JP2008171807A - プラズマ処理チャンバでプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマチャンバにおいてプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】回路コンポーネントを用いて、ドアにポートを密閉させて、プラズマの励起周波数で、短絡パスを提供する。一実施形態において、ドアは、エッチングチャンバの基板搬送ポートを密閉するスリットバルブドアである。
【選択図】図２Ｂ

Description

発明の背景

（技術分野）
本発明の実施形態は、概して、集積回路を製造するのに半導体業界で用いられるプラズマ処理チャンバ、特に、プラズマ処理チャンバにおけるアーク放電又は望ましくないプラズマグローを防止する方法及び装置に関する。

（関連技術の説明）
集積回路（ＩＣ）の製造では、プラズマエッチングチャンバ、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）チャンバ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）チャンバ等のプラズマチャンバを用いて多くの処理工程が実施される。かかるチャンバにおけるプラズマ誘導アーク放電は、歩留まりに悪影響を及ぼす現象であり、これが、パーティクル汚染や、ＩＣの製造フィーチャー及びデバイスの不均一性を招く。

プラズマ誘導アーク放電又はプラズマグローに弱い具体的な領域としては、基板搬送ポートを密閉するのに用いるスリットバルブドアに近接する領域が挙げられる。特に、プラズマアーク放電は、基板搬送ポート近傍、特に、各チャンバにおいて、基板のプラズマ処理中に、かかるポートを密閉するのに用いるドアで、観察されることが多い。通常、これらの領域におけるプラズマアーク放電の程度は、プラズマの励起周波数と共に増大する。

プラズマが、プラズマの励起周波数で短絡を示す表面に囲まれている場合を除くと、プラズマと処理チャンバの内側表面の間でアーク放電が生じる恐れがある。処理チャンバの多くのコンポーネントは、例えば、多点接地技術を用いて、十分良好に接地できるものの、スリットバルブドアでの、又はその近くでのプラズマ形成を防止するにはまだ課題がある。
従って、チャンバポートでの望ましくないプラズマ形成を防止するのを改善する必要がある。

発明の概要

プラズマ処理チャンバにおいてプラズマに露出されるポートでのアーク放電を防止する方法及び装置が提供される。具体的な一実施形態において、ポートは、チャンバの基板搬送ポートである。

本発明の一態様は、スリットバルブのドアを製造する方法である。一実施形態において、本方法は、ドアを製造するものであり、プラズマの励起周波数で、ドアに短絡を生じさせる１つ以上の回路コンポーネントを用いて、パネルがドアに電気的に結合されている。他の実施形態において、回路コンポーネントは、ドアの作動装置の要素に配置されている。

本発明の他の態様は、本発明の方法を用いて製造されたスリットバルブドアである。このドアをプラズマチャンバに用いると、基板搬送ポート及びドア自身に近接するプラズマ誘導アーク放電が抑制される。

本発明の更に他の態様は、基板上に集積回路を製造するためのプラズマ処理チャンバである。この処理には、プラズマ処理中に、本発明のドアアセンブリを用いて、選択的に密閉される基板搬送ポートが含まれる。

更に他の実施形態において、処理チャンバが提供され、これは、コンポーネントを有しており、コンポーネントは、処理チャンバ内でのプラズマの形状及び／又は位置に影響を及ぼすように選択されたインダクタンスを有する回路を通して接地に結合されている。一実施形態において、コンポーネントは、スリットバルブドアであってよい。このように、プラズマは、ドアによって影響を受けて、基板サポートに対してプラズマは補正又は再配置される。これによって、チャンバの他の電気的又は導電性（ポンピング）非対称性が補正される。

詳細な説明

図１は、本発明の一実施形態によるスリットバルブドア１５０を有する処理チャンバ１１０を含むプラズマリアクタ１００の高レベル概略図である。図示した実施形態において、プラズマ処理チャンバ１１０は、チャンバ本体１０２、静電チャック１１３を有する基板台座１１２、ライナ１１４、１１６、プラズマ閉じ込めバッファ１１８、ガスパネル１３６に流体結合されたシャワーヘッド１２０、上部電極１２２及びスリットバルブドア１５０を含むように図示されている。

