JP2008178903A - Solder sheet and power module - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、接合される2つの面の間を、均一な所定の間隔に保持するためのハンダシートと、このハンダシートを用いて製造したパワーモジュールに関する。 The present invention relates to a solder sheet for maintaining a uniform predetermined distance between two surfaces to be joined, and a power module manufactured using the solder sheet.
従来、対向する2つの面を接合する技術のひとつとして、これら2つの面の間に配置するとともに溶融させて2つの面の間に接合層を形成させるハンダペーストによる接合技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。 Conventionally, as one technique for joining two opposing faces, a joining technique using solder paste in which a joining layer is formed between the two faces while being placed between the two faces and melted has been disclosed ( For example, see Patent Document 1.)
一方、例えば、セラミックス等により形成された絶縁板と、該絶縁板の一方の面に接合された回路板と、前記絶縁板の他方の面に接合された金属板とを備えた絶縁回路基板の回路板に半導体チップを接合するとともに金属板の表面に冷却部材を接合したパワーモジュールが実用化されている(例えば、特許文献2参照。)。
かかるパワーモジュールにおいて、ハンダを用いて半導体チップや冷却部材を絶縁回路基板に接合した場合、半導体チップが通電、加熱されて熱膨張による歪が生じた場合であっても、ハンダ層の剛性が上記絶縁板、回路板、金属板よりも小さいために熱膨張による歪がハンダ層に吸収されるという利点がある。
In such a power module, when the semiconductor chip or the cooling member is bonded to the insulating circuit board using solder, the rigidity of the solder layer is sufficient even when the semiconductor chip is energized and heated to cause distortion due to thermal expansion. Since it is smaller than the insulating plate, circuit board, and metal plate, there is an advantage that strain due to thermal expansion is absorbed by the solder layer.
しかしながら、ハンダペーストを用いて、ハンダ層の厚さを厚く確保して接合面内におけるハンダ層の厚さを均一に形成することは、非常に困難であり、その結果、ハンダ層に生じる歪を抑制してハンダ層に生じる熱膨張による歪を充分に小さくすることや接合面内の位置による温度の偏りを小さくすること、また、回路板に接合された半導体チップの端子の位置精度を確保してボンディング不良の発生を削減することが困難であるという問題があった。 However, it is very difficult to ensure a uniform solder layer thickness within the bonding surface by using a solder paste to ensure a thick solder layer, and as a result, the distortion generated in the solder layer is reduced. Suppressing the distortion due to thermal expansion generated in the solder layer sufficiently, reducing the temperature deviation due to the position in the bonding surface, and ensuring the positional accuracy of the terminals of the semiconductor chip bonded to the circuit board Therefore, there is a problem that it is difficult to reduce the occurrence of bonding defects.
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、対向する2つの面を接合する場合に、2つの面の間に形成させるハンダ層の厚さを厚くするとともに、ハンダ層の厚さを均一にすることが可能なハンダシートを提供することを目的とする。また、かかるハンダシートを用いることにより、絶縁回路基板の少なくとも一方の面に厚さが厚く均一なハンダ層が形成されたパワーモジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such circumstances, and when joining two opposing surfaces, the thickness of the solder layer formed between the two surfaces is increased and the thickness of the solder layer is increased. An object of the present invention is to provide a solder sheet that can be made uniform. Another object of the present invention is to provide a power module in which a uniform solder layer having a large thickness is formed on at least one surface of an insulating circuit board by using such a solder sheet.
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、第1の面と第2の面との間に配置して溶融させることにより前記第1の面と前記第2の面との間にハンダ接合層を形成するハンダシートであって、前記ハンダ接合層を挟んだ前記第1の面と前記第2の面とを所定の間隔に保持するスペーサ粒子を備え、前記スペーサ粒子は、前記シートの面に沿って分散配置され、かつ、前記ハンダ層を形成するハンダよりも高融点材料からなることを特徴とする。 In order to solve such a problem and achieve the object, the invention according to claim 1 is arranged between the first surface and the second surface to melt the first surface. A solder sheet for forming a solder bonding layer between a surface and the second surface, the spacer holding the first surface and the second surface sandwiching the solder bonding layer at a predetermined interval The spacer particles are dispersed and arranged along the surface of the sheet, and are made of a material having a higher melting point than that of the solder forming the solder layer.
