JP2008159920A - 光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 - Google Patents
光電変換素子用導電性ペースト、光電変換素子、および光電変換素子の作製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Alを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態に係る導電性ペーストは、主として、太陽電池などの光電変換素子の形成に用いる半導体基板に、印刷法(塗布法)によって電極を形成する際に用いるものである。例えば太陽電池を作製する場合であれば、Si基板などのp型の半導体基板の裏面側に、印刷法によって裏面電極を形成する際に用いるのが、その使用態様の好適な一例である。
次に、上述の導電性ペーストを用いて作製されてなる、本実施の形態に係る光電変換素子の一態様としての太陽電池について説明する。図1は、本実施の形態に係る太陽電池10の構成を概略的に示す断面模式図である。
実施例として、PbO、B2O3、Al2O3、ZnO、SiO2、及びBi2O3の6種類の酸化物成分を用いて下表1に示すように組成の比率(重量比率)を適宜振った結晶化ガラス粉末を作成した。具体的には、PbO、SiO2、B2O3、及びBi2O3の4種類の酸化物成分を用いた系(「Pb−Si−B−Bi系」とも称する)と、PbO、SiO2、Al2O3、及びB2O3の4種類の酸化物成分を用いた系(「Pb−Si−Al−B系」とも称する)と、PbO、SiO2、Al2O3、及びZnOの4種類の酸化物成分を用いた系(「Pb−Si−Al−Zn系」とも称する)と、PbO、SiO2、及びZnOの3種類の酸化物成分を用いた系(「Pb−Si−Zn系」とも称する)とを作成した。なお、表1では、各系のガラスを構成する酸化物成分の比率(組成比率)の幅(範囲)が重量%で示されているが、各系のガラスを構成する酸化物成分の比率の合計が100%を超えない範囲で、各系のガラスを作成した。
一方、比較例としては、PbO、B2O3、Al2O3、SiO2、及びBi2O3の5種類の酸化物成分を用いて表1に示すように組成の比率(重量比率)を適宜振った非結晶化ガラス粉末を作成した。具体的には、PbO、SiO2、B2O3、及びBi2O3の4種類の酸化物成分を用いた系(Pb−Si−B−Bi系)と、PbO、SiO2、Al2O3、及びB2O3の4種類の酸化物成分を用いた系(Pb−Si−Al−B系)とを作成した。そして、下表2に示すように、Al粉末100重量部に対して非結晶化ガラス粉末を0.20重量部だけ添加することで、導電性ペーストとして、計2種類の非結晶化ガラス添加Alペーストを作製した。
上述のようにして得られた、実施例に係る20種類の太陽電池と、比較例に係る7種類の太陽電池とについての、評価結果を表2として示す。表2において番号4〜8,10〜14,16〜20,22〜26の結果が実施例についてのものであり、番号1〜3,9,15,21,27が比較例についてのものである。なお、表2では、丸印付されているガラスが添加された導電性ペーストを用いて作成された太陽電池についての評価結果が示されている。また、表2の最も右の欄には、反り量、面抵抗、及びピール強度の3項目全てについて合格と判定されたものに丸印が付され、3項目のうちの少なくとも1項目について不合格と判定されたものに×印が付されている。
2 n+層
3 p+層
4 受光面電極
5 裏面電極
10 太陽電池
Claims (8)
- 光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストであって、
Alを主に含有する金属粉末と、
前記電極を形成するために前記半導体基板の面上に前記導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットと、
を含むことを特徴とする光電変換素子用導電性ペースト。 - 請求項1に記載の光電変換素子用導電性ペーストであって、
前記金属粉末100重量部に対して、前記ガラスフリットを0.01〜10重量部含有することを特徴とする光電変換素子用導電性ペースト。 - 請求項1または請求項2に記載の光電変換素子用導電性ペーストであって、
前記ガラスフリットが、B2O3、SiO2、Bi2O3、Al2O3、ZnO、PbOのうちの少なくとも2種類以上の酸化物を含むことを特徴とする光電変換素子用導電性ペースト。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の光電変換素子用導電性ペーストを用いて前記半導体基板の一方主面上にAlを含有する電極層が形成されてなることを特徴とする光電変換素子。
- 請求項4に記載の光電変換素子であって、
前記電極層が、前記ガラスフリットが結晶化した部分を含むことを特徴とする光電変換素子。 - 請求項5に記載の光電変換素子であって、
前記結晶化した部分が、B2O3、SiO2、Bi2O3、Al2O3、ZnO、PbOのうちの少なくとも2種類以上の酸化物からなる結晶相を含むことを特徴とする光電変換素子。 - 光電変換素子であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の一方主面上に形成され、ガラスが結晶化した結晶相を含み且つAlを主に含有する電極層と、
を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 光電変換素子の作製方法であって、
Alを主に含有する金属と、電極を形成するために半導体基板の面上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを用いて、前記導電性ペーストを作製する工程と、
前記導電性ペーストを用いて塗布法により光電変換素子用の半導体基板の一方主面上に電極層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光電変換素子の作製方法。
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