図２Ａ〜２Ｅは、図１のスリットバルブドア１５０の例示の実施形態の断面図である。本発明を最も良く理解するためには、図１及び２Ａ〜２Ｅを同時に参照すべきである。

チャンバ本体１０２は、導電性材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ））から形成されていて、基板搬送ポート１０４を含んでおり、そこで、リアクタ１００で処理される基板１２４の出し入れがなされる（基板チャック１１３上に配置された一枚の基板１２４が図示されている）。通常、チャンバ本体１０２、ライナ１１４、１１６、バッファ１１８及び任意のシャワーヘッド１２０は、リアクタ１００の接地ターミナル１２６に結合されている。特に、ライナ１１４、１１６、バッファ１１８及びシャワーヘッド１２０は、多点接地技術を用いて接地されていてもよい。

上部電極１２２は、整合ネットワーク１２８を通して、プラズマ電力生成器１３０に接続されている。基板台座１１２は、整合ネットワーク１３２を通して、バイアス電力生成器１３４に接続されている。一実施形態において、プラズマ電力生成器１３０及びバイアス電力生成器１３４は、夫々、約１６２ＭＨｚ及び１３．５６ＭＨｚの動作周波数を有する無線周波数（ＲＦ）電力供給装置である。

基板１２４処理中、プラズマ電力生成器１３０及びバイアス電力生成器１３４は、併せて、又は別個に、プラズマ１０６（ファントムで示す）を生成する。図示した実施形態において、任意のステアリングコイル及び磁石（又は電磁石）（ステアリングコイル１３８Ａ、１３８Ｂ及び磁石１４０Ａ、１４０Ｂが図示）を用いて、プラズマ１０６を更に制御してもよい。処理リアクタ１００はまた、操作中、リアクタ１００において、基板１２４のプラズマ処理の実行及び制御を促す従来のシステム及びデバイスも有している。かかるシステムは、サポートシステム１４２として、ここでは集合的に図示されている。

リアクタ１００は、様々な集積回路の製造に用いられる材料をエッチングするために、プラズマを利用するエッチングチャンバであってよい。本発明から利点を得られるべく適合される好適なエッチングチャンバとしては、カリフォルニア州サンタクララ（Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）にあるアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）より入手可能なイナーブラー（ＥＮＡＢＬＥＲ）（登録商標）がある。他の実施形態において、処理チャンバ１１０は、異なる周波数で動作するプラズマ又はバイアス生成器、並びに、プラズマを生成する異なる手段を有していてもよい。これらは、プラズマプロセスの中で特に、プラズマエンハンスド化学蒸着又は物理蒸着を実施するように適合されている。一実施形態において、処理チャンバ１１０は、１つ以上の内部、外部又は遠隔誘導又は容量ＲＦプラズマ源又はマイクロ波（ＭＷ）プラズマ源を有していてもよい。本発明により利点の得られる様々な種類のプラズマチャンバが、プラズマ処理装置メーカーの中でも特に、アプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）より市販されている。

スリットバルブドア１５０は、チャンバ１１０の内部と、開くと基板を搬送できる隣接するチャンバとの間のバリアとなる。操作中、ドア作動装置１４４は、少なくとも１つの駆動ロッド１４６を介して、スリットバルブドア１５０を開閉位置間で動かす。処理チャンバ１１０におけるプラズマ処理中、スリットバルブドア１５０は、上部、即ち、閉鎖位置に配置され（図１に図示）、ドアは、基板搬送ポート１０４を真空密封する。従って、スリットバルブドア１５０が、下部、即ち、開放位置に配置されると（図示せず）、基板１２４は、基板搬送ポート１０４を通って搬送され、ライナ１１４、１１６間又はいずれかのライナに形成されたポート１４９を通って、処理チャンバ１１０に出し入れされる。

スリットバルブドア１５０は、ドア及びギャップ１４８を画定しているチャンバ本体１０２の近接部分から間隔が空いている。プラズマ処理中、プラズマは、ライナ１１４、１１６のポート１４９を通して、更に、基板搬送ポート１０４を通して、スリットバルブドア１５０まで、場合によっては、ギャップ１４８まで延びている。

一実施形態において、スリットバルブドア１５０は、密閉パネル１５２、駆動パネル１５４及びスペーサ１５６を含む。スペーサ１５６は、パネル１５２、１５４の間に配置されている。密閉位置において、密閉パネル１５２は、基板搬送ポート１０４を閉鎖する。この位置では、密閉パネル１５２は、プラズマ１０６に露出されてもよい。

各パネル１５２、１５４は、導電性材料（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼又はその他好適な材料）から作製され、一方、スペーサ１５６は、プラスチック、セラミック、ポリイミド又はその他好適な誘電性材料から製造されている。一実施形態において、密閉パネル１５２は、保護層１５８（例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層）を有しており、これは、密閉位置で、基板搬送ポート１０４を通して、処理チャンバ１１０の内部に対向している。

駆動パネル１５４は、ドア作動装置１４４の１つ以上の駆動ロッド１４６に機械的に接続されている。ある実施形態において、駆動ロッド１４６は、導電性材料（例えば、金属又は合金）から製造されていて、駆動パネル１５４及びリアクタ１００の接地ターミナル１２６に、図２Ａ〜２Ｃに示す通り、回路コンポーネント１６０Ａ、１６０Ｂ又は１６０Ｃを通して、電気的に結合されている。

図２Ｄに示す変形実施形態において、駆動ロッド１４６は、誘電性材料（図示）から製造されていて、駆動パネル１５４から電気的に分離されていてもよい（図２Ｄには図示せず）。本実施形態において、密閉パネル１５２は、駆動パネル１５４を介して、接地ターミナル１２６に、別個の電気リードを通して電気的に結合されている。

図２Ｅに示す変形実施形態において、回路コンポーネント１６０Ｄは、ドア１５０と接地１２６との間に、図２Ｅに示すように、ドア１５０から離れた好適な場所に、配置されていてもよい。本実施形態において、密閉パネル１５２は、直列の回路コンポーネント１６０Ｄを有する別個の電気リード１９８を介して、接地ターミナル１２６に電気的に結合されている。

図２Ａ〜２Ｄを参照すると、パネル１５２、１５４及びスペーサ１５６が、ファスナ２０２、２０４（例えば、ネジ、リベット、クランプ又はその他結合要素）を用いて、機械的に結合されているのが示されている。図２Ａ〜Ｃに示す実施形態において、ファスナ２０２、２０４（明確にするために、図２Ａにのみ図示）は、パネル１５２、１５４間のファスナ２０２、２０４を通した電気的結合を防ぐように構成されている。駆動ロッド１４６は、導電性フランジ２０６（図２Ａ〜２Ｂ、２Ｄに図示）又は非導電性フランジ２０８（図２Ｃに図示）を用いて、駆動パネル１５４に結合されていてもよい。

図２Ａ〜Ｃに示す実施形態において、パネル１５２、１５４は、１つ以上の回路コンポーネントを用いて電気的に結合されている。回路コンポーネントは、図２Ａの実施形態では１６０Ａと、図２Ｂの実施形態では１６０Ｂと、図２Ｃの実施形態では１６０Ｃと示されている。ドア１５０を通した接地パスが、プラズマ１０６の励起周波数Ｆ_ＰＬを整合する所定のインピーダンスを有するように、回路コンポーネント（ここでは集合的にコンポーネント１６０と呼ぶ）は選択されている。この代わりに、ドア１５０を通した接地パスが、プラズマ１０６の励起周波数Ｆ_ＰＬからオフセットの所定のインピーダンスを有するように、コンポーネント１６０を選択することも考えられ、電位差が、形状、位置又はその他のプラズマ特性に影響して、例えば、他のチャンバ又はリアクタコンポーネントにより生じたプラズマ非対称性が補正又は作成される。一例において、周波数Ｆ_ＰＬは、プラズマ生成器１３０の約１６２ＭＨｚの操作周波数である。図１、２Ａ〜２Ｃに示す実施形態において、回路コンポーネント１６０は、スペーサ１５６に形成されたキャビティ１６２に配置されている。キャビティ１６２は、ターミナル（図示せず）を用いて構成されて、回路コンポーネント１６０の取替え及び交換を容易にしている。