この発明に係るハンダシートによれば、ハンダシートにハンダよりも高融点材料からなるスペーサ粒子が分散配置されているので、前記第1の面と前記第2の面との間で溶融させるとともに凝固させて前記第1の面と前記第2の面とを接合させることにより、スペーサ粒子が前記第1の面と前記第2の面との間のハンダ層をスペーサ粒子に対応する厚さに保持するとともに、ハンダ層の中にスペーサ粒子が分散されることで前記第1の面と前記第2の面との間を均一な間隔に保持する。その結果、前記第1の面と前記第2の面との間に厚さが厚いハンダ層を形成することができ、前記第1の面と前記第2の面との間隔を均一に保持することができる。 According to the solder sheet according to the present invention, since the spacer particles made of a material having a higher melting point than the solder are dispersed in the solder sheet, the solder sheet is melted and solidified between the first surface and the second surface. By bonding the first surface and the second surface, the spacer particles maintain the solder layer between the first surface and the second surface at a thickness corresponding to the spacer particles. At the same time, the spacer particles are dispersed in the solder layer to maintain a uniform distance between the first surface and the second surface. As a result, a thick solder layer can be formed between the first surface and the second surface, and the distance between the first surface and the second surface is kept uniform. be able to.
請求項2に記載の発明は、請求項1記載のハンダシートであって、前記スペーサ粒子は、金属、又は無機材料からなる球状体であることを特徴とする。 A second aspect of the present invention is the solder sheet according to the first aspect, wherein the spacer particles are spherical bodies made of a metal or an inorganic material.
この発明に係るハンダシートによれば、スペーサ粒子は、金属、又は無機材料からなる球状体であるので、球状体の直径を構成する線分の一方端が前記第1の面に当接し、他方端が前記第2の面に当接する。その結果、前記第1の面と前記第2の面との間隔が球状体の直径に対応する距離に保持される。 According to the solder sheet according to the present invention, since the spacer particles are spherical bodies made of metal or inorganic material, one end of a line segment constituting the diameter of the spherical body abuts on the first surface, and the other An end abuts on the second surface. As a result, the distance between the first surface and the second surface is maintained at a distance corresponding to the diameter of the spherical body.
請求項3に記載の発明は、請求項1記載のハンダシートであって、前記スペーサ粒子は、金属、又は無機材料からなり断面円形状の線材であることを特徴とする。 A third aspect of the present invention is the solder sheet according to the first aspect, wherein the spacer particles are made of a metal or an inorganic material and are a wire having a circular cross section.
この発明に係るハンダシートによれば、スペーサ粒子は、金属、又は無機材料からなり断面円形状の線材であるので、該円形状の直径を構成する線分の一方端が前記第1の面に当接し、他方端が前記第2の面に当接する。その結果、前記第1の面と前記第2の面との間隔が円形状の直径に対応する距離に保持される。 According to the solder sheet according to the present invention, the spacer particles are made of a metal or an inorganic material and have a circular cross section. Therefore, one end of a line segment constituting the circular diameter is on the first surface. Abutting and the other end abutting against the second surface. As a result, the distance between the first surface and the second surface is maintained at a distance corresponding to a circular diameter.
請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載のハンダシートであって、厚さが前記スペーサ粒子の大きさと略同じに形成され、かつ前記スペーサ粒子は、層状に一層に配置されていることを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is the solder sheet according to any one of the first to third aspects, wherein the thickness is substantially the same as the size of the spacer particles, and the spacer particles are layered. It is characterized by being arranged in one layer.
