JP2008149363A - 溶接装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】溶接速度の増加と溶接ビードの外観向上とを図ることが可能である溶接装置を提供する。
【解決手段】ワイヤWを支持するコンタクトチップ2と、プラズマ電極3と、シールドノズル4と、プラズマガスを供給するプラズマガスボンベ81と、シールドガスを供給するシールドガスボンベ82と、MIG電源6と、プラズマ電源5と、を備えている。MIG電源6は、陽極がコンタクトチップ2に導通し、陰極が溶接対象材Pに導通しており、プラズマ電源5は、陽極がプラズマ電極3に導通し、陰極がコンタクトチップ2に導通している。このような構成とすることにより、プラズマ電極3の電位が最も高くなり、ワイヤW、溶接対象材Pの順に電位が低くなる。
【選択図】図1
【解決手段】ワイヤWを支持するコンタクトチップ2と、プラズマ電極3と、シールドノズル4と、プラズマガスを供給するプラズマガスボンベ81と、シールドガスを供給するシールドガスボンベ82と、MIG電源6と、プラズマ電源5と、を備えている。MIG電源6は、陽極がコンタクトチップ2に導通し、陰極が溶接対象材Pに導通しており、プラズマ電源5は、陽極がプラズマ電極3に導通し、陰極がコンタクトチップ2に導通している。このような構成とすることにより、プラズマ電極3の電位が最も高くなり、ワイヤW、溶接対象材Pの順に電位が低くなる。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマ溶接とMIG溶接とを行う溶接装置に関する。
図2は、従来の溶接装置の一例を示している(たとえば、特許文献1参照)。同図に示す溶接装置Xは、溶接トーチ91、ワイヤ供給手段92、プラズマ電源93、MIG電源94、プラズマガスボンベ95、およびシールドガスボンベ96を備えている。ワイヤ供給手段92からは、ワイヤWが供給される。ワイヤWは、溶接トーチ91の中心軸に沿って送り出される。溶接トーチ91は、コンタクトチップ91a、プラズマ電極91b、およびシールドノズル91cを有している。
コンタクトチップ91aは、ワイヤWを支持している。プラズマ電極91bは、コンタクトチップ91aを囲っており、コンタクトチップ91aと同心軸上に配置されている。コンタクトチップ91aとプラズマ電極91bとの隙間には、プラズマガスボンベ95からプラズマガスが供給されている。シールドノズル91cは、プラズマ電極91bを囲っており、プラズマ電極91bと同心軸上に配置されている。プラズマ電極91bとシールドノズル91cとの隙間には、シールドガスボンベ96からシールドガスが供給されている。
プラズマ電源93は、プラズマ電極91bと溶接対象材Pとの間に電圧を印加することにより、プラズマガスをプラズマ状態とするための電源である。プラズマ電源93の一方の電極がプラズマ電極91bに接続されており、プラズマ電源93の他方の電極が溶接対象材Pに接続されている(なお、特許文献1には、プラズマ電源93の接続における極性は言及されていない)。MIG電源94は、ワイヤWからアークを発生させるための電圧を印加するためのものである。MIG電源94の陽極がコンタクトチップ91aに接続されており、MIG電源94の陰極が溶接対象材Pに接続されている。
溶接装置Xによる溶接の利点は、溶接対象材Pの同一箇所に対してプラズマ溶接とMIG溶接とを同時に行うことにある。すなわち、プラズマガスをプラズマ化することにより生じさせたプラズマアークを噴出することにより、溶接対象材Pの一部が溶融状態となる。この溶融状態となった部分に、ワイヤWの溶滴が供給される。これにより、溶接対象材PをたとえばMIG溶接のみによって溶接する場合と比べてより確実に溶接することができる。また、MIG電源94からの電圧印加によって生じたMIGアークは、プラズマ化されたプラズマガスに内包されることとなる。これにより、MIGアークの挙動を安定させるのに有利である。
しかしながら、溶接速度の増加や溶接ビードの外観向上を図るには、未だ以下のような問題があった。まず、溶接速度を増加させるには、溶接の溶け込み深さをより深くする必要がある。この溶け込み深さは、MIGアークの挙動が安定するほど深いものとなる。溶接装置Xによる溶接においては、MIGアークをプラズマガス中に内包しているものの、MIGアークの挙動が不安定となる場合がある。これに加えて、ワイヤWが溶滴となって溶接対象材Pの溶接箇所に供給される供給量を増やすことも求められる。次に、溶接ビードの外観を向上させるためには、溶接中のスパッタ飛散を抑制することが有効である。ワイヤWからの溶滴供給量を増加させつつ、周辺へのスパッタ飛散を抑制することは困難であった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、溶接速度の増加と溶接ビードの外観向上とを図ることが可能である溶接装置を提供することをその課題とする。
本発明によって提供される溶接装置は、ワイヤ供給手段によって中心軸に沿って送り出されるワイヤを支持するコンタクトチップと、上記コンタクトチップを囲うように同心軸上に配置されたプラズマ電極と、上記プラズマ電極を囲うように同心軸上に配置されたシールドノズルと、上記コンタクトチップおよび上記プラズマ電極の隙間にプラズマガスを供給するプラズマガス供給手段と、上記プラズマ電極および上記シールドノズルの隙間にシールドガスを供給するシールドガス供給手段と、一方の電極が上記コンタクトチップに導通し、他方の電極が溶接対象材に導通するMIG電源と、少なくとも一方の電極が上記プラズマ電極に導通するプラズマ電源と、を備える溶接装置であって、上記MIG電源は、陽極が上記コンタクトチップに導通し、陰極が上記溶接対象材に導通しており、上記プラズマ電源は、陽極が上記プラズマ電極に導通し、陰極が上記コンタクトチップに導通していることを特徴としている。
このような構成によれば、上記プラズマ電極の電位が最も高く、上記コンタクトチップおよび上記ワイヤ、上記溶接対象材の順に電位が低くなっている。このため、上記プラズマ電極からの電流は、上記ワイヤと上記溶接対象材との双方に向かうこととなる。上記プラズマ電極からの電流の一部が上記ワイヤに向かうことにより、プラズマアークを上記ワイヤ側に寄せることが可能である。これは、上記溶接対象材の溶接箇所にプラズマアークをより確実に位置させるのに適している。したがって、溶接における溶け込み深さをさらに深くすることが可能であり、溶接速度の増加を図ることができる。
特に、本発明における上記プラズマ電源の接続形態は、いわゆる非移行型と呼ばれるものであり、一般にプラズマを用いた切断用途に適用されている。この非移行型の接続形態は、上記プラズマ電源によって生じたプラズマアークの広がりを抑えるのに適したものである。したがって、溶接の溶け込み深さを深くするのに好適である。また、上記MIG電源によるMIGアークは、広がりを抑えられたプラズマアークによって囲われた格好となる。これは、シールドガスによるシールド効果を高めるのに有利であり、いわゆるブローホールの発生を抑制するのに適している。さらに、非移行型の接続形態とすることにより、上記溶接対象材への入熱量を小さくすることが可能である。したがって、上記溶接対象材の熱変形や熱影響部の発生を抑制することができる。
上記プラズマ電極からの電流のうち上記ワイヤに向かう電流は、上記ワイヤを溶融させるエネルギーとして利用される。これにより、上記ワイヤの溶滴の温度を上昇させることが可能であり、この溶滴の表面張力が小さくなる。このような溶滴は、上記ワイヤから上記溶接対象材に向けて離脱しやすいため、上記溶接対象材の溶接箇所以外の部分にスパッタとなって不当に飛散するおそれが少ない。したがって、上記溶接装置による溶接ビードの外観向上を図ることができる。
以上述べたように、本発明に係る溶接装置によれば、溶接速度の増加と溶接ビードの外観向上とを図ることが可能であり、溶接深さを深くすることも可能である。このような溶接装置は、軟鋼をはじめ、高合金鋼、アルミニウム合金などの溶接に用いることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1は、本発明に係る溶接装置の一例を示している。本実施形態の溶接装置Aは、溶接トーチ1、プラズマ電源5、MIG電源6、ワイヤ供給手段7、プラズマガスボンベ81、およびシールドガスボンベ82を備えている。溶接装置Aは、溶接対象材Pの同一箇所に対してプラズマ溶接とMIG溶接とを同時に行うことが可能に構成されている。
溶接トーチ1は、コンタクトチップ2、プラズマ電極3、およびシールドノズル4を備えており、その中心軸に沿ってワイヤWを送り出すように構成されている。
コンタクトチップ2は、ワイヤWを支持するとともに、ワイヤWとプラズマ電源5およびMIG電源6とを導通させるためのものである。コンタクトチップ2は、CuまたはCu合金などからなり、溶接トーチ1の中心軸を規定する略円筒形状とされている。コンタクトチップ2の内径は、ワイヤWを挿通可能としつつ、十分に導通させることが可能なサイズとされている。
プラズマ電極3は、プラズマ電源5からの電圧を印加するためのものであり、たとえばCuまたはCu合金製である。プラズマ電極3は、コンタクトチップ2を囲うように同心軸上に配置されており、略円筒形状とされている。プラズマ電極3とコンタクトチップ2との間には、隙間が設けられている。また、プラズマ電極3は、冷却水を通すためのチャネル(図示略)が設けられていることにより、水冷構造とされている。プラズマ電極3は、電極としての機能以外にも、次のような機能を発揮する。まず、プラズマに対して顕著に低温とされていることにより、プラズマアークを絞り込み、緊縮させるという機能を果たす。また、プラズマガスの通過経路の一部が小断面となるように絞ることにより、プラズマガスの動圧を高める。これにより、MIGアークを絞り込むという機能を果たす。
コンタクトチップ2とプラズマ電極3との隙間には、プラズマガスボンベ(プラズマガス供給手段)81からプラズマガスが供給される。このプラズマガスは、たとえばArなどの不活性ガスである。コンタクトチップ2とプラズマ電極3との隙間に供給されたプラズマガスは、溶接トーチ1の先端から噴出される。
シールドノズル4は、シールドガスの噴出方向を規定するためのものである。シールドノズル4は、プラズマ電極3を囲うように同心軸上に配置されており、略円筒形状とされている。シールドノズル4とプラズマ電極3との間には、隙間が設けられている。
プラズマ電極3とシールドノズル4との隙間には、シールドガスボンベ(シールドガス供給手段)82からシールドガスが供給される。このシールドガスは、たとえばAr、Heなどの不活性ガスであり、溶接箇所が酸化されることを防止するためのものである。プラズマ電極3とシールドノズル4との隙間に供給されたシールドガスは、シールドノズル4によって、溶接トーチ1の中心軸から大きく広がらないように噴出される。
プラズマ電源5は、コンタクトチップ2とプラズマ電極3との隙間に供給されたプラズマガスをプラズマ化することによりプラズマアークを生じさせるために必要な電力を供給するための電源である。プラズマ電源5は直流電源であり、その陽極がプラズマ電極3に、その陰極がコンタクトチップ2に、それぞれ接続されている。本実施形態においては、プラズマ電源5の仕様は、出力電圧が70V程度、定格電流が300A程度とされている。
MIG電源6は、ワイヤWと溶接対象材Pとの間にMIGアークを発生させるために必要な電力を供給するための電源である。MIG電源6は直流電源であり、その陽極がコンタクトチップ2に、その陰極が溶接対象材Pに、それぞれ接続されている。本実施形態においては、MIG電源6の仕様は、出力電圧が80V程度、定格電流が350A程度とされている。
ワイヤ供給手段7は、溶接トーチ1に向けてワイヤWを供給するためのものである。本実施形態においては、ワイヤ供給手段7は、モータ(図示略)と、このモータによって駆動される1対のローラとによって構成されている。ワイヤ供給手段7によるワイヤWの供給速度は、プラズマ電源5およびMIG電源6による投入電力に応じて制御可能とされている。ワイヤWの材質としては、たとえばFe、Alなどを用いればよい。
溶接装置Aによる溶接は、たとえばワイヤWを溶接対象材Pに接触させた状態においてMIG電源6からの電力投入により初期MIGアークを発生させた後に、徐々にワイヤWを溶接対象材Pから離間させるとともにMIGアークを安定させるスタート方式によって開始することができる。
次に、溶接装置Aの作用について説明する。
本実施形態によれば、プラズマ電源5およびMIG電源6の双方から電力が供給されている状態においては、プラズマ電極3の電位が最も高く、コンタクトチップ2およびワイヤW、溶接対象材Pの順に電位が低くなっている。このため、プラズマ電極3からの電流は、ワイヤWと溶接対象材Pとの双方に向かうこととなる。たとえば、図2に示した従来技術による構成において、プラズマ電源93の陽極をプラズマ電極91bに、陰極を溶接対象材Pに、それぞれ接続した場合、プラズマ電極93からの電流はすべて溶接対象材Pに向かう。本実施形態においては、プラズマ電極91bからの電流の一部がワイヤWに向かうことにより、プラズマ電源5によって生じるプラズマアークを従来技術による構成と比べてワイヤW側に寄せることが可能である。これは、プラズマアークを溶接トーチ1の中心軸に向けて集中させることを意味し、溶接対象材Pの溶接箇所にプラズマアークをより確実に位置させるのに適している。したがって、溶接における溶け込み深さをさらに深くすることが可能であり、溶接速度の増加を図ることができる。
特に、本発明におけるプラズマ電源5の接続形態は、いわゆる非移行型と呼ばれるものであり、一般にプラズマを用いた切断用途に適用されている。この非移行型の接続形態は、プラズマ電源5によって生じたプラズマアークの広がりを抑えるのに適したものである。したがって、溶接の溶け込み深さを深くするのに好適である。また、MIG電源6によるMIGアークは、広がりを抑えられたプラズマアークによって囲われた格好となる。これにより、MIGアークによってワークWの溶滴が溶接対象材Pに対して付着させられている部分を、このプラズマアークにより適切にシールドすることが可能である。この結果、いわゆるブローホールの発生を抑制することができる。さらに、非移行型の接続形態とすることにより、溶接対象材Pに陰極を接続するいわゆる移行型の接続形態とした場合と比べて、溶接対象材Pへの入熱量を小さくすることが可能である。したがって、溶接対象材Pの熱変形や熱影響部の発生を抑制することができる。
プラズマ電極3からの電流のうちワイヤWに向かう電流は、ワイヤWを溶融させるエネルギーとして利用される。これにより、MIG電源6による電力のみが投入された場合と比べて、ワイヤW先端の温度を上昇させることができる。ワイヤWの溶滴の温度が高いほど、この溶滴の表面張力が小さくなる。このような溶滴は、ワイヤWから溶接対象材Pに向けて離脱しやすいため、溶接対象材Pの溶接箇所以外の部分にスパッタとなって不当に飛散するおそれが少ない。したがって、溶接装置Aによる溶接ビードの外観向上を図ることができる。
以上述べたように、本発明に係る溶接装置Aによれば、溶接速度の増加と溶接ビードの外観向上とを図ることが可能であり、溶接深さを深くすることも可能である。このような溶接装置Aは、軟鋼をはじめ、高合金鋼、アルミニウム合金などからなる溶接対象材Pの溶接に用いることができる。
本発明に係る溶接装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る溶接装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明におけるプラズマ電極は、チャネルを有することにより直接水冷される構造に限定されず、たとえば間接的に水冷される構造としてもよい。MIG電源は、たとえばパルス電圧を印加する構成であってもよい。
A 溶接装置
P 溶接対象材
W ワイヤ
1 溶接トーチ
2 コンタクトチップ
3 プラズマ電極
4 シールドノズル
5 プラズマ電源
6 MIG電源
7 ワイヤ供給手段
81 プラズマガスボンベ(プラズマガス供給手段)
82 シールドガスボンベ(シールドガス供給手段)
P 溶接対象材
W ワイヤ
1 溶接トーチ
2 コンタクトチップ
3 プラズマ電極
4 シールドノズル
5 プラズマ電源
6 MIG電源
7 ワイヤ供給手段
81 プラズマガスボンベ(プラズマガス供給手段)
82 シールドガスボンベ(シールドガス供給手段)
Claims (1)
- ワイヤ供給手段によって中心軸に沿って送り出されるワイヤを支持するコンタクトチップと、
上記コンタクトチップを囲うように同心軸上に配置されたプラズマ電極と、
上記プラズマ電極を囲うように同心軸上に配置されたシールドノズルと、
上記コンタクトチップおよび上記プラズマ電極の隙間にプラズマガスを供給するプラズマガス供給手段と、
上記プラズマ電極および上記シールドノズルの隙間にシールドガスを供給するシールドガス供給手段と、
一方の電極が上記コンタクトチップに導通し、他方の電極が溶接対象材に導通するMIG電源と、
少なくとも一方の電極が上記プラズマ電極に導通するプラズマ電源と、
を備える溶接装置であって、
上記MIG電源は、陽極が上記コンタクトチップに導通し、陰極が上記溶接対象材に導通しており、
上記プラズマ電源は、陽極が上記プラズマ電極に導通し、陰極が上記コンタクトチップに導通していることを特徴とする、溶接装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006342330A JP2008149363A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 溶接装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006342330A JP2008149363A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 溶接装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008149363A true JP2008149363A (ja) | 2008-07-03 |
Family
ID=39652122
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006342330A Pending JP2008149363A (ja) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 溶接装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008149363A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101920378A (zh) * | 2009-02-25 | 2010-12-22 | 株式会社大亨 | 等离子小孔式焊接的引弧方法 |
DE102011115119A1 (de) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Salzgitter Mannesmann Grossrohr Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsnaht an Bandenden aus Stahl bei der kontinuierlichen Erzeugung geschweißter Rohre |
KR101580847B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2015-12-31 | 삼성중공업 주식회사 | 용접 토치 노즐 및 이를 구비한 용접 토치 |
-
2006
- 2006-12-20 JP JP2006342330A patent/JP2008149363A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101920378B (zh) * | 2009-02-25 | 2014-12-03 | 株式会社大亨 | 等离子小孔式焊接的引弧方法 |
DE102011115119A1 (de) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Salzgitter Mannesmann Grossrohr Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsnaht an Bandenden aus Stahl bei der kontinuierlichen Erzeugung geschweißter Rohre |
KR101580847B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2015-12-31 | 삼성중공업 주식회사 | 용접 토치 노즐 및 이를 구비한 용접 토치 |
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