JP2008201593A - Glass ceramic composition for plasma display panel backside dielectric - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル(以下、PDPという。)の背面誘電体層の製造に用いられるガラスセラミックス組成物に関する。 The present invention relates to a glass ceramic composition used for manufacturing a back dielectric layer of a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP).
薄型の平板型カラー表示装置であるPDPのパネル構造の特徴のひとつとして、画素を区切るために画面全域に等間隔で形成される隔壁が挙げられる。
PDPでは前面ガラス基板と背面ガラス基板が重ね合わされており、前面ガラス基板の表面には、通常、透明電極および当該透明電極を被覆する誘電体層が形成されており、当該誘電体層はMgO膜で被覆され、保護されている。一方、背面ガラス基板の表面には、通常、アドレス電極および当該アドレス電極を被覆する絶縁被覆層としての背面誘電体層が形成されており、当該背面誘電体層の上に隔壁が形成されている。隔壁は画面全域に等間隔で格子状に形成され、その格子間隔は典型的には200〜300μmである。また、隔壁の幅、高さは、典型的にはそれぞれ80μm、150μmである。
One of the features of the panel structure of the PDP, which is a thin flat panel color display device, is a partition that is formed at equal intervals over the entire screen to divide the pixels.
In a PDP, a front glass substrate and a back glass substrate are superposed, and a transparent electrode and a dielectric layer covering the transparent electrode are usually formed on the surface of the front glass substrate, and the dielectric layer is an MgO film. Covered and protected. On the other hand, on the surface of the rear glass substrate, an address electrode and a rear dielectric layer as an insulating coating layer that covers the address electrode are usually formed, and a partition is formed on the rear dielectric layer. . The partition walls are formed in a lattice pattern at regular intervals over the entire screen, and the lattice spacing is typically 200 to 300 μm. The width and height of the partition walls are typically 80 μm and 150 μm, respectively.
PDPの隔壁は、たとえば、隔壁形状を保持するためのセラミックスフィラー、固着材であるガラス粉末、色調調整のための耐熱顔料等からなる無機粉末をビヒクルと混合して得られる隔壁用ペーストを用い、次のようにして形成される。
すなわち、まず、表面にアドレス電極が形成されたガラス基板上にスクリーン印刷等の方法で背面誘電体層用ペーストを印刷し、乾燥させた後、500〜620℃で焼成し背面誘電体層(以下、焼成膜ということがある。)を形成する。
The partition walls of the PDP are, for example, a partition wall paste obtained by mixing a ceramic filler for maintaining the partition wall shape, glass powder as a fixing material, heat resistant pigment for color tone adjustment, etc. with a vehicle, It is formed as follows.
That is, first, a back dielectric layer paste is printed on a glass substrate having an address electrode formed on the surface by a method such as screen printing, dried, and then baked at 500 to 620 ° C. to form a back dielectric layer (hereinafter referred to as a dielectric layer) , Sometimes referred to as a fired film).
次に、この焼成膜が形成されたガラス基板の上の全面に隔壁用ペーストを塗布し、乾燥させる。
次に、この乾燥された塗布層(以下、乾燥膜という。)の上にドライフィルムレジストをラミネートし、所望の隔壁パターンの露光マスクをセットして露光後、炭酸ナトリウム水溶液等を用いて現像し、乾燥膜の上に隔壁パターンを形成する。この隔壁パターンが形成された乾燥膜の不要部をサンドブラストによって切削し、未焼成隔壁を得た後、この未焼成隔壁の上に残っているドライフィルムを水酸化ナトリウム水溶液、エタノールアミン等によって除去後、500〜620℃で焼成しガラス基板上に隔壁を形成する。
Next, a partition wall paste is applied to the entire surface of the glass substrate on which the fired film has been formed, and dried.
Next, a dry film resist is laminated on the dried coating layer (hereinafter referred to as a dry film), an exposure mask having a desired partition pattern is set, and after exposure, developed using an aqueous sodium carbonate solution or the like. A partition wall pattern is formed on the dry film. After cutting the unnecessary part of the dry film on which the partition wall pattern is formed by sandblasting to obtain an unfired partition wall, the dry film remaining on the unfired partition wall is removed with an aqueous sodium hydroxide solution, ethanolamine or the like. And baking at 500 to 620 ° C. to form partition walls on the glass substrate.