この発明に係るハンダシートによれば、スペーサ粒子が、スペーサ粒子がハンダシートの厚さ方向に重なることなく層状に1層に配置されているので、形成するハンダ層の厚さを制御し易い。
また、ハンダシートの厚さと形成されるハンダ層の厚さが略同じ厚さとされているので、余剰のハンダが用いられることがなく、ハンダシートの無駄を抑制して材料歩留まりを向上することができる。
ここでいう、スペーサ粒子の大きさとは、形成するハンダ層を支持可能なスペーサ粒子の代表寸法をいい、代表寸法とは、スペーサ粒子が面に対して安定して配置された状態におけるその面からスペーサ粒子の頂部までの寸法をいう。
According to the solder sheet according to the present invention, since the spacer particles are arranged in a single layer without the spacer particles overlapping in the thickness direction of the solder sheet, it is easy to control the thickness of the solder layer to be formed.
Moreover, since the thickness of the solder sheet and the thickness of the solder layer to be formed are substantially the same, excess solder is not used, and it is possible to suppress the waste of the solder sheet and improve the material yield. it can.
Here, the size of the spacer particles refers to the representative dimension of the spacer particles capable of supporting the solder layer to be formed, and the representative dimension refers to the surface in a state where the spacer particles are stably arranged with respect to the surface. The dimension to the top of the spacer particles.
請求項5に記載の発明は、絶縁板と、該絶縁板の一方の面に接合された回路板と、前記絶縁板の他方の面に接合された金属板とからなる絶縁回路基板を備え、前記絶縁回路基板の、前記回路板と前記金属板の少なくとも一方の側の面にハンダ接合層を介して他の接合部材が接合されたパワーモジュールであって、前記ハンダ接合層には、前記ハンダよりも高融点材料からなるスペーサ粒子が一層に配置され、前記絶縁回路基板と前記接合部材との間が、前記スペーサ粒子に対応する間隔に均一に保持されていることを特徴とする。
The invention according to
この発明に係るパワーモジュールによれば、スペーサ粒子がない従来のハンダ層の場合にはハンダ層を厚さ方向に支持するものがないために、厚さは、例えば、約0.1mmから0.2mmと薄く形成されるが、ハンダ層に、例えば、0.4mmから0.5mmの大きさのスペーサ粒子を分散配置することにより、厚さを約0.4mmから0.5mmと厚く制御することができるので、絶縁回路基板と半導体チップや、絶縁回路基板と冷却部材との間に形成されるハンダ層に生じる熱膨張に起因する歪をハンダ層が吸収して小さくすることができる。
また、ハンダ層の厚さが均一に形成されるので、ハンダ層の面内において均一な熱伝導率(熱抵抗)を確保することができる。
According to the power module of the present invention, in the case of a conventional solder layer without spacer particles, there is nothing to support the solder layer in the thickness direction. Although it is formed as thin as 2 mm, the thickness is controlled to be about 0.4 mm to 0.5 mm thick by dispersing and arranging spacer particles having a size of 0.4 mm to 0.5 mm in the solder layer, for example. Therefore, the solder layer can absorb and reduce strain caused by thermal expansion generated in the solder layer formed between the insulating circuit board and the semiconductor chip or between the insulating circuit board and the cooling member.
Moreover, since the thickness of the solder layer is formed uniformly, uniform thermal conductivity (thermal resistance) can be ensured in the surface of the solder layer.
この発明に係るハンダシートによれば、ハンダシートにスペーサ粒子が分散配置されているのでハンダ層に分散されたスペーサ粒子が前記第1の面と前記第2の面との間を支持して厚いハンダ層を形成することができる。また、前記第1の面と前記第2の面との間がハンダ層を介して所定の間隔に均一に保持される。
また、このハンダシートを用いて製造された絶縁回路基板の少なくとも一方の側の面に厚くて均一なハンダ接合層が形成されたパワーモジュールによれば、絶縁回路基板と半導体チップや冷却部材等の接合部材との間のハンダ層が厚く均一に形成されているので、ハンダ層に生じる熱歪を小さくするとともにハンダ層の面内における熱伝導の効率を向上させて、熱サイクル寿命を向上させることができる。
According to the solder sheet according to the present invention, since the spacer particles are dispersed and arranged in the solder sheet, the spacer particles dispersed in the solder layer support and thicken between the first surface and the second surface. A solder layer can be formed. Further, the space between the first surface and the second surface is uniformly held at a predetermined interval via the solder layer.
