JP2009231414A - Multilayer wiring board, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board having good dimensional accuracy and suppressed intrusion of moisture into the board; and a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: This multilayer wiring board is provided with: an insulating base 1 including two kinds of glass ceramic insulation layers with burning shrinkages started at temperatures different from each other, and formed by stacking first glass ceramic insulation layers 11a-11e with burning shrinkage started at the low-temperature side and second glass ceramic insulation layers 12a-12d with burning shrinkage started at the high-temperature side relative to the first glass ceramic insulation layers 11a-11e to contact one another; through conductors 4 formed by penetrating through the first glass ceramic insulation layers 11a and 11e constituting surface layers; and land conductors 2 formed on the surfaces of the insulating base 1 and connected to the through conductors 4. The multilayer wiring board is characterized in that the land conductor 2 is composed of a land body 21 and an annular projection part 22 projecting toward the inside of the insulating base 1 from the land body 21 to surround the through conductor 4. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、異なる温度で焼成収縮を開始する2種類のガラスセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより、平面方向の焼成収縮を抑制した多層配線基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a multilayer wiring board that suppresses firing shrinkage in a planar direction by laminating and firing two types of glass ceramic green sheets that start firing shrinkage at different temperatures, and a method for manufacturing the same.

従来、移動体通信分野などで使用される多層配線基板において、配線層の材料として導電率の高い金、銀、銅、アルミニウムあるいはそれらの混合物を用い、絶縁層の材料として配線層の材料の融点よりも低い温度で焼成が可能なガラスセラミックスを用いたものが知られている。   Conventionally, in a multilayer wiring board used in the field of mobile communication, etc., gold, silver, copper, aluminum or a mixture thereof having a high conductivity is used as a wiring layer material, and a melting point of the wiring layer material as an insulating layer material The thing using the glass ceramics which can be baked at a temperature lower than this is known.

この多層配線基板は、配線層と配線層とが絶縁層の内部を貫通する貫通導体により電気的に接続されている。製造方法としては、ガラスセラミックグリーンシートに貫通孔を形成してこの貫通孔に貫通導体となる導体ペーストを充填するとともに、ガラスセラミックグリーンシートの一方主面にランド導体および配線層となる導体ペーストをスクリーン印刷法等によって印刷し、このようにして作製されたガラスセラミックグリーンシートを複数積層して焼成する方法が挙げられる。ここで、ランド導体とは、貫通導体と貫通導体との接続性向上、貫通導体と配線層との接続性向上および貫通導体と表面実装部品との接続性向上のために、絶縁層の一方主面に貫通導体に接続して形成される導体層のことであり、例えば円板状に形成されている。   In this multilayer wiring board, the wiring layer and the wiring layer are electrically connected by a through conductor penetrating the inside of the insulating layer. As a manufacturing method, a through hole is formed in a glass ceramic green sheet, and a conductive paste serving as a through conductor is filled in the through hole, and a conductor paste serving as a land conductor and a wiring layer is formed on one main surface of the glass ceramic green sheet. Examples thereof include a method of printing by a screen printing method or the like, and laminating a plurality of glass ceramic green sheets thus produced and firing. Here, the land conductor is one of the insulating layers in order to improve the connection between the through conductor, the through conductor, the connection between the through conductor and the wiring layer, and the connection between the through conductor and the surface mount component. It is a conductor layer formed on the surface connected to the through conductor, and is formed in a disk shape, for example.

ところで、ガラスセラミックスを用いた多層配線基板を形成するためのガラスセラミックグリーンシート積層体の体積は、焼成収縮(焼結)により40〜50%程度収縮する。このとき、ガラスセラミックグリーンシート積層体の積層方向に垂直な方向(平面方向)における収縮率は、1方向において平均15〜20%程度ばらついており、このばらつきにより多層配線基板の寸法精度は悪いものとなっていた。   By the way, the volume of the glass ceramic green sheet laminate for forming a multilayer wiring board using glass ceramics shrinks by about 40 to 50% by firing shrinkage (sintering). At this time, the shrinkage rate in the direction (plane direction) perpendicular to the laminating direction of the glass ceramic green sheet laminate varies in average about 15 to 20% in one direction. Due to this variation, the dimensional accuracy of the multilayer wiring board is poor. It was.

そこで、多層配線基板の寸法精度を向上させる方法として、焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度が異なる2種以上のセラミックグリーンシート(2種の場合は、焼成後に第1のガラスセラミック絶縁層と第2のガラスセラミック絶縁層となる)を積層して焼成することにより、平面方向の収縮を抑制し、主に積層方向に収縮させる方法が提案されている(例えば、特許文献1を参照。)。
特開2003−69236号公報
Therefore, as a method for improving the dimensional accuracy of the multilayer wiring board, two or more types of ceramic green sheets having different firing shrinkage start temperatures and firing shrinkage end temperatures (in the case of two types, the first glass ceramic insulating layer and the second layer after firing) And a method of suppressing shrinkage in the planar direction and mainly shrinking in the laminating direction has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
JP 2003-69236 A

この特許文献1に記載の方法では、焼成後に第1のガラスセラミック絶縁層となる第1のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度と焼成後に第2のガラスセラミック絶縁層となる第2のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度とが異なることから、互いに平面方向の収縮を拘束して抑制しあう。例えば、第1のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮(焼結)終了後に第2のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮(焼結)を開始するようになっている場合、第1のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮する際には、第2のガラスセラミックグリーンシートは焼成収縮を開始していないため、第1のガラスセラミックグリーンシートの平面方向の収縮が抑制される。一方、第2のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮(焼結)時には、第1のガラスセラミックグリーンシートがすでに焼成収縮を終了してなる第1のガラスセラミック絶縁層によって第2のガラスセラミックグリーンシートの平面方向の収縮が抑制される。このようにガラスセラミックグリーンシート同士が互いに拘束しあうことで平面方向の収縮が小さくなり、平面方向における収縮ばらつきを小さくすることができる。   In the method described in Patent Document 1, the firing shrinkage start temperature and firing shrinkage end temperature of the first glass ceramic green sheet that becomes the first glass ceramic insulating layer after firing, and the second glass ceramic insulating layer after firing. Since the firing shrinkage start temperature and firing shrinkage end temperature of the second glass ceramic green sheet are different, the shrinkage in the planar direction is restrained and restrained. For example, when the second glass ceramic green sheet starts firing shrinkage (sintering) after the firing shrinkage (sintering) of the first glass ceramic green sheet, the first glass ceramic green sheet is At the time of firing shrinkage, the second glass ceramic green sheet has not started firing shrinkage, so that shrinkage in the planar direction of the first glass ceramic green sheet is suppressed. On the other hand, at the time of firing shrinkage (sintering) of the second glass ceramic green sheet, the first glass ceramic green sheet has already finished firing shrinkage by the first glass ceramic insulating layer. Shrinkage in the plane direction is suppressed. In this way, the glass ceramic green sheets are constrained to each other, so that the shrinkage in the planar direction is reduced, and the shrinkage variation in the planar direction can be reduced.

ところが、それぞれのガラスセラミックグリーンシートに形成され直接当接する導体ペースト(貫通導体)同士は同じ材料であることから互いに拘束されず、平面方向に収縮してしまう。したがって、ガラスセラミックグリーンシートと導体ペースト(貫通導体)との収縮率に大きな差が生じることになる。   However, since the conductor pastes (penetrating conductors) formed on the respective glass ceramic green sheets and in direct contact with each other are made of the same material, they are not constrained to each other and contract in the planar direction. Therefore, a large difference occurs in the shrinkage rate between the glass ceramic green sheet and the conductive paste (through conductor).

従来、この収縮率の差によって、貫通導体とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されてしまうという問題が発生していた。さらに、この貫通導体となる導体ペーストの収縮にともなって、ランド導体となる導体ペーストが貫通導体となる導体ペーストに引っ張られるように収縮し、焼成後のランド導体とガラスセラミック絶縁層との界面においてもせん断応力が働き、間隙が形成されてしまうという問題が発生していた。このような間隙が形成されていることにより、結果としてめっき液などの水分が多層配線基板の表面から内部に浸入して、多層配線基板の信頼性が低下するという問題があった。   Conventionally, there has been a problem that a gap is formed between the through conductor and the glass ceramic insulating layer due to the difference in shrinkage rate. Further, with the shrinkage of the conductor paste that becomes the through conductor, the conductor paste that becomes the land conductor shrinks so as to be pulled by the conductor paste that becomes the through conductor, and at the interface between the land conductor and the glass ceramic insulating layer after firing. However, there was a problem that the shear stress worked and a gap was formed. Due to the formation of such a gap, as a result, there is a problem that moisture such as a plating solution infiltrates from the surface of the multilayer wiring board into the interior, thereby reducing the reliability of the multilayer wiring board.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、寸法精度がよく、基板内部への水分の浸入が抑制された多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board with good dimensional accuracy and suppressed moisture permeation into the board, and a method for manufacturing the same.

本発明者は、鋭意検討した結果、貫通導体とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されたとしても表面から内部まで貫通して水分が浸入してしまうことのないように、その浸入経路を遮断するランド導体の形状を見出し、本発明に到達した。   As a result of intensive studies, the present inventor has determined that the intrusion route does not penetrate from the surface to the inside even if a gap is formed between the through conductor and the glass ceramic insulating layer. As a result, the present invention has been achieved.

すなわち本発明は、異なる温度で焼成収縮を開始した2種類のガラスセラミック絶縁層を含み、低温側で焼成収縮を開始した第1のガラスセラミック絶縁層と該第1のガラスセラミック絶縁層よりも高温側で焼成収縮を開始した第2のガラスセラミック絶縁層とが接するように積層されてなり、少なくとも前記第1のガラスセラミック絶縁層または前記第2のガラスセラミック絶縁層が表層を構成してなる絶縁基体と、該絶縁基体のうち少なくとも表層を構成する前記第1のガラスセラミック絶縁層または前記第2のガラスセラミック絶縁層を貫通して形成された貫通導体と、前記絶縁基体の表面に形成され前記貫通導体に接続されたランド導体とを備えた多層配線基板であって、前記ランド導体が、ランド本体と、前記貫通導体を囲むように前記ランド本体から前記絶縁基体の内部に向けて突出した環状の突条部とからなることを特徴とするものである。   That is, the present invention includes two types of glass ceramic insulating layers that have started firing shrinkage at different temperatures, the first glass ceramic insulating layer that has started firing shrinkage on the low temperature side, and a temperature higher than that of the first glass ceramic insulating layer. Insulation in which the first glass ceramic insulating layer or the second glass ceramic insulating layer constitutes a surface layer, and is laminated so as to be in contact with the second glass ceramic insulating layer that starts firing shrinkage on the side A base, a penetrating conductor formed through the first glass ceramic insulating layer or the second glass ceramic insulating layer constituting at least a surface layer of the insulating base, and a surface formed on the surface of the insulating base. A multi-layer wiring board including a land conductor connected to the through conductor, wherein the land conductor surrounds the land body and the through conductor. And it is characterized in that comprising a ridge portion of the annular protruding toward the inside of the insulating base from the land body.

また本発明は、低温側で焼成収縮を開始する第1のガラス粉末を含む第1のガラスセラミックグリーンシートおよび高温側で焼成収縮を開始する第2のガラス粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記第1のガラスセラミックグリーンシートおよび前記第2のガラスセラミックグリーンシートを含む積層体を作製した際に該積層体の少なくとも表層に配置される、第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートに、貫通孔を形成して該貫通孔に導体ペーストを充填するとともに、前記積層体の少なくとも表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの一方の主面に、前記貫通孔を取り囲む環状の溝を形成して該環状の溝に導体ペーストを充填した後、前記貫通孔の上側から少なくとも前記環状の溝の上側までの領域にかけて導体ペーストを塗布する工程と、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートとが接するように積層して、前記表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの前記一方の主面を表面とする積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。   The present invention also provides a first glass ceramic green sheet containing a first glass powder that starts firing shrinkage on a low temperature side and a second glass ceramic green sheet containing a second glass powder that starts firing shrinkage on a high temperature side. And a first glass ceramic green sheet that is disposed on at least a surface layer of the laminate when producing a laminate including the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet. Alternatively, the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic is formed in the second glass ceramic green sheet by forming a through hole, filling the through hole with a conductive paste, and disposed at least on the surface layer of the laminate. An annular groove surrounding the through hole is formed on one main surface of the green sheet. A step of filling the annular groove with the conductive paste, and then applying the conductive paste from the upper side of the through hole to at least the upper side of the annular groove; a first glass ceramic green sheet and a second glass ceramic green Laminating the sheet so as to be in contact with the sheet, and producing a laminate having the one main surface of the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed on the surface layer as a surface; And a step of firing the laminated body.

本発明の多層配線基板によれば、絶縁基体の表面に形成されたランド導体が、ランド本体と、該ランド本体に接続される貫通導体を囲むように前記ランド本体から絶縁基体の内部に向けて突出した環状の突条部とからなる構造になっているので、環状の突条部の貫通導体側(内径側)の側壁とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されることがなく、内部への水分浸入が抑制された信頼性の高い多層配線基板を実現することができる。   According to the multilayer wiring board of the present invention, the land conductor formed on the surface of the insulating base is directed from the land main body toward the inside of the insulating base so as to surround the land main body and the through conductor connected to the land main body. Since it has a structure consisting of protruding annular ridges, there is no gap formed between the side wall on the through conductor side (inner diameter side) of the annular ridge and the glass ceramic insulating layer, A highly reliable multilayer wiring board in which moisture intrusion is suppressed can be realized.

また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、ガラスセラミックグリーンシートに形成された環状の溝に充填された導体ペーストが貫通導体となる導体ペースト側(内径側)のグリーンシート側壁に引き寄せられるように焼成収縮することから、ランド導体に設けられた環状の突条部の貫通導体側(内径側)の側壁とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されることなく、内部への水分浸入が抑制された信頼性の高い多層配線基板を製造することができる。   Further, according to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, the conductor paste filled in the annular groove formed in the glass ceramic green sheet is drawn toward the side of the green sheet on the conductor paste side (inner diameter side) serving as a through conductor. As a result, the gap is not formed between the side wall on the through conductor side (inner diameter side) of the annular protrusion provided on the land conductor and the glass ceramic insulating layer. A highly reliable multilayer wiring board in which moisture permeation is suppressed can be manufactured.

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図であって、図1に示す多層配線基板は、異なるガラスセラミックスからなる第1のガラスセラミック絶縁層11a〜11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a〜12dが交互に積層されてなる絶縁基体1と、絶縁基体1の表面に形成された表面配線層3aおよび絶縁基体1の内部に形成された内部配線層3bと、絶縁基体1のうち少なくとも表層を構成する第1のガラスセラミック絶縁層11a、11eを貫通して形成された貫通導体4と、貫通導体4に接続されたランド導体2とを備えた構成となっている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention. The multilayer wiring board shown in FIG. 1 includes first glass ceramic insulating layers 11a to 11e made of different glass ceramics and second glass. Insulating substrate 1 in which ceramic insulating layers 12a to 12d are alternately laminated, surface wiring layer 3a formed on the surface of insulating substrate 1, internal wiring layer 3b formed inside insulating substrate 1, and insulating substrate 1 In this configuration, a through conductor 4 formed so as to penetrate at least the first glass ceramic insulating layers 11a and 11e constituting the surface layer and a land conductor 2 connected to the through conductor 4 are provided.

絶縁基体1を構成する第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dは、焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度の異なるガラスセラミックグリーンシートがそれぞれ焼結されたものである。第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dを形成するための第2のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度は、第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eを形成するための第1のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度および焼成収縮終了温度よりも高くなるように設定されている。望ましくは、第2のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮開始温度が第1のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮終了温度よりも高くなるように、換言すれば、第1のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮を終了した後に第2のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮を開始するように設定されている。   The first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d constituting the insulating base 1 have different firing shrinkage start temperatures and firing shrinkage end temperatures. Each glass ceramic green sheet is sintered. The firing shrinkage start temperature and firing shrinkage end temperature of the second glass ceramic green sheet for forming the second glass ceramic insulation layers 12a, 12b, 12c, 12d are the first glass ceramic insulation layers 11a, 11b, 11c. , 11d and 11e are set to be higher than the firing shrinkage start temperature and firing shrinkage end temperature of the first glass ceramic green sheet. Desirably, the firing shrinkage start temperature of the second glass ceramic green sheet is higher than the firing shrinkage end temperature of the first glass ceramic green sheet, in other words, the first glass ceramic green sheet undergoes firing shrinkage. The second glass ceramic green sheet is set to start firing shrinkage after completion.

