JP2008193039A - 低電圧有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に金属をパターニングし、蒸着してゲート電極12を形成した後、常温乃至100℃以下でO2プラズマ工程によりゲート電極12を直接酸化して10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させることで、ゲート電極の表面に沿ってゲート絶縁膜13を形成する。次いで、ゲート絶縁膜13の上に有機半導体膜14を蒸着し、有機半導体膜14上にソース/ドレイン電極15/16を互いに一定の距離をもって離隔するように形成する。二重ゲート絶縁膜とする場合には、有機絶縁膜を、自己組立工程またはスピンコーティング工程で金属酸化膜の上に形成する。
【選択図】図1
Description
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例に係る有機薄膜トランジスタを示す断面図である。
図2a乃至図2dは、図1に示された有機薄膜トランジスターの製造方法を示した断面図である。製造方法に対する以下の説明から有機薄膜トランジスターの構造も更に明確になるだろう。
以上説明した有機薄膜トランジスターは、単一ゲート絶縁膜構造を有する。しかし、本発明の有機薄膜トランジスターは、二重(dual)ゲート絶縁膜構造を有することもできる。図4は、このような二重ゲート絶縁膜構造の有機薄膜トランジスターを示している。
以上説明した有機薄膜トランジスターの素子構造は、ソース電極15とドレーン電極16が有機半導体膜14上に形成されたいわゆる上部電極構造である。とろこで、水平方向への素子大きさを縮めようとすればソース電極とドレーン電極が有機半導体膜下部に形成される下部電極構造が望ましい。しかし図1のような単一ゲート絶縁膜構造は、下部電極構造に適用するに困難である。その理由は、ソース電極とドレーン電極が金属酸化膜の上に直接形成されて漏洩電流が増加するためである。これに比べて二重ゲート絶縁膜構造は、金属酸化膜の上に有機絶縁膜が更に形成されるので、下部電極構造を具現するのが容易である。図6は、このような下部電極構造の有機薄膜トランジスターを示している。
図3に示されたアルミニウム酸化膜の電気的特性を調べるために、I-V、C-V測定実験を実施した。I-V測定実験は、HP4155A装備を利用し、C-V測定実験は、HP4280A装備を利用した。図7乃至図9は、その実験結果であり、図7は、アルミニウム酸化膜のI-V特性曲線を示すグラフであり、図8は、アルミニウム酸化膜の降伏電圧を示すグラフであり、図9は、アルミニウム酸化膜のキャパシタンス曲線を示すグラフである。
図3に示されたアルミニウム酸化膜を有するペンタセン有機薄膜トランジスタのIDS−VGS、IDS−VDS特性曲線を図10a及び図10bに示し、その電気的特性をまとめると、次の表1に示した通りである。
図4に示された、二重ゲート絶縁膜がアルミニウム酸化膜とポリスチレン有機絶縁膜からなる場合の電気的特性を調査するため、実験例1と同様にI-V、 C-V測定実験を実施した。
図4に示された、二重ゲート絶縁膜を有するペンタセン有機薄膜トランジスターのIDS-VGS、IDS-VDS特性曲線を図12a及び図12bに示し、その電気的特性をまとめると以下の表2の通りである。
12 ゲート電極
13 金属酸化膜
14 有機半導体膜
15 ソース電極
16 ドレイン電極
17 有機絶縁膜
Claims (16)
- 基板の上に金属を蒸着してゲート電極を形成する段階と、
100℃以下の温度でO2プラズマ工程により前記ゲート電極を直接酸化して 10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させることで、前記ゲート電極の表面に沿ってゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上に有機半導体膜を蒸着する段階と、
前記有機半導体膜上にソース/ドレーン電極を互いに一定の距離をもって離隔するように形成する段階と、
を含む有機薄膜トランジスターの製造方法。 - 前記ゲート電極の形成段階及び前記ゲート絶縁膜の形成段階はイン・サイチューで進行することを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極の形成段階において、前記金属の蒸着は、パターンを有するシャドーマスクを利用することを特徴とする請求項2に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜の形成段階は、前記金属酸化膜の上に有機絶縁膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機絶縁膜は、自己組立工程により形成された有機単分子膜であることを特徴とする請求項4に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機絶縁膜は、スピンコーティング工程により形成することを特徴とする請求項4に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板は、プラスチックとカラスの中、いずれの一つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板の上に金属を蒸着してゲート電極を形成する段階と、
100℃以下の温度でO2プラズマ工程により、前記ゲート電極を直接酸化して 10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させ、前記金属酸化膜の上に有機絶縁膜を形成することで、前記ゲート電極の表面に沿って前記金属酸化膜と前記有機絶縁膜からなる二重ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記二重ゲート絶縁膜の上にソース/ドレーン電極を互いに一定の距離をもって離隔するように形成する段階と、
前記ソース/ドレーン電極の上に有機半導体膜を蒸着する段階と、
を含む有機薄膜トランジスターの製造方法。 - 前記ゲート電極を形成するための前記金属の蒸着工程と、前記ゲート絶縁膜を形成するための前記O2プラズマ工程は、イン・サイチューで進行することを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極の形成段階で前記金属の蒸着は、パターンを有するシャドーマスクを利用することを特徴とする請求項9に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機絶縁膜は、自己組立工程により形成された有機単分子膜であることを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機絶縁膜は、スピンコーティング工程により形成することを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板は、プラスチックとガラスの中、いずれの一つからなることを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板と、
前記基板の上にパターニングされた金属で形成されるゲート電極と、
常温乃至100℃以下でO2プラズマ工程により前記ゲート電極を直接酸化して 10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させて形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成される有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に互いに一定の距離をもって離隔するように形成されるソース/ドレーン電極と、
を含む有機薄膜トランジスター。 - 基板と、
前記基板の上にパターニングされた金属で形成されるゲート電極と、
常温乃至100℃以下でO2プラズマ工程により前記ゲート電極を直接酸化して 10nm以下の厚みで成長させた金属酸化膜と前記金属酸化膜の上に形成される有機絶縁膜からなる二重ゲート絶縁膜と、
前記二重ゲート絶縁膜の上に形成される有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に互いに一定の距離をもって離隔するように形成されるソース/ドレーン電極と、
を含む有機薄膜トランジスター。 - 基板と、
前記基板の上にパターニングされた金属で形成されるゲート電極と、
常温乃至100℃以下でO2プラズマ工程により前記ゲート電極を直接酸化して 10nm以下の厚みで成長させた金属酸化膜と前記金属酸化膜の上に形成される有機絶縁膜からなる二重ゲート絶縁膜と、
前記二重ゲート絶縁膜の上に互いに一定の距離をもって離隔するように形成されるソース/ドレーン電極と、
前記ソース/ドレーン電極の上に形成される有機半導体膜と、
を含む有機薄膜トランジスター。
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