Moreover, according to the power module in which the thick and uniform solder bonding layer is formed on the surface of at least one side of the insulating circuit board manufactured using this solder sheet, the insulating circuit board, the semiconductor chip, the cooling member, etc. Since the solder layer between the joining members is thick and uniform, the thermal strain generated in the solder layer is reduced and the efficiency of heat conduction in the surface of the solder layer is improved, thereby improving the thermal cycle life. Can do.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図1には、本発明に係るハンダシートの一実施の形態を示す図であり、符号1はハンダシートを、符号5はスペーサ粒子を示している。
ハンダシート1は、図1に示すように、厚さ0.6mmのシート状のハンダからなるシート本体3と、このシート本体3に分散配置されたスペーサ粒子5とを備えており、ハンダシート1は、その厚さがスペーサ粒子5に比較して0.1mm〜0.2mm大きく形成され、スペーサ粒子5は、シート本体3内に層状に一層に配置されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a view showing an embodiment of a solder sheet according to the present invention. Reference numeral 1 denotes a solder sheet, and
As shown in FIG. 1, the solder sheet 1 includes a sheet
シート本体3は、第1のシート本体3Aと、この第1のシート本体3Aと一体的に接合された第2のシート本体3Bと、スペーサ粒子5とを備えており、第1のシート本体3Aと第2のシート本体3Bは、例えば、Pb85wt%以上、Sn10wt%以上、Ag0.5wt%以上で、融点は320℃〜340℃とされたハンダにより構成されていて、第1のシート本体3Aに形成された凹部4Aと第2のシート3Bに形成された4Bとによりスペーサ粒子5を保持している。
The
スペーサ粒子5は、この実施の形態において、例えば、材質がNiからなる直径がφ0.4mm〜0.5mmの球状体とされるとともに、シート本体3の全面にわたって分散されている。その結果、球状体の直径を構成する線分の一方端が第1の面に当接して他方端が第2の面に当接することにより、第1の面と第2の面との間隔が球状体の直径に対応する距離に保持可能とされている。
また、スペーサ粒子5の材質がNiとされていることにより、ハンダ層を形成する際に、スペーサ粒子5が溶融されたハンダの中にあってもスペーサ粒子5がハンダに溶解されることなく形状が維持されるようになっている。
In this embodiment, the
Further, since the material of the
次に、ハンダシート1の第1の製造方法について説明する。
図2(A)に示すように、まず、ハンダからなる、例えば、厚さ1mmの第1のシート本体3Aに対して、スペーサ粒子5が保持された嵌入ローラR1をT方向に回転するとともに押圧させて、第1のシート本体3Aにスペーサ粒子5が嵌入される凹部4Aを形成させるとともに、嵌入ローラR1の表面からスペーサ粒子5を第1のシート本体3Aの凹部4Aに嵌入させる。
スペーサ粒子5は、例えば、嵌入ローラR1の上方に配置されたホッパー(図示せず)から供給される。
Next, the 1st manufacturing method of the solder sheet | seat 1 is demonstrated.
As shown in FIG. 2A, first, an insertion roller R1
The
次いで、第1のシート本体3Aの凹部4Aにスペーサ粒子5が嵌入されたら、第1のシート本体3Aを平板Pの上に配置して、第1のシート本体3Aに厚さ0.6mmの第2のシート本体3Bを重ね合わせる。この場合、シート本体3Aとシート本体3Bの厚みについては、シート本体3A及びシート本体3Bの材質、押圧条件によって調整可能であり、シート本体3Aとシート本体3Bの厚さを同一とし、又は異なる厚さとすることが可能である。
第1のシート本体3Aに第2のシート本体3Bが重ね合わせられたら、図2(B)に示すように、押圧ローラR2をT方向に回転するとともに押圧させて第2のシート本体3Bの上面から第1のシート本体3A及び第2のシート本体3Bを押圧する。
Next, when the
When the second sheet
押圧ローラR2の押圧によって、第1のシート本体3Aから突出したスペーサ粒子5の突出部分が第2のシート本体3Bに嵌入されて、第1のシート本体3Aと第2のシート本体3Bが一体的に接合されてハンダシート1が形成される。
形成されたハンダシート1を所定の厚さまで圧延して、ハンダシート1の最終的な厚さを調整してもよい。
この場合、第1のシート本体3Aと第2のシート本体3Bとの接合には、接着剤等を用いてもよい。
The protruding portions of the
The final thickness of the solder sheet 1 may be adjusted by rolling the formed solder sheet 1 to a predetermined thickness.
