JP2008199720A - Power supply module - Google Patents

Power supply module Download PDF

Info

Publication number
JP2008199720A
JP2008199720A JP2007030000A JP2007030000A JP2008199720A JP 2008199720 A JP2008199720 A JP 2008199720A JP 2007030000 A JP2007030000 A JP 2007030000A JP 2007030000 A JP2007030000 A JP 2007030000A JP 2008199720 A JP2008199720 A JP 2008199720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
adhesive layer
radiating plate
coil portion
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007030000A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5012066B2 (en
Inventor
Koji Nakajima
浩二 中嶋
Toshiyuki Nakada
俊之 中田
Tatsuichi Yamanouchi
辰一 山之内
Toru Onishi
徹 大西
Hitoshi Kono
仁 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2007030000A priority Critical patent/JP5012066B2/en
Publication of JP2008199720A publication Critical patent/JP2008199720A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5012066B2 publication Critical patent/JP5012066B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the heat dissipation performance of a coil portion of a transformer in a power supply module in which the transformer is integrated with a semiconductor element. <P>SOLUTION: This power supply module is provided with a first heat dissipation plate 8, a transformer 9 and semiconductor elements 10, 11 which are integrated with the first heat dissipation plate 8, wherein the transformer 9 has a core portion 12 and a coil portion 13 for generating magnetic field using the core portion 12 as an axis, the one surface of the coil portion 13 is thermally joined to the first heat dissipation plate 8 and a second heat dissipation plate 17 is thermally joined to the other surface of the coil portion 13. Thus, in the power supply module 7 in which the transformer 9 and the semiconductor elements 10, 11 are integrated, the second heat dissipation plate 17 can efficiently dissipate heat of the coil portion 13, and the heat dissipation performance of the coil portion 13 can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールに関する。   The present invention relates to a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated.

図4に示すように、近年のモジュールの標準化の要請に応えるため、放熱板1上にトランス2と半導体素子3とを実装し、一体化した電源モジュール4が考えられる。   As shown in FIG. 4, in order to meet the recent demand for standardization of modules, a power supply module 4 in which a transformer 2 and a semiconductor element 3 are mounted on a heat sink 1 can be considered.

この図4の電源モジュール4は、放熱板1と、この放熱板1と一体化された、トランス2および半導体素子3とを備え、トランス2は、コア部5と、このコア部5を軸として磁束を発生させるコイル部6とを有し、コア部5の一面と放熱板1とが接合されることで、この放熱板1とトランス2とが一体化されているものである。   4 includes a heat sink 1 and a transformer 2 and a semiconductor element 3 integrated with the heat sink 1. The transformer 2 includes a core portion 5 and the core portion 5 as an axis. The heat sink 1 and the transformer 2 are integrated by having a coil portion 6 that generates magnetic flux and joining one surface of the core 5 and the heat sink 1.

このように出来るだけ電子部品を一体化しておけば、個々の電子部品毎に実装したり、回路配置等を設計したりする必要がなくなるため、設計工数が削減され、生産性向上にも大きく寄与するのである。   By integrating electronic components as much as possible in this way, it is not necessary to mount each individual electronic component or design the circuit layout, etc., reducing design man-hours and contributing greatly to productivity improvement. To do.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2005−80382号公報
As prior art document information relating to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
JP 2005-80382 A

上記構成の電源モジュール4では、トランス3のコイル部6の放熱性が低いという問題がある。   The power supply module 4 having the above configuration has a problem that the heat dissipation of the coil portion 6 of the transformer 3 is low.

それは、一般的にトランス2のコア部5はコイル部6よりも熱伝導性が低いため、図4のようにコア部5と放熱板1とを接合すると、コイル部6の熱が効率よく放熱板1へ伝わらないためである。そしてこのようにコイル部6の放熱性が低いと、コイル部6の温度上昇により電気抵抗が増大する上に、モジュール全体の温度が上昇することで小型化や高密度実装が困難になるなど、種々の課題が発生するのである。   Generally, the core part 5 of the transformer 2 has lower thermal conductivity than the coil part 6, and therefore, when the core part 5 and the heat radiating plate 1 are joined as shown in FIG. 4, the heat of the coil part 6 is efficiently radiated. This is because it is not transmitted to the plate 1. And if the heat dissipation of the coil part 6 is low in this way, the electrical resistance increases due to the temperature rise of the coil part 6 and the temperature of the entire module rises, making it difficult to reduce the size and density, etc. Various problems arise.

そこで本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to improve heat dissipation of a coil portion of a transformer in a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated.

この目的を達成するため本発明は、第1の放熱板と、この第1の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、トランスは、コア部と、このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、このコイル部の一面と第1の放熱板とが熱的に接合され、前記コイル部の他面には第2の放熱板が熱的に接合されているものとした。   In order to achieve this object, the present invention includes a first heat radiating plate, a transformer and a semiconductor element integrated with the first heat radiating plate, and the transformer includes a core portion and the core portion as an axis. A coil portion for generating a magnetic field, and one surface of the coil portion and the first heat radiating plate are thermally bonded, and a second heat radiating plate is thermally bonded to the other surface of the coil portion. It was supposed to be.

これにより本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来る。   Thereby, the present invention can improve the heat dissipation of the coil portion of the transformer in the power supply module in which the transformer and the semiconductor element are integrated.

それは発熱性の高い半導体素子とコイル部とが第1の放熱板と熱的に接合されていることから、速やかに熱が伝導し、電源モジュール全体の均熱性が向上するとともに、コイル部に接合された第2の放熱板でコイル部からの熱を効率よく放出することができるためである。そしてその結果、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来るのである。   This is because the highly heat-generating semiconductor element and the coil part are thermally joined to the first heat sink, so that heat is conducted quickly, so that the thermal uniformity of the entire power supply module is improved and the coil part is joined. This is because the heat from the coil portion can be efficiently released by the second heat radiating plate. As a result, in the power supply module in which the transformer and the semiconductor element are integrated, the heat dissipation of the coil portion of the transformer can be improved.

以下、本発明の実施の形態におけるトランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールについて説明する。   Hereinafter, a power supply module in which a transformer and a semiconductor element in an embodiment of the present invention are integrated will be described.

(実施の形態1)
はじめに、本実施の形態における構造を説明する。
(Embodiment 1)
First, the structure in the present embodiment will be described.

図1に示す電源モジュール7は、第1の放熱板8と、この第1の放熱板8と一体化された、トランス9およびFET10(半導体素子)、ダイオード11(半導体素子)とを備え、トランス9は、コア部12A、12B(以下まとめてコア部12とする。)と、コイル部13とを有している。   A power supply module 7 shown in FIG. 1 includes a first heat radiating plate 8, a transformer 9, an FET 10 (semiconductor element), and a diode 11 (semiconductor element) integrated with the first heat radiating plate 8. 9 includes core portions 12 </ b> A and 12 </ b> B (hereinafter collectively referred to as a core portion 12) and a coil portion 13.

なお、本実施の形態では、コア部12は、中脚14A、14B(以下まとめて中脚14とする。)と、この中脚14に略垂直となるように、中脚14の上下の両端にそれぞれ形成された背脚15A、15B(以下まとめて背脚15とする)とを有している。コイル部13は、中脚14を軸に閉磁状の磁界を発生させるものであり、この中脚14の外周であって上下の背脚15間に配置されているものである。なお、図1では、コイル部13の外側面にコア部12は配置されておらず、開放系となっているが、このコイル部13の外側面を覆い、中脚14と略平行な外脚(図示せず)を設ければ、磁束をよりスムーズに流すことができる。   In the present embodiment, the core portion 12 includes middle legs 14A and 14B (hereinafter collectively referred to as the middle legs 14) and both upper and lower ends of the middle legs 14 so as to be substantially perpendicular to the middle legs 14. And back legs 15A and 15B (hereinafter collectively referred to as back legs 15). The coil portion 13 generates a closed magnetic field around the middle leg 14 as an axis, and is disposed between the upper and lower back legs 15 on the outer periphery of the middle leg 14. In FIG. 1, the core portion 12 is not disposed on the outer surface of the coil portion 13 and is an open system. However, the outer leg covers the outer surface of the coil portion 13 and is substantially parallel to the middle leg 14. If (not shown) is provided, the magnetic flux can flow more smoothly.

また本実施形態では、コア部12として中脚14の両端に背脚15が形成されたものを用いたため、磁束が閉路状をなすコア部12を形成することができる。背脚15は中脚14とコイル部13とを覆うように形成し、他方の背脚15と対向させている。さらに本実施の形態のコア部12は、上方のコア部12と下方のコア部12とに分割したものを用いている。   Moreover, in this embodiment, since the core part 12 in which the back legs 15 are formed at both ends of the middle leg 14 is used, the core part 12 in which the magnetic flux forms a closed circuit shape can be formed. The back leg 15 is formed so as to cover the middle leg 14 and the coil portion 13, and is opposed to the other back leg 15. Further, the core portion 12 of the present embodiment is divided into an upper core portion 12 and a lower core portion 12.

以下、上方のコア部12をコア部12Aとし、下方のコア部12をコア部12Bとして詳細に説明すると、本実施の形態の上方のコア部12Aは中脚14Aと、この中脚14Aの上端部に中脚14Aと略垂直な背脚15Aとを有し、下方のコア部12Bも同様に、中脚14Bと、この中脚14Bの下端部に中脚14Bと略垂直な背脚15Bとを有し、中脚14Aと中脚14Bとは磁気的に接合されたものである。このようにコア部12を分割すると、コイル部13の挿入が容易となる。   Hereinafter, the upper core portion 12 will be described as a core portion 12A, and the lower core portion 12 will be described as a core portion 12B. The upper core portion 12A of the present embodiment includes an intermediate leg 14A and an upper end of the intermediate leg 14A. The middle leg 14A and the substantially perpendicular back leg 15A are provided in the lower part, and the lower core part 12B is similarly provided with the middle leg 14B and the lower leg 15B of the middle leg 14B. The middle leg 14A and the middle leg 14B are magnetically joined. When the core portion 12 is divided in this way, the coil portion 13 can be easily inserted.

また本実施の形態では、コイル部13としては巻線コイルを用い、この巻線コイルはボビン16内で巻き回している。そしてこのコイル部13の下面と第1の放熱板8の上面とが接合されることで、この第1の放熱板8とトランス9とが一体化されているとともに、コイル部13の上面には第2の放熱板17が配置されている。すなわち第1の放熱板8は、下方の背脚15Bとコイル部13との間に配置され、第2の放熱板17は、上方の背脚15Aとコイル部13との間に配置されている。この第2の放熱板17は折り曲げ、伸ばしが可能である。   In the present embodiment, a winding coil is used as the coil portion 13, and this winding coil is wound in the bobbin 16. The lower surface of the coil portion 13 and the upper surface of the first heat radiating plate 8 are joined, so that the first heat radiating plate 8 and the transformer 9 are integrated, and the upper surface of the coil portion 13 is A second heat radiating plate 17 is arranged. That is, the first heat radiating plate 8 is disposed between the lower back leg 15B and the coil portion 13, and the second heat radiating plate 17 is disposed between the upper back leg 15A and the coil portion 13. . The second heat radiating plate 17 can be bent and stretched.

また本実施の形態では、第1の放熱板8の中央にトランス9が接合されており、その外周にはFET10やダイオード11などの半導体素子などが実装されている。なおこれらのFET10やダイオード11は、第1の接着層18を介して第1の放熱板8上に形成されたリードフレーム19上に半田付けされ、実装されている。   In the present embodiment, a transformer 9 is joined to the center of the first heat radiating plate 8, and a semiconductor element such as an FET 10 or a diode 11 is mounted on the outer periphery thereof. The FET 10 and the diode 11 are soldered and mounted on a lead frame 19 formed on the first heat radiation plate 8 via a first adhesive layer 18.

またコイル部13と第1の放熱板8の間は、第2の接着層20で接着されている。そして本実施の形態では、この第2の接着層20は、第1の接着層18よりも弾性率が小さい(軟らかい)ものとした。さらにコア部12Bの背脚15Bと第1の放熱板8との間は、第3の接着層21で接着され、第2の接着層20は、第3の接着層21よりも熱伝導率が高いものとした。   The coil portion 13 and the first heat radiating plate 8 are bonded with a second adhesive layer 20. In the present embodiment, the second adhesive layer 20 has a smaller elastic modulus (softer) than the first adhesive layer 18. Further, the back legs 15B of the core portion 12B and the first heat radiating plate 8 are bonded with a third adhesive layer 21, and the second adhesive layer 20 has a thermal conductivity higher than that of the third adhesive layer 21. It was expensive.

また本実施の形態では、第1の放熱板8と、この第1の放熱板8と対面する下方の背脚15Bとは第3の接着層21で接着したが、第2の放熱板17と、この第2の放熱板17と対面する上方の背脚15Aとの間は、接着層を形成せず、空間を設け、熱伝導率を小さくしている。   Further, in the present embodiment, the first heat radiating plate 8 and the lower back leg 15B facing the first heat radiating plate 8 are bonded by the third adhesive layer 21, but the second heat radiating plate 17 and The adhesive layer is not formed between the second heat radiation plate 17 and the upper back leg 15A facing the second heat radiating plate 17, and a space is provided to reduce the thermal conductivity.

さらに本実施の形態では、第1の放熱板8は、FET10やダイオード11などの半導体素子が接合されている部分において、その下面(FET10やダイオード11を実装する側と反対側の面)とシャーシ22とが面接触するように、コイル部13と面接触させた部分とFET10やダイオード11などが接合されている部分との間で折り曲げられている。   Further, in the present embodiment, the first heat radiating plate 8 has a lower surface (surface opposite to the side on which the FET 10 or the diode 11 is mounted) and a chassis at a portion where semiconductor elements such as the FET 10 and the diode 11 are joined. 22 is bent between a portion in surface contact with the coil portion 13 and a portion to which the FET 10 and the diode 11 are joined.

このように形成された電源モジュール7は、上方に配置されたメイン基板23にリードフレーム19を挿入し、このメイン基板23に設けられた貫通孔24にトランス9を配置することで実装される。そしてこのトランス9は、1次側のコイル部13に電流が流されると、コア部12に磁束を誘起し、その磁束の変化を2次側のコイル部13で受けて電圧に変えるものである。   The power supply module 7 formed in this way is mounted by inserting the lead frame 19 into the main board 23 arranged above and arranging the transformer 9 in the through hole 24 provided in the main board 23. The transformer 9 induces a magnetic flux in the core portion 12 when a current is passed through the primary side coil portion 13, and receives the change in the magnetic flux at the secondary side coil portion 13 to convert it into a voltage. .

以下に本実施の形態で用いた部材の材料について説明する。   The material of the member used by this Embodiment is demonstrated below.

第1の放熱板8および第2の放熱板17としては、厚みが1.0mm〜5.0mm程度のアルミ板または銅板などを用いた。また本実施の形態では、コイル部13の巻線としては銅線に絶縁層を被覆したものを用いたが、その他、銅板などで形成してもよい。またコア部12(12Aおよび12B)は鉄、マンガンなどの金属酸化物を焼結させた軟磁性体のフェライトを用いた。なおこのコア部12は磁性体であればフェライト以外でもよい。   As the first heat radiating plate 8 and the second heat radiating plate 17, an aluminum plate or a copper plate having a thickness of about 1.0 mm to 5.0 mm was used. In the present embodiment, the winding of the coil portion 13 is a copper wire coated with an insulating layer, but may be formed of a copper plate or the like. The core 12 (12A and 12B) was made of soft magnetic ferrite obtained by sintering a metal oxide such as iron or manganese. The core portion 12 may be other than ferrite as long as it is a magnetic material.

またリードフレーム19を形成するための金属板としては、厚みが0.5mmのタフピッチ銅を用いた。なお、この金属板の厚みは、リードフレーム19からの熱拡散性および放熱性を十分大きくするためには0.1mm以上が好ましい。   Further, as a metal plate for forming the lead frame 19, tough pitch copper having a thickness of 0.5 mm was used. The thickness of the metal plate is preferably 0.1 mm or more in order to sufficiently increase the heat diffusibility and heat dissipation from the lead frame 19.

また、第1の接着層18としては、エポキシ樹脂にAl23からなるフィラを70〜95重量%充填させたものを用いた。エポキシ樹脂を用いたのは、耐熱性や電気絶縁性に優れているためである。エポキシ樹脂以外では、フェノール樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性を有する熱硬化性樹脂や、液晶ポリマーやPPS(ポリフェニレンスルファイド)などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。 As the first adhesive layer 18, it was used to fill a filler made of Al 2 O 3 in the epoxy resin 70 to 95 wt%. The epoxy resin is used because it is excellent in heat resistance and electrical insulation. In addition to the epoxy resin, an insulating thermosetting resin such as a phenol resin or a cyanate resin, or a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer or PPS (polyphenylene sulfide) may be used.

また本実施形態では、このフィラ入りエポキシ樹脂に予め熱可塑性樹脂粉末からなるプレゲル材を添加した。このプレゲル材は、未硬化の熱硬化性樹脂の液状成分を吸収して膨張し、素早くゲル化させるため、第1の接着層18のエポキシ樹脂が重合する前段階で固体化することができ、金型から容易に取り出すことが出来る。   Moreover, in this embodiment, the pregel material which consists of thermoplastic resin powder was previously added to this epoxy resin with a filler. This pregel material absorbs the liquid component of the uncured thermosetting resin, expands, and quickly gels. Therefore, the pregel material can be solidified before the epoxy resin of the first adhesive layer 18 is polymerized. It can be easily removed from the mold.

そしてフィラとしては、Al23の他に、MgO、SiO2、BN及びAlNの少なくとも何れか一つからなる無機粉末や、金属酸化物からなる粉末を充填させたものを用いてもよい。これらのフィラによって熱伝導率を高めることができる。また特にMgOを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、BNを用いると線熱膨張係数を小さくできる。このように、充填するフィラの種類で樹脂の熱膨張係数を調整することによって、リードフレーム19や第1の放熱板8に用いる金属と第1の接着層18との熱膨張係数を近似させ、モジュール全体の熱信頼性を向上させることが出来る。 As the filler, in addition to Al 2 O 3 , an inorganic powder made of at least one of MgO, SiO 2 , BN, and AlN, or a powder made of a metal oxide may be used. These fillers can increase the thermal conductivity. In particular, when MgO is used, the linear thermal expansion coefficient can be increased, and when BN is used, the linear thermal expansion coefficient can be decreased. Thus, by adjusting the thermal expansion coefficient of the resin with the type of filler to be filled, the thermal expansion coefficient of the metal used for the lead frame 19 and the first heat radiating plate 8 and the first adhesive layer 18 is approximated, The thermal reliability of the entire module can be improved.

また本実施の形態で用いたAl23からなるフィラは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl23を混合したものである。この大小2種類の粒径のAl23を用いることによって、大きな粒径のAl23の隙間に小さな粒径のAl23を充填でき、Al23を95重量%程度にまで高濃度に充填できる。この結果、第1の接着層18の熱伝導率は5W/m・K程度となる。 The filler made of Al 2 O 3 used in this embodiment is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 3 microns and an average particle size of 12 microns. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, can fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, the Al 2 O 3 to about 95 wt% Can be filled to a high concentration. As a result, the thermal conductivity of the first adhesive layer 18 is about 5 W / m · K.

そして、このフィラは、直径が0.1〜100μmの範囲のできるだけ小さいものを用い、70〜95重量%程度に高濃度に充填すれば、熱伝導率を上げることができる。なお、フィラの充填率が95重量%を超えると成形し難くなり、第1の接着層18とリードフレーム19や第1の放熱板8となる金属板との接着性も低下するため、95重量%以下に抑える方がよい。第1の接着層18としては、熱伝導性の高い液晶ポリマー、PPSなどの熱可塑性樹脂を用いる場合もある。   And if this filler is as small as possible with a diameter in the range of 0.1 to 100 μm and is filled to a high concentration of about 70 to 95% by weight, the thermal conductivity can be increased. If the filling rate of the filler exceeds 95% by weight, it becomes difficult to mold, and the adhesiveness between the first adhesive layer 18 and the metal plate serving as the lead frame 19 or the first heat radiating plate 8 is also reduced. It is better to keep it below%. As the first adhesive layer 18, a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer having high thermal conductivity or PPS may be used.

また本実施形態では、この第1の接着層18の厚さは、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮し、最大0.6mmとなるように形成した。   Further, in the present embodiment, the thickness of the first adhesive layer 18 is formed to be a maximum of 0.6 mm in consideration of the withstand voltage and the thermal resistance.

また本実施の形態では、第2の接着層20は第1の接着層18よりもフィラの含有率を小さくして、熱伝導率および弾性率ともに小さくなる構成とした。   In the present embodiment, the second adhesive layer 20 is configured to have a filler content smaller than that of the first adhesive layer 18 so that both the thermal conductivity and the elastic modulus are reduced.

さらに第3の接着層21は第2の接着層20よりもさらにフィラの含有率を小さくして、熱伝導率がより小さくなる構成とした。   Further, the third adhesive layer 21 has a smaller filler content than that of the second adhesive layer 20 so that the thermal conductivity is further reduced.

そして本実施の形態におけるシャーシ22は、厚み2.0mm程度のアルミ板を用いた。このシャーシ22のかわりにフィンを配置すれば、表面積が広がり、より放熱性を高めることができる。   And the chassis 22 in this Embodiment used the aluminum plate about 2.0 mm thick. If fins are arranged in place of the chassis 22, the surface area increases and the heat dissipation can be further improved.

次に、本実施の形態における電源モジュール7の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the power supply module 7 in this Embodiment is demonstrated.

まずフィラ入り樹脂の塊を、中央が凸になるように丸型(あるいは蒲鉾型、台形、円柱、球状)にまとめ、図1に示す第1の放熱板8の両脇上に置く。そしてこのフィラ入り樹脂を加熱プレス、あるいは真空加熱プレス等によってシート状となるように延伸する。   First, the filler-filled resin mass is collected into a round shape (or a bowl shape, a trapezoidal shape, a cylindrical shape, a spherical shape) so that the center is convex, and placed on both sides of the first heat radiation plate 8 shown in FIG. Then, this filler-containing resin is stretched to form a sheet by a heat press or a vacuum heat press.

次にこの第1の放熱板8を100℃で1〜2分間加熱し、第1の接着層18を固体化させ、金型から取り外す。そしてその後200℃の炉に数時間入れ、第1の接着層18のエポキシ樹脂を重合させて本硬化させる。本実施の形態では、この第1の接着層18を硬化させる前に、第1の接着層18上に予めリードフレーム19を配置し、一体化させてから硬化させた。ここでリードフレーム19にパターンを形成している場合、リードフレーム19を第1の接着層18と略面一となるまで埋め込むと、パターン間にもフィラ入り樹脂が入り込み、電気的絶縁性を向上させることができるとともに、リードフレーム19上に電子部品が実装しやすくなる。なお、リードフレーム19は、第1の接着層18を硬化させた後、高熱伝導性の接着剤などで第1の接着層18上に配置してもよい。   Next, this 1st heat sink 8 is heated at 100 degreeC for 1-2 minutes, the 1st contact bonding layer 18 is solidified, and it removes from a metal mold | die. Then, it is placed in a furnace at 200 ° C. for several hours, and the epoxy resin of the first adhesive layer 18 is polymerized and finally cured. In the present embodiment, before the first adhesive layer 18 is cured, the lead frame 19 is disposed on the first adhesive layer 18 in advance and integrated before being cured. When a pattern is formed on the lead frame 19 here, if the lead frame 19 is embedded until it is substantially flush with the first adhesive layer 18, filler-filled resin also enters between the patterns to improve electrical insulation. In addition, electronic components can be easily mounted on the lead frame 19. The lead frame 19 may be disposed on the first adhesive layer 18 with a highly heat conductive adhesive or the like after the first adhesive layer 18 is cured.

またリードフレーム19の上面には、電気メッキで半田層あるいは錫層(図示せず)を形成してもよい。このようにして、放熱板の中央部分を除き、第1の接着層18を形成することができる。   A solder layer or a tin layer (not shown) may be formed on the upper surface of the lead frame 19 by electroplating. Thus, the 1st contact bonding layer 18 can be formed except the center part of a heat sink.

次に、第1の放熱板8を、中央部分が凸状になるように折り曲げる。なお、図2に示すように、第1の放熱板8の中央には貫通孔25と、この貫通孔25から第1の放熱板8の外側面に向けてスリット26を設けておく。このスリット26は、1次巻線に電流が流れることで発生する磁束により、第1の放熱板8に短絡電流が発生し、この短絡電流の発生による逆方向の磁束の発生を防ぐためである。   Next, the 1st heat sink 8 is bent so that a center part may become convex shape. As shown in FIG. 2, a through hole 25 is provided at the center of the first heat radiating plate 8, and a slit 26 is provided from the through hole 25 toward the outer surface of the first heat radiating plate 8. This slit 26 is for preventing a short circuit current from being generated in the first heat radiating plate 8 due to a magnetic flux generated by a current flowing through the primary winding, and generating a reverse magnetic flux due to the generation of the short circuit current. .

その後トランス9のコア部12の中脚14Bの外周に、ボビン16内で巻き回したコイル部13を配置する。ここで、このボビン16の下側には切欠き部27を設けておく。この切欠き部27から露出させたコイル部13と、第1の放熱板8とを第2の接着層20により接着させるためである。   Thereafter, the coil portion 13 wound in the bobbin 16 is disposed on the outer periphery of the middle leg 14 </ b> B of the core portion 12 of the transformer 9. Here, a notch 27 is provided below the bobbin 16. This is because the coil part 13 exposed from the notch part 27 and the first heat radiating plate 8 are bonded by the second adhesive layer 20.

そしてトランス9のコイル部13の上面に、第2の放熱板17を接着剤などで接着する。このとき、第2の放熱板17は折り曲げておく。なお、第2の放熱板17にも第1の放熱板8の貫通孔25と同様の貫通孔を設けておく。   Then, the second heat radiating plate 17 is bonded to the upper surface of the coil portion 13 of the transformer 9 with an adhesive or the like. At this time, the second heat radiating plate 17 is bent. The second heat radiating plate 17 is also provided with a through hole similar to the through hole 25 of the first heat radiating plate 8.

次に図1に示すように、第1の放熱板8の貫通孔25の下方から下側のコア部12Bの中脚14Bを挿入し、第3の接着層21で接着させる。   Next, as shown in FIG. 1, the middle leg 14 </ b> B of the lower core portion 12 </ b> B is inserted from below the through hole 25 of the first heat radiating plate 8, and is bonded by the third adhesive layer 21.

その後、下側のコア部12Bと対向するように上側のコア部12Aを配置する。   Thereafter, the upper core portion 12A is disposed so as to face the lower core portion 12B.

そして最後に、リードフレーム19上にFET10やダイオード11などの半導体部品を実装し、リードフレーム19の外側部分を折り曲げる。   Finally, semiconductor components such as the FET 10 and the diode 11 are mounted on the lead frame 19 and the outer portion of the lead frame 19 is bent.

このように形成された電源モジュール7は、リードフレーム19をメイン基板23に挿入することで実装される。   The power supply module 7 formed in this way is mounted by inserting the lead frame 19 into the main board 23.

なお、このメイン基板23には、トランス9部分に貫通孔24を設けておき、この貫通孔24部分にトランス9をはめ込む。このようにはめ込むことで、モジュール全体の低背化につながる。なお、この時、第2の放熱板17は、放熱面積を大きくするため、貫通孔24を通らない場合がある。この場合は第2の放熱板17を予め折り曲げておくと、メイン基板23の貫通孔24にトランス9をはめ込みやすくなる。そしてこの第2の放熱板17は、メイン基板23を配置した後伸ばせば低背化を阻害しない。   The main board 23 is provided with a through hole 24 in the transformer 9 portion, and the transformer 9 is fitted into the through hole 24 portion. Inserting in this way leads to a reduction in the overall height of the module. At this time, the second heat radiating plate 17 may not pass through the through hole 24 in order to increase the heat radiating area. In this case, if the second heat radiating plate 17 is bent in advance, the transformer 9 can be easily fitted into the through hole 24 of the main board 23. And if this 2nd heat sink 17 extends after arrange | positioning the main board | substrate 23, it will not inhibit a low profile.

なお、リードフレーム19の一端をコイル部13の引出端子と電気的に接続し、他端をメイン基板23に挿入すれば、コイル部13の電極を実装基板表面まで引き出すことができる。   If one end of the lead frame 19 is electrically connected to the lead terminal of the coil part 13 and the other end is inserted into the main board 23, the electrode of the coil part 13 can be drawn to the surface of the mounting board.

本実施の形態における効果を以下に説明する。   The effect in this Embodiment is demonstrated below.

トランス9と半導体素子(FET10、ダイオード11)とが一体化された電源モジュール7において、トランス9のコイル部13の放熱性を向上させることが出来る。   In the power supply module 7 in which the transformer 9 and the semiconductor element (FET 10 and diode 11) are integrated, the heat dissipation of the coil portion 13 of the transformer 9 can be improved.

それは発熱性の高い半導体素子(FET10、ダイオード11)とコイル部13とが第1、第2の接着層18、20を介して第1の放熱板8と熱的に接合されていることから、効率よく熱が伝導し、電源モジュール7全体の均熱性が向上するとともに、コイル部13に接合された第2の放熱板17でコイル部13の熱を効率よく放出することができるためである。   Because the semiconductor element (FET 10, diode 11) and the coil portion 13 with high exothermic properties are thermally bonded to the first heat radiating plate 8 via the first and second adhesive layers 18, 20, This is because heat is efficiently conducted, soaking power of the entire power supply module 7 is improved, and heat of the coil portion 13 can be efficiently released by the second heat radiating plate 17 joined to the coil portion 13.

すなわち、トランス9の発熱部位は主にコイル部13であるが、図4に示すように、トランス9のコア部12を第1の放熱板8に接合してしまうと、コイル部13の熱を効率よく逃がすことが出来ない上に、コア部12の熱伝導率はコイル部13の熱伝導率よりも小さいため、コイル部13の熱を、コア部12に拡散させることも困難である。また、図3に示すように、トランス9のコイル部13を第1の放熱板8に接合するのみでは、発熱性の非常に高いFET10やダイオード11からの熱が、第1の放熱板8を介してコイル部13に伝わり、かえってコイル部13の温度を上昇させてしまうという問題が発生する。   That is, the heat generating part of the transformer 9 is mainly the coil part 13, but when the core part 12 of the transformer 9 is joined to the first heat radiating plate 8 as shown in FIG. In addition to being unable to escape efficiently, the heat conductivity of the core portion 12 is smaller than the heat conductivity of the coil portion 13, so that it is difficult to diffuse the heat of the coil portion 13 to the core portion 12. In addition, as shown in FIG. 3, by simply joining the coil portion 13 of the transformer 9 to the first heat radiating plate 8, the heat from the FET 10 and the diode 11 having extremely high heat generation properties causes the first heat radiating plate 8 to flow. Therefore, there arises a problem that the temperature of the coil part 13 is raised instead.

一方本実施の形態では、図1に示すように、コイル部13の一面を第1の放熱板8に接合するとともに、この接合した面と対向する面に第2の放熱板17を配置している。したがって、コイル部13よりもFET10やダイオード11が高温となった場合、コイル部13に伝わった熱を第2の放熱板17から放出することができ、また仮にコイル部13がFET10やダイオード11よりも高温となった場合は、第2の放熱板17から速やかにコイル部13の熱を放出することができ、FET10やダイオード11へと熱が伝わるのを抑制することができる。このように本実施の形態ではコイル部13の放熱性を向上させることができるのである。   On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, one surface of the coil portion 13 is joined to the first heat radiating plate 8, and the second heat radiating plate 17 is disposed on the surface opposite to the joined surface. Yes. Therefore, when the FET 10 or the diode 11 becomes hotter than the coil part 13, the heat transmitted to the coil part 13 can be released from the second heat radiating plate 17, and the coil part 13 is temporarily less than the FET 10 or the diode 11. If the temperature is too high, the heat of the coil portion 13 can be quickly released from the second heat radiating plate 17, and the transfer of heat to the FET 10 and the diode 11 can be suppressed. Thus, in this Embodiment, the heat dissipation of the coil part 13 can be improved.

さらに本実施の形態では、発熱性の高いコイル部13とFET10やダイオード11とを第1の放熱板8を共有することで一体化しているため、モジュール内部の均熱性が向上し、モジュール全体の熱信頼性を向上させることができる。   Further, in the present embodiment, since the coil portion 13 having high heat generation and the FET 10 and the diode 11 are integrated by sharing the first heat radiating plate 8, the heat uniformity inside the module is improved, and the entire module is improved. Thermal reliability can be improved.

また一般に銅を主成分とするコイル部13(巻線)は、プラスチック素材でパッケージングされる半導体素子(FET10やダイオード11)よりも熱伝導率が高いため、この第2の放熱板17を半導体素子上に配置するよりも、本実施の形態のようにコイル部13上に配置する方がより効率よく放熱させることができる。   In general, the coil portion 13 (winding) mainly composed of copper has higher thermal conductivity than the semiconductor element (FET 10 or diode 11) packaged with a plastic material. Rather than disposing on the element, disposing on the coil portion 13 as in the present embodiment can dissipate heat more efficiently.

また本実施の形態では、第2の接着層20の弾性率を第1の接着層18の弾性率よりも小さく(軟らかく)したことにより、コイル部13が振動しても第2の接着層20を弾性変形させることにより吸収することができ、モジュール全体の振動に対する信頼性を向上させることができる。なお、弾性率を小さくすると一般的に熱伝導率も小さくなるため、本実施の形態では、第1の接着層18の方が第2の接着層20よりも熱伝導率が大きくなる。ここで、FET10やダイオード11などの半導体素子は、熱により破損してしまうため、熱をリードフレーム19および第1の接着層18を介して出来るだけ速やかに第1の放熱板8へと放出する必要がある。したがって本実施の形態のように第1の接着層18の熱伝導率を向上させることは非常に有効である。   In the present embodiment, since the elastic modulus of the second adhesive layer 20 is smaller (softer) than the elastic modulus of the first adhesive layer 18, the second adhesive layer 20 is vibrated even if the coil portion 13 vibrates. Can be absorbed by elastically deforming, and reliability of vibration of the entire module can be improved. Note that, when the elastic modulus is decreased, the thermal conductivity is generally decreased. Therefore, in the present embodiment, the first adhesive layer 18 has a higher thermal conductivity than the second adhesive layer 20. Here, since semiconductor elements such as the FET 10 and the diode 11 are damaged by heat, the heat is released to the first heat radiating plate 8 as quickly as possible through the lead frame 19 and the first adhesive layer 18. There is a need. Therefore, it is very effective to improve the thermal conductivity of the first adhesive layer 18 as in the present embodiment.

また本実施の形態では、第2の接着層20の熱伝導率を第3の接着層21の熱伝導率よりも高くしたことにより、第1の放熱板8からコイル部13への熱抵抗が小さくなり、第1の放熱板8からコイル部13を経由して第2の放熱板17へと繋がる一連の熱の伝達経路を形成することができる。   In the present embodiment, the thermal conductivity of the second adhesive layer 20 is made higher than the thermal conductivity of the third adhesive layer 21, so that the thermal resistance from the first heat radiating plate 8 to the coil portion 13 is increased. A series of heat transfer paths connecting the first heat radiating plate 8 to the second heat radiating plate 17 through the coil portion 13 can be formed.

すなわち、本実施の形態は、できるだけコイル部13やFET10、ダイオード11からの熱が熱伝導率の低いコア部12へ伝わるのを抑制し、第1の放熱板8で発熱部の均熱を図り、第2の放熱板17からコイル部13の熱を放出することによって、電源モジュール7全体を効率よく放熱することができるのである。   That is, this embodiment suppresses heat from the coil part 13, the FET 10, and the diode 11 from being transmitted to the core part 12 having a low thermal conductivity as much as possible, and achieves heat equalization of the heat generating part by the first heat radiating plate 8. By releasing the heat of the coil portion 13 from the second heat radiating plate 17, the entire power supply module 7 can be efficiently radiated.

そして本実施の形態では、第1の放熱板8とトランス9とを一体化させるため、この第1の放熱板8と背脚15Bとの間は第3の接着層21で接着しているが、第2の放熱板17と、この第2の放熱板17と対面する背脚15Aとの間は空間を設けている。これにより第2の放熱板17の熱がコア部12へと伝わるのを抑制し、モジュール外部へと効率よく放熱させることができる。なお、第2の放熱板17は背脚15Aと接着剤で接着しても良いが、熱の伝導を抑制するため、できるだけ熱伝導率の低い接着剤を用いることが望ましい。   In the present embodiment, in order to integrate the first heat radiating plate 8 and the transformer 9, the first heat radiating plate 8 and the back leg 15B are bonded by the third adhesive layer 21. A space is provided between the second heat radiating plate 17 and the back leg 15A facing the second heat radiating plate 17. Thereby, it can suppress that the heat of the 2nd heat sink 17 is transmitted to the core part 12, and can thermally radiate efficiently to the module exterior. The second heat radiating plate 17 may be bonded to the back leg 15A with an adhesive, but it is desirable to use an adhesive having as low a thermal conductivity as possible in order to suppress heat conduction.

なお、本実施の形態では、コイル部13には巻線コイルを用いたが、コイル部13と第1、第2の放熱板8、17とを直接的に接合させるものであれば、偏平形でもコア部に組み込まれる形態でもよいものとする。またコア部12の形状も、いわゆるE型とE型とを組み合わせた分割型(EE型)、EI型、UU型でもよく、非分割型のいわゆるトロイダルコアでもよいものとする。   In the present embodiment, a winding coil is used for the coil portion 13. However, if the coil portion 13 and the first and second heat radiating plates 8 and 17 are directly joined, a flat shape is used. However, it may be configured to be incorporated in the core portion. The shape of the core portion 12 may be a split type (EE type), an EI type, or a UU type combining a so-called E type and E type, or may be a non-split type so-called toroidal core.

本発明はトランスと半導体素子とを一体化した電源モジュールであって、コイル部の放熱性を向上させることができるため、PDP用や車載用など、大電流対応の電源モジュールに大いに利用できる。   The present invention is a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated, and the heat dissipation of the coil portion can be improved. Therefore, the power supply module can be greatly used for a power supply module for large currents such as for PDP and in-vehicle use.

本発明の一実施の形態における電源モジュールの断面図Sectional drawing of the power supply module in one embodiment of this invention 同一実施の形態における電源モジュールの製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the power supply module in the same embodiment 本発明の一実施の形態との対比のための電源モジュールの断面図Sectional drawing of the power supply module for contrast with one embodiment of this invention 同対比のための電源モジュールの断面図Cross section of power supply module for comparison

符号の説明Explanation of symbols

7 電源モジュール
8 第1の放熱板
9 トランス
10 FET(半導体素子)
11 ダイオード(半導体素子)
12、12A、12B コア部
13 コイル部
14、14A、14B 中脚
15、15A、15B 背脚
16 ボビン
17 第2の放熱板
18 第1の接着層
19 リードフレーム
20 第2の接着層
21 第3の接着層
22 シャーシ
23 メイン基板
24 貫通孔
25 貫通孔
26 スリット
27 切り欠き部
7 Power supply module 8 First heat sink 9 Transformer 10 FET (semiconductor element)
11 Diode (semiconductor element)
12, 12A, 12B Core part 13 Coil part 14, 14A, 14B Middle leg 15, 15A, 15B Back leg 16 Bobbin 17 Second heat sink 18 First adhesive layer 19 Lead frame 20 Second adhesive layer 21 Third Adhesive layer 22 Chassis 23 Main board 24 Through hole 25 Through hole 26 Slit 27 Notch

Claims (6)

第1の放熱板と、
この第1の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、
前記トランスは、
コア部と、
このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、
このコイル部の一面と前記第1の放熱板とが熱的に接合され、
前記コイル部の他面には第2の放熱板が熱的に接合されている電源モジュール。
A first heat sink;
A transformer and a semiconductor element integrated with the first heat sink;
The transformer is
The core,
A coil part that generates a magnetic field around the core part,
One surface of the coil portion and the first heat radiating plate are thermally bonded,
A power supply module in which a second heat sink is thermally joined to the other surface of the coil portion.
前記コア部は、
中脚と、
この中脚の両端に、それぞれこの中脚と略垂直に形成された背脚とを有し、
前記コイル部は、
前記背脚間であり前記中脚の外周に配置され、
前記第1の放熱板は、
前記背脚の一方と前記コイル部との間に配置され、
前記第2の放熱板は、
前記背脚の他方と前記コイル部との間に配置されている請求項1に記載の電源モジュール。
The core part is
Middle legs,
At both ends of the middle leg, the middle leg has a back leg formed substantially perpendicular to the middle leg,
The coil portion is
Between the back legs and disposed on the outer periphery of the middle leg,
The first heat sink is
It is arranged between one of the back legs and the coil part,
The second heat sink is
The power supply module of Claim 1 arrange | positioned between the other side of the said back leg, and the said coil part.
前記半導体素子と前記第1の放熱板の間には第1の接着層が形成され、
前記コイル部と前記第1の放熱板の間には第2の接着層が形成され、
この第2の接着層は、前記第1の接着層よりも弾性率が小さいものとした請求項1または2に記載の電源モジュール。
A first adhesive layer is formed between the semiconductor element and the first heat dissipation plate,
A second adhesive layer is formed between the coil portion and the first heat dissipation plate,
The power supply module according to claim 1, wherein the second adhesive layer has a smaller elastic modulus than the first adhesive layer.
前記コイル部と前記第1の放熱板の間には第2の接着層が形成され、
前記背脚と前記第1の放熱板との間には第3の接着層が形成され、
前記第2の接着層は、
前記第3の接着層よりも熱伝導率が高いものとした請求項2または3に記載の電源モジュール。
A second adhesive layer is formed between the coil portion and the first heat dissipation plate,
A third adhesive layer is formed between the back leg and the first heat radiating plate,
The second adhesive layer is
The power supply module according to claim 2 or 3, wherein the thermal conductivity is higher than that of the third adhesive layer.
前記第1の放熱板と、この第1の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率よりも、
前記第2の放熱板と、この第2の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率の方が低いものとした請求項2から4のいずれか一つに記載の電源モジュール。
Than the thermal conductivity between the first heat sink and the back leg facing the first heat sink,
5. The power supply module according to claim 2, wherein a thermal conductivity between the second heat radiating plate and a back leg facing the second heat radiating plate is lower. 6.
前記第1の放熱板上にはシャーシが接合され、
前記第1の放熱板は前記シャーシと面接触するように折り曲げられている請求項1から5のいずれか一つに記載の電源モジュール。
A chassis is joined on the first heat sink,
The power supply module according to claim 1, wherein the first heat radiating plate is bent so as to be in surface contact with the chassis.
JP2007030000A 2007-02-09 2007-02-09 Power module Expired - Fee Related JP5012066B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007030000A JP5012066B2 (en) 2007-02-09 2007-02-09 Power module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007030000A JP5012066B2 (en) 2007-02-09 2007-02-09 Power module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008199720A true JP2008199720A (en) 2008-08-28
JP5012066B2 JP5012066B2 (en) 2012-08-29

Family

ID=39758177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007030000A Expired - Fee Related JP5012066B2 (en) 2007-02-09 2007-02-09 Power module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5012066B2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199721A (en) * 2007-02-09 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply module
JP2010118465A (en) * 2008-11-12 2010-05-27 Tamura Seisakusho Co Ltd Inductor
JP2011108916A (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Cosel Co Ltd Isolation transformer
US8004867B2 (en) 2009-03-31 2011-08-23 Tdk Corporation Switching power supply unit
US8188830B2 (en) 2009-03-16 2012-05-29 Tdk Corporation Transformer and switching power supply unit
JP2012239283A (en) * 2011-05-11 2012-12-06 Cosel Co Ltd Power supply device
US8339808B2 (en) 2009-06-19 2012-12-25 Tdk Corporation Switching power supply unit
JP2016122686A (en) * 2014-12-24 2016-07-07 Fdk株式会社 Electronic module and method of manufacturing the same
WO2018016218A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社デンソー Ignition coil for internal combustion engine and method for manufacturing same
JP7559992B1 (en) 2024-02-13 2024-10-02 富士電機株式会社 DC-DC Converter Device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2921728A1 (en) 2014-03-20 2015-09-23 Areva Wind GmbH Hybrid shaft bearing with a hydrodynamic bearing and a rolling bearing, wind generator comprising a hybrid shaft bearing, use of the hybrid shaft bearing and method of operating the hybrid shaft bearing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105814A (en) * 1984-10-29 1986-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electromagnetic device
JPS6355515U (en) * 1986-09-30 1988-04-14
JP2005184883A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply device
JP2006129605A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd Method and apparatus for noncontact power supply

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105814A (en) * 1984-10-29 1986-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electromagnetic device
JPS6355515U (en) * 1986-09-30 1988-04-14
JP2005184883A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply device
JP2006129605A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd Method and apparatus for noncontact power supply

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199721A (en) * 2007-02-09 2008-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply module
JP2010118465A (en) * 2008-11-12 2010-05-27 Tamura Seisakusho Co Ltd Inductor
US8188830B2 (en) 2009-03-16 2012-05-29 Tdk Corporation Transformer and switching power supply unit
US8004867B2 (en) 2009-03-31 2011-08-23 Tdk Corporation Switching power supply unit
US8339808B2 (en) 2009-06-19 2012-12-25 Tdk Corporation Switching power supply unit
JP2011108916A (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Cosel Co Ltd Isolation transformer
JP2012239283A (en) * 2011-05-11 2012-12-06 Cosel Co Ltd Power supply device
JP2016122686A (en) * 2014-12-24 2016-07-07 Fdk株式会社 Electronic module and method of manufacturing the same
WO2018016218A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社デンソー Ignition coil for internal combustion engine and method for manufacturing same
JP2018014416A (en) * 2016-07-21 2018-01-25 株式会社デンソー Ignition coil for internal combustion engine and manufacturing method thereof
US11342111B2 (en) 2016-07-21 2022-05-24 Denso Corporation Ignition coil for internal combustion engine and manufacturing method thereof
JP7559992B1 (en) 2024-02-13 2024-10-02 富士電機株式会社 DC-DC Converter Device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5012066B2 (en) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5012066B2 (en) Power module
JP4725581B2 (en) Radiation wiring board and electrical equipment using it
JP5484429B2 (en) Power converter
JP4872693B2 (en) Power module
KR101930391B1 (en) Electronic device
JP5446302B2 (en) Heat sink and module
JP5885630B2 (en) Printed board
JP2007214246A (en) Heat dissipation wiring board and method of manufacturing same
JP2011009418A (en) Insulating transformer for switching power supply device
JP2010219182A (en) Coil component
JP2008301594A (en) Power supply unit
JP2007019125A (en) Electric power conversion device
JP2010245563A (en) Component unit
JP2023024493A (en) Power conversion device and method for manufacturing power conversion device
JP2010003718A (en) Heat-dissipating substrate and its manufacturing method, and module using heat-dissipating substrate
JP2004349400A (en) Thermally conductive circuit board and power module using the same
JP2008301592A (en) Power supply unit
JP2008227334A (en) Heat radiating wiring circuit board
JP2009194277A (en) Heat dissipation substrate and manufacturing method thereof
WO2020202954A1 (en) Electronic component mounting structure, and method for manufacturing electronic component mounting structure
JP2008235321A (en) Heat conductive substrate and manufacturing method, and circuit module using the same
JP4635977B2 (en) Heat dissipation wiring board
JP2012054487A (en) Electronic device
JP2017041497A (en) Reactor
JP2008066360A (en) Heat dissipating wiring board and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100128

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120508

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120521

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees