JP2008199720A - Power supply module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールに関する。 The present invention relates to a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated.
図4に示すように、近年のモジュールの標準化の要請に応えるため、放熱板1上にトランス2と半導体素子3とを実装し、一体化した電源モジュール4が考えられる。
As shown in FIG. 4, in order to meet the recent demand for standardization of modules, a power supply module 4 in which a transformer 2 and a
この図4の電源モジュール4は、放熱板1と、この放熱板1と一体化された、トランス2および半導体素子3とを備え、トランス2は、コア部5と、このコア部5を軸として磁束を発生させるコイル部6とを有し、コア部5の一面と放熱板1とが接合されることで、この放熱板1とトランス2とが一体化されているものである。
4 includes a
このように出来るだけ電子部品を一体化しておけば、個々の電子部品毎に実装したり、回路配置等を設計したりする必要がなくなるため、設計工数が削減され、生産性向上にも大きく寄与するのである。 By integrating electronic components as much as possible in this way, it is not necessary to mount each individual electronic component or design the circuit layout, etc., reducing design man-hours and contributing greatly to productivity improvement. To do.
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
上記構成の電源モジュール4では、トランス3のコイル部6の放熱性が低いという問題がある。
The power supply module 4 having the above configuration has a problem that the heat dissipation of the coil portion 6 of the
それは、一般的にトランス2のコア部5はコイル部6よりも熱伝導性が低いため、図4のようにコア部5と放熱板1とを接合すると、コイル部6の熱が効率よく放熱板1へ伝わらないためである。そしてこのようにコイル部6の放熱性が低いと、コイル部6の温度上昇により電気抵抗が増大する上に、モジュール全体の温度が上昇することで小型化や高密度実装が困難になるなど、種々の課題が発生するのである。
Generally, the core part 5 of the transformer 2 has lower thermal conductivity than the coil part 6, and therefore, when the core part 5 and the heat
そこで本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to improve heat dissipation of a coil portion of a transformer in a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated.
この目的を達成するため本発明は、第1の放熱板と、この第1の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、トランスは、コア部と、このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、このコイル部の一面と第1の放熱板とが熱的に接合され、前記コイル部の他面には第2の放熱板が熱的に接合されているものとした。 In order to achieve this object, the present invention includes a first heat radiating plate, a transformer and a semiconductor element integrated with the first heat radiating plate, and the transformer includes a core portion and the core portion as an axis. A coil portion for generating a magnetic field, and one surface of the coil portion and the first heat radiating plate are thermally bonded, and a second heat radiating plate is thermally bonded to the other surface of the coil portion. It was supposed to be.
これにより本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来る。 Thereby, the present invention can improve the heat dissipation of the coil portion of the transformer in the power supply module in which the transformer and the semiconductor element are integrated.
それは発熱性の高い半導体素子とコイル部とが第1の放熱板と熱的に接合されていることから、速やかに熱が伝導し、電源モジュール全体の均熱性が向上するとともに、コイル部に接合された第2の放熱板でコイル部からの熱を効率よく放出することができるためである。そしてその結果、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来るのである。 This is because the highly heat-generating semiconductor element and the coil part are thermally joined to the first heat sink, so that heat is conducted quickly, so that the thermal uniformity of the entire power supply module is improved and the coil part is joined. This is because the heat from the coil portion can be efficiently released by the second heat radiating plate. As a result, in the power supply module in which the transformer and the semiconductor element are integrated, the heat dissipation of the coil portion of the transformer can be improved.
以下、本発明の実施の形態におけるトランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールについて説明する。 Hereinafter, a power supply module in which a transformer and a semiconductor element in an embodiment of the present invention are integrated will be described.
(実施の形態1)
はじめに、本実施の形態における構造を説明する。
(Embodiment 1)
First, the structure in the present embodiment will be described.
図1に示す電源モジュール7は、第1の放熱板8と、この第1の放熱板8と一体化された、トランス9およびFET10(半導体素子)、ダイオード11(半導体素子)とを備え、トランス9は、コア部12A、12B(以下まとめてコア部12とする。)と、コイル部13とを有している。
A
なお、本実施の形態では、コア部12は、中脚14A、14B(以下まとめて中脚14とする。)と、この中脚14に略垂直となるように、中脚14の上下の両端にそれぞれ形成された背脚15A、15B(以下まとめて背脚15とする)とを有している。コイル部13は、中脚14を軸に閉磁状の磁界を発生させるものであり、この中脚14の外周であって上下の背脚15間に配置されているものである。なお、図1では、コイル部13の外側面にコア部12は配置されておらず、開放系となっているが、このコイル部13の外側面を覆い、中脚14と略平行な外脚(図示せず)を設ければ、磁束をよりスムーズに流すことができる。
In the present embodiment, the
また本実施形態では、コア部12として中脚14の両端に背脚15が形成されたものを用いたため、磁束が閉路状をなすコア部12を形成することができる。背脚15は中脚14とコイル部13とを覆うように形成し、他方の背脚15と対向させている。さらに本実施の形態のコア部12は、上方のコア部12と下方のコア部12とに分割したものを用いている。
Moreover, in this embodiment, since the
以下、上方のコア部12をコア部12Aとし、下方のコア部12をコア部12Bとして詳細に説明すると、本実施の形態の上方のコア部12Aは中脚14Aと、この中脚14Aの上端部に中脚14Aと略垂直な背脚15Aとを有し、下方のコア部12Bも同様に、中脚14Bと、この中脚14Bの下端部に中脚14Bと略垂直な背脚15Bとを有し、中脚14Aと中脚14Bとは磁気的に接合されたものである。このようにコア部12を分割すると、コイル部13の挿入が容易となる。
Hereinafter, the
また本実施の形態では、コイル部13としては巻線コイルを用い、この巻線コイルはボビン16内で巻き回している。そしてこのコイル部13の下面と第1の放熱板8の上面とが接合されることで、この第1の放熱板8とトランス9とが一体化されているとともに、コイル部13の上面には第2の放熱板17が配置されている。すなわち第1の放熱板8は、下方の背脚15Bとコイル部13との間に配置され、第2の放熱板17は、上方の背脚15Aとコイル部13との間に配置されている。この第2の放熱板17は折り曲げ、伸ばしが可能である。
In the present embodiment, a winding coil is used as the
また本実施の形態では、第1の放熱板8の中央にトランス9が接合されており、その外周にはFET10やダイオード11などの半導体素子などが実装されている。なおこれらのFET10やダイオード11は、第1の接着層18を介して第1の放熱板8上に形成されたリードフレーム19上に半田付けされ、実装されている。
In the present embodiment, a transformer 9 is joined to the center of the first
またコイル部13と第1の放熱板8の間は、第2の接着層20で接着されている。そして本実施の形態では、この第2の接着層20は、第1の接着層18よりも弾性率が小さい(軟らかい)ものとした。さらにコア部12Bの背脚15Bと第1の放熱板8との間は、第3の接着層21で接着され、第2の接着層20は、第3の接着層21よりも熱伝導率が高いものとした。
The
また本実施の形態では、第1の放熱板8と、この第1の放熱板8と対面する下方の背脚15Bとは第3の接着層21で接着したが、第2の放熱板17と、この第2の放熱板17と対面する上方の背脚15Aとの間は、接着層を形成せず、空間を設け、熱伝導率を小さくしている。
Further, in the present embodiment, the first
さらに本実施の形態では、第1の放熱板8は、FET10やダイオード11などの半導体素子が接合されている部分において、その下面(FET10やダイオード11を実装する側と反対側の面)とシャーシ22とが面接触するように、コイル部13と面接触させた部分とFET10やダイオード11などが接合されている部分との間で折り曲げられている。
Further, in the present embodiment, the first heat
このように形成された電源モジュール7は、上方に配置されたメイン基板23にリードフレーム19を挿入し、このメイン基板23に設けられた貫通孔24にトランス9を配置することで実装される。そしてこのトランス9は、1次側のコイル部13に電流が流されると、コア部12に磁束を誘起し、その磁束の変化を2次側のコイル部13で受けて電圧に変えるものである。
The
以下に本実施の形態で用いた部材の材料について説明する。 The material of the member used by this Embodiment is demonstrated below.
第1の放熱板8および第2の放熱板17としては、厚みが1.0mm〜5.0mm程度のアルミ板または銅板などを用いた。また本実施の形態では、コイル部13の巻線としては銅線に絶縁層を被覆したものを用いたが、その他、銅板などで形成してもよい。またコア部12(12Aおよび12B)は鉄、マンガンなどの金属酸化物を焼結させた軟磁性体のフェライトを用いた。なおこのコア部12は磁性体であればフェライト以外でもよい。
As the first
またリードフレーム19を形成するための金属板としては、厚みが0.5mmのタフピッチ銅を用いた。なお、この金属板の厚みは、リードフレーム19からの熱拡散性および放熱性を十分大きくするためには0.1mm以上が好ましい。
Further, as a metal plate for forming the
また、第1の接着層18としては、エポキシ樹脂にAl2O3からなるフィラを70〜95重量%充填させたものを用いた。エポキシ樹脂を用いたのは、耐熱性や電気絶縁性に優れているためである。エポキシ樹脂以外では、フェノール樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性を有する熱硬化性樹脂や、液晶ポリマーやPPS(ポリフェニレンスルファイド)などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。
As the first
また本実施形態では、このフィラ入りエポキシ樹脂に予め熱可塑性樹脂粉末からなるプレゲル材を添加した。このプレゲル材は、未硬化の熱硬化性樹脂の液状成分を吸収して膨張し、素早くゲル化させるため、第1の接着層18のエポキシ樹脂が重合する前段階で固体化することができ、金型から容易に取り出すことが出来る。
Moreover, in this embodiment, the pregel material which consists of thermoplastic resin powder was previously added to this epoxy resin with a filler. This pregel material absorbs the liquid component of the uncured thermosetting resin, expands, and quickly gels. Therefore, the pregel material can be solidified before the epoxy resin of the first
そしてフィラとしては、Al2O3の他に、MgO、SiO2、BN及びAlNの少なくとも何れか一つからなる無機粉末や、金属酸化物からなる粉末を充填させたものを用いてもよい。これらのフィラによって熱伝導率を高めることができる。また特にMgOを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、BNを用いると線熱膨張係数を小さくできる。このように、充填するフィラの種類で樹脂の熱膨張係数を調整することによって、リードフレーム19や第1の放熱板8に用いる金属と第1の接着層18との熱膨張係数を近似させ、モジュール全体の熱信頼性を向上させることが出来る。
As the filler, in addition to Al 2 O 3 , an inorganic powder made of at least one of MgO, SiO 2 , BN, and AlN, or a powder made of a metal oxide may be used. These fillers can increase the thermal conductivity. In particular, when MgO is used, the linear thermal expansion coefficient can be increased, and when BN is used, the linear thermal expansion coefficient can be decreased. Thus, by adjusting the thermal expansion coefficient of the resin with the type of filler to be filled, the thermal expansion coefficient of the metal used for the
また本実施の形態で用いたAl2O3からなるフィラは、平均粒径3ミクロンと平均粒径12ミクロンの2種類のAl2O3を混合したものである。この大小2種類の粒径のAl2O3を用いることによって、大きな粒径のAl2O3の隙間に小さな粒径のAl2O3を充填でき、Al2O3を95重量%程度にまで高濃度に充填できる。この結果、第1の接着層18の熱伝導率は5W/m・K程度となる。
The filler made of Al 2 O 3 used in this embodiment is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 3 microns and an average particle size of 12 microns. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, can fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, the Al 2 O 3 to about 95 wt% Can be filled to a high concentration. As a result, the thermal conductivity of the first
そして、このフィラは、直径が0.1〜100μmの範囲のできるだけ小さいものを用い、70〜95重量%程度に高濃度に充填すれば、熱伝導率を上げることができる。なお、フィラの充填率が95重量%を超えると成形し難くなり、第1の接着層18とリードフレーム19や第1の放熱板8となる金属板との接着性も低下するため、95重量%以下に抑える方がよい。第1の接着層18としては、熱伝導性の高い液晶ポリマー、PPSなどの熱可塑性樹脂を用いる場合もある。
And if this filler is as small as possible with a diameter in the range of 0.1 to 100 μm and is filled to a high concentration of about 70 to 95% by weight, the thermal conductivity can be increased. If the filling rate of the filler exceeds 95% by weight, it becomes difficult to mold, and the adhesiveness between the first
また本実施形態では、この第1の接着層18の厚さは、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮し、最大0.6mmとなるように形成した。
Further, in the present embodiment, the thickness of the first
また本実施の形態では、第2の接着層20は第1の接着層18よりもフィラの含有率を小さくして、熱伝導率および弾性率ともに小さくなる構成とした。
In the present embodiment, the second
さらに第3の接着層21は第2の接着層20よりもさらにフィラの含有率を小さくして、熱伝導率がより小さくなる構成とした。
Further, the third
そして本実施の形態におけるシャーシ22は、厚み2.0mm程度のアルミ板を用いた。このシャーシ22のかわりにフィンを配置すれば、表面積が広がり、より放熱性を高めることができる。
And the
次に、本実施の形態における電源モジュール7の製造方法について説明する。
Next, the manufacturing method of the
まずフィラ入り樹脂の塊を、中央が凸になるように丸型(あるいは蒲鉾型、台形、円柱、球状)にまとめ、図1に示す第1の放熱板8の両脇上に置く。そしてこのフィラ入り樹脂を加熱プレス、あるいは真空加熱プレス等によってシート状となるように延伸する。
First, the filler-filled resin mass is collected into a round shape (or a bowl shape, a trapezoidal shape, a cylindrical shape, a spherical shape) so that the center is convex, and placed on both sides of the first
次にこの第1の放熱板8を100℃で1〜2分間加熱し、第1の接着層18を固体化させ、金型から取り外す。そしてその後200℃の炉に数時間入れ、第1の接着層18のエポキシ樹脂を重合させて本硬化させる。本実施の形態では、この第1の接着層18を硬化させる前に、第1の接着層18上に予めリードフレーム19を配置し、一体化させてから硬化させた。ここでリードフレーム19にパターンを形成している場合、リードフレーム19を第1の接着層18と略面一となるまで埋め込むと、パターン間にもフィラ入り樹脂が入り込み、電気的絶縁性を向上させることができるとともに、リードフレーム19上に電子部品が実装しやすくなる。なお、リードフレーム19は、第1の接着層18を硬化させた後、高熱伝導性の接着剤などで第1の接着層18上に配置してもよい。
Next, this
またリードフレーム19の上面には、電気メッキで半田層あるいは錫層(図示せず)を形成してもよい。このようにして、放熱板の中央部分を除き、第1の接着層18を形成することができる。
A solder layer or a tin layer (not shown) may be formed on the upper surface of the
次に、第1の放熱板8を、中央部分が凸状になるように折り曲げる。なお、図2に示すように、第1の放熱板8の中央には貫通孔25と、この貫通孔25から第1の放熱板8の外側面に向けてスリット26を設けておく。このスリット26は、1次巻線に電流が流れることで発生する磁束により、第1の放熱板8に短絡電流が発生し、この短絡電流の発生による逆方向の磁束の発生を防ぐためである。
Next, the
その後トランス9のコア部12の中脚14Bの外周に、ボビン16内で巻き回したコイル部13を配置する。ここで、このボビン16の下側には切欠き部27を設けておく。この切欠き部27から露出させたコイル部13と、第1の放熱板8とを第2の接着層20により接着させるためである。
Thereafter, the
そしてトランス9のコイル部13の上面に、第2の放熱板17を接着剤などで接着する。このとき、第2の放熱板17は折り曲げておく。なお、第2の放熱板17にも第1の放熱板8の貫通孔25と同様の貫通孔を設けておく。
Then, the second
次に図1に示すように、第1の放熱板8の貫通孔25の下方から下側のコア部12Bの中脚14Bを挿入し、第3の接着層21で接着させる。
Next, as shown in FIG. 1, the
その後、下側のコア部12Bと対向するように上側のコア部12Aを配置する。
Thereafter, the
そして最後に、リードフレーム19上にFET10やダイオード11などの半導体部品を実装し、リードフレーム19の外側部分を折り曲げる。
Finally, semiconductor components such as the
このように形成された電源モジュール7は、リードフレーム19をメイン基板23に挿入することで実装される。
The
なお、このメイン基板23には、トランス9部分に貫通孔24を設けておき、この貫通孔24部分にトランス9をはめ込む。このようにはめ込むことで、モジュール全体の低背化につながる。なお、この時、第2の放熱板17は、放熱面積を大きくするため、貫通孔24を通らない場合がある。この場合は第2の放熱板17を予め折り曲げておくと、メイン基板23の貫通孔24にトランス9をはめ込みやすくなる。そしてこの第2の放熱板17は、メイン基板23を配置した後伸ばせば低背化を阻害しない。
The
なお、リードフレーム19の一端をコイル部13の引出端子と電気的に接続し、他端をメイン基板23に挿入すれば、コイル部13の電極を実装基板表面まで引き出すことができる。
If one end of the
本実施の形態における効果を以下に説明する。 The effect in this Embodiment is demonstrated below.
トランス9と半導体素子(FET10、ダイオード11)とが一体化された電源モジュール7において、トランス9のコイル部13の放熱性を向上させることが出来る。
In the
それは発熱性の高い半導体素子(FET10、ダイオード11)とコイル部13とが第1、第2の接着層18、20を介して第1の放熱板8と熱的に接合されていることから、効率よく熱が伝導し、電源モジュール7全体の均熱性が向上するとともに、コイル部13に接合された第2の放熱板17でコイル部13の熱を効率よく放出することができるためである。
Because the semiconductor element (
すなわち、トランス9の発熱部位は主にコイル部13であるが、図4に示すように、トランス9のコア部12を第1の放熱板8に接合してしまうと、コイル部13の熱を効率よく逃がすことが出来ない上に、コア部12の熱伝導率はコイル部13の熱伝導率よりも小さいため、コイル部13の熱を、コア部12に拡散させることも困難である。また、図3に示すように、トランス9のコイル部13を第1の放熱板8に接合するのみでは、発熱性の非常に高いFET10やダイオード11からの熱が、第1の放熱板8を介してコイル部13に伝わり、かえってコイル部13の温度を上昇させてしまうという問題が発生する。
That is, the heat generating part of the transformer 9 is mainly the
一方本実施の形態では、図1に示すように、コイル部13の一面を第1の放熱板8に接合するとともに、この接合した面と対向する面に第2の放熱板17を配置している。したがって、コイル部13よりもFET10やダイオード11が高温となった場合、コイル部13に伝わった熱を第2の放熱板17から放出することができ、また仮にコイル部13がFET10やダイオード11よりも高温となった場合は、第2の放熱板17から速やかにコイル部13の熱を放出することができ、FET10やダイオード11へと熱が伝わるのを抑制することができる。このように本実施の形態ではコイル部13の放熱性を向上させることができるのである。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, one surface of the
さらに本実施の形態では、発熱性の高いコイル部13とFET10やダイオード11とを第1の放熱板8を共有することで一体化しているため、モジュール内部の均熱性が向上し、モジュール全体の熱信頼性を向上させることができる。
Further, in the present embodiment, since the
また一般に銅を主成分とするコイル部13(巻線)は、プラスチック素材でパッケージングされる半導体素子(FET10やダイオード11)よりも熱伝導率が高いため、この第2の放熱板17を半導体素子上に配置するよりも、本実施の形態のようにコイル部13上に配置する方がより効率よく放熱させることができる。
In general, the coil portion 13 (winding) mainly composed of copper has higher thermal conductivity than the semiconductor element (
また本実施の形態では、第2の接着層20の弾性率を第1の接着層18の弾性率よりも小さく(軟らかく)したことにより、コイル部13が振動しても第2の接着層20を弾性変形させることにより吸収することができ、モジュール全体の振動に対する信頼性を向上させることができる。なお、弾性率を小さくすると一般的に熱伝導率も小さくなるため、本実施の形態では、第1の接着層18の方が第2の接着層20よりも熱伝導率が大きくなる。ここで、FET10やダイオード11などの半導体素子は、熱により破損してしまうため、熱をリードフレーム19および第1の接着層18を介して出来るだけ速やかに第1の放熱板8へと放出する必要がある。したがって本実施の形態のように第1の接着層18の熱伝導率を向上させることは非常に有効である。
In the present embodiment, since the elastic modulus of the second
また本実施の形態では、第2の接着層20の熱伝導率を第3の接着層21の熱伝導率よりも高くしたことにより、第1の放熱板8からコイル部13への熱抵抗が小さくなり、第1の放熱板8からコイル部13を経由して第2の放熱板17へと繋がる一連の熱の伝達経路を形成することができる。
In the present embodiment, the thermal conductivity of the second
すなわち、本実施の形態は、できるだけコイル部13やFET10、ダイオード11からの熱が熱伝導率の低いコア部12へ伝わるのを抑制し、第1の放熱板8で発熱部の均熱を図り、第2の放熱板17からコイル部13の熱を放出することによって、電源モジュール7全体を効率よく放熱することができるのである。
That is, this embodiment suppresses heat from the
そして本実施の形態では、第1の放熱板8とトランス9とを一体化させるため、この第1の放熱板8と背脚15Bとの間は第3の接着層21で接着しているが、第2の放熱板17と、この第2の放熱板17と対面する背脚15Aとの間は空間を設けている。これにより第2の放熱板17の熱がコア部12へと伝わるのを抑制し、モジュール外部へと効率よく放熱させることができる。なお、第2の放熱板17は背脚15Aと接着剤で接着しても良いが、熱の伝導を抑制するため、できるだけ熱伝導率の低い接着剤を用いることが望ましい。
In the present embodiment, in order to integrate the first
なお、本実施の形態では、コイル部13には巻線コイルを用いたが、コイル部13と第1、第2の放熱板8、17とを直接的に接合させるものであれば、偏平形でもコア部に組み込まれる形態でもよいものとする。またコア部12の形状も、いわゆるE型とE型とを組み合わせた分割型(EE型)、EI型、UU型でもよく、非分割型のいわゆるトロイダルコアでもよいものとする。
In the present embodiment, a winding coil is used for the
本発明はトランスと半導体素子とを一体化した電源モジュールであって、コイル部の放熱性を向上させることができるため、PDP用や車載用など、大電流対応の電源モジュールに大いに利用できる。 The present invention is a power supply module in which a transformer and a semiconductor element are integrated, and the heat dissipation of the coil portion can be improved. Therefore, the power supply module can be greatly used for a power supply module for large currents such as for PDP and in-vehicle use.
7 電源モジュール
8 第1の放熱板
9 トランス
10 FET(半導体素子)
11 ダイオード(半導体素子)
12、12A、12B コア部
13 コイル部
14、14A、14B 中脚
15、15A、15B 背脚
16 ボビン
17 第2の放熱板
18 第1の接着層
19 リードフレーム
20 第2の接着層
21 第3の接着層
22 シャーシ
23 メイン基板
24 貫通孔
25 貫通孔
26 スリット
27 切り欠き部
7
11 Diode (semiconductor element)
12, 12A,
Claims (6)
この第1の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、
前記トランスは、
コア部と、
このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、
このコイル部の一面と前記第1の放熱板とが熱的に接合され、
前記コイル部の他面には第2の放熱板が熱的に接合されている電源モジュール。 A first heat sink;
A transformer and a semiconductor element integrated with the first heat sink;
The transformer is
The core,
A coil part that generates a magnetic field around the core part,
One surface of the coil portion and the first heat radiating plate are thermally bonded,
A power supply module in which a second heat sink is thermally joined to the other surface of the coil portion.
中脚と、
この中脚の両端に、それぞれこの中脚と略垂直に形成された背脚とを有し、
前記コイル部は、
前記背脚間であり前記中脚の外周に配置され、
前記第1の放熱板は、
前記背脚の一方と前記コイル部との間に配置され、
前記第2の放熱板は、
前記背脚の他方と前記コイル部との間に配置されている請求項1に記載の電源モジュール。 The core part is
Middle legs,
At both ends of the middle leg, the middle leg has a back leg formed substantially perpendicular to the middle leg,
The coil portion is
Between the back legs and disposed on the outer periphery of the middle leg,
The first heat sink is
It is arranged between one of the back legs and the coil part,
The second heat sink is
The power supply module of Claim 1 arrange | positioned between the other side of the said back leg, and the said coil part.
前記コイル部と前記第1の放熱板の間には第2の接着層が形成され、
この第2の接着層は、前記第1の接着層よりも弾性率が小さいものとした請求項1または2に記載の電源モジュール。 A first adhesive layer is formed between the semiconductor element and the first heat dissipation plate,
A second adhesive layer is formed between the coil portion and the first heat dissipation plate,
The power supply module according to claim 1, wherein the second adhesive layer has a smaller elastic modulus than the first adhesive layer.
前記背脚と前記第1の放熱板との間には第3の接着層が形成され、
前記第2の接着層は、
前記第3の接着層よりも熱伝導率が高いものとした請求項2または3に記載の電源モジュール。 A second adhesive layer is formed between the coil portion and the first heat dissipation plate,
A third adhesive layer is formed between the back leg and the first heat radiating plate,
The second adhesive layer is
The power supply module according to claim 2 or 3, wherein the thermal conductivity is higher than that of the third adhesive layer.
前記第2の放熱板と、この第2の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率の方が低いものとした請求項2から4のいずれか一つに記載の電源モジュール。 Than the thermal conductivity between the first heat sink and the back leg facing the first heat sink,
5. The power supply module according to claim 2, wherein a thermal conductivity between the second heat radiating plate and a back leg facing the second heat radiating plate is lower. 6.
前記第1の放熱板は前記シャーシと面接触するように折り曲げられている請求項1から5のいずれか一つに記載の電源モジュール。 A chassis is joined on the first heat sink,
The power supply module according to claim 1, wherein the first heat radiating plate is bent so as to be in surface contact with the chassis.
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