JP2008131437A - 電歪装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】基板搭載時の熱応力による特性変化が生じづらい電歪装置を提供する。
【解決手段】電歪素子２と半導体装置４とが電気的に接続され、半導体装置４に外部接続端子１１が設けられる。電歪素子２が有する構造の方向性に基づいて、外部接続端子１１の配置が設定される。
【選択図】図１

Description

本発明は、電歪装置及び電子機器に関するものである。

電歪素子と半導体装置とを一体化した電歪装置、例えば水晶振動子を含む圧電素子パッケージと半導体装置とを一体化した発振器においては、水晶振動子が、例えば枠付振動子片の上下面にハンダによって蓋とケースとを接合した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような水晶振動子にあっては、蓋とケースとの接合にハンダ等の低融合金や低融点ガラスを使用していたため、蓋とケースとの接合時や周波数調整時の加熱によってアウトガスが発生する。すると、このアウトガスの発生によって水晶振動子片に金属や有機物が付着し、クリスタルインピーダンスが増加したり、振動子の周波数特性が低下してしまうといった問題があった。

そこで、水晶振動子と一体に形成された外枠の上面と下面に金属層を設け、金属層と蓋とケースを陽極接合することにより、前記の問題を解消した技術が提供されている（例えば、特許文献２参照）。すなわち、このように金属層と蓋とケースを陽極接合することにより、水晶振動子片へのアウトガスの付着を無くし、クリスタルインピーダンスの増加などを防止することができる。
このような蓋とケースとの間に保持されてパッケージ化された圧電素子（水晶振動子）は、通常、半導体装置によってその駆動が制御され、発振器として機能させられる。この場合、圧電素子の端子は外部に引き出されて半導体素子と接続され、半導体素子はプリント配線基板等に実装される。
特開昭５６−１１９５１８号公報 特許第３３９０３４８号公報

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
圧電素子を含む発振器は、プリント基板と半導体装置との熱収縮差により生じる熱応力の影響を受けやすく、この熱応力に起因して特性の変化が生じる虞がある。特に、圧電素子は、振動子が枠体に支持されている方向に熱応力が加わると、特性の変化が大きくなる可能性がある。
さらに、封止体や枠体にガラス等の熱応力が伝達しやすい材料を用いた場合は、その傾向が顕著になる。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板搭載時の熱応力による特性変化が生じづらい電歪装置及び電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電歪装置は、電歪素子と半導体装置とが電気的に接続され、前記半導体装置に外部接続端子が設けられる電歪装置であって、前記電歪素子が有する構造の方向性に基づいて、前記外部接続端子の配置が設定されていることを特徴とするものである。
従って、本発明の電歪装置では、電歪素子の構造に起因して影響が大きい方向について外部接続端子の距離を小さくすることにより、複数の外部接続端子間の距離に応じて、伝わる量が変化する外部基板による熱歪み量等の応力を小さくすることが可能になり、特性変化等、電歪素子の素子特性に与える影響を抑制することができる。

この場合、前記外部接続端子を介して前記電歪素子に加わる応力が電歪特性に与える影響の大きさに基づいて、前記外部接続端子の配置が設定されることが好ましい。
本発明では、前記電歪素子が、周囲を囲む枠体に第１方向両側を支持された振動子を有し、前記外部接続端子が、前記第１方向と略直交する第２方向に沿って複数配置される構成を好適に採用できる。
従って、本発明では、外部接続端子が外部基板により第２方向に熱歪み量等の応力が加わっても、第１方向には応力が加わらないため、特性変化等、電歪素子の素子特性（振動特性等）に与える悪影響を排除することができる。

また、本発明では、前記外部接続端子に接続される外部基板を支持する絶縁性の支持体が設けられる構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、外部接続端子間の距離を小さくしたことにより、半導体装置と外部基板との接合時のバランスが低下する可能性があるが、支持体により外部接続端子以外の領域を支持できるため、半導体装置と外部基板との隙間に偏りが生じることなく、安定して接合することが可能になる。

前記支持体としては、点状に形成する構成や、線状に形成する構成を好適に採用できる。支持体を線状に形成する場合には、複数の前記外部接続端子の配置方向と略直交する方向に間隔をあけて複数設けられることが好ましい。
これにより、本発明では、樹脂材料等の封止材により電歪素子を枠体でパッケージとして封止した場合に、封止材の収縮方向が前記電歪素子に対する影響が大きい方向と交差するため、素子特性に与える影響が大きい方向については封止材の収縮に伴う力を支持体に負担させて電歪素子に加わることを抑制できる。そのため、本発明では、特性変化等、電歪素子の素子特性に与える悪影響を一層排除することができる。

この場合、前記支持体は、少なくとも前記接続端子を挟んだ両側に配置されることが、外部基板をバランスよく安定して支持するために好ましい。
さらに、本発明では、前記支持体が、前記外部基板に対して、前記外部接続端子の接続面と略平行な面方向に相対移動自在に設けられる構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、外部接続端子に接続された外部基板が接続面の面方向に収縮または膨張した場合でも、支持体に熱歪み等の応力が伝わり、電歪素子に悪影響を及ぼすことを防止できる。

一方、本発明の電子機器は、先に記載の電歪装置を備えることを特徴とするものである。
従って、本発明では、熱応力に起因する素子特性の悪影響が排除された高品質の電子機器を得ることができる。

以下、本発明の電歪装置及び電子機器の実施の形態を、図１ないし図５を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
ここでは、例えば、電歪装置として、半導体装置と圧電素子パッケージとを一体化した発振器とする場合の例を用いて説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態を示す図であり、図１中符号１は電歪装置としての発振器である。この発振器（電歪装置）１は、圧電素子である水晶振動子（電歪素子）２を封止してなるパッケージ３と、前記水晶振動子２を駆動するための半導体装置４とを備えて構成されたものである。

パッケージ３は、上蓋５と下蓋６との間に水晶振動子２を挟持し、その状態で該水晶振動子２を封止した略直方体状のものである。上蓋５は、ガラスや水晶などの透光性の基材によって形成されたもので、本実施形態ではガラス製のものとなっている。下蓋６は、上蓋５と同様にガラスや水晶などの透光性の基材によって形成されていてもよく、さらには、シリコンなどの非透光性の基材によって形成されていてもよい。本実施形態では、上蓋５と同様にガラス製のものとなっている。

これら上蓋５と下蓋６とは、水晶振動子２を挟持した状態で陽極接合によって接合され、あるいは金−スズの合金接合によって接合され、あるいはプラズマを照射して共有結合により接合されるなど、気密封止されている。
この水晶振動子２は、図２に示すように、振動子本体２Ａと、この振動子本体２Ａを両端側の幅方向中央部に設けられた支持部３１、３２で支持する枠体２Ｂとが一体化された構成となっており、ここでは枠体２Ｂが厚さ０．１ｍｍ、振動子本体２Ａが厚さ０．０３ｍｍ程度に形成されている。

振動子本体２Ａは、薄板状の水晶片からなるものであり、その上面及び下面には、それぞれアルミニウム等で形成された励振用の電極（図示せず）が設けられている。振動子本体２Ａの下面電極は枠体２Ｂの下面（下蓋６側）に形成された引出電極７ａに接続され、振動子本体２Ａの上面電極は枠体２Ｂに形成された貫通孔（スルーホール）３３を介して、枠体２Ｂの下面に形成された引出電極７ｂに接続される。ＡＴ振動子を例にした場合、振動子（振動子本体２Ａ）は結晶方位のＸ軸、Ｚ軸を含む面に形成される。ＡＴ振動子は矩形状に形成され、Ｘ軸方向（第２方向）を長辺、それと垂直なＺ方向（第１方向）を短辺となるように形成されている。素子部の長辺には外周部を取り囲む枠体２Ｂと支持部３１、３２（後述、図２参照）により連結されている。

下蓋６には、その外面側の四隅に欠落部８が形成されている。これら欠落部８は、ブラスト処理や、例えば開口パターンを有したマスクを用いてドライエッチングを行うなどの手法により、下蓋６の外面側から内面側にまで貫通した状態に削り取られて形成されたものである。このような構成によって欠落部８内には、前記水晶振動子２の一方の面（下面）側が露出させられており、この露出面には、アルミニウムや金・クロム合金などからなる前記の引出電極７ａ、７ｂが形成されている。そして、この引出電極７ａ、７ｂには、配線９ａ、９ｂが接続されている。

配線９ａ、９ｂは、引出電極７ａ、７ｂ上から、前記欠落部８の斜面（側面）を通って下蓋６の外面にまで引き回され、この下蓋６の外面上にて、半導体装置４の接続端子１０に接続させられたものである。
なお、このような配線９ａ、９ｂの形成には、開口パターンを形成したマスクを用いてスパッタ法などで導電材料をパターニングし、さらにメッキ法で必要な厚みにまで成長させるといった手法が好適に採用される。具体的には、引出電極７ａ、７ｂ側にスパッタ法でＣｒをパターニングし、さらにその上に下地材としてＡｌ−Ｃｕ合金を堆積させ、その後、無電界メッキ法でＮｉ−Ａｕ合金を析出させるといった方法や、スパッタ法でＣｒをパターニングし、その上にＡｌを堆積させた後、電界メッキ法でＮｉ−Ａｕ合金を析出させるといった方法が好適に採用される。また、スパッタ法などでの成膜後、これをフォトリソグラフィー技術等によってパターニングするといった手法も採用可能である。

半導体装置４は、下蓋６の外面に貼設された平面視矩形状のもので、その能動面４ａ側を外面側にして実装されたものである。すなわち、この半導体装置４は、シリコン基板２０の能動面４ａ側に、トランジスタや発振回路などの半導体素子からなる集積回路（図示せず）を形成したもので、前記能動面４ａを外面側に向け、この外面側に外部接続端子１１が形成され、また、前記したように配線９ａ、９ｂ（すなわち、振動子本体２Ａの両電極）にそれぞれ対応させて接続端子１０（図１参照、図２では図示せず）が形成されている。

この接続端子１０は、シリコン基板２０の能動面４ａ側にて集積回路に電気的に接続し、さらにこの能動面４ａ側からその裏面側にまで貫通して形成されたものである。このような構成のもとに、接続端子１０はシリコン基板２０の裏面側にて、すなわち下蓋６の外面上にて、前記配線９ａ、９ｂとはんだや金−金接合などによってそれぞれ接続されたものとなっている。

この接続端子１０としては、例えば貫通電極と結線されて形成された端子または貫通電極の一端とすることができる。
ここで、接続端子１０を貫通電極と結線されて形成された端子とする場合の具体的構成を、その製造方法をもとに図３及び図４を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に二点鎖線で示すようにシリコン基板２０の表面（能動面）４ａ側を接着層１５０を介して、ガラスウエハからなる支持部材２００に支持させる。これにより、シリコン基板２０を裏面４ｂ側から薄厚加工する際に、シリコン基板２０に割れ等が発生するのを防止することができる。

そして、シリコン基板２０を所定の厚み（例えば厚さ４００μｍ程度）に形成した後、シリコン基板２０の裏面４ｂ側（能動面４ａの逆側）を上にして、シリコン基板２０の裏面４ｂ上にフォトレジスト４０をマスクとして用い、ドライエッチングにより、接続端子１０に対応したシリコン基板２０を除去する。これにより、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板２０の裏面４ｂから、接着層１５０が露出するまでエッチングを行い、溝部２２を形成する。
なお、フォトレジスト４０をマスクとしたが、これに限ることはなく、例えば、ハードマスクとしてＳｉＯ_２膜を用いても良く、フォトレジストマスク及びハードマスクを併用しても良い。また、エッチング方法としてはドライエッチングに限らず、ウエットエッチング、レーザ加工、あるいはこれらを併用しても良い。