図２Ｄに示す変形実施形態において、スリットバルブドア１５０は、密閉パネル１５２と、任意で、駆動パネル１５４とを含む。駆動ロッド１４６は夫々、部分１４６_１及び１４６_２を含み、これらは、誘電体スペーサ２１４を用いて分離されている。本実施形態において、回路コンポーネント１６０Ｄは、スペーサ２１４に形成されたキャビティ２１６に配置されている。

図２Ａ〜Ｄに示す実施形態を集合的に参照すると、回路コンポーネント１６０のコンタクトリードは、スリットバルブドア１５０又は駆動ロッド１４６の各要素に、はんだ、結束又は可動コンタクト２１０を用いて接続されていてもよい。コンタクト２１０としては、差込み取り付け具、はんだターミナル、バス等が例示される。回路コンポーネント１６０と共に、密閉パネル１５２、駆動パネル１５４及び駆動ロッド１４６は、プラズマの励起周波数Ｆ_ＰＬで、短絡を与え（例えば、短絡パスを形成し）、これによって、駆動パネル１５４、基板搬送ポート１０４及びギャップ１４８でのプラズマ誘導アーク放電が抑制される。特に、回路コンポーネント１６０の値を選択的に選んで、励起周波数Ｆ_ＰＬで短絡を形成する。２つ以上のプラズマ励起周波数を利用する実施形態においては、各回路コンポーネントを選択して、各周波数で短絡を与えるようにしてもよい。

図３Ａ〜３Ｃは、図２Ａ〜２Ｅに示す、本発明の実施形態により作製されたスリットバルブドア１５０の等価の電気回路３１０、３２０、３３０を示す。図３Ａ及び図２Ａ〜２Ｃを参照すると、プラズマ処理中、密閉パネル１５２及び導電性駆動ロッド１４６は、プラズマ１０６に、夫々、容量及び誘導インピーダンスＺ１及びＺ４を示し、一方、駆動パネル１５４のインピーダンスＺ３は、約０（ゼロ）である。図２Ａ〜２Ｃの実施形態において、スリットバルブドア１５０は、コンポーネント１６０Ａ（図２Ａに図示）又は単一コンポーネント１６０Ｂ、１６０Ｃ（図２Ｂ〜２Ｃに図示）がキャパシタの時は、励起周波数Ｆ_ＰＬで、短絡を形成する。インピーダンスは、周波数Ｆ_ＰＬで、等価の電気回路３１０のインピーダンスＺ_３１０が、ゼロに等しい、又は略ゼロとなるように選択される。

図３Ｂ及び図２Ｄを参照すると、プラズマ処理中、密閉パネル１５２は、プラズマ１０６に、容量インピーダンスＺ１を示し、一方、駆動パネル１５４のインピーダンスＺ３は、約０（ゼロ）である。スリットバルブドア１５０は、回路コンポーネント１６０Ｄがキャパシタの時は、励起周波数Ｆ_ＰＬで、短絡を形成する。キャパシタンスは、周波数Ｆ_ＰＬで、等価の電気回路３２０のインピーダンスＺ_３２０が、ゼロに等しい、又は略ゼロとなるように選択される。

図３Ｃ及び図２Ｅを参照すると、プラズマ処理中、密閉パネル１５２は、プラズマ１０６に、容量インピーダンスＺ１を示す。スリットバルブドア１５０は、回路コンポーネント１６０Ｅがキャパシタの時は、励起周波数Ｆ_ＰＬで、短絡を形成する。キャパシタンスは、周波数Ｆ_ＰＬで、等価の電気回路３２０のインピーダンスＺ_３２０が、ゼロに等しい、又は略ゼロとなるように選択される。

