JP2008209473A - ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008209473A JP2008209473A JP2007043751A JP2007043751A JP2008209473A JP 2008209473 A JP2008209473 A JP 2008209473A JP 2007043751 A JP2007043751 A JP 2007043751A JP 2007043751 A JP2007043751 A JP 2007043751A JP 2008209473 A JP2008209473 A JP 2008209473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- action
- leaving
- protected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基と酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基とを有する分子量500〜3000の化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。
【選択図】なし
Description
しかしながら、これらのいかなる組合せにおいても、超微細領域での、高感度、高解像性、良好な疎密依存性は、同時に満足できていないのが現状である。
R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR1は、結合して環を形成してもよい。複数のR2は、結合して環を形成してもよい。複数のR3は、結合して環を形成してもよい。複数のR4は、結合して環を形成してもよい。複数あるR1、R2、R3及びR4は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R5及びR6は、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。複数あるR5及びR6は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R2とR5は、結合して環を形成してもよい。
R4とR6は、結合して環を形成してもよい。
Wは、複数ある場合には各々独立に、単結合、直鎖若しくは分岐状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はこれらの組み合わせから成る基を表す。
但し、R1、R2、R3、R4、OR5及びOR6の内の少なくとも一つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
xは、正の整数を表す。
yは、0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、yは0である。
zは、0以上の整数を表す。
vは、0以上の整数を表す。
m1、m3、及びm4は、正の整数を表す。
m2及びm5は、0以上の整数を表す。
但し、m1+m2+z=5、m3+v=3、m4+m5=5、m2+m5≧2を満たす。
R11及びR12は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR11は、結合して環を形成してもよい。複数のR12は、結合して環を形成してもよい。複数あるR11及びR12は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R13は、水素原子又は有機基を表す。複数あるR13は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R11とR13は、結合して環を形成してもよい。
Xは、複数ある場合には各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
但し、R11、R12及びOR13の内の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
aは、1〜4の整数を表す。
m11は、0以上の整数を表す。
m12は、0以上の整数を表す。
することを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基と酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基とを有する分子量500〜3000の化合物を含有する。
(B)成分の化合物は、下記一般式(I)又は(II)で表されることが好ましい。
R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR1は、結合して環を形成してもよい。複数のR2は、結合して環を形成してもよい。複数のR3は、結合して環を形成してもよい。複数のR4は、結合して環を形成してもよい。複数あるR1、R2、R3及びR4は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R5及びR6は、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。複数あるR5及びR6は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R2とR5は、結合して環を形成してもよい。
R4とR6は、結合して環を形成してもよい。
Wは、単結合、直鎖若しくは分岐状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はこれらの組み合わせから成る基を表す。
但し、R1、R2、R3、R4、OR5及びOR6の内の少なくとも一つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
xは、正の整数を表す。
yは、0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、yは0である。
zは、0以上の整数を表す。
vは、0以上の整数を表す。
m1、m3、及びm4は、正の整数を表す。
m2及びm5は、0以上の整数を表す。
但し、m1+m2+z=5、m3+v=3、m4+m5=5、m2+m5≧2を満たす。
R11及びR12は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR11は、結合して環を形成してもよい。複数のR12は、結合して環を形成してもよい。複数あるR11及びR12は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R13は、水素原子又は有機基を表す。複数あるR13は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R11とR13は、結合して環を形成してもよい。
Xは、複数ある場合には各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
但し、R11、R12及びOR13の内の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
aは、1〜4の整数を表す。
m11は、0以上の整数を表す。
m12は、0以上の整数を表す。
R1、R2、R3及びR4におけるシクロアルキル基としては、単環、多環どちらでもよい。たとえば、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好ましく、例えばアダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等を挙げることができる。
上記アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基、シクロアルキル基が有してよい置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
具体的には、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基が挙げられる。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表す。
Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R16のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。アルキル基、アルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。アルキル基、アルコキシ基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R01〜R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Wにおけるシクロアルキレン基は、単環、多環どちらでもよく、環を形成するアルキレン基としては、例えば炭素数3〜8個のシクロアルキレン基(例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基)を挙げることができる。
上記の各基は、さらに置換基を有していてよく、置換基としては、アルキル基(好ましくは炭素数1〜10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
アルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖は、アルキレン鎖中に―O―、―OC(=O)―、―OC(=O)O―、―N(R)−C(=O)―、―N(R)−C(=O)O―、―S―、―SO―、―SO2―を含んでいても良い。ここでRは水素原子またはアルキル基(好ましくは炭素数1〜10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等)である。
Wにおけるアリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6〜15個のものが挙げられる。
R13は、一般式(I)に於ける、R5及びR6と同様のものである。
シクロアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基が挙げられ、途中にヘテロ原子を介していてもよい。中でも、炭素数1〜20の直鎖若しくは分岐状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基が好ましく、特に炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
R1、R2、R5、x、z、m1及びm2は、一般式(I)におけるそれらと同義である。
R7は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。複数のR7が結合して環を形成してもよい。また、複数あるR7は互いに同じであっても異なっていても良い。
uは、正の整数を表す。ただしu+x=3である。
rは、正の整数を表す。
W0は、アリーレン基を表す。
W1は、単結合、アルキレン基またはシクロアルキレン基を表す。
Aは、下記構造を表す。
R3、R4、R6、m4及びm5は、一般式(I)におけるそれらと同義である。
具体例に於いて、Rは、複数個ある場合には各々独立に、水素原子、酸の作用で脱離する基又は酸の作用により脱離しない基を表し、Raは、複数個ある場合には各々独立に、水素原子、酸の作用で脱離する基又は酸の作用により脱離しない基を表す。
基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。R14a及びR15aは、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。R16aは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す。尚、R11a、R12a、R13aのうちの2つ、またはR14a、R15a、R16aのうちの2つが結合して環を形成してもよい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘ
キサフルオロイソプロパノール基〔−C(CF3)2OH〕等が挙げられる。好ましくは、フェノール性水酸基、カルボキシル基、ヘキサフルオロイソプロパノール基であり、さらに好ましくは、フェノール性水酸基、カルボキシル基である。
(B)成分の化合物は、酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を1〜10個有することが好ましく、2〜8個有することがより好ましい。
(B)成分の化合物は、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基を1〜6個有することが好ましく、2〜4個有することがより好ましい。
(B)成分の化合物は、酸の作用により脱離しない基で保護されたカルボキシル基を1〜2個有していてもよい。
なお、一般式(I)中のR5又はR6の場合、例えば、以下のように、酸分解性基を有する基を変性により導入することもできる。
−〔C(R17a)(R18a)〕p−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)
ここで、R17aおよびR18aは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表す。また、pは1〜4の整数である。
本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」と呼ぶ場合がある。)について以下に説明する。
本発明において使用される酸発生剤としては、一般に酸発生剤として使用される化合物の中から選択することができる。
即ち、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
ドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。
X-は、非求核性アニオンを表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
ナデシル基、エイコシル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン
酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、特に好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有する芳香族スルホン酸アニオン、最も好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
化合物(ZI−2)は、一般式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
R1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c〜R7c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)に於ける、X-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207としてのアルキル基は、炭素数1〜10の直鎖又は分岐アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)等を挙げることができる。
R204〜R207としてのシクロアルキル基は、炭素数3〜10のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基等を挙げることができる。
R204〜R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3〜15)、アリール基(例えば炭素数6〜15)、アルコキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R206、R207及びR208は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基をし、これ
らは、R204〜R207としてのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基と同様である。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
R1は、アルキル基、脂環炭化水素基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
yは、0又は1〜5の整数を表す。yが2以上の整数の場合に、2個以上あるR1は、同じでも異なっていてもよい。
Q1〜Q4は、各々独立に、フッ素原子で置換された炭素数1〜3のアルキル基、フッ素原子で置換されたシクロアルキル基、フッ素原子で置換されたアリール基又はフッ素化アルキル基で置換されたアリール基を表す。
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができる。
R1の脂環炭化水素基としては、たとえば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等があげられる。
Q1〜Q4のフッ素原子で置換されたアルキル基としては、例えば、−CF3、−C2F5
、−n-C3F7、−CF(CF3)2、−CH(CF3)2、−(CF2)2OCF2CF3、−
(CF2)2O(CH2)3CH3、−(CF2)2O(CH2)13CH3、−(CF2)2O(C
F2)2(CH2)3CH3などがあげられる。
Q1〜Q4のフッ素原子で置換されたアリール基としては、例えば、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、2,3,4−トリフルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、4−ウンデカニルオキシ−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル基などがあげられる。
