JP2008135579A - Multilayer wiring board - Google Patents

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Takasuke Nishiura
崇介 西浦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board which has a high dimensional accuracy and has a high airtightness by suppressing the occurrence of a gap between the wall surface of a through hole formed in an insulation layer and a via hole conductor. <P>SOLUTION: The multilayer wiring board consists of alternately stacked first insulation layers and second insulation layers. The second insulation layers have a burning shrinkage start temperature higher than the burning shrinkage finish temperature of the first insulation layers. The via hole conductors are so formed as to be penetrated through a laminate consisting of one set of first insulation layer and second insulation layer. On the surface of the laminate on the first insulation layer side, lands are so formed as to be connected to the via hole conductors and cover the via hole conductors. Each land 5 consists of an inside restrained portion 51 and an outside conductor portion 52 so formed as to wrap around the inside restrained portion 51. The burning shrinkage start temperature of either the inside restrained portion 51 or the outside conductor portion 52 is higher than the burning shrinkage finish temperature of the other. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子収納用パッケージ、混成集積回路装置等に好適に使用できる多層配線基板に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board that can be suitably used for a package for housing semiconductor elements, a hybrid integrated circuit device, and the like.

従来より、高集積化が進むICやLSI等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板としては、アルミナ焼結体を絶縁基体としたものが多く用いられてきた。そして、近年においては、配線層の低抵抗化が要求されており、1050℃程度で溶融するCu、Ag、Au等の低抵抗導体を主成分とした配線層を絶縁基体と同時焼成できるように、1050℃以下の低温で焼結が可能であるガラスセラミック焼結体が絶縁基体として用いられるようになってきている。   Conventionally, as a wiring substrate applied to a package for housing a semiconductor element in which semiconductor elements such as IC and LSI, which have been highly integrated, and various electronic parts are mounted, an alumina sintered body is used. Many insulating substrates have been used. In recent years, the resistance of the wiring layer has been required to be reduced, so that the wiring layer mainly composed of a low resistance conductor such as Cu, Ag, or Au that melts at about 1050 ° C. can be simultaneously fired with the insulating substrate. A glass-ceramic sintered body that can be sintered at a low temperature of 1050 ° C. or lower has been used as an insulating substrate.

ガラスセラミック焼結体は一般的にガラスとセラミックフィラーとを組み合わせることにより得られるものであるが、そのなかでもガラスとして結晶化ガラスを用いることにより、所望の特性をもつ結晶を析出させ、種々の特性を有するガラスセラミック焼結体を得られることから、近年では重点的に研究が行われている。   A glass-ceramic sintered body is generally obtained by combining glass and a ceramic filler. Among them, by using crystallized glass as a glass, crystals having desired characteristics are precipitated, Since a glass-ceramic sintered body having characteristics can be obtained, research has been conducted intensively in recent years.

ところで、ガラスセラミック焼結体を絶縁基体とした配線基板は、絶縁基体の表面または内部に配線層が設けられるとともに、配線層同士が絶縁基体に形成されたスルーホールに充填されたビアホール導体を介して接続された構造になっている。ここで、配線層とビアホール導体との接続部またはビアホール導体同士の接続部において、配線層となる導体材料の塗布位置がずれたり、積層位置がずれたりすることによる接続不良が起こるのを防ぐため、ランドと呼ばれる接続補助導体層が設けられる。   By the way, a wiring board using a glass ceramic sintered body as an insulating substrate is provided with a wiring layer on the surface or inside of the insulating substrate, and via the via-hole conductor filled with through-holes formed in the insulating substrate. Connected structure. Here, in order to prevent a connection failure due to a shift in the application position of the conductor material serving as the wiring layer or a shift in the lamination position in the connection portion between the wiring layer and the via-hole conductor or in the connection portion between the via-hole conductors. A connection auxiliary conductor layer called a land is provided.

ビアホール導体および配線層を形成する具体的方法としては、ガラスセラミック原料粉末、有機バインダーに溶剤を添加して調製したスラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、得られたグリーンシートにスルーホールを打ち抜き加工し、該スルーホールにCu、Ag、Au等を主成分とする導体ペーストを充填してビアホール導体を形成する。同時にグリーンシート上にCu、Ag、Au等を主成分とする導体ペーストを配線パターン状にスクリーン印刷法などで印刷形成し、または電解銅箔もしくは圧延銅箔を所望のパターンに成形後、グリーンシートに圧着し、配線層を形成する。このビアホール導体や配線層が形成されたグリーンシートを複数枚加圧積層し、800〜1000℃で焼成することにより、多層配線基板が作製される。   As a specific method for forming the via-hole conductor and the wiring layer, a glass ceramic raw material powder, a slurry prepared by adding a solvent to an organic binder is formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like, and a through hole is formed in the obtained green sheet. The via hole conductor is formed by filling the through hole with a conductive paste mainly composed of Cu, Ag, Au or the like. At the same time, a conductive paste mainly composed of Cu, Ag, Au or the like is formed on the green sheet by printing it into a wiring pattern by a screen printing method or the like, or after forming electrolytic copper foil or rolled copper foil into a desired pattern, the green sheet To form a wiring layer. A plurality of green sheets on which via-hole conductors and wiring layers are formed are pressure-laminated and fired at 800 to 1000 ° C. to produce a multilayer wiring board.

一方、近年においては、多層配線基板の高密度化が進むのに伴い、寸法の高精度化に対する要求も強くなっている。これに対応するための基板寸法精度向上もまた重要な技術の一つである。多層配線基板は、焼成により体積が40〜50%程度収縮する。このときの多層配線基板の主面と平行な方向(X−Y方向)における収縮率(1方向において平均15〜20%程度)のばらつきが配線層の位置ばらつきとなり、基板寸法精度が悪くなっていた。なお、ここでいう収縮率は、焼成前の寸法から焼成後の寸法を減じた値を焼成前の寸法で除した値で定義されるものである。   On the other hand, in recent years, as the density of multilayer wiring boards increases, the demand for higher dimensional accuracy has also increased. Improving the substrate dimensional accuracy to cope with this is also an important technique. The multilayer wiring board shrinks in volume by about 40 to 50% by firing. At this time, the variation in shrinkage rate (average of 15 to 20% in one direction) in the direction parallel to the main surface of the multilayer wiring board (XY direction) is the positional variation of the wiring layer, resulting in poor substrate dimensional accuracy. It was. Here, the shrinkage rate is defined as a value obtained by dividing a value obtained by subtracting a dimension after firing from a dimension before firing by a dimension before firing.

基板寸法精度を向上させる方法として、焼成収縮開始温度あるいは焼成収縮終了温度が異なる2種のグリーンシートを積層し、焼成することにより、X−Y方向の収縮を抑制し、主に積層方向(Z方向)に収縮させる方法がある(例えば特許文献1を参照。)。   As a method for improving the substrate dimensional accuracy, two types of green sheets having different firing shrinkage start temperatures or firing shrinkage end temperatures are laminated and fired to suppress shrinkage in the XY direction, mainly in the lamination direction (Z (For example, refer to Patent Document 1).

この方法によれば、一方のグリーンシートが焼成収縮を開始する際には、焼成収縮を開始していない他方のグリーンシートにより拘束され、他方のグリーンシートが焼成収縮を開始する際には、すでに焼成収縮を終了(焼結)している一方のグリーンシートにより拘束されるため、結果として焼成によるX−Y方向の収縮が抑制されるというものである。   According to this method, when one of the green sheets starts firing shrinkage, it is restrained by the other green sheet that has not started firing shrinkage, and when the other green sheet starts firing shrinkage, Since it is restrained by one of the green sheets that has finished (sintered), the shrinkage in the XY direction due to firing is suppressed as a result.

ところが、異なる2種の絶縁層(グリーンシート)を貫通する同軸上に形成されたビアホール導体は、通常、焼成収縮開始温度が遅いほうの絶縁層と同時に焼成されるため、この絶縁層に面するような位置にビアホール導体の端部が形成されていると、この端部はX−Y方向の収縮を抑制されない。また、ビアホール導体が異なる2種の絶縁層を複数層、例えば4層貫通するような場合は、少なくとも内側の2層を貫通するビアホール導体はX−Y方向の収縮を抑制されていない。したがって、X−Y方向の収縮を抑制されている絶縁層と比べて、ビアホール導体のX−Y方向の収縮が大きくなる。   However, a via-hole conductor formed on the same axis that penetrates two different types of insulating layers (green sheets) is usually fired simultaneously with the insulating layer having the lower firing shrinkage temperature, and therefore faces this insulating layer. If the end portion of the via-hole conductor is formed at such a position, the end portion is not suppressed from contracting in the XY direction. In addition, when two or more types of insulating layers having different via-hole conductors pass through a plurality of layers, for example, four layers, the via-hole conductors penetrating at least the inner two layers are not suppressed from contracting in the XY direction. Therefore, the shrinkage in the XY direction of the via-hole conductor is larger than that of the insulating layer in which the shrinkage in the XY direction is suppressed.