回路コンポーネント１６０Ａ〜１６０Ｅのキャパシタンスの値は、回路コンポーネント１６０が一時的にシャントと交換された各スリットバルブドア１５０のインピーダンスを測定することにより求めてもよい。かかる測定は、例えば、基板搬送ポート１０４を通して、密閉パネル１５２にプローブが結合された、ネットワークアナライザを用いて実施することができる。これらの測定結果によって、夫々、等式（１）及び（２）において、特性Ｓ１＝Ｚ１＋Ｚ３＋Ｚ４及びＳ２＝Ｚ１＋Ｚ３が定義できる。次に、キャパシタ１６０Ａ〜１６０Ｃの値を、下式を解くことによって求める。

回路コンポーネント１６０Ａ〜１６０Ｅは、インダクタ及び／又はその他回路コンポーネントを含んでいてもよいものと考えられる。

或いは、製品でない基板のプラズマ処理中、回路コンポーネント１６０の値は、実験的に、例えば、スリットバルブドア１５０又は基板搬送ポート１０４でのプラズマ誘導アーク放電を抑制するコンポーネントを選択することにより、求めてもよい。キャパシタ又はその他回路コンポーネント１６０の適切な値が求められたら、ドア１５０（又はロッド）を分解し、求めた値のキャパシタを、キャビティ又はドアに沿ったその他の位置で、接地パスに据付けてもよい。

図４は、本発明の一実施形態による、プラズマに露出されたポートで、プラズマチャンバにおけるアーク放電を防止するための方法４００を示すフロー図である。当業者であれば、プラズマプロセスを実施するために適合されたチャンバの中でも特に、図１のプラズマエッチングリアクタ１００を用いて、方法４００を実施できることが容易に分かるはずである。また、当業者であれば、方法４００を実施して、プラズマ処理システムの他のコンポーネントを調整して、アーク放電を防ぐ、又チャンバ内のプラズマを再配置して、プラズマ非対称性を補正又は作成することも容易に分かるはずである。

方法４００は、プラズマチャンバに、プラズマチャンバの基板搬送ポートを密閉するために適合されたスリットバルブドアが与えられた時、ステップ４１０で始まる。ドアは、接地に電気的に結合されている。ドア接地パスは、キャパシタ及び／又はインダクタ等の少なくとも１つの交換可能な電気コンポーネントを有している。ドア接地パスは、この代わりに、調整可能な電気コンポーネントを有していてもよいものと考えられる。調整可能なコンポーネントによって、接地パスのインピーダンスを調整することができる。かかるドアの例については、図１及び２Ａ〜２Ｅを参照して上述してある。

ステップ４２０で、ドアの接地パスの電気コンポーネントを、導電性シャントを用いて一時的に交換する。次に、ステップ４３０で、密閉位置のドアのインピーダンスを測定して、ドア接地パスの他のコンポーネントと共に、インピーダンスを求める。これは、プラズマの励起周波数で短絡パスを与えるのに必要である。インピーダンスは、ネットワークアナライザ、又は、実験的に、例えば、ドア又は基板アクセスポートでのアーク放電を抑制したり、所望のプラズマ構成を作成するキャパシタ及び／又はインダクタ等の回路コンポーネントを文字通り選択することにより求めてもよい。

ステップ４４０で、導電性シャントは、インピーダンス値を有する回路コンポーネントと交換される。インピーダンス値は、ドア接地パスが、プラズマの励起周波数で短絡回路パスを与えるように選択されている。プラズマ処理中、ドアは、プラズマに露出されたポート近傍でのプラズマ誘導アーク放電を抑制する。ステップ４４０の完了により、方法４００は終了する。方法４００は、次のことを行うように適合してもよいものと考えられる。即ち、アーク放電を防ぐためにプラズマ処理チャンバの他のコンポーネントを調整するのに用いるドア接地パスインピーダンスを求める、又は、プラズマ非対称性を補正又は作成するために、チャンバ内でプラズマを再配置する。

