JP2008134836A - タッチパネル装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】タッチが無い場合の検出レベルを一定に揃えて、レベルの変化を確実に判定する。
【解決手段】DAコンバータ24は、CPU21から出力される複数ビットのデジタル信号をアナログ値に変換して、ゲインコントロールアンプ17の制御端子に供給する。また、CPU21は制御信号を生成して、アナログマルチプレクサ14及び16、サンプルホールド回路19、AD変換回路20にそれぞれ送出している。そしてこの装置において、ROM22の中には、例えば8ビットのデータ長で表される数値が1600個分確保された参照テーブル22aが設けられている。そこでCPU21では、アナログマルチプレクサ14及び16に任意の組み合わせの番号(x,y)で選択を行わせると同時に、上記の1600個の中からの番号(x,y)に対応する場所の数値を読み取り、この数値をDA変換回路24に出力し、ゲインコントロールアンプ17のゲインを制御する。
【選択図】図1
【解決手段】DAコンバータ24は、CPU21から出力される複数ビットのデジタル信号をアナログ値に変換して、ゲインコントロールアンプ17の制御端子に供給する。また、CPU21は制御信号を生成して、アナログマルチプレクサ14及び16、サンプルホールド回路19、AD変換回路20にそれぞれ送出している。そしてこの装置において、ROM22の中には、例えば8ビットのデータ長で表される数値が1600個分確保された参照テーブル22aが設けられている。そこでCPU21では、アナログマルチプレクサ14及び16に任意の組み合わせの番号(x,y)で選択を行わせると同時に、上記の1600個の中からの番号(x,y)に対応する場所の数値を読み取り、この数値をDA変換回路24に出力し、ゲインコントロールアンプ17のゲインを制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えばディスプレイに併設される透明型のタッチパネル装置に関する。詳しくは、コンピュータの入力手段に使用して好適なタッチパネル装置であって、特に耐久性に優れる静電結合容量方式を用いて信号強度を測定すると共に、補間演算を行って並設される電極群の間隔より詳細な解像度で位置座標を得られるようにするものである。
従来の透明型のタッチパネル装置では、例えばITO膜を蒸着したガラス板とITO膜を蒸着した薄いフィルム等とを狭い間隔で対向させ、フィルムが押されてITO膜同士が接触した位置を検出する、いわゆる抵抗膜方式が一般的に使用されている(例えば、特許文献1参照。)。しかしながら抵抗膜方式のタッチパネル装置では、ある程度強く押さないと入力ができず、ITO膜の物理的な耐久性等に問題がある。
これに対して、低コストで耐久性に優れた方式として、静電容量結合方式を採用したタッチパネル装置が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。この方式では、X軸方向に並設された複数のITO膜のライン群と、Y軸方向に並設された複数のITO膜のライン群の中から1本ずつを選択し、その一方に交流電圧を印加し、静電容量により他方に誘導される電圧が、指の接近によって低下することを利用して検出を行うものである。
さらに、本願出願人は、予てより電磁授受方式によるデジタイザを提案し、その際に検出信号の補間処理を行って、より詳細な位置座標が得られるようにする技術を開発している(例えば、特許文献3参照。)。
特開2000−305715号公報
特開平8−179871号公報
特許3015278号公報
上述したように、一般的に使用されている抵抗膜方式のタッチパネル装置では、物理的な耐久性等に問題がある。これに対して、静電容量結合方式を採用したタッチパネル装置は、低コストで耐久性に優れた方式として知られているものである。
すなわち、静電容量結合方式のタッチパネル装置は、抵抗膜方式の装置とさほど変わらないコストで製造できると共に、ITO膜が操作等によって傷つく恐れが極めて低いために、耐久性の面でも優れたものと考えられている。しかしながら、このような静電容量結合方式のタッチパネル装置は、一般的にはあまり実用化されていない。その課題の主たるものは、ITO膜の特性の不安定さである。
ここで、例えばガラスに蒸着可能でかつ光の透過性を損なわないITO膜は、一般的に100〜500Ω/□程度の面抵抗を有している。従って、例えばラインの幅が2mmで長さが200mmだとして面抵抗が仮に100Ω/□だったとしても、このラインの抵抗は10KΩにもなる。そしてタッチパネル装置では、このような分布抵抗を持つラインに多くの他のラインが交叉する形態となっている。
この場合に、これらの交叉部分に発生する静電容量に対してラインの抵抗分が無視できなくなり、ライン上の電圧は駆動端で最も高く、駆動端から遠ざかる程低いものになる。この変動は、信号を検出する側のラインについても同様である。従って、駆動ラインと検出ラインの交点の位置が検出回路側に近ければ、誘導電圧はそのまま検出回路の入力に加わるが、検出回路から遠いほど検出回路の入力に加わる電圧は低下することになる。
このように従来の静電容量結合方式では、検出面の場所による検出電圧の違いが大きなものになる。これに対して、手を近づけたときに検出される電圧の変化は僅かなものであることから、その変化は検出電圧の大きな違いに紛れて電圧の変化を正確に検出することができない。また、特許文献3に開示されているように信号変化を補間して、位置座標を正確に求めるような手段を講じることもできないといった問題があった。
この発明はこのような問題点に鑑みて成されたものであって、本発明の目的は、どの場所をタッチしても信号変化を確実に検出することができ、また、その位置を正確に求めることができるタッチパネル装置を提供することである。また、本発明のさらなる目的は、低コストで耐久性が高く、かつ、デザイン的な制約の少ないタッチパネル装置を提供することである。
上記の課題を解決し、本発明の目的を達成するため、請求項1に記載された発明は、第一の平面上に複数の透明電極ラインをY軸方向に並設したY軸電極群と、第一の平面と一定の距離を隔てた第二の平面上にY軸電極群と互いに交差するX軸方向に複数の透明電極ラインを並設したX軸電極群とを有し、Y軸電極群の中から順次選択した一つのY電極に交流電圧を印加し、X軸電極群の中から順次選択した一つのX電極に誘導される電圧の信号強度を測定し、信号強度が変化したときに順次選択されるY電極及びX電極によりY軸方向とX軸方向の位置座標を求めるようにしたタッチパネル装置において、選択されたY電極とX電極の組み合わせごとに値の記憶された二次元の参照テーブルと、参照テーブルに記憶された値によって信号強度の測定に関わるパラメータを補正する補正手段と、信号強度が変化したときに順次選択されるY電極及びX電極の複数の補正された信号強度を補間演算する演算手段とをさらに有し、Y軸方向とX軸方向の位置座標をY軸電極群とX軸電極群の並設の間隔より詳細な解像度で求めるようにしたタッチパネル装置である。
請求項2に記載のタッチパネル装置においては、補正手段のパラメータは、X電極から測定される信号強度の増幅率を制御し、X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正することを特徴とする。
請求項3に記載のタッチパネル装置においては、補正手段のパラメータは、X電極から取り出す信号強度の積分時間を制御し、X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正することを特徴とする。
請求項4に記載のタッチパネル装置においては、補正手段のパラメータは、Y電極に印加される交流電圧の印加電圧を制御し、X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正することを特徴とする。
本発明のタッチパネル装置によれば、どの場所をタッチしても信号変化を確実に検出することができ、また、その位置を正確に求めることができる。さらに、低コストで耐久性が高く、かつ、デザイン的な制約の少ないタッチパネル装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明を説明するに、図1は本発明を適用したタッチパネル装置の第一の実施形態の構成を示すブロック図である。
図1において、符号11はタッチパネルの操作部としてのセンサーガラスである。センサーガラス11は2枚のガラスを張り合わせて形成されており、そのうち操作面側のガラスにはITO膜による細長い透明電極群12(X1〜X40)がX軸方向に40本、等間隔で配列されている。また、もう一枚のガラスには、同様にITO膜による細長い透明電極群13(Y1〜Y40)がY軸方向に40本、等間隔で配列されている。
透明電極群12と透明電極群13とは互いにラインが直交するようにパターンが形成されている。また、これらの2枚のガラスは、例えば図2にY軸電極上で切断した断面図で示すように、ITO膜の面が互いに向かい合うように、間に透明の絶縁シートを挟んで接着されている。従って、透明電極群12と透明電極群13との交点では、向かい合う電極の面積とギャップに対応した静電容量が形成される。
そこで、例えばY軸電極側に交流電圧が印加されると、この静電容量を介してX軸電極側に電圧が発生する。その様子を図3に示す。そしてこの場合に、例えば図3のAに示すように外部の影響がない状態では、Y軸電極とX軸電極との間で図示のような電気力線が発生し、この電気力線はX軸電極の端部では回り込むように密集している。これに対して図3のBに示すように指等が接近すると、端部の電気力線の一部が指に吸収される。
すなわちこの場合には、人体が容量を介して仮想的に接地されているため、電気力線の一部が指に吸収されることになる。そしてこのような指の接近によって、Y軸電極からX軸電極に向かう電気力線が減少するということは、Y軸電極とX軸電極との間の静電容量が等価的に減少したことを意味する。
なお、図3に示す構成の等価回路は図4に示すようになる。図4において、交流電圧源はY軸電極の交点までの抵抗分Ryを介して、Y軸電極とX軸電極間の静電容量Csに一端に接続される。そして、静電容量Csの他端がX軸電極の交点から接続点までの抵抗分Rxを介して導出される。符号Riは回路の入力インピーダンスである。
そこで図1では、Y軸方向に配列された透明電極群13の各電極はアナログマルチプレクサ14に接続され、アナログマルチプレクサ14は、透明電極群13の中から1の電極を選択して共通端子に接続している。また、符合15は交流信号発生回路15であって、この交流信号発生回路15で発生される所定の周波数の正弦波信号が、共通端子を通じてアナログマルチプレクサ14で選択された透明電極群13の中の1の電極に供給される。
さらに、X軸方向に配列された透明電極群12の各電極はアナログマルチプレクサ16に接続され、アナログマルチプレクサ16は、透明電極群12の中から1の電極を選択してゲインコントロールアンプ17に接続する。これにより、交流信号発生回路15から透明電極群13の選択された電極に印加された電圧が、静電容量を通じて透明電極群12の選択された電極に取り出され、ゲインコントロールアンプ17に供給される。
また、このゲインコントロールアンプ17の出力は検波回路18に接続され、検波回路18の出力はサンプルホールド回路19に接続される。さらにこのサンプルホールド回路19によって保持された電圧はAD変換回路20に接続され、AD変換回路20の出力はCPU21に接続される。そしてこのCPU21はROM22及びRAM23と接続され、ROM22の中に書き込まれた所定のプログラムに従って動作する。
さらに、符号24はDAコンバータであって、CPU21から出力される複数ビットのデジタル信号をアナログ値に変換して、その値に応じた電圧を発生させ、ゲインコントロールアンプ17の制御端子に供給する。さらにCPU21は制御信号を生成して、アナログマルチプレクサ14及び16、サンプルホールド回路19、AD変換回路20にそれぞれ送出している。
そしてこの装置において、ROM22の中には、例えば8ビット(1バイト)のデータ長で表される数値が1600個分確保された領域(参照テーブル22a)が設けられている。そこでCPU21では、アナログマルチプレクサ14及び16に任意の組み合わせの番号(x,y)で選択を行わせると同時に、上記の1600個の中からの番号(x,y)に対応する場所の数値を読み取り、この数値をDA変換回路24に出力する。
一方、参照テーブル22aには、センサーガラス11上のどこにもタッチされていない状態で、AD変換回路20によって読み取られるレベルが、前記の番号(x,y)の全ての組み合わせで等しくなるように補正を行う数値が書き込まれている。なお、参照テーブル22aに書き込まれている各数値は、予め装置の製造時の調整工程等において測定されて求められ、ROMとして設定されているものである。
次に、図1のように構成された本発明の一実施形態について、その動作の概要を説明する。そこで、まずCPU21は、最初にセンサーガラス11上のどこかにタッチされているかどうかを調べる全面スキャン動作を行う。図5はこの全面スキャン動作のフローチャートである。なお、図5における記号について次のように定義する。
Nx:アナログマルチプレクサ16に設定する番号を示す変数
Ny:アナログマルチプレクサ14に設定する番号を示す変数
Vm:AD変換回路20により出力される最低レベルを保存する変数
Xr:タッチされているX方向の番号を示す変数
Yr:タッチされているY方向の番号を示す変数
Va:タッチが無い時のレベル値を表す定数
Ny:アナログマルチプレクサ14に設定する番号を示す変数
Vm:AD変換回路20により出力される最低レベルを保存する変数
Xr:タッチされているX方向の番号を示す変数
Yr:タッチされているY方向の番号を示す変数
Va:タッチが無い時のレベル値を表す定数
すなわち、このフローチャートにおいては、初期状態として、Ny=1とすると共に、Vm=Va、Xr=0、Yr=0としておく(ステップS1)。次いで、Nx=1とする(ステップS2)。さらに、(Nx,Ny)で設定される電極の番号をアナログマルチプレクサ16及び14にそれぞれ設定し、また、参照テーブル22aの中から(Nx,Ny)の番号に対応する値を読み出してDA変換回路24に設定する(ステップS3)。
次に、AD変換回路20から出力されるレベル値(V)を読み取り、この値がVmに保存されている値よりも低ければ、Vm、Xr、Yrの変数の値を更新する(ステップS4〜S6)。次に、X軸の選択電極の番号を1だけプラスして、Nx=Nx+1として、ステップS3〜S6までを繰り返し行うが、Nx=40となっていたら最後のX軸電極に対する検出を完了したので、次はY軸方向の選択番号を変える(ステップS7〜S8)。
さらに、ステップS7において、Nx=40であった場合は、Ny=Ny+1としてステップS2に戻り、ステップS2〜S8を繰り返し行う(ステップS9〜S10)。そしてステップS9において、Ny=40となった場合は、全ての場所において検出が終了したことを表しているので、Vmに保存されている最小レベル値と、タッチの無い時のレベルVaとを比較して、その差が所定以上あるかどうかを判定する(ステップS11)。
これにより、ステップS11において、レベル差が所定以上あった場合にはセンサーガラス11上にタッチがあると判断して、およそのタッチ位置を(Xr,Yr)として保存する(ステップS12)。また、レベル差が所定値に満たなかった場合にはタッチが無かったと判断してステップS1に処理を戻す。
このようにして、前述の全面スキャン動作において、タッチの有無が判断される。そして、タッチが有ったと判断された場合には、X軸方向及びY軸方向の番号(Xr,Yr)を中心として、各軸5本の電極について選択してレベルを検出する部分スキャン動作に処理を移行する。なお、以下には前述したオールスキャン動作において、タッチのおよその位置として、Xr=12、Yr=19が求まったものとして動作を説明する。
ここで、CPU21はX軸方向の位置を求めるため、アナログマルチプレクサ14に対して19番の電極を選択させる。この状態で、X方向の電極を10番、11番、12番、13番、14番と順次選択すると同時に、参照テーブル22aの中から、(10、19)、(11、19)、(12、19)、(13、19)、(14、19)の場所の数値をそれぞれDA変換回路24に順次設定して、AD変換回路20からレベルを読み取る。なお、図6は部分スキャン動作における検出レベルの分布を示したものである。
このとき12番目のX軸電極付近にタッチがあれば、X軸の12番を選択した際に最も低いレベルが検出され、12番から離れるほど高いレベルが検出されることになる。ここで、図6に示すようにX軸電極として12番を選択した際のレベルVx3が最も低く、11番を選択した際のレベルがVx2、13番を選択した際のレベルがVx4であったとすると、X軸方向のタッチ位置Xは次のように計算することができる。
Vx2≧Vx4の場合は、
X=(Dx×12)+{ Dx×(Vx2−Vx4)}/(Vx4−Vx3)
Vx2>Vx4の場合は、
X=(Dx×12)+{ Dx×(Vx2−Vx4)}/(Vx2−Vx3)
ただし、DxはX軸電極の配列ピッチである。
X=(Dx×12)+{ Dx×(Vx2−Vx4)}/(Vx4−Vx3)
Vx2>Vx4の場合は、
X=(Dx×12)+{ Dx×(Vx2−Vx4)}/(Vx2−Vx3)
ただし、DxはX軸電極の配列ピッチである。
このようにしてX軸方向の座標位置が求まったら、次にCPU21は、Y軸方向の位置を求めるために、アナログマルチプレクサ16に対して12番の電極を選択させる。この状態で、Y方向の電極を17番、18番、19番、20番、21番と順次選択すると同時に、参照テーブル22aの中から、(12、17)、(12、18)、(12、19)、(12、20)、(12、21)の場所の数値をそれぞれDA変換回路24に順次設定して、AD変換回路20からレベルを読み取る。
このとき19番目のY軸電極付近にタッチがあれば、Y軸の19番を選択した際に最も低いレベルが検出され、19番から離れるほど高いレベルが検出されることになる。ここで図6に示すように、Y軸電極として19番を選択した際のレベルVy3が最も低く、18番を選択した際のレベルがVy2、20番を選択した際のレベルがVy4であったとすると、Y軸方向のタッチ位置Yは次のように計算することができる。