ところで、これまで背面誘電体層(以下、単に背面誘電体という。)に主に使用されてきたPbO−SiO2−B2O3系ガラスに代表される鉛含有ガラスは優れた性質を有しているが、近年、低鉛または無鉛系のガラスが望まれ、鉛含有ガラスに代替するガラスが種々提案されている。たとえば、PbOに替えてBi2O3を用いたビスマス含有ガラスや、ZnO−B2O3−SiO2系でアルカリ金属酸化物(R2O)を含有するガラス等が提案されている。 By the way, lead-containing glass represented by PbO—SiO 2 —B 2 O 3 based glass, which has been mainly used for the back dielectric layer (hereinafter simply referred to as “back dielectric”), has excellent properties. In recent years, however, low-lead or lead-free glass has been desired, and various types of glass that can replace lead-containing glass have been proposed. For example, a bismuth-containing glass using Bi 2 O 3 instead of PbO, a glass containing an alkali metal oxide (R 2 O) in a ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system, and the like have been proposed.
このうち、ビスマス含有ガラスには、ビスマスが資源としても少量な物質で高価であるという問題があり、このような問題を解決するためには無鉛であるだけでなく低ビスマスまたは無ビスマスのガラスであることが望まれる。
このようなガラスとして、質量百分率表示で5〜15%のB2O3、20〜60%のSiO2および5〜20%のR2Oからなる無鉛無ビスマスガラスが知られている(特許文献1参照)。
Among them, bismuth-containing glass has a problem that bismuth is a small amount of material as a resource and is expensive, and in order to solve such a problem, it is not only lead-free but also low bismuth or bismuth-free glass. It is desirable to be.
As such a glass, a lead-free bismuth glass composed of 5 to 15% B 2 O 3 , 20 to 60% SiO 2 and 5 to 20% R 2 O in mass percentage is known (Patent Literature). 1).
背面誘電体に無鉛無ビスマスガラスを用いると、隔壁パターンが形成された乾燥膜の不要部をサンドブラストによって切削し、未焼成隔壁を得た後、この未焼成隔壁の上に残っているドライフィルムを水酸化ナトリウム水溶液、エタノールアミン等によって除去する工程(レジスト剥離工程)において、前記焼成膜と未焼成隔壁の密着性が不十分なために未焼成隔壁が焼成膜から剥離しやすくなるという問題があった。
本発明はこのような問題を解決できるガラスセラミックス組成物の提供を目的とする。
When lead-free and bismuth glass is used for the back dielectric, unnecessary portions of the dry film on which the barrier rib pattern is formed are cut by sandblasting to obtain an unfired barrier rib, and then the dry film remaining on the green barrier rib is removed. In the step of removing with sodium hydroxide aqueous solution, ethanolamine or the like (resist stripping step), there is a problem that the unfired partition walls are easily peeled off from the fired film due to insufficient adhesion between the fired film and the unfired partition walls. It was.
The object of the present invention is to provide a glass ceramic composition capable of solving such problems.
本発明は、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2 20〜30%、B2O3 16〜25%、ZnO 40〜50%、Li2O+Na2O+K2O 2〜7%、Al2O3 0〜5%、から本質的になるガラス粉末と、当該ガラス粉末100質量部に対して3〜10質量部の割合のSiO2粉末とを含有するPDP背面誘電体用ガラスセラミックス組成物を提供する。 The present invention is expressed in mass percentages based on the following oxides: SiO 2 20-30%, B 2 O 3 16-25%, ZnO 40-50%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 2-7%, Al 2 A glass ceramic composition for a PDP back dielectric comprising a glass powder consisting essentially of O 3 0 to 5% and a SiO 2 powder in a proportion of 3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the glass powder. provide.
レジスト剥離工程において未焼成隔壁が焼成膜から剥離しにくくなる。 In the resist stripping step, the unfired partition wall is difficult to peel from the fired film.
前記ガラス粉末(以下、本発明のガラス粉末という。)は、通常、粉砕、分級されて作製される。
本発明のガラス粉末は、少なくとも前記割合のSiO2粉末を含むセラミックス粉末と混合されて前記PDP背面誘電体用ガラスセラミックス組成物(以下、本発明の組成物という。)とされる。
The glass powder (hereinafter referred to as the glass powder of the present invention) is usually produced by pulverization and classification.
The glass powder of the present invention is mixed with a ceramic powder containing at least the above proportion of SiO 2 powder to form the glass ceramic composition for a PDP back dielectric (hereinafter referred to as the composition of the present invention).