このように、本方法及び装置によれば、プラズマ処理チャンバにおいて、プラズマの配置が制御されている。本発明を利用して、基板搬送ポート又は処理チャンバにおいてプラズマに露出される他のコンポーネントでのアーク放電を防いだり、プラズマ処理チャンバの他のコンポーネントを調整してアーク放電を防ぐ、又は、チャンバ内のプラズマの再配置をして、プラズマ非対称性を補正又は作成すると有利である。

特定の典型的な実施形態を参照して、本発明をここに説明してきたが、これらの実施形態は、本発明の原理及び応用の単なる例証に過ぎないものと考えられる。従って、数多くの修正をこれらの実施形態に行ってよく、その他の構成を、本発明の技術思想及び範囲から逸脱することなく考案してよく、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。

上に挙げた本発明の特徴が詳細に理解できるように、上に簡単にまとめた本発明を、添付図面にいくつか図解された実施形態を参照してより具体的に説明する。しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態を例示するだけであり、その範囲を限定するものとは考えられず、本発明は他の同様に有効な実施形態も認めることに留意すべきである。

本発明の一実施形態による、スリットバルブドアを有する処理チャンバを含むプラズマチャンバの高レベル概略図である。 〜 図１のスリットバルブドアの例示の実施形態の断面図である。 〜 図２Ａ〜２Ｅに図示したスリットバルブドアに等価の電気回路を示す図である。 本発明の一実施形態によるプラズマに露出されたポートでのプラズマチャンバにおけるアーク放電を防止する方法を示すフロー図である。

理解を促すために、図面で共通の同一の構成要素を示すのに、可能な場合は、同一の参照番号を用いている。ただし、かかる構成要素を区別するために、適切な時は、添字を加えてある。図面の画像は、例示の目的で単純化されており、縮尺は合っていない。一実施形態の構成要素及び特徴は、更に列挙することなく、他の実施形態に有利に組み込まれるものと考えられる。

Claims (20)

