JP2008131015A - Registration method of wafer electrode, alignment method of wafer, and recording medium with these methods stored - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えばウエハの電気的特性検査を行う際に適用されるウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法に関し、更に詳しくは、ウエハの電極を直接検出してウエハのアライメントの信頼性を向上させることができ、しかもオペレータの負荷を軽減することができるウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法並びにこれらの方法を記録した記録媒体に関するものである。 The present invention relates to a wafer electrode registration method and a wafer alignment method applied when, for example, an electrical characteristic inspection of a wafer is performed. More specifically, the wafer electrode is directly detected to improve the reliability of wafer alignment. The present invention relates to a wafer electrode registration method, a wafer alignment method, and a recording medium on which these methods are recorded.
半導体製造工程では、種々の場面でウエハのアライメントが行われている。ウエハのアライメントが行われる装置の一例として、ウエハの検査装置がある。この種の検査装置は、例えば図8の(a)、(b)に示すように、ウエハWをロード、アンロードするローダ室1と、ウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室2とを備えている。ローダ室1は、カセットC内のウエハWをプローバ室2へ搬送する搬送アーム3と、搬送アーム3によってウエハWを搬送する間にウエハWのプリアライメントを行うプリアライメント機構4とを備えている。プローバ室2は、プリアライメント後のウエハWを載置するX、Y、Z及びθ方向に移動可能な載置台5と、載置台5の上方に配置されたプローブカード6と、プローブカード6の複数のプローブ6Aと載置台5上のウエハWとのアライメントを行うアライメント機構7と、を備え、制御装置(図示せず)の制御下で駆動する。また、プローブカード6はヘッドプレート8の開口部に固定されている。ヘッドプレート8の上面にはテストヘッドTが配置され、プローブカード6はヘッドプレート9を介してテスタ(図示せず)に電気的に接続されている。
In the semiconductor manufacturing process, wafer alignment is performed in various situations. An example of an apparatus that performs wafer alignment is a wafer inspection apparatus. For example, as shown in FIGS. 8A and 8B, this type of inspection apparatus includes a
而して、プリアライメント機構4は、ウエハWを載置する回転可能な回転台4Aと、ウエハWの外周縁部に形成されたオリエンテーションフラット(オリフラ)またはノッチを光学的に検出する光学的検出手段(図示せず)と、を備え、ウエハWを載置した回転台4Aが回転する間に光学的検出手段でウエハWのオリフラまたはノッチを検出することによって、ウエハWを所定の向きにプリアライメントする。
Thus, the
また、アライメント機構7は、図8の(a)、(b)に示すように、ウエハWを撮像する第1のCCDカメラ7Aと、プローブ6Aを撮像するように載置台5の側方に取り付けられた第2のCCDカメラ7Bと、第1のCCDカメラ7Aを支持するアライメントブリッジ7Cと、アライメントブリッジ7Cをプローブセンタへ案内する左右一対のガイドレール7Dと、を備え、第1のCCDカメラ7AでウエハWの検査用電極(以下、「電極パッド」と称す。)を撮像すると共に第2のCCDカメラ7Bでプローブ6Aを撮像し、それぞれの撮像位置データに基づいてウエハWの電極パッドとプローブ6Aとのアライメントを行う。
Further, as shown in FIGS. 8A and 8B, the
ウエハWのアライメントを行う際に、オペレータがウエハWに形成されたチップ内の特徴のある部分、例えば特徴のある配線パターン等を設計データに基づいて予めアライメント用の基準パターンとして選択し、その基準パターンを制御装置の記憶部に登録しておく。そして、検査に先立つアライメントを実行する時に、アライメント機構7及び載置台5を介してウエハWを一定の向きに調整し、更に第1のCCDカメラ7AによってウエハWの複数箇所のスクライブラインを登録した後、この登録位置と所定の位置関係にあるチップをそれぞれ撮像する。そして、基準パターンとチップ画像内の基準パターンと対応する配線パターンとを比較し、基準パターンと一致する配線パターンを選択する、いわゆるパターンマッチングを行う。そして、基準パターンと一致する配線パターン内で特定の位置を選択し、登録する。
When performing alignment of the wafer W, the operator selects a characteristic portion in the chip formed on the wafer W, for example, a characteristic wiring pattern, etc. as a reference pattern for alignment based on the design data in advance. The pattern is registered in the storage unit of the control device. Then, when performing the alignment prior to the inspection, the wafer W is adjusted in a fixed direction via the
そして、配線パターンの特定位置と所定の位置関係にある電極パッドの位置を、設計データを利用して算出し、その算出位置を電極パッドの位置データ(座標値)として登録する。このように電極パッドの座標を複数箇所のスクライブラインに基づいて複数登録し、これらの電極パッドと、これらに対応するプローブ6Aとを位置合わせすることによって、ウエハWに形成された複数のチップについての電気的特性検査を行うことができる。 Then, the position of the electrode pad having a predetermined positional relationship with the specific position of the wiring pattern is calculated using design data, and the calculated position is registered as position data (coordinate value) of the electrode pad. Thus, a plurality of chips formed on the wafer W are registered by registering a plurality of coordinates of the electrode pads based on a plurality of scribe lines and aligning these electrode pads and the corresponding probes 6A. The electrical characteristic inspection can be performed.