このため、絶縁層に形成されたスルーホールの壁面からビアホール導体が剥離してしまい、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が生じてしまう。この隙間により、多層配線基板の気密性が悪くなり、水分等が浸入することによって多層配線基板の絶縁性が劣化するという問題があった。   For this reason, a via-hole conductor will peel from the wall surface of the through hole formed in the insulating layer, and a clearance gap will arise between the through-hole wall surface of an insulating layer and a via-hole conductor. Due to the gap, the airtightness of the multilayer wiring board is deteriorated, and there is a problem that the insulating property of the multilayer wiring board is deteriorated when moisture or the like enters.

このような問題を解決するため、焼成収縮開始温度の異なる異種材料からなる絶縁層毎に異なるビアホール導体を用いる方法が提案されている(例えば特許文献2を参照。)。
特開平10−308584号公報 特開2001−189555号公報
In order to solve such a problem, a method has been proposed in which different via-hole conductors are used for different insulating layers made of different materials having different firing shrinkage starting temperatures (see, for example, Patent Document 2).
JP-A-10-308584 JP 2001-189555 A

しかしながら、特許文献2に記載の方法では、積層ずれを起こした場合、ビアホール導体同士のZ方向に重ならない部分であって焼成収縮の開始温度を同一にする絶縁層に面する端部はX−Y方向に収縮が抑制されないため、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が生じてしまうという問題があった。さらに、最外層にビアホール導体が形成される場合にも、ビアホール導体の外側はX−Y方向に収縮抑制されないため、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が生じてしまうという問題があった。   However, in the method described in Patent Document 2, when the stacking shift occurs, the end portion facing the insulating layer that does not overlap in the Z direction between the via-hole conductors and has the same firing shrinkage start temperature is X−. Since shrinkage is not suppressed in the Y direction, there is a problem that a gap is generated between the through hole wall surface of the insulating layer and the via hole conductor. Furthermore, even when a via-hole conductor is formed on the outermost layer, the outer side of the via-hole conductor is not suppressed in the X-Y direction, so that a gap is generated between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor. was there.

本発明は、このような事情を鑑みた結果提案するものであり、その目的は、寸法精度が高く、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が生じるのを抑制した気密性の高い多層配線基板を提供することである。   The present invention is proposed as a result of taking such circumstances into consideration, and its object is to achieve high airtightness with high dimensional accuracy and suppressing the formation of a gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor. It is to provide a high multilayer wiring board.

本発明は、第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高い焼成収縮の開始温度である第2の絶縁層とが交互に積層され、一組の前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層からなる積層体を貫通するようにビアホール導体が形成され、前記積層体の前記第1の絶縁層側の表面に前記ビアホール導体に接続され該ビアホール導体を覆うようにランドが形成されてなる多層配線基板であって、該ランドが内側拘束部と該内側拘束部を包み込むように形成された外側導体部とで構成されており、前記内側拘束部および前記外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことを特徴とするものである。   In the present invention, the first insulating layer and the second insulating layer having a firing shrinkage start temperature higher than the end temperature of the firing shrinkage of the first insulating layer are alternately stacked, A via-hole conductor is formed so as to penetrate through the laminated body composed of one insulating layer and the second insulating layer, and the via-hole conductor is connected to the via-hole conductor on the surface of the laminated body on the first insulating layer side. A multilayer wiring board in which lands are formed so as to cover, wherein the lands are composed of an inner restraint portion and an outer conductor portion formed so as to enclose the inner restraint portion, and the inner restraint portion and the One of the outer conductor portions has a firing shrinkage start temperature higher than the other firing shrinkage end temperature.

内側拘束部および外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことにより、先に内側拘束部が焼成収縮を開始する際には、まだ焼成収縮を開始していない外側導体部により拘束され、外側導体部が焼成収縮を開始する際には、すでに焼成収縮を終了(焼結)している内側拘束部により拘束されるため、結果として内側拘束部、外側導体部の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。一方、先に外側導体部が焼成収縮を開始し、遅れて内側拘束部が焼成収縮する際も同様の理由により内側拘束部、外側導体部の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。ランドを形成する内側拘束部と外側導体部のX−Y方向の収縮が抑制されるために、ランドの収縮が抑制され、ランドの直下または直上のビアホール導体の焼成収縮も抑制される。これにより、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間の存在しない多層配線基板を得ることができる。   When the start temperature of the firing shrinkage of either the inner restraint portion or the outer conductor portion is higher than the end temperature of the other firing shrinkage, when the inner restraint portion starts firing shrinkage, the firing shrinkage is still not caused. When the outer conductor portion is restrained by the outer conductor portion that has not been started and the outer conductor portion starts firing shrinkage, it is restrained by the inner restraint portion that has already finished (sintered) firing shrinkage. Further, shrinkage in the XY direction due to firing of the outer conductor portion is suppressed. On the other hand, when the outer conductor portion starts firing shrinkage first and the inner restraint portion fires and shrinks later, for the same reason, shrinkage in the XY direction due to firing of the inner restraint portion and the outer conductor portion is suppressed. Since the shrinkage of the inner restraint portion and the outer conductor portion forming the land in the XY direction is suppressed, the shrinkage of the land is suppressed, and the firing shrinkage of the via-hole conductor immediately below or immediately above the land is also suppressed. As a result, it is possible to obtain a multilayer wiring board having no gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor.

ここで、上記の多層配線基板において、前記内側拘束部が前記ビアホール導体を覆う大きさに形成されているのが好ましい。これにより、ビアホール導体の端面全域に亘ってX−Y方向の収縮抑制の効果を与えることができる。   Here, in the multilayer wiring board described above, it is preferable that the inner restraint portion is formed in a size that covers the via-hole conductor. Thereby, the effect of suppressing shrinkage in the XY direction can be provided over the entire end face of the via-hole conductor.

また、上記の多層配線基板において、前記外側導体部の焼成収縮の開始温度が前記内側拘束部の焼成収縮の終了温度よりも高いのが好ましい。外側導体部の主成分であるCu、Ag、Au等の金属粉末は比較的高温まで焼結を続けることが多いために、焼成収縮時間が長く、また第1の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高い焼成収縮の開始温度である第2の絶縁層の焼成温度と外側導体部やビアホール導体の焼成温度とが近いので、製造が容易だからである。   In the multilayer wiring board, it is preferable that the firing shrinkage start temperature of the outer conductor portion is higher than the firing shrinkage end temperature of the inner restraint portion. Since metal powders such as Cu, Ag, and Au, which are the main components of the outer conductor portion, often continue to be sintered to a relatively high temperature, the firing shrinkage time is long, and the end temperature of firing shrinkage of the first insulating layer This is because the firing temperature of the second insulating layer, which is a higher firing shrinkage starting temperature, is close to the firing temperature of the outer conductor portion and the via-hole conductor, so that the manufacturing is easy.

また、上記の多層配線基板において、前記内側拘束部の焼成収縮の開始温度が前記第2の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高いのが好ましい。第2の絶縁層の焼成収縮の終了温度付近の温度で焼成して多層配線基板の製造が完成する場合、内側拘束部は焼成収縮しなくなることで、外側導体部の焼成収縮は抑制される。その結果、ランドの焼成収縮が抑制され、ランドの直下または直上のビアホール導体の焼成収縮も抑制され、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間の存在しない配線基板を実現できる。ただし、この際には内側拘束部は充分に緻密化しないため、絶縁基板との充分な接着強度を要求される最表層のランド以外で使用することが好ましい。   In the multilayer wiring board, it is preferable that a firing shrinkage start temperature of the inner restraint portion is higher than an end temperature of firing shrinkage of the second insulating layer. When the multilayer wiring board is manufactured by firing at a temperature close to the end temperature of firing shrinkage of the second insulating layer, firing shrinkage of the outer conductor portion is suppressed by preventing the inner restraint portion from firing shrinkage. As a result, the firing shrinkage of the land is suppressed, and the firing shrinkage of the via-hole conductor immediately below or immediately above the land is also suppressed, so that a wiring board having no gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor can be realized. However, in this case, since the inner restraint portion is not sufficiently densified, it is preferably used other than the outermost land that requires sufficient adhesion strength with the insulating substrate.

本発明によれば、ランドが内側拘束部とこの内側拘束部を包み込むように形成された外側導体部とで構成されており、内側拘束部および外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことから、内側拘束部と外側導体部とが互いにX−Y方向の焼成収縮を抑制しあい、結果としてランドのX−Y方向の焼成収縮が抑制されている。ランドのX−Y方向の焼成収縮が抑制されると、ランドの直下または直上のビアホール導体のX−Y方向の焼成収縮も抑制される。これにより、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が生じることなく、寸法精度が高く、かつ気密性のある多層配線基板を得ることができる。   According to the present invention, the land is composed of the inner restraint portion and the outer conductor portion formed so as to enclose the inner restraint portion, and the firing shrinkage start temperature of either the inner restraint portion or the outer conductor portion. Is higher than the end temperature of the other firing shrinkage, the inner restraint portion and the outer conductor portion mutually restrain the firing shrinkage in the XY direction, and as a result, the firing shrinkage of the land in the XY direction is restrained. Yes. When the firing shrinkage in the XY direction of the land is suppressed, the firing shrinkage in the XY direction of the via-hole conductor immediately below or immediately above the land is also suppressed. Accordingly, a multilayer wiring board having high dimensional accuracy and airtightness can be obtained without generating a gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor.

以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明の多層配線基板の構造を示す部分断面図、図2は図1に示すランドの拡大説明図であって、図1および図2に示すように、本発明の多層配線基板は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高い焼成収縮の開始温度である第2の絶縁層とが交互に積層され、一組の前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層からなる積層体を貫通するようにビアホール導体4が形成され、積層体の第1の絶縁層側の表面にビアホール導体4に接続されビアホール導体4を覆うようにランドが形成された多層配線基板であって、ランド5は内側拘束部51と内側拘束部51を包み込むように形成された外側導体部52とで構成されており、内側拘束部51および外側導体部52のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことを特徴とするものである。   FIG. 1 is a partial sectional view showing the structure of the multilayer wiring board of the present invention, FIG. 2 is an enlarged explanatory view of the land shown in FIG. 1, and the multilayer wiring board of the present invention is as shown in FIGS. The first insulating layer and the second insulating layer having a firing shrinkage start temperature higher than the firing shrinkage end temperature of the first insulating layer are alternately laminated, and the set of the first insulating layers And a via-hole conductor 4 is formed so as to penetrate the laminated body made of the second insulating layer, and a land is connected to the via-hole conductor 4 on the surface of the laminated body on the first insulating layer side so as to cover the via-hole conductor 4. In the formed multilayer wiring board, the land 5 includes an inner restraint portion 51 and an outer conductor portion 52 formed so as to wrap around the inner restraint portion 51. The firing temperature of either firing is the other firing It is characterized in that greater than shrinkage of the end temperature.

図1に示す第1の絶縁層は7層(1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g)形成され、第2の絶縁層は6層(2a、2b、2c、2d、2e、2f)形成されていて、これらは交互に積層されている。   The first insulating layer shown in FIG. 1 has seven layers (1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g), and the second insulating layer has six layers (2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f). ) And are alternately stacked.

第1の絶縁層および第2の絶縁層は、それぞれすでに焼結したセラミックスからなり、セラミックスとして特にガラスセラミックスが用いられている。セラミックスとしては、ガラスセラミックス、アルミナ、ムライト等が挙げられるが、金、銀、銅等の低抵抗導体を使用できる点でガラスセラミックスが好ましい。以下、第1の絶縁層1a、1b、1c、1d、1e、1f、1gおよび第2の絶縁層2a、2b、2c、2d、2e、2fがガラスセラミックスで構成された場合について説明する。   Each of the first insulating layer and the second insulating layer is made of already sintered ceramics, and glass ceramics are used as the ceramics. Examples of ceramics include glass ceramics, alumina, mullite, and the like, but glass ceramics are preferable in that low resistance conductors such as gold, silver, and copper can be used. Hereinafter, a case where the first insulating layers 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, and 1g and the second insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, and 2f are made of glass ceramics will be described.

第1の絶縁層1a、1b、1c、1d、1e、1f、1gを構成するガラスセラミックスと第2の絶縁層2a、2b、2c、2d、2e、2fを構成するガラスセラミックスとは焼成収縮開始温度が異なっている。具体的には、第2の絶縁層2a、2b、2c、2d、2e、2fを構成するガラスセラミックスは第1の絶縁層1a、1b、1c、1d、1e、1f、1gを構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了温度よりも高い温度で焼成収縮を開始するようになっている。これにより、第1の絶縁層が焼成収縮を開始する際には、焼成収縮を開始していない第2の絶縁層により拘束され、第2の絶縁層が焼成収縮を開始する際には、すでに焼成収縮を終了している第1の絶縁層により拘束されるため、結果として焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。   The glass ceramics composing the first insulating layers 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, and 1g and the glass ceramics composing the second insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, and 2f start firing contraction. The temperature is different. Specifically, the glass ceramics constituting the second insulating layers 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, and 2f are the glass ceramics constituting the first insulating layers 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, and 1g. The firing shrinkage is started at a temperature higher than the end temperature of the firing shrinkage. Thereby, when the first insulating layer starts firing shrinkage, it is restrained by the second insulating layer that has not started firing shrinkage, and when the second insulating layer starts firing shrinkage, Since it is restrained by the first insulating layer that has finished firing shrinkage, as a result, shrinkage in the XY direction due to firing is suppressed.

一組の第1の絶縁層および第2の絶縁層、具体的には、第1の絶縁層1aと第2の絶縁層2a、第1の絶縁層1bと第2の絶縁層2b、第1の絶縁層1dと第2の絶縁層2d、第1の絶縁層1eと第2の絶縁層2eからなる積層体を貫通するようにビアホール導体が形成されている。これは、通常、焼成後に第1の絶縁層となるグリーンシート1枚と焼成後に第2の絶縁層となるグリーンシート1枚とを積層した焼成後に積層体となる複合グリーンシートに貫通孔をあけてビアホール導体を形成することによる。   A set of first insulating layer and second insulating layer, specifically, first insulating layer 1a and second insulating layer 2a, first insulating layer 1b and second insulating layer 2b, first Via hole conductors are formed so as to penetrate through the laminated body composed of the first insulating layer 1d and the second insulating layer 2d, and the first insulating layer 1e and the second insulating layer 2e. Usually, a through-hole is made in a composite green sheet that is a laminate after firing, in which one green sheet that becomes the first insulating layer after firing and one green sheet that becomes the second insulating layer after firing. By forming via-hole conductors.

積層体の表面にはビアホール導体4に接続され該ビアホール導体を覆うようにランド5が形成されている。このランド5は積層ズレによるビアホール導体3同士の接続不良の発生を抑制することができる。   A land 5 is formed on the surface of the multilayer body so as to be connected to the via-hole conductor 4 and to cover the via-hole conductor. The land 5 can suppress the occurrence of poor connection between the via-hole conductors 3 due to the misalignment.

そして、積層体の第1の絶縁層側の表面に形成されたランド5は、図2に示すように、内側拘束部51と内側拘束部51を包み込むように形成された外側導体部52とで構成されており、内側拘束部51および外側導体部52のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことが重要である。   The land 5 formed on the surface of the laminated body on the first insulating layer side includes an inner restraint portion 51 and an outer conductor portion 52 formed so as to wrap the inner restraint portion 51 as shown in FIG. It is important that one of the inner restraint portion 51 and the outer conductor portion 52 has a higher firing shrinkage temperature than the other firing shrinkage end temperature.

従来のランドはビアホール導体と同じ材料からなり、その焼成温度は第2の絶縁層の焼成温度と近く、第2の絶縁層とともに焼成されるので、ビアホール導体に接続され積層体の第1の絶縁層側の表面に形成されたランドは、ビアホール導体に接続されていない側に面する第2の絶縁層あるいはその側にさらに接続されたビアホール導体との間でX−Y方向の収縮の抑制力が働かないので、ランド付近のビアホール導体が径方向に収縮し、スルーホール壁面との間に隙間が発生することがあった。しかし、本発明によれば、ランドが内側拘束部51と外側導体部52とで構成され、これらがお互いに収縮を抑制するので、ランド全体の収縮が抑制される。その結果、ビアホール導体のX−Y方向の収縮も抑制することができる。   The conventional land is made of the same material as the via-hole conductor, and the firing temperature thereof is close to the firing temperature of the second insulating layer and is fired together with the second insulating layer. Therefore, the first land is connected to the via-hole conductor. The land formed on the surface of the layer side suppresses shrinkage in the XY direction between the second insulating layer facing the side not connected to the via-hole conductor or the via-hole conductor further connected to the side. As a result, the via-hole conductor near the land contracted in the radial direction, and a gap might be generated between the through-hole wall surface. However, according to the present invention, the land is composed of the inner restraint portion 51 and the outer conductor portion 52, which suppress the contraction of each other, so that the contraction of the entire land is suppressed. As a result, shrinkage of the via-hole conductor in the XY direction can also be suppressed.

内側拘束部51および外側導体部52のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことにより、先に内側拘束部51が焼成収縮を開始する際には、まだ焼成収縮を開始していない外側導体部52により拘束され、外側導体部52が焼成収縮を開始する際には、すでに焼成収縮を終了(焼結)している内側拘束部51により拘束されるため、結果として内側拘束部51、外側導体部52の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。一方、先に外側導体部52が焼成収縮を開始し、遅れて内側拘束部51が焼成収縮する際も同様の理由により内側拘束部51、外側導体部52の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。ランド5を形成する内側拘束部51と外側導体部52のX−Y方向の収縮が抑制されるために、ランド5の収縮が抑制され、ランド5の直下または直上のビアホール導体3の焼成収縮も抑制される。これにより、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間の存在しない多層配線基板を得ることができる。   When the start temperature of the firing shrinkage of either the inner restraint portion 51 or the outer conductor portion 52 is higher than the end temperature of the other firing shrinkage, when the inner restraint portion 51 starts firing shrinkage, When the outer conductor portion 52 is restrained by the outer conductor portion 52 that has not started firing shrinkage and starts firing shrinkage, it is restrained by the inner restraint portion 51 that has already finished (sintered) firing shrinkage. As a result, shrinkage in the XY direction due to firing of the inner restraint portion 51 and the outer conductor portion 52 is suppressed. On the other hand, when the outer conductor portion 52 starts firing shrinkage first and the inner restraint portion 51 fires and shrinks later, the inner restraint portion 51 and the outer conductor portion 52 shrink due to firing in the XY direction for the same reason. It is suppressed. Since the shrinkage in the XY direction of the inner restraint portion 51 and the outer conductor portion 52 forming the land 5 is suppressed, the shrinkage of the land 5 is suppressed, and the firing shrinkage of the via-hole conductor 3 directly below or immediately above the land 5 is also suppressed. It is suppressed. As a result, it is possible to obtain a multilayer wiring board having no gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor.

内側拘束部51の形成材料については、例えばガラスセラミックスが用いられる。また、外側導体部52の形成材料については、導体材料からなるのであれば限定されないが、Cu、Ag、Au等の金属を主成分とした導体が好ましく用いられる。   As a material for forming the inner restraint portion 51, for example, glass ceramics is used. Further, the material for forming the outer conductor portion 52 is not limited as long as it is made of a conductor material, but a conductor whose main component is a metal such as Cu, Ag, or Au is preferably used.

なお、ここでいう焼成収縮の開始温度とは、対象とする材料を単独で焼成した時に、0.3%体積収縮するときの温度で定義されるものである。また、ここでいう焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し90%以上収縮したときの温度をいう。体積収縮は、内側拘束部、外側導体部をそれぞれ単独でプレス成形し、TMA(熱機械分析)により決定されるものである。このとき、それぞれは等方的に収縮するものとし、TMAの線収縮から体積収縮に換算する。   Here, the firing shrinkage start temperature is defined as the temperature at which the volume shrinks by 0.3% when the target material is fired alone. The term “firing shrinkage end temperature” as used herein refers to a temperature at which the shrinkage amount is 90% or more with respect to the shrinkage amount from the state before firing to the state after firing. The volume shrinkage is determined by TMA (thermomechanical analysis) by individually press-molding the inner restraint portion and the outer conductor portion. At this time, each contracts isotropically and is converted from volumetric shrinkage of TMA to volume shrinkage.

ここで、上記の多層配線基板において、前記内側拘束部が前記ビアホール導体を覆う大きさに形成されているのが好ましい。これにより、ビアホール導体の端面全域に亘ってX−Y方向の収縮抑制の効果を与えることができる。   Here, in the multilayer wiring board described above, it is preferable that the inner restraint portion is formed in a size that covers the via-hole conductor. Thereby, the effect of suppressing shrinkage in the XY direction can be provided over the entire end face of the via-hole conductor.

また、外側導体部52の焼成収縮の開始温度が内側拘束部51の焼成収縮の終了温度よりも高いのが好ましい。外側導体部の主成分であるCu、Ag、Au等の金属粉末は比較的高温まで焼結を続けることが多いために、焼成収縮時間が長く、また第1の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高い焼成収縮の開始温度である第2の絶縁層の焼成温度と外側導体部やビアホール導体の焼成温度とが近いので、製造が容易だからである。このとき、内側拘束部51の焼成収縮開始温度が外側導体部52の焼成収縮開始温度よりも50℃以上低いのがランドのX−Y方向の収縮抑制の点で好ましく、100℃以上低いのが特に好ましい。   Moreover, it is preferable that the start temperature of the firing shrinkage of the outer conductor portion 52 is higher than the end temperature of the firing shrinkage of the inner restraint portion 51. Since metal powders such as Cu, Ag, and Au, which are the main components of the outer conductor portion, often continue to be sintered to a relatively high temperature, the firing shrinkage time is long, and the end temperature of firing shrinkage of the first insulating layer This is because the firing temperature of the second insulating layer, which is a higher firing shrinkage starting temperature, is close to the firing temperature of the outer conductor portion and the via-hole conductor, so that the manufacturing is easy. At this time, the firing shrinkage start temperature of the inner restraint portion 51 is preferably 50 ° C. or more lower than the firing shrinkage start temperature of the outer conductor portion 52 from the viewpoint of suppressing shrinkage in the XY direction of the land, and is 100 ° C. or more lower. Particularly preferred.

また、内側拘束部51の焼成収縮の開始温度が第2の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高くてもよい。第2の絶縁層の焼成収縮の終了温度付近の温度で焼成して多層配線基板の製造が完成する場合、内側拘束部は焼成収縮しなくなることで、外側導体部の焼成収縮は抑制される。その結果、ランドの焼成収縮が抑制され、ランドの直下または直上のビアホール導体の焼成収縮も抑制され、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間の存在しない配線基板を実現できる。ただし、この際には内側拘束部は充分に緻密化しないため、絶縁基板との充分な接着強度を要求される最表層のランド以外で使用することが好ましい。   Moreover, the start temperature of the firing shrinkage of the inner restraint portion 51 may be higher than the end temperature of the firing shrinkage of the second insulating layer. When the multilayer wiring board is manufactured by firing at a temperature close to the end temperature of firing shrinkage of the second insulating layer, firing shrinkage of the outer conductor portion is suppressed by preventing the inner restraint portion from firing shrinkage. As a result, the firing shrinkage of the land is suppressed, and the firing shrinkage of the via-hole conductor immediately below or immediately above the land is also suppressed, so that a wiring board having no gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor can be realized. However, in this case, since the inner restraint portion is not sufficiently densified, it is preferably used other than the outermost land that requires sufficient adhesion strength with the insulating substrate.

なお、詳しく言及しなかったが、多層配線基板の表面には主に電子部品素子の搭載部となる接続パッドとして機能する配線層3が設けられ、多層配線基板の内部には主に各回路素子を電気的に接続する配線やインダクタ・キャパシタ等の回路素子として機能する配線層3が設けられている。   Although not mentioned in detail, a wiring layer 3 that mainly functions as a connection pad serving as an electronic component element mounting portion is provided on the surface of the multilayer wiring board, and each circuit element is mainly provided inside the multilayer wiring board. A wiring layer 3 is provided which functions as a circuit element such as a wiring for electrically connecting the two and an inductor / capacitor.

次に、本発明の多層配線基板の製造方法として、図1の多層配線基板を作製する方法について説明する。まず、第1の絶縁層、第2の絶縁層を形成するためのガラスセラミック材料をそれぞれ含有する2種のグリーンシートを用意する。   Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board of FIG. 1 will be described as a method for manufacturing the multilayer wiring board of the present invention. First, two types of green sheets each containing a glass ceramic material for forming the first insulating layer and the second insulating layer are prepared.

具体的には、まず、グリーンシートを作製するために、原料粉末としてガラス粉末とセラミックフィラー粉末を準備する。   Specifically, first, a glass powder and a ceramic filler powder are prepared as raw material powders in order to produce a green sheet.

ガラス粉末としては、少なくともSiOを含み、Al、B、ZnO、PbO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも1種以上を含有したものであって、例えば、SiO−B系、SiO−B−Al系−MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZnを示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げられる。これらのガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、エンスタタイト、コ−ジェライト、ムライト、アノ−サイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種類を析出するもののどちらも使用可能である。 The glass powder contains at least SiO 2 and contains at least one of Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. For example, borosilicate glass such as SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system—MO system (where M represents Ca, Sr, Mg, Ba or Zn) , Alkali silicate glass, Ba glass, Pb glass, Bi glass and the like. These glasses can be amorphous glass even when fired, and lithium silicate, quartz, cristobalite, enstatite, cordierite, mullite, ananosite, serdian, spinel, gallium by firing. -Any one of depositing at least one kind of crystals of knight, willemite, dolomite, petalite, diopside and substituted derivatives thereof can be used.

第1の絶縁層用のガラスとしては、焼成処理によって結晶が析出するガラスが好ましい。ガラスセラミックスにおいて、ガラスから結晶が析出し始めると、ガラスセラミックスの焼結の駆動力となる液相量が減少するため、焼成収縮量が極端に少なくなる。第2の絶縁層が焼成収縮を開始する温度において、第1の絶縁層において結晶の析出が始まっていると、第2の絶縁層のX−Y方向への焼成収縮を抑制する効果が高くなるため、第1の絶縁層に用いるガラスは結晶が析出するガラスが好ましい。その中でも、SiをSiO換算で1〜30質量%、AlをAl換算で5〜25質量%、MgをMgO換算で25〜60質量%、CaをCaO換算で0〜10質量%、BaをBaO換算で0〜20質量%、BをB換算で5〜25質量%、PをP換算で0〜10質量%、SnをSnO換算で0〜10質量%、NaをNaO換算で0〜3質量%を含むものが挙げられる。上記ガラスを用いることにより、第1の絶縁層の焼成収縮開始温度を低温化することができ、さらに第2の絶縁層が焼成収縮を開始する前にガラスから結晶が析出することによって絶縁基体1のX−Y方向に焼成収縮を効果的に抑制することが可能となる。 As the glass for the first insulating layer, glass from which crystals are precipitated by baking treatment is preferable. In glass ceramics, when crystals begin to precipitate from glass, the amount of liquid phase that serves as a driving force for sintering of glass ceramics decreases, so that the amount of firing shrinkage is extremely reduced. If precipitation of crystals in the first insulating layer starts at a temperature at which the second insulating layer starts firing shrinkage, the effect of suppressing firing shrinkage in the XY direction of the second insulating layer becomes high. Therefore, the glass used for the first insulating layer is preferably glass from which crystals are deposited. Among them, 1 to 30 wt% of Si in terms of SiO 2, 5 to 25 wt% of Al in terms of Al 2 O 3, 25 to 60 wt% of Mg in terms of MgO, 0 to 10 mass% of Ca in terms of CaO 0-20 wt% of Ba in terms of BaO, 5 to 25 wt% of B in terms of B 2 O 3, 0-10 wt% of P in terms of P 2 O 5, 0 to 10 mass of Sn in terms of SnO 2 %, include those containing 0-3 wt% of Na in terms of Na 2 O. By using the glass, the firing shrinkage start temperature of the first insulating layer can be lowered, and further, the crystal is precipitated from the glass before the second insulating layer starts firing shrinkage, whereby the insulating base 1 It becomes possible to effectively suppress firing shrinkage in the XY direction.

また、第2の絶縁層用のガラスとしては、SiをSiO換算で25〜45質量%、AlをAl換算で10〜25質量%、MgをMgO換算で10〜24質量%、BをB換算で5〜20質量%、ZnをZnO換算で5〜20質量%、およびCaをCaO換算で0.5〜4質量%から成る結晶性ガラスが望ましい。上記ガラスを用いることにより、焼成後にガーナイト(ZnO・Al)、エンスタタイト(MgO・SiO)等の高熱膨張係数の結晶相が析出し、セラミック配線基板を高熱膨張化することが可能になる。 As the glass for the second insulating layer, 10 to 24 wt% of Si 25 to 45 mass% in terms of SiO 2, 10 to 25 wt% of Al in terms of Al 2 O 3, the Mg in terms of MgO, A crystalline glass comprising 5 to 20% by mass in terms of B 2 O 3 , 5 to 20% by mass in terms of ZnO, and Ca to 0.5 to 4% by mass in terms of CaO is desirable. By using the above glass, a crystal phase with a high thermal expansion coefficient such as garnite (ZnO.Al 2 O 3 ) and enstatite (MgO.SiO 2 ) is precipitated after firing, and the ceramic wiring board can be made high in thermal expansion. become.

また、セラミックフィラー粉末としては、クォーツ、クリストバライト等のSiOや、Al、ZrO、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。これらのうち、高強度化、低コスト化等の点でアルミナが、高熱膨張化の点でクォーツが好ましい。 As the ceramic filler powder, SiO 2 such as quartz and cristobalite, Al 2 O 3 , ZrO 2 , cordierite, mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia and the like are preferably used. Among these, alumina is preferable from the viewpoint of increasing strength and cost, and quartz is preferable from the viewpoint of increasing thermal expansion.

このとき、第1の絶縁層、および第2の絶縁層用のガラスセラミック材料として、共にガラス粉末30〜100質量%とセラミックフィラー粉末0〜70質量%からなることが望ましい。   At this time, it is desirable that the glass ceramic material for the first insulating layer and the second insulating layer is composed of 30 to 100% by mass of glass powder and 0 to 70% by mass of ceramic filler powder.

上記の原料粉末を所定量秤量し、さらに有機バインダー、有機溶剤、および所望により可塑剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の周知の成形法によりシート状に成形して厚さ10〜500μmのセラミック配線基板をなすグリーンシートを作製する。なお、場合によっては、第1の絶縁層および第2の絶縁層を形成するグリーンシートを圧着して、あるいは第1の絶縁層となるグリーンシートを成形した後その表面に直接第2の絶縁層となるグリーンシートを成形して(順序は入れ替わっても良い)グリーンシート複合体とし、この複合体を層単位として以後の工程に投入することも可能である。   A predetermined amount of the above raw material powder is weighed, and further, an organic binder, an organic solvent, and optionally a plasticizer are added to prepare a slurry, which is then formed into a sheet by a known forming method such as a doctor blade method, a rolling method, or a pressing method. A green sheet forming a ceramic wiring board having a thickness of 10 to 500 μm is formed. In some cases, the green sheet forming the first insulating layer and the second insulating layer is pressure-bonded, or the green sheet to be the first insulating layer is molded and then the second insulating layer is directly formed on the surface. It is also possible to form a green sheet to be a green sheet composite (the order may be changed), and to supply this composite as a layer unit to the subsequent processes.

そして、このグリーンシート複合体にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、ビアペーストを充填するための直径80〜200μmのスルーホールを形成する。   Then, a through hole having a diameter of 80 to 200 μm for filling the via paste is formed in the green sheet composite by laser, micro drill, punching or the like.

続いて、ビアペーストを作製する。原料粉末として、金属粉末およびガラス粉末を準備する。金属粉末としては、Cu、Ag、Auが低抵抗という点で好ましい。また、金属粉末の焼結開始温度を調節する目的で、金属粉末をアルミナ、シリカ等の無機酸化物でコーティングされた粉末を使用してもよい。ガラス粉末は、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、およびホウケイ酸鉛系ガラス等を例示できる。   Subsequently, a via paste is produced. Metal powder and glass powder are prepared as raw material powder. As the metal powder, Cu, Ag, and Au are preferable in terms of low resistance. For the purpose of adjusting the sintering start temperature of the metal powder, a powder obtained by coating the metal powder with an inorganic oxide such as alumina or silica may be used. Examples of the glass powder include borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and lead borosilicate glass.

特に、800〜1100℃での金属粉末との同時焼成性に優れ、ガラスセラミックとの接着強度を向上させることができるという点で、SiO−Al−BaO−CaO−B系ガラスが好ましい。ただし、ガラス粉末はビアホール導体の焼結挙動の調整や、ガラスセラミックとの接着強度の向上や、ビアホール導体とガラスセラミックとの熱膨張差の低減の目的で添加される。 In particular, SiO 2 —Al 2 O 3 —BaO—CaO—B 2 O 3 is superior in that it is excellent in co-firing with metal powder at 800 to 1100 ° C. and can improve the adhesive strength with glass ceramic. Based glass is preferred. However, the glass powder is added for the purpose of adjusting the sintering behavior of the via-hole conductor, improving the adhesive strength with the glass ceramic, and reducing the difference in thermal expansion between the via-hole conductor and the glass ceramic.

また、金属粉末、ガラス粉末以外にも、アルミナ、シリカ等のフィラー成分や、樹脂ビーズ等の有機分を添加することにより、焼結挙動を調整することも可能である。上記の金属粉末と、ガラス粉末と、有機バインダーと、有機溶剤と、所望により分散剤とを加えてビアペーストを調整する。ビアペーストの粘度としては、スルーホールへの充填性を考慮して、100〜350Pa・sであることが好ましい。   In addition to metal powder and glass powder, the sintering behavior can be adjusted by adding filler components such as alumina and silica and organic components such as resin beads. The via paste is prepared by adding the above metal powder, glass powder, organic binder, organic solvent, and, if desired, a dispersant. The viscosity of the via paste is preferably 100 to 350 Pa · s in consideration of the filling property to the through hole.

そして、上記ビアペーストをスルーホールに充填する。充填法としては、スクリーン印刷等が用いられる。   Then, the via paste is filled into the through hole. As the filling method, screen printing or the like is used.

続いて、パターン印刷(配線層の形成)に用いる導体ペーストを作製する。作製法は、上記ビアペーストと同様である。金属粉末のみで作製しても、収縮挙動の調整や、ガラスセラミックとの接着強度向上のために、ガラス粉末やフィラー成分等を添加してもよい。なお、導体ペーストの粘度としては、ぺ−ストの印刷性、ペーストのレベリング性、ペーストを薄く塗布するという観点から、10〜120Pa・s、特に20〜80Pa・s、であることが好ましい。   Subsequently, a conductor paste used for pattern printing (wiring layer formation) is produced. The manufacturing method is the same as that of the via paste. Even if it produces only with metal powder, you may add glass powder, a filler component, etc. in order to adjust shrinkage | contraction behavior and to improve adhesive strength with glass ceramic. The viscosity of the conductor paste is preferably 10 to 120 Pa · s, particularly 20 to 80 Pa · s, from the viewpoint of paste printability, paste leveling properties, and thin coating of the paste.

また、この導体ペーストをランドの外側導体部に用いてもよい。ランドのX−Y方向への収縮を効果的に抑制するには、内側拘束部の焼成収縮の開始温度を外側導体部よりも低い温度に設定する場合には、外側導体部用の導体ペーストにガラス等を添加して、外側導体部の焼成収縮の開始温度を高温側へシフトさせるのが好ましい。   Moreover, you may use this conductor paste for the outer side conductor part of a land. In order to effectively suppress the shrinkage of the lands in the XY direction, when setting the firing shrinkage start temperature of the inner restraint portion to a temperature lower than that of the outer conductor portion, the conductor paste for the outer conductor portion is used. It is preferable to add glass or the like to shift the firing shrinkage start temperature of the outer conductor portion to the high temperature side.

また、内側拘束部の焼成収縮の開始温度を外側導体部よりも高い温度に設定する場合には、外側導体部用の導体ペースト中の金属粉末を小さくし、ガラス等を添加せずに外側導体部の焼成収縮開始温度を低温側へシフトさせるのが好ましい。この場合、金属粉末の平均粒径としては、5μm以下が好ましい。   In addition, when the firing temperature of the inner restraint portion is set to a temperature higher than that of the outer conductor portion, the metal powder in the conductor paste for the outer conductor portion is reduced, and the outer conductor is not added without adding glass or the like. It is preferable to shift the firing shrinkage start temperature of the part to the low temperature side. In this case, the average particle size of the metal powder is preferably 5 μm or less.

そして、上記導体ペーストをグリーンシートの表面に、スクリーン印刷等の塗布法を用いて塗布し、配線パターンを形成する。   Then, the conductor paste is applied to the surface of the green sheet using a coating method such as screen printing to form a wiring pattern.

続いて、ランドの内側拘束部となるガラスセラミックペーストを作製する。原料粉末として、主成分のガラス粉末と、セラミックフィラー粉末を準備する。ここで、内側拘束部および外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことが重要である。   Subsequently, a glass ceramic paste that becomes an inner restraint portion of the land is produced. As the raw material powder, a main component glass powder and a ceramic filler powder are prepared. Here, it is important that the firing shrinkage start temperature of either the inner restraint portion or the outer conductor portion is higher than the other firing shrinkage end temperature.

これにより、内側拘束部が焼成収縮を開始する際には、焼成収縮を開始していない外側導体部により拘束され、外側導体部が焼成収縮を開始する際には、すでに焼結を開始している内側拘束部により拘束されるため、結果として内側拘束部、外側導体部の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。   Thus, when the inner restraint portion starts firing shrinkage, it is restrained by the outer conductor portion that has not started firing shrinkage, and when the outer conductor portion starts firing shrinkage, sintering has already started. As a result, contraction in the XY direction due to firing of the inner restraint portion and the outer conductor portion is suppressed.

また、先に外側導体部が焼成収縮を開始し、遅れて内側拘束部が焼成収縮する際も同様の理由により内側拘束部、外側導体部の焼成によるX−Y方向の収縮が抑制される。ランドを形成する内側拘束部と外側導体部のX−Y方向の収縮が抑制されるために、ランドの収縮が抑制され、ランド直下、または直上のビアホール導体の焼成収縮も抑制される。これにより、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間の存在しない多層配線基板を実現できる。   In addition, when the outer conductor portion starts firing shrinkage first and the inner restraint portion fires and shrinks later, the shrinkage in the XY direction due to firing of the inner restraint portion and the outer conductor portion is suppressed for the same reason. Since the shrinkage of the inner restraint portion and the outer conductor portion forming the land in the XY direction is suppressed, the shrinkage of the land is suppressed, and the firing shrinkage of the via-hole conductor directly below or immediately above the land is also suppressed. Thereby, it is possible to realize a multilayer wiring board having no gap between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor.

ガラスとしては、グリーンシートと同様のものが使用可能であるが、第1の絶縁層に用いたガラス粉末を用いることにより、内側拘束部の焼成収縮開始温度を、外側導体部の焼成収縮開始温度よりも低くすることができ、またガラスから結晶を析出させることによって外側導体部のX−Y方向への焼成収縮を効果的に抑制することが可能である。また、内側拘束部用のガラスセラミックペーストに第1の絶縁層と同種のガラス粉末を用いることは、原料管理の面からも好ましい。   The same glass as the green sheet can be used as the glass, but by using the glass powder used for the first insulating layer, the firing shrinkage start temperature of the inner restraint portion can be changed to the firing shrinkage start temperature of the outer conductor portion. It is possible to reduce the firing shrinkage in the XY direction of the outer conductor portion by precipitating crystals from the glass. Moreover, it is preferable also from the surface of raw material management to use the same kind of glass powder as a 1st insulating layer for the glass ceramic paste for inner side restraint parts.

上記の原料粉末と、有機バインダーと、有機溶剤と、所望により分散剤とを加えてガラスセラミックペーストを調整する。ガラスセラミックペーストの粘度としては、ぺ−ストの印刷性、ペーストのレベリング性、ペーストを薄く塗布するという観点から、10〜120Pa・s、特に20〜80Pa・s、であることが好ましい。   A glass ceramic paste is prepared by adding the above raw material powder, an organic binder, an organic solvent, and a dispersant as required. The viscosity of the glass ceramic paste is preferably 10 to 120 Pa · s, particularly 20 to 80 Pa · s, from the viewpoint of paste printability, paste leveling properties, and thin coating of the paste.

そして、上記ガラスセラミックペーストをランドを構成する外側導体部の表面に、スクリーン印刷等の塗布法を用いて塗布し、内側拘束部を形成する。この際、内側拘束部の上下の外側導体部間で導通が確保されていれば、内側拘束部は一部外側導体部から出ていてもよく、特に内側拘束部の面積がビアホール導体の横断面の面積よりも大きく、外側導体部の面積よりも小さいことが好ましい。   And the said glass ceramic paste is apply | coated to the surface of the outer side conductor part which comprises a land using coating methods, such as screen printing, and an inner restraint part is formed. At this time, as long as conduction is ensured between the upper and lower outer conductor portions of the inner restraint portion, the inner restraint portion may partly protrude from the outer conductor portion, and in particular, the area of the inner restraint portion is the cross section of the via-hole conductor. Is preferably larger than the area of the outer conductor portion and smaller than the area of the outer conductor portion.

続いて、ランド部の内側拘束部の表面に、先ほど作製した導体ペーストを、スクリーン印刷等の塗布法を用いて塗布し、外側導体部を形成する。   Subsequently, the conductor paste prepared above is applied to the surface of the inner restraint portion of the land portion by using a coating method such as screen printing to form the outer conductor portion.

このようにして得られた各グリーンシートまたはグリーンシート複合体を所定の積層順序に応じて積層して積層成形体を形成した後、焼成する。グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。   The green sheets or green sheet composites thus obtained are laminated according to a predetermined lamination order to form a laminated molded body, and then fired. For the lamination of green sheets, a method of applying heat and pressure to the stacked green sheets and thermocompression bonding, a method of applying an adhesive composed of organic binder, plasticizer, solvent, etc. between the sheets, and thermocompression bonding are adopted. Is possible.

なお、焼成に先立って、所望によりグリーンシート又はその積層体を100〜800℃、特に400〜750℃で加熱処理して積層体中の有機成分を分解除去することができる。また、焼成は800〜1000℃、特に850〜950℃で同時焼成するのが、十分に焼結させる、また過焼結を防止するという点で好ましい。このとき、導体中の金属として銅を用いる場合は、銅の酸化を防止するという観点から、窒素雰囲気中で焼成を行うのが好ましい。   Prior to firing, if necessary, the green sheet or laminate thereof can be heat-treated at 100 to 800 ° C., particularly 400 to 750 ° C. to decompose and remove organic components in the laminate. Further, it is preferable that the firing is performed at 800 to 1000 ° C., particularly 850 to 950 ° C., from the viewpoint of sufficient sintering and prevention of oversintering. At this time, when copper is used as the metal in the conductor, firing is preferably performed in a nitrogen atmosphere from the viewpoint of preventing copper oxidation.

また、焼成にあたっては、寸法精度の向上のため、以下のような焼成を行うことも可能である。昇温して、第1の絶縁層の焼成収縮開始温度に到達後、徐々に昇温するか、または焼成収縮開始温度、あるいは焼成収縮開始温度以上かつ第2の絶縁層の焼成収縮開始温度よりも低い温度で、一次的に炉内温度を保持して第1の絶縁層が最終焼成体積収縮量の90%以上焼成収縮が進行するまで保持する。この時、第1の絶縁層は、その温度で焼成収縮しない第2の絶縁層によってX−Y方向への収縮が抑制されZ方向に焼成収縮する。その後、第1の絶縁層が最終焼成体積収縮量の90%以上収縮した後、第2の絶縁層の収縮開始温度以上に昇温して焼成する。この焼成によって、第2の絶縁層は、焼結がほぼ完了した第1の絶縁層によってX−Y方向への焼成収縮が抑制されZ方向に焼成収縮する。その結果、第1の絶縁層および第2の絶縁層ともにX−Y方向への焼成収縮が抑制されZ方向に焼成収縮した、寸法精度の高い基板を作製することができる。   In firing, the following firing may be performed to improve the dimensional accuracy. After the temperature rises and reaches the firing shrinkage start temperature of the first insulating layer, the temperature is gradually raised, or the firing shrinkage start temperature, or the firing shrinkage start temperature or more and the firing shrinkage start temperature of the second insulating layer At the lower temperature, the in-furnace temperature is temporarily maintained, and the first insulating layer is maintained until the firing shrinkage of 90% or more of the final firing volume shrinkage proceeds. At this time, the shrinkage in the XY direction is suppressed and the first insulating layer is fired and shrunk in the Z direction by the second insulating layer that is not fired and shrunk at that temperature. Thereafter, after the first insulating layer shrinks 90% or more of the final firing volume shrinkage, the temperature is raised to the shrinkage start temperature of the second insulating layer or more and fired. By this firing, the second insulating layer is baked and shrunk in the Z direction while the firing shrinkage in the XY direction is suppressed by the first insulating layer that has been almost sintered. As a result, it is possible to manufacture a substrate with high dimensional accuracy in which both the first insulating layer and the second insulating layer are suppressed from firing shrinkage in the XY direction and fired and shrunk in the Z direction.

このようにして作製したガラスセラミック配線基板は、焼成における収縮挙動が異なる絶縁層同士を一体して焼成することにより、互いのX−Y方向への焼成収縮を抑制した寸法精度に優れたガラスセラミック配線基板であり、ビアホール導体についてもX−Y方向の焼成収縮が抑制されているため、絶縁層のスルーホール壁面とビアホール導体との間に隙間が発生しない気密性のある多層配線基板となる。   The glass ceramic wiring board produced in this manner is a glass ceramic excellent in dimensional accuracy that suppresses firing shrinkage in the XY directions by integrally firing insulating layers having different shrinkage behaviors in firing. Since it is a wiring substrate and the via-hole conductor is also prevented from firing shrinkage in the X-Y direction, it becomes an airtight multilayer wiring substrate in which no gap is generated between the through-hole wall surface of the insulating layer and the via-hole conductor.

次のようにして、スルーホール壁面とビアホール導体との間の隙間の有無を評価する評価基板を作製した。この評価基板は、幅30mm×30mm、厚み330μmの絶縁層が積層され、基板中央部に直径90μmのビアホール導体を、500μm間隔で5行×5列の計25個配置し、各ビアホール導体上には直径125μmのランドを形成したものである。以下に作製方法を示す。   An evaluation board for evaluating the presence or absence of a gap between the through-hole wall surface and the via-hole conductor was produced as follows. In this evaluation board, an insulating layer having a width of 30 mm × 30 mm and a thickness of 330 μm is laminated, and a total of 25 via-hole conductors having a diameter of 90 μm are arranged in the center of the board in 5 rows × 5 columns at intervals of 500 μm. Is a land having a diameter of 125 μm. A manufacturing method will be described below.

まず、第1の絶縁層となるグリーンシートを作製した。SiOが9質量%、Bが17質量%、Pが1.7質量%、Alが17質量%、MgOが44質量%、BaOが8質量%、SnOが1.7質量%、CaOが0.5質量%、NaOが0.1質量%を含むガラス粉末と、クォーツ粉末を準備し、これらをガラス85.6質量%、クォーツ粉末を14.4質量%秤量し、有機バインダーを添加して、ガラスセラミック組成物を作製した。上記原料粉末に、有機バインダーとしてアクリル樹脂、可塑剤としてジオクチルフタレート、溶媒としてトルエンを加えて調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により成形し、200mmSQ、厚さ10μmのグリーンシートを作製した。 First, a green sheet to be a first insulating layer was produced. SiO 2 is 9% by mass, B 2 O 3 is 17% by mass, P 2 O 5 is 1.7% by mass, Al 2 O 3 is 17% by mass, MgO is 44% by mass, BaO is 8% by mass, SnO 2 Of 1.7% by mass, CaO 0.5% by mass, and NaO 0.1% by mass of glass powder and quartz powder were prepared. These were 85.6% by mass of glass and 14.4% of quartz powder. %, And an organic binder was added to prepare a glass ceramic composition. Using the slurry prepared by adding an acrylic resin as an organic binder, dioctyl phthalate as a plasticizer, and toluene as a solvent to the raw material powder, a green sheet having a thickness of 200 mmSQ and a thickness of 10 μm was formed by a doctor blade method.

続いて、第2の絶縁層となるグリーンシートを作製した。SiOが35.9質量%、Bが12質量%、Alが6.6質量%、MgOが17.5質量%、CaOが2.5質量%、ZnOが14.4質量%を含むガラス粉末と、クォーツ粉末、およびCaZrO粉末を準備し、これらをガラス58.7質量%、クォーツ粉末を36.5質量%、CaZrO粉末を4.8質量%秤量し、有機バインダーを添加して、ガラスセラミック組成物を作製した。上記原料粉末に、有機バインダーとしてアクリル樹脂、可塑剤としてジオクチルフタレート、溶媒としてトルエンを加えて調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により成形し、200mmSQ、厚さ125μmのグリーンシートを作製した。 Then, the green sheet used as the 2nd insulating layer was produced. SiO 2 is 35.9 mass%, B 2 O 3 is 12 mass%, Al 2 O 3 is 6.6 mass%, MgO is 17.5 mass%, CaO is 2.5 mass%, ZnO is 14.4 mass%. A glass powder containing 5% by mass, a quartz powder, and a CaZrO 3 powder were prepared. These were weighed 58.7% by mass of glass, 36.5% by mass of quartz powder, and 4.8% by mass of CaZrO 2 powder. A glass ceramic composition was prepared by adding a binder. Using the slurry prepared by adding an acrylic resin as an organic binder, dioctyl phthalate as a plasticizer, and toluene as a solvent to the raw material powder, a green sheet having a thickness of 200 mmSQ and a thickness of 125 μm was formed by a doctor blade method.

そして、上記第1の絶縁層用のグリーンシートと第2の絶縁層用のグリーンシートを一枚ずつ用意し、これらを加熱圧着して複合グリーンシートを作製した。また、最下層用に、第1の絶縁層用のグリーンシートを2枚と、第2の絶縁層用のグリーンシートを1枚用意し、第2の絶縁層用グリーンシートを挟むように第1の絶縁層用グリーンシートを加熱圧着した。   Then, the green sheet for the first insulating layer and the green sheet for the second insulating layer were prepared one by one, and these were thermocompression bonded to produce a composite green sheet. Also, two green sheets for the first insulating layer and one green sheet for the second insulating layer are prepared for the lowermost layer, and the first insulating layer green sheet is sandwiched between the first insulating layer green sheet and the first insulating layer green sheet. The green sheet for insulating layer was heat-pressed.

ここで、作製した複合グリーンシートには、パンチングにより直径90μmのスルーホールを設けた。   Here, the produced composite green sheet was provided with a through hole having a diameter of 90 μm by punching.

次に、ビアペーストを作製した。銅粉末100質量%に対して、SiO−Al−BaO−CaO−B系ガラスを18質量%添加し、また有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(質量比で80:20)を添加、混練して、ビアペーストを作製した。作製したビアペーストを先ほど設けたスルーホールに、スクリーン印刷法により充填した。 Next, a via paste was produced. 18% by mass of SiO 2 —Al 2 O 3 —BaO—CaO—B 2 O 3 glass is added to 100% by mass of copper powder, acrylic resin is used as an organic binder, and terpineol and dibutyl phthalate are mixed as a solvent. A solution (80:20 by mass) was added and kneaded to prepare a via paste. The prepared via paste was filled into the through-hole provided earlier by a screen printing method.

続いて、外側導体部となる配線導体ペーストを作製した。所定の配合比率の銅粉末とガラス粉末(表1中の導体aは銅粉末:ガラス=100:0、導体bは銅粉末:ガラス=100:2、導体cは銅粉末:ガラス=100:4であり、ガラスにはSiO−Al−BaO−CaO−B系ガラスを使用)を用意し、銅粉末に対して有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(重量比で80:20)を添加、混練して、配線導体ペーストを作製した。得られた配線導体ペーストを、スクリーン印刷法により、印刷した。ビアホール導体の直上にランドパターンとして直径125μmのパターンを印刷した。 Then, the wiring conductor paste used as an outside conductor part was produced. Copper powder and glass powder having a predetermined mixing ratio (conductor a in Table 1 is copper powder: glass = 100: 0, conductor b is copper powder: glass = 100: 2, conductor c is copper powder: glass = 100: 4 And SiO 2 —Al 2 O 3 —BaO—CaO—B 2 O 3 glass is used for the glass), acrylic resin is used as the organic binder for the copper powder, and terpineol and dibutyl phthalate are used as the solvent. A mixed solution (80:20 by weight) was added and kneaded to prepare a wiring conductor paste. The obtained wiring conductor paste was printed by a screen printing method. A pattern having a diameter of 125 μm was printed as a land pattern directly on the via-hole conductor.

続いて、内側拘束部となるガラスセラミックペーストを作製した。表1に示すガラス粉末と、セラミック粉末を準備し、所定の配合比率(表1中のガラスセラミックスAは第1の絶縁層用ガラス:クォーツ=85.4:14.6、ガラスセラミックスBはガラス(SiO12.9質量%、B20.2質量%、Al31.0質量%、MgO14.0質量%、BaO14.6質量%、ZrO1.9質量%、CeO0.4質量%、SnO0.8質量%、TiO4.2質量%):クォーツ=85.4:14.6、ガラスセラミックスCはガラス(SiO42.9質量%、B0.6質量%、Al5.0質量%、MgO18.0質量%、CaO26.0質量%、CuO0.9質量%):クォーツ=85.4:14.6、ガラスセラミックスDは第1の絶縁層用ガラス:クォーツ=5.7:94.3)で混合し、また有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(質量比で80:20)を添加、混練して、ガラスセラミックペーストを作製した。得られたガラスセラミックペーストを、直径110μmで、先ほど形成した外側導体部の表面に、スクリーン印刷法により、印刷した。 Subsequently, a glass ceramic paste serving as an inner restraint was produced. A glass powder and a ceramic powder shown in Table 1 are prepared, and a predetermined mixing ratio (glass ceramic A in Table 1 is glass for first insulating layer: quartz = 85.4: 14.6, glass ceramic B is glass) (SiO 2 12.9% by mass, B 2 O 3 20.2% by mass, Al 2 O 3 31.0% by mass, MgO 14.0% by mass, BaO 14.6% by mass, ZrO 2 1.9% by mass, CeO 2 0.4% by mass, SnO 2 0.8% by mass, TiO 2 4.2% by mass): Quartz = 85.4: 14.6, glass ceramic C is glass (SiO 2 42.9% by mass, B 2 O 3 0.6 mass%, Al 2 O 3 5.0 mass%, MgO 18.0 mass%, CaO 26.0 mass%, Cu 2 O 0.9 mass%): Quartz = 85.4: 14.6, glass Ceramics D is the first insulating layer Glass: quartz = 5.7: 94.3), an acrylic resin as an organic binder, a mixed solution of terpineol and dibutyl phthalate (80:20 by mass) as a solvent, kneaded, and glass ceramic A paste was prepared. The obtained glass ceramic paste was printed by the screen printing method on the surface of the outer conductor part formed earlier with a diameter of 110 μm.

続いて、先ほど作製した、配線導体ペーストを、スクリーン印刷法により、内側拘束部の表面に直径125μmのパターンとして印刷した。   Subsequently, the wiring conductor paste prepared earlier was printed as a pattern having a diameter of 125 μm on the surface of the inner restraint portion by screen printing.

このようにして得られた複合グリーンシートを用い、積層体を作製した。複合グリーンシートを3枚と、最下層用に用意した複合グリーンシート1枚を準備し、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、45℃、4MPaの条件で加圧積層を行った。   A laminate was prepared using the composite green sheet thus obtained. Three composite green sheets and one composite green sheet prepared for the lowermost layer were prepared, an adhesive was uniformly applied between the green sheets, and pressure lamination was performed at 45 ° C. and 4 MPa.

続いて、これらの積層体をAlの台板上に載置して有機バインダー等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、700℃で加熱処理し、次に窒素雰囲気中、900℃で1時間焼成を行った。 Subsequently, these laminates are placed on an Al 2 O 3 base plate and subjected to heat treatment at 700 ° C. in a nitrogen atmosphere in order to decompose and remove organic components such as an organic binder, and then in a nitrogen atmosphere. And calcination at 900 ° C. for 1 hour.

得られた評価基板を蛍光浸透探傷液に浸し、デシケーター内で1×10−2Paの圧力になるまで真空引きした状態で2時間保持した後、水道水で洗浄した。ビアホール導体部を、基板表面から基板の積層方向に50μm程度研磨して、スルーホール内部への蛍光浸透探傷液の侵入の有無を評価した。評価は研磨後の基板を蛍光顕微鏡で観察し、25個のビアホールにおいて1箇所以上蛍光部の認められるスルーホールがある試料(表中有)は不良品、0箇所の試料(表中無)は良品とした。 The obtained evaluation substrate was immersed in a fluorescent penetrating flaw detection liquid, held in a desiccator for 2 hours in a vacuumed state until reaching a pressure of 1 × 10 −2 Pa, and then washed with tap water. The via-hole conductor portion was polished by about 50 μm from the substrate surface in the substrate stacking direction, and the presence or absence of penetration of the fluorescent penetrating flaw detection liquid into the through hole was evaluated. Evaluation is made by observing the polished substrate with a fluorescence microscope. Samples with through holes where one or more fluorescent parts are recognized in 25 via holes (present in the table) are defective, and samples at 0 locations (none in the table) are It was a good product.

また、外側導体部用の配線導体ペーストおよび内側拘束部用のガラスセラミックペーストについて、熱処理することによって有機溶剤分を除去し粉末を作製し、約98MPaでプレスすることにより直径10mm、高さ8mmの円柱状圧粉体を形成した。この圧粉体に対して室温〜1000℃の温度範囲でTMA(熱機械分析)によりそれぞれの収縮開始温度を評価した。このとき、雰囲気を窒素中、昇温速度を10℃/minとした。それらの結果を表1に示す。

Figure 2008135579
Moreover, about the wiring conductor paste for outer side conductor parts, and the glass-ceramic paste for inner side restraint parts, it removes an organic solvent content by heat-processing, produces a powder, and is 10 mm in diameter and 8 mm in height by pressing at about 98 MPa. A cylindrical green compact was formed. Each compaction start temperature was evaluated by TMA (thermomechanical analysis) in the temperature range of room temperature to 1000 ° C. for this green compact. At this time, the atmosphere was in nitrogen, and the rate of temperature increase was 10 ° C./min. The results are shown in Table 1.
Figure 2008135579

試料No.4、6、7、11、12、13は、内側拘束部および外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いので、互いの収縮を抑えることができたために、蛍光探傷液の発光は見られず、スルーホール壁面とビアホール導体の間にセパレーションが発生していないことが確認できた。   Sample No. 4, 6, 7, 11, 12, and 13 can suppress mutual contraction because the firing shrinkage start temperature of one of the inner restraint portion and the outer conductor portion is higher than the end temperature of the other firing shrinkage. As a result, no light was emitted from the fluorescent flaw detection liquid, and it was confirmed that no separation occurred between the through-hole wall surface and the via-hole conductor.

これに対し、内側拘束部を設けなかった試料No.1、内側拘束部および外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも低い試料No.2、3、5、8、9、10は、内側拘束部が外側導体部の焼成収縮を抑制することができず、その結果セパレーションが発生した。   On the other hand, sample no. 1, Sample No. 1 in which the start temperature of the firing shrinkage of either the inner restraint portion or the outer conductor portion is lower than the end temperature of the other firing shrinkage. In 2, 3, 5, 8, 9, and 10, the inner restraint portion could not suppress firing shrinkage of the outer conductor portion, and as a result, separation occurred.

本発明の配線基板の構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the structure of the wiring board of this invention. 図1に示す配線層の拡大説明図である。FIG. 2 is an enlarged explanatory view of a wiring layer shown in FIG. 1.

符号の説明Explanation of symbols

1a〜1g・・・第1の絶縁層
2a〜2g・・・第2の絶縁層
3・・・配線層
4・・・ビアホール導体
5・・・ランド
51・・・内側拘束部
52・・・外側導体部
1a-1g ... 1st insulating layer 2a-2g ... 2nd insulating layer 3 ... wiring layer 4 ... via-hole conductor 5 ... land 51 ... inner restraint part 52 ... Outer conductor

Claims (4)

第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高い焼成収縮の開始温度である第2の絶縁層とが交互に積層され、一組の前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層からなる積層体を貫通するようにビアホール導体が形成され、前記積層体の前記第1の絶縁層側の表面に前記ビアホール導体に接続され該ビアホール導体を覆うようにランドが形成されてなる多層配線基板であって、
該ランドが内側拘束部と該内側拘束部を包み込むように形成された外側導体部とで構成されており、前記内側拘束部および前記外側導体部のいずれか一方の焼成収縮の開始温度が他方の焼成収縮の終了温度よりも高いことを特徴とする多層配線基板。
The first insulating layer and the second insulating layer having a firing shrinkage start temperature higher than the firing shrinkage end temperature of the first insulating layer are alternately stacked, and the set of the first insulating layers And a via-hole conductor is formed so as to penetrate the multilayer body composed of the second insulating layer, and is connected to the via-hole conductor on the surface of the multilayer body on the first insulating layer side so as to cover the via-hole conductor. A multilayer wiring board formed of
The land is composed of an inner restraint portion and an outer conductor portion formed so as to enclose the inner restraint portion, and the firing shrinkage start temperature of either the inner restraint portion or the outer conductor portion is the other. A multilayer wiring board characterized by being higher than an end temperature of firing shrinkage.
前記内側拘束部が前記ビアホール導体を覆う大きさに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。 The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the inner restraint portion is formed to have a size covering the via hole conductor. 前記外側導体部の焼成収縮の開始温度が前記内側拘束部の焼成収縮の終了温度よりも高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板。 3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a start temperature of firing shrinkage of the outer conductor portion is higher than an end temperature of firing shrinkage of the inner restraint portion. 前記内側拘束部の焼成収縮の開始温度が前記第2の絶縁層の焼成収縮の終了温度よりも高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板。 3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a start temperature of firing shrinkage of the inner restraint portion is higher than an end temperature of firing shrinkage of the second insulating layer.
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