JP2008191096A - 微量元素の深さ方向分布の分析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一次イオンとして酸素イオンを用い、スパッタ収率が、O2 +として1.0原子/イオン以上となる照射条件で分析を行なう。
【選択図】図3
Description
試料に一次イオンを照射して、発生する二次イオンを分析する二次イオン質量分析法により、シリコン中の、インジウムまたはガリウムまたはインジウムとガリウムとの深さ方向の分布を分析する方法であって、一次イオンとして酸素イオンを用い、スパッタ収率が、O2 +として1.0原子/イオン以上となる照射条件で分析を行なう、分析方法。
前記酸素イオンを500eV以上のエネルギーで照射する、付記1に記載の分析方法。
前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に、前記酸素イオンを70°の入射角度で照射する、付記2に記載の分析方法。
前記酸素イオンを、1000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを45〜70°の入射角度で、照射する、付記1に記載の分析方法。
前記酸素イオンを、2000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを40〜70°の入射角度で、照射する、付記1に記載の分析方法。
前記酸素イオンを、3000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを30〜70°の入射角度で、照射する、付記1に記載の分析方法。
Claims (5)
- 試料に一次イオンを照射して、発生する二次イオンを分析する二次イオン質量分析法により、シリコン中の、インジウムまたはガリウムまたはインジウムとガリウムとの深さ方向の分布を分析する方法であって、一次イオンとして酸素イオンを用い、スパッタ収率が、O2 +として1.0原子/イオン以上となる照射条件で分析を行なう、分析方法。
- 前記酸素イオンを500eV以上のエネルギーで、かつ、前記酸素イオンを70°の入射角度で照射する、請求項1に記載の分析方法。
- 前記酸素イオンを、1000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを45〜70°の入射角度で、照射する、請求項1に記載の分析方法。
- 前記酸素イオンを、2000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを40〜70°の入射角度で、照射する、請求項1に記載の分析方法。
- 前記酸素イオンを、3000eV以上のエネルギーで、かつ、前記試料面に対し法線方向を0°とした場合に前記酸素イオンを30〜70°の入射角度で、照射する、請求項1に記載の分析方法。
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