しかしながら、最近ではチップの配線パターン等の微細化により、ウエハWにチップを形成する工程で配線パターン等が収縮する等して変形し、その影響でアライメント用の基準パターンとして使用できる配線パターン等の特徴あるパターンの選択作業が難しくなってきている。そのため、オペレータには基準パターンの選択作業に大きな負荷がかかる。また、基準パターンを選択したとしても、その後、アライメント時にパターンマッチングを行う際に、例えば図9に示すようにチップ内の配線パターンが類似のパターンを繰り返している場合には表示画面中心のクロスマークMに本来の特定位置を合わすべきところ、その斜め上下にある特定位置と酷似した部分、即ち○印で囲んだ部分を特定位置として誤認する虞があり、誤認に気付かずにアライメントを続行すると、検査の信頼性が損なわれる。 However, recently, due to the miniaturization of the chip wiring pattern and the like, the wiring pattern and the like are deformed and deformed in the process of forming the chip on the wafer W, and as a result, the wiring pattern and the like that can be used as a reference pattern for alignment It is becoming difficult to select characteristic patterns. Therefore, a heavy load is imposed on the operator in selecting the reference pattern. Even if the reference pattern is selected, when performing pattern matching after alignment, if the wiring pattern in the chip repeats a similar pattern as shown in FIG. 9, for example, a cross mark at the center of the display screen Where the original specific position should be aligned with M, there is a risk of misidentifying a part that is very similar to the specific position diagonally above and below, that is, a part surrounded by a circle, as the specific position, and if alignment is continued without noticing the misperception, The reliability of inspection is impaired.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、検査等のウエハ処理の信頼性を向上させることができると共に、オペレータを基準パターンの選択やパターンマッチングの各作業から解放してオペレータの負荷を軽減することができるウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法並びにこれらの方法を記録した記録媒体を提供することを目的としている。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can improve the reliability of wafer processing such as inspection, and frees the operator from the operations of selecting a reference pattern and pattern matching. It is an object of the present invention to provide a wafer electrode registration method, a wafer alignment method, and a recording medium on which these methods are recorded, which can reduce the load.
本発明の請求項1に記載のウエハ電極の登録方法は、ウエハに形成された複数のチップに所定の処理を施す際に、上記ウエハを載置した載置台と撮像手段が相対移動して、上記撮像手段により上記ウエハの任意の位置にあるチップを所定の照度で撮像し、上記チップの電極を検出した後、その電極の位置を登録する方法であって、上記チップの電極の大きさをティーチングする工程と、上記撮像手段により、上記チップの電極を撮像する時の照度を制御して上記撮像手段による電極画像の輪郭を現して上記電極を認識する工程と、上記輪郭の大きさの適否を上記ティーチングによる大きさに基づいて判断する工程と、上記輪郭の大きさが許容値内にある時、上記輪郭の大きさ及びその時の照度をそれぞれ登録する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
In the wafer electrode registration method according to
また、本発明の請求項2に記載のウエハ電極の登録方法は、請求項1に記載の発明において、上記所定の処理を実行する際に、上記ウエハを上記輪郭が得られた時の照度で照明する工程と、上記撮像手段により上記照明下で上記ウエハの電極画像を得て上記電極を認識する工程と、上記電極画像の大きさの適否を上記登録輪郭の大きさに基づいて判断する工程と、上記電極画像の輪郭が許容値内にある時に上記ウエハを所定の処理に供する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
The wafer electrode registration method according to
また、本発明の請求項3に記載のウエハのアライメント方法は、ウエハに形成された複数のチップに所定の処理を施す際に、上記載置台と撮像手段が相対移動して、上記撮像手段により上記ウエハを所定の照度で撮像することにより上記ウエハのアライメントを行う方法であって、上記撮像手段により上記載置台上の上記ウエハの任意のスクライブラインを撮像し、その位置を登録する工程と、上記撮像手段により上記スクライブラインの登録位置と所定の位置関係にあるチップの電極を、その電極画像の輪郭が現れる照度下で認識し、その情報を登録する工程と、上記撮像手段により上記電極を認識した時の上記載置台の位置を登録する工程と、上記位置登録された電極をアライメントに供する工程と、備えたことを特徴とするものである。
In the wafer alignment method according to
また、本発明の請求項4に記載のウエハのアライメント方法は、請求項3に記載の発明において、上記電極の認識、登録工程は、上記チップの電極の大きさをティーチングする工程と、上記撮像手段により、上記チップの電極を撮像する時の照度を制御して上記撮像手段による電極画像の輪郭を現して上記電極を認識する工程と、上記輪郭の大きさの適否を上記ティーチングによる大きさに基づいて判断する工程と、上記輪郭の大きさが許容値内にある時、上記輪郭の大きさ及びその時の照度をそれぞれ登録する工程と、を有することを特徴とするものである。
The wafer alignment method according to
また、本発明の請求項5に記載のウエハのアライメント方法は、請求項4に記載の発明において、上記アライメントに供する工程は、上記ウエハを上記輪郭が得られた時の照度で照明する工程と、上記撮像手段により上記照明下で上記ウエハの電極画像を得て上記電極を認識する工程と、上記電極画像の大きさの適否を上記登録輪郭の大きさに基づいて判断する工程と、上記電極画像の輪郭が許容値内にある時に上記ウエハを所定の処理に供する工程と、を有することを特徴とするものである。
In the wafer alignment method according to
また、本発明の請求項6に記載のウエハのアライメント方法は、請求項3〜請求項5のいずれか1項に記載の発明において、上記電極の認識工程及び上記アライメントに供する工程は、上記撮像手段の高倍率下で実施されることを特徴とするものである。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the wafer alignment method according to any one of the third to fifth aspects, wherein the step of recognizing the electrode and the step of providing the alignment are the imaging steps. It is carried out under a high magnification of the means.
また、本発明の請求項7に記載の記録媒体は、ウエハに形成された複数のチップに所定の処理を施す際に、上記ウエハを載置した載置台と撮像手段が相対移動して、上記撮像手段により上記ウエハの任意の位置にあるチップを所定の照度で撮像し、上記チップの電極を検出した後、その電極の位置を登録するためのプログラムを記録した記録媒体であって、上記プログラムによってコンピュータを駆動させて、請求項1または請求項2に記載のウエハ電極の登録方法を実行することを特徴とするものである。
In the recording medium according to
また、本発明の請求項8に記載の記録媒体は、ウエハに形成された複数のチップに所定の処理を施す際に、上記載置台と撮像手段が相対移動して、上記撮像手段により上記ウエハを所定の照度で撮像することにより上記ウエハのアライメントを行うためのプログラムを記録した記録媒体であって、上記プログラムによってコンピュータを駆動させて、請求項3〜請求項6のいずれか1項に記載のウエハのアライメント方法を実行することを特徴とするものである。
Further, in the recording medium according to
本発明によれば、検査等のウエハ処理の信頼性を向上させることができると共に、オペレータを基準パターンの選択やパターンマッチングの各作業から解放してオペレータの負荷を軽減することができるウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法並びにこれらの方法を記録した記録媒体を提供することができる。 According to the present invention, the reliability of wafer processing such as inspection can be improved, and the load of the operator can be reduced by releasing the operator from each of the operations of selecting a reference pattern and pattern matching. It is possible to provide a registration method, a wafer alignment method, and a recording medium on which these methods are recorded.
以下、図1〜図4に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図1は本発明方法の一実施形態を実施するために用いられる検査装置の構成を示すブロック図、図2は(a)、(b)はそれぞれ照明と電極パッドの撮像画像との関係を説明するための平面図、図3は(a)、(b)はそれぞれ本発明のウエハアライメント方法の一実施形態を適用する場合のウエハを示す図で、(a)はウエハ全体を示す平面図、(b)はウエハの中心部分のスクライブラインの交差部を拡大して示す平面図、図4は(a)、(b)はそれぞれ本発明のウエハアライメント方法及びウエハ電極の登録方法の一実施形態を示すフローチャート、図5は(a)、(b)はそれぞれ図1に示すフローチャートの後工程を示すフローチャート、図6はアライメント時に発生するアシスト救済機能が表示された表示画面を示す図、図7は図6に示すアシスト救済機能を具備しないアライメント時に発生するアシスト機能が表示された表示画面を示す図である。 Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiment shown in FIGS. In each figure, FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an inspection apparatus used for carrying out an embodiment of the method of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are images of illumination and electrode pads, respectively. FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a wafer when an embodiment of the wafer alignment method of the present invention is applied, and FIG. 3A is a wafer. FIG. 4B is an enlarged plan view showing an intersection of scribe lines at the center of the wafer, and FIGS. 4A and 4B are respectively a wafer alignment method and a wafer electrode according to the present invention. 5 is a flowchart showing an embodiment of a registration method, FIGS. 5A and 5B are flowcharts showing the subsequent steps of the flowchart shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a display screen on which an assist relief function generated during alignment is displayed. The To FIG, 7 is a diagram showing a display screen assist function appears to occur during alignment having no assist repair function shown in FIG.