本発明の組成物は通常、樹脂を有機溶剤に溶解させたビヒクルと混練してペーストまたはグリーンシートとされる。前記樹脂としてはエチルセルロース、酢酸セルロース、ポリアクリレート、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース等が、前記有機溶剤としてはα−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、酢酸イソペンチル等がそれぞれ例示される。
このペーストまたはグリーンシートは、電極形成されたガラス基板上にスクリーン印刷またはラミネートされ、焼成されて背面誘電体となる。
焼成温度は通常550〜600℃である。550℃未満では、背面誘電体が焼結不足となるおそれがある。600℃超では通常使用されているガラス基板(ガラス転移点:550〜620℃)が変形するおそれがある。
The composition of the present invention is usually kneaded with a vehicle in which a resin is dissolved in an organic solvent to form a paste or a green sheet. Examples of the resin include ethyl cellulose, cellulose acetate, polyacrylate, polyvinyl butyral, and nitrocellulose, and examples of the organic solvent include α-terpineol, butyl carbitol acetate, and isopentyl acetate.
This paste or green sheet is screen printed or laminated on a glass substrate on which an electrode is formed, and baked to form a back dielectric.
The firing temperature is usually 550 to 600 ° C. If it is less than 550 degreeC, there exists a possibility that a back surface dielectric material may be insufficiently sintered. If it exceeds 600 ° C., a glass substrate (glass transition point: 550 to 620 ° C.) that is usually used may be deformed.
本発明のガラス粉末のTsは600℃以下であることが好ましい。600℃超では焼成温度を高くしなければならなくなるおそれがある。Tsは典型的には450〜600℃、より典型的には480〜590℃である。 It is preferable that Ts of the glass powder of this invention is 600 degrees C or less. If it exceeds 600 ° C., the firing temperature may have to be increased. Ts is typically 450-600 ° C, more typically 480-590 ° C.
前記ガラス基板としては通常、50〜350℃における平均線膨張係数(α)が80×10−7〜90×10−7/℃のものが用いられる。したがってこのようなガラス基板と膨張特性をマッチングさせ、ガラス基板のそりや強度の低下を防止できるようにするためには、本発明のガラス粉末を焼成して得られた焼成体のαは55×10−7〜75×10−7/℃であることが好ましく、より好ましくは60×10−7〜70×10−7/℃である。
なお、本発明の組成物を焼成して得られた焼成体のαは50×10−7〜70×10−7/℃であることが好ましく、より好ましくは55×10−7〜65×10−7/℃である。
As the glass substrate, those having an average linear expansion coefficient (α) of 80 × 10 −7 to 90 × 10 −7 / ° C. at 50 to 350 ° C. are usually used. Therefore, in order to match the expansion characteristics with such a glass substrate and prevent the glass substrate from being warped or reduced in strength, α of the fired body obtained by firing the glass powder of the present invention is 55 ×. It is preferably 10 −7 to 75 × 10 −7 / ° C., more preferably 60 × 10 −7 to 70 × 10 −7 / ° C.
Incidentally, it is preferred that the α composition of the fired-obtained sintered body of the present invention is 50 × 10 -7 ~70 × 10 -7 / ℃, more preferably 55 × 10 -7 ~65 × 10 -7 / ° C.
次に、本発明のガラス粉末の組成について質量百分率表示を用いて説明する。
SiO2はガラスを安定化させる、または、焼成膜と未焼成隔壁との密着性を向上する効果を有する成分であり、必須である。20%未満では前記効果が不十分になる。好ましくは21%以上、より好ましくは22%以上である。30%超ではTsが高くなりすぎる。好ましくは25%以下、典型的には24%以下である。
Next, the composition of the glass powder of the present invention will be described using mass percentage display.
SiO 2 is a component having an effect of stabilizing the glass or improving the adhesion between the fired film and the unfired partition walls, and is essential. If it is less than 20%, the above effect is insufficient. Preferably it is 21% or more, More preferably, it is 22% or more. If it exceeds 30%, Ts becomes too high. Preferably it is 25% or less, typically 24% or less.
B2O3はガラスを安定化させる、またはαを小さくする成分であり、必須である。16%未満ではガラスが不安定になる、またはαが大きくなる。好ましくは18%以上である。25%超ではTsが高くなりすぎる。好ましくは23%以下である。 B 2 O 3 is a component that stabilizes the glass or reduces α, and is essential. If it is less than 16%, the glass becomes unstable or α becomes large. Preferably it is 18% or more. If it exceeds 25%, Ts becomes too high. Preferably it is 23% or less.