In this case, an adhesive or the like may be used for joining the first sheet
次に、ハンダシート1の第2の製造方法について説明する。
第2の製造方法は、貯留槽内に保持された溶融ハンダ液中に0.4mm〜0.5mmのNi製の球状体を分散させて、この溶融ハンダ液中にSUS板を水平に配置するとともにSUS板を負極、ハンダ液を正極に接続する。この場合、Ni製の球状体は、攪拌翼によって、溶融ハンダ液内にて均一に分散されるようになっている。
Next, the 2nd manufacturing method of the solder sheet | seat 1 is demonstrated.
In the second manufacturing method, 0.4 mm to 0.5 mm Ni spherical bodies are dispersed in the molten solder liquid held in the storage tank, and the SUS plate is horizontally disposed in the molten solder liquid. At the same time, the SUS plate is connected to the negative electrode, and the solder solution is connected to the positive electrode. In this case, the Ni spherical body is uniformly dispersed in the molten solder liquid by the stirring blade.
この溶融ハンダ液及びNiの球状体に対して、前記SUS板を負極、ハンダ液を正極とした電圧を印加して電流を流すことで、電着作用によりSUS板の表面に、Ni球状体からなるスペーサ粒子5が層状に1層に保持されたハンダシート1が形成される。
かかる溶融ハンダ液によるNi球状体のSUS板に対する電着による製造方法によれば、均一で1層のNi球状体からなるスペーサ粒子5を有するハンダシート1を容易に製造することができる。
By applying a voltage to the molten solder solution and Ni spheres using the SUS plate as a negative electrode and a solder solution as a positive electrode, an electric current is applied to the surface of the SUS plate from the Ni spheres. The solder sheet 1 in which the
According to the manufacturing method by electrodeposition of Ni spheres on the SUS plate with the molten solder liquid, it is possible to easily manufacture the solder sheet 1 having the
以下、図面3を参照し、パワーモジュール30の製造を例に、ハンダシート1の使用方法について説明する。
本実施形態のパワーモジュール30は、絶縁回路基板40と、該絶縁回路基板40の一方の表面側に設けられた半導体チップ50と、絶縁回路基板40の他方の表面側に設けられた冷却部材55とを備えており、絶縁回路基板40は、絶縁板41と、該絶縁板41の一方の表面に接合された回路板42と、絶縁板41の他方の表面に接合された金属板43とを備えている。
Hereinafter, a method of using the solder sheet 1 will be described with reference to FIG.
The
また、絶縁回路基板40と半導体チップ50とは第1のハンダ層44を介して、絶縁回路基板40と冷却部材55とは第2のハンダ層45を介して接合されており、第1、第2のハンダ接合層44、45には、これらハンダ層を構成するハンダよりも高融点材料である材質がNiの球状体からなるスペーサ粒子5が一層に分散配置され、絶縁回路基板40と半導体チップ(接合部材)50との間が0.4mm〜0.5mmに、及び絶縁回路基板40と冷却部材(接合部材)55との間が0.4mm〜0.5mmに、それぞれのハンダ層44、45に分散配置されたスペーサ粒子5に対応する厚さに均一に保持されている。
The insulating
絶縁板41は、AlN、Si3N4等の窒化物系セラミックス、若しくはAl2O3等の酸化物系セラミックスにより形成され、回路板42は、純度99.98%以上のAl合金若しくは純Alにより形成され、金属板43は、純度98.00%以上99.90%以下のAl合金により形成されており、絶縁板41と回路板42および金属板43とを接合するろう材は、例えば、Al−Si系、Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系またはAl−Mn系のろう材から選ばれる1または2以上のろう材とされている。
The insulating
また、絶縁板41の縦、横および厚さがそれぞれ10mm〜100mm、10mm〜100mmおよび0.2mm〜1.0mmとされ、回路板42の縦、横および厚さがそれぞれ10mm〜100mm、10mm〜100mmおよび0.2mm以上0.8mm以下とされ、金属板43の縦、横および厚さがそれぞれ10mm〜100mm、10mm〜100mmおよび0.6mm以上1.5mm以下とされている。
The length, width, and thickness of the insulating
冷却部材55は、純Al、Al合金、純Cu若しくはCu合金等の金属若しくはAlSiC等の金属セラミック複合材により形成された本体部55Aと、第2のハンダ層45を介して金属板43と接続される冷却面55Cと、冷却媒体が通過する冷媒流路(図示せず)とを備え、冷媒流路には、例えば、水等の冷媒が流通されて金属板43側の吸熱面55Cから熱を吸収して、絶縁回路基板40を冷却するようになっている。
すなわち、半導体チップ50から冷却部材55に伝導された熱を吸収することによって、半導体チップ50からの熱をパワーモジュール30から放散させるようになっている。
The cooling
In other words, the heat conducted from the
ここで、回路板42および金属板43の表面にはそれぞれ、厚さ約2μmの図示されないNiメッキ層が形成されており、このNiメッキ層の形成された回路板42の表面に、第1ハンダ層44を介して半導体チップ50が接合され、また、Niメッキ層の形成された回路板42および金属板43の各表面と絶縁板41とは、ろう付けにより接合されている。
Here, a Ni plating layer (not shown) having a thickness of about 2 μm is formed on the surface of each of the
この第1のハンダ層44及び第2のハンダ層45は、ハンダシート1を絶縁回路基板40の回路板42の表面と半導体チップ50との間及び金属板43の表面と冷却部材55とのそれぞれ間に挟んで配置するとともに、温度340℃〜360℃で、1分間保持した後に、冷却して形成される。
The
上記実施の形態に係るハンダシートに1よれば、対向する2つの面と面とがスペーサ粒子5により2つの面が支持された状態で第1、第2のハンダ層44、45を厚く形成することができる。また、スペーサ粒子5が、材質がNiからなる球状体であるので、球状体の直径を制御することにより、第1のハンダ層44、第2のハンダ層45の厚さを、例えば、0.4mm〜0.5mm、かつ、均一な厚さに容易に制御することができる。
また、第1、第2のハンダ層44、45にスペーサ粒子5が分散されていることにより2つの面の間隔を均一に形成することができる。
According to the solder sheet 1 according to the above-described embodiment, the first and second solder layers 44 and 45 are formed thick in a state where the two surfaces facing each other are supported by the
Further, since the
その結果、上記実施の形態に係るパワーモジュール30において、第1のハンダ層44の厚さを0.4mmから0.5mmと厚く形成し、第2のハンダ層45の厚さを0.4mmから0.5mmと厚く形成することができるので、パワーモジュール30で発生する熱膨張に起因する歪を小さくすることができる。また、第1、第2のハンダ層44、45の厚さが均一となることにより、半導体チップ50から冷却部材55への熱伝導が効率的、均一に行なわれるので、パワーモジュール30の過熱が抑制されるとともに、温度分布の偏りを小さくすることができる。
また、回路板42に対する半導体チップ50の端子の位置精度を向上させることができるので、例えば、パワーモジュール製造時におけるボンディング不良の発生を抑制することができ、製造コストを低減することができる。