まず、本発明のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法を記録した記録媒体を具備した検査装置について説明する。この検査装置10は、例えば図1に示すように、被検査体であるウエハWを載置する移動可能な載置台11と、この載置台11の上方に配置されたプローブカード12と、このプローブカード12の複数のプローブ12Aと載置台11上のウエハWとのアライメントを行うアライメント機構13と、アライメント機構13を構成する第1、第2の撮像手段(例えば、CCDカメラ)14、15と、第1、第2のCCDカメラ14、15によって撮像された画像を表示する表示画面16Aを有する表示装置16と、これらの構成機器を制御するコンピュータからなる制御装置17と、を備え、制御装置17の制御下で、アライメント機構13によって載置台11上のウエハWとプローブカード12の複数のプローブ12Aとのアライメントを行った後、複数のプローブ12AとウエハWとを電気的に接触させてウエハWの電気的特性検査を行うように構成されている。
First, an inspection apparatus including a recording medium on which a wafer electrode registration method and a wafer alignment method according to the present invention are recorded will be described. For example, as shown in FIG. 1, the
また、検査装置10は、図1に示すようにキーボード等の入力部18を備え、入力部18によって種々の検査条件を入力することができ、表示画面16A上に表示されたメニュー16Aやアイコン(図示せず)を指定して種々のプログラム等を実装することができる。
In addition, the
載置台11は、図1に示すように駆動機構11A及び検出器(例えば、エンコーダ)11Bを備え、駆動機構11Aを介してX、Y、Z及びθ方向に移動すると共にエンコーダ11Bを介して移動量を検出するように構成されている。駆動機構11Aは、載置台11が配置されたXYテーブルを駆動する、例えばモータとボールねじを主体とする水平駆動機構(図示せず)と、載置台11に内蔵された昇降駆動機構と、載置台11をθ方向に回転させるθ駆動機構と、を備えている。エンコーダ11Bは、モータの回転数を介してXYテーブルのX、Y方向への移動距離をそれぞれ検出し、それぞれの検出信号を制御装置17へ送信する。制御装置17は、エンコーダ11Bからの信号に基づいて駆動機構11Aを制御し、もって載置台11のX、Y方向への移動量を制御する。
As shown in FIG. 1, the mounting table 11 includes a
アライメント機構13は、上述のように第1、第2のCCDカメラ14、15及びアライメントブリッジ19を備えている。図1に示すように、第1のCCDカメラ14はアライメントブリッジ19に装着され、第2のCCDカメラ15は載置台11の側方に装着されている。第1、第2のCCDカメラ14、15は、いずれも低倍率と高倍率の二つの倍率を備え、低倍率または高倍率でプローブ12AやウエハWを撮像する。
The
第1のCCDカメラ14は、アライメントブリッジ19を介してプローバ室の背面からプローブセンタまで進出してプローブカード12と載置台11との間に位置し、ここで載置台11がX、Y方向へ移動する間に、照明灯(図示せず)によって照明されたウエハWを低倍率または高倍率で撮像し、撮像信号を制御装置17へ送信し、制御装置17を介してウエハ画像を表示画面16A上に表示する。また、第2のCCDカメラ15は、アライメントブリッジ19がプローブ室内の背面に後退した後、プローブカード12の下方で載置台11がX、Y方向へ移動する間に、プローブカード12の下方から複数のプローブ12Aの針先を所定の倍率で撮像し、撮像信号を制御装置17へ送信し、制御装置17を介してプローブ画像を表示画面16A上に表示する。
The
また、制御装置17は、中央演算処理部17Aと、本発明のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法を実行するためのプログラムを含む各種のプログラムが記憶されたプログラム記憶部17Bと、種々のデータを記憶する記憶部17Cと、第1、第2のCCDカメラ14、15からの撮像信号を画像処理する画像処理部14A、15Aと、これらの画像処理部14A、15Aからの画像信号を画像データとして記憶する画像記憶部14B、15Bと、これらの画像信号に基づいて表示画面16Aに撮像画像等を表示するための表示制御部14C、15Cと、を備え、中央演算処理部17Aとプログラム記憶部17B、記憶部17Cとの間で信号を送受信して検査装置10の各種の構成機器を制御する。
The
中央演算処理部17Aには入力部18が接続され、入力部18から入力された各種のデータ信号を中央演算処理部17Aで処理し、記憶部17Cへ格納する。本実施形態ではプログラム記憶部17Bに本実施形態のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法を実行するためのプログラムが格納され、表示装置16には表示画面16A及び操作パネル16B等が表示される。操作パネル16Bは、アライメント時に第1、第2のCCDカメラ14、15をウエハWあるいはプローブカード12に対して相対的に移動させる操作を行い、あるいはプローブカード12の位置データ等の画像情報を登録するなどの機能を有している。即ち、第1のCCDカメラ14は、操作パネル16Bの水平移動操作キーK1を押圧することにより載置台11に対して相対的にX、Y方向へ移動すると共に、操作パネル16Bの上下移動操作キーK2を押圧することにより載置台11に対して相対的にZ方向へ移動するように構成されている。第2のCCDカメラ15は、水平移動操作キーK1及び上下移動操作キーK2を押圧することにより載置台11がプローブカード12に対してX、Y、Z方向へ相対的に移動するように構成されている。
An
また、中央演算処理部17Aには画像記憶部14B、15B及び表示制御部14C、15Cが接続され、第1、第2のCCDカメラ14、15による撮像画像を中央演算処理部17A及び表示制御部14C、15Cを介して表示画面16A上にそれぞれ表示する。画像記憶部14B、15Bには第1、第2のCCDカメラ14、15による現在の撮像画像以外に、過去の撮像画像や加工画像等を格納することができる。
The central processing unit 17A is connected to image
本発明のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法等のプログラムは、種々の記録媒体を介してプログラム記憶部17Bに格納されている。また、これらのプログラムは、通信媒体によって各種の検査装置にダウンロードすることもできる。本実施形態では、コンピュータである制御装置17を駆動して、プログラム記憶部17Bに格納されたウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法のプログラムを実行するようにしてある。