次に、図４（ａ）に示すように、シリコン基板２０の裏面４ｂ及び溝部２２の内壁に裏面絶縁層２３及び絶縁膜２１を形成する。裏面絶縁層２３及び絶縁膜２１は、電流リークの発生、酸素及び水分等によるシリコン基板２０の浸食等を防止するために設けられ、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いて形成した正珪酸四エチル（Tetra Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４：以下、ＴＥＯＳという）、すなわちＰＥ−ＴＥＯＳ、及び、オゾンＣＶＤを用いて形成したＴＥＯＳ、すなわちＯ_３−ＴＥＯＳまたはＣＶＤを用いて形成した酸化珪素（ＳｉＯ_２）を用いることができる。なお、裏面絶縁層１３及び絶縁膜２１は、絶縁性があれば、他の物でも良く、樹脂でもよい。そして、接着層１５０の上面部分に設けられた絶縁膜２１をドライエッチングあるいはレーザ加工により除去することで、図４（ｂ）に示すように、溝部２２の側壁のみに絶縁層２１が設けられた形態となる。

次に、電気化学プレーティング（ＥＣＰ）法を用いて、溝部２２の内部にめっき処理が施され、その溝部２２の内側に金属端子２５を形成するための導電性材料を配置する。金属端子２５を形成するための導電性材料としては、例えば銅（Ｃｕ）を用いることができる。
本実施形態における金属端子２５を形成する工程には、例えば、ＴｉＮ、Ｃｕをスパッタ法で形成（積層）する工程と、Ｃｕをめっき法で形成する工程とが含まれる。なお、ＴｉＷ、Ｃｕをスパッタ法で形成（積層）する工程と、Ｃｕをめっき法で形成する工程とが含まれたものであってもよい。なお、金属端子２５の形成方法としては、上述した方法に限らず、導電ペースト、溶融金属、金属ワイヤ等を埋め込んでもよい。
金属端子２５を形成した後、シリコン基板２０の裏面４ｂにこの金属端子２５と電気的に接続されるように裏面電極５４をめっき法で形成することにより、図４（ｃ）に示すような形態となる。なお、裏面電極５４は、金属端子２５と同時、すなわち、一体的に形成しても良い。
そして、裏面電極５４上に、例えば鉛フリーはんだからなる接合材２６を搭載する。この接合材２６は、例えば厚さ１０〜２０μｍで形成される。
これにより、金属端子２５と接合材２６とからなる複数の貫通電極（接続端子１０）を、シリコン基板２０に形成することができる。

このようにして接続端子１０を形成したシリコン基板２０からなる半導体装置４により、その接続端子１０を介して前記水晶振動子２の駆動を制御することができる。
また、この半導体装置４の能動面４ａ側には、集積回路に導通する複数の電極１１ａ（図１では図示せず、図２参照）が接続端子１０とは別に設けられており、これら電極１１ａには、前記の外部接続端子１１が接続されている。外部接続端子１１は、はんだボールやはんだメッキや、金バンプ、スタッドバンプなどによって形成されたものである。なお、本実施形態において外部接続端子１１は、はんだボールによって半導体装置４の能動面４ａ側に形成されている。

本実施形態では、水晶振動子２（振動子本体２Ａ）が有する素子特性の方向性に基づいて配置されている。具体的には、水晶振動子２は構造上、素子特性に方向依存性を有しているため、ＡＴ振動子を例にした場合、枠体２Ｂとの連結をするための支持部３１、３２が形成されている素子の短辺方向（Ｚ方向）について、熱応力が加わる量（熱歪み量）を最小限に抑えることが好ましい。そのため、本実施形態では、図２中、支持部３１、３２が設けられる上下方向が、水晶振動子２に外力を受けた際に枠体２Ｂの歪が素子に伝わりやすい方向であり、素子特性に悪影響が及ぶことを抑えるために、この方向について外部接続端子１１間の距離が可能な限り小さくなるように、外部接続端子１１の配置が設定されている。