Q1〜Q4のフッ素化アルキル基で置換されたアリール基としては、例えば、3−トリフルオロメチルフェニル基、3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、4−n−ノナフルオロブチルフェニル基などがあげられる。
酸発生剤のポジ型レジスト組成物中の含量は、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%、更に好ましくは1〜7質量%である。
R21〜R23に於ける、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基は、置換基を有していてもよい。
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基が有してもよい置換基の例としては、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)、アリール基(フェニル基、ナフチル基等)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
アリール基が有してもよい置換基の例としては、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、フッ素原子等)、ニトロ基、シアノ基、アルキル基(メチル基、エチル基、t-ブチル基
、t-アミル基、オクチル基等)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基が有してもよい置換基の例としては、上記R21がアルキル基である場合の置換基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。アリール基の置換基の例としては、上記R21がアリール基である場合の置換基の例として挙げたものと同じものが挙げられる。
カルボン酸発生剤/スルホン酸発生剤(質量比)は、通常99.9/0.1〜50/50、好ましくは99/1〜60/40、特に好ましくは98/2〜70/30である。
カルボン酸発生剤は、特開2002−27806号公報に記載の合成方法など公知の方法により合成することができる。
本発明においては、さらに(C)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂(以下、「樹脂(C)」ともいう)を含有することが、解像力などの性能向上、保存安定性の向上などの観点から好ましい。酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂としては、例えば、下記一般式(1)又は(2)で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。
R1は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のペルフルオロ基を表す。
Xは、酸脱離性基を表す。
R3は、複数ある場合には各々独立して、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
A1は、複数ある場合には各々独立して、水素原子、酸の作用により脱離する基又は酸の作用により分解する基を含む基を表す。
mは、1〜3の整数を表す。
nは0〜4の整数を表す。
R3としてのアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数1〜8の上記アルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
R3としてのアリール基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数6〜15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましく挙げることができる。
R3としてのアシル基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数2〜8個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。
これらの基が有してもよい置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)等を挙げることができる。
A1に於ける、酸の作用により脱離する基としては、(B)成分の化合物、一般式(I)、R5〜R6に於ける、酸脱離性基と同様のものを挙げることができる。
R1は、一般式(2)におけるR1と同義である。
R3は、酸の作用による分解しない1価の有機基、ハロゲン原子又はニトロ基を表す。
pは、0〜5の整数を表す。pが2以上の場合に、複数個のR3は、それぞれ、同じでも異なっていてもよい。
R3は、ベンゼン環上のどの位置にあってもよいが、好ましくはスチレン骨格のメタ位かパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。
樹脂(C)における一般式(2)で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、20〜97モル%が好ましく、より好ましくは30〜95モル%であり、特に好ましくは、50〜95モル%である。基板への密着不良やスカム抑制の点から20%以上が好ましく、未露光部の膜減りや解像力低下を確実に防止する点で97モル%以下が好ましい。
さらに、樹脂(C)は、一般式(1)又は(2)に含まれる酸分解性基以外に、他の酸分解性基を有するモノマーを含有していてもよく、他の酸分解性基としては、例えば、−C(=O)−X1-R0で表されるものを挙げることができる。
式中、R0 としては、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることができる。X1は、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2
NH−を表す。
ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
本発明においては、有機塩基性化合物を用いることが、解像力などの性能向上、保存安定性の向上などの観点から好ましい。有機塩基性化合物としては、窒素原子を含む化合物(含窒素塩基性化合物)がさらに好ましい。
本発明において、好ましい有機塩基性化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。
好ましい化学的環境として、下記一般式(A)〜(E)の構造を挙げることができる。
一般式(B)〜(E)は、環構造の一部であってもよい。
R200 、R201 及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1〜20個のアルキル基もしくはシクロアルキル基、又は炭素数6〜20個のアリール基を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
R200 、R201 及びR202としてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20個のアミノアルキル基及びアミノシクロアルキル基、及び炭素数1〜20個のヒドロキシアルキル基が好ましい。
一般式(E)において、
R203 、R204 、R205 及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜6個のアルキル基及びシクロアルキル基を表す。
アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基(置換アルキル基として、特にアミノアルキル基)、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基等が挙げられる。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。
本発明においては、界面活性剤類を用いることができ、製膜性、パターンの密着性、現像欠陥低減等の観点から好ましい。
レエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301,EF303,EF352(新秋田化成(株)製)、メガファックF171,F173(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラ−ドFC430,FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710,サーフロンS−382,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100質量部当たり、通常、2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