As a result, in the
In addition, since the positional accuracy of the terminals of the
上記実施の形態に係るハンダシート1によれば、スペーサ粒子5が、ハンダシート1に層状に一層に分散配置されているので、スペーサ粒子5がハンダシート1の厚さ方向に重なることなく配置される。その結果、2つの面の間にハンダシート1を挟んだ状態でスペーサ粒子5が一層に分散配置されるため、ハンダ層の厚さ及び2つの面の間隔を所定の間隔に制御し易い。
According to the solder sheet 1 according to the above-described embodiment, the
また、ハンダシート1がスペーサ粒子5の大きさと略同じ厚さとされて、接合に用いるハンダシート1が、形成されるハンダ層の厚さと略同じ厚さとされることにより余剰のハンダが少なくなるので材料歩留まりを向上することができる。
また、スペーサ粒子5の直径と略同じ厚さのハンダシート1を用いることにより、溶融されたハンダシート1内でのハンダの移動が必要とされないので均一なハンダ層を安定して得ることができる。
In addition, since the solder sheet 1 has substantially the same thickness as the size of the
Further, by using the solder sheet 1 having a thickness substantially the same as the diameter of the
なお、本発明の技術的範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、ハンダシート1、第1のシート本体3A、第2のシート本体3Bの厚さ、スペーサ粒子5の直径については任意に選択可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the thickness of the solder sheet 1, the
上記実施の形態においては、スペーサ粒子として材質がNiからなる球状体を、ハンダシート1内に層状に一層に分散配置された場合について説明したが、スペーサ粒子を構成する球状体の材質についてはハンダ層を構成するハンダよりも融点が高く、ハンダに容易に溶解しない材質であればよく、Niに代えて、例えば、Cu、Al等の他の金属を用いてもよい。
また、ハンダシート1内に2層以上の層状にスペーサ粒子5が配置されていてもよい。
In the above embodiment, the case where the spherical particles made of Ni as the spacer particles are dispersed and arranged in a single layer in the solder sheet 1 has been described. However, the material of the spherical bodies constituting the spacer particles is soldered. Any material may be used as long as it has a melting point higher than that of the solder constituting the layer and does not easily dissolve in the solder, and other metals such as Cu and Al may be used instead of Ni.
In addition, the
また、スペーサ粒子の材質に関して、金属に代えて、ガラス粒子、ダイヤモンド粒子等の無機質を使用することも可能であり、ダイヤモンド粒子は高い熱伝導率が要求される場合に特に好適である。
また、スペーサ粒子5として、球状体に代えて、断面円形状に短く切断された線材を用いることも可能であり、さらに、形成させるハンダ層の厚さに対応した代表寸法を有する楕円体、円錐体や円錐台形体、三角錐、四角錐、五角錐等をはじめとする多角錐体や多角錐台形体、三角柱、四角柱、五角柱等からなる多角柱体(直方体を含む)、またダイヤモンド結晶等に基づいた8面体や切頭8面体、12面体、20面体等の多面体等を用いることも可能であり、代表寸法が制御したいハンダ層の厚さに対応することにより、あらゆる形態の粒子をスペーサ粒子の材料とすることができる。
ここでいう、代表寸法とは、形成するハンダ層を支持可能なスペーサ粒子の大きさをいい、スペーサ粒子5が面に安定して配置された状態のときの、配置された面からスペーサ粒子5の頂部までの寸法で表される。
In addition, regarding the material of the spacer particles, it is possible to use inorganic materials such as glass particles and diamond particles instead of metal, and diamond particles are particularly suitable when high thermal conductivity is required.