すなわち、図２に示すように、電極１１ａ及び外部接続端子１１は、半導体装置４の能動面４ａ側におけるＺ方向の略中央部に、Ｘ方向に沿って複数（ここでは４つ）、互いに間隔をあけて配置されている。換言すると、本実施形態の電極１１ａ及び外部接続端子１１は、水晶振動子２に加わる応力が振動特性（電歪特性）に与える影響が大きいＺ方向については、同一位置に配置され、逆に水晶振動子２の振動特性に与える影響が小さいＺ方向については、複数間隔をあけて配置されている。

また、本実施形態では、半導体装置４に外部基板Ｐに当接して支持する支持体１５が複数（ここでは６つ）設けられている。支持体１５は、絶縁性の材料（樹脂、ＳｉＯ_２等）で形成された点状の突起体であり、その厚さは外部接続端子１１の厚さと略同一（実際には、外部基板Ｐに接続端子Ｐａ（図１参照）が突出して設けられる場合には、外部接続端子１１と接続端子Ｐａとの合計厚さ）に形成され、図２に示すように、半導体装置４の周囲に均等に配置されている。この支持体１５の配置としては、バランスを取るために、例えばＺ方向に関して、外部接続端子１１を挟んだ両側に対称に配置する構成を好適に採ることができる。また、この支持体１５は、外部基板Ｐに対しては固定されずに、その支持面（外部基板Ｐとの接続面）と略平行な面方向に相対移動（滑り）自在に設けられる。
これにより、支持体１５は、外部接続端子１１と協働して、外部基板Ｐと半導体装置４との間に一定の隙間を形成する。
この発振器１と外部基板Ｐへの接合強度または接合信頼性を確保するために、さらに半導体装置４と外部基板Ｐとの隙間の間に封止樹脂を供給して硬化させてもよい。それに用いる封止樹脂としては硬化収縮による素子２Ａへの応力伝達を低減するために、低弾性のものを用いることが好ましい。

また、前記下蓋６上には、該下蓋６の外面と前記半導体装置４の能動面４ａとの間の段差を埋める平坦化樹脂１２が、トランスファーモールド、ポッティング、印刷などによって形成されている。この平坦化樹脂１２は、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等からなるもので、下蓋６の半導体装置４に覆われることなく露出した外面と、半導体装置４の側面とを覆って設けられ、かつ前記欠落部８を充填した状態で設けられ、硬化せしめられたものである。この平坦化樹脂としては、硬化収縮による素子２Ａへの応力伝達を低減するために、低弾性のものを用いることが好ましい。

このような平坦化樹脂１２によって下蓋６と半導体装置４とは、外部接続端子１１を形成した面、すなわち半導体装置４側が、段差を形成することなく平坦化したものとなっている。すなわち、半導体装置４の外面側（能動面４ａ側）に突出した外部接続端子１１及び支持体１５を除いて、発振器１は凹凸のない直方体状に形成されたものとなっている。

このような構成からなる発振器１は、図１に示す外部機器としてのプリント配線基板等の外部基板Ｐに、その外部接続端子１１を用いて接続することで、該プリント配線基板Ｐ（外部機器）に容易に実装することができる。すなわち、外部接続端子１１を形成した側が、段差を形成することなく平坦化したものとなっているので、プリント配線基板等の外部基板Ｐ上に安定した状態で載せることができ、これにより容易に実装を行うことができる。よって、実装を容易にしたことでこの発振器１を備える外部機器の組立性も良好にしてその生産性を高めることができ、さらには、水晶振動子２を有するパッケージ３と水晶振動子２を駆動する半導体装置４とを一体化して発振器１自体を小型化しているので、この発振器１を備える外部機器の小型化を可能にすることができる。

以上のように、本実施形態では、水晶振動子２が有する素子特性の方向性に基づき、半導体装置４を外部基板Ｐに接続した際の熱歪みが、水晶振動子２の素子特性に及ぼす影響が小さくなるように、外部接続端子１１の配置を設定しているため、発振器１をプリント配線基板Ｐに搭載した際にも、半導体装置４と外部基板Ｐとの線膨張係数の差（熱膨張または熱収縮の差）に起因する熱応力等により水晶振動子２の素子特性に変動が生じることを抑制できる。

また、本実施形態では、半導体装置４の複数の支持体１５により外部基板Ｐを支持しているので、接続端子１１間の距離を小さく設定した場合でも、バランスよく安定して外部基板Ｐを支持することが可能になる。特に、本実施形態では、支持体１５の厚さを接続端子１０の厚さと略同一としているので、厚さ方向に偏りが生じずに均等の隙間をもって外部基板Ｐと半導体装置４とを接合することが可能になる。
また、本実施形態では、支持体１５を外部接続端子１１を挟んだ両側に配置することにより、一層安定して外部基板Ｐを支持することが可能となっており、外部基板Ｐの安定した支持が実現する。

しかも、本実施形態では、支持体１５が外部基板Ｐに対して、接続面と平行な面方向に移動自在となっているため、外部基板Ｐが熱膨張または熱収縮しても、支持面で滑ることになり、外部基板Ｐに追従して変形することで水晶振動子２の素子特性に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制できる。

また、本実施形態では、上蓋５が透光性の基材であるガラスによって形成されているので、この上蓋５を通してパッケージ３内の水晶振動子２にレーザ照射を行うことにより、水晶振動子２の周波数調整を容易に行うことができる。
さらに、半導体装置４に形成した接続端子１０によって直接パッケージ３と接続しているため、この接続に要する容積を最小限に抑え、発振器１の小型化を図ることができる。
また、特に発振器１の形成については、多数個取りの大型基板（大型ガラス基板）を用いて多数個分を一括して形成し、欠落部８、配線９ａ、９ｂによってパッケージ３を形成した後、半導体装置４を搭載し平坦化樹脂１２を設け、ダイシングにより個片化することで、生産性を高めることも可能である。

（第２実施形態）
続いて、発振器１の第２実施形態について図５を参照して説明する。
本実施形態の発振器では、上記第１実施形態の発振器１に対して支持体の構成が異なっているため、以下、これについて詳述する。図５（ａ）は、第２実施形態に係る発振器１を半導体装置４側から視た平面図であり、図５（ｂ）は右側面図である。
なお、この図において、図１及び図２に示した第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。

上記実施形態では、水晶振動子２（振動子本体２Ａ）が長辺方向（図１及び図２で左右方向）に素子特性に対する外力の影響の少ない方向としたが、本実施形態でも同様とした。つまり、図５（ａ）、（ｂ）の短辺方向（図中、上下方向）が素子特性に対する外力の影響の大きい方向となる。
また、上記第１実施形態では、支持体１５が点状に形成されるものとして説明したが、本実施形態では、線状に形成されている。

より詳細には、本実施形態の発振器１においては、半導体装置４に突設された支持体１５は、構造的に水晶振動子２の素子特性に対する影響が大きい短辺方向（Ｚ方向）と直交する（交差する）方向（図中、左右方向のＸ方向）に線状に延び、且つＺ方向に間隔をあけて複数（ここでは４つ）配置されている。また、これら支持体１５は、外部接続端子１１を挟んだＺ方向両側に２本ずつ配置される。
また、本実施形態では、水晶振動子２の短辺方向が、図５中で上下方向であることから、４つの外部接続端子１１は、この方向については、略同一の位置に配置されることになる。
他の構成は、上記実施形態と同様である。

本実施の形態の発振器１では、封止樹脂により外部基板Ｐと半導体装置４とを封止した際に、封止樹脂は長辺方向については、支持体１５に沿ってほぼ抵抗を受けることなく収縮し、短辺方向については、支持体１５が抵抗体として作用し収縮力を負担するため、構造上、素子への外力の影響の大きい短辺方向に対して、収縮量を低減することができる。そのため、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、封止樹脂の収縮に伴う応力が水晶振動子２に伝わって素子特性を変動させることを抑制可能となる。特に、本実施形態では、支持体１５が外部接続端子１１を挟む両側に配置されることから、より効果的に封止樹脂の収縮を抑えて水晶振動子２の素子特性を維持することができる。また、本実施形態では、支持体１５が線状に形成されていることから、外部基板Ｐに対する支持面積が増えるため、外部基板Ｐを安定して支持することができるとともに、均等の隙間をもって外部基板Ｐと半導体装置４とを接合することがより安定して可能になる。

（電子機器）
本発明の電子機器は、前記の発振器１が例えば前記プリント配線基板等の外部基板Ｐにより実装された状態で備えられることにより、構成される。具体的には、前記発振器１を備えた電子機器の一例として、図６に示すような携帯電話３００を挙げることができる。
この電子機器（携帯電話３００）にあっても、発振器１が外部基板Ｐなどに容易に実装可能な構造となっているので、この発振器１を備えた電子機器において熱応力に起因する特性低下が抑制され、高品質の電子機器を得ることができるとともに、さらにはその小型化を図ることもできる。

また、本発明が適用される電子機器としては、テレビ等のリモコンやデジタルカメラなど、各種のものを挙げることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態で示した支持体１５の数は一例であって、例えば第２実施形態で示した線状の支持体１５は、２つであっても、６つ以上設ける構成であってもよい。この場合でも、支持体１５は外部接続端子１１を挟んだＺ方向の両側に設けることが好ましい。

また、上記実施形態では、振動子として水晶振動子を用いる構成を例示したが、水晶振動子以外にもセラミック振動子、タンタル酸リチウム振動子、ルビジウム・セシウム振動子を用いることも可能である。
さらに、上記実施形態では、電歪装置として、発振器を例示したが、これ以外にも、液滴吐出装置（インクジェット装置）における液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）に用いられる圧電素子（ピエゾ素子）等にも本発明を適用可能である。

本発明の実施の形態を示す図であって、発振器の概略構成図である。 発振器を半導体装置側から視た平面図である。 貫通電極の製造方法を説明するための側断面図である。 貫通電極の製造方法を説明するための側断面図である。 第２実施形態に係る発振器の概略的な構成図である。 本発明の電子機器の一例としての、携帯電話を示す図である。

符号の説明

Ｐ…外部基板、 １…発振器（電歪装置）、 ２…水晶振動子（圧電素子、電歪素子）、 ２Ａ…振動子本体、 ２Ｂ…枠体、 ４…半導体装置、 １１…外部接続端子、 ３００…携帯電話（電子機器）

Claims (10)

1. 電歪素子と半導体装置とが電気的に接続され、前記半導体装置に外部接続端子が設けられる電歪装置であって、
   前記電歪素子が有する構造の方向性に基づいて、前記外部接続端子の配置が設定されていることを特徴とする電歪装置。
2. 請求項１記載の電歪装置において、
   前記外部接続端子を介して前記電歪素子に加わる応力が電歪特性に与える影響の大きさに基づいて、前記外部接続端子の配置が設定されていることを特徴とする電歪装置。
3. 請求項２記載の電歪装置において、
   前記電歪素子は、周囲を囲む枠体に第１方向両側を支持された振動子を有し、
   前記外部接続端子は、前記第１方向と略直交する第２方向に沿って複数配置されることを特徴とする電歪装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の電歪装置において、
   前記外部接続端子に接続される外部基板を支持する絶縁性の支持体が設けられることを特徴とする電歪装置。
5. 請求項４記載の電歪装置において、
   前記支持体は、点状に形成されていることを特徴とする電歪装置。
6. 請求項４記載の電歪装置において、
   前記支持体は、線状に形成されていることを特徴とする電歪装置。
7. 請求項６記載の電歪装置において、
   前記支持体は、複数の前記外部接続端子の配置方向と略直交する方向に間隔をあけて複数設けられることを特徴とする電歪装置。
8. 請求項４から７のいずれかに記載の電歪装置において、
   前記支持体は、少なくとも前記接続端子を挟んだ両側に配置されることを特徴とする電歪装置。
9. 請求項４から８のいずれかに記載の電歪装置において、
   前記支持体は、前記外部基板に対して、前記外部接続端子の接続面と略平行な面方向に相対移動自在に設けられることを特徴とする電歪装置。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の電歪装置を備えることを特徴とする電子機器。

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