これらの界面活性剤として、例えば特開昭62−36663号公報、特開昭61−226746号公報、特開昭61−226745号公報、特開昭62−170950号公報、特開昭63−34540号公報、特開平7−230165号公報、特開平8−62834号公報、特開平9−54432号公報、特開平9−5988号公報、特開2002−277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同 5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、さらに、染料、光塩基発生剤などを含有させることができる。
本発明においては、染料を用いることができる。
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げることができる。
本発明の組成物に添加できる光塩基発生剤としては、特開平4−151156号、同4−162040号、同5−197148号、同5−5995号、同6−194834号、同8−146608号、同10−83079号、欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられ、具体的には、2−ニトロベンジルカルバメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホンアミド、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル−N−イソプロピルカーバメート等が好適に用いることができる。これらの光塩基発生剤は、レジスト形状などの改善を目的とし添加される。
本発明のポジ型レジスト組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。全レジスト成分の固形分濃度として、通常2〜30質量%とすることが好ましく、3〜25質量%がより好ましい。
ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ現像液のpHは通常10〜15である。
ビス(3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニル)-(4-ヒドロキシフェニル)メタン45.6gをTHF300mlに溶解させた後、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン20gとブロモ酢酸t-ブチル20gを添加した。60℃で5時間反応させた後、さらに室温で3時間攪拌下反応させた。反応液を酢酸にて中和した後、蒸留水3Lに滴下し、析出した白色粉体をろ過により集めた。得られた白色粉体をテトラヒドロフラン100mlに溶解した後、再度蒸留水2L中に晶析し、析出した薄黄色粉体をろ過により集めた後、40℃にて減圧乾燥した。得られた粉体をカラムクロマトグラフィ−にて精製した。70℃にて減圧乾燥した後、乾燥THFに溶解した。そこへp-トルエンスルホン酸0.2gを加えた後、フェネチルビニルエーテル6gを導入し反応させ化合物(S−1)を得た。
ポジ型レジストの調製および塗設
化合物(S−1) 0.60g
酸分解性樹脂(R−34) 0.33g
スルホン酸発生剤(z2) 0.07g
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート8.8gに溶解させ、さらに有機塩基性化合物としてD−2(下記参照)0.003g、及び界面活性剤としてメガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製、以下「W−1」と略す)0.001gを添加、溶解させ、得られた溶液を0.1μm口径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液を6インチシリコンウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、110℃、90秒ベークして膜厚0.25μmのレジスト膜を得た。
ポジ型レジストパターンの作成
このレジスト膜に、電子線描画装置((株)日立製作所性HL750、加速電圧50KeV)を用いて電子線照射を行った。照射後に110℃、90秒ベークし、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスして乾燥した。得られたパターンを下記の方法で評価した。
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察した。0.13μmライン(ライン:スペース=1:1)を解像する時の最小
照射エネルギーを感度とした。
解像力
上記の感度を示す照射量における限界解像力(ラインとスペースが分離解像)を解像力とした。
LWR(ラインウィズスラフネス)
上記と同様にして得られたレジストパターンについて、走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)により線幅を観察し、130nmの線幅に於ける線幅の変動(LWR)を観察した。測長走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して、測定モニタ内で、線幅を複数の位置で検出し、その検出位置のバラツキの分散(3σ)をLWRの指標とした。
疎密依存性
上記の感度を示す照射量における0.15μmラインパターンにおける、密パターン(ライン:スペース=1:1)の線幅と、孤立パターンの線幅を測定し、その差を疎密依存性とした。
下記表3に示した化合物を用いて、実施例1と全く同様にしてレジスト調製・塗設、電子線露光評価を行った。評価結果を表3に示した。
D−1: トリ−n−ヘキシルアミン
D−2: 2,4,6−トリフェニルイミダゾール
D−3: テトラ−(n−ブチル)アンモニウムヒドロキシド
W−1:フッ素系界面活性剤、メガファックF-176(大日本インキ化学工業製)
W−2:フッ素/シリコン系界面活性剤、メガファックR08(大日本インキ化学工業製)
W−3:シリコン系界面活性剤、シロキサンポリマーKP341(信越化学工業製)
結果を表5に示す。
Claims (5)
- (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基と酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基とを有する分子量500〜3000の化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
- (B)成分の化合物が、下記一般式(I)又は(II)で表されることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR1は、結合して環を形成してもよい。複数のR2は、結合して環を形成してもよい。複数のR3は、結合して環を形成してもよい。複数のR4は、結合して環を形成してもよい。複数あるR1、R2、R3及びR4は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R5及びR6は、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。複数あるR5及びR6は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R2とR5は、結合して環を形成してもよい。
R4とR6は、結合して環を形成してもよい。
Wは、単結合、直鎖若しくは分岐状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はこれらの組み合わせから成る基を表す。
但し、R1、R2、R3、R4、OR5及びOR6の内の少なくとも一つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
xは、正の整数を表す。
yは、0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、yは0である。
zは、0以上の整数を表す。
vは、0以上の整数を表す。
m1、m3、及びm4は、正の整数を表す。
m2及びm5は、0以上の整数を表す。
但し、m1+m2+z=5、m3+v=3、m4+m5=5、m2+m5≧2を満たす。
R11及びR12は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基若しくは酸の作用により脱離しない基で保護されていてもよいカルボキシアルキル基を表す。複数のR11は、結合して環を形成してもよい。複数のR12は、結合して環を形成してもよい。複数あるR11及びR12は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R13は、水素原子又は有機基を表す。複数あるR13は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
R11とR13は、結合して環を形成してもよい。
Xは、複数ある場合には各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
但し、R11、R12及びOR13の内の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基で保護されたカルボキシル基又は酸の作用により脱離する基で保護されたフェノール性水酸基を表す。