具体的には、ガラスセラミック材料の選定において、第1のガラスセラミックグリーンシートに含まれるガラスの結晶化温度が、第2のガラスセラミックグリーンシートに含まれるガラスの軟化点より低くなるように選定されている。これを達成するための方法としては、それぞれのガラス組成を異ならせることによりガラスの軟化点を異ならせる方法がもっとも簡便な方法である。その他にも、ガラスとフィラーの量比を異ならせることや第3の添加物としてTiO、CeO、SnOなどの核形成剤を添加することなどでも達成できる。これにより、第2のガラスセラミックグリーンシートが焼成収縮を開始するときには、第1のガラスセラミックグリーンシートの焼成収縮は終了しており、互いの平面方向の収縮を抑制しあうことが可能となる。 Specifically, in selecting the glass ceramic material, the crystallization temperature of the glass contained in the first glass ceramic green sheet is selected to be lower than the softening point of the glass contained in the second glass ceramic green sheet. ing. The simplest method for achieving this is to vary the softening point of the glass by varying the glass composition. In addition, it can also be achieved by varying the amount ratio of glass and filler, or by adding a nucleating agent such as TiO 2 , CeO 2 , or SnO as the third additive. As a result, when the second glass ceramic green sheet starts firing shrinkage, the firing shrinkage of the first glass ceramic green sheet is finished, and the shrinkage in the planar direction of each other can be suppressed.

なお、ここでいう焼成収縮の開始温度とは、対象とする材料を単独で焼成した時に、0.3%体積収縮するときの温度で定義されるものである。また、ここでいう焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し90%以上体積収縮したときの温度をいう。なお、体積収縮はTMA(熱機械分析)の線収縮から体積収縮に換算して決定される。   Here, the firing shrinkage start temperature is defined as the temperature at which the volume shrinks by 0.3% when the target material is fired alone. Moreover, the completion | finish temperature of baking shrinkage here means the temperature when 90% or more of volume shrinkage | contraction with respect to the shrinkage | contraction amount from the state before baking to the state after completion | finish of baking. The volume shrinkage is determined by converting the linear shrinkage of TMA (thermomechanical analysis) into volume shrinkage.

絶縁基体1(第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12d)は、結晶化ガラスを30質量%以上、さらには40〜90質量%、特に50〜80質量%含むことが焼結性の観点から好ましい。そして、絶縁基体1(第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12d)に含まれる結晶化ガラスのうち、残留ガラス量(結晶化していない非晶質部)はいずれも10質量%以下、さらには5質量%以下、特に2質量%以下であることが、平面方向の収縮抑制効果や基板の曲げ強度、誘電損失の観点から望ましい。なお、残留ガラス量は、XRD回折パターンからリートベルト解析により決定することができる。また、ガラスの定量については、試料とZnO(標準試料)を所定の比率で混合し、試料に形成される全ての結晶相とZnO標準試料を考慮したプログラム解析より求めることができる。   The insulating substrate 1 (first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d) is 30% by mass or more of crystallized glass, and further 40 It is preferable from a viewpoint of sinterability to contain -90 mass%, especially 50-80 mass%. Of the crystallized glass contained in the insulating substrate 1 (the first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d), the amount of residual glass (Amorphous part that is not crystallized) is 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly 2% by mass or less. Desirable from a viewpoint. The residual glass amount can be determined from the XRD diffraction pattern by Rietveld analysis. Further, the glass can be determined by a program analysis in which a sample and ZnO (standard sample) are mixed at a predetermined ratio and all crystal phases formed on the sample and a ZnO standard sample are taken into consideration.

具体的には、絶縁基体1(第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12d)は結晶化ガラスと無機フィラーとから構成され、結晶化ガラスとしては、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、スーアナイトのうち少なくとも1種の結晶を形成されたものが好ましい。これらの結晶のうち、誘電特性の点ではディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、ウィレマイト、フォルステライトが望ましく、強度の点ではディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイトが望ましく、誘電特性および強度の点ではディオプサイド、セルシアンが望ましい。また、無機フィラーとしては、Al、SiO、MgTiO、CaZrO、CaTiO、MgSiO、BaTi、ZrTiO、SrTiO、BaTiO、TiO12alN、Siなどを例示できる。これらのうち、誘電特性の点ではAl、MgTiO、CaZrO、CaTiO、MgSiO、BaTiが望ましく、強度の点ではAl、AlN、Siが望ましく、誘電特性および強度の点ではAlが望ましい。 Specifically, the insulating substrate 1 (first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d) is made of crystallized glass and an inorganic filler. As the crystallized glass composed of diopside, hardestite, celsian, cordierite, anorthite, garnite, willemite, spinel, mullite, forsterite, and sourite preferable. Of these crystals, diopside, hardestite, celsian, willemite and forsterite are desirable in terms of dielectric properties, and diopside, celsian, cordierite and anorthite are desirable in terms of strength, and dielectric properties and strength. In this respect, diopside and celsian are desirable. The inorganic filler, Al 2 O 3, SiO 2 , MgTiO 3, CaZrO 3, CaTiO 3, Mg 2 SiO 4, BaTi 4 O 9, ZrTiO 4, SrTiO 3, BaTiO 3, TiO 12a lN, Si 3 N 4 etc. can be illustrated. Among these, Al 2 O 3 , MgTiO 3 , CaZrO 3 , CaTiO 3 , Mg 2 SiO 4 , and BaTi 4 O 9 are desirable in terms of dielectric characteristics, and Al 2 O 3 , AlN, Si 3 N 4 in terms of strength. Al 2 O 3 is desirable in terms of dielectric properties and strength.

このような結晶化ガラスおよび無機フィラーで構成された絶縁基体1(第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12d)は、1000℃以下の温度での焼成により製造することが可能である。   The insulating substrate 1 (first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d) composed of such crystallized glass and inorganic filler is It can be produced by firing at a temperature of 1000 ° C. or lower.

第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eと第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dとは、その製造過程における焼成収縮(焼結)の挙動が異なっているが、この相違のみならず、目的に応じて、比誘電率、曲げ強度、誘電損失、熱伝導率、嵩密度、温度係数などの他の特性が異なっていてもよい。   The first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, and 11e and the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, and 12d have different firing shrinkage (sintering) behavior in the manufacturing process. However, not only this difference but also other characteristics such as relative dielectric constant, bending strength, dielectric loss, thermal conductivity, bulk density, and temperature coefficient may be different depending on the purpose.

また、第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eと第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dとの0〜100℃での熱膨張係数差が2×10−6/℃以下、特に1×10−6/℃以下であるのが好ましい。この範囲であれば、最高焼成温度からの降温過程において、第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eと第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dとの界面にクラックやデラミネーションの生じるおそれが少なくなるからである。 Further, the difference in thermal expansion coefficient at 0 to 100 ° C. between the first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, and 11e and the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, and 12d is 2 × 10 −. It is preferably 6 / ° C. or lower, particularly 1 × 10 −6 / ° C. or lower. Within this range, in the temperature lowering process from the maximum firing temperature, at the interface between the first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d and 11e and the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c and 12d. This is because the risk of cracks and delamination is reduced.

さらに、本実施形態では、第1のガラスセラミック絶縁層と第2のガラスセラミック絶縁層とが交互に積層された構成になっているが、これらは必ずしも交互である必要はなく、少なくとも上側または下側に異なる温度で焼成収縮を開始したガラスセラミック絶縁層が配置されていればよい。具体的には、第1のガラスセラミック絶縁層の直下の層が第1のガラスセラミック絶縁層の場合であっても、第1のガラスセラミック絶縁層の直上の層が第2のガラスセラミック絶縁層であればよい。なお、表層(最上層および最下層)の内側に配置され当該表層に接する層は、表層とは異なる温度で焼成収縮を開始したガラスセラミック絶縁層となる。   Furthermore, in the present embodiment, the first glass ceramic insulating layer and the second glass ceramic insulating layer are alternately laminated. However, these do not necessarily have to be alternated, and at least the upper side or the lower side is not necessarily required. The glass ceramic insulating layer which has started firing shrinkage at different temperatures may be disposed on the side. Specifically, even if the layer immediately below the first glass ceramic insulating layer is the first glass ceramic insulating layer, the layer immediately above the first glass ceramic insulating layer is the second glass ceramic insulating layer. If it is. In addition, the layer which is arrange | positioned inside a surface layer (the uppermost layer and the lowest layer) and touches the said surface layer turns into a glass-ceramic insulating layer which started baking shrinkage at the temperature different from a surface layer.

一方、表面配線層3a、内部配線層3b、貫通導体4およびランド導体2(ランド本体21、環状の突条部22)は、Cu、Ag、Alなどを主成分とする低抵抗導体で形成されている。絶縁基体1(第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eおよび第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12d)が1000℃以下の温度での焼成により製造することができることから、表面配線層3a、内部配線層3b、貫通導体4およびランド導体2を形成する導体材料としてCu、Agなどを主成分とする低抵抗導体を用いることが可能となり、高速伝送を実現できる。なお、導体材料としては、これらの主成分に対して、電気抵抗、熱伝導性を劣化させない範囲で、他の金属、酸化物、ガラス、セラミックス等の無機分を含んでいてもよい。また、表面配線層3a、内部配線層3bおよびランド本体21と貫通導体4および環状の突条部22とは、その製造方法が塗布と充填とで異なることから、例えば、ガラス、無機フィラー等の副成分が異なっていてもよい。   On the other hand, the surface wiring layer 3a, the internal wiring layer 3b, the through conductor 4, and the land conductor 2 (land main body 21, annular protrusion 22) are formed of a low resistance conductor mainly composed of Cu, Ag, Al or the like. ing. The insulating substrate 1 (first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, 11e and second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d) can be manufactured by firing at a temperature of 1000 ° C. or less. Therefore, it is possible to use a low-resistance conductor mainly composed of Cu, Ag, etc. as a conductor material for forming the surface wiring layer 3a, the internal wiring layer 3b, the through conductor 4, and the land conductor 2, thereby realizing high-speed transmission. . The conductive material may contain inorganic components such as other metals, oxides, glass, ceramics, etc. within a range that does not deteriorate the electrical resistance and thermal conductivity with respect to these main components. Further, the surface wiring layer 3a, the internal wiring layer 3b, the land main body 21, the through conductor 4, and the annular protrusion 22 have different manufacturing methods depending on the application and filling. For example, glass, inorganic filler, etc. The subcomponents may be different.

ランド導体2は、積層ずれなどにより貫通導体4同士の接続不良または貫通導体4と配線層(表面配線層3a、内部配線層3b)との接続不良が生じたり、表面実装部品と貫通導体4との接続不良が生じるのを防止するために、貫通導体4に接続して形成されたものである。   In the land conductor 2, a poor connection between the through conductors 4 or a poor connection between the through conductor 4 and the wiring layer (surface wiring layer 3 a, internal wiring layer 3 b) occurs due to a stacking deviation or the like. In order to prevent the occurrence of poor connection, the connection conductor 4 is formed to be connected.

そして、絶縁基体1のうち少なくとも表層を構成する第1のガラスセラミック絶縁層または第2のガラスセラミック絶縁層(本実施形態では第1のガラスセラミック絶縁層11a、11e)を貫通して形成された貫通導体4に接続され、絶縁基体1の表面に形成されたランド導体2が、ランド本体21と、貫通導体4を囲むようにランド本体21から絶縁基体1の内部に向けて突出した環状の突条部22とからなることが重要である。   The insulating substrate 1 is formed so as to penetrate at least the first glass ceramic insulating layer or the second glass ceramic insulating layer (in this embodiment, the first glass ceramic insulating layers 11a and 11e) constituting the surface layer. The land conductor 2 connected to the through conductor 4 and formed on the surface of the insulating base 1 protrudes from the land main body 21 toward the inside of the insulating base 1 so as to surround the land main body 21 and the through conductor 4. It is important to consist of the strip 22.

絶縁基体1の表面に形成されたランド導体2が、表層である第1のガラスセラミック絶縁層11a、11eに形成された貫通導体4を囲むようにランド本体21から絶縁基体1の内部に向けて突出する環状の突条部22を有していることで、めっき液などの水分が多層配線基板の表面から内部に浸入するのを抑制し、信頼性の良好な多層配線基板が得られる。   The land conductor 2 formed on the surface of the insulating base 1 is directed from the land body 21 toward the inside of the insulating base 1 so as to surround the through conductor 4 formed in the first glass ceramic insulating layers 11a and 11e as the surface layer. By having the projecting annular protrusion 22, moisture such as a plating solution is prevented from entering the inside of the multilayer wiring board from the inside, and a highly reliable multilayer wiring board is obtained.

なぜなら、従来は、焼成後に貫通導体となる導体ペーストとガラスセラミックグリーンシートとの間で収縮率に大きな差が生じてしまい、焼成後のガラスセラミック絶縁層と貫通導体との間に間隙が形成され、これにともなってランド導体となる導体ペーストが貫通導体となる導体ペーストに引っ張られるように収縮し、焼成後のランド導体とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されてしまい、結果としてめっき液などの水分が多層配線基板の表面から内部に浸入して、多層配線基板の信頼性が低下するという問題があった。これに対し、製造段階において貫通孔を取り囲むように環状の溝が形成され、この環状の溝に環状の突条部22となる導体ペーストが充填されていることで、焼成によりこの環状の突条部22となる導体ペーストはその内径および外径がともに小さくなるような挙動で収縮することから、貫通導体4となる導体ペーストと突条部22となる導体ペーストとの間に存在するガラスセラミックグリーンシートを締め付けるような応力が生じることになり、焼成後の環状の突条部22の内径側壁面221とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が生じることはなくなるからである。   This is because, conventionally, a large difference in shrinkage ratio occurs between the conductive paste that becomes a through conductor after firing and the glass ceramic green sheet, and a gap is formed between the fired glass ceramic insulating layer and the through conductor. As a result, the conductor paste that becomes the land conductor shrinks so as to be pulled by the conductor paste that becomes the through conductor, and a gap is formed between the land conductor after firing and the glass ceramic insulating layer, resulting in plating. There has been a problem that moisture such as liquid enters the inside from the surface of the multilayer wiring board and the reliability of the multilayer wiring board decreases. On the other hand, an annular groove is formed so as to surround the through-hole in the manufacturing stage, and this annular groove is filled with a conductive paste that becomes the annular protrusion 22, so that this annular protrusion is fired. Since the conductor paste that becomes the portion 22 shrinks in such a manner that both the inner diameter and the outer diameter become smaller, the glass ceramic green that exists between the conductor paste that becomes the through conductor 4 and the conductor paste that becomes the protruding portion 22. This is because stress that tightens the sheet is generated, and no gap is generated between the inner diameter side wall surface 221 of the annular protrusion 22 after firing and the glass ceramic insulating layer.

さらに、この構成によれば、貫通導体4となる導体ペーストと環状の突条部22となる導体ペーストとの間に存在するガラスセラミックグリーンシートが、環状の突条部22となる導体ペーストおよびランド本体21となる導体ペーストの貫通導体側に向かう収縮を妨げるように応力を生じさせるため、貫通導体となる導体ペーストに引っ張られるように収縮するのを抑制し、結果的に焼成後のランド導体2とガラスセラミック絶縁層(11a〜11e、12a〜12d)との間に間隙が形成されてしまうのを抑制することができる。   Further, according to this configuration, the glass ceramic green sheet existing between the conductor paste to be the through conductor 4 and the conductor paste to be the annular protrusion 22 is formed into the conductor paste and the land to be the annular protrusion 22. In order to generate stress so as to prevent contraction of the conductor paste that becomes the main body 21 toward the penetrating conductor, it is suppressed from being contracted so as to be pulled by the conductor paste that becomes the penetrating conductor, and as a result, the land conductor 2 after firing And the formation of a gap between the glass ceramic insulating layers (11a to 11e, 12a to 12d) can be suppressed.

ランド本体21は一般に円板状に形成されたものであるが、特に形状に限定はない。また、環状の突条部22は、貫通導体4と接触しないようになっていれば、ランド本体21のどの位置から突出するように設けられていてもよいが、製造上の観点およびビアホール周辺の応力緩和の観点から外周付近から突出するように設けられているのが好ましい。   The land body 21 is generally formed in a disk shape, but the shape is not particularly limited. Further, the annular protrusion 22 may be provided so as to protrude from any position of the land main body 21 as long as it does not come into contact with the through conductor 4. From the viewpoint of stress relaxation, it is preferably provided so as to protrude from the vicinity of the outer periphery.

環状の突条部22の幅および高さは、間隙が形成されるのを抑制する点においては幅が太く高さが高い方が好ましいが、製造する際の環状の溝への導体ペーストの充填性や高周波信号の伝送性を考慮すると、幅は15〜50μm、高さは15〜50μmであるのが好ましい。   The width and height of the annular ridge 22 are preferably thicker and higher in terms of suppressing the formation of gaps, but the conductor paste is filled in the annular groove during manufacturing. In consideration of the characteristics and high-frequency signal transmission properties, the width is preferably 15 to 50 μm and the height is preferably 15 to 50 μm.

さらに、焼成後のガラスセラミック絶縁層と貫通導体との間に間隙が形成されるのを抑制する効果を高めるためには、図2に示すように、すべてのランド導体2に環状の突条部22が設けられるのが好ましい。   Furthermore, in order to enhance the effect of suppressing the formation of a gap between the fired glass ceramic insulating layer and the through conductor, as shown in FIG. 22 is preferably provided.

以上の構成により、環状の突条部22の貫通導体側壁面(内径側壁面221)とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されることがなく、内部への水分浸入が抑制された信頼性の高い多層配線基板を実現することができる。   With the above configuration, a gap is not formed between the through conductor side wall surface (inner diameter side wall surface 221) of the annular protrusion 22 and the glass ceramic insulating layer, and the moisture intrusion into the interior is suppressed. A multilayer wiring board with high performance can be realized.

次に、上記多層配線基板の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board will be described.

まず、異なる温度で焼成収縮を開始し、低温側で焼成収縮を開始する第1のガラス粉末を含む第1のガラスセラミックグリーンシートおよび高温側で焼成収縮を開始する第2のガラス粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートを作製する。   First, a first glass ceramic green sheet containing a first glass powder that starts firing shrinkage at a different temperature and starts firing shrinkage at a low temperature side, and a second glass powder containing a second glass powder that starts firing shrinkage at a high temperature side. 2 glass ceramic green sheets are prepared.

焼成後に第1のガラスセラミック絶縁層11a、11b、11c、11d、11eとなる低温側で焼成収縮を開始する第1のガラス粉末を含む第1のガラスセラミックグリーンシートとしては、例えば、SiOを10〜30質量%と、Alを1〜9質量%と、MgOを5〜30質量%と、BaOを21〜35質量%と、Bを10〜30質量%と、Y3、CaO、SrO、ZnO、TiO、NaO、SnO、P、ZrOおよびLiOから選ばれる少なくとも1種を0〜20質量%とからなる40〜90質量%のガラス粉末と、Al、SiO、MgTiO、CaZrO、CaTiO、BaTi、SrTiO、ZrO、TiO、AlNおよびSiから選ばれる少なくとも1種を含む10〜60質量%のセラミックフィラーとから構成される原料粉末が採用される。 As the first glass ceramic green sheet containing the first glass powder that starts firing shrinkage on the low temperature side that becomes the first glass ceramic insulating layers 11a, 11b, 11c, 11d, and 11e after firing, for example, SiO 2 is used. and 10 to 30 wt%, and the Al 2 O 3 1 to 9 wt%, and 5 to 30 wt% of MgO, and 21 to 35 wt% of BaO, and the B 2 O 3 10 to 30 wt%, Y 2 O 3, CaO, SrO, ZnO, TiO 2, Na 2 O, 40~90 mass consisting of at least one of 0 to 20 wt% selected from SnO 2, P 2 O 5, ZrO 2 and Li 2 O % glass powder, Al 2 O 3, SiO 2 , MgTiO 3, CaZrO 3, CaTiO 3, BaTi 4 O 9, SrTiO 3, ZrO 2, TiO 2, AlN and Si Raw material powder composed of 10 to 60 wt% of ceramic filler containing at least one selected from N 4 is employed.

一方、焼成後に第2のガラスセラミック絶縁層12a、12b、12c、12dとなる高温側で焼成収縮を開始する第2のガラス粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートとしては、例えば、SiOを20〜60質量%と、Alを10〜25質量%と、MgOを8〜35質量%、BaOを10〜20質量%と、B、Y、CaO、SrO、NaO、SnO、P、ZrOおよびLiOから選ばれる少なくとも1種を0〜20質量%とからなる30〜100質量%のガラス粉末と、Al、SiO、MgTiO、CaZrO、CaTiO、BaTi、SrTiO、ZrO、TiO、AlN、Siから選ばれる少なくとも1種を含む0〜70質量%のセラミックフィラーとから構成される原料粉末が採用される。 On the other hand, as the second glass ceramic green sheet containing the second glass powder that starts firing shrinkage on the high temperature side that becomes the second glass ceramic insulating layers 12a, 12b, 12c, 12d after firing, for example, SiO 2 and 20 to 60 wt%, Al 2 and O 3 10 to 25 wt%, the MgO 8 to 35 wt%, and 10 to 20 wt% of BaO, B 2 O 3, Y 2 O 3, CaO, SrO, At least one selected from Na 2 O, SnO 2 , P 2 O 5 , ZrO 2 and Li 2 O, 30 to 100% by mass of glass powder, Al 2 O 3 , SiO 2 , MgTiO 3, CaZrO 3, CaTiO 3, BaTi 4 O 9, SrTiO 3, 0 comprising the ZrO 2, TiO 2, AlN, at least one selected from Si 3 N 4 Raw material powder is employed comprised of a 70 wt% ceramic filler.

そして、第1のガラスセラミックグリーンシートおよび第2のガラスセラミックグリーンシートは、上記原料粉末に焼成途中で容易に揮発する揮発性有機バインダーおよび有機溶剤、さらに必要に応じて可塑剤を混合してスラリー化し、このスラリーを用いてリップコーター法やドクターブレード法などによってテープ成形を行い、所定寸法に切断することで作製される。   The first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet are slurries obtained by mixing the raw material powder with a volatile organic binder and an organic solvent that easily volatilize during firing, and, if necessary, a plasticizer. This slurry is used to form a tape by a lip coater method, a doctor blade method, or the like, and cut into a predetermined size.

このとき、第1のガラスセラミックグリーンシート1枚と第2のガラスセラミックグリーンシート1枚を加熱圧着して、複合ガラスセラミックグリーンシートを作製しておいてもよく、この場合には後述する貫通孔の形成や環状の溝の形成は複合ガラスセラミックグリーンシートを作製した後になされる。なお、この場合、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートのうちのどちらか一方をペースト状(絶縁体ペースト)にしておいてもよい。   At this time, one glass ceramic green sheet and one glass ceramic green sheet may be thermocompression bonded to produce a composite glass ceramic green sheet. And the annular groove are formed after the composite glass ceramic green sheet is produced. In this case, either one of the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet may be pasted (insulator paste).

次に、第1のガラスセラミックグリーンシートおよび第2のガラスセラミックグリーンシートを含む積層体を作製した際に積層体の少なくとも表層に配置される、第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートに、貫通孔を形成してこの貫通孔に導体ペーストを充填する。また、積層体の少なくとも表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの一方の主面に、貫通孔の上側から少なくとも環状の溝の上側までの領域にかけて導体ペーストを塗布する。   Next, when the laminated body containing the 1st glass ceramic green sheet and the 2nd glass ceramic green sheet is produced, the 1st glass ceramic green sheet or 2nd glass ceramic arrange | positioned at least on the surface layer of a laminated body A through hole is formed in the green sheet, and the through hole is filled with a conductive paste. Also, a conductor paste is applied to one main surface of the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed on at least the surface layer of the laminate from the upper side of the through hole to at least the upper side of the annular groove. Apply.

具体的には、後に形成される積層体の少なくとも表層(最上層および最下層)に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートへの貫通孔の形成は、パンチング、レーザー、エッチング等の方法などによって行われる。ここで、後に形成される積層体の少なくとも表層(最上層および最下層)に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの一方の主面には、貫通孔の形成と同時に貫通孔を取り囲む環状の溝が形成される。貫通孔をパンチングで形成する場合には、貫通孔を形成するためのピンと、ピンの根本に垂直に固着された円板状部と、円板状部から突出する環状の突条部とからなる断面略T字状の部分を有する金型を用意してパンチすることで、ガラスセラミックグリーンシートに貫通孔と環状の溝とを同時に形成することができる。また、貫通孔をレーザーで形成する場合には、貫通孔の形成に比して出力を抑えるかショット数を抑えることで、レーザーで環状の溝を形成することができる。   Specifically, the formation of through holes in the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed in at least the surface layer (the uppermost layer and the lowermost layer) of the laminate formed later is punching, It is performed by a method such as laser or etching. Here, a through hole is formed on one main surface of the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed in at least the surface layer (the uppermost layer and the lowermost layer) of the laminate formed later. At the same time, an annular groove surrounding the through hole is formed. When the through hole is formed by punching, it includes a pin for forming the through hole, a disk-like portion fixed perpendicularly to the root of the pin, and an annular ridge protruding from the disk-like portion. By preparing and punching a mold having a substantially T-shaped section, a through-hole and an annular groove can be simultaneously formed in the glass ceramic green sheet. Further, when the through hole is formed with a laser, an annular groove can be formed with a laser by suppressing the output or the number of shots as compared with the formation of the through hole.

そして、貫通孔および環状の溝に導体ペーストを充填する。導体ペーストとして、金粉末、銀粉末、銅粉末、アルミニウム粉末のいずれかに対して、有機バインダー、有機溶剤、必要に応じて、有機物や無機物の添加剤を加えて、3本ロールで混練したものを用いる。充填には、貫通導体形成位置に一致する箇所に穿孔されたメタルマスク、あるいは、エマルジョンメッシュスクリーンマスクを用いて、スクリーン印刷する方法を用いる。このとき、マスクを通して導体ペーストを押し出す方法として、通常のポリウレタン製等の板状(あるいは剣状)のスキージを用いる方法でもよく、ペースト押し出し式のスキージヘッドを用いて、ペーストを加圧注入する方法でもよい。また、導体ペーストの粘度や印刷条件を調整して、充填した導体ペーストが貫通孔上および環状の溝上でセラミックグリーンシート表面から突出するように過充填する。その後、必要に応じて、突出した導体ペーストをプレスして、押し込む。   Then, the conductor paste is filled into the through hole and the annular groove. As a conductive paste, an organic binder, an organic solvent, and, if necessary, an organic or inorganic additive added to gold powder, silver powder, copper powder, or aluminum powder, and kneaded with three rolls Is used. For the filling, a screen printing method is used by using a metal mask or an emulsion mesh screen mask perforated at a position corresponding to the through conductor forming position. At this time, as a method for extruding the conductor paste through the mask, a method using a normal polyurethane plate-like (or sword-like) squeegee may be used, and a method of pressurizing and injecting the paste using a paste extrusion type squeegee head But you can. Further, the viscosity of the conductor paste and the printing conditions are adjusted, and the filled conductor paste is overfilled so as to protrude from the surface of the ceramic green sheet on the through hole and the annular groove. Thereafter, the protruding conductor paste is pressed and pushed in as necessary.

さらに、表面配線層3a、内部配線層3bおよびランド本体21となる導体ペーストをスクリーン印刷法などによって塗布する。導体ペーストとして、金粉末、銀粉末、銅粉末、アルミニウム粉末のいずれかに対して、有機バインダー、有機溶剤、必要に応じて、有機物や無機物の添加剤を加えて、3本ロールで混練したものを用いる。なお、ここで用いられる導体ペーストは、貫通孔内および環状の溝に充填した導体ペーストとは、例えば有機溶剤の量を異ならせるなどの手段によって、粘度が異なっているものである。具体的には、貫通孔および環状の溝に充填した導体ペーストよりも粘度を低くすることで、厚みを薄くすることができ、精度のよいパターンを形成することができるようにしたものである。これに対し、貫通孔や環状の溝に充填される導体ペーストは、充填後に垂れないように粘度が高くなっている。   Further, a conductor paste that becomes the surface wiring layer 3a, the internal wiring layer 3b, and the land body 21 is applied by a screen printing method or the like. As a conductive paste, an organic binder, an organic solvent, and, if necessary, an organic or inorganic additive added to gold powder, silver powder, copper powder, or aluminum powder, and kneaded with three rolls Is used. The conductor paste used here has a viscosity different from that of the conductor paste filled in the through-holes and the annular grooves, for example, by means such as varying the amount of the organic solvent. Specifically, by making the viscosity lower than that of the conductor paste filled in the through holes and the annular grooves, the thickness can be reduced and an accurate pattern can be formed. On the other hand, the conductive paste filled in the through holes and the annular grooves has a high viscosity so that it does not sag after filling.

このようにして得られたそれぞれのガラスセラミックグリーンシートを所定の積層順序に応じて積層して積層体を形成する。具体的には、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートとが接するように積層して、表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの一方の主面を表面とする積層体を作製する。   Each glass ceramic green sheet obtained in this way is laminated according to a predetermined lamination order to form a laminate. Specifically, the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet is laminated so that the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet are in contact with each other and arranged on the surface layer. A laminate having one main surface as a surface is produced.

最後に、積層体を焼成する。所望により100〜800℃、特に400〜750℃で加熱処理して積層体中の有機成分を分解除去した後、十分に焼結させるとともに過焼結を防止する点から、800〜1000℃、特に850〜950℃で焼成する。   Finally, the laminate is fired. If desired, heat treatment is performed at 100 to 800 ° C., particularly 400 to 750 ° C. to decompose and remove the organic components in the laminate, and then it is sufficiently sintered and prevented from oversintering, particularly 800 to 1000 ° C. Bake at 850-950 ° C.

このような製造方法により、ガラスセラミックグリーンシートに形成された環状の溝に充填された導体ペーストが貫通導体となる導体ペースト側(内径側)のグリーンシート側壁に引き寄せられるように焼成収縮することから、ランド導体に設けられた環状の突条部の貫通導体側(内径側)の側壁とガラスセラミック絶縁層との間に間隙が形成されることなく、内部への水分浸入が抑制された信頼性の高い多層配線基板が得られる。   By such a manufacturing method, the conductive paste filled in the annular groove formed in the glass ceramic green sheet shrinks by firing so as to be drawn to the side of the green sheet on the conductor paste side (inner diameter side) serving as a through conductor. In addition, there is no gap formed between the side wall on the through conductor side (inner diameter side) of the annular ridge provided on the land conductor and the glass ceramic insulating layer, and the reliability of moisture penetration is suppressed. A multilayer wiring board having a high level can be obtained.

まず、焼成後に第1のガラスセラミック絶縁層となる第1のガラスセラミックグリーンシートを形成する原料粉末として、23.8質量%のSiO、8.4質量%のAl、15.4質量%のMgO、26.5質量%のBaO、17.9質量%のB、4.9質量%のCaO、0.4質量%のSrO、1.0質量%のSnO、1.7質量%のZrOからなる60質量%のガラス粉末と、40質量%のAlフィラーとから構成されるものを用意した。 First, as the raw material powder for forming the first glass ceramic green sheet that becomes the first glass ceramic insulating layer after firing, 23.8% by mass of SiO 2 , 8.4% by mass of Al 2 O 3 , 15.4 mass% of MgO, 26.5 wt% of BaO, 17.9 wt% of B 2 O 3, 4.9 wt% of CaO, 0.4 wt% of SrO, SnO 2 of 1.0 wt%, 1 A material composed of 60% by mass of glass powder composed of 0.7% by mass of ZrO 2 and 40% by mass of Al 2 O 3 filler was prepared.

また、焼成後に第2のガラスセラミック絶縁層となる第2のガラスセラミックグリーンシートを形成する原料粉末として、43.3質量%のSiO、12.9質量%のAl、18.0質量%のMgO、14.1質量%のBaO、7.5質量%のB、1.0質量%のY、1.7質量%のCaO、0.5質量%のSrO、1.0質量%のZrOからなる60質量%のガラス粉末と、40質量%のAlフィラーとから構成されるものを用意した。 Further, as the raw material powder for forming the second glass-ceramic green sheets serving as the second glass-ceramic insulating layer after firing, 43.3 wt% of SiO 2, 12.9 wt% of Al 2 O 3, 18.0 mass% of MgO, 14.1 wt% of BaO, 7.5 wt% of B 2 O 3, 1.0 wt% of Y 2 O 3, 1.7 wt% of CaO, 0.5 wt% of SrO A glass powder composed of 60% by mass of ZrO 2 and 1.0% by mass of ZrO 2 and 40% by mass of Al 2 O 3 filler was prepared.

それぞれの原料粉末に、アクリル有機バインダー、可塑剤、有機溶剤を添加して、スラリーを作製し、ドクターブレード法により薄層化し、第1のガラスセラミックグリーンシートおよび第2のガラスセラミックグリーンシートを作製した。このとき、第1のガラスセラミックグリーンシートの厚みは、焼成後に37μmとなるように作製した。第2のガラスセラミックグリーンシートの厚みは74μmとなるように作製した。   Acrylic organic binder, plasticizer, and organic solvent are added to each raw material powder to produce a slurry, which is made into a thin layer by a doctor blade method to produce a first glass ceramic green sheet and a second glass ceramic green sheet. did. At this time, the thickness of the first glass ceramic green sheet was prepared to be 37 μm after firing. The second glass ceramic green sheet was prepared to have a thickness of 74 μm.

また、第1のガラスセラミックグリーンシート1枚と第2のガラスセラミックグリーンシート1枚を加熱圧着して複合ガラスセラミックグリーンシートを作製した。   In addition, one glass ceramic green sheet and one second glass ceramic green sheet were thermocompression bonded to produce a composite glass ceramic green sheet.

次に、銀粉末に、β石英、バリウムホウ珪酸ガラス及び有機ビヒクルを添加し、これらを攪拌した後、銀粉末及び有機バインダーの凝集体がなくなるまで3本ロールミルで混合し、ペースト化し、導体ペーストを作製した。有機ビヒクルは、有機バインダーとして、エチルセルロースを5質量%、有機溶剤としてα−テルピネオールを95質量%とから構成し、この有機ビヒクルを、銀粉末100質量部に対して15質量部添加した。   Next, beta quartz, barium borosilicate glass and organic vehicle are added to the silver powder, and these are stirred and then mixed with a three-roll mill until there is no aggregate of silver powder and organic binder. Produced. The organic vehicle was composed of 5% by mass of ethyl cellulose as an organic binder and 95% by mass of α-terpineol as an organic solvent, and 15 parts by mass of this organic vehicle was added to 100 parts by mass of silver powder.

次に、上記の第1のガラスセラミックグリーンシート、第2のガラスセラミックグリーンシートおよび複合ガラスセラミックグリーンシートに貫通導体を形成すべく、パンチングによって貫通孔を形成した。なお、貫通孔を形成するためのピンの周囲に環状の溝を形成するような環状の突条部を有する構造の金型を用い、貫通孔と同時に環状の溝を形成した。   Next, through holes were formed by punching in order to form through conductors in the first glass ceramic green sheet, the second glass ceramic green sheet, and the composite glass ceramic green sheet. In addition, the cyclic | annular groove | channel was formed simultaneously with the through-hole using the metal mold | die of the structure which has the cyclic | annular protrusion part which forms an annular groove around the pin for forming a through-hole.

次に、上記の導体ペーストを貫通孔および環状の溝に充填した。導体ペーストの充填には、ペースト押出式のヘッドを備えたオンコンタクト印刷機を用いた。   Next, the above-mentioned conductor paste was filled in the through holes and the annular grooves. An on-contact printer equipped with a paste extrusion head was used for filling the conductor paste.

また、複合ガラスセラミックグリーンシート(第1のガラスセラミックグリーンシートおよび第2のガラスセラミックグリーンシート)と第1のガラスセラミックグリーンシートの表面に、表面配線層、内部配線層およびランド本体となる導体ペーストをスクリーン印刷により被着形成した。なお、上記貫通孔および環状の溝に充填した導体ペーストよりも粘度が低くなっている。   Also, a conductive paste serving as a surface wiring layer, an internal wiring layer, and a land body on the surface of the composite glass ceramic green sheet (first glass ceramic green sheet and second glass ceramic green sheet) and the first glass ceramic green sheet. Was deposited by screen printing. The viscosity is lower than that of the conductor paste filled in the through holes and the annular grooves.

次に、導体ペーストを充填した第1のガラスセラミックグリーンシート、第2のガラスセラミックグリーンシートおよび複合ガラスセラミックグリーンシートを平板金型でプレスし、第1のガラスセラミックグリーンシート、第2のガラスセラミックグリーンシートおよび複合ガラスセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製するとともに、導体ペーストの積層体表面から突出した部分を貫通孔に押し込んだ。   Next, the first glass ceramic green sheet, the second glass ceramic green sheet and the composite glass ceramic green sheet filled with the conductive paste are pressed with a flat plate mold, and the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic are pressed. A green sheet and a composite glass ceramic green sheet were laminated to produce a laminate, and a portion protruding from the surface of the conductor paste laminate was pushed into the through hole.

このとき、表層(最上層および最下層)として第1のガラスセラミックグリーンシートを配置し、表層の内側に接するように第2のガラスセラミックグリーンシートを配置し、第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートとが交互に配置されるように、複合ガラスセラミックグリーンシート(第1のガラスセラミックグリーンシートおよび第2のガラスセラミックグリーンシート)と第1のガラスセラミックグリーンシートを組み合わせた。具体的には、5枚の第1のガラスセラミックグリーンシートと4枚の第2のガラスセラミックグリーンシートを用いて、計9層のガラスセラミックグリーンシートからなる積層体とした。   At this time, the first glass ceramic green sheet is disposed as a surface layer (the uppermost layer and the lowermost layer), the second glass ceramic green sheet is disposed so as to contact the inside of the surface layer, and the first glass ceramic green sheet and the first glass ceramic green sheet The composite glass ceramic green sheets (the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet) and the first glass ceramic green sheet were combined so that the two glass ceramic green sheets were alternately arranged. Specifically, a laminate composed of a total of 9 layers of glass ceramic green sheets was formed using five first glass ceramic green sheets and four second glass ceramic green sheets.

その後、この積層体を大気中400℃で3時間脱バインダー処理し、さらに、大気中900℃で1時間焼成して、表1に示す高さの環状の突条部を有するランド導体を表面に備えた多層配線基板を作製した。   Thereafter, this laminate was subjected to binder removal treatment at 400 ° C. for 3 hours in the atmosphere, and further fired at 900 ° C. for 1 hour in the atmosphere, so that land conductors having annular protrusions having a height shown in Table 1 were formed on the surface. The provided multilayer wiring board was produced.

そして、得られた多層配線基板において、表層を構成する第1のガラスセラミック絶縁層に形成された貫通導体の周囲への水分浸入の有無を調査するため、蛍光探傷液に浸漬させた状態で2時間真空加圧し、表面の蛍光探傷液を拭き取った後、上面を研磨してランド本体を取り除き、ブラックライト照射下での発光を光学顕微鏡で観察した。なお、上記の多層配線基板は最上層に289個の貫通導体を有するもので、測定は上記の多層配線基板12個について、貫通導体が合計で3468個について行ったものである。その結果を表1に示す。   And in the obtained multilayer wiring board, in order to investigate the presence or absence of moisture permeation to the periphery of the through conductor formed in the first glass ceramic insulating layer constituting the surface layer, 2 After vacuum-pressurizing for a period of time and wiping off the fluorescent flaw detection liquid on the surface, the upper surface was polished to remove the land body, and light emission under black light irradiation was observed with an optical microscope. The multilayer wiring board has 289 through conductors in the uppermost layer, and the measurement was performed on 12 multilayer conductors on a total of 3468 through conductors. The results are shown in Table 1.

Figure 2009231414
Figure 2009231414

試料No.1〜6は、ランド導体を構成する環状の突条部の高さを変化させて、蛍光探傷液の浸入の有無を確認したものである。   Sample No. In Nos. 1 to 6, the height of the annular ridges constituting the land conductor is changed to confirm whether or not the fluorescent flaw detection liquid has entered.

ランド導体に環状の突条部を形成していない試料No.1では3468個の貫通導体に対して210個(6.1%)で蛍光探傷液の発光が見られ、水分浸入が起きていることが確認された。   Sample No. in which no ring-shaped protrusion is formed on the land conductor. In 1, the emission of fluorescent flaw detection liquid was observed in 210 (6.1%) with respect to 3468 through conductors, and it was confirmed that moisture permeation occurred.

これに対し、ランド導体に高さ5〜10μmの環状の突条部を形成した試料No.2および3においては、蛍光探傷液の発光が極めて少ないことが確認された。   On the other hand, sample No. 1 in which an annular protrusion having a height of 5 to 10 μm was formed on the land conductor. In 2 and 3, it was confirmed that the fluorescence flaw detection liquid emits very little light.

特に、ランド導体に高さ15〜25μmの環状の突条部を形成した試料No.4〜6においては、蛍光探傷液の発光は確認されず、貫通導体の周囲への水分浸入が起きていないことが確認された。   In particular, sample No. 1 in which an annular protrusion having a height of 15 to 25 μm was formed on the land conductor. In Nos. 4 to 6, it was confirmed that the fluorescence flaw detection liquid did not emit light and that no moisture had entered the periphery of the through conductor.

以上の結果より環状の突条部の高さが高くなるほど蛍光探傷液の発光率が低下する傾向にあることがわかる。環状の突条部の高さが高くなることにより、ランド導体に形成された環状の突条部の貫通導体側壁面(内径側壁面)とガラスセラミック絶縁層との接着面積の増加によるものと考えられる。   From the above results, it can be seen that the emission rate of the fluorescent flaw detection liquid tends to decrease as the height of the annular ridge increases. This is thought to be due to an increase in the bonding area between the through-conductor side wall surface (inner diameter side wall surface) of the annular ridge formed on the land conductor and the glass ceramic insulating layer due to the height of the annular ridge. It is done.

本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of one Embodiment of the multilayer wiring board of this invention. 本発明の多層配線基板の他の実施形態の概略断面図であり、すべてのランド導体に環状の突条部が設けられた構成を示している。It is a schematic sectional drawing of other embodiment of the multilayer wiring board of this invention, and has shown the structure by which the cyclic | annular protrusion was provided in all the land conductors.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁基体
11a、11b、11c、11d、11e 第1のガラスセラミック絶縁層
12a、12b、12c、12d 第2のガラスセラミック絶縁層
2 ランド導体
21 ランド本体
22 環状の突条部
221 内径側壁面
3a 表面配線層
3b 内部配線層
4 貫通導体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating base | substrate 11a, 11b, 11c, 11d, 11e 1st glass ceramic insulating layer 12a, 12b, 12c, 12d 2nd glass ceramic insulating layer 2 Land conductor 21 Land main body 22 Annular rib part 221 Inner diameter side wall surface 3a Surface wiring layer 3b Internal wiring layer 4 Through conductor

Claims (2)

異なる温度で焼成収縮を開始した2種類のガラスセラミック絶縁層を含み、低温側で焼成収縮を開始した第1のガラスセラミック絶縁層と該第1のガラスセラミック絶縁層よりも高温側で焼成収縮を開始した第2のガラスセラミック絶縁層とが接するように積層されてなり、少なくとも前記第1のガラスセラミック絶縁層または前記第2のガラスセラミック絶縁層が表層を構成してなる絶縁基体と、該絶縁基体のうち少なくとも表層を構成する前記第1のガラスセラミック絶縁層または前記第2のガラスセラミック絶縁層を貫通して形成された貫通導体と、前記絶縁基体の表面に形成され前記貫通導体に接続されたランド導体とを備えた多層配線基板であって、前記ランド導体が、ランド本体と、前記貫通導体を囲むように前記ランド本体から前記絶縁基体の内部に向けて突出した環状の突条部とからなることを特徴とする多層配線基板。 It includes two types of glass ceramic insulating layers that have started firing shrinkage at different temperatures, the first glass ceramic insulating layer that has started firing shrinkage on the low temperature side, and the firing shrinkage on the higher temperature side than the first glass ceramic insulating layer An insulating substrate which is laminated so as to be in contact with the started second glass ceramic insulating layer, and at least the first glass ceramic insulating layer or the second glass ceramic insulating layer constitutes a surface layer; and the insulation A through conductor formed through the first glass ceramic insulating layer or the second glass ceramic insulating layer constituting at least a surface layer of the base, and a surface formed on the insulating base and connected to the through conductor A multi-layer wiring board provided with a land conductor, wherein the land conductor surrounds the land body and the through conductor so as to surround the land body. Multi-layer wiring board, characterized in that comprising a ridge portion of the annular protruding toward the inside of the insulating substrate. 低温側で焼成収縮を開始する第1のガラス粉末を含む第1のガラスセラミックグリーンシートおよび高温側で焼成収縮を開始する第2のガラス粉末を含む第2のガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記第1のガラスセラミックグリーンシートおよび前記第2のガラスセラミックグリーンシートを含む積層体を作製した際に該積層体の少なくとも表層に配置される、第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートに、貫通孔を形成して該貫通孔に導体ペーストを充填するとともに、前記積層体の少なくとも表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの一方の主面に、前記貫通孔を取り囲む環状の溝を形成して該環状の溝に導体ペーストを充填した後、前記貫通孔の上側から少なくとも前記環状の溝の上側までの領域にかけて導体ペーストを塗布する工程と、
第1のガラスセラミックグリーンシートと第2のガラスセラミックグリーンシートとが接するように積層して、前記表層に配置される第1のガラスセラミックグリーンシートまたは第2のガラスセラミックグリーンシートの前記一方の主面を表面とする積層体を作製する工程と、
前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Producing a first glass ceramic green sheet containing a first glass powder that starts firing shrinkage on a low temperature side and a second glass ceramic green sheet containing a second glass powder starting firing shrinkage on a high temperature side; ,
The first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic disposed in at least the surface layer of the laminate when the laminate including the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet is produced. A through hole is formed in the green sheet, the conductor paste is filled in the through hole, and one of the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed on at least the surface layer of the laminate is provided. A step of forming an annular groove surrounding the through-hole on the surface and filling the annular groove with a conductive paste, and then applying the conductive paste from the upper side of the through-hole to at least the upper side of the annular groove. When,
The first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet is laminated so that the first glass ceramic green sheet and the second glass ceramic green sheet are in contact with each other, and the first glass ceramic green sheet or the second glass ceramic green sheet disposed on the surface layer. Producing a laminate having a surface as a surface;
And a step of firing the laminated body.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105244324A (en) * 2015-11-10 2016-01-13 河北中瓷电子科技有限公司 Ceramic insulator for electronic packaging and manufacturing method thereof
WO2017002434A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic substrate and method for producing multilayer ceramic substrate
US9686872B2 (en) 2013-10-08 2017-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic multilayer substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9686872B2 (en) 2013-10-08 2017-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic multilayer substrate
WO2017002434A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic substrate and method for producing multilayer ceramic substrate
JPWO2017002434A1 (en) * 2015-06-29 2018-02-22 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing multilayer ceramic substrate
US10626054B2 (en) 2015-06-29 2020-04-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing multilayer ceramic substrate
CN105244324A (en) * 2015-11-10 2016-01-13 河北中瓷电子科技有限公司 Ceramic insulator for electronic packaging and manufacturing method thereof
CN105244324B (en) * 2015-11-10 2017-09-29 河北中瓷电子科技有限公司 Ceramic insulator used for electronic packaging and preparation method thereof

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