Programs such as a wafer electrode registration method and a wafer alignment method of the present invention are stored in the
而して、本実施形態では、照明灯はウエハWを照明する時の照度を自動的に調整することができるように構成されている。また、第1のCCDカメラ14によるチップの撮像画像は、照明灯の照度によって画像の明暗が変化し、その照度によって、例えば図2の(a)に示すように画面中心のクロスマークMに合わせたチップ内の電極パッドのパッド画像Pが周囲より明るくなり、あるいは同図の(b)に示すようにパッド画像Pが周囲よりも暗くなって、パッド画像Pの輪郭(エッジライン)Eが明瞭に現れて、第1のCCDカメラ14によって電極パッドを確実に認識できるようになる。このようにパッド画像Pが明るくあるいは暗くなる現象は電極パッドの材質や照度によって異なるため、オペレータは電極パッドの材質毎に最適な照度を選択し、設定することになる。
Thus, in this embodiment, the illuminating lamp is configured to automatically adjust the illuminance when the wafer W is illuminated. Further, the image of the chip taken by the
そこで、本実施形態では、第1のCCDカメラ14による電極パッドのパッド画像Pにおいて、例えば図2の(a)に示すようにパッド画像PのエッジラインEが最も明瞭に現れる照度をオペレータが選択し、その照度を記憶部17Cに保存するようにしてある。また、同時に、オペレータが表示画面16Aでパッド画像Pを認識した時の載置台11の位置を電極パッドの座標値として記憶部17Cに保存するようにしてある。従って、ウエハWのアライメントを実行する時には、制御装置17の制御下で、予め保存されている照度でウエハWを照明することにより、第1のCCDカメラ14によって電極パッドを確実に認識することができることになる。このように本実施形態では電極パッドを第1のCCDカメラ14で直接認識することができるため、パターンマッチングによる電極パッドの誤認を生じることもなく、ウエハWのアライメントの信頼性を向上させることができる。尚、照明灯は、第1のCCDカメラ14によって撮像できる部分を照明するように、例えばアライメントブリッジ19等に取り付けられる。
Therefore, in this embodiment, in the pad image P of the electrode pad by the
これに対して、従来は、第1のCCDカメラ14によってチップ内にある配線パターンを検出し、その位置と電極パッドの設計上の位置関係に基づいて電極パッドの位置を算出し、電極パッドの位置を間接的に求めているため、オペレータが電極パッドの位置を登録する際に配線パターンの特定位置を誤認して指定操作を誤ると、電極パッドの位置が本来の位置から外れ、検査の信頼性が低下する。
On the other hand, conventionally, the
次に、図3〜図4を参照しながら本発明のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法(以下、単に「アライメント方法」と称す。)の一実施形態について説明する。ウエハ電極の登録方法は、ウエハアライメント方法の一環として実行される。尚、プローブ12AのアライメントはウエハWのアライメント前に終了しているものとする。
Next, an embodiment of the wafer electrode registration method and wafer alignment method (hereinafter simply referred to as “alignment method”) according to the present invention will be described with reference to FIGS. The wafer electrode registration method is executed as part of the wafer alignment method. Note that the alignment of the
まず、例えば表示画面16A上でアライメント方法のプログラムを選択すると、表示装置16に表示画面16A及び操作パネル16Bが表示され、制御装置17を介してそのプログラムを図4、図5に示すフローに従って実行する。この際、アライメント機構13の第1のCCDカメラ14がプローブセンタに位置している。この状態で、まず、図4の(a)に示すようにウエハの電極パッドの登録を行う。それにはまず、プリアライメントされたウエハWを載置台11上に載置すると(ステップS1)と、制御装置17が作動して、載置台11が自動的にX、Y方向へ移動してウエハWのエッジを検出した後、中央演算処理部17AにおいてウエハWの中心を算出する(ステップS2)。
First, for example, when an alignment method program is selected on the
その後、オペレータが水平移動操作キーK1を操作して、第1のCCDカメラ14の低倍率の視野、即ち表示画面16A内にウエハ中心付近のスクライブラインの交差部が入るように載置台11を移動させ、このスクライブラインを表示画面中心のクロスマークMに合わせて、その時の載置台11の位置座標を登録する(ステップS3)。次いで、同様にして、ウエハ中心のスクライブラインの、例えばチップ1個左側のスクライブラインが表示画面内に入るように載置台11を移動させて、このスクライブラインを表示画面中心のクロスマークMに合わせ、その時の載置台11の座標を登録した後、中央演算処理部17Aにおいてウエハ中心付近のスクライブラインの登録座標とウエハ中心左側の登録座標に基づいてウエハのθ方向のズレ(回転量)を算出する(ステップS4)。
Thereafter, the operator operates the horizontal movement operation key K1 to move the mounting table 11 so that the low magnification field of view of the
更に、ウエハ中心のスクライブラインの、例えば予め設定されたチップ10個分右側のスクライブラインが表示画面16A内に入るように載置台11が自動的に移動した後、オペレータが水平移動操作キーK1を操作して載置台11を微移動させて、このスクライブラインを表示画面中心のクロスマークMに合わせ、その時の載置台11の座標を登録する(ステップS5)。この時、載置台11は既に算出した回転量を反映した座標位置へ移動する。引き続き、中央演算処理部17AにおいてステップS4及びステップS5で得られた登録座標値に基づいてウエハのθ方向のズレを算出した後、載置台11を回転させてウエハのθ方向のズレを無くして、ウエハを一定の向きに整える(ステップS6)。