aは、1〜4の整数を表す。
m11は、0以上の整数を表す。
m12は、0以上の整数を表す。 - 一般式(I)に於いて、R5及びR6の内の少なくとも1つが、酸の作用により脱離する基であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
- 更に、(C)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により、レジスト膜を形成し、露光、現像する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043751A JP4991344B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043751A JP4991344B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008209473A true JP2008209473A (ja) | 2008-09-11 |
JP4991344B2 JP4991344B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=39785854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007043751A Expired - Fee Related JP4991344B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4991344B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022091731A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06287163A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-10-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを含有するポジ型レジスト材料 |
JPH0977720A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ビスフェノールカルボン酸第三級エステル誘導体及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP2002055452A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
JP2005309421A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006276459A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-02-23 JP JP2007043751A patent/JP4991344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06287163A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-10-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを含有するポジ型レジスト材料 |
JPH0977720A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ビスフェノールカルボン酸第三級エステル誘導体及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP2002055452A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材 |
JP2005309421A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006276459A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022091731A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | ||
WO2022091731A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | Dic株式会社 | 金属錯体、組成物、レジスト材料、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP7151943B2 (ja) | 2020-10-27 | 2022-10-12 | Dic株式会社 | 金属錯体、組成物、レジスト材料、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4991344B2 (ja) | 2012-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4524234B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007279699A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2006276759A (ja) | Euv露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4121396B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4368282B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP5039622B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007256347A (ja) | ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP5046965B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4696010B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007206638A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4580841B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2006251551A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 | |
JP2005275283A (ja) | 電子線、euv光又はx線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4324433B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4905786B2 (ja) | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007256639A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2005274877A (ja) | Euv露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2005091713A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 | |
JP4533831B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4682026B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2008249889A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2008089790A (ja) | レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2008102509A (ja) | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP4871693B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2006276459A (ja) | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4991344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |