JP2008182245A5 - - Google Patents

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Claims (19)

  1. 有機レーザー活性材料(2)からなる層とレーザー共振器(4)と光学的ポンプ源とを有する有機半導体レーザーであって
    前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料(2)からなる層と固定的に接続され、さらに前記有機レーザー活性材料(2)からなる層と1つのユニットを形成している有機半導体レーザーにおいて、
    前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機LED(light emitting device)であり
    前記有機レーザー活性材料(2)はビーム透過性の分離層(3)によって無機LEDから分離されており、
    前記無機LED(1)の無機結晶はn>2の屈折率を有し
    前記有機レーザー活性材料(2)はn<2の屈折率を有し
    前記分離層(3)は、前記有機レーザー活性材料(2)の屈折率よりも小さい屈折率を有していることを特徴とする有機半導体レーザー。
  2. 前記レーザー共振器(4)が有機レーザー活性材料(2)の表面の構造化によって形成されている、請求項1記載の有機半導体レーザー。
  3. 分離層(3)と有機レーザー活性材料(2)とのあいだにレーザー共振器(4)が形成されている、請求項1又は2記載の有機半導体レーザー。
  4. 有機レーザー活性材料(2)からなる層に向けられる無機LED(1)の表面が粗面に形成されている、請求項1から3いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  5. 分離層(3)が平坦化層を用いて形成されている、請求項記載の有機半導体レーザー。
  6. 無機LED(1)の表面がフォトニック結晶の形態を有している、請求項からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  7. 無機LEDの表面の表面輪郭が、有機材料からなるレーザー活性層へ移行し、それによってレーザー共振器(4)が形成されている、請求項1からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  8. 前記レーザー共振器(4)は、DFB(distributed feedback)共振器として形成されている、請求項1からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  9. ポンピング源の発光波長は有機レーザー活性材料(2)の吸収帯域に整合されている、請求項1からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  10. レーザー共振器(4)は、変調周期において勾配を有している深い格子構造を有している、請求項1からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  11. 周期的な構造を有しているレーザー共振器が複数の空間方向において、例えば四辺形又は六角形の格子状に形成されている、請求項1から10いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  12. 僅かな変調深度を有するレーザー共振器(4)が形成されている、請求項1からいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  13. レーザー共振器(4)の構造化が機械的に又は光学的に及び/又は化学的に行われている、請求項1から12いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
  14. 有機レーザー活性層(2)とレーザー共振器(4)とを有する有機半導体レーザーの製造方法であって
    光学的ポンプ源が有機レーザー活性材料(2)からなる層を備え
    前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料(2)からなる層と固定的に接続され、前記有機レーザー活性材料(2)からなる層と1つのユニットを形成している有機半導体レーザーにおいて、
    前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機LED(light emitting device)であることを特徴とする有機半導体レーザーの製造方法。
  15. 有機LED(1)の上にさらなる層、例えば透過性分離層(3)または有機レーザー活性材料(2)層が析出手法によって被着される、請求項14記載の方法。
  16. 前記分離層(3)の被着がスピンコーティングまたは凹版印刷のようなコーティングプロセスによって行われ、前記分離層(3)は平坦化層として用いられる、請求項14記載の方法
  17. 前記レーザー共振器(4)は有機レーザー活性層(2)の構造化によって製造される、請求項14、15または16記載の方法。
  18. 構造化部分の製造は機械的に行われる、請求項17記載の方法。
  19. 構造化部分の製造は、光学的及び/又は化学的手法によるレーザー共振器(4)の形成のために行われる、請求項17記載の方法。
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