Further, after the mounting table 11 is automatically moved so that the scribe line on the right side of, for example, 10 preset chips on the wafer center enters the
ステップS1〜ステップS6の一連の操作によってウエハを一定の向きの整えた後、プローブ12Aとの位置合わせに必要な電極パッドの座標を登録する。それには、オペレータが第1のCCDカメラ14を高倍率に切り換えて、先のウエハ中心付近のスクライブラインと表示画面中心のクロスマークMとを合わせ、ウエハ中心のスクライブラインの座標を登録する(ステップS7)。そして、オペレータが水平移動操作キーK1を操作してウエハ中心のスクライブラインの近くにあるチップ内の適当なマイクロパターンの所定位置を表示画面に表示し、その位置を表示画面中心のクロスマークMに合わせてマイクロパターンの座標として登録する(ステップS8)。マイクロパターンの登録は、ウエハ内の一箇所でのみ行われる。
After aligning the wafer in a certain direction by a series of operations from step S1 to step S6, the coordinates of the electrode pads necessary for alignment with the
その後、高倍率の状態で、オペレータが載置台11を移動させてマイクロパターンと所定の位置関係にあるアライメントすべき電極パッドを表示画面に表示させ、そのパッド画像の中心と表示画面中心のクロスマークに合わせて、その時の電極パッドの座標を登録する(ステップS9)。マイクロパターンの座標と電極パッドの座標に基づいて、マイクロパターンと電極パッドの位置関係を中央演算処理部17Aによって算出する。この電極パッドの座標の登録は、一つのマイクロパターンについて、通常、登録されているプローブ4本に対応する4箇所について行われる。これによってオペレータは従来の基準パターンの選択及びパターンマッチングの各作業から解放される。 Thereafter, in a high magnification state, the operator moves the mounting table 11 to display on the display screen the electrode pads to be aligned that are in a predetermined positional relationship with the micropattern, and the cross mark between the center of the pad image and the center of the display screen At this time, the coordinates of the electrode pad at that time are registered (step S9). Based on the coordinates of the micro pattern and the coordinates of the electrode pad, the positional relationship between the micro pattern and the electrode pad is calculated by the central processing unit 17A. The registration of the electrode pad coordinates is normally performed for four locations corresponding to four registered probes for one micropattern. This frees the operator from conventional operations of selecting a reference pattern and pattern matching.
ところで、ステップS9において電極パッドの座標を登録する場合には、本発明のウエハ電極の登録方法を使用する。即ち、図4の(b)に示すように、操作パネル16Bにおいて、電極パッドの大きさ(サイズ)を入力してティーチングする(ステップS93)。電極パッドのサイズは、電極パッドのおおよそのサイズをグラフィックスでティーチングする。次いで、電極パッドの認識を最適化する(ステップS92)。最適化する時にはオペレータが照明灯の照度を制御しながら電極パッドのエッジラインの現れ具合を観察し、エッジラインが最大限見える時の照度を選択する。そして、第1のCCDカメラ14は選択された照度下で電極パッドの認識を行い、その時の電極パッドのサイズとティーチングされたグラフィックスのサイズとの差が許容値内であるか否かを判断する。電極パッドのサイズが許容値内であれば、その時の照度と電極パッドのサイズを記憶部17Cのセットアップファイルに保存する(ステップS93)。電極パッドのサイズが許容値外であればエラーとし、別の電極パッドを検索する。
By the way, when the coordinates of the electrode pad are registered in step S9, the wafer electrode registration method of the present invention is used. That is, as shown in FIG. 4B, the size (size) of the electrode pad is input and teaching is performed on the
上述のようにして電極パッドを登録した後、その登録データを用いて図5の(a)、(b)に示すフローに従ってウエハ検査時のアライメントを行った後、本来の電気的特性検査を実行する。このアライメントではまず、図5の(a)に示すようにステップS11において電極パッドを登録した時と同一の手順(ステップS1〜ステップS6)で載置台11上のウエハを所定の向きに整える。その後、第1のCCDカメラが高倍率になった状態で、載置台11がウエハ中心、左側及び右側それぞれのスクライブラインの登録座標へ自動的に移動し、それぞれの位置でマイクロパターンを検出し、それぞれの座標を登録した後、これらの座標に基づいてウエハのθ方向のズレを無くす(ステップS12)。これによりウエハを所定の向きが高精度に整えられ、ウエハWの電極パッドと対応するプローブ12Aとの位置合わせを高精度に行うことができる。
After registering the electrode pads as described above, alignment is performed at the time of wafer inspection according to the flow shown in FIGS. 5A and 5B using the registration data, and then the original electrical characteristic inspection is executed. To do. In this alignment, first, as shown in FIG. 5A, the wafer on the mounting table 11 is arranged in a predetermined direction by the same procedure (step S1 to step S6) as when the electrode pad was registered in step S11. Thereafter, with the first CCD camera at a high magnification, the mounting table 11 automatically moves to the registered coordinates of the scribe line at the wafer center, the left side and the right side, and detects the micropattern at each position, After registering the respective coordinates, the deviation in the θ direction of the wafer is eliminated based on these coordinates (step S12). As a result, the wafer is arranged in a predetermined direction with high accuracy, and the alignment between the electrode pad of the wafer W and the
然る後、第1のCCDカメラ14が高倍率のまま、載置台11が自動的にウエハ中心、左側、右側、上側及び下側へ移動し、それぞれの位置でマイクロパターンを検出できることを確認する(ステップS13)。いずれの場所でもマイクロパターンが検出できるということは、ウエハが十分な水平度にあることを示している。更に、第1のCCDカメラ14が高倍率のまま、載置台11が自動的に予め設定されたアライメントイすべきチップへ移動してマイクロパターンを検出した後、マイクロパターンからステップS9で算出された位置関係に基づいて電極パッドへ自動的に移動して電極パッドを認識し、対応するプローブ12Aとの位置合わせを行う(ステップS14)。その後、載置台11を介してウエハWの電極パッドと対応するプローブ12Aとが電気的に接触して、ウエハWの各チップの電気的特性検査を行う。
Thereafter, it is confirmed that the mounting table 11 automatically moves to the wafer center, left side, right side, upper side, and lower side while the
ここで、電極パッドの認識は、図5の(b)に示すフローに従って行われる。即ち、上述したように載置台11が自動的に電極パッドまで移動すると、セットアップ時に登録された照度で照明灯を点灯し(ステップS141)、電極パッドを照明する。この照明により第1のCCDカメラ14により撮像された表示画面16Aのパッド画像に明瞭なエッジラインが現れ、その電極パッドを認識する(ステップS142)。その後、チップ画像の大きさとステップS9で登録されているグラフィックスの大きさとを自動的に比較し(ステップS143)、エッジラインが許容値内であればパッド画像が適切なものであると判断し、上述のように電極パッドがプローブ12Aとの位置合わせに供される。
Here, the recognition of the electrode pad is performed according to the flow shown in FIG. That is, when the mounting table 11 automatically moves to the electrode pad as described above, the illumination lamp is turned on with the illuminance registered at the time of setup (step S141), and the electrode pad is illuminated. With this illumination, a clear edge line appears in the pad image of the
従って、本実施形態では、ウエハWのアライメントを行う場合には、第1のCCDカメラ14を用いて、適当なマイクロパターンと所定に位置関係にある電極パッドを検出し、電極パッドの座標を直接登録し、アライメントに使用するため、オペレータは従来のように特徴あるマイクロパターンを選択する作業から解放され、しかもアライメントの信頼性を向上させることができる。
Therefore, in the present embodiment, when the alignment of the wafer W is performed, the
ウエハWの電気的特性検査を繰り返している間に例えばプローブ12Aが何等か原因で位置ズレすることがある。この場合にはアライメントのアシスト機能が作動してアライメントを中断する。そこで、本実施形態ではアシスト救済機能が付加されていて、このアシスト救済機能を介してプローブ12Aの不具合を解消し、短時間でアライメントを続行することができるようになっている。
While the electrical characteristic inspection of the wafer W is repeated, for example, the
即ち、アシスト救済機能が作動すると、例えば図6に示すように表示画面16Aには4つの画面が自動的に表示される。表示装置16の左上の表示画面16AにアライメントマークMが針先から位置ズレした不具合のあるプローブ12Aのプローブ画像が表示され、その右隣の表示画面16Cにプローブ画像に対応する登録画像が表示される。この登録画像ではアライメントマークM’が所定の針先に位置している。また、登録画像の下側に操作パネル16Bが表示され、操作パネル16Bの左隣にプローブ画像の不具合の現在の状態及び指示事項が文字情報16Dで表示される。オペレータは、表示画面16C内の登録画像を見ながら文字情報16Dの指示事項に従って操作パネル16Bの水平移動操作キーK1を押圧操作して表示画面16A内のプローブ画像を移動させる。プローブ画像が登録画像と一致すると所定のプローブ12Aの不具合が解消するため、オペレータは、確定終了キーK3を押圧操作することによりアシスト救済機能を停止させる。これによりアシスト機能が自動的に解除されてアライメント動作に戻り、アライメントを正確に続行することができる。表示画面16C内の登録画像は、上述したプローブ登録時にプローブカード12の四隅のプローブ12Aの針先を撮像して位置データ及び撮像条件と一緒にプローブ画像がその都度画像記憶部14Bに登録されたものである。