ZnOはTsを低下させる成分であり、必須である。40%未満ではTsが高くなる。好ましくは42%以上、典型的には44%以上である。50%超ではガラスが不安定になる。典型的には48%以下である。 ZnO is a component that lowers Ts and is essential. If it is less than 40%, Ts becomes high. Preferably it is 42% or more, typically 44% or more. If it exceeds 50%, the glass becomes unstable. Typically it is 48% or less.
Li2O、Na2OおよびK2OはTsを低下させる成分であり、いずれか1種以上を含有しなければならない。これら3成分の含有量の合計が2%未満ではTsが高くなりすぎる。好ましくは3%以上である。7%超では焼成膜と未焼成隔壁との密着性が不十分になる。好ましくは6%以下である。 Li 2 O, Na 2 O and K 2 O are components that lower Ts, and must contain at least one of them. If the total content of these three components is less than 2%, Ts becomes too high. Preferably it is 3% or more. If it exceeds 7%, the adhesion between the fired film and the unfired partition becomes insufficient. Preferably it is 6% or less.
Al2O3は必須ではないが、ガラスを安定化させるために5%まで含有してもよい。5%超では、Tsが高くなりすぎる。Al2O3を含有する場合その含有量は典型的には1%以上である。 Al 2 O 3 is not essential, but may be contained up to 5% in order to stabilize the glass. If it exceeds 5%, Ts becomes too high. When Al 2 O 3 is contained, its content is typically 1% or more.
本発明のガラス粉末は本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。そのような成分を含有する場合それらの含有量の合計は、好ましくは10%以下、より好ましくは5%以下である。このような成分の代表的なものについて以下で説明する。
CeO2はガラス着色、脱バインダ性向上等のためにたとえば3%まで含有してもよい。
ガラス着色を目的とする成分としてはCeO2の他にCoO、CuO、MnO2およびSnO2が例示されるが、これら成分の含有量合計は好ましくは5%以下である。
The glass powder of the present invention consists essentially of the above components, but may contain other components as long as the object of the present invention is not impaired. When such components are contained, the total content thereof is preferably 10% or less, more preferably 5% or less. Representative examples of such components will be described below.
CeO 2 may be contained, for example, up to 3% for glass coloring, binder removal improvement and the like.
In addition to CeO 2 , CoO, CuO, MnO 2 and SnO 2 are exemplified as the component for glass coloring, and the total content of these components is preferably 5% or less.
この他に、La2O3などの希土類酸化物(CeO2を除く)、Fe2O3、NiO、GeO2、Y2O3、MoO3、Rh2O3、Ag2O、In2O3、TeO2、WO3、ReO2、V2O5、PdO、TiO2、ZrO2、MgO、CaO、SrO、BaO等が例示されるが、BaOについてはこれを含有しない、またはBaOを2%以下の範囲で含有することが好ましい場合がある。
なお、本発明のガラス粉末はPbOおよびBi2O3のいずれも含有しない。また、P2O5はガラスを不安定にするおそれがあるので含有しないことが好ましい。
In addition, rare earth oxides such as La 2 O 3 (excluding CeO 2 ), Fe 2 O 3 , NiO, GeO 2 , Y 2 O 3 , MoO 3 , Rh 2 O 3 , Ag 2 O, In 2 O 3 , TeO 2 , WO 3 , ReO 2 , V 2 O 5 , PdO, TiO 2 , ZrO 2 , MgO, CaO, SrO, BaO, etc. are exemplified, but BaO does not contain this, or BaO is 2 It may be preferable to contain in the range below%.
The glass powder of the present invention contains neither PbO nor Bi 2 O 3 . Further, it is preferable not to contain since P 2 O 5, there is a possibility that an unstable glass.
本発明の組成物においてSiO2粉末は焼成膜と未焼成隔壁との密着性を向上させる成分であり、必須である。その含有割合が、本発明のガラス粉末100質量部に対して3質量部未満では前記密着性が不十分になる。10質量部超では焼結性が低下し背面誘電体の緻密性が不十分になる。なお、SiO2粉末としては結晶質シリカ粉末とそれよりも膨張係数が小さい非晶質シリカ粉末が挙げられる。 In the composition of the present invention, the SiO 2 powder is a component that improves the adhesion between the fired film and the unfired partition walls, and is essential. When the content ratio is less than 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the glass powder of the present invention, the adhesion becomes insufficient. If it exceeds 10 parts by mass, the sinterability is lowered and the density of the back dielectric becomes insufficient. Examples of the SiO 2 powder include crystalline silica powder and amorphous silica powder having a smaller expansion coefficient.
本発明の組成物は必要であればSiO2粉末以外のセラミックス粉末を含有してもよい。その場合、SiO2粉末を含むセラミックス粉末の含有割合は15質量部以下であることが好ましい。
このようなSiO2粉末以外のセラミックス粉末としては、特開2004−265719号公報に開示されている酸化スズ粉末等の導電性粉末、アルミナ、ムライト、ジルコン、ジルコニア、コージェライト、チタン酸アルミニウム、β−スポジュメン、β−ユークリプタイト等のセラミックスの粉末、耐熱顔料が例示される。
If necessary, the composition of the present invention may contain ceramic powder other than SiO 2 powder. In that case, it is preferable that the content ratio of the ceramic powder containing SiO 2 powder is 15 parts by mass or less.
Such ceramic powders other than SiO 2 powder include conductive powders such as tin oxide powder disclosed in JP-A No. 2004-265719, alumina, mullite, zircon, zirconia, cordierite, aluminum titanate, β Examples include powders of ceramics such as spodumene and β-eucryptite, and heat-resistant pigments.
表1のSiO2からCuOまでの欄に質量百分率表示で示す組成となるように、原料を調合して混合し、1200〜1350℃の電気炉中で白金ルツボを用いて1時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボールミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。
得られたガラス粉末のTs(単位:℃)およびα(単位:10−7/℃)を同表のTsおよびαGの欄にそれぞれ示す。なお、*を付したものは組成から計算した値である。
The raw materials were prepared and mixed so as to have a composition expressed in mass percentages in the columns from SiO 2 to CuO in Table 1, and melted for 1 hour using a platinum crucible in an electric furnace at 1200 to 1350 ° C. After forming into glass, it was pulverized with a ball mill to obtain glass powder.
Ts (unit: ° C.) and α (unit: 10 −7 / ° C.) of the obtained glass powder are shown in the columns of Ts and α G in the same table, respectively. In addition, what attached | subjected * is the value calculated from the composition.
このガラス粉末、アルミナ粉末、結晶質シリカ粉末(シリカ1粉末)、非晶質シリカ粉末(シリカ2粉末)および酸化スズ粉末を各該当欄に示す質量比で混合しガラスセラミックス組成物を得た。例1〜7は実施例、例8〜10は比較例である。 This glass powder, alumina powder, crystalline silica powder (silica 1 powder), amorphous silica powder (silica 2 powder) and tin oxide powder were mixed at a mass ratio shown in the corresponding column to obtain a glass ceramic composition. Examples 1 to 7 are examples, and examples 8 to 10 are comparative examples.
次に、エチルセルロース12質量部とブチルカルビトールアセテート88質量部を混ぜ、85℃で4時間攪拌し、ビヒクルを作製した。
このビヒクル15質量部に前記無機物粉末を85質量部を混合し、その後三本ロールを用いて混練し、ずり速度20s−1での粘度が35Pa・sとなるように粘度調整し、背面誘電体ペーストを得た。
この背面誘電体ペーストを焼成して得られた焼成体のαを表1のαGCの欄に示す。
Next, 12 parts by mass of ethyl cellulose and 88 parts by mass of butyl carbitol acetate were mixed and stirred at 85 ° C. for 4 hours to prepare a vehicle.
85 parts by mass of the inorganic powder is mixed with 15 parts by mass of the vehicle, and then kneaded using three rolls, the viscosity is adjusted so that the viscosity at a shear rate of 20 s -1 is 35 Pa · s, and the back dielectric A paste was obtained.
The α of the fired body obtained by firing this back dielectric paste is shown in the column of α GC in Table 1.
一方、隔壁用ペーストを次のようにして作製した。
まず、エチルセルロース10質量部に対し、ターピネオールを45質量部、ブチルカルビトールアセテートを45質量部の割合でそれぞれ混合し、85℃で4時間攪拌し、ビヒクルを作製した。
このビヒクル22質量部に、質量百分率表示組成が、SiO2 20%、B2O3 20%、ZnO 45%、Li2O 2%、Na2O 8%、Al2O3 3%、CeO2 1%、CuO 1%、であるガラス粉末66質量部とアルミナ粉末12質量部を混合し、その後三本ロールを用いて混練し、ずり速度20s−1での粘度が25Pa・sとなるように粘度調整し、隔壁ペーストを得た。
On the other hand, a partition wall paste was prepared as follows.