1. プラズマ処理チャンバにおいて、
   基板アクセスポートを有するチャンバ本体と、
   前記チャンバ内に形成されたプラズマにエネルギーを結合するための要素と、
   前記プラズマが形成される前記チャンバ本体内の領域に露出されたチャンバコンポーネントと、
   前記チャンバコンポーネントを接地に結合する接地パスとを含み、前記接地パスが、前記プラズマの励起周波数に応答して選択された調整可能又は交換可能な回路コンポーネントを少なくとも１つ含み、前記チャンバコンポーネントと接地の間に所定のインピーダンス値を与えるプラズマ処理チャンバ。
2. プラズマ処理チャンバにおいて、
   基板アクセスポートを有するチャンバ本体と、
   前記基板アクセスポートを閉鎖するように配置可能なドアであって、プラズマが形成される前記チャンバ本体内の領域に露出した面を有するドアと、
   前記ドアを接地に結合する接地パスとを含み、前記接地パスが、前記プラズマの励起周波数に応答して選択された調整可能又は交換可能な回路コンポーネントを少なくとも１つ含み、前記ドアと接地の間に所定のインピーダンス値を与えるプラズマ処理チャンバ。
3. 前記回路コンポーネントが、キャパシタ又はインダクタのうち少なくとも１つを含む請求項２記載の処理チャンバ。
4. 前記回路コンポーネントが、前記ドアに配置されている請求項２記載の処理チャンバ。
5. 前記ドアが、
   前記アクセスポートを閉鎖するように配置可能な密閉パネルと、
   前記密閉パネルに結合された駆動パネルと、
   前記駆動パネルを密閉パネルから電気的に分離する誘電体スペーサであって、前記回路コンポーネントを収容しており、前記回路コンポーネントは、前記駆動パネルを前記密閉パネルに電気的に結合している、誘電体スペーサとを含む請求項２記載の処理チャンバ。
6. 前記駆動パネルが、接地に結合されている請求項５記載の処理チャンバ。
7. 前記回路コンポーネントが、ドアから離れている請求項２記載の処理チャンバ。
8. 作動装置と、
   前記作動装置を前記ドアに結合するロッドであって、前記回路コンポーネントが、前記ロッドと直列に結合されている、ロッドとを含む請求項７記載の処理チャンバ。
9. 前記ロッドが、接地に結合されている請求項７記載の処理チャンバ。
10. 前記ロッドがキャビティを含み、その中に前記回路コンポーネントが配置されている請求項７記載の処理チャンバ。
11. 前記ドアに結合されたリードを含み、前記リードが直列に結合された前記回路コンポーネントを有する請求項７記載の処理チャンバ。
12. プラズマ処理チャンバにおいて、
    基板アクセスポートを有するチャンバ本体と、
    前記基板アクセスポートを閉鎖するように配置可能なドアであって、プラズマが形成される前記チャンバ本体内の領域に露出した面を有するドアと、
    ロッドと、
    前記ドアに前記ロッドにより結合された作動装置であって、前記ドアの位置を制御する作動装置と、
    前記ドアを接地に結合する接地パスとを含み、前記接地パスが、前記ロッド又はドアのうち少なくとも１つに配置された交換可能な回路コンポーネントを含むプラズマ処理チャンバ。
13. 前記回路コンポーネントが、キャパシタ又はインダクタのうち少なくとも１つを含む請求項１２記載の処理チャンバ。
14. プラズマチャンバにおいて、プラズマに露出されたポートを密閉するドアでのアーク放電を防止する方法であって、
    前記プラズマチャンバの基板搬送ポートを密閉するために適合されたスリットバルブドアを有する前記プラズマチャンバを提供する工程であって、前記ドアが、接地パスを通して接地に電気的に結合されている工程と、
    搬送ポート密閉位置にある前記ドアのインピーダンスを測定して、前記プラズマチャンバに形成されたプラズマの励起周波数で、前記接地パスを通して短絡を与えるのに必要なインピーダンスを求める工程と、
    前記接地パスと、回路コンポーネントを直列に結合する工程であって、前記回路コンポーネントが、前記求めたインピーダンスに実質的に等しいインピーダンス値を有する工程とを含むアーク放電を防止する方法。
15. 前記接地パスと、前記回路コンポーネントを直列に結合する工程が、
    前記測定工程中に用いた導電性シャントを、電気コンポーネントと交換する工程を含む請求項１４記載の方法。
16. 前記接地パスと、前記回路コンポーネントを直列に結合する工程が、
    前記電気コンポーネントを前記ドアに据付ける工程を含む請求項１４記載の方法。
17. 前記接地パスと、前記回路コンポーネントを直列に結合する工程が、
    ロッドに前記電気コンポーネントを据付けて、前記ドアを作動装置に結合する工程を含む請求項１４記載の方法。
18. 前記接地パスと、前記回路コンポーネントを直列に結合する工程が、
    前記ドアとドアを結合するリードと、前記電気コンポーネントを直列に据付ける工程を含み、前記電気コンポーネントが、前記ドアから離れた位置に据付けられている請求項１４記載の方法。
19. 前記接地パスと、前記回路コンポーネントを直列に結合する工程が、
    前記接地パスの第１の平行な分岐に、第１の電気コンポーネントを据付ける工程であって、前記接地パスが第１のプラズマ励起周波数で短絡を与えるように選択された工程と、
    前記接地パスの第２の平行な分岐に、第２の電気コンポーネントを据付ける工程であって、前記接地パスが第２のプラズマ励起周波数で短絡を与えるように選択された工程とを含む請求項１４記載の方法。
20. 前記インピーダンスを測定する工程が、ネットワークアナライザを用いて、又は実験データを用いて得られたデータに基づいて前記インピーダンスを求める工程を含む請求項１４記載の方法。

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