That is, when the assist relief function is activated, four screens are automatically displayed on the
これに対して上記アシスト救済機能を具備しない既存のアシスト機能の場合には、図7に示すようにアライメントマークMが針先から位置ズレしたプローブ画像が表示画面16A内に表示されると共に操作パネル16Bが表示され、プローブ画像に対応する登録画像が表示されない。このように既存のアシスト機能が発生した場合、表示画面16Aには撮像画像しか表示されないため、オペレータは複数の針先のどの針先にアライメントマークMを合わせてアシスト機能を解除すれは良いのか判らない。アシスト機能を解除するためには登録した位置を正確に覚えておくか、プローブの登録マニュアル等を参照しなくてはならず、アライメントに戻すために多くに時間を割かざるを得ない。また、アシスト機能を解除する際に、アライメントマークMを本来の針先とは別の針先に合わせると、その後のアライメントを正確に行うことができず、検査不良を起こすことになる。
On the other hand, in the case of an existing assist function that does not have the assist relief function, a probe image in which the alignment mark M is displaced from the needle tip is displayed in the
以上説明したように本実施形態によれば、載置台11上に載置されたウエハWを第1のCCDカメラ14によって撮像してウエハWの検査に供するに当たり、第1のCCDカメラ14により載置台11上のウエハWの任意のスクライブラインを撮像し、その位置を登録する工程と、第1のCCDカメラ14によりスクライブラインの登録位置と所定の位置関係にあるチップの電極パッドを、そのチップ画像PのエッジラインEが現れる照度下で認識し、その照度及びチップ画像の大きさを登録する工程と、第1のCCDカメラ14により電極パッドを認識した時の載置台11の座標を登録する工程と、上記座標登録された電極パッドをアライメントに供する工程と、を備えているため、アライメント用の電極パッドを確実に検出してウエハWの検査の信頼性を向上させることができると共に、アライメント時にオペレータをパターン選択及びパターンマッチングの各作業から解放し、オペレータの負荷を軽減することができる。
As described above, according to the present embodiment, when the wafer W placed on the placement table 11 is imaged by the
また、本実施形態によれば、電極パッドを認識し、登録する工程は、チップの電極パッドの大きさをティーチングする工程と、第1のCCDカメラ14により、チップの電極パッドを撮像する時の照度を制御して第1のCCDカメラ14によるパッド画像PのエッジラインEを現して電極パッドを認識する工程と、エッジラインEの大きさの適否をティーチングによる大きさに基づいて判断する工程と、エッジラインEの大きさが許容値内にある時、エッジラインEの大きさ及びその時の照度をそれぞれ登録する工程と、を有するため、ウエハWのアライメントを行う際に、ウエハWの電極パッドを直接且つ確実に検出することができる。
According to the present embodiment, the step of recognizing and registering the electrode pad includes the step of teaching the size of the electrode pad of the chip, and the time when the electrode pad of the chip is imaged by the
また、本実施形態によれば、アライメントに供する工程は、ウエハWをエッジラインEが得られた時の照度で照明する工程と、第1のCCDカメラ14によりエッジラインEが得られた照明下でウエハWのパッド画像Pを得て電極パッドを認識する工程と、パッド画像Pの大きさの適否を登録されたエッジラインの大きさに基づいて判断する工程と、パッド画像PのエッジラインEが許容値内にある時にウエハWを検査に供する工程と、を有するため、ウエハWの電極パッドとこれに対応するプローブ12Aとを確実に接触させることができ、検査の信頼性を向上させることができる。
According to the present embodiment, the alignment process includes the step of illuminating the wafer W with the illuminance when the edge line E is obtained, and the illumination under which the edge line E is obtained by the
また、本実施形態によれば、ウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法のプログラムを記録した記録媒体を検査装置10のプログラム記憶部17Cの格納することにより、本発明のウエハ電極の登録方法及びウエハのアライメント方法を確実に実行することができる。
In addition, according to the present embodiment, a recording medium on which a program of a wafer electrode registration method and a wafer alignment method is recorded is stored in the program storage unit 17C of the
尚、上記実施形態ではウエハWの検査装置10を例に挙げて説明したが、ウエハのアライメントが必要とされる種々の半導体製造装置にも本発明を適用することができる。要は、ウエハの電極パッドを本発明の方法により登録し、登録データを用いてウエハのアライメントを行う方法であれば、全て本発明に包含される。
In the above-described embodiment, the wafer
本発明は、半導体製造装置や検査装置において好適に利用することができる。 The present invention can be suitably used in semiconductor manufacturing apparatuses and inspection apparatuses.
12A プローブ(対象物)
14 第1のCCDカメラ(撮像手段)
16 表示画面
16A 撮像画面
16B 操作パネル
16C 登録画像
M、M’アライメントマーク(位置合わせマーク)
W ウエハ
12A probe (object)
14 First CCD camera (imaging means)
16
W wafer
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