Vy2≧Vy4の場合は、
Y=(Dy×19)+{ Dy×(Vy2−Vy4)}/(Vy4−Vy3)
Vy2<Vy4の場合は、
Y=(Dy×19)+{ Dy×(Vy2−Vy4)}/(Vy2−Vy3)
ただし、DyはY軸電極の配列ピッチである。
Y=(Dy×19)+{ Dy×(Vy2−Vy4)}/(Vy4−Vy3)
Vy2<Vy4の場合は、
Y=(Dy×19)+{ Dy×(Vy2−Vy4)}/(Vy2−Vy3)
ただし、DyはY軸電極の配列ピッチである。
以上の手順によって、X軸方向及びY軸方向の座標位置が求められる。そしてこの場合に、本実施形態によれば、X方向とY方向の電極の選択と同時に予め設定された参照テーブルに基づく値をDA変換回路24に設定するだけでタッチが無い場合の検出レベルを均一にすることができるので、どの場所をタッチしても信号変化を確実に検出することができる。また、これによって電極間における補間計算を確実に行うことができ、正確な座標を求めることができるものである。
さらに図7には、参照テーブルの一例を示す。ここで参照テーブルに書き込まれる数値は、全般的には入出力点である番号(1,1)に対応する数値が一番低く、そこから遠くなるに従って(1→40,1→40)大きな数値となっている。しかし、その他に電極の線の幅、厚みなどのばらつき、電極の線の単位あたりの抵抗値のばらつき、X軸とY軸方向を重ね合わせたときのスペーサーの誤差によるギャップのばらつき、周辺部での電気的特性の相違などによって、一様でない変動が生じている。
すなわち、図8には数値の変化を3Dグラフで示してあり、この図8からも理解できるように数値の変化は一様ではない。しかしながらこの変動は、タッチパネル装置が完成された状態では固定されるものと考えられ、そこで上述したように、参照テーブル22aに書き込まれている各数値は、予め装置の製造時の調整工程等において測定によって求められ、ROMとして設定することができるものである。
こうして、上述の本発明のタッチパネル装置によれば、X方向とY方向の電極の選択と同時に予め設定された参照テーブルに基づく値をDA変換回路24に設定するだけでタッチが無い場合の検出レベルを均一にすることができるので、どの場所をタッチしても信号変化を確実に検出することができる。また、これによって電極間における補間計算を確実に行うことができ、正確な座標を求めることができるものである。
さらに、図9は、本発明による第二の実施形態の構成を示すものである。なお、図9において図1と共通する部分は同一記号で示している。
この図9において、符号25は所定のゲインを有する増幅器である。また、符号26は交流信号発生回路であり、DA変換回路24からの制御電圧に応じて出力する電圧が変化するようになっている。そして本実施形態では、アナログマルチプレクサ16及びアナログマルチプレクサ14によって選択した番号に対応する値を参照テーブル22aの中から選択してDA変換回路24に設定する。
なおこの場合に、本実施形態でも、センサーガラス11上のどこにもタッチされていない状態で、AD変換回路20によって読み取られるレベルが、全ての場所で等しくなるように参照テーブル22aの各値は予め実験によって求められ設定されている。
このように構成することによって、本実施例でも第一実施例と全く同じように処理することでタッチした座標位置を求めることができる。
このように構成することによって、本実施例でも第一実施例と全く同じように処理することでタッチした座標位置を求めることができる。
また、図10は、本発明による第三の実施形態の構成を示すものである。なお、図10においても、図1または図9と共通する部分は同一記号で示している。
すなわち、この実施形態では、第一や第二の実施形態のようにDA変換回路24によってゲインや振幅を変える構成とはなっておらず、検波回路18とAD変換回路20との間に積分回路27が入っている。この積分回路27はCPU21からの信号によって一定時間だけ信号を積分する。そしてこの実施形態では、アナログマルチプレクサ16及びアナログマルチプレクサ14によって選択した番号に対応する値を参照テーブル22aの中から選択して、選択された数値に相当する時間だけ積分回路27を動作させる。
従ってこの実施形態でも、センサーガラス11上のどこにもタッチされていない状態で、AD変換回路20によって読み取られるレベルが、全ての場所で等しくなるように参照テーブル22aの各値は予め実験によって求められ、設定されている。すなわち、増幅器25の出力レベルが高くなるような場所では積分時間を短くし、増幅器25の出力レベルが低くなるような場所では積分時間を長くするように参照テーブル22aの値が決定されている。
これによって、この実施形態でも第一の実施形態と全く同じように処理することでタッチした座標位置を求めることができる。
こうして本発明によれば、Y軸及びX軸電極群の中から選択した番号の配列(y,x)に対応して選択した参照テーブルの値によって補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように参照テーブルの各数値を構成したため、タッチが無い場合の検出レベルを一定に揃えることができ、レベルの変化を確実に判定することが可能となる。
また、隣接する複数本の電極を順次選択して得られる補正結果のレベルの分布より補間計算を行うようにしたため、タッチ位置を正確に求めることができる。さらに、電極の選択場所に応じて、印加する交流電圧の電圧値や、増幅器のゲインをコントロールするようにしたため、極めて短い処理時間で正確なレベル補正を行うことができる。あるいは、誘導電圧を積分する積分回路を設けて、積分時間をコントロールするようにしたため、簡単な回路構成で検出レベルを場所に依存せず均一にすることができる。
さらに、本発明によれば、操作によって電極を傷つけたりストレスを加えたりすることが無いため耐久性の高いタッチパネルを提供することができる。しかも超音波や光を用いた場合と比べて低コストでかつデザイン的な制約が無いという利点がある。
なお本発明は、上述の説明した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能とされるものである。
11…センサーガラス、12,13…透明電極群、14、16…アナログマルチプレクサ、15、26…交流信号発生回路、17…ゲインコントロールアンプ、18…検波回路、19…サンプルホールド回路、20…AD変換回路、21…CPU、22…ROM、22a…参照テーブル、23…RAM、24…DA変換回路、25…増幅器、27…積分回路
Claims (4)
- 第一の平面上に複数の透明電極ラインをY軸方向に並設したY軸電極群と、前記第一の平面と一定の距離を隔てた第二の平面上に前記Y軸電極群と互いに交差するX軸方向に複数の透明電極ラインを並設したX軸電極群とを有し、前記Y軸電極群の中から順次選択した一つのY電極に交流電圧を印加し、前記X軸電極群の中から順次選択した一つのX電極に誘導される電圧の信号強度を測定し、前記信号強度が変化したときに前記順次選択されるY電極及びX電極により前記Y軸方向とX軸方向の位置座標を求めるようにしたタッチパネル装置において、
前記選択されたY電極とX電極の組み合わせごとに値の記憶された二次元の参照テーブルと、
前記参照テーブルに記憶された値によって前記信号強度の測定に関わるパラメータを補正する補正手段と、
前記信号強度が変化したときに前記順次選択されるY電極及びX電極の前後複数の前記補正された信号強度を補間演算する演算手段と、をさらに有し、
前記Y軸方向とX軸方向の位置座標を前記Y軸電極群とX軸電極群の並設の間隔より詳細な解像度で求める
ことを特徴とするタッチパネル装置。 - 前記補正手段のパラメータは、前記X電極から測定される前記信号強度の増幅率を制御し、前記X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、前記補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正する
ことを特徴とする請求項1記載のタッチパネル装置。 - 前記補正手段のパラメータは、前記X電極から取り出す前記信号強度の積分時間を制御し、前記X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、前記補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正する
ことを特徴とする請求項1記載のタッチパネル装置。 - 前記補正手段のパラメータは、前記Y電極に印加される前記交流電圧の印加電圧を制御し、前記X軸電極群とY軸電極群の中から任意の組み合わせで選択した際に、前記補正した結果が全ての組み合わせにおいて同一レベルとなるように補正する
ことを特徴とする請求項1記載のタッチパネル装置。
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