JP5204498B2 - 有機半導体レーザー及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1には本発明による有機半導体レーザーの基本的な構造が示されている。
・例えば打ち抜きないし型押し技術を用いた成形技法。
・光学的特性の変更方法、例えばホログラフィックな露光、この場合は活性材料か若しくは分離層を局所的に架橋結合させ、それによって溶媒に対して不活性化させる(写真技術)。
・ホログラフィックな露光方法、この場合材料の光学的特性が局所的に変更され、これは屈折率の変化を伴って現われる。
・例えば自己組織化による適切な量のナノ粒子の配列構成方法。
2 有機レーザー活性材料からなる層
3 透過性分離層
4 レーザー共振器
P ポンピング層
M モード
m=1 発光されたレーザー光
m=2 レーザー共振器によって反射されたレーザー光
Claims (16)
- 有機レーザー活性材料(2)からなる層とレーザー共振器(4)と光学的ポンプ源とを有する有機半導体レーザーであって、
前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料(2)からなる層と固定的に接続され、さらに前記有機レーザー活性材料(2)からなる層と1つのユニットを形成している有機半導体レーザーにおいて、
前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機LED(1)であり、
前記有機レーザー活性材料(2)はビーム透過性の分離層(3)によって無機LEDから分離されており、
前記無機LED(1)の無機結晶はn>2の屈折率を有し、
前記有機レーザー活性材料(2)はn<2の屈折率を有し、
前記分離層(3)は、前記有機レーザー活性材料(2)の屈折率よりも小さい屈折率を有しており、
前記有機レーザー活性材料(2)に向いた側の前記無機LED(1)の表面は、フォトニック結晶の形態を有し、
前記無機LED(1)の第1の表面の表面輪郭が、有機レーザー材料(2)からなるレーザー活性層へ移行し、
前記レーザー共振器(4)が、前記無機LED(1)とは反対側の有機レーザー活性材料(2)の第2の表面と、前記第1の表面の前記レーザー活性層へ移行した表面輪郭との構造化によって形成されている、
ことを特徴とする有機半導体レーザー。 - 前記分離層(3)はプラスチック材料から形成されている、請求項1記載の有機半導体レーザー。
- 前記分離層(3)はテレフタル酸ポリエチレンから形成されている、請求項2記載の有機半導体レーザー。
- 前記レーザー共振器(4)は、前記分離層(3)と前記有機レーザー活性材料(2)の間の境界面に形成されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の有機半導体レーザー。
- 前記有機レーザー活性材料(2)内で生じたモード(M)は前記レーザー共振器(4)の構造によって回折され、それによりモードの一部が反射され、フィードバックによって1つの光波の形成がされ、
前記モードの他の部分は、前記有機レーザー活性材料(2)の主伸長方向に対して垂直方向に放出される発光レーザー光を形成する、請求項1から4いずれか1項記載の有機半導体レーザー。 - 前記レーザー共振器(4)は、DFB(distributed feedback)共振器として形成されている、請求項1から5いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
- ポンピング源の発光波長は有機レーザー活性材料(2)の吸収帯域に整合されている、請求項1から6いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
- レーザー共振器(4)は、変調周期において勾配を有している深い格子構造を有している、請求項1から7いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
- 周期的な構造を有しているレーザー共振器が複数の空間方向において形成されている、請求項1から8いずれか1項記載の有機半導体レーザー。
- 前記レーザー共振器は、四辺形又は六角形の格子状に形成されている、請求項9記載の有機半導体レーザー。
- 有機レーザー活性層(2)とレーザー共振器(4)とを有する有機半導体レーザーの製造方法であって、
光学的ポンプ源が有機レーザー活性材料(2)からなる層を備え、
前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料(2)からなる層と固定的に接続され、前記有機レーザー活性材料(2)からなる層と1つのユニットを形成しており、
前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機LED(light emitting device)である有機半導体レーザーの製造方法において、
前記有機レーザー活性材料(2)をビーム透過性の分離層(3)によって前記無機LED(1)から分離し、
ここで前記無機LED(1)の無機結晶はn>2の屈折率を有し、
前記有機レーザー活性材料(2)はn<2の屈折率を有し、
前記分離層(3)は、前記有機レーザー活性材料(2)の屈折率よりも小さい屈折率を有しており、
前記有機レーザー活性材料(2)に向いた側の前記無機LED(1)の表面は、フォトニック結晶の形態を有し、
前記無機LED(1)の第1の表面の表面輪郭が、有機レーザー材料(2)からなるレーザー活性層へ移行し、
前記レーザー共振器(4)が、前記無機LED(1)とは反対側の有機レーザー活性材料(2)第2の表面と、前記第1の表面の前記レーザー活性層へ移行した表面輪郭との構造化によって形成される、
いることを特徴とする有機半導体レーザーの製造方法。 - 無機LED(1)の上に透過性分離層(3)または有機レーザー活性材料(2)層が析出手法によって被着される、請求項11記載の方法。
- 前記レーザー共振器(4)は有機レーザー活性層(2)の構造化によって製造され、
構造化部分の製造は機械的に行われる、請求項11または12記載の方法。 - 前記構造化は、打ち抜き加工によって行われる、請求項13記載の方法。
- 前記構造化は、ナノ粒子を自己組織化により配列することによって行われる、請求項11または12記載の方法。
- 前記レーザー共振器(4)を形成するための構造化部分の製造は、光学的及び/又は化学的手法によって行われる、請求項11または12記載の方法。
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