Further, as the
Here, the representative dimension means the size of the spacer particles capable of supporting the solder layer to be formed, and the
また、上記実施の形態においては、ハンダの組成がPb85wt%以上、Sn10wt%以上、Ag0.5wt%以上の合金の場合について説明したが、例えば、Sn95wt%以上、Ag3wt%以上、Cu0.5wt%以上の組成のハンダを用いることも可能であり、あらゆる組成のハンダを用いることができる。
In the above embodiment, the case where the solder composition is an alloy of Pb 85 wt% or more, Sn 10 wt% or more, and Ag 0.5 wt% or more has been described. For example, Sn 95 wt% or more,
また、上記実施の形態においては、第1のシート本体3Aに嵌入ローラR1によりスペーサ粒子5を分散、配置させる場合について説明したが、嵌入ローラR1に代えて、例えば、ドクターブレードによりスペーサ粒子5を分散配置させてもよいし、また、第1のシート本体3Aと第2のシート本体3Bを接合させる際に、平板Pに変えて、押圧ローラR2と対向するもうひとつの押圧ローラを用いて接合させてもよい。
また、上記第1、第2の製造方法以外の製造方法を用いてハンダシート1を製造してもよい。
In the above embodiment, the case where the
Moreover, you may manufacture the solder sheet | seat 1 using manufacturing methods other than the said 1st, 2nd manufacturing method.
また、上記実施の形態においては、パワーモジュール30への適用例として、第1のハンダ層、第2のハンダ層44、45がともに、スペーサ粒子5が分散配置されたハンダシート1を用いて形成される場合について説明したが、第1のハンダ層と第2のハンダ層のいずれか一方のみに上記実施形態にかかるハンダシート1を用いてもよい。
また、図3とは異なる構成のパワーモジュールに対して、上記ハンダシート1を用いて製造することも可能である。
Moreover, in the said embodiment, as an application example to the
Further, it is possible to manufacture the power module having a configuration different from that shown in FIG.
1 ハンダシート
5 スペーサ粒子
30 パワーモジュール
40 絶縁回路基板
41 絶縁板
42 回路板
43 金属板
44 第1ハンダ層
45 第2ハンダ層
50 半導体チップ(接合部材)
55 冷却部材(接合部材)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
55 Cooling member (joining member)
Claims (5)
前記ハンダ接合層を挟んだ前記第1の面と前記第2の面とを所定の間隔に保持するスペーサ粒子を備え、
前記スペーサ粒子は、
前記シートの面に沿って分散配置され、かつ、前記ハンダ層を形成するハンダよりも高融点材料からなることを特徴とするハンダシート。 A solder sheet for forming a solder bonding layer between the first surface and the second surface by disposing and melting between the first surface and the second surface,
Spacer particles for holding the first surface and the second surface sandwiching the solder bonding layer at a predetermined interval;
The spacer particles are
A solder sheet comprising a material having a higher melting point than that of the solder that is distributed along the surface of the sheet and forms the solder layer.
前記スペーサ粒子は、
金属、又は無機材料からなる球状体であることを特徴とするハンダシート。 The solder sheet according to claim 1,
The spacer particles are
A solder sheet comprising a spherical body made of a metal or an inorganic material.
前記スペーサ粒子は、
金属、又は無機材料からなり断面円形状の線材であることを特徴とするハンダシート。 The solder sheet according to claim 1,
The spacer particles are
A solder sheet comprising a metal or an inorganic material and having a circular cross section.
厚さが前記スペーサ粒子の大きさと略同じに形成され、
かつ前記スペーサ粒子は、
層状に一層に配置されていることを特徴とするハンダシート。 The solder sheet according to any one of claims 1 to 3,
The thickness is formed to be approximately the same as the size of the spacer particles,
And the spacer particles are
Solder sheet characterized by being arranged in layers in a single layer.
前記ハンダ接合層には、
前記ハンダよりも高融点材料からなるスペーサ粒子が一層に配置され、
前記絶縁回路基板と前記接合部材との間が、前記スペーサ粒子に対応する間隔に均一に保持されていることを特徴とするパワーモジュール。 An insulating circuit board comprising an insulating plate, a circuit board bonded to one surface of the insulating plate, and a metal plate bonded to the other surface of the insulating plate, and the circuit board of the insulating circuit board And a power module in which another joining member is joined to a surface on at least one side of the metal plate via a solder joining layer,
In the solder bonding layer,
Spacer particles made of a material having a higher melting point than the solder are disposed in one layer,
The power module, wherein the insulating circuit board and the bonding member are uniformly held at an interval corresponding to the spacer particles.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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