処理及び晶折を行った精製水酸化ストロンチウム300gと純水3kgとを5Lステンレス製容器(貯蔵槽(2))に仕込んだ。次に85℃に昇温して精製水酸化ストロンチウムを溶解させた。次にこの精製水酸化ストロンチウムを含む溶液を、球状のポリプロピレン製ボール(平均粒径3mm、佐藤鉄工株式会社製;粒状媒体(5))が60容量%の充填率となるように収容された容量0.5Lのアクリル製円筒状反応容器(接触処理槽(1))に流速1.6L/min(SV190)で送液し、反応系内を循環させた。
次に、循環状態のまま、溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり0.88L/minの流速で炭酸ガス(純度99.9%)を二酸化炭素導入口(11)から吹き込んだ。貯蔵槽(図1の6)の炭酸ストロンチウムを含むスラリーのpHが7になった時点で炭酸ガスの吹き込みを中止し同時に反応終了とした。反応終了後の反応液を濾過後、回収物を120℃で12h乾燥し、解砕して炭酸ストロンチウム159.6g(収率95.8%)を得た。
なお、使用したアクリル製円筒状反応容器は、実施例1と同じものを使用した。
{比較例1}
前記の市販の水酸化ストロンチウム8水塩300gと純水3kgとを5Lステンレス製容器に仕込んだ。85℃に昇温して水酸化ストロンチウムを溶解させた。次にこの水酸化ストロンチウムを含む溶液に、溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり0.88L/minの流量で炭酸ガス(純度99.9%)を吹き込んだ。炭酸ストロンチウムを含むスラリーのpHが7になった時点で炭酸ガスの吹き込みを中止し同時に反応終了とした。反応終了後の反応液を濾過後、回収物を120℃で12時間乾燥し、解砕して炭酸ストロンチウム154.0g(収率92.4%)を得た。
{比較例2}
実施例2と同様な操作で得られた精密濾過処理を行った濾過液3.3kgを5Lステンレス製容器に仕込み、この濾過液を85℃に保持し、溶解している水酸化ストロンチウム1molあたり0.88L/minの流量で炭酸ガス(純度99.9%)を吹き込んだ。5Lステンレス製容器内の炭酸ストロンチウムを含むスラリーのpHが7になった時点で炭酸ガスの吹き込みを中止し同時に反応終了とした。反応終了後の反応液を濾過後、回収物を120℃で12時間乾燥し、解砕して炭酸ストロンチウム157.8g(収率94.7%)を得た。
<炭酸ストロンチウムの物性評価>
実施例1〜5及び比較例1〜2で得られた炭酸ストロンチウムについて、不純物含有量、平均粒径及びBET比表面積を測定した。その結果を表4に示す。また、反応に要した炭酸ガス導入量及び収率も併せて表4に示す。また、実施例2、実施例5及び比較例2で得られた炭酸ストロンチウムの電子顕微鏡写真(倍率10,000)を図2〜4にそれぞれ示す。
なお、得られた炭酸ストロンチウムの不純物の測定は、市販の水酸化ストロンチウム8水塩の不純物測定と同様に行った。平均粒径はレーザー散乱法により求めた。なお、表4中の炭酸ガス導入量は、Sr原子に対するCO導入量(当量)を示す。
Figure 2008214116
表4から分かるように、実施例1〜5では、従来の製法に相当する比較例1及び2よりも炭酸ガス導入量が半分以下と少ないにもかかわらず、従来の製法と同等あるいはそれ以上の純度を有する炭酸ストロンチウムが得られる。
本発明で好ましく用いられる製造装置の構成を説明するための概略図。 実施例2で得られた炭酸ストロンチウム粉末の粒子形状を示すSEM写真(倍率10,000)。 実施例5で得られた炭酸ストロンチウム粉末の粒子形状を示すSEM写真(倍率10,000)。 比較例2で得られた炭酸ストロンチウム粉末の粒子形状を示すSEM写真(倍率10,000)。
符号の説明
1 接触処理槽、2 貯蔵槽、3 二酸化炭素供給源、4a,4b フィルター、5 粒状媒体、6 溶液排出口、7 溶液戻し配管、8 溶液導入口、9 溶液導入配管、10 二酸化炭素導入配管、11 二酸化炭素導入口、12 循環ポンプ。

Claims (9)

  1. ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを接触させて炭酸ストロンチウムを製造する方法において、ストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素との接触を粒状媒体の存在下で行うことを特徴とする炭酸ストロンチウムの製造方法。
  2. 前記粒状媒体が収容された接触処理槽にストロンチウム化合物を含む溶液と二酸化炭素とを導入して接触させ、該接触処理槽から排出された溶液を該接触処理槽に再び導入して循環させることを特徴とする請求項1に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  3. 前記ストロンチウム化合物として、粗製ストロンチウム化合物を含む溶液を精密濾過処理して得られた精製ストロンチウム化合物を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  4. 前記ストロンチウム化合物として、粗製ストロンチウム化合物を含む溶液を精密濾過処理した後、晶析を行って得られた精製ストロンチウム化合物を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  5. 前記ストロンチウム化合物が水酸化ストロンチウムであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  6. 前記粒状媒体が樹脂製又はセラミック製であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  7. 前記粒状媒体が球状である請求項6に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  8. 前記粒状媒体の平均粒径が1〜10mmである請求項6又は7に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
  9. 前記接触処理槽における前記粒状媒体の充填率が10〜95容量%であることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の炭酸ストロンチウムの製造方法。
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Citations (2)

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JP2004059372A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Baraito Kogyo Kk 微粒炭酸バリウムの製造方法及びチタン酸バリウムの製造方法
JP2006117468A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Toshiba Fuel Cell Power Systems Corp 液体燃料改質システムと方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004059372A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Baraito Kogyo Kk 微粒炭酸バリウムの製造方法及びチタン酸バリウムの製造方法
JP2006117468A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Toshiba Fuel Cell Power Systems Corp 液体燃料改質システムと方法

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