First, 45 parts by mass of terpineol and 45 parts by mass of butyl carbitol acetate were mixed with 10 parts by mass of ethyl cellulose, followed by stirring at 85 ° C. for 4 hours to prepare a vehicle.
In 22 parts by mass of the vehicle, the mass percentage display composition is SiO 2 20%, B 2 O 3 20%, ZnO 45%, Li 2 O 2%, Na 2 O 8%, Al 2 O 3 3%, CeO 2. 1%, CuO 1%, 66 parts by weight of glass powder and 12 parts by weight of alumina powder are mixed and then kneaded using three rolls so that the viscosity at a shear rate of 20 s −1 is 25 Pa · s. The viscosity was adjusted to obtain a barrier rib paste.
このようにして得られた例1〜10の背面誘電体ペーストと隔壁ペーストを用いて、焼成膜(背面誘電体)と未焼成隔壁との密着性を評価するべく次のような剥離性試験を行った。
背面誘電体ペーストを、10cm角のガラス基板(旭硝子社製PD200)に#325スクリーン版で印刷し、120℃の乾燥機にて20分乾燥し、ベルト焼成炉にてトップ温度580℃、トップキープ時間10分の条件で焼成し、ガラス基板上に焼成膜を形成した。
Using the back dielectric paste and barrier rib paste obtained in Examples 1 to 10 thus obtained, the following peel test was conducted to evaluate the adhesion between the fired film (back dielectric) and the unfired barrier rib. went.
The back dielectric paste was printed on a 10 cm square glass substrate (PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) with a # 325 screen plate, dried in a 120 ° C. dryer for 20 minutes, and kept at a top temperature of 580 ° C. in a belt firing furnace. Firing was carried out under conditions for 10 minutes to form a fired film on the glass substrate.
次に、この焼成膜の上に隔壁ペーストを、乾燥後膜厚が200μmとなるようにブレードコートし、190℃で20分乾燥した。
次に、東京応化工業社製のドライフィルムNB235を、ロール温度110℃、ロール圧150kPa、基板搬送速度0.45m/分の条件で1回ラミネ−タに通した。その後、感光ライン幅30、40、50、60、70、80、100、120、140μmのパターンを有する露光マスクをセットして200mJ/cm2で露光し、0.5%炭酸ナトリウム水溶液の現像液で現像した。
これを不二製作所社製サンドブラスト装置(型式 SCM−1ADE−NH−401P)および研削材(SUS#1200)を用いてブラストした。
Next, the partition wall paste was blade-coated on the fired film so that the film thickness after drying was 200 μm, and dried at 190 ° C. for 20 minutes.
Next, dry film NB235 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was passed through a laminator once under the conditions of a roll temperature of 110 ° C., a roll pressure of 150 kPa, and a substrate transport speed of 0.45 m / min. Thereafter, an exposure mask having a pattern with photosensitive line widths of 30, 40, 50, 60, 70, 80, 100, 120, and 140 μm is set, exposed at 200 mJ / cm 2 , and a 0.5% sodium carbonate aqueous solution. Developed with.
This was blasted using a sand blasting apparatus (model SCM-1ADE-NH-401P) manufactured by Fuji Seisakusho Co., Ltd. and an abrasive (SUS # 1200).
その後、シャワー剥離装置にて、剥離液として1.0%水酸化ナトリウム水溶液を使用し、シャワー圧が0.8kg/cm2、剥離時間3分、水洗時間3分の条件でドライフィルムを剥離した。 Thereafter, the dry film was peeled off with a shower peeling apparatus using a 1.0% aqueous sodium hydroxide solution as a peeling liquid under conditions of a shower pressure of 0.8 kg / cm 2 , a peeling time of 3 minutes, and a washing time of 3 minutes. .
剥離後、焼成膜に密着し、かつ欠け等のない未焼成隔壁のうち最も幅の小さいものの底部の幅を測定し、これを剥離性指標(単位:μm)とした。剥離性指標は120μm以下であることが好ましい。 After peeling, the width of the bottom portion of the unfired partition wall which is in close contact with the fired film and has no chipping or the like was measured, and this was used as a peelability index (unit: μm). The peelability index is preferably 120 μm or less.
PDPの背面誘電体の形成に利用できる。 It can be used to form a PDP backside dielectric.
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